JP5077109B2 - 光電デバイス - Google Patents
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Description
もっとも簡単な構造の太陽電池は単接合型であって、一般にはpn接合やpin接合となっている。図1は一般的な単接合太陽電池の構造を示すエネルギーバンド図である。図1の太陽電池は、n型半導体層、i型半導体層、p型半導体層を接合して構成されており、伝導帯と価電子帯との間のバンドギャップがEgとなっている。ここに光が入射すると、Eg以上のエネルギーを持つ光が吸収されて価電子帯から伝導帯へ電子11が励起され、価電子帯には正孔12が生成し、太陽電池に起電力が発生する。
図2は多接合太陽電池の構造を示すエネルギーバンド図である。この多接合太陽電池は、バンドギャップの異なるpn接合を積層したものである。図2では、バンドギャップがEg11のpn接合とバンドギャップがEg12のpn接合とバンドギャップがEg13のpn接合を積層している(ただし、Eg11>Eg12>Eg13とする)。このような多接合太陽電池では、入射した光のうちEg11よりもエネルギーの大きな光がバンドギャップEg11のpn接合で吸収され、ついでバンドギャップEg11のpn接合で吸収されなかった光のうちEg12よりもエネルギーの大きな光がバンドギャップEg12のpn接合で吸収され、ついでバンドギャップEg12のpn接合で吸収されなかった光のうちEg13よりもエネルギーの大きな光がバンドギャップEg13のpn接合で吸収される。従って、多接合太陽電池では、広い波長域の光を吸収できるとともに、熱エネルギーロスも小さくなり、単接合太陽電池よりも高い光電変換効率を実現できる。多接合太陽電池としては、例えば特開平8−204215号公報(特許文献1)に開示されたものがある。
そこで、図3に示すように、バンドギャップがEg1とEg2の半導体層を繰り返して積層した多重量子井戸構造が提案されている。ここで、Eg1は井戸層14におけるバンドギャップ、Eg2は障壁層15におけるバンドギャップである。このような構造としては、特開平11−220150号公報(特許文献2)に開示されたものがある。
また、金属微粒子に発生するプラズモン共鳴を利用した太陽電池が提案されている。このような太陽電池としては、特開2006−66550号公報(特許文献4)に開示されたものがある。この太陽電池では、図7に示すように、光電変換層18の表面に透明電極19を形成し、裏面に裏面電極20を形成してあり、光電変換層18の裏面と裏面電極20との間に金属微粒子21を設けている。この太陽電池に光が入射すると、光電変換層18において光が吸収されて電気エネルギーに変換される。さらに、光電変換層18のバンドギャップよりも大きなエネルギーを有する波長帯の光が光電変換層18を透過して金属微粒子21に照射すると、金属微粒子21はプラズモン共鳴することにより、その周囲に増強された強い電界を発生させる。この電界により光電変換層18内の電子が伝導帯へ励起される。このとき形成される電界は入射光の光電界の数十倍に増強されているので、光が吸収される確率が増大して電気エネルギーへの変換効率が高くなる。
λ1 ≦ λa ≦ λ2 ≦λb
であることを特徴としている。
図10は本発明の実施形態1による太陽電池の構造を示す概略断面図である。この太陽電池31にあっては、n+-GaAs基板32の上面にn-GaAsバッファ層33を積層し、その上にn-AlGaAs層34を積層している。さらに、n-AlGaAs層34の上には、i-AlGaAsからなる第3の半導体層35を積層し、その上面に多重量子井戸構造の光電変換層36を積層している。光電変換層36の上面には、電子を面方向に移動させるためのp-AlGaAsエミッタ層37を設けてあり、p-AlGaAsエミッタ層37の上面の一部にはp型電極39及びp型電極39にオーミック接触するp+-GaAsコンタクト層38を積層している。p-AlGaAsエミッタ層37の上面のうち、p型電極39から露出している領域には、微粒子40を分散させて付着させている。また、n+-GaAs基板32の下面にはn型電極41を作製している。
