JP5080619B2 - 有機発光表示装置及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、有機発光表示装置及びその製造方法に関し、より詳しくは、耐久性を向上させ、不良の発生を抑制した有機発光表示装置及びその製造方法に関する。

有機発光表示装置（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ ｄｉｓｐｌａｙ）は自発光特性を有し、液晶表示装置（ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｄｉｓｐｌａｙａｙ）とは異なって別途の光源を要しないので、厚さと重量を減らすことができる。また、有機発光表示装置は、低い消費電力、高い輝度、及び高い反応速度などの高品位特性を示すので、携帯用電子機器の次世代表示装置として注目されている。

一般に、有機発光表示装置は、有機発光素子（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ）を有する表示基板、表示基板と対向配置されて表示基板の有機発光素子を保護する封止基板、及び表示基板と封止基板とを互いに合着して密封するシーラント（ｓｅａｌａｎｔ）を含む。この時、表示基板と封止基板との間には空の空間が存在するため、有機発光表示装置の機構強度が脆弱になるという問題点があった。

このような問題点を解決するために、表示基板と封止基板との間の空間を真空合着方式を利用して充填材で埋めることによって、外部の衝撃に対する耐久性を向上させる方法が用いられている。

しかし、表示基板と封止基板との間を充填材で埋める場合、充填材は表示基板と封止基板との周縁に沿って形成されたシーラントと接触するようになる。この過程で、充填材はシーラントの硬化過程に否定的な影響を与えてシーラントが不良となる。これにより、シーラントが表示基板と密封基板とを安定的に合着して密封できなくなるという問題点がある。

本発明は上記した問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、耐久性を向上させ、不良の発生を抑制した有機発光表示装置を提供することにある。

また、上記有機発光表示装置の製造方法を提供することにある。

本発明の実施形態による有機発光表示装置は、有機発光素子と前記有機発光素子の発光領域を定義する開口部を有する画素定義膜とを含む表示基板と、前記表示基板と対向配置された封止基板と、前記表示基板と前記封止基板との間で周縁に沿って配置され、前記表示基板と前記封止基板とを互いに合着して密封させるシーラントと、前記表示基板と前記封止基板との間の空間を埋める充填材とを含み、前記画素定義膜は種々の段階の高さを有し、前記画素定義膜は前記表示基板の周縁で前記シーラントと隣接する部分が相対的に最も高い高さを有する。

前記画素定義膜の相対的に最も低い高さを有する部分の一領域にドロップポイント（ｄｒｏｐｐｏｉｎｔ）が位置し、前記充填材は前記ドロップポイントに滴下されて前記表示基板の周縁に拡散することが好ましい。

前記画素定義膜は、前記ドロップポイントが形成された最小厚さ部と、前記表示基板の周縁に形成された最大厚さ部とを含み、前記最小厚さ部から前記最大厚さ部に向かって次第に高さが高くなることが好ましい。

前記画素定義膜の断面は階段構造に形成されることができる。

前記画素定義膜の断面は傾斜構造に形成されることができる。

前記表示基板及び前記封止基板のうちの一つ以上の基板上に形成され、前記表示基板と前記封止基板との間の間隔を保持する複数のスペーサ（ｓｐａｃｅｒ）をさらに含むことができる。

前記複数のスペーサは、形成された位置によってそれぞれ互いに異なる長さを有することができる。

前記有機発光表示装置において、前記ドロップポイントは２つ以上配置されることができる。

前記ドロップポイントは、前記表示基板の長辺と平行な方向に配列されることができる。

また、本発明の実施形態による有機発光表示装置の製造方法は、種々の段階の高さを有し、相対的に最も低い高さを有する部分の一領域にドロップポイントが位置し、周縁で最も高い高さを有する画素定義膜を含む表示基板を形成する段階と、シーラントを前記表示基板及び前記封止基板のうちの一つ以上の基板上に周縁に沿って形成する段階と、充填材を前記ドロップポイントに最初に滴下した後、前記表示基板の周縁に拡散させる段階と、前記シーラント及び前記充填材を介在して前記表示基板と前記封止基板とを互いに合着させる段階とを含む。

