JP5103983B2 - ガス供給方法、ガス供給装置、半導体製造装置及び記憶媒体 - Google Patents
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Description
原料容器内の固体原料を加熱して気化させた原料ガスを消費区域に供給するガス供給方法において、
消費区域に連通する処理ガス供給路にキャリアガスを通流させると共に、当該処理ガス供給路内のガス圧力を測定する工程(a)と、
前記原料容器内の固体原料を加熱して、原料ガスを発生させる工程(b)と、
前記工程(a)と同じ流量のキャリアガスを前記原料容器内に供給して、このキャリアガスと共に前記原料ガスを前記処理ガス供給路に通流させながら当該処理ガス供給路内のガス圧力を測定する工程(c)と、
前記工程(a)で取得した圧力測定値と、前記工程(c)で取得した圧力測定値と、キャリアガスの流量と、に基づいて、前記原料ガスの流量を演算する工程(d)と、を含むことを特徴とする。
前記原料容器から前記消費区域までの処理ガス供給路の内径は、1.9cm(0.75インチ)以上であることが好ましい。
前記消費区域は、処理容器内の基板に対して、真空雰囲気下で前記原料ガスを分解させて成膜処理を行うための処理モジュールであることが好ましい。
原料容器内の固体原料を加熱手段により加熱して気化させた原料ガスを消費区域に供給するガス供給装置において、
固体原料を貯留するための原料容器と、
キャリアガス源と前記原料容器との間に設けられたキャリアガス導入路と、
前記原料容器と前記消費区域との間に設けられた処理ガス供給路と、
前記キャリアガス導入路と前記処理ガス供給路との間に介設されたバイパス路と、
前記処理ガス供給路における前記バイパス路との接続位置よりも下流側に設けられた圧力測定部と、
前記キャリアガスの流路を、前記キャリアガス導入路から前記バイパス路を介して前記処理ガス供給路に通流させる流路と、前記キャリアガス導入路から前記原料容器を介して前記処理ガス供給路に通流させる流路と、の間で切り替えるための流路切り替え手段と、
前記処理ガス供給路内を通流する前記原料ガスの流量を演算する制御部と、を備え、
前記制御部は、前記処理ガス供給路内に前記バイパス路を介して前記キャリアガスを通流させながら前記圧力測定部にて取得された圧力測定値とキャリアガス流量とからなる基準データを記憶し、次いでキャリアガスの流量を変えずに、前記処理ガス供給路内に前記原料容器を介してキャリアガスと原料ガスとを通流させながら前記圧力測定部により圧力測定値を取得し、この時の圧力測定値と前記基準データとに基づいて、原料ガスの流量を演算するプログラムを備えたことを特徴とする。
上記ガス供給装置と、処理容器内の基板に対して、真空雰囲気下で前記原料ガスを分解させて成膜処理を行うための処理モジュールと、を備え、
前記制御部は、前記処理モジュールで行われる複数の成膜レシピ毎に、前記基準データを備えていることを特徴とする。
処理容器内に固体原料を気化させたガスを供給するガス供給装置に用いられるプログラムを格納した記憶媒体であって、
前記プログラムは、上記ガス供給方法を実施するようにステップが組まれていることを特徴とする。
また、バルブV3とバルブV4との間には、圧力測定部である圧力計47が設けられている。この圧力計47は、処理ガス供給路43内のガス圧力を高い精度で測定するためのものであり、通常の高真空領域を測定するための圧力計の圧力測定範囲をプラス側にシフトさせたものである。
しかし、図2(b)に示すように、A圧力計の測定範囲をプラス側にシフトさせて、例えば100mTorrから200mTorrの圧力範囲にシフトさせて、処理ガス供給路43内の圧力範囲を精度高く測定できるように、圧力計47を調整している。このためA圧力計は、本来の上限定格である100mTorrにおいて10Vではなく、0Vを出力するようオフセット調整されている。
尚、上記のように、測定圧力範囲をプラス側にシフトさせるにあたり、出力電圧と圧力(真空度)との直線性(リニアリティー)が得られるように、圧力計47のゲインは調整されている。この実施の形態では、キャリアガス源45、MFC44、バルブV1〜V3、原料容器40、キャリアガス導入路42、バイパス路46、処理ガス供給路43及び圧力計47は、本発明のガス供給装置11に相当する。
ステージ61内には、ガス分解手段をなすヒータ61aと、ウェハWを吸着するための図示しない静電チャックと、が設けられている。更にステージ61には、ウェハWを昇降させて、図示しない搬送手段との間でウェハWの受け渡しを行うための例えば3本の昇降ピン63(便宜上2本のみ図示)がステージ61の表面に対して突没自在に設けられている。この昇降ピン63は、支持部材64を介して処理容器60の外部の昇降機構65に接続されている。処理容器60の底部には排気管66の一端側が接続され、この排気管66の他端側には真空排気手段である真空ポンプ67がバタフライバルブ80を介して接続されている。また処理容器60の大径円筒部60aの側壁には、ゲートバルブGにより開閉される搬送口68が形成されている。
