JP5109367B2 - 芳香族スルホン酸イミド誘導体、芳香族スルホン酸イミド含有ブロック共重合体、スルホン酸イミドスルホン酸共重合体を有するポリアリーレン、芳香族スルホン酸イミド誘導体を含む高分子固体電解質、スルホン酸イミドスルホン酸含有ポリアリーレンを含む高分子固体電解質、それらを含むプロトン伝導膜 - Google Patents
芳香族スルホン酸イミド誘導体、芳香族スルホン酸イミド含有ブロック共重合体、スルホン酸イミドスルホン酸共重合体を有するポリアリーレン、芳香族スルホン酸イミド誘導体を含む高分子固体電解質、スルホン酸イミドスルホン酸含有ポリアリーレンを含む高分子固体電解質、それらを含むプロトン伝導膜 Download PDFInfo
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Description
しかし、ポリスチレンスルホン酸等のスルホン化ビニルポリマーには、化学安定性(耐久性)が劣るという問題がある。パーフルオロスルホン酸電解質膜は製造が難しく、非常に高価である。そのため、自動車や家庭用の燃料電池といった一般的な使用への適用が困難であり、限定された用途にしか適用できない。また、パーフルオロスルホン酸電解質膜は分子中に多量のフッ素原子を有するため、使用後の廃棄物処理における環境的な問題が大きい。ポリベンズイミダゾールまたはポリエーテルエーテルケトン等の耐熱性ポリマーにスルホン酸基またはリン酸基を導入することによって製造したポリマーも耐熱水性と耐久性が劣るという問題を有する。
のスルホン化剤を大量に使用するために製造危険性が高く、プラントの材料が制限され、ポリマーを回収する際の廃液処理の負担が大きいという問題がある。また、従来の方法には、ポリマーに導入されるスルホン酸基の量と導入位置を制御することが容易ではないという問題がある。
[1]式(1)によって表される芳香族スルホン酸イミド誘導体。
カチオンから選択されるカチオン種であり、Raは炭素数1〜20の炭化水素またはフッ化炭化水素基であり、Arは−SO2−NMb−SO2−Rb(式中、Mbは水素、アルカリ(土類)金属または第3級アンモニウムまたは第4級アンモニウムカチオンであり、Rbは炭
素数1〜20の炭化水素またはフッ化炭化水素基である)で表される置換基を有する芳香族基であり、mは1〜10の整数であり、nは0〜10の整数であり、kは1〜4の整数である。)
[2]Arを構成する芳香族基が、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナン
トレニル基から選択される基である[1]の芳香族スルホン酸イミド誘導体。
[3]Ra及びRbが一般式−CpF2p+1(式中、pは1〜10の整数である)で表される直
鎖または分岐状フッ化炭化水素基である[1]または[2]の芳香族スルホン酸イミド誘導体。[4]前記2価の電子吸引性基が、−CO−、CONH−、−(CF2)p−(式中、pは1〜
10の整数である)、−C(CF3)2−、−COO−、−SO−、−SO2−から選択され
、前記2価の電子供与性基が、−O−、−S−、−CH=CH−、−C≡C−、
[5]下記式(1’)で表わされる繰り返し構造単位を含むポリアリーレン。
1〜20の炭化水素またはフッ化炭化水素基である)で表される置換基を有する芳香族基であり、mは1〜10の整数であり、nは0〜10の整数であり、kは1〜4の整数である。)
[6]前記式(1’)で表わされる繰り返し構造単位0.5〜100モル%と、下記式(A
’)で表わされる繰り返し構造単位0〜99.5モル%とを含む[5]のポリアリーレン。
H−、−COO−、−(CF2)p−(式中、pは1〜10の整数である)、−(CH2)p−
(式中、pは1〜10の整数である)、−CR’2−(式中、R’は脂肪族炭化水素基、
芳香族炭化水素基またはハロゲン化炭化水素基である)、シクロヘキシリデン基、フルオレニリデン基、−O−、−S−から選択される2価の基であり、B‘は、酸素原子または硫黄原子であり、R1からR16は、同一でも異なってもよく、水素原子、フッ素原子、ア