前記表示基板は有機発光素子をさらに含み、前記画素定義膜は前記有機発光素子の発光領域を定義する開口部を有することができる。

前記画素定義膜は、前記ドロップポイントが形成された最小厚さ部と、前記表示基板の周縁に形成された最大厚さ部とを含み、前記シーラントは前記画素定義膜の最大厚さ部と隣接するように配置されることができる。

前記最小厚さ部から前記最大厚さ部に向かって次第に高さが高くなることができる。

前記画素定義膜の断面は階段構造に形成されることができる。

前記画素定義膜の断面は傾斜構造に形成されることができる。

前記表示基板及び前記封止基板のうちの一つ以上の基板上に複数のスペーサを形成する段階をさらに含むことができる。

前記複数のスペーサは、形成された位置によってそれぞれ互いに異なる長さを有することができる。

前記表示基板と前記封止基板とが互いに合着された状態で前記シーラントを硬化する段階をさらに含むことができる。

前記有機発光表示装置の製造方法において、前記ドロップポイントは２つ以上配置されることができる。

前記ドロップポイントは、前記表示基板の長辺と平行な方向に配列されることができる。

本発明によれば、有機発光表示装置は、衝撃に対する耐久性が向上し、密封状態の不良発生を抑制することができる。

本発明の第１実施形態による有機発光表示装置の断面図である。 図１の有機発光表示装置をシーラントと画素定義膜を中心として示す平面図である。 図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面を示す部分斜視図である。 図１の有機発光表示装置の製造工程の一部を示す断面図である。 図１の有機発光表示装置の内部構造を拡大図示した配置図である。 図５のＶＩ−ＶＩ線に沿った断面図である。 本発明の第２実施形態による有機発光表示装置の平面図である。 本発明の第３実施形態による有機発光表示装置の断面図である。

添付した図面を参照しながら、本発明の種々の実施形態による本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。本発明は種々の相異な形態で実現でき、ここで説明する実施形態に限られない。

また、種々の実施形態において、同一の構成を有する構成要素については同一の符号を付け、代表的に第１実施形態で説明し、その他の実施形態では第１実施形態とは異なる構成についてのみ説明する。

本発明を明確に説明するために説明と関係のない部分は省略し、明細書の全体にわたって同一または類似する構成要素については同一の参照符号を付けた。

また、図面に示した各構成の大きさ及び厚さは、説明の便宜のために任意で表したので、本発明が必ずしも図示されたものに限定されることではない。

図面において、種々の層及び領域を明確に表すために厚さを拡大して示した。説明の便宜上、一部の層及び領域の厚さを誇張して表示した。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の「上」にあるとするとき、これは他の部分の「すぐ上」にある場合だけでなく、その中間にまた他の部分がある場合も含む。

また、添付図面においては、１つの画素に、２つの薄膜トランジスタ（ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＴＦＴ）と１つの蓄電素子（ｃａｐａｃｉｔｏｒ）とを備えた２Ｔｒ−１Ｃａｐ構造の能動駆動（ａｃｔｉｖｅ ｍａｔｒｉｘ、ＡＭ）型有機発光表示装置を示しているが、本発明がこれに限定されることではない。したがって、有機発光表示装置は、１つの画素に、３つ以上の薄膜トランジスタと２つ以上の蓄電素子とを備えることができ、別途の配線がさらに形成されて多様な構造を有するように形成することもできる。ここで、画素は画像を表示する最小単位をいい、有機発光表示装置は複数の画素によって画像を表示する。

以下、図１乃至図３を参照して、本発明の第１実施形態について説明する。

図１に示したように、本発明の第１実施形態による有機発光表示装置１０１は、表示基板１１０、封止基板２１０、シーラント３５０、及び充填材３００を含む。

表示基板１１０は、第１基板本体１１１、第１基板の本体１１１上に形成された駆動回路部ＤＣ、有機発光素子７０、及び画素定義膜１９０を含む。

第１基板本体１１１は、ガラス、石英、セラミック、及びプラスチックなどからなる絶縁性基板で形成できる。しかし、本発明の第１実施形態はこれに限定されず、第１基板本体１１１がステンレス鋼などからなる金属性基板で形成されることも可能である。

駆動回路部ＤＣは、薄膜トランジスタ１０、２０（図５に図示）を含み、有機発光素子７０を駆動する。有機発光素子７０は、駆動回路部ＤＣから伝達された駆動信号により光を放出して画像を表示する。

