JP5054925B2 - 組成物、絶縁膜、およびその製造方法 - Google Patents
組成物、絶縁膜、およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5054925B2 JP5054925B2 JP2006077436A JP2006077436A JP5054925B2 JP 5054925 B2 JP5054925 B2 JP 5054925B2 JP 2006077436 A JP2006077436 A JP 2006077436A JP 2006077436 A JP2006077436 A JP 2006077436A JP 5054925 B2 JP5054925 B2 JP 5054925B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- film
- polymer
- composition
- insulating film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 0 CC(C)[Si](C)(*C(C(CC#C)N)(N*)[Si+](C)OC(C1)[C@]1O[Si+](C)N[C@@]1C)[U][Si+](C)OC1[Si](C#C)(N*)[U] Chemical compound CC(C)[Si](C)(*C(C(CC#C)N)(N*)[Si+](C)OC(C1)[C@]1O[Si+](C)N[C@@]1C)[U][Si+](C)OC1[Si](C#C)(N*)[U] 0.000 description 2
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
Description
一般式(I)で表される化合物および/またはその重合物を含むことを特徴とする膜形成用組成物。
一般式(I)中、
R1はそれぞれ独立して、同一でも異なっていてもよく、R1のうち4個がビニル基を表し、その他のR1はアルキル基またはシクロアルキル基を表す。
<2>
一般式(I)で表される化合物および/またはその重合物に加えて、沸点85℃以上の有機溶剤を含むことを特徴とする前記<1>に記載の膜形成用組成物。
<3>
一般式(I)で表される化合物の重合物が炭素−炭素結合を生成するラジカル重合反応により得られる重合体であることを特徴とする前記<1>または<2>に記載の膜形成用組成物。
<4>
一般式(I)で表される化合物の重合物がヒドロシリル化反応により得られる重合体であることを特徴とする前記<1>または<2>に記載の膜形成用組成物。
<5>
一般式(I)で表される化合物および/またはその重合物に加えて、空孔形成剤を含むことを特徴とする前記<1>〜<4>のいずれか1項に記載の膜形成用組成物。
<6>
前記<1>〜<5>のいずれか1項に記載の組成物を用いて製造した絶縁膜。
<7>
前記<1>〜<5>のいずれか1項に記載の組成物を基材上に塗布した後、焼成することを特徴とする絶縁膜の製造方法。
本発明は上記<1>〜<7>に関するものであるが、参考のためその他の事項についても記載した。
本発明の膜形成用組成物は、一般式(I)で表される化合物および/またはその重合物を含有する。
R1はそれぞれ独立して、同一でも異なっていてもよく、R1のうち2〜4個がラジカル反応及び/またはヒドロシリル化反応によって重合可能な基を表し、その他のR1はアルキル基またはシクロアルキル基を表す。
炭素−炭素二重結合または炭素−炭素三重結合を含む基としては、炭素数2〜8の基が好ましく、置換基を有していてもよい。例えば、ビニル基、アリル基、1−プロペニル基、1−ブテニル基、2−ブテン−1−イル基、1−ブテン−4−イル基、1−ヘキセン−6−イル基、エチニル基、プロパルギル基、2−ブチン−1−イル基が挙げられ、好ましくはビニル基、置換基を有するビニル基、エチニル基、または置換基を有するエチニル基等を挙げることができる。
上記における置換基としては、例えば、鎖状、分岐状、あるいは環状の、炭素数1〜6のアルキル基(例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、t−ブチル)、アリール基(例えば、フェニル、1−ナフチル)、鎖状、分岐状、あるいは環状の、炭素数2〜6のアルケニル基(ビニル基、アリル基、1−プロペニル基、1−ブテニル基、2−ブテン−1−イル基、1−ブテン−4−イル基、1−ヘキセン−6−イル基)、鎖状、分岐状、あるいは環状の、炭素数2〜6のアルキニル基(例えば、エチニル基、プロパルギル基、2−ブチン−1−イル基)等が挙げられる。
2価の連結基としては、−[C(R11)(R12)]k−(R11およびR12は水素原子、メチル基、またはエチル基を表し、kは1〜6の整数を表す。)、−CO−、−O−、−N(R13)−(R13は水素原子、メチル基、またはエチル基を表す。)、−S−、およびこれらを任意に組み合わせてできる2価の連結基が挙げられ、−[C(R11)(R12)]k−、−O−、またはこれらを任意に組み合わせてできる2価の連結基が好ましい。
R1で表される、重合可能な基は、好ましくは、ビニル基およびエチニル基であり、さらに好ましくはビニル基である。
さらに、2つの置換されてもよいビニル基あるいは置換されてもよいエチニル基が、酸素原子を介して結合している2つのケイ素原子に結合していることが好ましい。
以下にそのような一般式(I)の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
以下にそのような一般式(I)の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
一般式(I)で表される化合物の分子量は、一般的には400〜3,000、好ましくは550〜1,500である。また重合物の分子量は一般的には,500〜1,000,000、好ましくは1,000〜50,000である。
本発明の組成物中での、一般式(I)で表される化合物、それらの重合物の濃度は、一般的には1.0〜10.0質量%、好ましくは1.0〜5.0質量%である。
有機過酸化物としては、日本油脂株式会社より市販されているパーヘキサH等のケトンパーオキサイド類、パーヘキサTMH等のパーオキシケタール類、パーブチルH−69等のハイドロパーオキサイド類、パークミルD、パーブチルC、パーブチルD等のジアルキルパーオキサイド類、ナイパーBW等のジアシルパーオキサイド類、パーブチルZ、パーブチルL等のパーオキシエステル類、パーロイルTCP等のパーオキシジカーボネート、ジイソブチリルパーオキサイド、クミルパーオキシネオデカノエート、ジ‐n‐プロピルパーオキシジカーボネート、ジイソプロピルパーオキシジカーボネート、ジ‐sec−ブチルパーオキシジカーボネート、1,1,3,3−テトラメチルブチルパーオキシネオデカノエート、ジ(4−t−ブチルクロヘキシル)パーオキシジカーボネート、ジ(2−エチルヘキシル)パーオキシジカーボネート、t−ヘキシルパーオキシネオデカノエート、t−ブチルパーオキシネオデカノエート、t−ブチルパーオキシネオヘプタノエート、t−ヘキシルパーオキシピバレート、t−ブチルパーオキシピバレート、ジ(3,5,5−トリメチルヘキサノイル)パーオキサイド、ジラウロイルパーオキサイド、1,1,3,3−テトラメチルブチルパーオキシ‐2−エチルヘキサノエート、ジコハク酸パーオキサイド、2,5−ジメチルー2,5−ジ(2−エチルヘキサノイルパーオキシ)ヘキサン、t−ヘキシルパーオキシ-2-エチルヘキサノエート、ジ(4−メチルベンゾイル)パーオキサイド、t−ブチルパーオキシ‐2−エチルヘキサノエート、ジ(3−メチルベンゾイル)パーオキサイド、ベンゾイル(3−メチルベンゾイル)パーオキサイド、ジベンゾイルパーオキサイド、ジベンゾイルパーオキサイド、1,1−ジ(t−ブチルパーオキシ)−2−メチルシクロヘキサン、1,1−ジ(t−ヘキシルパーオキシ)−3,3,5−トリメチルシクロヘキサン、1,1−ジ(t−ヘキシルパーオキシ)シクロヘキサン、1,1−ジ(t−ブチルパーオキシ)シクロヘキサン、2,2−ジ(4,4−ジ‐(t−ブチ
ルパーオキシ)シクロヘキシル)プロパン、t−ヘキシルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、t−ブチルパーオキシマレイン酸、t−ブチルパーオキシ‐3,5,5、−トリメチルヘキサノエート、t−ブチルパーオキシラウレート、t−ブチルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、t−ブチルパーオキシ2−エチルヘキシルモノカーボネート、t−ヘキシルパーオキシベンゾエート、2,5−ジ‐メチル‐2,5−ジ(ベンゾイルパーオキシ)ヘキサン、t−ブチルパーオキシアセテート、2,2−ジー(t−ブチルパーオキシ)ブタン、t−ブチルパーオキシベンゾエート、n-ブチル4,4−ジーt−ブチルパーオキシバレレート、ジ(2−t−ブチルパーオキシイソプロピル)ベンゼン、ジクミルパーオキサイド、シ゛-t−ヘキシルパーオキサイド、2,5−ジメチル-2,5−ジ(t−ブチルパーオキシ)ヘキサン、t−ブチルクミルパーイキサイド、ジ‐t−ブチルパーオキサイド、p−メタンヒドロパーオキサイド、2,5−ジメチル-2,5−ジ(t−ブチルパーオキシ)ヘキシン‐3、ジイソプロピルベンゼンヒドロパーオキサイド、1,1,3,3−テトラメチルブチルヒドロパーオキサイド、クメンヒドロパーオキサイド、t−ブチルヒドロパーオキサイド、2,3−ジメチルー2,3−ジフェニルブタン、2,4−ジクロロベンゾイルパーオキサイド、o−クロロベンゾイルパーオキサイド、p−クロロベンゾイルパーオキサイド、トリス‐(t−ブチルパーオキシ)トリアジン、2,4,4−トリメチルペンチルパーオキシネオデカノエート、α‐クミルパーオキシネオデカノエート、t−アミルパーオキシ2−エチルヘキサノエート、t−ブチルパーオキシイソブチレート、ジーt−ブチルパーオキシヘキサヒドロテレフタレート、ジ‐t−ブチルパーオキシトリメチルアジペート、ジ‐3−メトキシブチルパーオキシジカーボネート、ジ‐イソプロピルパーオキシジカーボネート、t−ブチルパーオキシイソプロピルカーボネート、1,6−ビス(t−ブチルパーオキシカルボニルオキシ)ヘキサン、ジエチレングリコールビス(t−ブチルパーオキシカーボネート)、t−ヘキシルパーオキシネオデカノエート等が好ましく用いられる。
本発明において、重合開始剤の使用量はモノマー1モルに対して、好ましくは0.001〜2モル、より好ましくは0.01〜1モル、特に好ましくは0.05〜0.5モルである。
遷移金属触媒の使用量はモノマー1モルに対して、好ましくは0.001〜2モル、より好ましくは0.01〜1モル、特に好ましくは0.05〜0.5モルである。
ラジカル発生剤としては、特に有機過酸化物または有機アゾ系化合物が好ましく用いられるが特に有機過酸化物が好ましい。これらの好ましい具体例は先に例示したものと同じである。
本発明に用いるラジカル発生剤の使用量はモノマー1モルに対して、好ましくは0.001〜2モル、より好ましくは0.01〜1モル、特に好ましくは0.05〜0.5モルである。
白金触媒としては、塩化白金酸、白金ビス(トリフェニルホスフィン)ジクロリド、白金テトラキス(トリフェニルホスフィン)が挙げられる。
その他の金属触媒としては、[Rh4(CO)12]、[Rh6(CO)16]、[Co4(CO)12]、[Co6(CO)16]、[Co(CO)4] 4Sn、[Ru3(CO)12]、Et4N[HRu(CO)11]、[Ir4(CO)12]、[Re2(CO)12]、[Mn2(CO)10]、[Cr(CO)6]などが挙げられる。
架橋剤としては、SiH結合を複数有する化合物が好ましく、テトラメチルシクロテトラシロキサンやヒドロ-T8−シルセスキオキサンなどが好ましく用いることができる。
反応液中のモノマーの濃度は好ましくは1〜50重量%、より好ましくは5〜30重量%、特に好ましくは10〜20重量%である。
また、酸素による開始剤あるいは触媒の不活性化を抑制するために不活性ガス雰囲気下(例えば窒素、アルゴン等)で反応させることが好ましい。反応時の酸素濃度は好ましくは100ppm以下、より好ましくは50ppm以下、特に好ましくは20ppm以下である。
重合して得られるポリマーの質量平均分子量の好ましい範囲は1000〜500000、より好ましくは5000〜300000、特に好ましくは10000〜200000である。
使用できる溶剤としては、エチレンジクロライド、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、2−ヘプタノン、メチルイソブチルケトン、γ−ブチロラクトン、メチルエチルケトン、メタノール、エタノール、ジメチルイミダゾリジノン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、2−メトキシエチルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、イソプロパノール、エチレンカーボネート、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロピル、N,N−ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、N−メチルピロリドン、テトラヒドロフラン、ジイソプロピルベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン等が好ましく、これらの溶剤を単独あるいは混合して使用する。
オニウム塩の添加量は、組成物中、一般的には0.01〜10質量%、好ましくは0.05〜1.0質量%である。
熱分解性ポリマーとしては、ビニルエーテル系化合物、ポリオキシエチレン単位を有するビニル系化合物、ポリオキシプロピレン単位を有するビニル系化合物等、ビニルピリジン系化合物、スチレン系化合物、アルキルエステルビニル系化合物、(メタ)アクリレート酸系化合物、ポリオキシアルキレン単位を有する重合体、ポリカーボネート重合体等が挙げられる。分解特性及び膜の機械強度の点から、ポリオキシアルキレン単位を有する重合体が好ましい。
界面活性剤の例としてはノニオン型界面活性剤、4級アンモニウム塩型界面活性剤等が挙げられるが、4級アンモニウム塩型界面活性剤が好ましい。
空孔形成剤は、本発明の組成物の全固形物質量の5〜80%が好ましく、10〜70%がより好ましく、15〜60%がもっとも好ましい。
この際の加熱雰囲気としては、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気、真空下、などで行うことができるが、焼成温度の最高値が300℃以上430℃以下の条件で焼成することが好ましい。
(1)トリシラノール体の合成
エチルトリクロロシラン36g、ビニルトリクロロシラン6gをアセトン920mlに溶解する。この溶液に室温下、蒸留水250mlを徐々に加え、その後、室温下で2週間反応させ、得られた析出物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて分離し、下記トリシラノール体を得た。
上記合成例1の合成で得られたトリシラノール体10gをTHF200mlに溶解し、更にトリエチルアミン10.4gを加える。この溶液に攪拌下、ビニルトリクロロシラン1.5gを滴下する。その後、75℃にて20時間反応させる。反応液を濾過し(トリエチルアンモニウムハイドロクロライドを除去)、減圧下濃縮し、白色固体を得た。これをヘキサン抽出後、再結晶し、<化合物1>8gを得た。
エチルトリクロロシラン28g、ビニルトリクロロシラン21gをアセトン920mlに溶解する。この溶液に室温下、蒸留水250mlを徐々に加え、その後、室温下で2週間反応させ、得られた析出物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて分離し、下記トリシラノール体を得た。
上記合成例3の合成で得られたトリシラノール体10gをTHF200mlに溶解し、更にトリエチルアミン10.4gを加える。この溶液に攪拌下、ビニルトリクロロシラン1.2gを滴下する。その後、75℃にて24時間反応させる。反応液を濾過し(トリエチルアンモニウムハイドロクロライドを除去)、減圧下濃縮し、白色固体を得た。これをヘキサン抽出後、再結晶し、<化合物2>7gを得た。
5gの化合物1を10gの酢酸エチルに溶解し、t−ブチル−パーオキシピバレート100mgを加えて、10時間加熱還流した。冷却後濃縮し、プロピレングリコールモノメチルエーテル50gを加えて、組成物1を得た。
4gの化合物2を用いた以外は合成例5と同様にして、組成物2を得た。
2gの化合物2と1gのヒドロ-T8-シルセスキオキサンを6gのトルエンに溶解し、塩化白金酸50mgを加え、100℃で5時間加熱した。冷却後濃縮し、シクロヘキサノン50mlを加えて組成物3を得た。
化合物1の代わりに、以下の化合物aを用いたこと以外は、合成例5と同様にして比較用組成物101を得た。
化合物2の代わりに、化合物aを用いたこと以外は、合成例7と同様にして比較用組成物102を得た。
化合物1の代わりに、以下の化合物bを用いたこと以外は、合成例5と同様な操作を行なったところ、加熱還流を実施した時点で系全体が固化した。(ゲル化)
特開2000−265065号の実施例1と同様の操作を行い、重合体を得た。固形分濃度10重量%になるようにシクロヘキサノンに溶解し、比較用組成物104を得た。
本発明の組成物を用いると、低誘電率で高ヤング率の膜を形成できることがわかる。
Claims (7)
- 一般式(I)で表される化合物および/またはその重合物に加えて、沸点85℃以上の有機溶剤を含むことを特徴とする請求項1に記載の膜形成用組成物。
- 一般式(I)で表される化合物の重合物が炭素−炭素結合を生成するラジカル重合反応により得られる重合体であることを特徴とする請求項1または2に記載の膜形成用組成物。
- 一般式(I)で表される化合物の重合物がヒドロシリル化反応により得られる重合体であることを特徴とする請求項1または2に記載の膜形成用組成物。
- 一般式(I)で表される化合物および/またはその重合物に加えて、空孔形成剤を含むことを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の膜形成用組成物。
- 請求項1〜5のいずれか1項に記載の組成物を用いて製造した比誘電率が2.45以下の絶縁膜。
- 請求項1〜5のいずれか1項に記載の組成物を基材上に塗布した後、焼成することを特徴とする絶縁膜の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006077436A JP5054925B2 (ja) | 2006-03-20 | 2006-03-20 | 組成物、絶縁膜、およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006077436A JP5054925B2 (ja) | 2006-03-20 | 2006-03-20 | 組成物、絶縁膜、およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007254506A JP2007254506A (ja) | 2007-10-04 |
JP5054925B2 true JP5054925B2 (ja) | 2012-10-24 |
Family
ID=38629067
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006077436A Active JP5054925B2 (ja) | 2006-03-20 | 2006-03-20 | 組成物、絶縁膜、およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5054925B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5140290B2 (ja) * | 2007-03-02 | 2013-02-06 | 富士フイルム株式会社 | 絶縁膜 |
JP5153680B2 (ja) * | 2009-02-19 | 2013-02-27 | 富士フイルム株式会社 | ディールス・アルダー反応付加部を有する化合物 |
JP2011084672A (ja) * | 2009-10-16 | 2011-04-28 | Fujifilm Corp | 光学材料用組成物 |
JP6842560B2 (ja) | 2017-09-26 | 2021-03-17 | 富士フイルム株式会社 | 構造体、隔壁形成用組成物、固体撮像素子および画像表示装置 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2100384C1 (ru) * | 1995-12-09 | 1997-12-27 | Институт синтетических полимерных материалов РАН | Органосилсесквиоксаны кубического строения и способ их получения |
JP2000265065A (ja) * | 1999-03-17 | 2000-09-26 | Dow Corning Asia Ltd | 有機溶剤可溶性の水素化オクタシルセスキオキサン−ビニル基含有化合物共重合体の製造方法 |
JP4004983B2 (ja) * | 2003-03-28 | 2007-11-07 | 富士フイルム株式会社 | 絶縁膜形成材料及びそれを用いた絶縁膜 |
-
2006
- 2006-03-20 JP JP2006077436A patent/JP5054925B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007254506A (ja) | 2007-10-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4769595B2 (ja) | 重合体、該重合体を含有する膜形成用組成物、該組成物を用いて形成した絶縁膜及び電子デバイス | |
KR101475307B1 (ko) | 절연막 | |
US7612155B2 (en) | Film forming composition, insulating film formed by use of the composition, and electronic device | |
JP5054925B2 (ja) | 組成物、絶縁膜、およびその製造方法 | |
JP6355109B2 (ja) | 含フッ素ニトリルオキシド化合物 | |
US7309752B2 (en) | Polymer and film forming composition | |
EP1772469A2 (en) | Polymer and film forming composition | |
JP2007161784A (ja) | 絶縁膜、化合物、膜形成用組成物及び電子デバイス | |
JP2007284652A (ja) | 組成物、膜、およびその製造方法 | |
JP2007314778A (ja) | 膜形成用組成物、該組成物を用いて形成した絶縁膜及び電子デバイス | |
JP2008218632A (ja) | 電子デバイス | |
JP2004307828A (ja) | 絶縁膜形成用塗布液、絶縁膜の製造方法および絶縁膜 | |
JP2007031480A (ja) | アセチレン性三重結合を有するモノマーの重合体、これを用いる膜形成用組成物、絶縁膜および電子デバイス | |
JP2007026889A (ja) | 膜形成用組成物、絶縁膜、およびその製造方法 | |
JP2009088256A (ja) | 絶縁膜 | |
JP2008222992A (ja) | 膜形成用組成物、絶縁膜及び電子デバイス | |
JP2008239685A (ja) | 膜形成用組成物、膜、及び、電子デバイス | |
JP2009227838A (ja) | 膜形成用組成物、絶縁膜、及び、電子デバイス | |
JP4802120B2 (ja) | 絶縁膜形成用組成物および絶縁膜製造方法 | |
JP2007308677A (ja) | 膜形成組成物 | |
JP2010138376A (ja) | 絶縁膜形成用重合体の重合方法、絶縁膜形成用重合体、有機絶縁膜用材料及び有機絶縁膜並びに電子デバイス | |
JP2007063394A (ja) | かご状シルセスキオキサン重合体 | |
KR20040084772A (ko) | 절연막 형성용 코팅액 및 절연막의 제조 방법 | |
JP4775527B2 (ja) | 膜形成用組成物および絶縁膜形成用材料 | |
KR20070019614A (ko) | 폴리머, 그 폴리머를 함유한 막형성 조성물, 그 조성물을사용하여 형성된 절연막 및 전기기기 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20071109 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20071116 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20071126 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080711 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110811 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110816 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20110830 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111017 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20111216 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120403 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120530 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120703 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120730 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5054925 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150803 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |