JP5142231B2 - マスクブランクスの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、マスクブランクス用ガラス基板の製造方法、マスクブランクスの製造方法、
マスクブランクス用ガラス基板、及びマスクブランクスに関する。

従来、光学式読み取りタイプのエリアコードがガラス基板の端面や裏面に形成された金
属膜に設けられているマスクブランクスが知られている（例えば、特許文献１参照。）。
また、ガラス基板側面（端面）のつや消し部分に、所定の記号がマーキングされたマスク
ブランクスが知られている（例えば、特許文献２参照。）。
特開２００２−１１６５３３号公報 特開昭５９−１５９３８号公報

近年、露光光源の波長は２００ｎｍ以下に短波長化しており、マスクブランクス用ガラ
ス基板、及びマスクブランクスに要求される品質（デバイスのパターン特性に影響のある
例えば、許容できる欠陥の大きさや個数、レジスト膜の面内膜厚均一性など）は益々厳し
くなっている。エリアコード等の形成の仕方によっては、後の工程での発塵が生じ、要求
品質を満たすのが困難になるおそれがある。また、エリアコード等の形成の仕方、形成位
置によっては、回転塗布方法により形成されるレジスト膜の面内膜厚均一性が悪化し、要
求品質を満たすのが困難になるおそれがある。特に、パターンの微細化のため近年３００
ｎｍ以下といった薄膜のレジスト膜においては、今まで以上に面内膜厚のばらつきによる
パターン形成の際の影響が大きくなるので問題が顕著になる。また、近年のマスクブラン
クス用ガラス基板においては、端面も鏡面研磨される場合があり、つや出し状に施した記
号等では、十分な読み取り精度が得られないおそれがある。

そこで、本発明は、上記の課題を解決できる、マスクブランクス用ガラス基板の製造方
法、マスクブランクスの製造方法、マスクブランクス用ガラス基板、及びマスクブランク
スを提供することを目的とする。

上記の課題を解決するために、本発明は、以下の構成を有する。
（構成１）マスクブランクス用ガラス基板の製造方法であって、前記ガラス基板表面にお
ける転写に影響のない領域であって、かつ鏡面状の表面にレーザ光を照射させて、前記マ
スクブランクス用ガラス基板を識別、又は管理するためのマーカとして用いられる凹部を
形成するマーキング工程を備える。マーキング工程は、このマーカを、例えばガラス基板
主表面におけるマスクパターン用薄膜が形成されない側の主表面であって、転写に影響の
ない周辺領域や、転写に影響のないガラス基板の側面、前記主表面と前記側面との間に設
けられた面取面、ガラス基板のノッチマークなどに形成する。マーキング工程は、例えば
、鏡面状の表面にレーザ照射により融解又は昇華させることで凹部を形成する。そのよう
に形成されたマーカは十分な読み取り精度であるとともに、後の工程での発塵のおそれが
ない。

このマーカは、例えば、製造されるマスクブランクス用ガラス基板に固有の識別情報・
識別記号（識別コード）や管理記号（管理コード）として使用することができる。このよ
うにすれば、従来できなかったマスクブランクス用ガラス基板の枚葉管理が可能になる。

また、この識別情報は、例えば、製造工程中で取得した情報（基板情報）（欠陥情報、
表面粗さ、平坦度などの表面形態情報、板厚（厚み）や大きさなどの形状など）や、ガラ
ス基板が持つ固有の基板情報（材料、成分、組成、純度、複屈折、透過率など）と対応付
けすることができる。このようにすれば、取得又は準備した情報と、マスクブランクス用
ガラス基板との対応付けを確実に行うことができる。

マーキング工程は、識別情報・識別記号や管理記号を示すマーカの代わり、又は識別情
報・識別記号や管理記号を示すマーカに加えて、製造工程中で取得した基板情報やガラス
基板が持つ固有の基板情報等を直接示すマーカを形成してもよい。この場合も、マスクブ
ランクス用ガラス基板の枚葉管理を適切に行うことができる。

ここで、ガラス基板の材料は、例えば合成石英ガラスや、ＳｉＯ_２−ＴｉＯ_２系の多成
分系ガラスが挙げられる。ガラス基板の材料に応じて、レーザ光の照射により融解又は昇
華させて凹部を形成するためのレーザ光の波長を選定する。上述のようなガラス基板の材
料の場合、マーキング工程は、例えば炭酸（ＣＯ_２）ガスレーザを用いたレーザマーカに
より、マーカを形成することができる。レーザ光のエネルギーを適宜調整することにより
、ガラス基板表面の一部を適切に融解又は昇華させることができ、溶解又は昇華させるこ
とにより形成された凹部は、高い精度で読み取り可能となる。そして、経年劣化によるク
ラックの発生も抑えることができる。また、マーキング工程は、複数の凹部を、それぞれ
の凹部となるべき位置にレーザ光を複数回重ねて照射することにより形成することもでき
る。このようにすれば、複数の凹部の形状ばらつきを低減できる。そのため、マーカの読
み取り精度を向上させることができる。複数の凹部のそれぞれは、例えば、データマトリ
ックス、ＱＲコード等の２次元コードの各点を構成してもよいし、又は第３者にそのマー
カの情報がわからないようにするための隠しコードや乱数コードとしてもよい。

ガラス基板の材料に応じた適切なレーザ光の波長選定を行わないと、例えば、レーザ光
が照射された部分がキズ状のマーカが形成されてしまうことになる。この場合、キズ状の
マーカが発塵の原因となるので好ましくない。

また、マーカをガラス基板の側面、面取面などの端面や、ノッチマークに形成すること
により、マーカの形成によりガラス基板の主表面や、該主表面上に形成されたマスクパタ
ーン用薄膜に新たな欠陥等が生じるのを防ぐことができる。更には、端面研磨等によりマ
ーカを消去できるため、例えばマーカを付け替える必要が生じた場合にも、ガラス基板の
厚みを減らすことなく新たなマーカを形成することができる。

尚、マーキング工程は、例えば、ガラス基板受け入れ時等のガラス基板の研削・研磨を
行う以前や、研削・研磨及び基板検査を行った後等に行われる。マーキング工程は、研削
・研磨の各段階の途中、例えば、ガラス基板の研削後、ガラス基板の端面研磨後、又はガ
ラス基板の主表面の鏡面研磨後等に行ってもよい。基板検査以前にマーキング工程が行わ
れる場合、例えば、ガラス基板の識別情報・識別記号や管理記号を示すマーカが形成され
る。

また、例えば、ガラス基板の端面研磨において、精密研磨及び超精密研磨を行う場合、
マーキング工程は、端面に対する精密研磨と超精密研磨との間に行ってもよい。このよう
にすれば、マーカ内部やマーカ以外の端面の表面粗さを低減でき、発塵発生防止により効
果がある。精密研磨とは、例えば、酸化セリウムと水等の溶媒とを含む研磨液、及び研磨
ブラシや研磨パッドを用いて行う研磨である。超精密研磨とは、例えば、コロイダルシリ
カと水等の溶媒とを含む研磨液、及び研磨ブラシや研磨パッドを用いて行う研磨である。
マーキング工程は、例えばガラス基板主表面に精密研磨と超精密研磨との間に行ってもよ
い。この場合、この場合、主表面の超精密研磨がマーカ形成後に行われるため、マーカが
発塵の原因となるおそれを更に低減できる。

