JP2005112985A - 疎水性ブロックを有するスルホン化ポリマーおよび固体高分子電解質 - Google Patents

疎水性ブロックを有するスルホン化ポリマーおよび固体高分子電解質 Download PDF

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芳孝 山川
Makoto Higami
誠 樋上
Toshiaki Kadota
敏明 門田
Takashi Nagao
隆 永尾
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Abstract

【課題】 スルホン酸基の導入量を増加しても優れた耐熱水性を有するスルホン化ポリマー、および該スルホン化ポリマーからなるプロトン伝導度が高く、発電性能に優れた固体高分子電解質を提供すること。
【解決手段】 本発明のスルホン化ポリマーは、下記一般式(1);
【化1】

[式中、Aは独立に2価の原子もしくは有機基(ただし、カルボニル基を除く。)または直接結合であり、Bは独立に酸素原子または硫黄原子であり、Xはフッ素を除くハロゲン原子、−OSO2CH3、−OSO2CF3から選ばれる原子または基を示し、R1〜R8は同一であっても異なっていてもよく、水素原子、フッ素原子またはアルキル基であり、nは2以上の整数である。]で表される化合物から導かれる繰返し単位を有することを特徴とする。
【選択図】 なし

Description

本発明は、芳香環を有する化合物、該化合物から導かれる繰返し単位を含むスルホン化ポリマーおよび該スルホン化ポリマーからなる固体高分子電解質に関する。
電解質は、通常、(水)溶液で用いられることが多い。しかし、近年、これが固体系に置き替えられている。その第1の理由としては、たとえば、電気・電子材料に応用する場合のプロセッシングの容易さであり、第2の理由としては、軽薄短小・高電力化への移行である。
従来、プロトン伝導性材料としては、無機化合物および有機化合物の両方が知られている。無機化合物としては、たとえば水和化合物であるリン酸ウラニルなどが挙げられるが、これら無機化合物は界面での接触が充分でなく、伝導層を基板または電極上に形成するには問題が多い。
一方、有機化合物としては、いわゆる陽イオン交換樹脂に属するポリマー、たとえばポリスチレンスルホン酸などのビニル系ポリマーのスルホン化物、ナフィオン(商品名、デュポン社製)を代表とするパーフルオロアルキルスルホン酸ポリマー、パーフルオロアルキルカルボン酸ポリマー、ポリベンズイミダゾール、ポリエーテルエーテルケトンなどの耐熱性高分子に、スルホン酸基またはリン酸基を導入したポリマー(Polymer Preprints,
Japan, Vol.42, No.7, p.2490〜2492(1993)、 Polymer Preprints, Japan, Vol.43, No.3, p.735〜736(1994)、 Polymer Preprints, Japan, Vol.42, No.3, p730(1993))などの有機系ポリマーが挙げられる。
これら有機系ポリマーは、通常、フィルム状で用いられるが、溶媒に可溶性であること、または熱可塑性であることを利用し、電極上に伝導膜を接合加工できる。しかしながら、これら有機系ポリマーの多くは、プロトン伝導性がまだ十分でないことに加え、耐久性が低いこと、高温(100℃以上)でプロトン伝導性が低下してしまうこと、スルホン化により脆化し、機械的強度が低下すること、湿度条件下の依存性が大きいこと、あるいは電極との密着性が十分満足のいくものとはいえなかったり、含水ポリマー構造に起因する稼働中の過度の膨潤による強度の低下や形状の崩壊に至るという問題がある。
米国特許第5,403,675号公報(特許文献1)には、スルホン化された剛直ポリフェニレ
ンからなる固体高分子電解質が開示されている。このポリマーは、フェニレン連鎖からなる芳香族化合物を重合して得られるポリマーを主成分とし、これをスルホン化剤と反応させてスルホン酸基を導入している。しかしながら、スルホン酸基の導入量の増加によって、プロトン伝導度が向上するものの、同時に得られるスルホン化ポリマーの耐熱水性および靭性などは著しく損なわれるという問題がある。
米国特許第5,403,675号公報
本発明の課題は、スルホン酸基の導入量を増加しても優れた耐熱水性を有するスルホン化ポリマー、および該スルホン化ポリマーからなるプロトン伝導度が高く、発電性能に優れた固体高分子電解質を提供することにある。
本発明によれば、以下の化合物、該化合物から導かれる疎水性を有する繰返し単位(以下、「疎水性ユニット」ともいう)と、スルホン酸基を有する繰返し単位とを含むスルホン化ポリアリーレン、および該スルホン化ポリアリーレンからなる固体高分子電解質が提供されることにより、上記課題を解決することができる。
[1] 下記一般式(1)で表されることを特徴とする化合物;
[式中、Aは独立に2価の原子もしくは有機基(ただし、カルボニル基を除く。)または直接結合であり、Bは独立に酸素原子または硫黄原子であり、Xはフッ素を除くハロゲン原子、−OSO2CH3、−OSO2CF3から選ばれる原子または基を示し、R1〜R8は互いに同一でも異なっていてもよく、水素原子、フッ素原子またはアルキル基であり、nは2以上の整数である。]
[2] 下記一般式(1’)で表される繰返し単位を有することを特徴とするポリアリーレン系重合体;
[式中、Aは独立に2価の原子もしくは有機基(ただし、カルボニル基を除く。)または直接結合であり、Bは独立に酸素原子または硫黄原子であり、R1〜R8は互いに同一でも異なってもよく、水素原子、フッ素原子またはアルキル基であり、nは2以上の整数である。]
[3] 上記一般式(1’)で表される繰返し単位と、下記一般式(2)で表される繰返し単位とからなることを特徴とするポリアリーレン系重合体;
(式中、Yは2価の原子もしくは有機基または直接結合であり、Arは芳香族基を示す。)
[4] 上記一般式(2)で表される繰返し単位がスルホン酸エステル基を有することを特徴とする[3]に記載のポリアリーレン系重合体。
[5] 上記一般式(2)で表される繰返し単位がスルホン酸基を有することを特徴とする[3]に記載のポリアリーレン系重合体。
[6] 上記一般式(1’)で表される繰返し単位が、下記一般式(1’’)で表される繰返し単位であることを特徴とする[5]に記載のポリアリーレン系重合体;
(式中、rは1以上の整数である。)
[7] [5]または[6]に記載のスルホン酸基を有するポリアリーレン系重合体からなることを特徴とする固体高分子電解質。
[8] [5]または[6]に記載のスルホン酸基を有するポリアリーレン系重合体からなることを特徴とするプロトン伝導膜。
本発明によれば、疎水性ユニットの両末端にクロロベンゾイル基を導入することで、スルホン酸基を有するユニットとの共重合体を効率的に得ることができる。このような親水部と疎水部とからなるブロックポリマーは、熱水耐性が高く、スルホン酸濃度を上げることができるため、プロトン伝導度が高く、発電性能に優れた固体高分子電解質を提供することができる。
以下、本発明に係る芳香環を有する化合物、ポリアリーレン系重合体、スルホン酸基を有するポリアリーレン系重合体、固体高分子電解質およびプロトン伝導膜について詳細に説明する。
[芳香環を有する化合物]
本発明の、下記一般式(1)で表される化合物は、これをモノマー単位として含む重合体に疎水部を付与するとともに、屈曲性構造を有するため重合体の靭性、その他の機械的強度などを向上させる作用を有する。
式中、Xは、フッ素を除くハロゲン原子(塩素、臭素、ヨウ素)、−OSO2CH3、−OSO2CF3から選ばれる原子または基を示す。
1〜R8は互いに同一でも異なっていてもよく、水素原子、フッ素原子またはアルキル基を示す。
アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、アミル基、ヘキシル基などが挙げられ、メチル基、エチル基などが好ましい。
Aは独立に2価の原子もしくは有機基または直接結合を示し、たとえば、−CONH−、−(CF2p−(ここで、pは1〜10の整数である)、−C(CF32−、−COO−、−SO−、−SO2−などの−CO−を除く電子吸引性基、
−O−、−S−、−CH=CH−、−C≡C−および下記式
で表される基などの電子供与性基などが挙げられる。
なお、電子吸引性基とは、ハメット(Hammett)置換基定数がフェニル基のm位の場合
、0.06以上、p位の場合、0.01以上の値となる基をいう。
Bは独立に酸素原子または硫黄原子である。
nは2以上の整数であり、上限は通常100、好ましくは80である。
上記一般式(1)で表される化合物は、たとえば、次のような反応により合成することができる。
まず、2価の原子もしくは有機基または直接結合で連結されたビスフェノールを、対応するビスフェノールのアルカリ金属塩とするために、N−メチル−2−ピロリドン、N,
N-ジメチルアセトアミド、スルホラン、ジフェニルスルホン、ジメチルスルホキサイド
などの誘電率の高い極性溶媒中でリチウム、ナトリウム、カリウムなどのアルカリ金属、水素化アルカリ金属、水酸化アルカリ金属、アルカリ金属炭酸塩などを加える。アルカリ金属はフェノールの水酸基に対し、過剰気味で反応させ、通常、1.1〜2倍当量、好ましくは1.2〜1.5倍当量で使用する。このとき、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン、アニソールなどの水と共沸する溶媒を共存させて、反応の進行を促進させることが好ましい。
次いで、上記ビスフェノールと、電子吸引性基などで活性化されたフッ素、塩素等のハロゲン原子で置換された芳香族ジハライド化合物、たとえば、ビス(4-クロロフェニル)スルホン、ビス(4-フルオロフェニル)スルホン、4-フルオロフェニル-4'-クロロフェニルスルホン、ビス(3-メチル-4-クロロフェニル)スルホン、ヘキサフルオロベンゼン、デカフ
ルオロビフェニルなどとを反応させる。
上記芳香族ジハライド化合物は、ビスフェノールに対し0.33〜0.999倍モル、好ましくは0.5〜0.999倍モルの量で用いられる。このように、芳香族ジハライド化合物に対して、ビスフェノールを過剰に加えることで、両末端にビスフェノールのアルカリ金属塩を有する前駆体が生成する。分子量の調整は、ここでの、芳香族ジハライド化合物とビスフェノールとの反応モル比によって行うことができる。
最後に、両末端にクロロベンゾイル基を導入するために、ジクロロベンゾフェノン類を加えて反応させる。ここで用いられるジクロロベンゾフェノン類として、4,4'-ジクロロ
ベンゾフェノン、3,4’-ジクロロベンゾフェノン、2,2’-ジクロロベンゾフェノンなどを挙げることができる。これらのうち、4,4'-ジクロロベンゾフェノンが好ましい。
上記ジクロロベンゾフェノン類は、上記の前駆体に対して、2倍モル以上加えることが必要であり、好ましくは3〜10倍モルの量で用いられる。添加量が2倍モルを下回る場合には、末端へのクロロベンゾイル基の導入が不完全となり、次のポリアリーレンの合成時に共重合性が低下して単独重合体の生成を招き、プロトン伝導度、熱水耐性など諸物性の低下を引き起こすことがある。
これらの反応は、反応温度が60℃〜300℃で、好ましくは80℃〜250℃の範囲、反応時間が15分〜100時間、好ましくは1時間〜24時間の範囲で行われる。
得られたオリゴマーないしポリマーは、ポリマーの一般的な精製方法、たとえば、溶解−沈殿の操作によって精製することができる。
クロロベンゾイル基を分子末端に有するオリゴマーまたはポリマーの具体的な構造として、以下のものを挙げることができる。
[ポリアリーレン系重合体]
本発明に係るポリアリーレン系重合体は、下記一般式(1’)で表される繰返し単位(
以下、「繰返し単位(1’)」ともいう)のみから構成される単独重合体でもよいし、繰返し単位(1’)と他の繰返し単位とから構成される共重合体でもよい。いずれの場合でも、重合体のゲルパーミエーションクロマトグラフィーで測定したポリスチレン換算の重量平均分子量(以下、単に「重量平均分子量」という)は1万〜100万、好ましくは2万〜80万である。
式中、R1〜R8、AおよびBは、上記一般式(1)中のR1〜R11、AおよびBと同様
の原子もしくは基または直接結合であり、nは上記一般式(1)中のnと同義である。
本発明のポリアリーレン系重合体を構成する上記繰返し単位(1’)以外の他の繰返し単位としては、下記一般式(2)で表される繰返し単位(以下、「繰返し単位(2)」ともいう)が好ましい。
式中、Yは2価の原子もしくは有機基または直接結合を示し、たとえば、−CO−、−CONH−、−(CF2p−(ここで、pは1〜10の整数である)、−C(CF32−、−COO−、−SO−、−SO2−などの電子吸引性基、
−O−、−S−、−CH=CH−、−C≡C−および下記式
で表される基などの電子供与性基などが挙げられる
Yとしては、スルホン酸基を有するポリアリーレン系重合体としたときに、酸強度を上げることができること、スルホン酸の脱離温度を上げられることから電子吸引性基が好ましく、特に−CO−、−SO2−が好ましい。
Arは、芳香族基を示し、たとえば、フェニル基、ナフチル基、ピリジル基、フェノキシフェニル基、フェニルフェニル基、ナフトキシフェニル基などが挙げられる。これらの芳香族基は置換基を有していてもよい。
上記繰返し単位(2)の構造を与えるモノマーは、下記一般式(2m)で表される。
式中、X’はフッ素を除くハロゲン原子(塩素、臭素、ヨウ素)、−OSO2CH3、−OSO2CF3から選ばれる原子または基を示す。YおよびArは、上記一般式(2)中のYおよびArと同様の基である。
上記繰返し単位(1’)と繰返し単位(2)とを含むポリアリーレン系重合体を、プロトン伝導膜材料として用いる場合には、繰返し単位(2)がスルホン酸基またはスルホン酸エステル基を有することが好ましい。このようなスルホン化されたポリアリーレン系重合体を得るには、ポリアリーレン系重合体を得てからスルホン化剤を用いてスルホン化してもよく、上記一般式(2m)で表されるモノマーが予めスルホン化されているものを用いて共重合させてもよい。
スルホン化された上記一般式(2m)で表されるモノマーとしては、以下のような化合物が挙げられる。
また、上記化合物において塩素原子が臭素原子に置き換わった化合物、上記化合物において−CO−が−SO2−に置き換わった化合物、上記化合物において塩素原子が臭素原
子に置き換わり、かつ−CO−が−SO2−に置き換わった化合物なども挙げられる。
これらのエステル基は1級のアルコール由来で、β炭素が3級または4級炭素であることが、重合工程中の安定性に優れ、脱エステル化によるスルホン酸の生成に起因する重合阻害や架橋を引き起こさない点で好ましく、さらには、これらのエステル基は1級アルコール由来でβ位が4級炭素であることが好ましい。
上記のような芳香族スルホン酸エステル誘導体は、たとえば以下のような方法で合成することができる。
(1)スルホン化(スルホン酸ナトリウム塩化)
たとえば、2,5−ジクロロベンゾフェノンの1,2−ジクロロメタン溶液に、5倍モルのアセチル硫酸の1,2−ジクロロメタン溶液を60℃で3〜5時間反応させる。反応後
、1−プロパノールで反応を終結させ、3倍モルのNaOH水溶液に注ぐ。得られた溶液を濃縮していくと微粉のスルホン酸ナトリウム塩が得られる。
(2)スルホン酸クロライド化
たとえば、2,5−ジクロロベンゾフェノン−3'−スルホン酸ナトリウムに対し、約3〜4倍(重量/容積)の溶媒(スルホラン/アセトニトリル=4/6(容積比)の混合溶媒)に該スルホン酸ナトリウム塩を溶解させ、70℃に加温し、塩化ホスホリルを10℃付近で5時間程度反応させる。反応後、大過剰の冷水で希釈して生成物を沈殿させる。濾過後、トルエンで再結晶し、精製結晶を得る。
なお、(1)で用いたアセチル硫酸の代わりに5〜10倍モル量のクロロスルホン酸を用いれば、一挙にスルホン化クロリドに転換できる。
(3)スルホン酸エステル化
たとえば、2,5−ジクロロベンゾフェノン−3'−スルホン酸クロライドに対し、等量以上(通常1〜3倍モル)のi−ブチルアルコールとピリジンとを冷却した混合溶液に、該スルホン酸クロライドを滴下して反応させる。反応は〜20℃までに抑える。反応時間は反応スケールにもよるが10分〜5時間程度である。反応混合液を希塩酸処理、水洗した後、酢酸エチルで目的物を抽出する。抽出液を濃縮分離後、メタノールで再結晶する。
繰返し単位(1’)と繰返し単位(2)とを有するポリアリーレン系重合体における繰返し単位(1’)の含有量は、0.001〜90モル%、好ましくは0.1〜80モル%である。繰返し単位(1’)が90モル%を超えると、スルホン化により共重合体に導入されるスルホン酸基量が不十分となり、得られるプロトン伝導性が十分でないことがある。
[ポリアリーレン系重合体の合成]
本発明に係るポリアリーレン系重合体は、上記一般式(1)で表される化合物(モノマー(1)ともいう)と、上記一般式(2m)で表される化合物(モノマー(2)ともいう)とを、遷移金属化合物を含む触媒の存在下で反応させることにより得られる。モノマー(1)の使用量は、全モノマーに対して0.001〜90モル%、好ましくは0.1〜80モル%の範囲であり、モノマー(2)の使用量は、全モノマーに対して99.999〜10モル%、好ましくは99.9〜20モル%の範囲である。
本発明の共重合体を製造する際に使用される触媒は、遷移金属化合物を含む触媒系であ
り、この触媒系としては、1)遷移金属塩および配位子となる化合物(以下、「配位子成分」という。)、または配位子が配位された遷移金属錯体(銅塩を含む)、ならびに2)還元剤を必須成分とし、さらに、重合速度を上げるために、「塩」を添加してもよい。
ここで、遷移金属塩としては、塩化ニッケル、臭化ニッケル、ヨウ化ニッケル、ニッケルアセチルアセトナートなどのニッケル化合物;塩化パラジウム、臭化パラジウム、ヨウ化パラジウムなどのパラジウム化合物;塩化鉄、臭化鉄、ヨウ化鉄などの鉄化合物;塩化コバルト、臭化コバルト、ヨウ化コバルトなどのコバルト化合物などが挙げられる。これらのうち特に、塩化ニッケル、臭化ニッケルなどが好ましい。
また、配位子成分としては、トリフェニルホスフィン、2,2'−ビピリジン、1,5−
シクロオクタジエン、1,3−ビス(ジフェニルホスフィノ)プロパンなどが挙げられる
。これらのうち、トリフェニルホスフィン、2,2'−ビピリジンが好ましい。上記配位子成分である化合物は、1種単独で、あるいは2種以上を併用することができる。
さらに、配位子が配位された遷移金属錯体としては、たとえば、塩化ニッケルビス(トリフェニルホスフィン)、臭化ニッケルビス(トリフェニルホスフィン)、ヨウ化ニッケルビス(トリフェニルホスフィン)、硝酸ニッケルビス(トリフェニルホスフィン)、塩化ニッケル(2,2'−ビピリジン)、臭化ニッケル(2,2'−ビピリジン)、ヨウ化ニッケル(2,2'−ビピリジン)、硝酸ニッケル(2,2'−ビピリジン)、ビス(1,5−シ
