CN101646803B

CN101646803B - 气体供给方法和气体供给装置

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Publication number: CN101646803B
Application number: CN2008800099522A
Authority: CN
Inventors: 原正道; 五味淳; 横山敦; 田中利昌; 前川伸次; 多贺敏
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2007-03-28
Filing date: 2008-03-26
Publication date: 2011-11-30
Anticipated expiration: 2028-03-26
Also published as: KR20090129444A; US20100062158A1; JP2008240119A; WO2008123309A1; KR101052156B1; CN101646803A; JP5103983B2

Abstract

本发明提供一种气体供给方法，其用于将原料气体供给至消耗区域，该原料气体通过对原料容器内的固体原料进行加热并使其气化而得到，该气体供给方法的特征在于，包括：工序(a)，使载气在与消耗区域连通的处理气体供给路内流通，同时测定该处理气体供给路内的气体压力；工序(b)，对上述原料容器内的固体原料进行加热，产生原料气体；工序(c)，将与上述工序(a)相同流量的载气供给至上述原料容器内，使上述原料气体与该载气一起在上述处理气体供给路内流通，同时测定该处理气体供给路内的气体压力；和工序(d)，根据在上述工序(a)中取得的压力测定值、在上述工序(c)中取得的压力测定值和载气流量，计算上述原料气体的流量。

Description

气体供给方法和气体供给装置

技术领域

本发明涉及将原料气体供给至处理容器内等气体消耗区域的技术，该原料气体通过对固体原料进行加热使其气化而得到。

背景技术

作为用于在基板上例如形成金属膜等的装置，例如使用CVD装置。在该CVD装置中，对供给至载置有基板的处理容器内的处理气体的流量进行调节。此时，利用质量流量控制器(MFC)或质量流量计(MFM)等流量测定器，测定处理气体的流量。例如，在使用MFC时，设置从主气体流路分支的旁路，在该旁路中对处理气体进行加热，例如，通过测定2点间处理气体的温度差，测定处理气体的流量。

另外，为了提高成膜后结晶的致密度，并且降低混入基板中(膜中)的杂质的量，研究使用固体原料进行成膜的方法。作为采用这种方法进行成膜的装置，例如可以列举图5所示的成膜装置100。图5的成膜装置100具备载气源101、原料容器102和处理容器103。例如如果氮气作为载气从载气源101供给至原料容器102内，通过在该原料容器102内利用加热器112的加热，固体原料例如羰基钌(Ru₃(CO)₁₂)气化生成原料气体，该原料气体与载气一起供给至处理容器103内。在处理容器103内，该原料气体分解，在基板104上例如以钌膜成膜。

在这种成膜装置100中，在向原料容器102内供给载气之前，在MFC115中测定载气的流量。并且，在向处理容器103供给载气和原料气体之前，通过设置在处理气体供给路106上的MFC116，测定载气和原料气体的流量。从该流量减去在MFC115中测定的载气的流量，计算原料气体的流量。

上述固体原料的蒸气压低，所以非常难以气化，存在不易增加流量的问题。因此，为了促进固体原料的气化，需要尽可能降低原料容器102内的压力，并且，将处理气体供给路106的管径扩大至例如5cm(2英寸)左右，以获得原料气体的供给量。然而，能够设置通常的流量测定器(例如市售的MFC)的管径例如为0.95cm(0.375英寸)左右，非常小。以这种管径，原料气体的供给量过少，根据工艺，处理能力明显降低，难以用于实际的成膜装置。并且，采用这种管径时，其上游侧的压力增高，存在无法促进固体原料气化的缺点。

发明内容

本发明着眼于上述问题，是为了有效解决这些问题而完成的。本发明的目的在于提供一种在用于将对固体原料进行加热并使其气化得到的原料气体供给至处理模块这种气体消耗区域的技术中，能够简便地调节原料气体流量的技术，特别是提供能够实现原料气体所希望的大流量的技术。

根据本发明，即使降低原料容器内的压力，也不会产生特别的障碍，因而能够维持促进固体原料气化的状态，另一方面，能够非常简便地计算原料气体的流量，结果，能够简便地调节原料气体的流量。另外，根据本发明，不受使用质量流量控制器等通常的流量测定器时那样的对于配管管径的限制，因而能够确保原料气体的大流量。这些效果例如对实现使用固体原料的成膜装置而言极其有效。