（構成２）前記ガラス基板に関する基板情報を準備する工程を更に備え、前記ガラス基板
に関する基板情報と、前記マーカと対応を付けする。
このようにすれば、ガラス基板の表面形状、平坦度、欠陥に関する情報などの基板情報
を、ガラス基板と直接対応させることができる。

ガラス基板に関する基板情報の準備は、製造工程中で取得した基板情報や、個々のガラ
ス基板が持つ固有の基板情報を準備することを言う。例えば、製造工程中で取得する基板
情報としては、基板検査工程で得られる基板情報がある。
基板検査工程は、ガラス基板の主表面の形状について、例えば、厚み、表面形状（主表
面の反り形状、主表面全体の凹凸）、 平坦度、平行度等を検査する。このようにすれば
、マスクブランクスの製造時において、マスクパターン用薄膜（例えば、位相シフト膜、
遮光膜等）を形成する成膜工程等を、効率よく行うことができる。

また、基板検査工程は、ガラス基板の主表面の欠陥について、欠陥の位置、種類（凸欠
陥（パーティクル等）、凹欠陥（ピンホール、キズ等）、その他）、及びサイズ等を検査
する。このような欠陥データが既知であれば、例えばマスク製造時において、欠陥を避け
てマスクパターンを設計できる。

（構成３）前記ガラス基板に関する基板情報は、ガラス基板の物理的特性、化学的特性、
光学的特性、基板表面の表面形態、形状、材料、欠陥のうち少なくとも何れか一つを含む
情報とする。ガラス基板の物理的特性としては、例えば、複屈折、屈折率、吸収係数など
が挙げられる。また、ガラス基板の化学的特性としては、耐酸性、耐アルカリ性などが挙
げられる。ガラス基板の光学的特性としては、吸収係数、透過率などが挙げられる。ガラ
ス基板表面の表面形態としては、表面粗さ、うねり、平坦度、平行度、凸形状、凹形状な
どが挙げられる。ガラス基板の形状としては、厚み（板厚）、サイズなどが挙げられる。
ガラス基板の材料としては、硝種、組成などが挙げられる。ガラス基板の欠陥としては、
脈理、気泡、不純物混入による透過率異常などの基板内部の欠陥や、パーティクル、傷、
ピンホールなどの基板表面の欠陥などが挙げられる。尚、上述の通り、ガラス基板の欠陥
については、上述の種類に加え、ガラス基板における欠陥の位置、サイズなどの情報を加
えることにより、例えばマスク製造時において、欠陥を避けてマスクパターンを設計する
ことができたり、欠陥が問題とならない等級（グレード）や比較的長波長域に使われるマ
スクブランクスに適用することで対応することができる。

（構成４）構成１乃至３の何れか一に記載のマスクブランクス用ガラス基板の製造方法に
よって得られたマスクブランクス用ガラス基板の主表面上に、マスクパターンとなるマス
クパターン用薄膜を成膜する成膜工程を備える。

マスクブランクスには、露光波長や用途（形成パターン）によって、それぞれ品質が異
なる複数の等級（グレード）が存在している。等級によって、許容される欠陥サイズや個
数等が異なる。また、マスクブランクスの製造時に成膜されるマスクパターン用薄膜（位
相シフト膜や遮光膜等）やレジスト膜には、それぞれ複数の種類のものが存在している。
そのため、マスクブランクス製造時において、等級や、成膜すべき薄膜及びレジスト膜等
の種類を管理するのは容易ではない。

しかし、構成４のようにした場合、マスクブランクスの枚葉管理が可能となる。そのた
め、マスクブランクス製造時において、等級や、成膜すべき薄膜及びレジスト膜等の種類
を、適切に管理できる。マーカは、例えば、マスクブランクス用ガラス基板の識別情報・
識別記号、又は管理記号を示す。この識別情報・識別記号、又は管理記号は、例えば、マ
スクブランクス用ガラス基板により製造されるマスクブランクスの種類と対応付けされる
。また、マスクブランクスを確実に枚葉管理できるため、例えばマスクブランクスについ
ての情報をマスクブランクスとともにマスクメーカ等に供給する場合に、この情報と、マ
スクブランクスとの対応付けを、確実に行うことができる。

（構成５）ガラス基板の主表面上に、マスクパターンとなるマスクパターン用薄膜を成膜
する成膜工程を有するマスクブランクスの製造方法であって、前記ガラス基板表面におけ
る転写に影響のない領域であって、かつ鏡面状の表面にレーザ光を照射させて、前記ガラ
ス基板及び／又は前記ガラス基板上にマスクパターンとなるマスクパターン用薄膜が形成
されたマスクブランクスを識別、又は管理するためのマーカとして用いられる凹部を形成
する工程を更に備えることを特徴とするマスクブランクスの製造方法。

構成５のようにした場合、構成４と同様の効果を得ることができる。尚、構成５におけ
るマーキング工程は、構成１から構成３にあるようなガラス基板の製造過程において行わ
れてもよいが、ガラス基板の製造過程の後、マスクパターン用薄膜が形成される前、又は
後に行ってもかまわない。

（構成６）前記成膜工程の前に前記ガラス基板に関する基板情報を準備する工程を更に備
え、前記マーカは、前記ガラス基板に関する基板情報と対応付けされ、前記マーカから読
み取った基板情報に基づいて、成膜すべき前記マスクパターン用薄膜を決定する薄膜決定
工程を更に備え、前記成膜工程は、前記薄膜決定工程で決定された前記マスクパターン用
薄膜を成膜する。

このようにすれば、成膜工程で成膜するマスクパターン用薄膜の種類を、例えば、基板
情報を準備する工程における基板情報（具体的には、基板検査工程の検査結果（ガラス基
板の主表面の表面形状、平坦度、欠陥の少なくとも何れか一つを検査する基板検査工程）
）に応じて決定できる。そのため、マスクブランクス用ガラス基板を、無駄なく有効に利
用できる。

薄膜決定工程は、マスクブランクス用ガラス基板の基板情報の一つである形状として、
例えば、主表面の表面形状を識別する。主表面の表面形状が凹形状の場合と凸形状の場合
とでは、マスクパターン用薄膜に膜応力が存在する場合、マスクブランクスにした際の表
面形状が変化する。よって、薄膜決定工程は、基板検査工程の検査結果を考慮して、成膜
すべきマスクパターン用薄膜の種類及び膜厚を決定する。このようにすれば、例えば、成
膜工程で成膜されるマスクパターン用薄膜の種類が予め決まっている場合等と比べ、歩留
まりを向上させることができる。

（構成７）前記成膜工程の後、前記マスクパターン用薄膜に関する薄膜情報を準備する薄
膜情報準備工程を更に備え、前記マーカは、前記薄膜情報準備工程で得た薄膜情報と対応
付けされる。前記薄膜情報準備工程は、具体的には、例えば、前記マスクパターン用薄膜
の薄膜情報、例えば、光学特性、薄膜の表面形状、欠陥の少なくとも一つを検査する薄膜
検査工程を指す。このようにすれば、マスクパターン用薄膜の薄膜情報である光学特性、
薄膜の表面形状、欠陥などに関する薄膜情報を、マスクブランクスと直接対応させること
ができる。

