JP5049433B2 - 加熱触媒体を用いた化学気相堆積方法及び化学気相堆積装置 - Google Patents
加熱触媒体を用いた化学気相堆積方法及び化学気相堆積装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5049433B2 JP5049433B2 JP2001270385A JP2001270385A JP5049433B2 JP 5049433 B2 JP5049433 B2 JP 5049433B2 JP 2001270385 A JP2001270385 A JP 2001270385A JP 2001270385 A JP2001270385 A JP 2001270385A JP 5049433 B2 JP5049433 B2 JP 5049433B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- vapor deposition
- chemical vapor
- catalyst body
- catalytic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 title claims description 52
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 22
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 title claims description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 56
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 25
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 21
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 19
- 238000004050 hot filament vapor deposition Methods 0.000 claims description 15
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 11
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 claims description 10
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 8
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 7
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 claims description 5
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000003421 catalytic decomposition reaction Methods 0.000 claims description 4
- 238000003795 desorption Methods 0.000 claims description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910021331 inorganic silicon compound Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims description 2
- 150000003961 organosilicon compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 30
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 15
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 8
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 7
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 6
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 5
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 4
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 4
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 102000052567 Anaphase-Promoting Complex-Cyclosome Apc1 Subunit Human genes 0.000 description 1
- 108091006463 SLC25A24 Proteins 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Catalysts (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、触媒CVD法、即ち、原料ガスと触媒体との接触分解反応で生成される堆積種を基板上に堆積させる成膜法により、例えばアモルファルシリコン型TFTの下地コート膜やゲート絶縁膜として用いられるシリコン酸化膜等の酸化膜を形成する方法及び装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、化学的気相堆積法(CVD法)を用いる薄膜の形成方法として、加熱した触媒体上で原料ガスを接触分解してシリコン酸化膜を形成させるものが提案されている。
【0003】
例えば、特公平3−65434号公報では、水素、シラン、ジシラン、アンモニア、ヒドラジンなどを白熱又は赤熱したタングステン等の熱触媒反応を起こす金属に接触して熱分解させて分解種を生成し、フッ化シリコンなどの中間種と混合し、その混合ガスを基板上に堆積させて、熱CVD法により窒化シリコンや酸化シリコンを含有した絶縁膜を形成するものが開示されている。
【0004】