クロオクタジエン)ニッケル、テトラキス(トリフェニルホスフィン)ニッケル、テトラキス(トリフェニルホスファイト)ニッケル、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウムなどが挙げられる。これらのうち、塩化ニッケルビス(トリフェニルホスフィン)、塩化ニッケル(2,2'−ビピリジン)が好ましい。
上記触媒系に使用することができる還元剤としては、たとえば、鉄、亜鉛、マンガン、アルミニウム、マグネシウム、ナトリウム、カルシウムなどが挙げられる。これらのうち、亜鉛、マグネシウム、マンガンが好ましい。これらの還元剤は、有機酸などの酸に接触させることにより、より活性化して用いることができる。
また、上記触媒系において使用することのできる「塩」としては、フッ化ナトリウム、塩化ナトリウム、臭化ナトリウム、ヨウ化ナトリウム、硫酸ナトリウムなどのナトリウム化合物、フッ化カリウム、塩化カリウム、臭化カリウム、ヨウ化カリウム、硫酸カリウムなどのカリウム化合物;フッ化テトラエチルアンモニウム、塩化テトラエチルアンモニウム、臭化テトラエチルアンモニウム、ヨウ化テトラエチルアンモニウム、硫酸テトラエチルアンモニウムなどのアンモニウム化合物などが挙げられる。これらのうち、臭化ナトリウム、ヨウ化ナトリウム、臭化カリウム、臭化テトラエチルアンモニウム、ヨウ化テトラエチルアンモニウムが好ましい。
各成分の使用割合は、遷移金属塩または遷移金属錯体が、上記モノマーの総計1モルに対し、通常、0.0001〜10モル、好ましくは0.01〜0.5モルである。0.0001モル未満では、重合反応が十分に進行しないことがあり、一方、10モルを超えると、分子量が低下することがある。
触媒系において、遷移金属塩および配位子成分を用いる場合、この配位子成分の使用割合は、遷移金属塩1モルに対し、通常、0.1〜100モル、好ましくは1〜10モルである。0.1モル未満では、触媒活性が不十分となることがあり、一方、100モルを超えると、分子量が低下することがある。
また、還元剤の使用割合は、上記モノマーの総計1モルに対し、通常、0.1〜100
モル、好ましくは1〜10モルである。0.1モル未満では、重合が十分進行しないことがあり、100モルを超えると、得られる重合体の精製が困難になることがある。
さらに、「塩」を使用する場合、その使用割合は、上記モノマーの総計1モルに対し、通常、0.001〜100モル、好ましくは0.01〜1モルである。0.001モル未満では、重合速度を上げる効果が不十分であることがあり、100モルを超えると、得られる重合体の精製が困難となることがある。
使用することのできる重合溶媒としては、たとえば、テトラヒドロフラン、シクロヘキサノン、ジメチルスルホキシド、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドン、γ−ブチロラクトン、スルホラン、γ−ブチロラクタム、ジメチルイミダゾリジノン、テトラメチル尿素などが挙げられる。これらのうち、テトラヒドロフラン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドンが好ましい。これらの重合溶媒は、十分に乾燥してから用いることが好ましい。
重合溶媒中における上記モノマーの総計の濃度は、通常、1〜90重量%、好ましくは5〜40重量%である。
また、重合する際の重合温度は、通常、0〜200℃、好ましくは50〜120℃である。また、重合時間は、通常、0.5〜100時間、好ましくは1〜40時間である。
このようにして得られるポリアリーレン系重合体の分子量は、ゲルパーミエションクロマトグラフィ(GPC)によるポリスチレン換算重量平均分子量で、1万〜100万、好ましくは2万〜80万である。1万未満では、成形フィルムにクラックが発生するなど、塗膜性が不十分であり、また強度的性質にも問題がある。一方、100万を超えると、溶解性が不十分となり、また溶液粘度が高く、加工性が不良になるなどの問題がある。
[スルホン酸基を有するポリアリーレン系重合体]
本発明に係るスルホン酸基を有するポリアリーレン系重合体は、スルホン酸基を有しない上記重合体に、スルホン化剤を用い、常法によりスルホン酸基導入することにより得ることができる。スルホン酸基を導入する方法としては、たとえば、上記スルホン酸基を有しない共重合体を、無水硫酸、発煙硫酸、クロルスルホン酸、硫酸、亜硫酸水素ナトリウムなどの公知のスルホン化剤を用いて、公知の条件でスルホン化することができる〔Polymer Preprints, Japan, Vol.42, No.3, p.730 (1993);Polymer Preprints, Japan, Vol.43, No.3, p.736 (1994);Polymer Preprints, Japan, Vol.42, No.7, p.2490〜2492 (1993)〕。
すなわち、このスルホン化の反応条件としては、上記スルホン酸基を有しない共重合体を、無溶剤下または溶剤存在下で、上記スルホン化剤と反応させる。溶剤としては、たとえば、n-ヘキサンなどの炭化水素溶剤、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどのエーテ
ル系溶剤、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシドのような非プロトン系極性溶剤のほか、テトラクロロエタン、ジクロロエタン、クロロホルム、塩化メチレンなどのハロゲン化炭化水素などが挙げられる。反応温度は特に制限はないが、通常、−50〜200℃、好ましくは−10〜100℃である。また、反応時間は、通常、0.5〜1,000時間、好ましくは1〜200時間である。
また、繰返し単位(2)の構造を提供するモノマーとしてスルホン酸エステル基を有するものを用いて、スルホン酸エステル化されたポリアリーレン系重合体を合成した場合には、該重合体を加水分解して、上記繰返し単位(2)中のスルホン酸エステル基(−SO
3R)をスルホン酸基(−SO3H)に転換することにより、スルホン酸基を有するポリアリーレン系重合体を得ることができる。
加水分解の方法としては、
(1)少量の塩酸を含む過剰量の水またはアルコールに、上記スルホン酸エステル化されたポリアリーレン系重合体を投入し、5分間以上撹拌する方法
(2)トリフルオロ酢酸中で、上記スルホン酸エステル化されたポリアリーレン系重合体を80〜120℃程度の温度で5〜10時間程度反応させる方法
(3)ポリアリーレン系重合体中のスルホン酸エステル基(−SO3R)1モルに対して
、1〜3倍モルのリチウムブロマイドを含む溶液、たとえばN−メチルピロリドンなどの溶液中で、該重合体を80〜150℃程度の温度で3〜10時間程度反応させた後、塩酸を添加する方法
などを挙げることができる。
本発明においては、ポリアリーレン系重合体中のスルホン酸エステル基(−SO3R)
の90%以上が、スルホン酸基(−SO3H)に転換していることが好ましい。
このようにして得られる、スルホン酸基を有するポリアリーレン系重合体中の、スルホン酸基量は、0.5〜3meq/g、好ましくは0.8〜2.8meq/gである。0.5meq/g未満では、プロトン伝導性が上がらないことがあり、一方、3meq/gを超えると、親水性が向上し、水溶性ポリマーとなってしまうか、水溶性でなくとも熱水に可溶となってしまうか、または水溶性に至らずとも耐久性が低下することがある。
上記のスルホン酸基量は、上記モノマー(1)とモノマー(2m)との使用割合、さらにモノマーの種類、組合せを変えることにより、容易に調整することができる。
なお、本発明のスルホン酸基を有するポリアリーレン系重合体の構造は、赤外線吸収スペクトルによって、1,030〜1,045cm-1、1,160〜1,190cm-1のS=O吸収、1,130〜1,250cm-1のC−O−C吸収、1,640〜1,660cm-1のC=O吸収などにより確認でき、これらの組成比は、スルホン酸の中和滴定や、元素分析により知ることができる。また、核磁気共鳴スペクトル(1H-NMR)により、6.8〜8.0ppmの芳香族プロトンのピークから、その構造を確認することができる。
[固体高分子電解質]
本発明の固体高分子電解質は、上記スルホン酸基を有するポリアリーレン系重合体からなり、プロトン伝導性を損なわない範囲で、フェノール性水酸基含有化合物、アミン系化合物、有機リン化合物、有機イオウ化合物などの酸化防止剤などを含んでもよい。
上記固体高分子電解質は、使用用途に応じて、粒状、繊維状、膜状など種々の形状で用いることができる。たとえば、燃料電池や水電解装置などの電気化学デバイスに用いる場合には、その形状を膜状(いわゆる、プロトン伝導膜)とすることが望ましい。
[プロトン伝導膜]
本発明のプロトン伝導膜は、上記スルホン酸基を有するポリアリーレン系重合体からなる固体高分子電解質を用いて調製される。また、プロトン伝導膜を調製する際に、固体高分子電解質以外に、硫酸、リン酸などの無機酸、カルボン酸を含む有機酸、適量の水などを併用してもよい。
本発明では、スルホン酸基を有するポリアリーレン系重合体を、溶剤に溶解して溶液とした後、基体上に流延してフィルム状に成形するキャスティング法などにより、フィルム
状に成形することによりプロトン伝導膜を製造することができる。ここで、上記基体としては、通常の溶液キャスティング法に用いられる基体であれば特に限定されず、たとえばプラスチック製、金属製などの基体が用いられ、好ましくは、ポリエチレンテレフタレート(PET)フィルムなどの熱可塑性樹脂からなる基体が用いられる。
スルホン酸基を有するポリアリーレン系重合体を溶解する溶媒としては、たとえば、N−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルホルムアミド、γ−ブチロラクトン、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ジメチル尿素、ジメチルイミダゾリジノンなどの非プロトン系極性溶剤が挙げられ、特に溶解性、溶液粘度の面から、N−メチル−2−ピロリドン(以下「NMP」ともいう。)が好ましい。非プロトン系極性溶剤は、1種単独で、または2種以上を組み合わせて用いることができる。
また、スルホン酸基を有するポリアリーレン系重合体を溶解させる溶媒として、上記非プロトン系極性溶剤とアルコールとの混合物も用いることができる。アルコールとしては、たとえば、メタノール、エタノール、プロピルアルコール、iso−プロピルアルコール、sec−ブチルアルコール、tert−ブチルアルコールなどが挙げられ、特にメタノールが幅広い組成範囲で溶液粘度を下げる効果があり好ましい。アルコールは、1種単独で、または2種以上を組み合わせて用いることができる。
上記溶媒として、非プロトン系極性溶剤とアルコールとの混合物を用いる場合には、非プロトン系極性溶剤が95〜25重量%、好ましくは90〜25重量%、アルコールが5〜75重量%、好ましくは10〜75重量%(但し、合計は100重量%)からなる。アルコールの量が上記範囲内にあると、溶液粘度を下げる効果に優れる。
スルホン酸基を有するポリアリーレン系重合体を溶解させた溶液のポリマー濃度は、スルホン酸基を有するポリアリーレン系重合体の分子量にもよるが、通常、5〜40重量%、好ましくは7〜25重量%である。5重量%未満では、厚膜化し難く、また、ピンホールが生成しやすい。一方、40重量%を超えると、溶液粘度が高すぎてフィルム化し難く、また、表面平滑性に欠けることがある。
なお、溶液粘度は、スルホン酸基を有するポリアリーレン系重合体の分子量や、ポリマー濃度にもよるが、通常、2,000〜100,000mPa・s、好ましくは3,000
〜50,000mPa・sである。2,000mPa・s未満では、成膜中の溶液の滞留性が悪く、基体から流れてしまうことがある。一方、100,000mPa・sを超えると
、粘度が高過ぎて、ダイからの押し出しができず、流延法によるフィルム化が困難となることがある。
上記のようにして成膜した後、得られた未乾燥フィルムを水に浸漬すると、未乾燥フィルム中の有機溶剤を水と置換することができ、得られるプロトン伝導膜の残留溶媒量を低減することができる。
なお、成膜後、未乾燥フィルムを水に浸漬する前に、未乾燥フィルムを予備乾燥してもよい。予備乾燥は、未乾燥フィルムを通常50〜150℃の温度で、0.1〜10時間保持することにより行われる。