ルキル基、部分的または完全にハロゲン置換されたハロゲン化アルキル基、アリール基、アリル基、ニトロ基、ニトリル基から選択される少なくとも1種の原子または基であり、s及びtはそれぞれ独立して0〜4の整数であり、rは0または正の整数である。)
[7]前記式(1’)で表わされる繰り返し構造単位0.5〜100モル%と、前記式(A
’)で表わされる繰り返し構造単位0〜99.5モル%と、下記式(2’)で表わされる繰り返し構造単位0〜99.5モル%と(ただし、前記構造(1’)、(2’)、(A’)の合計は100モル%である)を含む[6]のポリアリーレン。
[8]前記式(1’)で表わされる繰り返し構造単位0.5〜100モル%と、前記式(A
’)で表わされる繰り返し構造単位0〜99.5モル%と、下記式(2’’)で表わされる繰り返し構造単位0〜99.5モル%と(前記構造(1’)、(2’’)、(A’)の合計は100モル%である)を含む[5]のポリアリーレン。
香族基であり、mは1〜10の整数であり、nは0〜10の整数であり、kは1〜4の整数である。)
[9] 3−(2,5−ジクロロベンゾイル)−ベンゼンスルホン酸エステルをさらに含む
、[5]のポリアリーレン。
[10]前記エステルが、3−(2,5−ジクロロベンゾイル)−ベンゼンスルホン酸ネオペンチルである[9]のポリアリーレン。
[11][10]のポリアリーレンのスルホン酸エステル単位を加水分解することによって得られる3−(2,5−ジクロロベンゾイル)−ベンゼンスルホン酸をさらに含む[5]のポリア
リーレン。
[12][5]〜[8]のポリアリーレンを含む高分子固体電解質。
[13][12]の高分子固体電解質を含むプロトン伝導膜。
[新規な芳香族スルホン酸イミド誘導体]
本発明に係る芳香族スルホン酸イミド誘導体は下記式(1)で表される。
Aは2価の電子吸引性基であり、Bは2価の電子供与性基または単結合である。
Bとしては、−O−、−S−、−CH=CH−、−C≡C−、
Maは水素、Na、K、Caなどのアルカリ(土類)金属、第3級アンモニウムまたは、アンモニム、テトラメチルアンモニウムなどの第4級アンモニウムカチオンから選択されるカチオン種である。
。
上記式中の「Ar」部位が芳香族基である場合、「Ar」部位は芳香族炭化水素基である。好適な芳香族基の非限定的な例としては、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントラセニル基が挙げられる。これらの基のうち、フェニル基とナフチル基が好ましい。
Arを構成する芳香族基としては、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントレニル基から選択される基が好適である。
置換基Xは、選択する反応の種類と選択する基材の反応性に応じて選択する。アリール−アリールカップリング重合反応の詳細な検討と有用な触媒は欧州特許第1400548号に記載されている。具体的には、Xはフッ素以外のハロゲン原子である。
ポリアリーレン
本発明に係るポリアリーレンは、下記式(1’)で表わされる繰り返し構造単位を含む。
本発明にかかるポリアリーレンでは、上記一般式(1’)で表される繰り返し構造単位とともに、下記一般式(A’)で表される繰り返し構造単位を含むことが望ましい。このような重合体成分を含んでいると、電解質の強度、耐薬品性を向上させることができる。
、−CONH−、−COO−、−(CF2)p−(式中、pは1〜10の整数である)、−(CH2)p−(式中、pは1〜10の整数である)、−CR’2−(式中、R’は脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基またはハロゲン化炭化水素基である)、シクロヘキシリデン基、フルオレニリデン基、−O−、−S−から選択される2価の基であり、B’は、酸素原子または硫黄原子であり、R1からR16は、同一でも異なってもよく、水素原子、フッ素原子、アルキル基、部分的または完全にハロゲン置換されたハロゲン化アルキル基、アリール基、アリル基、ニトロ基、ニトリル基から選択される少なくとも1種の原子または基であり、s及びtはそれぞれ独立して0〜4の整数であり、rは0または正の整数である。)
アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、アミル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オクチル基などが挙げられる。ハロゲン化アルキル基としては、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロプロピル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロペンチル基、パーフルオロヘキシル基などが挙げられる。アリル基としては、プロペニル基などが挙げられ、アリール基としては、フェニル基、ペンタフルオロフェニル基などが挙げられる。
s、tの値と、A’、B’、D、R1〜R16の構造についての好ましい組み合わせとし
ては、(1)s=1、t=1であり、Aが−CR’2−(R’は脂肪族炭化水素基、芳香
族炭化水素基およびハロゲン化炭化水素基を示す)、シクロヘキシリデン基、フルオレニリデン基であり、B’が酸素原子であり、Dが−CO−または、−SO2−であり、R1〜R16が水素原子またはフッ素原子である構造、(2)s=1、t=0であり、B’が酸素原子であり、Dが−CO−または、−SO2−であり、R1〜R16が水素原子またはフッ素原子である構造、(3)s=0、t=1であり、Aが−CR’2−(R’は脂肪族炭化水
素基、芳香族炭化水素基およびハロゲン化炭化水素基を示す)、シクロヘキシリデン基、フルオレニリデン基、B’が酸素原子であり、R1〜R16が水素原子またはフッ素原子ま
たはニトリル基である構造が挙げられる。
ポリアリーレン中に、前記式(1’)で表わされる繰り返し構造単位0.5〜100モル%と、下記式(A’)で表わされる繰り返し構造単位0〜99.5モル%とを含む。
具体的には、一般構造(V)で表されるブロック共重合体である。
造単位0.5〜100モル%と、前記式(A’)で表わされる繰り返し構造単位0〜99.5モル%と、下記式(2’)で表わされる繰り返し構造単位0〜99.5モル%と(ただし、前記構造(1’)、(2’)、(A’)の合計は100モル%である)を含む。
具体的には、下記式(VI)で示される共重合体である。
モノマーと前記新規芳香族スルホン酸イミド誘導体を共重合させれば製造することができる。
の前駆体モノマーと新規芳香族スルホン酸イミド誘導体とを共重合させればよい。上記式(VI)で表される共重合体は、構造単位(A’)の前駆体モノマーと、構造単位(2‘’)の前駆体モノマーと新規芳香族スルホン酸イミド誘導体とを共重合させればよい。また、上記式(VI)で表される共重合体は、式(V)で表される共重合体中のSO3Rbを脱エステルして、スルホン酸基としてもよい。
また、新規芳香族スルホン酸イミドをスルホン酸誘導体及びその他の非スルホン酸ポリアリーレンと重合させ、燃料電池用途で有用な高分子固体電解質及びプロトン伝導膜として有用なスルホン酸イミドスルホン酸ポリアリーレンを形成することができる。
本発明にかかるポリアリーレンを燃料電池用途で有用な高分子固体電解質及びプロトン伝導膜として使用する場合、末端がスルホン酸基に変換された式(VI)で表される共重合体が好適である。
(高分子固体電解質)
本発明の高分子固体電解質は、上述した新規芳香族スルホン酸イミド含有ポリアリーレンを含む。
(プロトン伝導膜)
本発明のプロトン伝導膜は、例えば、溶媒に溶解した新規芳香族スルホン酸イミド含有ポリアリーレンを基材にキャストしてフィルムを形成するキャスト法によって製造することができる。使用する基材は特に制限されず、溶媒キャスト法で通常使用される基材から選択することができる。基材の例としては、プラスチック基材及び金属基材が挙げられる。好ましくは、ポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム等の熱可塑性樹脂基材を使用する。
湿潤膜の水への浸漬は、各シートに対してバッチ方式で行ってもよく、基材フィルム(例えば、PETフィルム)との積層体あるいは基材から剥離した膜を水に浸漬した後に巻き取る連続プロセスによって行ってもよい。
