JP5095470B2 - 磁気ディスクの製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、コンピュータ等の記録媒体として用いられる磁気ディスクの製造方法に関する。
近年の情報処理の大容量化に伴い、各種の情報記録技術が開発されている。特に磁気記録技術を用いたハードディスクドライブ(HDD)の面記録密度は年率100%程度の割合で増加し続けている。最近では、HDD等に用いられる2.5インチ径磁気ディスクにして、1枚あたり160GBを超える情報記録容量が求められるようになってきており、このような要請にこたえるためには1平方インチあたり250GBitを超える情報記録密度を実現することが求められる。
HDD等に用いられる磁気ディスクにおいて高記録密度を達成するために、近年、垂直磁気記録方式の磁気ディスク(垂直磁気記録ディスク)が提案されている。従来の面内磁気記録方式は磁気記録層の磁化容易軸が基体面の平面方向に配向されていたが、垂直磁気記録方式は磁化容易軸が基体面に対して垂直方向に配向するよう調整されている。垂直磁気記録方式は面内記録方式に比べて磁性粒が微細化するほど反磁界(Hd)が大きくなって保磁力Hcが向上し、熱揺らぎ現象を抑制することができるので、高記録密度化に対して好適である。
また、このような情報記録密度の増加に伴い、円周方向の線記録密度(BPI:Bit Per Inch)、半径方向のトラック記録密度(TPI:Track Per Inch)のいずれも増加の一途を辿っている。さらに、磁気ディスクの磁性層と、磁気ヘッドの記録再生素子との間隙(磁気的スペーシング)を狭くしてシグナルノイズ比(Signal-Noise Ratio:SNR)を向上させる技術も検討されている。近年望まれる磁気ヘッドの浮上量は6nm以下である。
上記のように磁気ヘッドが低浮上量化してきたことに伴い、外部衝撃や飛行の乱れによって磁気ヘッドがディスク表面に接触する可能性が高まっている。このため垂直磁気記録ディスクでは、磁気ヘッドが垂直磁気記録ディスクに衝突した際、磁気記録層の表面が傷つかないように保護する媒体保護層が設けられる。媒体保護層は、カーボンオーバーコート(COC)、即ち、カーボン皮膜によって高硬度な皮膜を形成する。媒体保護層には、カーボンの硬いダイヤモンドライク結合と、柔らかいグラファイト結合とが混在しているものもある(例えば、特許文献1)。
磁気ディスクの記録密度の向上に対応するためには、媒体保護層はできるだけ薄くかつ磁気ヘッドが接触した場合にも磁気記録層の表面に傷がつかない程度の硬度が要求される。
そこで媒体保護層の強度を評価する方法として、尖頭部を有するチップを磁気ディスクの表面に押圧した状態で当該磁気ディスクの面内方向に移動させ、チップの押圧荷重を変化させることにより摩擦痕を生じさせ、生じた摩擦痕の深さと押圧荷重との関係と、予め標準媒体で測定した摩擦痕の深さと押圧荷重との関係とを比較することによって、媒体保護層の表面の強度を測定する技術が開示されている(例えば、特許文献2)。
また、磁気ヘッドの浮上特性を確保し安定した品質の磁気ディスクを供給するために、磁気ディスク表面の凹凸欠陥や塵等の異物粒子を検査し、所定レベル以上の欠陥を有する磁気ディスクを排除する(グライド検査)技術が開示されている(例えば、特許文献3)。
特開平10−11734号公報 特開2000−28506号公報 特開2002−190109号公報
特許文献2に記載された媒体保護層の強度を測定する技術では、マイヤー硬さ、ヤング率、ポアソン比等を測定することが可能であるが、磁気ディスクを停止した状態で測定を行っている。
しかし、媒体保護層の強度が必要とされるときすなわち媒体保護層が最もダメージを受けるときは、磁気ヘッドが墜落し媒体保護層と衝突するときである。この磁気ヘッドの墜落時には磁気ディスクは回転状態にある。
したがって、媒体保護層に必要な強度を測定する際には、磁気ヘッドの墜落時に近い状態で行うことが好ましい。これを達成するためには磁気ディスクを回転させた状態で上述した硬度を測定する技術を遂行する必要がある。
本発明は、媒体保護層の強度を測定する技術が有する上記問題点に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、磁気ディスクを回転させた状態で、媒体保護層の強度を測定することが可能な磁気ディスクの製造方法を提供することである。
上記課題を解決するために、本発明の発明者が鋭意検討したところ、グライド検査において、磁気ディスクの回転速度を徐々に低下させグライドヘッドが墜落(接触)する速度(Touch Down Velocity:TDV、以下単にTDVと称する。)を測定することにより、磁気ヘッドの浮上特性を検査する工程が含まれており、磁気ヘッドの浮上特性を検査する工程を利用して媒体保護層の強度評価を行うことができれば、磁気ディスクを回転させた状態で媒体保護層の強度を測定することが可能となることを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち上記課題を解決するために、本発明の代表的な構成は、基体上に、磁気記録層と、媒体保護層とをこの順に備え、中心に内孔を有する円板状の磁気ディスクの製造方法であって、磁気ディスクを回転させ、当該回転により当該磁気ディスクの上方にグライドヘッドを浮上させるグライドヘッド浮上工程と、磁気ディスクを回転させた状態で、当該回転の速度を徐々に減少させることによりグライドヘッドを磁気ディスクの表面に接触させ、当該接触したときの速度を測定するTDV測定工程と、磁気ディスクを回転させた状態で、TDV測定工程において測定した速度を含む所定の速度間で当該回転の速度を急速に減少させることによりグライドヘッドを磁気ディスクの表面に衝突させる衝突工程と、グライドヘッドが衝突した磁気ディスクの表面に欠陥があるか否かを判定する欠陥判定工程と、を含み、TDV測定工程で回転の速度を減少させる加速度をAm/secとし、衝突工程で回転の速度を減少させる加速度をBm/secとした場合、絶対値がB>Aであることを特徴とする。
TDV測定工程および衝突工程を含む構成により、磁気ディスクの固有の値であるTDVを測定し、測定したTDVを含む所定の速度間で急激に磁気ディスクの回転の速度を減少させることにより、グライドヘッドを磁気ディスクに衝突させることができる。ここでTDVは、凸欠陥の個数、磁気ディスク表面の粗さ等の磁気ディスクの表面状態によって変化する値である。したがって、衝突工程においてTDVを含む所定の速度間を採用することで、どの磁気ディスクにおいても同じ大きさでグライドヘッドを衝突させることができる。
さらに欠陥判定工程を含むことにより、グライドヘッドが衝突した磁気ディスクに欠陥(衝突痕)があるか否かを判定することができる。したがって、衝突工程でグライドヘッドが衝突したことにより欠陥が生じたか否かによって、当該磁気ディスクの媒体保護層の強度が十分であるか否かを判定することが可能となる。
したがって、さらなる媒体保護層の強度を測定する工程を追加せずとも、迅速かつ簡単に磁気ディスクを回転させた状態で媒体保護層の強度を測定することが可能となる。
上記磁気ディスクは、ロードアンロード方式の磁気ディスクであるとよい。
上記グライドヘッドは、磁気ディスクにおいて記録を行わない位置に設置するとよい。これにより、記録を行わない位置でTDV測定工程および衝突工程を行うため、磁気ディスクに与えるダメージを最小限に抑えることが可能となる。
上記記録を行わない位置は、磁気ディスクの回転中心から13mm以下の位置であってもよい。
上記磁気ディスクは、当該磁気ディスクの直径が2.5インチ以下であってもよい。
本発明にかかる磁気ディスクの製造方法は、磁気ディスクを回転させた状態で、媒体保護層の強度を測定することが可能となる。
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。かかる実施形態に示す寸法、材料、その他具体的な数値などは、発明の理解を容易とするための例示にすぎず、特に断る場合を除き、本発明を限定するものではない。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能、構成を有する要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略し、また本発明に直接関係のない要素は図示を省略する。
(実施形態)
本発明にかかる磁気ディスクとしての垂直磁気記録媒体の製造方法の実施形態について説明する。図1は本実施形態にかかる垂直磁気記録媒体100の構成を説明する図である。図1に示す垂直磁気記録媒体100は、基体としてのディスク基体110、付着層112、第1軟磁性層114a、スペーサ層114b、第2軟磁性層114c、前下地層116、第1下地層118a、第2下地層118b、非磁性グラニュラー層120、第1磁気記録層122a、第2磁気記録層122b、連続層124、媒体保護層126、潤滑層128で構成されている。なお第1軟磁性層114a、スペーサ層114b、第2軟磁性層114cは、あわせて軟磁性層114を構成する。第1下地層118aと第2下地層118bはあわせて下地層118を構成する。第1磁気記録層122aと第2磁気記録層122bとはあわせて磁気記録層122を構成する。
(基体製造工程)
ディスク基体110は、アモルファスのアルミノシリケートガラスをダイレクトプレスで円板状に成型したガラスディスクを用いることができる。なおガラスディスクの種類、サイズ、厚さ等は特に制限されない。ガラスディスクの材質としては、例えば、アルミノシリケートガラス、ソーダライムガラス、ソーダアルミノケイ酸ガラス、アルミノボロシリケートガラス、ボロシリケートガラス、石英ガラス、チェーンシリケートガラス、又は、結晶化ガラス等のガラスセラミックなどが挙げられる。このガラスディスクに研削、研磨、化学強化を順次施し、化学強化ガラスディスクからなる平滑な非磁性のディスク基体110を得ることができる。
(成膜工程)
ディスク基体110上に、DCマグネトロンスパッタリング法にて付着層112から連続層124まで順次成膜を行い、媒体保護層126はCVD法により成膜することができる。この後、潤滑層128をディップコート法により形成することができる。
なお、本実施形態において、生産性が高いという点で、インライン型成膜方法を用いることも好ましい。以下、各層の構成および製造方法について説明する。
付着層112は非晶質の下地層であって、ディスク基体110に接して形成され、この上に成膜される軟磁性層114とディスク基体110との剥離強度を高める機能と、この上に成膜される各層の結晶グレインを微細化及び均一化させる機能を備えている。付着層112は、ディスク基体110がアモルファスガラスからなる場合、そのアモルファスガラス表面に対応させる為にアモルファスの合金膜とすることが好ましい。
付着層112としては、例えばCrTi系非晶質層、CoW系非晶質層、CrW系非晶質層、CrTa系非晶質層、CrNb系非晶質層から選択することができる。中でもCoW系合金膜は、微結晶を含むアモルファス金属膜を形成するので特に好ましい。付着層112は単一材料からなる単層でも良いが、複数層を積層して形成してもよい。例えばCrTi層の上にCoW層またはCrW層を形成してもよい。またこれらの付着層112は、二酸化炭素、一酸化炭素、窒素、又は酸素を含む材料によってスパッタを行うか、もしくは表面層をこれらのガスで暴露したものであることが好ましい。