（構成８）前記薄膜情報は、薄膜の物理的特性、化学的特性、電気的特性、光学的特性、
薄膜表面の表面形態、材料、欠陥、成膜条件のうち少なくとも何れか一つを含む情報であ
る。薄膜の物理的特性としては、例えば、熱膨張係数などが挙げられる。また、薄膜の化
学的特性としては、耐酸性、耐アルカリ性、耐水性などが挙げられる。薄膜の電気的特性
としては、抵抗率などが挙げられる。薄膜表面の表面形態としては、表面粗さ、うねり、
平坦度、平行度、凸形状、凹形状などが挙げられる。薄膜の材料としては、成分、組成、
膜厚方向や面内方向における組成分布などが挙げられる。薄膜の欠陥としては、不純物混
入による透過率異常や、パーティクル、ピンホールなどの欠陥が挙げられる。薄膜の成膜
条件としては、成膜装置、ガス種、ガス圧力、スパッタリングターゲット情報、ガス流量
、加熱条件、成膜日などが挙げられる。尚、上述のガラス基板の欠陥と同様に、上述の欠
陥の種類に加え、薄膜における欠陥の位置、サイズなどの情報を加えることにより、例え
ば、マスク製造時において、欠陥を避けてマスクパターンを設計することができたり、欠
陥が問題とならない等級（グレード）に使われるマスクブランクスに適用することで対応
することができる。

また、薄膜情報の使い方としては、具体的には以下のような使い方が考えられる。前記
マーキング工程は、前記マスクブランクス用ガラス基板の厚みを識別するための前記マー
カを形成し、前記マスクブランクスの製造方法は、前記マスクパターン用薄膜の薄膜情報
である例えば、光学特性、薄膜の表面形状、欠陥の少なくとも一つを検査する薄膜検査工
程を有し、前記薄膜検査工程は、マスクブランクスの仕様に合うか否かを判定する合否判
定工程を含み、マスクブランクスの仕様に合わないと判定された前記マスクブランクスか
ら前記マスクパターン用薄膜を剥離する薄膜剥離工程と、前記薄膜剥離工程で前記マスク
パターン用薄膜が剥離された前記マスクブランクス用ガラス基板の厚みを、前記マーカか
ら読み取った情報を用いて識別する厚み識別工程と、前記厚み識別工程で識別された厚み
に応じた研磨量だけ前記マスクブランクス用ガラス基板の主表面を研磨する再研磨工程と
を更に備え、前記成膜工程は、前記再研磨工程で研磨された前記マスクブランクス用ガラ
ス基板の主表面上に、新たな前記マスクパターン用薄膜を成膜する。

マスクブランクス用ガラス基板の材料は、例えば合成石英ガラスや、ＳｉＯ_２−ＴｉＯ
_２系の多成分系ガラスが挙げられる。このようなガラスは高価であるため、ガラス基板を
無駄なく有効に利用することが望まれる。上述のようにすれば、マスクパターン用薄膜の
成膜不良等が生じ、マスクブランクスの仕様に合わないと判定された場合も、マスクブラ
ンクス用ガラス基板の再生（リサイクル）を効率よく行うことができる。また、再生され
たマスクブランクス用ガラス基板を用いて、新たなマスクブランクスを適切に製造できる
。尚、マスクブランクス用ガラス基板は、再生前と異なる、例えばより低い等級のマスク
ブランクス用ガラス基板に再生されてもよい。

また、上述のようにした場合、厚み識別工程にてガラス基板の厚みを選別できるため、
再研磨前の厚み分け工程を簡略化できる。更には、選別された厚みに応じて、研磨量等の
研磨条件を容易かつ適切に設定できる。再研磨工程は、例えば、厚みに応じて取りしろ量
を設定することにより、厚みに応じた研磨量だけ研磨を行う。再研磨工程の後は、例えば
、再生後のマスクブランクス用ガラス基板を識別するためのマーカを形成する。尚、再生
前のマスクブランクス用ガラス基板のマーカは、例えば、再研磨工程で研磨により消去で
きる。

（構成９）前記成膜工程の後、前記マスクパターン用薄膜上にレジスト膜を形成するレジ
スト膜形成工程と、前記レジスト膜形成工程の後、前記レジスト膜に関するレジスト膜情
報を準備するレジスト膜情報準備工程と、を更に備え、前記マーカは、前記レジスト膜情
報準備工程で得たレジスト膜情報と対応付けされる。構成９のようにした場合、構成４、
５と同様の効果を得ることができる。レジスト膜情報準備工程は、具体的には、例えば、
レジスト膜を検査するレジスト膜検査工程を指す。

（構成１０）前記レジスト膜情報は、レジスト膜の物理的特性、化学的特性、レジスト膜
表面の表面形態、材料、欠陥、形成条件のうち少なくとも何れか一つを含む情報である。
レジスト膜の物理的特性としては、例えば、硬度などが挙げられる。また、レジスト膜の
化学的特性としては、耐酸性、耐塩基性などが挙げられる。レジスト膜表面の表面形態と
しては、表面粗さ、うねり、平坦度、面内膜厚均一性、平均膜厚、レジスト膜厚の鳥瞰図
などが挙げられる。レジスト膜の材料としては、樹脂材料、分子量、レジスト種などが挙
げられる。レジスト膜の欠陥としては、パーティクルなどの凸欠陥、ピンホールなどの凹
欠陥などが挙げられる。尚、レジスト膜の欠陥については、上述の種類に加え、レジスト
膜における欠陥の位置、サイズなどの情報を加えることにより、例えば、マスク製造時に
おいて、欠陥を避けてマスクパターンを設計することができたり、欠陥が問題とならない
等級（グレード）に使われるマスクブランクスに適用することで対応することができる。
また、レジスト膜の形成条件としては、塗布装置、塗布回転条件、加熱条件、加熱装置、
冷却条件、冷却装置、レジスト膜形成日、レジスト膜形成環境などが挙げられる。

また、レジスト膜情報の使い方としては、具体的には以下のような使い方が考えられる
。前記マーキング工程は、前記マスクパターン用薄膜上に形成すべきレジスト膜を識別す
るための前記マーカを形成し、前記マスクブランクスの製造方法は、前記マスクパターン
用薄膜上にレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、形成された前記レジスト膜のレ
ジスト膜情報である例えば、面内膜厚均一性、欠陥の少なくとも一つを検査するレジスト
膜検査工程であって、マスクブランクスの仕様に合うか否かを判定する合否判定工程を含
むレジスト膜検査工程と、マスクブランクスの仕様に合わないと判定された前記マスクブ
ランクス用ガラス基板上から前記レジスト膜を剥離するレジスト膜剥離工程と、前記レジ
スト膜剥離工程で前記レジスト膜が剥離された前記マスクパターン用薄膜上に形成すべき
レジスト膜を、前記マーカから読み取った情報を用いて識別するレジスト識別工程と、前
記レジスト識別工程で識別された前記レジスト膜を、前記マスクパターン用薄膜上に形成
するレジスト膜再形成工程とを更に備える。

このようにすれば、例えばレジスト膜の塗布に失敗した場合にも、レジスト膜の再塗布
・形成を適切に行うことができる。また、再形成すべきレジスト膜を確実に識別するため
、工程の管理を簡略化できる。

（構成１１）マスクブランクス用ガラス基板上に、マスクパターンとなるマスクパターン
用薄膜と、前記マスクパターン用薄膜上に形成されたレジスト膜とを有する製造済みのマ
スクブランクスを用いて新たなマスクブランクスを製造するマスクブランクスの製造方法
であって、前記マスクブランクス用ガラス基板は、前記ガラス基板表面における転写に影
響のない領域であって、かつ鏡面状の表面に、レーザ光の照射により形成された前記ガラ
ス基板及び／又はマスクブランクスを識別、又は管理するためのマーカが形成されており
、前記マーカは、前記ガラス基板の基板情報、前記マスクパターン用薄膜の薄膜情報、前
記レジスト膜のレジスト膜情報のうち少なくとも何れか一つを含む情報と対応付けされ、
前記製造済みのマスクブランクスの前記レジスト膜、又は前記レジスト膜と前記マスクパ
ターン用薄膜を剥離する膜剥離工程と、前記剥離した膜とは別のレジスト膜、又はマスク
パターン用薄膜及びレジスト膜を形成する膜再形成工程と、前記膜再形成工程で形成した
レジスト膜に関するレジスト膜情報、又はマスクパターン用薄膜に関する薄膜情報の少な
くとも一方を取得する工程と、を備え、取得した前記レジスト膜情報又は前記薄膜情報の
少なくとも一方を前記マーカと対応付けさせる。膜剥離工程は、具体的には、例えば、レ
ジスト膜剥離工程又は薄膜剥離工程を指す。

また、更には、マスクブランクス用ガラス基板上に、マスクパターンとなるマスクパタ
ーン用薄膜と、前記マスクパターン用薄膜上に形成されたレジスト膜と、前記レジスト膜
を識別するためのマーカ或いはマスクパターン用薄膜を識別するためのマーカ或いはガラ
ス基板を識別するためのマーカとを備える製造済みのマスクブランクスを用いて新たなマ
スクブランクスを製造するマスクブランクスの製造方法であって、前記製造済みのマスク
ブランクスを準備する準備工程と、前記製造済みのマスクブランクスの前記レジスト膜を
剥離するレジスト膜剥離工程と、前記マーカから読み取った情報を用いて、前記製造済み
のマスクブランクスに形成すべきレジスト膜を選定するレジスト膜選定工程と、前記レジ
スト膜選定工程で選定された前記レジスト膜を、前記マスクパターン用薄膜上に形成する
レジスト膜再形成工程とを備える前記製造済みのマスクブランクスを準備する準備工程と
、前記製造済みのマスクブランクスの前記レジスト膜を剥離するレジスト膜剥離工程と、
前記マーカから読み取った情報を用いて、前記製造済みのマスクブランクスに形成すべき
レジスト膜を選定するレジスト膜選定工程と、前記レジスト膜選定工程で選定された前記
レジスト膜を、前記マスクパターン用薄膜上に形成するレジスト膜再形成工程とを備える
。

このようにすれば、製造済みのマスクブランクスのレジスト膜に感度変化（劣化等）が
生じた場合にも、マスクブランクスを効率よく再生できる。また、マスクブランクス自体
にマーカが形成されているため、マスクブランクスについての情報と、マスクブランクス
とを確実に対応付けすることができる。また、これにより、工程の管理を簡略化できる。

（構成１２）前記マーカは、前記ガラス基板表面における転写に影響のない領域であって
、かつ鏡面状の表面にレーザ光を照射させて形成された凹部形状である。このようにすれ
ば、発塵のおそれが少ないマーカを形成できる。

（構成１３）前記レジスト膜は化学増幅型レジスト膜であり、前記製造済みのマスクブラ
ンクスとして、前記レジスト膜が塗布されてから所定の期間が経過しているマスクブラン
クスを準備する。このようにすれば、レジスト膜の感度変化が早い化学増幅型レジスト膜
を用いたマスクブランクスも、適切に再生できる。尚、化学増幅型レジスト膜は、例えば
２週間程度の短期間で感度変化が大きくなる場合がある。感度変化が大きいレジスト膜が
形成されたマスクブランクスを使用してマスクを作製すると、形成されるマスクパターン
のＣＤばらつきが大きくなるので好ましくない。通常のレジスト膜の場合、感度変化が大
きくなるまでの期間は例えば１ヶ月や３ヶ月程度である。

（構成１４）マスクブランクス用ガラス基板であって、前記ガラス基板表面における転写
に影響のない領域であって、かつ鏡面状の表面に、レーザ光の照射により形成された前記
ガラス基板及び／又は前記ガラス基板上にマスクパターンとなるマスクパターン用薄膜を
形成したマスクブランクスを識別、又は管理するためのマーカとして用いられる凹部を備
える。このようにすれば、構成１と同様の効果を得ることができる。

（構成１５）前記凹部は、前記ガラス基板表面におけるマスクパターン用薄膜が形成され
る主表面と直交する端面における少なくともパターン形成領域内に存在する欠陥を検査す
る検査光の光路外の領域に形成される。このように凹部の形成位置を、端面における少な
くともパターン形成領域内に存在する欠陥を検査する検査光の光路外の領域にしているの
で、凹部が検査光の邪魔にならならず、欠陥品質が保証されたマスクブランクス用ガラス
基板、マスクブランクスが得られる。

（構成１６）マスクブランクス用ガラス基板であって、前記ガラス基板表面における転写
パターンとなる薄膜が形成される主表面と直交する端面における、前記主表面の両側から
１．２ｍｍを除く領域であって、かつ前記ガラス基板の四隅のコーナーから１０ｍｍ以内
の領域に、レーザ光の照射により形成された前記ガラス基板及び／又は前記ガラス基板上
にマスクパターンとなるマスクパターン用薄膜を形成したマスクブランクスを識別、又は
管理するためのマーカとして用いられる凹部を備える。このようにすれば、構成１、及び
構成１５と同様の効果が得られる。更には、回転塗布方法により前記マスクパターン用薄
膜上にレジスト膜を形成する場合において、端面に形成された凹部によるレジスト膜の面
内膜厚均一性の悪化を防止することができる。

（構成１７）前記凹部の開口幅（Ｌ１）は１５０μｍ以上、前記凹部の深さ（Ｄ）は１０
μｍ以上、前記開口幅と前記凹部の深さの比率（Ｌ１／Ｄ）は１０以上とする。このよう
にすれば、十分な読み取り精度を確保でき、更に、前記凹部内を端面ブラシ等により容易
に洗浄することができるので、発塵を抑えることができる。

凹部の表面粗さは、形成される鏡面状の表面とは異なる表面粗さであることが好ましく
、例えば算術平均表面粗さＲａで０．１〜５ｎｍ、より好ましくは０．１〜２ｎｍの範囲
で設定することが好ましい。算術平均表面粗さＲａとは、日本工業規格（ＪＩＳ）Ｂ０６
０１に従うものである。凹部の表面粗さとは、具体的には、凹部底部の表面粗さである。