浸漬は、湿潤膜が、湿潤膜1質量部に対して少なくとも10質量部、好ましくは30質量部の水と接触するように行うことが好ましい。プロトン伝導膜内に残留する溶媒の量を最小とするために、接触比はできる限り高いことが好ましい。プロトン伝導膜内の残留溶媒量を減少させるために、浸漬に使用する水を取り替えたり、水をあふれ出させることによって、水内の有機溶媒の濃度を一定のレベル以下に維持することも有効である。プロトン伝導膜内の残留有機溶媒の均一な面内分布は、撹拌等により水内の有機溶媒濃度を均一化することによって得ることができる。
水に浸漬した膜を乾燥させることによって、残留溶媒量の少ない(通常は5質量%以下)プロトン伝導膜が得られる。
プロトン伝導膜は、通常は10〜100μm、好ましくは20〜80μmの乾燥膜厚を有する。
ル−ビス[3−(3−t−ブチル−5−メチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート](商品名:IRGANOX 245)、1,6−ヘキサンジオール−ビス[3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート](商品名:IRGANOX 259)、2,4−ビス−(n−オクチルチオ)−6−(4−ヒドロキシ−3,5−ジ−t−ブチルアニリノ)−3,5−トリアジン(商品名:IRGANOX 565)、ペンタエリスリチル−テトラキス[3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート](商品名:IRGANOX 1010)、2,2−チオジエチレンビス[3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート](商品名:IRGANOX 1035)、オクタデシル−3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート](商品名:IRGANOX 1076)、N,N−ヘキサメチレンビス(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシ−ヒドロシンナミド)(商品名:IRGANOX 1098)、1,3,5−トリメチル−2,4,6−トリ(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)ベンゼン(商品名:IRGANOX 1330)、トリス−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)−イソシアヌレート(商品名:IRGANOX 3114)、3,9−ビス[2−[3−(3−t−ブチル−4−ヒドロキシ−5−メチルフェニル)プロピオニロキシ]−1,1−ジメチルエチル]−2,4,8,10−テトラオキサスピロ[5.5]ウンデカン(商品名:Sumilizer GA−80)が挙げられる。
本発明のプロトン伝導膜は、高いプロトン伝導率を維持しながら、優れた耐熱水性、耐溶媒性、耐熱性、耐酸化性、靱性、電極接着性、加工性を有する。従って、プロトン伝導膜は、家庭用電源、自動車、携帯電話、パーソナルコンピュータ、移動端末、デジタルカメラ、携帯用CD・MDプレーヤ、ヘッドホンステレオ、ペットロボット、電気自転車、電気スクータ、などに用いられる燃料電池部材として好適に使用することができる。
[実施例]
なお、以下本発明を実施例により説明するが、本発明はこれらの実施例に何ら限定されるものではない。
イルとして得た。生成物をメタノール/水(200/75mL)に再溶解し、K2CO3(6.91g、50mmol、7mlの水に溶解)で処理した。
ート2;19F NMR:チャート3。
乾燥DMAc(45mL)を、実施例1の化合物(14.01g、28.00mmol)、2−クロロベンゾニトリル末端ポリ(エーテルニトリル)オリゴマー(Mn=8200、8.50g、1.04mmol)、Ni(PPh3)2Cl2(0.57g、0.87mmol)、PPh3(3.05g、11.61mmol)、NaI(0.13g、0.87mmol)、Znダスト(4.74g、72.6g)の混合物に乾燥窒素気流下で添加し、反応混合物を80℃で4時間機械的に撹拌した。得られた濃厚な懸濁液をTHFで希釈し、セライトパッドで濾過して余分なZnを取り除いた。トルエンとヘキサンを順番に濾液に添加し、カリウム塩としての粗ポリマーを沈殿させた。粉状生成物を高温(80℃)の2N H2SO4とともに2時間攪拌し、高温のまま濾過し、pH>6となるまで繰り返し洗浄し、沸騰水内で20時間撹拌し、濾過・乾燥した。収率:16.20g(84%);GPC:Mn=75100;Mw=159000。単離した酸性ポリマー(3.90g)をNMP(17.35g)とメタノール(8.69)の混合物に溶解した。ドクターブレードを使用してPET基材上に膜をキャストし、オーブン内において80℃で30分間乾燥し、基材から剥離し、140℃で30分間乾燥し、脱イオン水内で24時間保存し、大気中で一定重量に乾燥した。得られた膜は、85℃の温度及び90%の相対湿度において1.42mequiv./gのイオン交換容量とNafion 117膜(0.127S/cm)に匹敵する0.132S/cmのプロトン伝導率を示した。
実施例1のスルホン酸イミドモノマー(6.00g、12mmol)、3−(2,5−ジクロロベンゾイル)ベンゼンスルホン酸ネオペンチル(14.45g)、2−クロロベンゾニトリル末端ポリ(エーテルニトリル)オリゴマー(Mn=8200、6.51g、0.79mmol)の混合物に対して実施例2の重合操作を行った。ネオペンチルエステルである粗ポリマーをDMAcに溶解し、135℃で過剰のLiBrと反応させ、実施例2と同様に処理し、25モル%のスルホン酸イミドと75モル%のスルホン酸単位を酸性ブロックに含むセグメント化共重合体を得た。収率:15.25g(74%);GPC:Mn=76,800;Mw=200,000。実施例2に従って膜を製造した。得られた膜は、85℃の温度及び90%の相対湿度において2.25mequiv./gのイオン交換容量とNafion 117を超える0.313S/cmのプロトン伝導率を示した。85℃の温度及び50%の相対湿度における伝導率(0.029S/cm)はNafion 117(0.032S/cm)に匹敵するものだった。
Claims (13)
- 式(1)によって表される芳香族スルホン酸イミド誘導体。
- Arを構成する芳香族基が、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントレニル基から選択される基であることを特徴とする請求項1に記載の芳香族スルホン酸イミド誘導体。
- Ra及びRbが一般式−CpF2p+1(式中、pは1〜10の整数である)で表される直鎖または分岐状フッ化炭化水素基であることを特徴とする請求項1または2に記載の芳香族スルホン酸イミド誘導体。
- 下記式(1')で表わされる繰り返し構造単位を含むポリアリーレン。
- 前記式(1')で表わされる繰り返し構造単位0.5〜100モル%と、下記式(A')で表わされる繰り返し構造単位0〜99.5モル%とを含むことを特徴とする請求項5に記載のポリアリーレン。
- 前記式(1')で表わされる繰り返し構造単位0.5〜100モル%と、前記式(A')で表わされる繰り返し構造単位0〜99.5モル%と、下記式(2')で表わされる繰り返し構造単位0〜99.5モル%と(ただし、前記構造(1')、(2')、(A')の合計は100モル%である)を含むことを特徴とする請求項6に記載のポリアリーレン。
- 3−(2,5−ジクロロベンゾイル)−ベンゼンスルホン酸エステルをさらに含む、請求項5に記載のポリアリーレン。
- 前記エステルが、3−(2,5−ジクロロベンゾイル)−ベンゼンスルホン酸ネオペンチルである、請求項9に記載のポリアリーレン。
- 請求項10に記載のポリアリーレンのスルホン酸エステル単位を加水分解することによって得られる3−(2,5−ジクロロベンゾイル)−ベンゼンスルホン酸をさらに含む、請求項5に記載のポリアリーレン。
- 請求項5〜8のいずれかに記載のポリアリーレンを含む高分子固体電解質。
- 請求項12に記載の高分子固体電解質を含むプロトン伝導膜。
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