軟磁性層114は、垂直磁気記録方式において記録層に垂直方向に磁束を通過させるために、記録時に一時的に磁路を形成する層である。軟磁性層114は第1軟磁性層114aと第2軟磁性層114cの間に非磁性のスペーサ層114bを介在させることによって、AFC(Antiferro-magnetic exchange coupling:反強磁性交換結合)を備えるように構成することができる。これにより軟磁性層114の磁化方向を高い精度で磁路(磁気回路)に沿って整列させることができ、磁化方向の垂直成分が極めて少なくなるため、軟磁性層114から生じるノイズを低減することができる。第1軟磁性層114a、第2軟磁性層114cの組成としては、CoTaZrなどのコバルト系合金、CoCrFeBなどのCo−Fe系合金、[Ni−Fe/Sn]n多層構造のようなNi−Fe系合金などを用いることができる。
前下地層116は非磁性の合金層であり、軟磁性層114を防護する作用と、この上に成膜される下地層118に含まれる六方細密充填構造(hcp構造)の磁化容易軸をディスク垂直方向に配向させる機能を備える。前下地層116は面心立方構造(fcc構造)の(111)面、または体心立方構造(bcc構造)の(110)面がディスク基体110の主表面と平行となっていることが好ましい。また前下地層116は、これらの結晶構造とアモルファスとが混在した構成としてもよい。前下地層の材質としては、Ni、Cu、Pt、Pd、Zr、Hf、Nb、Taから選択することができる。さらにこれらの金属を主成分とし、Ti、V、Ta、Cr、Mo、Wのいずれか1つ以上の添加元素を含む合金としてもよい。例えばfcc構造としてはNiW、CuW、CuCr、bcc構造としてはTaを好適に選択することができる。
下地層118はhcp構造であって、磁気記録層122のCoのhcp構造の結晶をグラニュラー構造として成長させる作用を有している。したがって、下地層118の結晶配向性が高いほど、すなわち下地層118の結晶の(0001)面がディスク基体110の主表面と平行になっているほど、磁気記録層22の配向性を向上させることができる。下地層の材質としてはRuが代表的であるが、その他に、RuCr、RuCoから選択することができる。Ruはhcp構造をとり、また結晶の格子間隔がCoと近いため、Coを主成分とする磁気記録層を良好に配向させることができる。
下地層118をRuとした場合において、スパッタ時のガス圧を変更することによりRuからなる2層構造とすることができる。具体的には、上層側の第2下地層118bを形成する際に、下層側の第1下地層118aを形成するときよりもArのガス圧を高くする。ガス圧を高くするとスパッタリングされるプラズマイオンの自由移動距離が短くなるため、成膜速度が遅くなり、結晶配向性を改善することができる。また高圧にすることにより、結晶格子の大きさが小さくなる。Ruの結晶格子の大きさはCoの結晶格子よりも大きいため、Ruの結晶格子を小さくすればCoのそれに近づき、Coのグラニュラー層の結晶配向性をさらに向上させることができる。
非磁性グラニュラー層120は非磁性のグラニュラー層である。下地層118のhcp結晶構造の上に非磁性のグラニュラー層を形成し、この上に第1磁気記録層122aのグラニュラー層を成長させることにより、磁性のグラニュラー層を初期成長の段階(立ち上がり)から分離させる作用を有している。非磁性グラニュラー層120の組成は、Co系合金からなる非磁性の結晶粒子の間に、非磁性物質を偏析させて粒界を形成することにより、グラニュラー構造とすることができる。特にCoCr−SiO、CoCrRu−SiOを好適に用いることができ、さらにRuに代えてRh(ロジウム)、Pd(パラジウム)、Ag(銀)、Os(オスミウム)、Ir(イリジウム)、Au(金)も利用することができる。また非磁性物質とは、磁性粒(磁性グレイン)間の交換相互作用が抑制、または、遮断されるように、磁性粒の周囲に粒界部を形成しうる物質であって、コバルト(Co)と固溶しない非磁性物質であればよい。例えば酸化珪素(SiOx)、クロム(Cr)、酸化クロム(CrO)、酸化チタン(TiO)、酸化ジルコン(ZrO)、酸化タンタル(Ta)を例示できる。
磁気記録層122は、Co系合金、Fe系合金、Ni系合金から選択される硬磁性体の磁性粒の周囲に非磁性物質を偏析させて粒界を形成した柱状のグラニュラー構造を有した強磁性層である。この磁性粒は、非磁性グラニュラー層120を設けることにより、そのグラニュラー構造から継続してエピタキシャル成長することができる。本実施形態では組成および膜厚の異なる第1磁気記録層122aと、第2磁気記録層122bとから構成されている。第1磁気記録層122aと第2磁気記録層122bは、いずれも非磁性物質としてはSiO、Cr、TiO、B、Fe等の酸化物や、BN等の窒化物、B等の炭化物を好適に用いることができる。
連続層124はグラニュラー構造を有する磁気記録層122の上に、面内方向に磁気的に連続した層(連続層とも呼ばれる)である。連続層124は必ずしも必要ではないが、これを設けることにより磁気記録層122の高密度記録性と低ノイズ性に加えて、逆磁区核形成磁界Hnの向上、耐熱揺らぎ特性の改善、オーバーライト特性の改善を図ることができる。
なお連続層124として、単一の層ではなく、高い垂直磁気異方性かつ高い飽和磁化MSを示す薄膜(連続層)を形成するCGC構造(Coupled Granular Continuous)としてもよい。なおCGC構造は、グラニュラー構造を有する磁気記録層と、PdやPtなどの非磁性物質からなる薄膜のカップリング制御層と、CoBとPdとの薄膜を積層した交互積層膜からなる交換エネルギー制御層とから構成することができる。
媒体保護層126は、真空を保ったままカーボンをCVD法により成膜して形成することができる。媒体保護層126は、磁気ヘッドの衝撃から垂直磁気記録層を防護するための保護層である。一般にCVD法によって成膜されたカーボンはスパッタ法によって成膜したものと比べて膜硬度が向上するので、磁気ヘッドからの衝撃に対してより有効に磁気記録層122を防護することができる。
潤滑層128は、PFPE(パーフロロポリエーテル)をディップコート法により成膜することができる。PFPEは長い鎖状の分子構造を有し、媒体保護層126表面のN原子と高い親和性をもって結合する。この潤滑層128の作用により、垂直磁気記録媒体100の表面に磁気ヘッドが接触しても、媒体保護層126の損傷や欠損を防止することができる。
(検査工程)
図2は、本実施形態にかかる磁気ディスクとしての垂直磁気記録媒体100の製造方法の流れを説明するためのフローチャートである。
まず垂直磁気記録媒体100を回転させ、回転により垂直磁気記録媒体100の上方にグライドヘッドを浮上させる(S150:グライドヘッド浮上工程)。
図3は、垂直磁気記録媒体の回転によるグライドヘッドの浮上を説明するための説明図であり、図3(a)は外観図を、図3(b)はグライドヘッド140の浮上部分を拡大した拡大図である。
図3(b)に示すように、グライドヘッド140は、圧電素子(ピエゾ素子)142と、スライダ144を含んで構成され、スライダ144には垂直磁気記録媒体100の回転により生じる回転方向Aに流れる空気流が流入する側に面した空気流入端に、正圧を生じさせるためのテーパ部144aが形成されている。
垂直磁気記録媒体100が矢印A方向に回転すると、空気がその粘性によって垂直磁気記録媒体100の表層に追従するため、スライダ144に相対的に空気流が発生する。空気流はテーパ部144aに衝突してスライダ144の下部にもぐり込むが、この際に正圧を生じてスライダ144を浮上させる。
ABS(Air bearing surface)面144bでは、公知の種々の凹凸を形成することで正圧または負圧を発生させることが出来る。本発明には必須の構成ではないので、ここではその説明は割愛する。
次に、垂直磁気記録媒体100を回転させた状態で、回転の速度を段階的に減少させることによりグライドヘッド140を垂直磁気記録媒体100の表面に接触させ、接触したときの速度(TDV)を測定する(S152:TDV測定工程)。