また、前記凹部の開口部の周縁に、該凹部を囲む環状の凸部が形成されていてもよい。
このように構成すれば、マーカの読み取り精度を高めることができる。そのため、例えば
凹部の深さが浅い場合にも、十分な精度でマーカを読み取ることができる。凹部の深さが
浅い場合、マーカを消去するために必要な研磨量が低減する。そのため、このように構成
すれば、例えばマスクブランクス用ガラス基板の再生を行う場合に、マーカの付け替えが
容易になる。尚、環状の凸部は、滑らかに盛り上がるように形成されるのが好ましい。好
ましい凸部の高さは、０．０５μｍ〜５μｍ、更に好ましくは、０．０５μｍ〜１μｍと
することが望ましい。

（構成１８）前記マーカは、前記ガラス基板に関する基板情報と対応付けされる。このよ
うにすれば、構成１と同様の効果が得られる。

（構成１９）マスクブランクスであって、構成１４乃至１８の何れか一に記載のマスクブ
ランクス用ガラス基板と、前記マスクブランクス用ガラス基板上に形成された、マスクパ
ターンとなるマスクパターン用薄膜とを備える。このように構成すれば、構成３、４と同
様の効果を得ることができる。

（構成２０）前記マーカは、前記ガラス基板に関する基板情報、前記マスクパターン用薄
膜に関する薄膜情報、前記マスクパターン用薄膜上に形成されるレジスト膜に関するレジ
スト膜情報のうち少なくとも何れか一つの情報と対応付けされる。このようにすれば、構
成２、７、９と同様の効果が得られる。

マスクブランクス用ガラス基板に発塵のおそれが少ないマーカを形成できる。また、マ
スクブランクス用ガラス基板及びマスクブランクスの再生を効率よく行うことができる。
また、欠陥品質が保証されたマスクブランクス用ガラス基板、マスクブランクスが得られ
る。また、回転塗布方法によりマスクパターン用薄膜上にレジスト膜を形成する場合にお
いて、端面に形成されたマーカによるレジスト膜の面内均一性の悪化を防止したマスクブ
ランクス用ガラス基板、マスクブランクスが得られる。

以下、本発明に係る実施形態を、図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係るマスクブランクス１０の構成の一例を示す。図１（
ａ）は、マスクブランクス１０の側面図である。本例において、マスクブランクス１０は
、例えばＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）、又はＦ_２エキシマレーザ（波長１５
７ｎｍ）といった波長が２００ｎｍ以下の露光光源用のマスクブランクスであり、ガラス
基板１２、マスクパターン用薄膜１４、及びレジスト膜１６を備える。

ガラス基板１２はマスクブランクス用ガラス基板であり、基板材料は例えば合成石英ガ
ラスでできている。ガラス基板１２の主表面及び端面（側面、面取面）は、鏡面（例えば
算術平均表面粗さＲａで１ｎｍ以下）になるよう、所定の表面粗さに研磨されている。ま
た、本例において、ガラス基板１２は、端面の一部に、ガラス基板１２を識別、又は管理
するためのマーカ１８を有する。マーカ１８を用いることにより、ガラス基板１２及びマ
スクブランクス１０は、枚葉管理されている。

マスクパターン用薄膜１４は、遮光膜又は位相シフト膜等の薄膜である。マスクパター
ン用薄膜１４は、マスクの製造工程でパターニングされてマスクパターンとなる。レジス
ト膜１６は、マスクパターン用薄膜１４上に形成されている。

図１（ｂ）は、マーカ１８の構成の一例を示す。本例において、マーカ１８は、２次元
コードであり、２次元コードの各点をそれぞれ構成する複数の凹部２０を有する。それぞ
れの凹部２０は、レーザ光の照射によりガラス基板１２の端面の一部を融解又は昇華させ
ることにより形成されている。

本例において、マーカ１８は、ガラス基板１２に固有の識別情報を示す。また、この識
別情報は、マスクブランクス１０の製造工程において、例えば表面形状や平坦度、欠陥等
に関する、製造工程中で取得した情報と対応付けされる。

図２は、凹部２０の詳細な形状の一例を示す。本例において、凹部２０は、炭酸（ＣＯ
_２）ガスレーザを用いたレーザマーカにより形成された孔である。凹部２０の開口部はほ
ぼ円形である。また、凹部２０の開口部の周縁には、凹部２０の開口部を囲むように環状
の凸部が、ガラス基板１２の端面から滑らかに盛り上がるように形成されている。開口部
をこのように形成することにより、マーカ１８（図１参照）の読み取り精度を高めること
ができる。凹部２０の開口部は、四角形状等の多角形や、多角形のコーナー部が丸みを帯
びた形状でもよい。

ここで、凹部２０の開口幅Ｌ１は、例えば１００〜５００μｍ、より好ましくは１５０
〜３００μｍ程度である。凹部２０の底部の幅Ｌ２は、例えば１０〜４５０μｍ、より好
ましくは３０〜２５０μｍ程度である。凹部２０の傾斜部分の幅Ｌ３は、例えば５〜７５
μｍ、より好ましくは１５〜６０μｍ程度である。凹部２０の深さＤは、例えば３〜２０
μｍ、より好ましくは５〜１５μｍ程度である。凹部２０の開口部の盛り上がりの高さは
、例えば０．０５〜５μｍ、より好ましくは０．０５〜１μｍ程度である。また、凹部２
０の表面粗さは、例えば算術平均表面粗さＲａで０．１〜５ｎｍ、より好ましくは０．１
〜２ｎｍである。

十分な読み取り精度が確保でき、更に、凹部内を端面ブラシ等により容易に洗浄するこ
とができ発塵を抑えるには、凹部２０の開口幅Ｌ１は１５０μｍ以上、凹部２０の深さＤ
は１０μｍ以上、開口幅と凹部の深さの比率（Ｌ１／Ｄ）は１０以上とすることが好まし
い。

また、ガラス基板１２は、少なくともマスクパターンが形成される領域において、凸欠
陥（パーティクル等）、凹欠陥（ピンホール、キズ等）、脈理、気泡、不純物混入による
透過率異常等の有無を調べる欠陥検査が行われる。例えば、ガラス基板１２の表面の凸欠
陥や凹欠陥、ガラス基板１２の内部の脈理、気泡の有無を検査するには、例えば、特許第
３４２２９３５号に記載されている検査方法で行われる。この検査方法は、ガラス基板１
２における両主表面と、この主表面と直交する少なくとも一組の側面において、検査光（
レーザ光）が全反射条件を満足してガラス基板１２内を伝播する条件で主表面と側面に挟
まれた面取り面から検査光（レーザ光）を導入するもので、凸欠陥や凹欠陥により全反射
条件から逸脱したことで検査光（レーザ光）が漏出する漏出光を検出することで上記欠陥
の有無を検査するものである。一方、ガラス基板１２における不純物混入による透過率異
常の有無を検査するには、ガラス基板１２の側面から露光波長の光を導入し、この導入さ
れた露光波長の光によってガラス基板の内部欠陥が発する露光波長よりも長い波長の光を
受光し、この受光した光の光量に基づいて内部欠陥を検査するものである。上記何れの検
査方法もガラス基板１２の側面に検査光が当たることになる。従って、検査光が当たるガ
ラス基板１２の側面に、マーカとしての凹部が形成されていると、欠陥検査が行うことが
できないか、又は行えたとしても十分な検査精度が得られないことになるので、マーカと
しての凹部の形成位置は、マスクパターン用薄膜が形成される主表面と直交する端面であ
る側面における少なくともパターン形成領域内に存在する欠陥を検査する検査光の光路外
の領域に形成されることが好ましい。具体的には、１５２．４ｍｍ×１５２．４ｍｍ×６
．３５ｍｍサイズのガラス基板１２においては、ガラス基板１２の側面における中心１３
２ｍｍより外側の位置（ガラス基板の四隅のコーナーから１０ｍｍ以内の領域）にマーカ
としての凹部を形成することが好ましい。