また、上記の熱CVD法を改良し、低温化や成膜間の界面に対するダメージ回避を実現するものとして、特開昭63−40314号公報により、タングステン等から適宜に選択された触媒体を、所定温度範囲で加熱して、酸素ガスを混合させたシリコン含有原料ガスと接触させて、触媒反応または熱分解反応により堆積種またはその前駆体を形成し、これを原料種として基板上に堆積させて酸化シリコンなどの薄膜を形成する方法が知られている。このものは、比較的低温の基板上に効率良く薄膜を形成できるという利点を有し、触媒CVD法と称されている。
【0005】
このような触媒CVD法を用いた薄膜の形成に関する従来技術は、他にも多数開示されており、例えば、特開平8−250438号公報や特開2000−223421号公報では、触媒反応の条件を種々調整して高品位の薄膜を形成する方法が提案されている。
【0006】
ところで、触媒CVD法を用いるときの触媒体材料を変更することも試みられており、触媒体としてタングステンと同様の効果を得られる金属元素として、例えば上記の特開昭63−40314号公報では白金など、特許第3132489号ではタンタルなどの高融点金属を例示している。
【0007】
しかしながら、例えば白金を用いる場合、このものは蒸気圧が高いため早期に昇華され安定した触媒効果を得ることが難しいという問題点があり、触媒体として用いられる金属は依然としてタングステンが一般的である。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように触媒CVD法により種々のシリコン含有薄膜を形成することが可能であるが、用途が多岐に亘るという点でシリコン酸化膜はなかでも重要な薄膜である。
【0009】
ところが、触媒CVD法によりシリコン酸化膜を形成する際に触媒体としてタングステンを用いる場合、酸化反応に関与する酸素原子がタングステンと反応してタングステン酸化物を形成することがある。このものは、比較的低温の800℃で昇華が始まるため、この昇華点以上の温度で関与するべき触媒反応に悪影響を与えるおそれがある。
【0010】
例えば、原料ガスとしてシランガスと酸素ガスとを用い、触媒体として加熱されたタングステンを用いて触媒CVD法によりシリコン酸化膜を形成する場合、基板上に形成されたシリコン酸化膜には成膜むらが生じることがある。このものでは、加熱されたタングステン上で酸素ガスを含む原料ガスを接触分解させる際に、金属タングステンが原料ガス中の酸素と反応してタングステン酸化物になり触媒反応が起こらなくなるばかりでなく、昇華が起こり、触媒としてのタングステンの形態安定性が損なわれ、断線に至ることもある。
【0011】
即ち、通常の触媒―堆積反応は、触媒に対する加熱温度が上昇するにつれて、触媒金属に対する原料ガスの吸着段階と、その後の触媒金属上での原料ガスの分解段階と、さらにこれに続く触媒金属からの原料ガスの脱離段階とを経て成るのに対し、上記のようにシランガスや酸素ガスを原料ガスに用いた場合、上記の分解段階と脱離段階とがそれぞれ約600℃及び約1500℃で行われるものであるところ、その中途の約800℃で触媒タングステンの一部がタングステン酸化物として昇華してしまう結果、最後の分離段階が完全に行われず、基板への薄膜の堆積が充分に行われないのである。
【0012】
上記問題点に鑑み、本発明は、安定した触媒反応を確保し得る触媒CVD法により酸化膜を形成する方法及びそのための装置を提供することを課題としている。
【0013】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明は、原料ガスと触媒体との接触分解による触媒反応で生成される堆積種を基板上に堆積させて成膜を行う触媒CVD法において、前記原料ガスとして、分子構造中に酸素原子を有する酸化ガスと被酸化ガスとを含有する混合気体を用い、前記触媒体として、前記触媒反応の脱離温度、即ち、前記混合ガスが前記触媒体から脱離するのに要する温度より高い融点を有する金属または合金を用い、該融点未満の所定温度に通電加熱した前記金属または合金と前記混合気体とを接触分解させて、この混合気体中の酸化ガスと被酸化ガスとの反応生成酸化物として前記堆積種を生成するようにした。そして、この堆積種が基板上に堆積して酸化膜を形成するものである。
【0014】
この場合、前記金属は、Irであり、前記合金は、前記金属を含有して成る必要がある。この金属元素は、高融点(Ir:2443℃)を有すると共にタングステンのように低い昇華点を有する酸化物を生成するおそれがないので安定した触媒―堆積反応を実現して確実に酸化膜を形成できる。
【0015】
また、これらの場合、前記酸化ガスは、N2O、CO2、H2O、H2O2のうちいずれかから成り、前記被酸化ガスは、TEOSまたはTEMOSから成る有機ケイ素化合物、SiH4、SiCl4またはSi2H6から成る無機ケイ素化合物のうちいずれかから成る必要がある。上記のような酸化ガスを用いることにより、酸素ガスを用いた場合に起こる触媒体との激しい酸化反応を招かずに上記の有機ケイ素化合物や無機ケイ素化合物を原料とするシリコン酸化膜の形成を行うことができる。
【0016】
また、Irから成る金属または前記金属を含有して成る合金から成る通電加熱可能な触媒体と前記堆積種を堆積させる基板とを有する成膜室系と、前記触媒体を通電加熱するための電気系と、前記気相堆積反応の圧力条件を調整するための排気系と、前記酸化ガスと被酸化ガスとを含有する混合気体である原料ガスを導入するための導入部とを備える化学気相堆積装置により上記のような酸化膜を形成することができる。
【0017】
【発明の実施の形態】
図1は、本発明に用いる触媒CVD装置の概要を示したものである。本触媒CVD装置は、APC(Automatic Pressure Controller=自動圧力調整器)1とゲートバルブ2とドライポンプ3とから成る排気系と、スライダック4と電流計5と電圧計6とから成る電気系と、触媒線7とチャンバ8と基板9とから成る成膜室系とから構成されており、チャンバ8に導入される原料ガスを触媒線7上で接触分解する反応により堆積種として生成した後に基板9上にシリコン酸化膜を形成するように構成されている。なお、触媒線7はイリジウム金属、基板9はシリコン基板から成り、また、触媒線7の温度は放射温度計10でモニタされている。
【0018】
原料ガスを導入して図1の触媒CVD装置を稼動させる前に、最初に、チャンバ8内に水素ガスを封入ガスとして導入し、APC1により成膜室系を20Pa程度の減圧状態に調整する。次に、触媒線7に電流を流しスライダック4により電圧を次第に増大させ、放射温度計10による触媒線7の測定温度が1800℃を保つようにする。このようにした状態で、水素ガスの導入を停止して原料ガスとしてN2O(酸化ガス)とSiH4(被酸化ガス)とを混合させたものを所定時間導入する。
【0019】
なお、このような水素ガスの導入は、原料ガスの導入前に触媒線7を加熱することにより触媒線7の構成材料が放出されてこの構成材料が成膜された膜中に混入することを防止するために行うものである。触媒線7を水素ガス雰囲気中で加熱することでそのような混入は回避できる。
