JP5128604B2 - 半導体レーザ素子および半導体レーザ素子製造方法 - Google Patents
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Description
2 高反射膜
3 低反射膜
4 レーザ光
11 基板
12 n−バッファ層
13 n−クラッド層
14 n−ガイド層
15 活性層
15a 下部バリア層
15b 量子井戸層
15c 上部バリア層
16 p−ガイド層
17 p−クラッド層
18 p−コンタクト層
19 絶縁層
20 上部電極
21 下部電極
23 窓領域
24 非窓領域
25 促進膜
26 抑制膜
116 p−ガイド層
117 p−クラッド層
118 p−コンタクト層
138a p−第1コンタクト層
138b p−第2コンタクト層
139 電流非注入層
140 SiO2膜
147a p−第1クラッド層
147b p−第2クラッド層
238a p−第1コンタクト層
238b p−第2コンタクト層
247b p−第2クラッド層
248 p−コンタクト層
257 p−クラッド層
まず、実施の形態1にかかる半導体レーザ素子について説明する。実施の形態1にかかる半導体レーザ素子は、活性層に対し正孔を注入するために形成された層に不純物としてC(炭素)がドーピングされている。図1は、本実施の形態1にかかる半導体レーザ素子の斜視図であり、図2は、図1に示す半導体レーザ素子1の横断面図であり、図3は、図1に示す半導体レーザ素子の縦断面図である。
つぎに、実施の形態2について説明する。実施の形態2にかかる半導体レーザ素子は、活性層の近傍側の層にCがドーピングされるとともに、Cがドーピングされた層よりも上部電極側に形成された層にZnがドーピングされる。
Claims (13)
- III族空孔の拡散によって形成された混晶化部分を含む窓領域と、量子井戸構造の活性層を有する非窓領域とを備え、前記混晶化部分は、所定の原子を吸収し前記III族空孔の拡散を促進する促進膜を前記窓領域上に設けることにより形成された半導体レーザ素子において、
前記活性層の近傍側の層にV族サイトを優先的に置換する不純物がドーピングされたことを特徴とする半導体レーザ素子。 - 前記V族サイトを優先的に置換する不純物は、前記混晶化部分形成時の熱処理温度において拡散係数が3×10−14cm2/s以下であることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ素子。
- 前記V族サイトを優先的に置換する不純物は、前記活性層の上側に形成されたガイド層の少なくとも前記活性層側にドーピングされることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体レーザ素子。
- 前記V族サイトを優先的に置換する不純物は、前記活性層の上側に形成されたクラッド層の少なくとも前記活性層側にドーピングされることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載の半導体レーザ素子。
- 前記V族サイトを優先的に置換する不純物は、前記活性層にキャリアを注入するために前記活性層の上側に形成されたコンタクト層の少なくとも前記活性層側にドーピングされることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記載の半導体レーザ素子。
- 前記V族サイトを優先的に置換する不純物は、C(炭素)であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一つに記載の半導体レーザ素子。
- 当該半導体レーザ素子は、リッジ構造を有することを特徴とする請求項1〜6のいずれか一つに記載の半導体レーザ素子。
- 前記クラッド層の中間または前記コンタクト層の中間に設けられ、外部から注入された電流を狭窄して前記活性層に供給する電流非注入層を備え、
前記クラッド層または前記コンタクト層は、前記電流非注入層がその上に形成される第1層と、前記電流非注入層形成後に650℃以上の表面清浄化処理を行ってから再成長される第2層、または、650℃以上の温度域における再成長を行って形成される第2層とを有することを特徴とする請求項4〜7のいずれか一つに記載の半導体レーザ素子。 - III族空孔の拡散によって形成された混晶化部分を含む窓領域と、量子井戸構造の活性層を有する非窓領域とを備えた半導体レーザ素子製造方法において、
所定の原子を吸収し前記III族空孔の拡散を促進する促進膜を前記窓領域上に形成する促進膜形成工程と、
前記活性層の近傍側にV族サイトを優先的に置換する不純物をドーピングした層を形成する不純物含有層形成工程と、
を少なくとも含むことを特徴とする半導体レーザ素子製造方法。 - 前記不純物含有層形成工程は、C(炭素)をドーピングした層を形成することを特徴とする請求項9に記載の半導体レーザ素子製造方法。
- 前記不純物含有層形成工程は、
前記活性層の上側に形成されるガイド層の少なくとも前記活性層側の一部を占める層と、前記活性層の上側に形成されるクラッド層の少なくとも前記活性層側の一部を占める層と、前記活性層にキャリアを注入するために前記活性層の上側に形成されるコンタクト層の少なくとも前記活性層側の一部を占める層との少なくともいずれかの層を形成することを特徴とする請求項9または10に記載の半導体レーザ素子製造方法。 - 前記クラッド層の中間または前記コンタクト層の中間に設けられ、外部から注入された電流を狭窄して前記活性層に供給する電流非注入層を形成する電流非注入層形成工程を含み、
前記不純物含有層形成工程は、
電流非注入層がその上に設けられる前記クラッド層の第1層または電流非注入層がその上に設けられる前記コンタクト層の第1層を形成する第1層形成工程と、
電流非注入層形成工程後に、650℃以上の表面清浄化処理後の再成長処理または650℃以上の温度域における再成長処理を行い、前記クラッド層の第2層または前記コンタクト層の第2層を形成する第2層形成工程と、
を含むことを特徴とする請求項9〜11のいずれか一つに記載の半導体レーザ素子製造方法。 - 900℃以上の熱処理温度で前記III族空孔を拡散して前記窓領域の混晶化を行う熱処理工程をさらに含むことを特徴とする請求項9〜12のいずれか一つに記載の半導体レーザ素子製造方法。
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