更に好ましくは、ガラス基板１２の主表面の両側から１．２ｍｍを除く領域であって、
かつガラス基板の四隅のコーナーから１０ｍｍ以内の領域にマーカとしての凹部を形成す
ることが望ましい。上記の特定位置にマーカとしての凹部を形成することにより、回転塗
布方法によりレジスト膜をマスクパターン用薄膜上に形成する場合において、マスクパタ
ーン用薄膜上のレジスト膜の面内膜厚均一性が悪化するのを防止することができる。

図３は、マスクブランクス１０の製造方法の一例を示すフローチャートである。尚、以
下に説明する点を除き、各工程は、公知のマスクブランクス１０の製造方法における各工
程と同一又は同様である。本例においては、最初に、端面が面取り加工されたガラス基板
１２の両面ラッピング装置による研削加工を行う（研削工程Ｓ１０２）。

次に、両面研磨装置により、ガラス基板１２の端面及び主表面の研磨（研磨工程Ｓ１０
４）、及び研磨後の洗浄を行う（洗浄工程Ｓ１０６）。研磨工程Ｓ１０４は、例えば、ガ
ラス基板１２の端面及び主表面に対して、粗研磨、精密研磨、及び超精密研磨を行い、例
えば二乗平均平方根粗さＲＭＳで０．２ｎｍ以下の鏡面に仕上げる。

次に、基板検査を行い、ガラス基板１２の表面形状、平坦度、及び欠陥に関する情報を
取得する（基板検査工程Ｓ１０８）。基板検査工程Ｓ１０８は、例えば、ガラス基板１２
の表面形状について、例えば、厚み、平坦度、主表面の反り形状（主表面全体の凹凸）等
を検査する。また、ガラス基板１２の欠陥について、例えば、欠陥の位置、種類、及びサ
イズ等を検査する。この場合、欠陥のサイズについては、例えば、０．２μｍ以下、０．
２〜０．５μｍ、０．５〜１μｍ、１μｍ以上の何れであるかを識別する。このように識
別すれば、ガラス基板１２の等級を適切に分類できる。

次に、例えば炭酸ガスレーザのレーザマーカを用い、ガラス基板１２の端面の一部をレ
ーザ光の照射により融解又は昇華させることにより、マーカ１８の各凹部２０を形成する
（マーキング工程Ｓ１１０）。このマーカ１８は、ガラス基板１２に固有の識別情報を示
す。また、この識別情報は、基板検査工程Ｓ１０８の検査結果と対応付けされている。こ
れにより、マーカ１８を用いて、厚み、平坦度、反り形状等のガラス基板１２の形状や、
欠陥の位置、種類、及びサイズ等を識別できることとなる。そのため、本例によれば、マ
スクパターン用薄膜１４の成膜等を効率よく行うことができる。また、例えばマスク製造
時において、欠陥を避けてマスクパターンを設計できる。

尚、マーキング工程Ｓ１１０は、マーカ１８における１個の凹部２０につき複数回レー
ザ光を照射してもよい。このようにすれば、凹部２０の形状ばらつきを低減でき、マーカ
１８の読み取り精度を向上させることができる。

次に、マーカ１８を読み取り、読み取ったマーカ１８に基づき、ガラス基板１２上に成
膜すべきマスクパターン用薄膜１４を決定する（薄膜決定工程Ｓ１１２）。本例において
、薄膜決定工程Ｓ１１２は、マーカ１８に対応付けられている基板検査工程Ｓ１０８の検
査結果からガラス基板１２の表面形状を識別する。そして、例えば主表面の反り形状等の
識別した形状に応じて、ガラス基板１２を用いるのに適したマスクブランクスの種類を選
択する。これにより、薄膜決定工程Ｓ１１２は、そのマスクブランクスに必要な遮光膜や
、遮光膜及び位相シフト膜等を、成膜すべきマスクパターン用薄膜１４とする。

本例によれば、マスクパターン用薄膜１４の種類を、基板検査工程Ｓ１０８の検査結果
に応じてを決定できる。そのため、ガラス基板１２を、無駄なく有効に利用できる。

尚、本例において、薄膜決定工程Ｓ１１２は、選択したマスクブランクス１０に用いら
れるレジスト膜１６を示す情報を、更にマーカ１８の識別情報と対応付けする。これによ
り、マーカ１８を用いて、マスクパターン用薄膜１４上に塗布すべきレジスト膜を更に識
別できることとなる。

薄膜決定工程Ｓ１１２の次には、決定されたマスクパターン用薄膜１４を、ガラス基板
１２の主表面上に所望の光学特性が得られる膜厚で成膜し（成膜工程Ｓ１１４）、成膜し
たマスクパターン用薄膜１４の検査を行う（薄膜検査工程Ｓ１１６）。本例において、薄
膜検査工程Ｓ１１６は、合否判定工程を含んでおり、マスクブランクスの仕様に合うか否
かを判定する。薄膜検査工程Ｓ１１６の検査に合格した場合（Ｓ１１６：Ｐａｓｓ）、マ
スクパターン用薄膜１４上にレジスト膜１６を塗布（形成）し（レジスト膜形成工程Ｓ１
１８）、塗布されたレジスト膜１６を検査する（レジスト膜検査工程Ｓ１２０）。レジス
ト膜検査工程Ｓ１２０は、合否判定工程を含んでおり、マスクブランクスの仕様に合うか
否かを判定する。レジスト膜検査工程Ｓ１２０の検査に合格すれば（Ｓ１２０：Ｐａｓｓ
）、マスクブランクス１０は完成する。

尚、薄膜検査工程Ｓ１１６及びレジスト膜検査工程Ｓ１２０は、例えば、０．２μｍ以
上の欠陥（ピンホール、パーティクル）が数個以下であること等、パターン転写に影響を
与える使用の検査を行う。薄膜検査工程Ｓ１１６は、例えば、所定の光学特性（透過率等
）の検査を更に行う。