优选在上述工序(d)后，根据在该工序(d)中取得的上述原料气体的流量计算值、和预先设定的上述原料气体的流量设定值，控制上述固体原料的加热温度，进行调节上述原料气体的流量的工序。

另外，优选从上述原料容器到上述消耗区域的处理气体供给路的内径为1.9cm(0.75英寸)以上。

优选上述消耗区域是用于在真空气氛下使上述原料气体分解对处理容器内的基板进行成膜处理的处理模块。

此外，本发明提供一种气体供给装置，其将原料气体供给至消耗区域，该原料气体通过对原料容器内的固体原料进行加热并使其气化而得到，该气体供给装置的特征在于，具备：用于贮存固体原料的原料容器；用于对原料容器内的固体原料进行加热的加热单元；设置在载气源与上述原料容器之间的载气导入路；设置在上述原料容器与上述消耗区域之间的处理气体供给路；设置在上述载气导入路与上述处理气体供给路之间的旁路；设置在上述处理气体供给路中与上述旁路的连接位置的下游侧的压力测定部；流路切换单元，用于将上述载气的流路在经由上述旁路从上述载气导入路向上述处理气体供给路流通的流路、和经由上述原料容器从上述载气导入路向上述处理气体供给路流通的流路之间进行切换；和计算在上述处理气体供给路内流通的上述原料气体的流量的控制部，其中，上述控制部，存储基准数据，该基准数据包括在使上述载气经由上述旁路在上述处理气体供给路内流通的状态下，由上述压力测定部取得的压力测定值和此时载气的流量，然后，不改变该载气的流量，在使载气和原料气体经由上述原料容器在上述处理气体供给路内流通的状态下，由上述压力测定部取得压力测定值，根据此时的压力测定值和上述基准数据，计算此时的原料气体的流量。

优选上述控制部根据上述原料气体的流量的计算值和预先设定的上述原料气体的流量设定值，控制对上述加热单元的供给电力，调节上述原料气体的流量。

另外，优选上述处理气体供给路的内径为1.9cm(0.75英寸)以上。

本发明提供一种半导体制造装置，其特征在于：具备：具有上述任一种特征的气体供给装置；和处理模块，其具有作为上述消耗区域的处理容器，用于在该处理容器内，在真空气氛下使上述原料气体分解，对基板进行成膜处理，上述控制部在上述处理模块中进行的多个成膜方案的每个中，具备上述基准数据。

本发明还提供一种存储介质，其存储有程序，该程序应用于将原料气体供给至消耗区域的气体供给装置，该原料气体通过对原料容器内的固体原料进行加热并使其气化而得到，该存储介质的特征在于：该程序中编入有用于实施具有上述任一种特征的气体供给方法的步骤。

附图说明

图1是表示包括本发明的气体供给装置的半导体制造装置的一个实施方式的纵截面示意图。

图2是表示图1的半导体制造装置中使用的压力计的能够测定的压力范围的特性图。

图3是表示图1的半导体制造装置中进行成膜的处理容器的一个示例的纵截面示意图。

图4是用于说明图1的半导体制造装置中计算原料气体流量时的方式的概念图。

图5是现有的成膜装置的一个示例的纵截面示意图。

具体实施方式

参照图1说明具备本发明的气体供给装置的半导体制造装置的一个示例。图1的半导体制造装置10具备原料容器40和处理模块50，该原料容器40用于储存例如粒状的固体原料，例如羰基钌(Ru₃(CO)₁₂，以下称为“固体原料”20)。处理模块50用于使上述固体原料20气化生成的原料气体例如在作为基板的半导体晶片(以下称为“晶片W”)上热分解，形成例如钌膜。

在原料容器40内，为了对内部的固体原料20进行加热使其气化(升华)而获得原料气体，设有例如加热器等加热单元41。该加热单元41上连接有电源41a。另外，在原料容器40内，用于向原料容器40内带入载气的载气导入路42的一端侧、和用于向处理容器60供给原料气体的处理气体供给路43的一端侧开口。在载气导入路42的上游侧，经由阀V1和质量流量控制器(MFC)44，连接有储存例如氮气等载气的载气源45。