有機発光素子７０及び駆動回路部ＤＣの具体的な構造は図５及び図６に示されているが、本発明の実施形態が図５及び図６に示された構造に限定されることではない。有機発光素子７０及び駆動回路部ＤＣは、当該技術分野の専門家が容易に変形して実施できる範囲内で多様な構造に形成できる。

図１及び図３に示したように、画素定義膜１９０は有機発光素子７０の発光領域を定義する複数の開口部１９５を有する。また、画素定義膜１９０は種々の段階の高さを有する。画素定義膜１９０の相対的に最も高い高さを有する部分は表示基板１１０の周縁に配置され、画素定義膜１９０の相対的に最も低い高さを有する部分は表示基板１１０の中央に配置される。図２に示したように、画素定義膜１９０で相対的に最も低い高さを有する部分の一領域にはドロップポイントＤＰが位置する。つまり、画素定義膜１９０は、ドロップポイントＤＰが位置する最小厚さ部１９１、表示基板１１０の周縁に形成された最大厚さ部１９３、及び最小厚さ部１９１と最大厚さ部１９３との中間高さを有する中間厚さ部１９２を含む。ここで、中間厚さ部１９２は、再び種々の段階の厚さを有することができる。このように、本発明の第１実施形態において、画素定義膜１９０は最小厚さ部１９１から最大厚さ部１９２に向かって次第に高さが高くなり、断面が階段構造に形成される。また、本発明の第１実施形態において、画素定義膜１９０の最小厚さ部１９１が表示基板１１０の中央に形成されるので、ドロップポイントＤＰも表示基板１１０の中央に位置する。

また、画素定義膜１９０は、ポリアクリル系樹脂（ｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔｅｓ ｒｅｓｉｎ）及びポリイミド系（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅｓ）などの樹脂またはシリカ系の無機物で作ることができる。

再び図１及び図２を参照して説明すると、封止基板２１０は、表示基板１１０に対向配置され、表示基板１１０の有機発光素子７０及び駆動回路部ＤＣをカバーする。封止基板２１０は、ガラス及びプラスチックなどのような透明な物質で形成された第２基板本体２１１を含む。

シーラント３５０は、表示基板１１０と封止基板２１０との周縁に沿って配置され、表示基板１１０と封止基板２１０とを互いに合着して密封させる。この時、シーラント３５０は、画素定義膜１９０の最大厚さ部１９３と隣接するように配置される。

充填材３００は、表示基板１１０と封止基板２１０との間に配置され、表示基板１１０と封止基板２１０との間の離隔した空間を埋める。また、充填材３００は樹脂（ｒｅｓｉｎ）物質、液晶物質、及びその他の公知された多様な物質で作ることができる。

充填材３００は、表示基板１１０と封止基板２１０との間の空の空間を埋めることによって、有機発光表示装置１０１の機構強度を向上させる。つまり、有機発光表示装置１０１の内部が充填材３００で埋められ、外部の衝撃に対する耐久性が向上する。

また、充填材３００は、画素定義膜１９０の最小厚さ部１９１上に位置したドロップポイントＤＰに滴下され、表示基板１１０の周縁に拡散する。画素定義膜１９０の厚さはドロップポイントＤＰが位置した所で最も低く、表示基板１１０の周縁、特にシーラント３５０と隣接した部分で最も高い。したがって、ドロップポイントＤＰに滴下され始める充填材３５０は、画素定義膜１９０によって拡散及び流れが制御される。つまり、画素定義膜１９０は、ドロップポイントＤＰに滴下され始める充填材３００がシーラント３５０と過度に速く接触することにより、シーラント３５０の硬化過程に否定的な影響を与えることを抑制する。

また、有機発光表示装置１０１は、表示基板１１０と封止基板２１０のうちの一つ以上の基板上に形成され、表示基板１１０と封止基板２１０との間の間隔を保持する複数のスペーサ（ｓｐａｓｅｒ）２５０をさらに含む。

本発明の第１実施形態による有機発光表示装置１０１において、スペーサ２５０は表示基板１１０と封止基板２１０との接触だけを防止できれば十分である。また、スペーサ２５０の高さは表示基板１１０と封止基板２１０との間の全領域にわたって必ずしも均一に形成される必要はない。

このような、スペーサ２５０は、表示基板１１０と封止基板２１０とが互いに接触して、表示基板１１０の有機発光素子７０などが損傷したり不良が発生したりすることを防止する役割を果たす。

また、複数のスペーサ２５０は、形成される位置により画素定義膜１９０の厚さを考慮して互いに異なる長さを有することができる。ここで、スペーサ２５０の長さは表示基板１１０の板面に対して垂直方向の長さ、つまり、高さをいう。

また、複数のスペーサ２５０は、画素定義膜１９０と共に充填材３００の拡散及び流れを制御することも可能である。この時には、充填材３００の拡散及び流れを制御するために、スペーサ２５０の幅、高さ、形状、及び稠密さなどを適切に調節することができる。

このような構成によって、有機発光表示装置１０１は衝撃に対する耐久性が向上し、密封状態の不良発生を抑制することができる。

以下、図２及び図４を参照して、本発明の第１実施形態による有機発光表示装置１０１の製造方法について説明する。

まず、種々の段階の高さを有し、相対的に最も低い高さを有する部分の一領域にドロップポイントＤＰが位置し、周縁で最も高い高さを有する画素定義膜１９０を含む表示基板１１０を形成する。つまり、画素定義膜１９０は、ドロップポイントＤＰが位置する最小厚さ部１９１、周縁に形成された最大厚さ部１９３、及び最小厚さ部１９１と最大厚さ部１９３との間に位置する中間厚さ部１９２を含む。また、本発明の第１実施形態において、画素定義膜１９０の最小厚さ部１９１とドロップポイントＤＰとは表示基板１１０の中央に位置する。

このように、画素定義膜１９０の断面は階段構造を有し、ドロップポイントＤＰが位置する最小厚さ部１９１から周縁に形成された最大厚さ部１９３に向かって次第に高さが高くなるように形成される。

また、表示基板１１０は有機発光素子７０をさらに含み、画素定義膜１９０は有機発光素子７０の発光領域を定義する複数の開口部１９５を有する。

次に、表示基板１１０の画素定義膜１９０上に複数のスペーサ２５０を形成する。しかし、本発明の第１実施形態はこれに限定されず、スペーサ２５０は表示基板１１０と対向配置される封止基板２１０の一面上に形成されることも可能である。

また、スペーサ２５０は画素定義膜１９０と一体に形成できる。つまり、画素定義膜１９０を形成する時、ハーフトーン露光工程によって露光量を調節して画素定義膜１９０及びスペーサ１９５を共に形成することができる。この時、画素定義膜１９０とスペーサ２５０は、ポリアクリル系樹脂及びポリイミド系などの樹脂、またはシリカ系の無機物などで作ることができる。

次に、シーラント３５０を表示基板１１０の周縁に沿って表示基板１１０上に形成する。この時、シーラント３５０は画素定義膜１９０の最大厚さ部１９３と隣接するように配置される。ここで、シーラント３５０は必ずしも表示基板１１０上に形成されなければならないことではない。したがって、シーラント３５０は封止基板２１０上に形成されることもある。ただし、シーラント３５０が封止基板２１０に形成される場合には、表示基板１１０と封止基板２１０とが合着された時、シーラント３５０が画素定義膜１９０の最大厚さ部１９３と隣接できる位置に形成されなければならない。

次に、充填材３００を、画素定義膜１９０の最小厚さ部１９１上に位置するドロップポイントＤＰに最初に滴下した後、表示基板１１０の周縁に拡散させる。この時、種々の段階の厚さを有する画素定義膜１９０は、ドロップポイントＤＰに最初に滴下した充填材３００の拡散及び流れを制御する。つまり、画素定義膜１９０は、充填材３００がシーラント３５０と接触することを最大限遅延させる。

このように、画素定義膜１９０は、充填材３００が過度に速くシーラント３５０と接触することを抑制して、充填材３００がシーラント３５０の硬化過程に否定的な影響を与えることを最小化する。

次に、シーラント３５０及び充填材３００を介在して表示基板１１０と封止基板２１０とを真空合着方式によって互いに合着させる。そして、シーラント３５０を硬化して表示基板１１０と封止基板２１０との間を完全に密封する。