ここで、薄膜検査工程Ｓ１１６において落第した場合（Ｓ１１６：Ｆａｉｌ）、ガラス
基板１２からマスクパターン用薄膜１４を剥離する（薄膜剥離工程Ｓ２０６）。そして、
ガラス基板１２のマーカ１８を読み取り、読み取ったマーカ１８に対応付けられている基
板検査工程Ｓ１０８の検査結果からガラス基板１２の厚みを識別する（厚み識別工程Ｓ２
０８）。そして、再研磨により再生可能な厚みをガラス基板１２が有している場合、（Ｓ
２１０：Ｙｅｓ）、厚み識別工程Ｓ２０８で識別された厚みに応じた研磨量だけ、ガラス
基板１２を再研磨する（再研磨工程Ｓ２１２）。再研磨工程Ｓ２１２は、例えば、識別さ
れた厚みに基づき、厚みで分類されたグループにガラス基板１２を厚み分けし、グループ
毎に予め設定されている研磨量だけガラス基板１２を研磨する。

そして、再研磨後、洗浄工程Ｓ１０６に戻り、以降の工程を繰り返す。この場合、マー
キング工程Ｓ１１０は、再研磨により再生されたガラス基板１２を識別するためのマーカ
１８を形成する。また、成膜工程Ｓ１１４は、再研磨工程Ｓ２１２で研磨されたガラス基
板１２の主表面上に、新たなマスクパターン用薄膜１４を成膜する。本例によれば、高価
なガラス基板１２を無駄なく有効に利用できる。

尚、工程Ｓ２１０において、ガラス基板１２が再生可能であるか否かは、品質を満たす
ようにするために最低限必要な取りしろ量で再研磨したときに、マスクブランクス用ガラ
ス基板で決められている板厚が残るか否かを基準に判断される。厚み不足により再生不可
能と判断された場合（Ｓ２１０：Ｎｏ）、ガラス基板１２は廃棄される。

また、レジスト膜検査工程Ｓ１２０で落第した場合（Ｓ１２０：Ｆａｉｌ）には、ガラ
ス基板１２からレジスト膜１６を剥離して（レジスト膜剥離工程Ｓ２０２）、ガラス基板
１２の再生のために再研磨が必要であるか否かを判定する（Ｓ２０４）。工程Ｓ２０４は
、例えば、レジスト膜１６の再塗布を所定回数行ってもレジスト膜検査に合格しない場合
に、再研磨が必要であると判定する。工程２０４は、基板検査工程Ｓ１０８の検査結果に
基づき、再研磨が必要であるか否かを判定してもよい。

再研磨が不要であると判定された場合（Ｓ２０４：Ｎｏ）、マーカ１８を読み取り、読
み取ったマーカ１８に基づき、マスクパターン用薄膜１４上に塗布すべきレジスト膜１６
を選定する（レジスト選定工程Ｓ２１４）。そして、そのレジスト膜１６を、マスクパタ
ーン用薄膜１４上に塗布し（レジスト再形成工程Ｓ２１６）、レジスト膜検査工程Ｓ１２
０に再度進む。本例によれば、例えばレジスト膜１６の塗布・形成に失敗した場合にも、
再塗布・再形成を適切に行うことができる。また、再塗布・再形成すべきレジスト膜１６
を確実に選定できるため、工程の管理を簡略化できる。

また、再研磨が必要であると判定された場合（Ｓ２０４：Ｙｅｓ）、薄膜剥離工程Ｓ２
０６以降を繰り返す。このようにすれば、レジスト膜１６の再塗布・再形成のみでは再生
できないガラス基板１２の再生を行うことができる。

尚、上記においては説明を省略しているが、基板検査工程Ｓ１０８は、例えば、ガラス
基板１２が必要な品質を満たしているか否かを更に判定するのが好ましい。この場合、必
要な品質が満たされていないと判定された場合、例えば、マーキング工程Ｓ１１０でマー
カ１８を形成した後に厚み識別工程Ｓ２０８以降の工程に進み、ガラス基板１２の再研磨
を行う。このようにすれば、ガラス基板１２を更に無駄なく有効に利用できる。ガラス基
板１２における必要な品質とは、例えばＡｒＦエキシマレーザ露光用のマスクブランクス
用ガラス基板の場合、例えば、表面粗さがＲＭＳで０．２ｎｍ以下、平坦度が０．５μｍ
以下、０．２μｍ以上の欠陥がなきこと等、パターン転写に影響のある、ガラス基板に関
係する仕様を言う。

図４は、製造済みのマスクブランクス１０を用いて新たなマスクブランクス１０を製造
する製造法方法の一例を示すフローチャートである。本例において、マスクブランクス１
０には、レジスト膜１６として、化学増幅型レジスト膜が形成されている。

本例においては、最初に、例えばマスクメーカからの回収により製造済みのマスクブラ
ンクス１０を準備する（準備工程Ｓ３０２）。準備工程Ｓ３０２は、製造済みのマスクブ
ランクス１０として、例えば、レジスト膜１６が塗布されてから所定の期間（例えば１ヶ
月以上）が経過しているマスクブランクス１０を準備する。準備工程Ｓ３０２は、それぞ
れ異なるレジスト膜１６が形成されている複数種類のマスクブランクス１０を準備してよ
い。

次に、このマスクブランクス１０のレジスト膜１６を剥離する（レジスト膜剥離工程Ｓ
３０４）。レジスト膜剥離工程Ｓ３０４は、複数種類のマスクブランクス１０のレジスト
膜１６を同時に剥離してよい。

次に、マーカ１８を読み取り、読み取ったマーカ１８に基づき、レジスト剥離前にマス
クブランクス１０に形成されていたレジスト膜１６を選定する（レジスト選定工程Ｓ３０
６）。そして、選定されたレジスト膜１６を、マスクパターン用薄膜１４上に塗布（形成
）する（レジスト再形成工程Ｓ３０８）。

このようにすれば、製造済みのマスクブランクス１０のレジスト膜１６が劣化した場合
等にも、マスクブランクス１０を効率よく再生できる。また、マーカ１８を用いることに
より、工程の管理を簡略化できる。

（実施例１）
実施例１に係るＡｒＦエキシマレーザ露光用マスクブランクス用ガラス基板を１００枚
製造した。ガラス基板の端面には、炭酸（ＣＯ_２）ガスレーザを用いたレーザマーカによ
り、図１（ｂ）に示したのと同様のマーカを形成した。レーザマーカの出力は２０ｍＷ／
ショットとし、各凹部を１回のショットで形成した。マーカ全体の大きさは３．２５ｍｍ
×３．５ｍｍとした。また、マーカの形成以外の工程は公知のＡｒＦエキシマレーザ露光
用マスクブランクス用ガラス基板を製造する場合と同様にした。これらのガラス基板を基
板検査工程にて検査したところ、全数、ＡｒＦエキシマレーザ露光用マスクブランクス用
ガラス基板で要求されている品質を満たしていた。

（比較例）
炭酸（ＣＯ_２）ガスレーザの代わりにＹＡＧレーザを用いた以外は実施例と同様にして
、比較例に係るＡｒＦエキシマレーザ露光用マスクブランクス用ガラス基板を１００枚製
造した。これらのガラス基板を基板検査工程にて検査したところ、ＡｒＦエキシマレーザ
露光用マスクブランクス用ガラス基板で要求されている品質を満たすものは、全体の２７
％（２７枚）しか得られなかった。