处理气体供给路43的下游侧(处理容器60一侧)经由阀V3、V4与作为消耗区域的处理容器60连接。由于固体原料20为低蒸气压，为了降低原料容器40内的到达压力并促进原料气体的气化，该处理气体供给路43由1.9cm(0.75英寸)以上例如5cm(2英寸)的大口径配管形成。在上述载气导入路42与处理气体供给路43之间设置有旁路46，以将阀V1的上游侧(载气源45一侧)与阀V3的下游侧(处理容器60一侧)连接。在旁路46上设有阀V2。这些阀V1、V2、V3构成流路切换单元。并且，为了抑制原料气体的析出(凝固)，在处理气体供给路43上贴设有用于对在内部流通的气体进行加热的带式加热器等，但此处省略图示。另外，在阀V3与阀V4之间设有作为压力测定部的压力计47。该压力计47用于以高精度测定处理气体供给路43内的气体压力，是使通常用于测定高真空区域的压力计的压力测定范围向正向移位而得到的压力计。

例如，利用电容压力计这样的压力计(真空度计)，压力测定范围的下限为零点，而图2A的(A)所示的测定高真空区域的压力的压力计，其压力测定范围并不那么大。其中，电容压力计以通过测定随着金属薄膜的变形而引起的金属薄膜间静电容量的变化来测定压力的方式构成。

另一方面，与图2A的(A)压力计(以下，有时记作A压力计)相比，图2A的(B)所示的测定低真空区域压力的压力计(以下，有时记作B压力计)的压力测定范围较广。

由这些压力计输出的电压被标准化，例如其最大值为10V。因此，希望测定低真空区域的压力时，必须使用压力测定范围大的压力计，因而导致分辨率下降。另一方面，利用能够测定高真空区域的压力计，虽然能够得到高分辨率，但其测定范围的上限低(例如，A压力计为13.3Pa(100mTorr))。并且，处理气体供给路43内的气体压力例如大约为17.3Pa(130mTorr)，所以不能使用A压力计，必须使用B压力计。

在此，在使固体原料气化、并将该原料气体与载气一起供给至处理容器60时，由于固体原料的蒸气压低，与载气混合的原料气体的分压小(例如为数mTorr)。另一方面，B压力计不具备能够正确测定这种微小压力变动的高分辨率。

因此，如图2B所示，有效的做法是将A压力计的测定范围向正向移动。例如，通过将压力计47移动至100mTorr至200mTorr的测定压力范围，能够以高精度测定处理气体供给路43内的压力范围。此时，对压力计47(A压力计)进行偏置调节，使得在原来的上限额定值100mTorr中，不输出10V而输出0V。

对于如上所述将压力计47的测定压力范围向正向移动(偏置调节)，以维持输出电压与压力(真空度)的线性关系(linearity)的方式调节增益。其中，在本实施方式中，载气源45、MFC44、阀V1～V3、原料容器40、载气导入路42、旁路46、处理气体供给路43和压力计47相当于本发明的气体供给装置11。

下面，参照图3对处理模块50进行说明。处理容器60形成为其上侧的大径圆筒部60a与其下侧的小径圆筒部60b连接设置的所谓的蘑菇形状(纵截面T字形)。处理容器60内设有用于水平载置晶片W的作为载置部的台61。台61通过支承部件62支承在小径圆筒部60b的底部。

在台61内，设有构成气体分解单元的加热器61a、和用于吸附晶片W的未图示的静电卡盘。并且，在台61上设有相对于台61表面自由出没的例如3根升降销63(方便起见仅图示2根)，该升降销63用于使晶片W升降，与未图示的搬送单元之间进行晶片W的交接。该升降销63通过支承部件64与处理容器60外部的升降机构65连接。排气管66的一端侧连接在处理容器60的底部。作为真空排气单元的真空泵67通过蝶阀80连接在该排气管66的另一端侧。另外，处理容器60的大径圆筒部60a的侧壁上形成有通过闸阀G开闭的搬送口68。

在处理容器60的顶部的中央部，以与台61相对的方式设有气体喷头69。在气体喷头69的下表面，开有多个用于向晶片W供给在气体喷头69内流通的气体的气体供给口69a。另外，气体喷头69的上表面连接有上述处理气体供给路43。并且，在处理容器60的侧面，设有与上述压力计47同样使压力测定范围向正向移动而得到的压力计70。压力计70能够以高精度测定处理容器60内的压力。不过，在此也可以使用通常的压力计(例如200mTorr计)。

如图1所示，本实施方式的半导体制造装置10设有例如由计算机构成的控制部2A。该控制部2A包括CPU3、程序4、存储器5和存储基准数据的图表(Table)6。

上述程序4包括：用于取得基准数据D_A的基准数据取得程序4a、用于计算原料气体流量的流量计算程序4b、和用于调节固体原料20温度的温度控制程序4c等。

基准数据取得程序4a的作用在于，仅使载气从载气源45向处理容器60内流通，即，关闭阀V1、V3，开启阀V2，使载气经由旁路46供给至处理容器60内。该基准数据取得程序4a的作用还在于，利用压力计47测定使流量基准值Q_A的载气在处理气体供给路43内流通时的处理气体供给路43内的压力基准值P_A，作为压力测定值，并存储包括该压力基准值P_A和载气的流量基准值Q_A的基准数据D_A。

流量计算程序4b的作用在于，将与取得基准数据D_A时同样流量的载气供给至原料容器40，利用压力计47测定从原料容器40向处理气体供给路43内流通的由载气和原料气体构成的处理气体的压力P_B，作为压力测定值，即，测定关闭阀V2、开启阀V1和V3时的压力P_B作为比较数据，将该比较数据存储在存储器5内，根据由基准数据取得程序4a得到的基准数据D_A和该比较数据P_B，计算在处理气体供给路43内流通的原料气体的流量。该计算式具体如下所示。

首先，将处理气体供给路43内的气体流量、气体压力和排气速度分别设为Q(Pa·m³/sec)、P(Pa)和S(m³/sec)，以压力计47上游的气体流路的容积为V(m³)、每单位时间气体流路内的压力变化为dP/dt(Pa/sec)，它们关系式为：

V·dP/dt＝-P·S+Q......(1)

将取得基准数据D_A时的气体流量、气体压力和排气速度分别设为Q_A、P_A和S_A，由于在恒定状态下没有压力变化，所以dP/dt＝0，式(1)变为：

Q_A＝S_A·P_A.......(2)

另外，取得比较数据P_B时，同样将气体流量、气体压力和排气速度分别设为Q_B、P_B和S_B，考虑恒定状态时，同样dP/dt＝0，所以式(1)变为：

Q_B＝S_B·P_B.......(3)

在此，在取得基准数据D_A时和取得比较数据P_B时，不改变载气的流量。因此，以取得比较数据P_B时原料气体的流量为Q_C，式(3)变为：

Q_B＝S_B·P_B＝Q_A+Q_C......(4)

此时，在原料气体的流量Q_C远小于载气的流量基准值Q_A的情况下(1/100以下)，可以假定S_A≈S_B。因此，综合式(2)和式(4)，

Q_C＝Q_A·(P_B-P_A)/P_A......(5)

如果ΔP＝P_B-P_A，式(5)表示为：

Q_C＝Q_A·ΔP/P_A......(6)

因此，能够由基准数据D_A(P_A和Q_A)以及比较数据P_B得到原料气体的流量Q_C。在此，例如将流量Q_A、Q_C(Pa·m³/sec)单位置换为实际使用的流量A、C(sccm)，则式(6)表示为：

C＝A·ΔP/P_A......(7)

当然，在取得基准数据D_A时和取得比较数据P_B时，原料容器40的温度和处理容器60内的压力相同。另外，如上所述，在每次变更各方案时，特别是每次变更处理容器60的压力或载气的流量时，进行原料气体的流量Q_C(C)的计算。因此，基准数据D_A也可以被存储在图表6内。即，图表6能够在例如处理模块50中的多个成膜条件(晶片W的温度、处理容器60内的压力、载气的流量等)的每个方案中，存储测定的基准数据D_A1、D_A2、...、D_An(n为自然数)。然后，通过流量计算程序4b计算原料气体的流量时，只要存储器5读出符合此时的方案的基准数据D_An即可。

温度控制程序4c的作用在于，调节在处理气体供给路43内流通的原料气体的流量，即，调节通过流量计算程序4b计算出的原料气体的流量Q_C。具体而言，通过温度控制程序4c，调节原料容器40的加热单元41的电源41a的输出。通过该温度调节程序4c，能够进行严密调节，使得供给至处理容器60内的原料气体的流量为预先设定的流量。其结果，能够将处理容器60内的晶片W上的成膜量调节为规定的膜厚。

通常，这些程序4(也包括有关处理参数的输入操作或显示的程序)存储在计算机存储介质中，例如由软盘、光盘、MO(光磁盘)、硬盘等构成的存储部2B中，安装在控制部2A中。

