JP5045438B2 - 2−ヒドロキシイソ酪酸グリシジルの製造法及び該製造物を含む組成物 - Google Patents
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(1)2−ヒドロキシイソ酪酸アリルを、触媒としての結晶性チタノシリケート及び溶媒としての脂肪族エステル類の存在下、過酸化水素と反応させることを特徴とする、2−ヒドロキシイソ酪酸グリシジルの製造方法。
(2)触媒である結晶性チタノシリケートがペンタシル型チタノシリケートである、(1)に記載の2−ヒドロキシイソ酪酸グリシジルの製造方法。
(3)溶媒である脂肪族エステル類が、酢酸エチル、ギ酸メチル、炭酸ジメチルから選ばれる何れか一種以上である、(1)に記載の2−ヒドロキシイソ酪酸グリシジルの製造方法。
(4)過酸化水素との反応に過酸化水素水を用いる、(1)に記載の2−ヒドロキシイソ酪酸グリシジルの製造方法。
(5)反応に供する過酸化水素のモル比が2−ヒドロキシイソ酪酸アリルに対して0.2以上1.0以下である、(1)〜(4)に記載の2−ヒドロキシイソ酪酸グリシジルの製
造方法。
(6)反応に供する過酸化水素のモル比が2−ヒドロキシイソ酪酸アリルに対して0.3以上0.7以下である、(5)に記載の2−ヒドロキシイソ酪酸グリシジルの製造方法。
(7)2−ヒドロキシイソ酪酸アリル、触媒としての結晶性チタノシリケート、溶媒としての脂肪族エステル類を混合した懸濁液に、所定量の過酸化水素水を注加することを特徴とする、(1)〜(6)に記載の2−ヒドロキシイソ酪酸グリシジルの製造方法。
(8)2−ヒドロキシイソ酪酸アリルと脂肪族エステル類からなる溶液、及び過酸化水素を含む溶液を、結晶性チタノシリケートを充填した触媒層又は結晶性チタノシリケートを含んだ懸濁液に導入する、(1)〜(6)に記載の2−ヒドロキシイソ酪酸グリシジルの製造方法。
(9)(1)〜(8)の何れかに記載の製造方法によって得られる2−ヒドロキシイソ酪酸グリシジルを含むエポキシ樹脂用反応性希釈剤。
(10)(9)に記載の樹脂用反応性希釈剤を含むエポキシ樹脂組成物。
参考例
TS−1触媒
テトラエチルオルトシリケート106.6gとテトラエチルオルトチタネート3.10gを、内容積500mlの四つ口フラスコに入れ、窒素気流下、滴下ポンプを用いて19.1重量%テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド水溶液195.1gを100g/時間の速度で滴下した。滴下の間中、反応液温度は23〜25℃の範囲になるように調節した。滴下終了後、17時間攪拌を続け、加水分解を完全に進行させた後、反応液を80℃に加熱し加水分解で生成したエタノールを反応液から留去し、透明なゾルを得た。得られたゾルに蒸留水110gを加え、溶液全体の重量を262gとした後、SUS316製の500mlオートクレーブに充填した。
オートクレーブ内の気体を窒素で置換した後、密閉して170℃に2日間加熱後、210℃に昇温してさらに2日間210℃に保持した後、室温に冷却した。白色固体を含む液を遠心分離機を用いて3000rpmで20分間遠心分離を行い、ほぼ透明な上澄み液と白色のチタノシリケート粒子とに分離した。得られた白色チタノシリケート粒子を蒸留水で洗浄後、80℃で6時間乾燥した。十分に乾燥した後、電気炉で空気中、550℃で6時間焼成処理を行い、18.5gの結晶性チタノシリケートを得た(以下、この触媒をTS−1と略称する。)。このTS−1のX線回折及び赤外吸収スペクトルは特許文献4に記載されている各スペクトル図と同一であった。
テトラエチルオルトシリケート52.0gとテトラエチルオルトチタネート1.47gを、内容積300mlの四つ口フラスコに入れ、窒素気流下、滴下ポンプを用いて26重量%テトラブチルアンモニウムヒドロキシド水溶液100.0gを80g/時間の速度で滴下した。滴下の間中、反応液温度は23〜25℃の範囲になるように調節した。滴下終了後、17時間攪拌を続け、加水分解を完全に進行させた後、反応液を70〜80℃に加熱し加水分解で生成したエタノールを反応液から留去し、透明なゾルを得た。得られたゾルに蒸留水25gを加え、溶液全体の重量を103gとした後、SUS316製の500mlオートクレーブに充填した。
オートクレーブ内の気体を窒素で置換した後、密閉して170℃に2日間加熱後、210℃に昇温してさらに2日間210℃に保持した後、室温に冷却した。白色固体を含む液を遠心分離機を用いて3000rpmで20分間遠心分離を行い、ほぼ透明な上澄み液と白色のチタノシリケート粒子とに分離した。得られた白色チタノシリケート粒子を蒸留水で洗浄後、80℃で6時間乾燥した。十分に乾燥した後、電気炉で空気中、550℃で6時間焼成処理を行い、13.6gの結晶性チタノシリケートを得た(以下、この触媒をTS−2と略称する。)。このTS−2のX線回折及び赤外吸収スペクトルは非特許文献3に報告されている各スペクトル図と同一であった。
2−ヒドロキシイソ酪酸アリル20g(0.139モル)と酢酸エチル5.0g(0.057モル)及び上記触媒調製例で調製したTS−1触媒1.0gを磁気攪拌器、温度計、還流冷却管を備えた100ml三口フラスコに仕込み、ついで60重量%過酸化水素水5.25g(0.093モル、原料2−ヒドロキシイソ酪酸アリル:過酸化水素モル比=1.5:1)を反応温度70℃で10分かけて滴下した。滴下終了後さらに70℃で4時間攪拌を続け反応を完結させた。反応終了後触媒を濾別した反応液中の2−ヒドロキシイソ酪酸アリルの残存量は8.17g(0.0567モル)、生成2−ヒドロキシイソ酪酸グリシジル量は11.90g(0.0744モル)であった。添加した過酸化水素基準の2−ヒドロキシイソ酪酸グリシジルのモル収率は80.3%、原料2−ヒドロキシイソ酪酸アリルに対する2−ヒドロキシイソ酪酸グリシジルの選択率は90.4%であった。
2−ヒドロキシイソ酪酸アリル20g(0.139モル)及び上記触媒調製例で調製したTS−1触媒1.0gを磁気攪拌器、温度計、還流冷却管を備えた100ml三口フラスコに仕込み、ついで60重量%過酸化水素水5.25g(0.093モル、原料2−ヒドロキシイソ酪酸アリル:過酸化水素モル比=1.5:1)を反応温度70℃で10分かけて滴下した。滴下終了後さらに70℃で4時間攪拌を続け反応を完結させた。反応終了後触媒を濾別した反応液中の2−ヒドロキシイソ酪酸アリルの残存量は18.69g(0.130モル)、生成2−ヒドロキシイソ酪酸グリシジル量は0.16g(0.001モル)であった。添加した過酸化水素基準の2−ヒドロキシイソ酪酸グリシジルのモル収率は1.08%、原料2−ヒドロキシイソ酪酸アリルに対する2−ヒドロキシイソ酪酸グリシジルの選択率は10.9%であった。
内容積20mlのSUS316製オートクレーブに2−ヒドロキシイソ酪酸アリル2.04g(0.014モル)、酢酸エチル2.64g(0.03モル)、60重量%過酸化水素水0.51g(0.009モル)および上記の触媒調製例で調製したTS−1触媒0.2gを仕込み内容物を磁気攪拌器で攪拌させながら70℃で2時間反応させた。反応終了後触媒を濾別した反応液中の2−ヒドロキシイソ酪酸アリルの残存量は0.92g(0.0064モル)、生成2−ヒドロキシイソ酪酸グリシジル量は1.20g(0.0075モル)であった。添加した過酸化水素基準の2−ヒドロキシイソ酪酸グリシジルのモル収率は83.3%、原料2−ヒドロキシイソ酪酸アリルに対する2−ヒドロキシイソ酪酸グリシジルの選択率は96.4%であった。結果を表1に示す。
内容積20mlのSUS316製オートクレーブに2−ヒドロキシイソ酪酸アリル2.05g(0.014モル)、酢酸エチル2.64g(0.03モル)、60重量%過酸化水素水0.51g(0.009モル)及び上記の触媒調製例で調製したTS−2触媒0.2gを仕込み内容物を磁気攪拌器で攪拌させながら70℃で2時間反応させた。反応終了後触媒を濾別した反応液中の2−ヒドロキシイソ酪酸アリルの残存量は0.85g(0.0059モル)、生成2−ヒドロキシイソ酪酸グリシジル量は1.21g(0.0076モル)であった。添加した過酸化水素基準の2−ヒドロキシイソ酪酸グリシジルのモル収率は84.2%、原料2−ヒドロキシイソ酪酸アリルに対する2−ヒドロキシイソ酪酸グリシジルの選択率は91.2%であった。結果を表1に示す。
(1)触媒成型
上記触媒調製例で調製したTS−1触媒98重量部にカルボキシメチルセルロースアンモニウム2重量部を加えラボミルでよく混合した後、適量の水を加えてペースト状にした。得られたペーストを150℃に保ったオーブンで乾燥し、得られた固形物をアルミナるつぼに移して550℃で5時間焼成した。得られた固形物を10〜20メッシュに破砕し反応に用いた。
(2)固定床流通反応
ジャケットを備えた内径15mmΦ長さ600mmのガラス製反応器に上記成型触媒を42g充填した。ジャケットには65℃の温水を流した。2−ヒドロキシイソ酪酸アリル40重量部、酢酸エチル60重量部の割合で混合した原料液1を160g/hrで、60%過酸化水素水を16.8g/hrで同時に反応管に通し、反応を行なった。発熱反応のため触媒層の上から3〜5cmのところに発熱帯が現れた。発熱ピークの温度は70〜80℃であった。反応器出口より得られた液を分析した。反応開始からの経過時間と収率及び選択率との関係を表2に示す。
Claims (8)
- 2−ヒドロキシイソ酪酸アリルを、触媒としての結晶性チタノシリケート及び溶媒としての脂肪族エステル類の存在下、過酸化水素と反応させることを特徴とする、2−ヒドロキシイソ酪酸グリシジルの製造方法。
- 触媒である結晶性チタノシリケートがペンタシル型チタノシリケートである、請求項1に記載の2−ヒドロキシイソ酪酸グリシジルの製造方法。
- 溶媒である脂肪族エステル類が、酢酸エチル、ギ酸メチル、炭酸ジメチルから選ばれる何れか一種以上である、請求項1に記載の2−ヒドロキシイソ酪酸グリシジルの製造方法。
- 過酸化水素との反応に過酸化水素水を用いる、請求項1に記載の2−ヒドロキシイソ酪酸グリシジルの製造方法。
- 反応に供する過酸化水素のモル比が2−ヒドロキシイソ酪酸アリルに対して0.2以上1.0以下である、請求項1〜4のいずれかに記載の2−ヒドロキシイソ酪酸グリシジルの製造方法。
- 反応に供する過酸化水素のモル比が2−ヒドロキシイソ酪酸アリルに対して0.3以上0.7以下である、請求項5に記載の2−ヒドロキシイソ酪酸グリシジルの製造方法。
- 2−ヒドロキシイソ酪酸アリル、触媒としての結晶性チタノシリケート、溶媒としての脂肪族エステル類を混合した懸濁液に、所定量の過酸化水素水を注加することを特徴とする、請求項1〜6のいずれかに記載の2−ヒドロキシイソ酪酸グリシジルの製造方法。
- 2−ヒドロキシイソ酪酸アリルと脂肪族エステル類からなる溶液、及び過酸化水素を含む溶液を、結晶性チタノシリケートを充填した触媒層又は結晶性チタノシリケートを含んだ懸濁液に導入する、請求項1〜6のいずれかに記載の2−ヒドロキシイソ酪酸グリシジルの製造方法。
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