【0020】
基板9上への堆積に際しては、上記のように導入されたN2OとSiH4とを混合させて成る原料ガスが1800℃に加熱された触媒線7上で接触分解され、SiH4からラジカルまたはイオン状態のSiが生成され、N2Oからラジカルまたはイオン状態のOが生成されて、これらが堆積種として基板9上に堆積されシリコン酸化膜が形成される。
【0021】
上記の堆積過程では、触媒と原料ガスとが、吸着、分解、脱離の各段階を経て反応しているが、いずれの段階でも要する加熱温度はイリジウムの融点よりも低いためイリジウム金属の形状は安定しており、このためシリコン酸化膜の成膜に際し、下記[実施例1]に示すように安定した触媒性能が得られ、基板9上の成膜を確実に行うことができる。
【0022】
最後に、堆積に要する所定時間経過後に、N2OとSiH4とを混合させて成る原料ガスの導入を停止し、再び水素ガスを封入する。このようにした状態で、スライダック4により電圧を低下させ、放射温度計10による触媒線7の測定温度を室温まで低下させる。このような後処理は、原料ガス導入前の前処理と同様に高温状態の触媒線7から放出される物質により、成膜室系が汚染されるのを防止するために行われるものである。
【0023】
なお、本実施の形態では、触媒体を構成する金属としてイリジウムを用いたが、タングステンのように触媒―接触反応の進行を妨げることがない高融点金属であれば触媒体として使用可能であり、例えば、ニオブやルテニウムなどの金属元素を用いることができる。さらに、これらの単体金属のみならず、イリジウム、ニオブ及びルテニウムで構成され、触媒―接触反応における脱離温度より高い融点を有する合金も触媒体として用いることができる。
【0024】
また、本実施の形態では、酸化ガスとしてN2Oガスを用いたが、これ以外にも、CO2、H2O、H2O2など酸素原子を有する酸化性の化合物ガスを用いることができ、さらに、被酸化ガスとしては、SiH4以外にも、TEOS、TEMOSなどの有機ケイ素化合物や、SiCl4、Si2H6などの無機ケイ素化合物を用いることができる。
【0025】
更に、TEOS、TEMOSなどの酸素原子を含む有機ケイ素化合物を用いる場合には、上記のような酸化ガスを用いなくとも酸化膜を形成することができる。
【0026】
【実施例】
[実施例1]図1の触媒CVD装置において、触媒線7にイリジウム金属を用いて上記方法で所定時間の堆積を行い、基板9上にシリコン酸化膜を形成した。所定時間中の触媒線7の電流変化を電流計5で測定したところ、堆積時間に対する触媒線7の電流変化として図2に示す結果が得られた。
【0027】
[比較例1]触媒線7にタングステン金属を用いた以外は[実施例1]と同様にして図1の基板9上にシリコン酸化膜を形成したところ、堆積時間に対する触媒線7の電流変化として図3に示す結果が得られた。
【0028】
触媒線7の堆積時間中の印加電圧は一定に保たれているので、触媒線7の組成や表面積の変化があると抵抗値が変わって電流値が変化する。 [実施例1] は[比較例1] に比べ、堆積時間に亘って安定した電流値を保っており、シリコン酸化膜を形成するための触媒体としてイリジウムが安定した性能を有していることがわかる。
【0029】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明に用いる触媒体は、堆積時間中に亘って酸化物を形成することなく安定した触媒性能を維持できるので、触媒CVD法を用いて確実にシリコン酸化膜を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】触媒CVD装置の概要
【図2】イリジウム金属を用いた触媒線の堆積時間中の電流変化を示すグラフ
【図3】タングステン金属を用いた触媒線の堆積時間中の電流変化を示すグラフ
【符号の説明】
7 触媒線(触媒体)
9 基板
Claims (2)
- 原料ガスと触媒体との接触分解による触媒反応で生成される堆積種を基板上に堆積させて成膜を行う触媒CVD法において、前記原料ガスとして、分子構造中に酸素原子を有するN2O、CO2、H2O、H2O2のうちいずれかから成る酸化ガスと、TEOSまたはTEMOSから成る有機ケイ素化合物、SiH4、SiCl4またはSi2H6から成る無機ケイ素化合物のうちいずれかから成る被酸化ガスとを含有する混合気体を用い、前記触媒体として、前記触媒反応の脱離温度より高い融点を有するIrから成る金属または合金を用い、該融点未満の所定温度に通電加熱した前記金属または合金と前記混合気体とを接触分解させて、該混合気体中の前記酸化ガスと前記被酸化ガスとの反応生成酸化物として前記堆積種を生成し、該堆積種を基板上に堆積させて酸化膜を形成することを特徴とする加熱触媒体を用いた化学気相堆積方法。
- 前記請求項1に記載の化学気相堆積方法に用いられる化学気相堆積装置であって、前記加熱触媒体を用いた化学気相堆積方法により酸化膜を形成するために、Irから成る金属または合金から成る通電加熱可能な触媒体と前記堆積種を堆積させる基板とを有する成膜室系と、前記触媒体を通電加熱するための電気系と、前記気相堆積反応の圧力条件を調整するための排気系と、前記酸化ガスと被酸化ガスとを含有する混合気体である原料ガスを導入するための導入部とを備えることを特徴とする化学気相堆積装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001270385A JP5049433B2 (ja) | 2001-09-06 | 2001-09-06 | 加熱触媒体を用いた化学気相堆積方法及び化学気相堆積装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001270385A JP5049433B2 (ja) | 2001-09-06 | 2001-09-06 | 加熱触媒体を用いた化学気相堆積方法及び化学気相堆積装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003073833A JP2003073833A (ja) | 2003-03-12 |
JP5049433B2 true JP5049433B2 (ja) | 2012-10-17 |
Family
ID=19096046
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001270385A Expired - Fee Related JP5049433B2 (ja) | 2001-09-06 | 2001-09-06 | 加熱触媒体を用いた化学気相堆積方法及び化学気相堆積装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5049433B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009130255A (ja) * | 2007-11-27 | 2009-06-11 | Ulvac Japan Ltd | 成膜装置 |