下面，对于使用上述半导体制造装置10的半导体制造方法进行说明。

(取得基准数据D_A)

如图4A所示，通过MFC44，载气的流量A设定为例如300sccm。然后，开启阀V2，控制蝶阀80(参照图3)的开度，使处理容器60内的压力为规定的压力P′，例如为17.3Pa(130mTorr)。然后，通过压力计47测定在处理气体供给路43内流通的载气的压力基准值P_A。并且将该压力P_A与载气的流量A(Q_A)作为基准数据D_A取得并存储。在此，被存储的载气的流量可以是上述设定值，也可以是由MFC44测定的值。

基本上，在实施新方案时取得基准数据D_A。如上所述，优选将对应于各方案的基准数据D_A图表化取得并存储(保存)。

(取得比较数据PB)

如图4B所示，通过MFC44，载气的流量设定为与上述取得基准数据D_A时相同的流量A。然后关闭阀V2，开启阀V1、V3。通过该操作，载气在原料容器40内流通，原料气体与载气作为处理气体从已预先加热为规定温度例如80℃的原料容器向处理气体供给路43流通。并且，通过压力计47测定在处理气体供给路43内流通的处理气体的压力，将其作为比较数据P_B。

接着，如上所述，通过流量计算程序4b，计算在处理气体供给路43内流通的原料气体的流量。

(原料气体的流量调节)

在计算得到的原料气体的流量C与方案所对应的设定流量不同时，通过上述温度控制程序4c，改变加热单元41的电源41a的输出值。这样一来，通过调节原料容器40内的温度，调节原料气体的流量。

当无法得到所设定的原料气体的流量时，通过改变载气的流量等，再次进行基准数据D_A取得、比较数据P_B取得和原料气体的流量调节的循环。

如果得到了规定的原料气体流量，在台61上载置晶片W，例如，进行钌膜的成膜处理。然后，调节原料气体的流量C使其一定，并且进行规定时间的成膜处理以获得希望的膜厚。

通过以上实施方式，在向处理容器60内供给使固体原料20气化得到的原料气体时，首先经由旁路46从处理气体供给路43向处理容器60内仅供给载气，取得包括此时的压力基准值P_A与流量基准值Q_A的基准数据D_A，然后，不改变载气的流量，经由原料容器40，与原料气体一起供给至处理容器60内，取得此时的压力作为比较数据P_B，根据该比较数据P_B和基准数据D_A，计算原料气体的流量C。由此，即使不使用质量流量控制器或质量流量计等流量计，也能简便地求得原料气体的流量C。因此，摆脱了使用细管作为配管的上述流量计的设置限制，能够使用大口径配管作为处理气体供给路43。

因而，能够增大处理气体供给路43的传导，将原料容器40内的压力保持为低压状态，促进原料气体的气化。并且，原料气化的促进和处理气体供给路43的传导的增大协同作用，能够提高原料气体的供给量，确保快速成膜速率。

另外，即使在例如成膜的过程中固体原料20的量减少、固体原料20的气化量下降时，或者例如由于固体原料20的气化使得固体原料20的表面积增加、固体原料20的气化量增加时，通过调节固体原料20的温度，也能够迅速将原料气体的流量调节为所希望的量。因此，能够进行精确的流量调节，其结果，在晶片W间获得均匀的膜厚，能够抑制生产率的下降。

在本实施方式中，相对于使蒸气压非常低的固体原料20气化得到的原料气体的流量C，载气的流量A相当多。由此，取得基准数据D_A时与取得比较数据P_B时的排气流量S_A与S_B近乎相等。其结果，如上所述，能够简便地计算原料气体的流量C。另外，由于如上所述直接求得原料气体的流量C(并非如MFC那样由气体温度推算流量)，因而不需要用于修正气体的比热、密度和热传导率等影响的换算。其结果，能够简化计算工序，并能够适用于任何种类的气体。

此外，利用通常的低真空区域用的压力计，难以测定低真空区域下的气体压力的微量变化，但通过使用将高真空区域中使用的高分辨率的压力计的测定范围向正向移动后的压力计47，能够提高低真空区域的压力测定值的精度。因此，即使不使用流量测定器，也能够以高精度取得原料气体的流量C。

由于能够正确计算原料气体的流量C，因而可以得到固体原料20的消耗量(余量)。由此，能够正确掌握固体原料20的补充时期和原料容器40的交换时期等。

此外，尽管本实施方式的气体供给装置11使用大口径的配管作为处理气体供给路43，但本发明并不局限于这种方式。即便在使用能够设置流量计(MFC)等机器的程度的细配管的情况下，由于不设置流量计等，解决了流量计等的上游侧压力增高的缺点。

另外，对于通过台61的加热器61a加热晶片W并进行成膜的方式进行了说明，但是，也可以例如将高频电源等连接在气体喷头69上，通过使原料气体等离子化进行成膜。此时，该高频电源成为上述气体分解单元。

在上述例中，作为固体原料20，使用羰基钌，但并不限定于此，也可以使用例如羰基钨等的能够使固体气化作为原料气体使用的任意化合物。

Claims

1.一种气体供给方法，其用于将原料气体供给至消耗区域，该原料气体通过对原料容器内的固体原料进行加热并使其气化而得到，该气体供给方法的特征在于，包括：

工序(a)，使载气在与消耗区域连通的处理气体供给路内流通，同时测定该处理气体供给路内的气体压力；

工序(b)，对所述原料容器内的固体原料进行加热，产生原料气体；

工序(c)，将与所述工序(a)相同流量的载气供给至所述原料容器内，使所述原料气体与该载气一起在所述处理气体供给路内流通，同时测定该处理气体供给路内的气体压力；和

工序(d)，根据在所述工序(a)中取得的压力测定值、在所述工序(c)中取得的压力测定值和载气流量，计算所述原料气体的流量，

其中，原料气体流量与载气流量的流量比在1/100以下。

2.如权利要求1所述的气体供给方法，其特征在于：

在所述工序(d)后，进行如下工序，

根据在该工序(d)中得到的所述原料气体的流量计算值、和预先设定的所述原料气体的流量设定值，控制所述固体原料的加热温度，调节所述原料气体的流量。

3.如权利要求1或2所述的气体供给方法，其特征在于：

从所述原料容器到所述消耗区域的处理气体供给路的内径为0.75英寸以上。

4.如权利要求1或2所述的气体供给方法，其特征在于：

所述消耗区域是用于在真空气氛下使所述原料气体分解对处理容器内的基板进行成膜处理的处理模块。

5.一种气体供给装置，将原料气体供给至消耗区域，该原料气体通过对原料容器内的固体原料进行加热并使其气化而得到，该气体供给装置的特征在于，具备：

用于贮存固体原料的原料容器；

用于对原料容器内的固体原料进行加热的加热单元；

设置在载气源与所述原料容器之间的载气导入路；

设置在所述原料容器与所述消耗区域之间的处理气体供给路；

设置在所述载气导入路与所述处理气体供给路之间的旁路；

设置在所述处理气体供给路中与所述旁路的连接位置的下游侧的压力测定部；

流路切换单元，用于将所述载气的流路在经由所述旁路从所述载气导入路向所述处理气体供给路流通的流路、和经由所述原料容器从所述载气导入路向所述处理气体供给路流通的流路之间进行切换；和

计算在所述处理气体供给路内流通的所述原料气体的流量的控制部，其中，

所述控制部，

存储基准数据，该基准数据包括在使所述载气经由所述旁路在所述处理气体供给路内流通的状态下，由所述压力测定部取得的压力测定值和此时载气的流量，

然后，不改变该载气的流量，在使载气和原料气体经由所述原料容器在所述处理气体供给路内流通的状态下，由所述压力测定部取得压力测定值，

根据此时的压力测定值和所述基准数据，计算此时的原料气体的流量。

6.如权利要求5所述的气体供给装置，其特征在于：

所述控制部根据所述原料气体的流量的计算值和预先设定的所述原料气体的流量设定值，控制对所述加热单元的供给电力，调节所述原料气体的流量。

7.如权利要求5或6所述的气体供给装置，其特征在于：

所述处理气体供给路的内径为0.75英寸以上。

8.一种半导体制造装置，其特征在于，具备：

权利要求5～7中任一项所述的气体供给装置；和

处理模块，其具有作为所述消耗区域的处理容器，用于在该处理容器内，在真空气氛下使所述原料气体分解，对基板进行成膜处理，

所述控制部在所述处理模块中进行的多个成膜方案的每个中，具备所述基准数据。