Eg1=1.32eV (換算波長943nm)
Eg3=0.61eV (換算波長2042nm)
である。また、量子準位を介することなく価電子帯(Ev)から伝導帯(Ec)へ直接遷移する際のバンドギャップEg2は、
Eg2=1.92eV (換算波長645nm)
である。第3の半導体層35は、障壁層43と同じ組成の材料としたので、第3の半導体層35における価電子帯(Ev)と伝導帯(Ec)との間のバンドギャップEg4も、Eg2と同じく、
Eg4=1.92eV (換算波長645nm)
となった。
誘電体コア45の直径: 150nm以上600nm以下
金属シェル46の膜厚: 1nm以上20nm以下
とすることが望ましい。
λ1 ≦ λa ≦ λ2 ≦ λb
を満足している。そのため、波長λ1の光による電界で電子を量子井戸まで励起し、波長λ2の光による電界で電子を量子井戸から脱出させることが可能となる。その結果、局在表面プラズモン共鳴を利用した2回励起によって電子を価電子帯から伝導帯へ高効率で励起することができ、太陽電池31の光電変換効率を向上させることができる。また、共鳴波長λ1とλ2が400nm以上離れているので、広範囲な波長の光を吸収させることができる。さらに、微粒子の材料や寸法などを変えたり、後述のように微粒子の形状や構造、組合せなどを変えたりすることによって共鳴波長を変化させることができるので、光電変換層36のバンド構造に応じた共鳴波長が得られるように微粒子を設計することができる。
つぎに、図10、図11、図16を参照して、太陽電池31の作製方法を説明する。太陽電池31を作製するには、分子線エピタキシー法(MBE)を用いて以下のように作製すればよい。まず、不純物としてSiを含むn+-GaAs基板32を準備し、当該基板32をアセトンやメタノール等の溶剤を用いて有機洗浄する。基板32の表面を硫酸系エッチング液でエッチングして酸化膜等を除去した後、基板32をMBE装置内に搬入してセットする。ついで、MBE装置内において、成長温度580℃、成長速度1.0μm/h、As4圧2×10−5Torrの減圧下で順次各層を下記の厚さとなるようにエピタキシャル成長させる(図10、図11参照)。
・n-GaAsバッファ層33 1μm
・n-Al0.4Ga0.6As層34 600nm
・第3の半導体層35 200nm
(i-Al0.4Ga0.6As層)
・光電変換層36(井戸層と障壁層を各5層)
井戸層42(i-In0.9Ga0.1As) 5nm
障壁層43(i-Al0.4Ga0.6As) 5nm
・p-Al0.4Ga0.6Asエミッタ層37 50nm
・p+-GaAsコンタクト層38 50nm
なお、n型ドーパントにはSi、p型ドーパントにはBeを用いればよい。
なお、上記実施形態では、GaAs基板に対して、障壁層の材料にAlGaAs、井戸層の材料にInGaAsを用いたが、この組合せ以外も可能である。例えば、下記に挙げるような組合せでもよい。なお、各材料の組成比については、バンドギャップや格子歪を考慮して最適に調整すれば特に制限は無い。
(1) 基板材料: GaAs
障壁層材料: GaAs
井戸層材料: InGaAs
この材料の組合せによれば、量子井戸構造におけるバンドギャップを最適化でき、太陽光スペクトルにマッチングできる(この特徴は、上記実施形態1でも当てはまる)。
(2) 基板材料: GaAs
障壁層材料: AlGaAs
井戸層材料: GaAs
この材料の組合せによれば、AlGaAsとGaAsの格子定数がほぼ同じであり、格子歪が無いために結晶性を高くでき、再結合によるロスを小さくできる。
(3) 基板材料: GaAs
障壁層材料: GaAsP
井戸層材料: InGaAs
この材料の組合せによれば、GaAs基板よりも格子定数の小さなGaAsPと格子定数の大きなInGaAsを組み合わせることで歪補償し、転移の発生を抑制できるので、結晶性を高くできる。
(4) 基板材料: InP
障壁層材料: InxGa1−xAs
井戸層材料: InzGa1−zAs (x<z)
この材料の組合せによれば、InP基板よりも格子定数の小さなInxGa1−xAsと格子定数の大きなInzGa1−zAsを組み合わせることで歪補償し、転移の発生を抑制することができるので、結晶性を高くできる。
(5) 基板材料: Si
障壁層材料: SiO2
井戸層材料: Si
(6) 基板材料: Si
障壁層材料: Si3N4
井戸層材料: Si
(7) 基板材料: Si
障壁層材料: SiC
井戸層材料: Si
Si系は材料が豊富にあるので、(5)〜(7)の材料の組合せによれば、原料費を安価にできる。
実施形態1においては、1種類の微粒子40によって局所表面プラズモン共鳴の吸収スペクトルに2つのピークを発生させる場合について説明したが、共鳴波長の異なる複数種類の微粒子を混在させることで複数の波長領域でプラズモン共鳴させることも可能である。
金属球の(平均)直径D1: 10nm以上200nm以下
特に、直径100nmの球状のAu微粒子の場合には、図9のような吸収スペクトルが得られる。
底面の直径D2: 10nm以上300nm以下
ディスクの厚みH2: 5nm以上で、底面の直径D2の0.5倍以下
(5nm≦H2≦D2/2)
短手方向の長さD3: 10nm以上100nm以下
長手方向の長さH3: 短手方向の長さD3の2倍以上10倍以下
ここで、短手方向の長さD3とは底面の直径や一辺の長さを指し、長手方向の長さH3とは高さを指している。微粒子40cの短手方向の長さD3が10nmより短い場合には、プラズモン共鳴が起こりにくくなり、微粒子40cの近傍に十分な電界強度を得られなくなる。一方、短手方向の長さD3が100nm以上になると、光が微粒子40cによる回折等で散乱して光の一部が光電変換層36に到達しにくくなる。従って、短手方向の長さは、10nm≦D3≦100nmであることが好ましい。また、微粒子40cの短手方向の長さD3に対する長手方向の長さH3の比が2倍より小さいと、共鳴波長が長波長側へシフトしない。一方、この比が10倍より大きくなると、微粒子40cの作製が困難になる。よって、短手方向の長さD3に対する長手方向の長さH3の比は、2≦(H3/D3)≦10であることが好ましい。
誘電体コア51の直径d4: 40nm以上300nm以下
リング部52の厚さT4: 1nm以上20nm以下
微粒子40dの高さH4: 5nm以上で、外周部直径の0.5倍以下
とすることが望ましい。誘電体コア51の直径が40nmより小さいと、共鳴波長が長波長へシフトしない。一方、300nmより大きくなると、光が微粒子40dで散乱することにより光の一部が光電変換層36に到達しにくくなる。従って、誘電体コア51の直径は、40nm≦d4≦300nmであることが好ましい。また、リング部52の厚さT4が1nmよりも小さい場合には、プラズモン共鳴が起こりにくくなり、微粒子40dの近傍で十分な電界強度が得られなくなる。一方、厚さT4が20nmよりも厚くなると、長波長側での吸収係数が小さくなってしまう。従って、リング部52の厚さは、1nm≦T4≦20nmであることが好ましい。また、微粒子40dの高さH4が、5nmよりも小さい場合には、プラズモン共鳴が起こりにくくなって微粒子40dの近傍に十分な電界強度が得られなくなる。一方、高さH4が微粒子40dの外周部直径(d4+2×T4)の1/2よりも大きくなると、散乱により光の一部が光電変換層36に到達しにくくなる。従って、微粒子40dの高さは、5nm≦H4≦(d4+2×T4)/2であることが好ましい。
誘電体コア45の直径D5: 40nm以上200nm以下
金属シェル46の膜厚T5: 1nm以上20nm以下
とすることが望ましい。誘電体コア45の直径D5が40nmよりも小さい場合には、共鳴波長が長波長側へシフトしない。一方、直径D5が200nmよりも大きい場合には、複数の波長領域で共鳴する。従って、誘電体コア45の直径は、40nm≦D5≦200nmであることが好ましい。また、金属シェル46の膜厚T5が1nmよりも小さい場合には、微粒子40eでプラズモン共鳴が起こりにくくなり、十分な電界強度が得られなくなる。一方、膜厚T5が20nmよりも大きくなると、光の吸収係数が小さくなってしまう。従って、金属シェル46の膜厚は、1nm≦T5≦20nmであることが好ましい。
実施形態1においては、1種類の単一サイズの微粒子40によって局所表面プラズモン共鳴の吸収スペクトルに2つのピークを発生させる場合について説明し、実施形態2に置いては、形状又は構造の異なる微粒子40a〜40e等を組み合わせることで複数の波長領域でプラズモン共鳴させる場合について説明したが、複数の波長域でプラズモン共鳴させる方法はこれら以外にもある。
微粒子53の直径D6: 10nm以上300nm以下
微粒子53間の距離W6: 直径D6の2倍以下
微粒子53の直径D6が10nmよりも小さいと、短波長側の共鳴波長が短すぎ、また300nmよりも大きいと、散乱によって光の一部が光電変換層36に入射しにくくなるからである。また、微粒子53間の距離W6が直径D6の2倍よりも大きくなると、電界のしみ出し距離(ほぼ直径D6に等しい)が重なり合わなくなるために相互作用しにくくなるので、微粒子53間の距離W6は直径D6の2倍以下であることが好ましく、さらには直径D6の1倍以下であることが好ましい。
図23は本発明の実施形態4による太陽電池61を模式的に示す斜視図である。この太陽電池61では、基板62の上方に形成された第3の半導体層63が形成され、第3の半導体層63の上に量子ドット構造の光電変換層64が形成され、光電変換層64の上面の一部に電極68が形成されている。また、光電変換層64の上面の電極68から露出した領域には、微粒子67が分布している。また、光電変換層64では、障壁部65内に離散的に複数の量子ドット66が分布している。量子ドット66は障壁部65よりもエネルギーギャップの小さな半導体材料によって形成されており、光透過方向(垂直方向)には各量子ドット66が整列している。また、基板62の下面には電極69が設けられている。障壁部65は実施形態1の障壁層43に相当するものであり、量子ドット66は実施形態1の井戸層42に相当するものである。
図24は実施形態5による太陽電池71の構造を示す斜視図である。この太陽電池71では、基板72の上方に位置する第3の半導体層73の上面において、格子歪を利用した自己組織化により障壁層75と井戸層76を交互に積層して多重量子井戸構造の光電変換層74を作製している。格子歪を利用した自己組織化で光電変換層74を作製すると、濡れ層77と島状部78ができるが、このような構造であっても量子ドットと同様の作用効果が得られる。このときも、島状部78の高さは10nm以下、島状部78の水平面内での直径(幅と奥行き)は30nm以下であることが望ましい。
微粒子は、光入射方向に対して裏面側に設けてもよい。一般には、サブストレート型の太陽電池では光入射面側に微粒子を配置することが望ましく、スーパーストレート型の太陽電池では裏面側に微粒子を配置することが望ましい。
32、62 基板
35、63 第3の半導体層
36、64 光電変換層
39 p型電極
40、40a、40b、40c、40d、40e 微粒子
41 n型電極
42 井戸層
43 障壁層
45 誘電体コア
46 金属シェル
51 誘電体コア
52 リング部
53、54a、54b、67、69 微粒子
65 障壁部
66 量子ドット
Claims (21)
- 第1の半導体からなる障壁層と、第1の半導体よりもバンドギャップの小さな第2の半導体からなる井戸層とを複数層交互に積層させた多重量子井戸構造の光電変換層を有する光電デバイスにおいて、
少なくとも2つの波長帯域で局在表面プラズモン共鳴する微粒子を有することを特徴とする光電デバイス。 - 第1の半導体からなる障壁部内に、第1の半導体よりもバンドギャップの小さな第2の半導体からなる少なくとも1つの量子ドットが含まれた量子ドット構造の光電変換層を有する光電デバイスにおいて、
少なくとも2つの波長帯域で局在表面プラズモン共鳴する微粒子を有することを特徴とする光電デバイス。 - 電子を価電子帯から量子井戸内の準位まで励起するエネルギーに相当する波長と電子を量子井戸内の準位から伝導帯へ脱出させるエネルギーに相当する波長を短い側から順にλa、λbとし、前記微粒子に生成する局在表面プラズモン共鳴の2つの共鳴波長を短い側から順にλ1、λ2とするとき、
λ1 ≦ λa ≦ λ2 ≦λb
であることを特徴とする、請求項1または2に記載の光電デバイス。 - 前記共鳴波長のλ1とλ2が、互いに400nm以上離れていることを特徴とする、請求項3に記載の光電デバイス。
- 前記微粒子の吸収スペクトルにおいて、長波長側の共鳴波長λ2におけるピーク強度が、短波長側の共鳴波長λ1におけるピーク強度に対して0.7倍以上2.0倍以下であることを特徴とする、請求項4に記載の光電デバイス。
- 前記長波長側の共鳴波長λ2におけるピーク強度が、前記短波長側の共鳴波長λ1におけるピーク強度に対して1.0倍以上2.0倍以下であることを特徴とする、請求項5に記載の光電デバイス。
- 前記微粒子の各サイズ毎の個数を表す分布が、2つ以上のピークを有することを特徴とする、請求項1または2に記載の光電デバイス。
- 前記微粒子は、異なる金属からなる2種以上の微粒子を含んでいることを特徴とする、請求項1または2に記載の光電デバイス。
- 前記微粒子は、金属及び互いに異なる誘電体からなる2種以上の微粒子を含んでいることを特徴とする、請求項1または2に記載の光電デバイス。
- 前記微粒子は、互いに形状の異なる2種以上の微粒子を含んでいることを特徴とする、請求項1または2に記載の光電デバイス。
- 前記微粒子のうち1種の微粒子は、金属からなるロッド状の微粒子であり、その長手方向の寸法が短手方向の寸法の2倍以上の長さを有し、短手方向の寸法が10nm以上100nm以下であることを特徴とする、請求項10に記載の光電デバイス。
- 前記微粒子のうち1種の微粒子は、誘電体からなる円柱状のコア部と前記コア部の周囲をリング状に囲んだ金属からなるリング部とによって構成された微粒子であり、前記コア部の円形断面の直径が40nm以上300nm以下であり、前記リング部の厚みが1nm以上20nm以下であり、前記リング部の高さが5nm以上で当該リング部の外径の0.5倍以下であることを特徴とする、請求項10に記載の光電デバイス。
- 前記微粒子のうち1種の微粒子は、誘電体からなるコア部と前記コア部の外面をシェル状に覆った金属からなるシェル部とによって構成された微粒子であり、前記コア部の外形寸法が40nm以上200nm以下であり、前記シェル部の厚みが1nm以上20nm以下であることを特徴とする、請求項10に記載の光電デバイス。
- 前記微粒子は、誘電体からなるコア部と前記コア部の外面をシェル状に覆った金属からなるシェル部とによって構成され、前記コア部の外形寸法が150nm以上600nm以下であり、前記シェル部の厚みが1nm以上20nm以下であることを特徴とする、請求項1または2に記載の光電デバイス。
- 前記微粒子がある面に分布しており、当該微粒子が当該面を覆う被覆率が1%以上30%以下であることを特徴とする、請求項1または2に記載の光電デバイス。
- 前記微粒子がある面に分布しており、前記微粒子分布面と前記微粒子分布面から最も離れた前記第2の半導体との間の距離が、前記微粒子の外形寸法の平均値の2倍以下であることを特徴とする、請求項1または2に記載の光電デバイス。
- 前記井戸層よりも大きなバンドギャップを有し、かつ前記障壁層の1層分の厚みよりも大きな厚みを有する第3の半導体層を備え、当該第3の半導体層を前記光電変換層の光入射側と反対側の隣接位置に設けたことを特徴とする、請求項1に記載の光電デバイス。
- 前記量子ドットよりも大きなバンドギャップを有し、かつ前記量子ドットどうしの光透過方向における距離よりも大きな厚みを有する第3の半導体層を備え、当該第3の半導体層を前記光電変換層の光入射側と反対側の隣接位置に設けたことを特徴とする、請求項2に記載の光電デバイス。
- 前記第3の半導体層が前記第1の半導体と同じ材料によって形成されていることを特徴とする、請求項17または18に記載の光電デバイス。
- 前記井戸層の幅が10nm以下であり、前記障壁層の幅が10nm以下であることを特徴とする、請求項1に記載の光電デバイス。
- 前記量子ドットの高さ、幅、奥行きのうち、いずれか一辺の長さが10nm以下であり、残る2辺の長さが30nm以下であることを特徴とする、請求項2に記載の光電デバイス。
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JP5280970B2 (ja) * | 2009-08-14 | 2013-09-04 | 国立大学法人東京工業大学 | 金属ナノ粒子分散膜を表面に有する太陽電池 |
EP2549548A4 (en) * | 2010-03-19 | 2014-05-21 | Tokyo Inst Tech | SOLAR CELL WITH POROUS STRUCTURE AND NANOPARTICLES CARRED IN THE PORES |
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JP5412376B2 (ja) * | 2010-06-02 | 2014-02-12 | Jx日鉱日石エネルギー株式会社 | 太陽電池 |
JP5437487B2 (ja) * | 2010-06-03 | 2014-03-12 | nusola株式会社 | 光蓄電装置 |
WO2011152458A1 (ja) * | 2010-06-03 | 2011-12-08 | 株式会社Si-Nano | 光電変換素子 |
JP5443602B2 (ja) * | 2010-06-03 | 2014-03-19 | nusola株式会社 | 光電変換素子及びその製造方法 |
JP5525047B2 (ja) * | 2010-06-10 | 2014-06-18 | nusola株式会社 | 光発電装置 |
JP5555602B2 (ja) * | 2010-10-25 | 2014-07-23 | シャープ株式会社 | 太陽電池 |
WO2012141141A1 (ja) * | 2011-04-14 | 2012-10-18 | シャープ株式会社 | 太陽電池、太陽電池パネルおよび太陽電池を備えた装置 |
JP2012256691A (ja) * | 2011-06-08 | 2012-12-27 | Sharp Corp | 光電変換デバイス |
JP6370532B2 (ja) * | 2012-05-11 | 2018-08-08 | 公立大学法人大阪府立大学 | 光熱変換素子およびその製造方法、光熱発電装置ならびに被検出物質の検出方法 |
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JP2017028243A (ja) * | 2015-07-21 | 2017-02-02 | イムラ・ジャパン株式会社 | 光電変換素子及び波長センサ |
JP2018174657A (ja) * | 2017-03-31 | 2018-11-08 | 国立大学法人横浜国立大学 | エネルギー変換装置及びその製造方法 |
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JP2005144569A (ja) * | 2003-11-12 | 2005-06-09 | Hitachi Ltd | 二次元配列構造体基板および該基板から剥離した微粒子 |
JP4096059B2 (ja) * | 2004-03-16 | 2008-06-04 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 光子検出器及びその製造方法 |
JP2006066550A (ja) * | 2004-08-25 | 2006-03-09 | Sharp Corp | 光電変換素子 |
JP2007043006A (ja) * | 2005-08-05 | 2007-02-15 | Hitachi Maxell Ltd | 結晶シリコン素子、およびその製造方法 |
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