未乾燥フィルムを水に浸漬する際は、枚葉を水に浸漬するバッチ方式であってもよく、通常得られる基板フィルム(たとえば、PET)上に成膜された状態の積層フィルムのまま、または基板から分離した膜を水に浸漬させて、巻き取っていく連続方法でもよい。
バッチ方式の場合は、処理フィルムを枠にはめるなどの方式が処理されたフィルムの表
面の皺形成が抑制されるので好都合である。
未乾燥フィルムを水に浸漬する際には、未乾燥フィルム1重量部に対し、水が10重量部以上、好ましくは30重量部以上の接触比となるようにすることがよい。得られるプロトン伝導膜の残存溶媒量をできるだけ少なくするためには、できるだけ大きな接触比を維持するのがよい。また、浸漬に使用する水を交換したり、オーバーフローさせたりして、常に水中の有機溶媒濃度を一定濃度以下に維持しておくことも、得られるプロトン伝導膜の残存溶媒量の低減に有効である。プロトン伝導膜中に残存する有機溶媒量の面内分布を小さく抑えるためには、水中の有機溶媒濃度を撹拌等によって均質化させることは効果がある。
未乾燥フィルムを水に浸漬する際の水の温度は、好ましくは5〜80℃の範囲である。高温ほど、有機溶媒と水との置換速度は速くなるが、フィルムの吸水量も大きくなるので、乾燥後に得られるプロトン伝導膜の表面状態が荒れる懸念がある。通常、置換速度と取り扱いやすさから10〜60℃の温度範囲が好都合である。
浸漬時間は、初期の残存溶媒量や接触比、処理温度にもよるが、通常10分〜240時間の範囲である。好ましくは30分〜100時間の範囲である。
上記のように未乾燥フィルムを水に浸漬した後乾燥すると、残存溶媒量が低減されたプロトン伝導膜が得られるが、このようにして得られるプロトン伝導膜の残存溶媒量は、通常5重量%以下である。
また、浸漬条件によっては、得られるプロトン伝導膜の残存溶媒量を1重量%以下とすることができる。このような条件としては、たとえば、未乾燥フィルムと水との接触比を、未乾燥フィルム1重量部に対し、水が50重量部以上、浸漬する際の水の温度を10〜60℃、浸漬時間を10分〜10時間とする方法がある。
上記のように未乾燥フィルムを水に浸漬した後、フィルムを30〜100℃、好ましくは50〜80℃で、10〜180分、好ましくは15〜60分乾燥し、次いで、50〜150℃で、好ましくは500mmHg〜0.1mmHgの減圧下、0.5〜24時間、真空乾燥することにより、プロトン伝導膜を得ることができる。
本発明の方法により得られるプロトン伝導膜は、その乾燥膜厚が、通常10〜100μm、好ましくは20〜80μmである。
また、本発明においては、上記スルホン酸エステル化されたポリアリーレン系重合体を加水分解することなく、上述したような方法でフィルム状に成形した後、上記と同様の方法で加水分解することによりスルホン酸基を有するポリアリーレン系重合体からなるプロトン伝導膜を製造することもできる。
本発明のプロトン伝導膜は、老化防止剤、好ましくは分子量500以上のヒンダードフェノール系化合物を含有してもよく、老化防止剤を含有することでプロトン伝導膜としての耐久性をより向上させることができる。
本発明で使用することのできる分子量500以上のヒンダードフェノール系化合物としては、トリエチレングリコール−ビス[3−(3−t−ブチル−5−メチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート](商品名:IRGANOX 245)、1,6−ヘキサンジオール−ビス[3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート](商
品名:IRGANOX 259)、2,4−ビス−(n−オクチルチオ)−6−(4−ヒドロキシ−3
,5−ジ−t−ブチルアニリノ)−3,5−トリアジン(商品名:IRGANOX 565)、ペンタエ
リスリチル−テトラキス[3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プ
ロピオネート](商品名:IRGANOX 1010)、2,2−チオ−ジエチレンビス[3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート](商品名:IRGANOX 1035)、オクタデシル−3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネー
ト)(商品名:IRGANOX 1076)、N,N−ヘキサメチレンビス(3,5−ジ−t−ブチルー4
−ヒドロキシ−ヒドロシンナマミド)(IRGAONOX 1098)、1,3,5−トリメチル−2,4,6−トリス(3,5−ジ−t−ブチル−4―ヒドロキシベンジル)ベンゼン(商品名:IRGANOX 1330)、トリス−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)−イソシアヌレイト(商品名:IRGANOX 3114)、3,9−ビス[2−〔3−(3−t−ブチル−4−
ヒドロキシ−5−メチルフェニル)プロピオニルオキシ〕−1,1−ジメチルエチル]−
2,4,8,10−テトラオキサスピロ[5.5]ウンデカン(商品名:Sumilizer GA-80)
などを挙げることができる。
本発明において、スルホン酸基を有するポリアリーレン系重合体100重量部に対して分子量500以上のヒンダードフェノール系化合物は0.01〜10重量部の量で使用することが好ましい。
本発明のプロトン伝導膜は、たとえば、一次電池用電解質、二次電池用電解質、燃料電池用高分子固体電解質、表示素子、各種センサー、信号伝達媒体、固体コンデンサー、イオン交換膜などに利用可能なプロトン伝導性の伝導膜として好適に用いることができる。
〔実施例〕
以下、実施例に基づいて本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。なお、実施例における各種の測定項目は、下記のようにして求めた。
(分子量)
スルホン化前の疎水性ユニットの数平均分子量(Mn)は、溶剤としてテトラヒドロフラン(THF)を用い、GPCによって、ポリスチレン換算の分子量を求めた。スルホン化ポリマーの重量平均分子量(Mw)は、溶剤として臭化リチウムと燐酸を添加したN−メチル−2−ピロリドン(NMP)を溶離液として用い、GPCによって、ポリスチレン換算の分子量を求めた。
(イオン交換容量)
得られたスルホン化ポリマーの水洗水がpH4〜6になるまで洗浄して、フリーの残存している酸を除去後、十分に水洗し、乾燥後、所定量を秤量し、THF/水の混合溶剤に溶解し、フェノールフタレインを指示薬とし、NaOHの標準液にて滴定し、中和点から、イオン交換容量を求めた。
(プロトン伝導度)
交流抵抗は、5mm幅の短冊状のプロトン伝導膜試料の表面に、白金線(直径0.5mm)を押し当て、恒温恒湿装置中に試料を保持し、白金線間の交流インピーダンス測定から求めた。すなわち、85℃、相対湿度90%の環境下で交流10kHzにおけるインピーダンスを測定した。抵抗測定装置として、(株)NF回路設計ブロック製のケミカルインピーダンス測定システムを用い、恒温恒湿装置には、(株)ヤマト科学製のJW241を使用した。白金線は、5mm間隔に5本押し当てて、線間距離を5〜20mmに変化させ、交流抵抗を測定した。線間距離と抵抗の勾配から、下記式に従って膜の比抵抗を算出し、比抵抗の逆数から交流インピーダンスを算出し、このインピーダンスから、プロトン伝導率を算出した。
比抵抗R(Ω・cm)=0.5(cm)×膜厚(cm)×抵抗線間勾配(Ω/cm)
(熱分解温度)
TGA(窒素下、20℃/分の昇温速度)により測定されたスルホン化ポリマーの分解温度を熱分解(開始)温度とした。
(熱水耐性)
厚さ50μmのスルホン化ポリマーフィルムをプレッシャークッカー中で、120℃の熱水に24時間浸漬し、浸漬前のフィルムの重量に対する浸漬後の重量の割合(重量保持率)を求めた。
(フェントン試薬耐性)
3重量%の過酸化水素に、硫酸鉄・七水和物を鉄イオンの濃度が20ppmになるように混合し、フェントン試薬を調製した。250ccのポリエチレン製溶液に200gのフェントン試薬を採取し、3cm×4cm、膜厚=55μmに切削したスルホン化ポリマーフィルムを投入して密栓し、45℃の恒温水槽に10時間浸漬させた。浸漬終了後、フィルムを取り出し、イオン交換水にて水洗し、25℃、50%RHで12時間乾燥させて、浸漬前のフィルムの重量に対する浸漬後の重量の割合(重量保持率)を求めた。
〔実施例1〕疎水性ユニットの合成
攪拌機、温度計、Dean-stark管、窒素導入管、冷却管をとりつけた1Lの三口フラスコに、4,4’−ジクロロジフェニルスルホン29.8g(104mmol)、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン37.4g(111mmol)、炭酸カリウム20.0g(145mmol)をはかりとった。窒素置換後、スルホラン168mL、トルエン84mLを加えて攪拌した。オイルバスで反応液を150℃で加熱還流させた。反応によって生成する水はDean-stark管にトラップした。3時間後、水の生成がほとんど認められなくなったところで、トルエンをDean-stark管から系外に除去した。徐々に反応温度を200℃に上げ、5時間攪拌を続けた後、4,4’−ジクロロベンゾフェノン7.5g(30mmol)を加え、さらに8時間反応させた。
反応液を放冷後、トルエン100mLを加えて希釈した。反応液に不溶の無機塩を濾過し、濾液をメタノール2Lに注いで生成物を沈殿させた。沈殿した生成物を濾過、乾燥後、テトラヒドロフラン250mLに溶解し、これをメタノール2Lに注いで再沈殿させた。沈殿した白色粉末を濾過、乾燥し、疎水性ユニット56gを得た。GPCで測定した数平均分子量(Mn)は10,500であった。この化合物の1H-NMRスペクトルを図1に示す。得られた化合物は、末端にクロロベンゾイル基が導入された式(I)で表されるオリゴマーであることを確認した。
〔実施例2〕スルホン化ポリマーの合成
攪拌機、温度計、窒素導入管をとりつけた1Lの三口フラスコに、3−(2,5−ジクロロベンゾイル)ベンゼンスルホン酸ネオペンチル135.5g(338mmol)、実施例1で得られたMn10,500の疎水性ユニット44.5g(4.2mmol)、ビス(トリフェニルホスフィン)ニッケルジクロリド6.71g(10.3mmol)、ヨウ化ナトリウム1.54g(10.3mmol)、トリフェニルホスフィン35.9g(136mmol)、亜鉛53.7g(820mmol)をはかりとり、乾燥窒素置換した。ここにN,N-ジメチルアセトアミド(DMAc)430mLを加え、反応温度を80℃に保持しながら3時間攪拌を続けた後、DMAc730mLを加えて希釈し、不溶物を濾過した。
得られた溶液を攪拌機、温度計、窒素導入管を取り付けた2Lの三口フラスコに入れ、115℃に加熱攪拌し、臭化リチウム44g(506mmol)を加えた。7時間攪拌後、アセトン5Lに注いで生成物を沈殿させた。ついで、1N塩酸、純水の順に洗浄後、乾燥して目的のスルホン化ポリマー124gを得た。得られた重合体の重量平均分子量(Mw)は170,000であった。1H-NMRスペクトルを図2に示す。得られた重合体は式(II)で表されるスルホン化ポリマーと推定される。
得られたスルホン化ポリマーの8重量%NMP溶液をガラス板上にキャストして製膜した。風乾、真空乾燥し、乾燥膜厚40μmのフィルムを得た。得られたフィルムの評価結果を表1に示す。
〔実施例3〕疎水性ユニットの合成
攪拌機、温度計、Dean-stark管、窒素導入管、冷却管をとりつけた1Lの三口フラスコに4,4’−ジクロロジフェニルスルホン28.8g(100mmol)、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン38.6g(115mmol)、炭酸カリウム20.6g(149mmol)をはかりとった。窒素置換後、スルホラン170mL、トルエン84mLを加えて攪拌した。オイルバスで反応液を150℃で加熱還流させた。反応によって生成する水はDean-stark管にトラップした。3時間後、水の生成がほとんど認められなくなったところで、トルエンをDean-stark管から系外に除去した。徐々に反応温度を200℃に上げ、8時間攪拌を続けた後、4,4’−ジクロロベンゾフェノン14.4g(57mmol)を加え、さらに8時間反応させた。
反応液を放冷後、トルエン100mLを加えて希釈した。反応液に不溶の無機塩を濾過し、濾液をメタノール2Lに注いで生成物を沈殿させた。沈殿した生成物を濾過、乾燥後、テトラヒドロフラン250mLに溶解し、これをメタノール2Lに注いで再沈殿させた。沈殿した白色粉末を濾過、乾燥し、疎水性ユニット53gを得た。GPCで測定した数平均分子量(Mn)は8,100であった。
〔実施例4〕スルホン化ポリマーの合成
攪拌機、温度計、窒素導入管をとりつけた1Lの三口フラスコに、3−(2,5−ジクロロベンゾイル)ベンゼンスルホン酸ネオペンチル135.2g(337mmol)、実施例3で得られたMn8,100の疎水性ユニット41.6g(5.1mmol)、ビス(トリフェニルホスフィン)ニッケルジクロリド6.71g(10.3mmol)、ヨウ化ナトリウム1.54g(10.3mmol)、トリフェニルホスフィン35.9g(136mmol)、亜鉛53.7g(820mmol)をはかりとり、以下実施例2と同様の反応操作を行い、スルホン化ポリマー125gを得た。得られた重合体の重量平均分子量(Mw)は164,000であった。
得られたスルホン化ポリマーの8重量%NMP溶液をガラス板上にキャストして製膜した。風乾、真空乾燥し、乾燥膜厚40μmのフィルムを得た。得られたフィルムの評価結果を表1に示す。
〔比較例1〕疎水性ユニットの合成
攪拌機、温度計、Dean-stark管、窒素導入管、冷却管をとりつけた1Lの三口フラスコに、4,4’−ジクロロジフェニルスルホン31.8g(111mmol)、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン35.0g(104mmol)、炭酸カリウム18.7g(135mmol)をはかりとった。窒素置換後、スルホラン168mL、トルエン84mLを加えて攪拌した。オイルバスで反応液を150℃で加熱還流させた。反応によって生成する水はDean-stark管にトラップした。3時間後、水の生成がほとんど認められなくなったところで、トルエンをDean-stark管から系外に除去した。徐々に反応温度を200℃に上げ、5時間攪拌を続けた後、4,4’−ジクロロジフェニルスルホン8.0g(27.7mmol)を加え、さらに8時間反応させた。以下、実施例1と同様の操作を行い、疎水性ユニット53gを得た。GPCで測定した数平均分子量は12,500であった。この化合物の1H-NMRスペクトルを図3に示す。得られた化合物は、末端にクロロベンゼンスルホニル基が導入された式(III)で表されるオリゴマーであることを確認した。
〔比較例2〕スルホン化ポリマーの合成
攪拌機、温度計、窒素導入管をとりつけた1Lの三口フラスコに、3−(2,5−ジクロロベンゾイル)ベンゼンスルホン酸ネオペンチル135.5g(338mmol)、比較例1で得られたMn12,500の疎水性ユニット47.9g(4.3mmol)、ビス(トリフェニルホスフィン)ニッケルジクロリド6.71g(10.3mmol)、ヨウ化ナトリウム1.54g(10.3mmol)、トリフェニルホスフィン35.9g(136mmol)、亜鉛53.7g(820mmol)をはかりとり、以下実施例2と同様の反応操作を行い、スルホン化ポリマー124gを得た。得られた重合体の重量平均分子量(Mw)は135,000であった。このときの溶出曲線は2峰性であり、3−(2
,5−ジクロロベンゾイル)ベンゼンスルホン酸ネオペンチルの単独重合体が生成していることが示唆された。
得られたスルホン化ポリマーの8重量%NMP溶液をガラス板上にキャストして製膜した。風乾、真空乾燥し、乾燥膜厚40μmのフィルムを得た。得られたフィルムの評価結果を表1に示す。
一般式(1)で表される疎水性ユニットで、両末端にクロロベンゾイル基を導入することによって、一般式(2)で表されるスルホン酸基を有するユニットとの良好な共重合性を有することができる。これによって、親水部と疎水部とからなるブロックコポリマーを得ることができるとともに、イオン交換容量、プロトン伝導度、熱水耐性、ラジカル耐性などの特性が向上している。
実施例1で得られた疎水性ユニットのNMRスペクトルである。 実施例2で得られたスルホン化ポリマーのNMRスペクトルである。 比較例1で得られた疎水性ユニットのNMRスペクトルである。

Claims (8)

  1. 下記一般式(1)で表されることを特徴とする化合物;
    [式中、Aは独立に2価の原子もしくは有機基(ただし、カルボニル基を除く。)または直接結合であり、Bは独立に酸素原子または硫黄原子であり、Xはフッ素を除くハロゲン原子、−OSO2CH3、−OSO2CF3から選ばれる原子または基を示し、R1〜R8は互いに同一でも異なっていてもよく、水素原子、フッ素原子またはアルキル基であり、nは2以上の整数である。]
  2. 下記一般式(1’)で表される繰返し単位を有することを特徴とするポリアリーレン系重合体;
    [式中、Aは独立に2価の原子もしくは有機基(ただし、カルボニル基を除く。)または直接結合であり、Bは独立に酸素原子または硫黄原子であり、R1〜R8は互いに同一でも異なってもよく、水素原子、フッ素原子またはアルキル基であり、nは2以上の整数である。]
  3. 上記一般式(1’)で表される繰返し単位と、下記一般式(2)で表される繰返し単位とからなることを特徴とするポリアリーレン系重合体;
    (式中、Yは2価の原子もしくは有機基または直接結合であり、Arは芳香族基を示す。)
  4. 上記一般式(2)で表される繰返し単位がスルホン酸エステル基を有することを特徴とする請求項3に記載のポリアリーレン系重合体。
  5. 上記一般式(2)で表される繰返し単位がスルホン酸基を有することを特徴とする請求項3に記載のポリアリーレン系重合体。
  6. 上記一般式(1’)で表される繰返し単位が、下記一般式(1’’)で表される繰返し単位であることを特徴とする請求項5に記載のポリアリーレン系重合体;
    (式中、rは1以上の整数である。)
  7. 請求項5または6に記載のスルホン酸基を有するポリアリーレン系重合体からなることを特徴とする固体高分子電解質。
  8. 請求項5または6に記載のスルホン酸基を有するポリアリーレン系重合体からなることを特徴とするプロトン伝導膜。
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