（実施例２）
上述の実施例１と同様の条件にて、ガラス基板の端面である側面にマーカを形成した。
尚、ガラス基板は、１５２．４ｍｍ×１５２．４ｍｍ×６．３５ｍｍサイズのものを使用
した。また、マーカは、図にあるように、ガラスのノッチマークが形成されているガラス
基板のコーナーから７ｍｍ、主表面から３．１８ｍｍの位置を中心に、大きさが３ｍｍ×
３ｍｍのものを形成した。また、マーカを構成する凹部の開口幅Ｌ１は１７０μｍ、深さ
Ｄは１７μｍであり、開口幅と深さの比率（Ｌ１／Ｄ）は１０であった。上記マーカとし
ての凹部を形成した後、洗浄ブラシによりガラス基板端面を洗浄し、ガラス基板の欠陥検
査を行ったが、全数、ＡｒＦエキシマレーザ露光用マスクブランクス用ガラス基板で要求
されている品質を満たしていた。また、このガラス基板を使ってマスクパターン用薄膜を
形成し、更に、マスクパターン用薄膜上に回転塗布方法によりレジスト膜（平均膜厚：３
０００オングストローム）を形成してＡｒＦエキシマレーザ露光用マスクブランクスを得
た。マスクブランクス上に形成されたレジスト膜の面内膜厚均一性を測定した。レジスト
膜の面内膜厚均一性は、基板中央の保証エリア１３２ｍｍ×１３２ｍｍ（マスクパターン
形成領域）内の全体に均等に配置した（１１×１１＝１２１点）で分光反射型膜厚計（ナ
ノメトリックスジャパン社製：ＡＦＴ６１００Ｍ）を用いて膜厚測定し、面内膜厚分布（
各測定点における膜厚データ）を求め、この面内膜厚分布データから「（膜厚の最大値）
−（膜厚の最小値）＝（面内膜厚均一性）」とした。その結果、レジスト膜の面内膜厚均
一性は、２２オングストロームと非常に良好であった。更に、このマスクブランクスを使
ってマスクを作製し、作製して得られたマスクのＣＤ精度は、ＡｒＦエキシマレーザ露光
用マスクで要求されている品質を満たすものであった。

以上、本発明を実施形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施形態に記
載の範囲には限定されない。上記実施形態に、多様な変更又は改良を加えることが可能で
あることが当業者に明らかである。その様な変更又は改良を加えた形態も本発明の技術的
範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。

本発明は、例えばマスクブランクス用ガラス基板及びマスクブランクスに好適に利用で
きる。

本発明の一実施形態に係るマスクブランクス１０の構成の一例を示す図である。 図１（ａ）は、マスクブランクス１０の側面図である。 図１（ｂ）は、マーカ１８の構成の一例を示す。 凹部２０の詳細な形状の一例を示す図である。 マスクブランクス１０の製造方法の一例を示すフローチャートである。 製造済みのマスクブランクス１０を用いて新たなマスクブランクス１０を製造する製造法方法一例を示すフローチャートである。

１０・・・マスクブランクス、１２・・・ガラス基板、１４・・・マスクパターン用薄膜
、１６・・・レジスト膜、１８・・・マーカ、２０・・・凹部

Claims (9)

1. マスクブランクス用ガラス基板上に、マスクパターンとなるマスクパターン用薄膜を有する製造済みのマスクブランクスを用いて新たなマスクブランクスを製造するマスクブランクスの製造方法であって、
   前記マスクブランクス用ガラス基板は、前記ガラス基板の表面における転写に影響のない領域にガラス基板に固有の識別情報、識別記号または管理記号を示すマーカとして用いられる凹部が形成されており、
   前記凹部は、前記ガラス基板における転写パターンとなる薄膜が形成される主表面と直交する端面における、前記主表面の両側から１．２ｍｍを除く領域であって、かつ前記ガラス基板の四隅のコーナーから１０ｍｍ以内の領域に形成されており、
   前記マーカは、前記マスクパターン用薄膜の薄膜情報を含む情報と対応付けされ、
   前記製造済みのマスクブランクスの前記マスクパターン用薄膜を剥離する膜剥離工程と、
   前記剥離した膜とは別のマスクパターン用薄膜を形成する膜再形成工程と、
   前記膜再形成工程で形成したマスクパターン用薄膜に関する薄膜情報を取得する工程と、
   を備え、
   取得した前記膜再形成工程で形成したマスクパターン用薄膜に関する薄膜情報を前記マーカと対応付けさせることを特徴とするマスクブランクスの製造方法。
2. 前記薄膜情報は、前記マスクパターン用薄膜が持つ薄膜表面の表面形態および欠陥のうち少なくとも何れか一つを含む情報であることを特徴とする請求項１に記載のマスクブランクスの製造方法。
3. マスクブランクス用ガラス基板上に、マスクパターンとなるマスクパターン用薄膜と、
   前記マスクパターン用薄膜上にレジスト膜とを有する製造済みのマスクブランクスを用いて新たなマスクブランクスを製造するマスクブランクスの製造方法であって、
   前記マスクブランクス用ガラス基板は、前記ガラス基板の表面における転写に影響のない領域にガラス基板に固有の識別情報、識別記号または管理記号を示すマーカとして用いられる凹部が形成されており、
   前記凹部は、前記ガラス基板における転写パターンとなる薄膜が形成される主表面と直交する端面における、前記主表面の両側から１．２ｍｍを除く領域であって、かつ前記ガラス基板の四隅のコーナーから１０ｍｍ以内の領域に形成されており、
   前記マーカは、前記レジスト膜のレジスト膜情報を含む情報と対応付けされ、
   前記製造済みのマスクブランクスの前記レジスト膜を剥離する膜剥離工程と、
   前記剥離した膜とは別のレジスト膜を形成する膜再形成工程と、
   前記膜再形成工程で形成したレジスト膜に関するレジスト膜情報を取得する工程と、を備え、
   取得した前記膜再形成工程で形成したレジスト膜に関するレジスト膜情報を前記マーカと対応付けさせることを特徴とするマスクブランクスの製造方法。
4. 前記レジスト膜情報は、前記レジスト膜が持つ表面形態、欠陥、形成条件のうち少なくとも何れか一つを含む情報であることを特徴とする請求項３に記載のマスクブランクスの製造方法。
5. 前記レジスト膜は化学増幅型レジスト膜であり、
   前記製造済みのマスクブランクスとして、前記レジスト膜が塗布されてから所定の期間が経過しているマスクブランクスを準備することを特徴とする請求項３又は４に記載のマスクブランクスの製造方法。
6. 前記マーカは、前記ガラス基板の鏡面状の表面にレーザ光を照射させて形成された凹部形状であることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一に記載のマスクブランクスの製造方法。
7. 前記凹部は、前記ガラス基板におけるマスクパターン用薄膜が形成される主表面と直交する端面における少なくともパターン形成領域内に存在する欠陥を検査する検査光の光路外の領域に形成されることを特徴とする請求項１乃至６の何れか一に記載のマスクブランクスの製造方法。
8. 前記端面の表面粗さは、二乗平均平方根粗さＲｍｓで０．２ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至７の何れか一に記載のマスクブランクスの製造方法。
9. 前記凹部の表面粗さは、算術平均表面粗さＲａで０．１〜５ｎｍであることを特徴とする請求項１乃至８の何れか一に記載のマスクブランクスの製造方法。
   

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