このような製造方法により、有機発光表示装置１０１は衝撃に対する耐久性が向上し、密封状態の不良発生を抑制することができる。

以下、図５及び図６を参照して、有機発光表示装置１０１の内部構造について詳細に説明する。図５は、表示基板１１０を中心に画素の構造を示す配置図であり、図６は、図５のＶＩ−ＶＩ線に沿った表示基板１１０と封止基板２１０とを共に示す断面図である。

図５及び図６に示したように、表示基板１１０は、１つの画素ごとにそれぞれ形成されたスイッチング薄膜トランジスタ１０、駆動薄膜トランジスタ２０、蓄電素子８０、及び有機発光素子（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ、ＯＬＥＤ）７０を含む。ここで、スイッチング薄膜トランジスタ１０、駆動薄膜トランジスタ２０、及び蓄電素子８０を含む構成を駆動回路部ＤＣという。表示基板１１０は、一方向に沿って配置されるゲートライン１５１、ゲートライン１５１と絶縁交差するデータライン１７１、及び共通電源ライン１７２をさらに含む。ここで、１つの画素は、ゲートライン１５１、データライン１７１、及び共通電源ライン１７２を境界として定義されるが、必ずしもこれらに限定されることではない。

有機発光素子７０は、画素電極７１０、画素電極７１０上に形成された有機発光層７２０、有機発光層７２０上に形成された共通電極７３０を含む。ここで、画素電極７１０は正孔注入電極の正（＋）極であり、共通電極７３０は電子注入電極の負（−）極となる。しかし、本発明の第１実施形態が必ずしもこれらに限定されることではなく、有機発光表示装置１０１の駆動方法により、画素電極７１０が負極となり、共通電極７３０が正極となることも可能である。画素電極７１０及び共通電極７３０からそれぞれ正孔と電子が有機発光層７２０の内部に注入される。注入された正孔と電子とが結合したエクシトン（ｅｘｉｔｏｎ）が励起状態から基底状態に落ちる際に発光が行われる。

また、本発明の第１実施形態による有機発光表示装置１０１において、有機発光素子７０は封止基板２１０の方向に光を放出する。つまり、有機発光素子７０は前面発光型である。ここで、有機発光素子７０が封止基板２１０の方向に光を放出するために、画素電極７１０としては反射型電極が用いられ、共通電極７３０としては透過型または半透過型電極が用いられる。しかし、本発明の第１実施形態において、有機発光表示装置１０１は前面発光型に限定されない。したがって、有機発光表示装置１０１は後面発光型または両面発光型であっても良い。

蓄電素子８０は、層間絶縁膜１６０を介在して配置された一対の蓄電板１５８、１７８を含む。ここで、層間絶縁膜１６０は誘電体になる。蓄電素子８０で蓄電された電荷と両蓄電板１５８、１７８の間の電圧によって蓄電容量が決定される。

スイッチング薄膜トランジスタ１０は、スイッチング半導体層１３１、スイッチングゲート電極１５２、スイッチングソース電極１７３、及びスイッチングドレイン電極１７４を含む。駆動薄膜トランジスタ２０は、駆動半導体層１３２、駆動ゲート電極１５５、駆動ソース電極１７６、及び駆動ドレイン電極１７７を含む。

スイッチング薄膜トランジスタ１０は、発光させようとする画素を選択するスイッチング素子として使用される。スイッチングゲート電極１５２はゲートライン１５１に接続される。スイッチングソース電極１７３はデータライン１７１に接続される。スイッチングドレイン電極１７４はスイッチングソース電極１７３から離隔して配置され、いずれか一つの蓄電板１５８と接続される。

駆動薄膜トランジスタ２０は、選択した画素内の有機発光素子７０の有機発光層７２０を発光させるための駆動電源を画素電極７１０に印加する。駆動ゲート電極１５５はスイッチングドレイン電極１７４と接続された蓄電板１５８と接続される。駆動ソース電極１７６及び他の一つの蓄電板１７８はそれぞれ共通電源ライン１７２と接続される。駆動ドレイン電極１７７は、コンタクトホール（ｃｏｎｔａｃｔ ｈｏｌｅ）によって有機発光素子７０の画素電極７１０と接続される。

このような構造により、スイッチング薄膜トランジスタ１０は、ゲートライン１５１に印加されるゲート電圧によって作動し、データライン１７１に印加されるデータ電圧を駆動薄膜トランジスタ２０に伝達する役割を果たす。共通電源ライン１７２から駆動薄膜トランジスタ２０に印加される共通電圧と、スイッチング薄膜トランジスタ１０から伝達されるデータ電圧との差に相当する電圧が蓄電素子８０に保存され、蓄電素子８０に保存された電圧に対応する電流が駆動薄膜トランジスタ２０を通じ有機発光素子７０に流れて有機発光素子７０が発光するようになる。

有機発光素子７０の上には、図６に示したように、封止基板２１０が配置されて有機発光素子７０を保護する。

以下、図７を参照して本発明の第２実施形態について説明する。

図７に示したように、本発明の第２実施形態による有機発光表示装置１０２は、２つ以上のドロップポイントＤＰを有する。また、ドロップポイントＤＰが位置する画素定義膜２９０の最小厚さ部２９１も２つ以上形成することができる。画素定義膜２９０の最大厚さ部２９３は表示基板１１０の周縁でシーラント３５０と隣接するように形成される。画素定義膜２９０の厚さは、最小厚さ部２９１から最大厚さ部２９３に向かって次第に厚くなる。

また、表示基板１１０は、一対の長辺と一対の短辺とを有する長方形に形成される。ドロップポイントＤＰは表示基板１１０の長辺と平行な方向に配列される。

ドロップポイントＤＰが長方形に形成された表示基板１１０の中央の一箇所に位置すれば、ドロップポイントＤＰに滴下され始めて拡散する充填材３００が、表示基板１１０の長辺及び短辺に到達するために所要される時間が互いに異なる。つまり、充填材３００が、表示基板１１０の短辺に沿って形成されたシーラント３５０よりも、長辺に沿って形成されたシーラント３５０にまず接触するようになる。したがって、充填材３００がシーラント３５０の硬化に及ぼす影響が不均一になって、有機発光表示装置１０２の密封状態が不良となる恐れがある。

しかし、本発明の第２実施形態において、有機発光表示装置１０２は２つ以上のドロップポイントＤＰを有し、ドロップポイントＤＰは表示基板１１０の長辺と平行な方向に配列されるので、充填材３００がシーラント３５０の各部分と接触する時間の偏差を減少させることができる。

このような構成によって、有機発光表示装置１０２は衝撃に対する耐久性が向上し、密封状態の不良発生をさらに効果的に抑制することができる。

また、本発明の第２実施形態による有機発光表示装置１０２の製造方法は、２以上のドロップポイントＤＰにそれぞれ充填材３００を滴下した後、表示基板１１０の周縁に拡散させる点を除けば、第１実施形態による有機発光表示装置１０１の製造方法と同一である。

以下、図８を参照して本発明の第３実施形態について説明する。

図８に示したように、本発明の第３実施形態による有機発光表示装置１０４は、断面が傾斜構造に形成された画素定義膜４９０を含む。つまり、画素定義膜４９０はドロップポイントが位置する所から表示基板１１０の周縁に向かって厚さが線状（ｌｉｎｅａｒ）に次第に厚くなる。

このような構成によっても、充填材３００が画素定義膜４９０の最小厚さ部の上に位置したドロップポイントに滴下して表示基板１１０の周縁に拡散する時、画素定義膜４９０が、ドロップポイントに滴下され始める充填材３００がシーラント３５０と過度に速く接触することにより、シーラント３５０の硬化過程に否定的な影響を与えることを抑制することができる。

また、本発明の第３実施形態による有機発光表示装置１０４の製造方法は、第１実施形態による有機発光表示装置１０１の製造方法と同様である。

また、図３における参照符号４９５は、画素定義膜４９０の開口部を示す。

以上、上述したように、本発明について好ましい実施形態を通じて説明したが、本発明はこれらに限定されず、次に記載する特許請求の範囲の概念と範囲を逸脱しない限り、種々の修正及び変形が可能であることを本発明が属する技術分野における者であれば簡単に理解できるはずである。

７０ 有機発光素子
１０１ 有機発光表示装置
１１０ 表示基板
１９０ 画素定義膜
１９３ 最大厚さ部
１９５ 開口部
２１０ 封止基板
３００ 充填材
３５０ シーラント
ＤＰ ドロップポイント
ＤＣ 駆動回路部

Claims (16)

1. 有機発光素子と前記有機発光素子の発光領域を定義する開口部を有する画素定義膜とを含む表示基板と、
   前記表示基板と対向配置された封止基板と、
   前記表示基板と前記封止基板との間で周縁に沿って配置され、前記表示基板と前記封止基板とを互いに合着して密封させるシーラントと、
   前記表示基板と前記封止基板との間の空間を埋める充填材とを含み、
   前記画素定義膜は種々の段階の高さを有し、前記画素定義膜は前記表示基板の周縁で前記シーラントと隣接した部分が相対的に最も高い高さを有し、
   前記画素定義膜の相対的に最も低い高さを有する部分の一領域にドロップポイントが位置し、前記充填材は、前記ドロップポイントに滴下され、前記表示基板の周縁に流れ、
   前記画素定義膜は、前記ドロップポイントが形成された最小厚さ部と、前記表示基板の周縁に形成された最大厚さ部とを含み、前記最小厚さ部から前記最大厚さ部に向かって次第に高さが高くなり、前記ドロップポイントに滴下された前記充填材の流れを制御して前記充填材が前記シーラントと接触することを遅延させる有機発光表示装置。
2. 前記画素定義膜の断面は階段構造に形成される、請求項１に記載の有機発光表示装置。
3. 前記画素定義膜の断面は傾斜構造に形成される、請求項１に記載の有機発光表示装置。
4. 前記表示基板及び前記封止基板のうちの一つ以上の基板上に形成され、前記表示基板と前記封止基板との間の間隔を保持する複数のスペーサをさらに含む、請求項１に記載の有機発光表示装置。
5. 前記複数のスペーサは、形成された位置によってそれぞれ互いに異なる長さを有する、請求項４に記載の有機発光表示装置。
6. 前記ドロップポイントは２つ以上配置される、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の有機発光表示装置。
7. 前記ドロップポイントは前記表示基板の長辺と平行な方向に配列される、請求項６に記載の有機発光表示装置。
8. 種々の段階の高さを有し、相対的に最も低い高さを有する部分の一領域にドロップポイントが位置し、周縁で最も高い高さを有する画素定義膜を含む表示基板を形成する段階と、
   シーラントを前記表示基板及び前記封止基板のうちの一つ以上の基板上に周縁に沿って形成する段階と、
   充填材を前記ドロップポイントに最初に滴下した後、前記表示基板の周縁に流れさせる段階と、
   前記シーラント及び前記充填材を介在して前記表示基板と前記封止基板とを互いに合着させる段階とを含み、
   前記画素定義膜は、前記ドロップポイントが形成された最小厚さ部と、前記表示基板の周縁に形成された最大厚さ部とを含み、前記最小厚さ部から前記最大厚さ部に向かって次第に高さが高くなり、
   前記シーラントは、前記画素定義膜の最大厚さ部と隣接するように配置され、
   前記画素定義膜は、前記ドロップポイントに滴下された前記充填材の流れを制御して前記充填材が前記シーラントと接触することを遅延させる有機発光表示装置の製造方法。
9. 前記表示基板は有機発光素子をさらに含み、
   前記画素定義膜は前記有機発光素子の発光領域を定義する開口部を有する、請求項８に記載の有機発光表示装置の製造方法。
10. 前記画素定義膜の断面は階段構造に形成される、請求項８に記載の有機発光表示装置の製造方法。
11. 前記画素定義膜の断面は傾斜構造に形成される、請求項８に記載の有機発光表示装置の製造方法。
12. 前記表示基板及び前記封止基板のうちの一つ以上の基板上に複数のスペーサを形成する段階をさらに含む、請求項８に記載の有機発光表示装置の製造方法。
13. 前記複数のスペーサは、形成された位置によってそれぞれ互いに異なる長さを有する、請求項１２に記載の有機発光表示装置の製造方法。
14. 前記表示基板と前記封止基板とが互いに合着された状態で前記シーラントを硬化する段階をさらに含む、請求項８に記載の有機発光表示装置の製造方法。
15. 前記ドロップポイントは２つ以上配置される、請求項８乃至１４のいずれか一項に記載の有機発光表示装置の製造方法。
16. 前記ドロップポイントは前記表示基板の長辺と平行な方向に配列される、請求項１５に記載の有機発光表示装置の製造方法。

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