TDV測定工程S152において、グライドヘッド140は、垂直磁気記録媒体100において記録を行わない位置(本実施形態においては垂直磁気記録媒体100の回転中心から13mm以下の位置)に設置する。これにより、記録を行わない位置でTDV測定工程S152および後述する衝突工程を行うため、垂直磁気記録媒体100に与えるダメージを最小限に抑えることが可能となる。
さらに垂直磁気記録媒体100を回転させた状態で、TDV測定工程S152において測定したTDVを含む所定の速度間で回転の速度を急激に減少させることによりグライドヘッド140を垂直磁気記録媒体100の表面に衝突させる(S154:衝突工程)。TDVは垂直磁気記録媒体100の固有値であるため、衝突工程S154においてTDVを含む所定の速度間を採用することで、どの垂直磁気記録媒体100においても同じ大きさでグライドヘッド140を衝突させることができる。
また、TDV測定工程S152で回転の速度を減少させる速度をAm/secとし、衝突工程S154で回転の速度を減少させる速度をBm/secとした場合、絶対値はB<Aである。これにより、TDV測定工程S152においては、衝突痕をつけることなくグライドヘッド140の墜落速度(TDV)を測定することが可能となり、衝突工程S154においてはTDVを含む所定の速度間で回転速度を急激に減少させることにより媒体保護層126の強度が十分でなければ衝突痕をつけることができる。
衝突工程S154においてグライドヘッド140が衝突した垂直磁気記録媒体100の表面に光を照射し垂直磁気記録媒体100から反射した光の強度もしくは変位のいずれか一方または両方を測定する(S156:基板状態測定工程)。基板状態測定工程S156における測定は、OSA(Optical Surface Analyzer)や表面欠陥検出装置(AOI:Automatic Optical Inspection)等の機器を好適に用いることができる。
基板状態測定工程S156において測定した光の強度もしくは変位のいずれか一方または両方に基づいて衝突工程S154によって生じた欠陥(衝突痕)があるか否かを判定する(S158:欠陥判定工程)。欠陥判定工程S158においては、所定値を設け所定値を超える欠陥があるか否かで、欠陥の有無を判定する。さらに欠陥判定工程S158の結果に基づいて100の媒体保護層126の強度が十分であるか否かを判定する。具体的には、欠陥判定工程S158の結果、衝突工程S154によって生じた欠陥(衝突痕)がないと判定された場合、媒体保護層126の強度は十分であると判定し(S160:強度十分判定工程)、衝突工程S154によって生じた欠陥(衝突痕)があると判定された場合媒体保護層126の強度は十分でないと判定する(S162:強度不十分判定工程)。
以上の製造工程により、十分な強度を有する媒体保護層126を備えた垂直磁気記録媒体100を得ることができる。以下に、実施例と比較例を用いて本発明の有効性について説明する。
(実施例と評価)
本実施例において、外径65mm、内径20mm、ディスク厚0.635mmのディスク基体110上に、真空引きを行った成膜装置を用いて、DCマグネトロンスパッタリング法にてAr雰囲気中で、付着層112から連続層124まで順次成膜を行った。付着層112は、CrTiとした。軟磁性層114は、第1軟磁性層114a、第2軟磁性層114cの組成はCoCrFeBとし、スペーサ層114bの組成はRuとした。前下地層116の組成はfcc構造のNiW合金とした。下地層118は、第1下地層118aは高圧Ar下でRuを成膜し、第2下地層118bは低圧Ar下でRuを成膜した。非磁性グラニュラー層120の組成は非磁性のCoCr−SiOとした。磁気記録層122は下記の実施例および比較例の構成で形成した。連続層124の組成はCoCrPtBとした。媒体保護層126はCVD法によりCおよびCNを用いて成膜し、潤滑層128はディップコート法によりPFPEを用いて形成した。
本実施例では、媒体保護層126の膜厚を35Å、40Å、50Åの3種類の垂直磁気記録媒体100を形成した。
(TDV測定工程)
図4は、垂直磁気記録媒体100のTDVを測定した結果を説明するための説明図であり、例として媒体保護層126の膜厚が50Åの垂直磁気記録媒体100(以下50Åの垂直磁気記録媒体100と称する。)を測定した結果を示す。図4では縦軸にグライドヘッド140に搭載されている圧電素子142の検出電圧を、横軸に垂直磁気記録媒体100の回転の速度を示し、縦軸の圧電素子142の検出電圧が検出限界値である5000mVとなるとグライドヘッド140が垂直磁気記録媒体100の表面に接触したことを示す。本実施例におけるTDV測定には、日立電子エンジニアリング株式会社製の磁気ディスクテストシステムRQ7800を用いた。
まず、垂直磁気記録媒体100上に、グライドヘッド140をロードさせた後に、垂直磁気記録媒体100の回転の速度(周速)を12.0m/secから4.0m/secまで0.1m/sec刻みで減少させた。
図4に示すように、50Åの垂直磁気記録媒体100では、回転速度6.5m/secのときに検出電圧が5000mVとなっているため、6.5m/secにおいてグライドヘッド140が50Åの垂直磁気記録媒体100の表面に接触(墜落)したことを示している。したがってグライドヘッド140が垂直磁気記録媒体100の表面に接触(墜落)する速度すなわち6.5m/secが50Åの垂直磁気記録媒体100のTDVとなる。
同様に40Åの垂直磁気記録媒体100および35Åの垂直磁気記録媒体100のTDVを測定した結果、それぞれ6.2m/sec、6.6m/secとなった。
(衝突工程)
次に、再度垂直磁気記録媒体100上に、グライドヘッド140としてのグライドヘッドをロードさせた後に、得られたTDVを含む所定の速度間としてTDV±0.5m/secの幅で垂直磁気記録媒体100の回転の速度(周速)を1m/secで減少させた。
図5は、本実施例にかかる衝突工程の結果を説明するための説明図であり、例として媒体保護層126の膜厚が50Åの垂直磁気記録媒体100(以下50Åの垂直磁気記録媒体100と称する。)を測定した結果を示す。
50Åの垂直磁気記録媒体100のTDVは6.5m/secであるため、回転速度7.0m/secから6.0m/secまでを1m/secで減少させた(図5(a)参照)。このように垂直磁気記録媒体100の回転速度を急激に減少させることにより垂直磁気記録媒体100の表面にグライドヘッド140を衝突させた。同様に40Åの垂直磁気記録媒体100では、回転速度6.7m/secから5.7m/secまでを、35Åの垂直磁気記録媒体100では、回転速度7.1m/secから6.1m/secまでを1m/secで減少させ、垂直磁気記録媒体100の表面にグライドヘッド140を衝突させた(図5(b)参照)。
(基板状態測定工程、欠陥判定工程および強度判定工程)
次に、グライドヘッド140を衝突させた3種類の垂直磁気記録媒体100(35Å、40Å、50Å)の表面をKLA−Tencor社製のディスク光学検査システムOSA6100を用いて検査した。その結果、35Åの垂直磁気記録媒体100および40Åの垂直磁気記録媒体100において20から30μmの衝突痕が検出された。
さらに3種類の垂直磁気記録媒体100(35Å、40Å、50Å)をロードアンロード(Load UnLoad:LUL)方式HDDに搭載し、浮上量が10nmの磁気ヘッドを用いてLUL耐久性試験を行った。HDDの通常の使用状況では、10年程度でLUL回数は40万回程度であるため、本実施例のLUL耐久性試験においての40万回以上を信頼性の基準とした。
LUL耐久性試験の結果、50Åの垂直磁気記録媒体100ではLUL回数が50万回を超えたのに対し、35Åの垂直磁気記録媒体100および40Åの垂直磁気記録媒体100では40万回を超えることはできなかった。
以上のことから、グライドヘッドの衝突によって衝突痕が検出された垂直磁気記録媒体100を構成する媒体保護層126は、十分な強度および信頼性を確保することができないことがわかった。
上述した如く、垂直磁気記録媒体100に所定の強さでグライドヘッド140を衝突させ、衝突痕ができたか否かを判定することにより、垂直磁気記録媒体100を構成する媒体保護層126の強度を評価することができる。
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
例えば、上記実施形態および実施例においては、磁気ディスクとして垂直磁気記録媒体100を用いているが、面内磁気ディスクを用いてもよい。
また上記実施形態および実施例ではグライドヘッド140を用いているが、磁気ヘッドを用いてもよい。
なお、本明細書の磁気ディスクの製造方法における各工程は、必ずしもフローチャートとして記載された順序に沿って時系列に処理する必要はなく、並列的な処理を含んでもよい。
本発明は、HDDなどに搭載される磁気ディスクの製造方法として利用することができる。
垂直磁気記録媒体の構成を説明する図である。 本実施形態にかかる磁気ディスクとしての垂直磁気記録媒体の製造方法の流れを説明するためのフローチャートである。 垂直磁気記録媒体の回転による磁気ヘッドの浮上を説明するための説明図である。 垂直磁気記録媒体のTDVを測定した結果を説明するための説明図である。 実施例にかかる衝突工程の結果を説明するための説明図である。
符号の説明
100 …垂直磁気記録媒体
110 …ディスク基体
112 …付着層
114 …軟磁性層
114a …第1軟磁性層
114b …スペーサ層
114c …第2軟磁性層
116 …前下地層
118 …下地層
118a …第1下地層
118b …第2下地層
120 …非磁性グラニュラー層
122 …磁気記録層
122a …第1磁気記録層
122b …第2磁気記録層
124 …連続層
126 …媒体保護層
128 …潤滑層
140 …グライドヘッド
142 …圧電素子
144 …スライダ
144a …テーパ部
144b …ABS面

Claims (5)

  1. 基体上に、磁気記録層と、媒体保護層とをこの順に備え、中心に内孔を有する円板状の磁気ディスクの製造方法であって、
    前記磁気ディスクを回転させ、該回転により該磁気ディスクの上方にグライドヘッドを浮上させるグライドヘッド浮上工程と、
    前記磁気ディスクを回転させた状態で、該回転の速度を徐々に減少させることにより前記グライドヘッドを前記磁気ディスクの表面に接触させ、該接触したときの速度を測定するTDV測定工程と、
    前記磁気ディスクを回転させた状態で、前記TDV測定工程において測定した速度を含む所定の速度間で該回転の速度を急速に減少させることにより前記グライドヘッドを前記磁気ディスクの表面に衝突させる衝突工程と、
    前記グライドヘッドが衝突した前記磁気ディスクの表面に欠陥があるか否かを判定する欠陥判定工程と、
    を含み、
    前記TDV測定工程で前記回転の速度を減少させる加速度をAm/secとし、前記衝突工程で前記回転の速度を減少させる加速度をBm/secとした場合、絶対値がB>Aであることを特徴とする磁気ディスクの製造方法。
  2. 前記磁気ディスクは、ロードアンロード方式の磁気ディスクであることを特徴とする請求項1に記載の磁気ディスクの製造方法。
  3. 前記グライドヘッドは、前記磁気ディスクにおいて記録を行わない位置に設置することを特徴とする請求項1または2に記載の磁気ディスクの製造方法。
  4. 前記記録を行わない位置は、前記磁気ディスクの回転中心から13mm以下の位置であることを特徴とする請求項3に記載の磁気ディスクの製造方法。
  5. 前記磁気ディスクは、該磁気ディスクの直径が2.5インチ以下であることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の磁気ディスクの製造方法。
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