前記プログラム4には、基準データDAを取得するための基準データ取得プログラム4a、原料ガスの流量を演算するための流量演算プログラム4b及び固体原料20の温度を調整するための温度制御プログラム4cなどが含まれる。
V・dP/dt = −P・S + Q ・・・・・・・(1)
となる。基準データDAを取得する時のガス流量、ガス圧力及び排気速度をそれぞれQA、PA及びSAとすると、定常状態では圧力の変化はないので、dP/dt=0となり、式(1)は、
QA =SA・PA ・・・・・・・(2)
となる。また、比較データPBを取得する時についても、同様に流量、ガス圧力及び排気速度をそれぞれQB、PB及びSBとし、更に定常状態にある時を考えると、同様にdP/dt=0となるので、式(1)は、
QB =SB・PB ・・・・・・・(3)
となる。基準データDAを取得する時と、比較データPBを取得する時と、では、キャリアガスの流量を変えていないので、比較データPB取得時の原料ガスの流量をQCとすると、式(3)は、
QB = SB・PB = QA + QC ・・・・・・・(4)
となる。この時、キャリアガスの流量基準値QAに比べて原料ガスの流量QCがはるかに小さい場合(1/100以下)には、SA≒SBと仮定できるので、式(2)、(4)をまとめると、
Qc = QA・(PB − PA)/PA ・・・・・・・(5)
となり、ΔP=PB−PAとすると、式(5)は、
QC =QA・ΔP/PA ・・・・・・・(6)
が成り立ち、基準データDA(PA及びQA)と比較データPBとに基づいて、原料ガスの流量QCが得られる。尚、例えば流量QA、QC(Pa・m3/sec)を実際に用いられている流量A、C(sccm)に単位を置き換えると、式(6)から、
C =A・ΔP/PA ・・・・・・・(7)
が求められる。尚、当然のことであるが基準データDA取得時と比較データPB取得時では、原料容器40の温度、処理容器60内の圧力は同じである。また前述のように、この原料ガスの流量QC(C)の演算は、各レシピの変更、特に処理容器60の圧力、キャリアガスの流量の変更毎に行われるので、基準データDAをテーブル6内に記憶するように構成されてもよい。このテーブル6は、例えば処理モジュール50における複数の成膜条件(ウェハWの温度、処理容器60内の圧力、キャリアガスの流量など)のレシピごとに測定された基準データDA1、DA2、、、、DAn(n:自然数)が格納されるように構成されており、流量演算プログラム4bによって原料ガスの流量が演算される時に、その時のレシピに適合した基準データDA1がメモリ5に読み出されることになる。
(基準データDA取得)
図4(a)に示すように、MFC44によってキャリアガスの流量Aを例えば300sccmに設定すると共に、バルブV2を開放して、処理容器60内の圧力が所定の圧力P’例えば17.3Pa(130mTorr)となるようにバタフライバルブ80の開度が制御される。そして、処理ガス供給路43を通流するキャリアガスの圧力基準値PAを圧力計47により測定して、圧力PAとキャリアガスの流量A(QA)とが基準データDAとして取得される。ここでキャリアガスの流量は、前記設定値でもよいし、MFC44で測定された値でもよい。尚、基本的にはこの基準データDAは、新たなレシピを行う時には取得されるが前述のように各レシピに対応する基準データDAをテーブル化して取得し保存しておくようにしてもよい。
図4(b)に示すように、MFC44によってキャリアガスの流量を上記の基準データDA取得時と同じ流量Aに設定すると共に、バルブV2を閉じて、バルブV1、V3を開放する。この操作により、キャリアガスが原料容器40内に通流して、予め所定の温度例えば80℃に加熱された原料容器から、原料ガスとキャリアガスが処理ガスとして処理ガス供給路43に通流する。そして、処理ガス供給路43を通流する処理ガスの圧力を圧力計47により測定して、比較データPBが取得される。
そして、既述のように、流量演算プログラム4bによって処理ガス供給路43内を通流する原料ガスの流量が演算される。
原料ガスの流量Cがレシピに応じた設定流量と異なる場合には、既述の温度制御プログラム4cによって、加熱手段41の電源41aの出力値を変更して、原料容器40内の温度を調整することで、原料ガスの流量が調整される。またここで設定された原料ガスの流量が得られない時には、キャリアガスの流量を増加するなどして再度基準データDA取得、比較データPB取得、原料ガスの流量調整を行う。このようにして所定の原料ガスの流量が得られた後、ステージ61上にウェハWが載置されて、例えばルテニウムの成膜処理が行われる。その後、原料ガスの流量Cが一定になるようにして、所望の膜厚となるように所定の時間この状態を保つことにより、成膜が行われる。
上記の例においては、固体原料20として、ルテニウムカルボニルを用いたが、このような化合物に限られず、例えばタングステンカルボニルなど、固体を気化させて原料ガスとして用いることのできる化合物を同様に用いても良い。
4 プログラム
4a 基準データ取得プログラム
4b 流量演算プログラム
4c 温度調整プログラム
DA 基準データ
PB 比較データ
5 メモリ
6 テーブル
10 半導体製造装置
11 ガス供給装置
20 固体原料
40 原料容器
43 処理ガス供給路
50 処理モジュール
Claims (9)
- 原料容器内の固体原料を加熱して気化させた原料ガスを消費区域に供給するガス供給方法において、
消費区域に連通する処理ガス供給路にキャリアガスを通流させると共に、当該処理ガス供給路内のガス圧力を測定する工程(a)と、
前記原料容器内の固体原料を加熱して、原料ガスを発生させる工程(b)と、
前記工程(a)と同じ流量のキャリアガスを前記原料容器内に供給して、このキャリアガスと共に前記原料ガスを前記処理ガス供給路に通流させながら当該処理ガス供給路内のガス圧力を測定する工程(c)と、
前記工程(a)で取得した圧力測定値と、前記工程(c)で取得した圧力測定値と、キャリアガスの流量と、に基づいて、前記原料ガスの流量を演算する工程(d)と、を含むことを特徴とするガス供給方法。 - 前記演算する工程(d)の後に、当該工程(d)で得られた前記原料ガスの流量の演算値と、予め設定した前記原料ガスの流量設定値と、に基づいて、前記固体原料の加熱温度を制御して、前記原料ガスの流量を調整する工程を行うことを特徴とする請求項1に記載のガス供給方法。
- 前記原料容器から前記消費区域までの処理ガス供給路の内径は、1.9cm(0.75インチ)以上であることを特徴とする請求項1または2に記載のガス供給方法。
- 前記消費区域は、処理容器内の基板に対して、真空雰囲気下で前記原料ガスを分解させて成膜処理を行うための処理モジュールであることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一つに記載のガス供給方法。
- 原料容器内の固体原料を加熱手段により加熱して気化させた原料ガスを消費区域に供給するガス供給装置において、
固体原料を貯留するための原料容器と、
キャリアガス源と前記原料容器との間に設けられたキャリアガス導入路と、
前記原料容器と前記消費区域との間に設けられた処理ガス供給路と、
前記キャリアガス導入路と前記処理ガス供給路との間に介設されたバイパス路と、
前記処理ガス供給路における前記バイパス路との接続位置よりも下流側に設けられた圧力測定部と、
前記キャリアガスの流路を、前記キャリアガス導入路から前記バイパス路を介して前記処理ガス供給路に通流させる流路と、前記キャリアガス導入路から前記原料容器を介して前記処理ガス供給路に通流させる流路と、の間で切り替えるための流路切り替え手段と、
前記処理ガス供給路内を通流する前記原料ガスの流量を演算する制御部と、を備え、
前記制御部は、前記処理ガス供給路内に前記バイパス路を介して前記キャリアガスを通流させながら前記圧力測定部にて取得された圧力測定値とキャリアガス流量とからなる基準データを記憶し、次いでキャリアガスの流量を変えずに、前記処理ガス供給路内に前記原料容器を介してキャリアガスと原料ガスとを通流させながら前記圧力測定部により圧力測定値を取得し、この時の圧力測定値と前記基準データとに基づいて、原料ガスの流量を演算するプログラムを備えたことを特徴とするガス供給装置。 - 前記制御部は、前記原料ガスの流量の演算値と、予め設定した前記原料ガスの流量設定値と、に基づいて、前記加熱手段への供給電力を制御して、前記原料ガスの流量を調整するプログラムを更に備えたことを特徴とする請求項5に記載のガス供給装置。
- 前記処理ガス供給路の内径は、1.9cm(0.75インチ)以上であることを特徴とする請求項5または6に記載のガス供給装置。
- 請求項5ないし7のいずれか一つに記載のガス供給装置と、処理容器内の基板に対して、真空雰囲気下で前記原料ガスを分解させて成膜処理を行うための処理モジュールと、を備え、
前記制御部は、前記処理モジュールで行われる複数の成膜レシピ毎に、前記基準データを備えていることを特徴とする半導体製造装置。 - 処理容器内に固体原料を気化させたガスを供給するガス供給装置に用いられるプログラムを格納した記憶媒体であって、
前記プログラムは、請求項1ないし4のいずれか一つに記載のガス供給方法を実施するようにステップが組まれていることを特徴とする記憶媒体。
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