JP5100222B2 - 水酸化第4級アンモニウムの製造方法 - Google Patents
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Description
尚、陰イオン交換膜における表面架橋度は、後述する方法で測定することができる。
[R4N+]・X− (1)
式中、Rは、アルキル基、ヒドロキシアルキル基またはアリール基を示し、4個のRは、同一の基であっても互いに異なる基であってもよく、Xは、ハロゲンである、
で表されるものが使用される。上記の基のRのうち、アルキル基及びヒドロキシアルキル基としては、炭素数が4以下のものが好ましく、またハロゲンとしては、塩素、臭素及びフッ素の何れであってもよいが、一般的には塩素である。かかる第4級アンモニウム塩の代表的な例としては、ハロゲン化テトラメチルアンモニウム、ハロゲン化テトラエチルアンモニウム、ハロゲン化テトラエチルアンモニウム、炭酸テトラメチルアンモニウム、炭酸テトラエチルアンモニウム、ギ酸炭酸テトラエチルアンモニウム、ギ酸テトラエチルアンモニウム等が挙げることができる。
[R4N+]・OH− (2)
式中、Rは、上記一般式(1)で示すものと同義である、
で表される水酸化第4級アンモニウムを製造するものであり、例えば水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム等である。
TMA++H2O+e− → TMAH+1/2H2
で表される電極反応が陰極3で発生し、TMAH(水酸化テトラメチルアンモニウム)が得られる。陰極室には水酸化第4級アンモニウムの水溶液を供給するが、該水酸化第4級アンモニウムの濃度を高くすると電流効率の低下を招くため、一般に0.1〜4.5規定に調節するのが好ましい。
2Clー → Cl2+2e−
で示される電極反応により塩素となる。陽極室で使用される酸としては、塩酸、硫酸、リン酸などの無機酸、またはギ酸、酢酸などの有機酸が使用され、濃度は0.05〜3.0規定の範囲、特に電流効率を高く保つために0.1〜1.0規定の酸が好適に使用される。このように陽極室は酸液であるので、一部は下記式:
Cl2+H2O → HCl+HClO
で示されるように酸化力が強い過塩素酸を生成し、酸化に対して弱い陰イオン交換膜Aを酸化劣化させてしまう。
Cl2+H2O → HCl+HClO
で示されるように酸化力の強い過塩素酸を生成し、酸化に対して弱い陰イオン交換膜Aを酸化劣化させてしまうという不都合が生じることとなる。
表面また、
クロルメチルスチレン35重量部、スチレン35重量部、ジビニルベンゼン15重量部、ラジカル重合開始剤としてジ−tert−ブチルパーオキシド5重量部及びマトリックス樹脂として、スチレン−ブタジエン共重合体10重量部を加えてペースト状混合物にした。
図2のように配置した有効膜面積は2dm2の電解装置に組込んだ以外は、実施例1と同様に行った。電解前の陰イオン交換膜は、イオン交換容量が1.3meq/g−乾燥膜、ミューレン式の破裂強度は1.0MPa以上、透水量は0ml/(m2・hr・0.1MPa)であった。
1.0N−ジメチルアミン水溶液に3時間、浸漬した他は、実施例2と同様に行った。表面架橋層の交換容量は、0.008meq/g−乾燥膜であった。電解前の陰イオン交換膜は、イオン交換容量が1.2meq/g−乾燥膜、ミューレン式の破裂強度は1.0MPa以上、透水量は0ml/(m2・hr・0.1MPa)であった。
1.0N−ジメチルアミン水溶液に48時間、浸漬した他は、実施例2と同様に行った。表面架橋層の交換容量は、0.3meq/g−乾燥膜であった。電解前の陰イオン交換膜は、イオン交換容量が1.4meq/g−乾燥膜、ミューレン式の破裂強度は1.0MPa以上、透水量は0ml/(m2・hr・0.1MPa)であった。
実施例2で陰イオン交換膜にジメチルアミンによる片面架橋処理を行わず、他は実施例2と同様に行った。この時、電解前の陰イオン交換膜は、イオン交換容量が1.3meq/g−乾燥膜、ミューレン式の破裂強度は1.0MPa以上、透水量は0ml/(m2・hr・0.1MPa)であった。
1.0N−ジメチルアミンのアセトン溶液に48時間、浸漬した他は、実施例2と同様に行った。表面架橋層の交換容量は、1.1meq/g−乾燥膜であった。電解前の陰イオン交換膜は、イオン交換容量が1.6meq/g−乾燥膜、ミューレン式の破裂強度は1.0MPa以上、透水量は0ml/(m2・hr・0.1MPa)であった。
7:酸室
9:陰極室
11:陽極室
31:基体層
33:高架橋度層
A:陰イオン交換膜
C:陽イオン交換膜
Claims (1)
- 電極間に陰イオン交換膜及び陽イオン交換膜を配して構成された電解槽において、陰イオン交換膜と陽イオン交換膜によって仕切られた室にハロゲン化第4級アンモニウム塩の水溶液を供給して電解を行うことにより、水酸化第4級アンモニウムを製造する方法において、前記陰イオン交換膜として、基材層と該基材層の一方側の表面に形成された表面架橋層とからなる膜を使用し、該陰イオン交換膜を、表面架橋層が陽極側に位置するように配置して電解を行うことを特徴とする水酸化第4級アンモニウムの製造方法であって、
前記陰イオン交換膜の表面架橋層は、交換容量を有した架橋構造をとり、0.005〜0.5meq/g−乾燥膜の交換容量を有し、且つ、該表面架橋層の交換容量が、陰イオン交換膜全体の交換容量に対して0.002〜0.3倍である前記製造方法。
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