JP5362512B2 (ja) * | 2009-10-02 | 2013-12-11 | 株式会社アルバック | 触媒化学気相成長装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6340314A (ja) * | 1986-08-05 | 1988-02-20 | Hiroshima Univ | 触媒cvd法による薄膜の製造法とその装置 |
JP3145536B2 (ja) * | 1993-05-28 | 2001-03-12 | 京セラ株式会社 | 触媒cvd装置 |
JP3132489B2 (ja) * | 1998-11-05 | 2001-02-05 | 日本電気株式会社 | 化学的気相成長装置及び薄膜成膜方法 |
JP4459329B2 (ja) * | 1999-08-05 | 2010-04-28 | キヤノンアネルバ株式会社 | 付着膜の除去方法及び除去装置 |
-
2001
- 2001-09-06 JP JP2001270385A patent/JP5049433B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2003073833A (ja) | 2003-03-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4512098B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 | |
TWI610346B (zh) | 製造半導體裝置的方法、基板處理設備、及記錄媒體 | |
KR100861851B1 (ko) | 실리콘 산화막 형성 방법 및 장치 | |
JP2776726B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2006511946A (ja) | 高品質の低温窒化シリコン膜を形成するための方法及び装置 | |
US4501769A (en) | Method for selective deposition of layer structures consisting of silicides of HMP metals on silicon substrates and products so-formed | |
JP2009158918A (ja) | 選択的酸化プロセスの酸化物成長速度の改良方法 | |
EP1713952A2 (en) | A method and apparatus for forming a high quality low temperature silicon nitride layer | |
JP3355236B2 (ja) | 半導体メモリ装置のキャパシタ製造方法 | |
KR100752559B1 (ko) | 유전체막의 형성 방법 | |
TWI392023B (zh) | Treatment of amorphous carbon film | |
JP2007042884A (ja) | 成膜方法及び成膜装置 | |
JP2006511087A (ja) | 高品位低温窒化シリコン層を形成する方法および装置 | |
KR100485386B1 (ko) | 금속막 증착용 조성물 및 이를 이용한 금속막 형성 방법 | |
JP5296714B2 (ja) | アモルファスハイドロカーボン膜の後処理方法およびその方法を用いた電子デバイスの製造方法 | |
JP2006269621A (ja) | Aldによる薄膜形成方法および装置 | |
JP5049433B2 (ja) | 加熱触媒体を用いた化学気相堆積方法及び化学気相堆積装置 | |
JPH05221644A (ja) | 酸化タンタル薄膜の製造方法 | |
KR101548129B1 (ko) | 증착 챔버 내에서 산화로부터의 도전체 보호 | |
US6238737B1 (en) | Method for protecting refractory metal thin film requiring high temperature processing in an oxidizing atmosphere and structure formed thereby | |
KR20230074116A (ko) | 배리어 특성들을 개선하기 위한 티타늄 재료의 질화물 캡핑 | |
JPH05102422A (ja) | 酸化タンタル薄膜の形成方法 | |
JP2008231473A (ja) | 膜形成方法および膜形成材料 | |
JPH0327565A (ja) | 容量絶縁膜の形成方法 | |
JP3665766B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20070518 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20070518 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080626 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110215 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110222 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110425 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120124 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120326 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120717 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120723 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150727 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5049433 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |