JP5024224B2 - シリコン基板の評価方法、汚染検出方法及びエピタキシャル基板の製造方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 134
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 112
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 112
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims description 112
- 238000011109 contamination Methods 0.000 title claims description 28
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 title claims description 23
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 43
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 39
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 39
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 34
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 34
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 26
- 238000006388 chemical passivation reaction Methods 0.000 claims description 13
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 13
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 10
- DHEIAYDROZXXGS-UHFFFAOYSA-N ethanol;iodine Chemical compound [I].CCO DHEIAYDROZXXGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 9
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 33
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 23
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 23
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 13
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 10
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 8
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 3
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- BDJXVNRFAQSMAA-UHFFFAOYSA-N quinhydrone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1.O=C1C=CC(=O)C=C1 BDJXVNRFAQSMAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940052881 quinhydrone Drugs 0.000 description 2
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
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そこで、近年の低金属不純物濃度のシリコン基板の金属不純物の影響をμPCD法で評価しようとすると、金属不純物濃度が低くなったため、WLT値が高く(1000μsec以上)なってきた。
近年の高WLT値化によってバルクライフタイム(τB)は高値化しているため、表面再結合での再結合ライフタイム(τS.R)のWLT値(τeff)への影響が大きくなってきており、バルクライフタイム(τB)≒WLT値(τeff)と見なせなくなってきた。
このため、この表面再結合をできるだけ抑制する必要があるが、従来行われている測定条件では表面再結合速度を遅くできなかったため、表面再結合を十分に抑制することができず、正確なバルクライフタイム評価を行うことが非常に困難となってきていた。
ケミカルパッシベーションを行った場合のP型シリコン基板の測定の際にキャリアの注入量を上述の範囲とすることによって、キャリアの表面再結合を従来に比べて大きく抑制することのできるキャリアの注入条件とすることができる。またN型の場合のキャリアの注入量をP型とは異なる上述の範囲とすることによって、キャリアの表面再結合を大きく抑制することができる。
これらによって、基板中の金属不純物を高感度で評価することができ、現状の高WLT値にも十分に対応することのできるシリコン基板の評価方法とすることができる。
このように、シリコン基板の厚さを500μm以上とすることによって、シリコン基板の強度を確保することができるため、評価の際にシリコン基板の扱いが困難なものとなることを抑制することができる。また1000μm以下とすることによって、シリコン基板に注入するキャリアの注入に用いるレーザー光に強力なものを用いることなく、一般的に用いられている強度の光源を用いることができるため、評価を容易に実施することができる。
このように、簡便なヨウ素エタノール法であれば、測定の前処理が非常に容易なものとすることができ、評価時間の短縮や評価コストの低減を図ることができる。
前述のように、本発明のシリコン基板の評価方法は、基板内の金属不純物の影響を高感度で検出することができる。従って、金属汚染の有無を評価したい熱処理炉で熱処理を行ったシリコン基板の金属不純物濃度を本発明のシリコン基板の評価方法を用いて評価することによって、従来に比べ、金属不純物の影響を高精度で評価することができる。
このように、本発明の汚染検出方法によって気相成長炉の金属不純物汚染をモニターすることによって、従来に比べて、金属不純物で汚染された気相成長炉でシリコン基板上に単結晶薄膜を気相成長させてしまうことを抑制することができる。このため、シリコン基板上に単結晶薄膜を形成する際に、作製したエピタキシャル基板や単結晶薄膜が金属不純物で汚染される可能性をより低減することができる。
前述のように、本発明の汚染検出方法によれば、気相成長炉内の金属不純物の有無を厳密に管理することができるため、このような気相成長炉で製造したエピタキシャル基板は、金属不純物濃度を低減させたものとすることができる。
前述のように、基板表面での再結合を従来より抑制することによって、基板中の金属不純物濃度を高感度で正確に評価することのできるシリコン基板の評価方法の開発が待たれていた。
その結果、ケミカルパッシベーションでシリコン基板表面に再結合抑制膜を形成する場合、シリコン基板の導電型でキャリアの注入量を変え、シリコン基板の厚みが500μmから1000μmの範囲では、P型の場合は、1×1012〜1×1013Photons/cm2と、N型の場合は1×1014〜5×1014Photons/cm2とすることによって、シリコン基板表面でのキャリアの表面再結合を従来に比べて大きく抑制することができることを発見し、本発明を完成させた。
準備するシリコン基板には、特に制限はないが、本発明においては導電型によって後述のキャリアの注入条件を変えるため、少なくとも導電型は把握しておく。また、シリコン基板は抵抗率が高ければ高いほど望ましい。例えば、シリコン基板がP型の場合は1000Ω・cm以上、N型の場合は500Ω・cm以上とすることが望まれる。
準備するシリコン基板の厚さが500μm以上あれば、評価の際のハンドリングに支障がきたすことを防止することができ、厚さが1000μm以下であれば、シリコン基板に注入するキャリアの注入に用いるレーザー光に強力なものを用いることなく、一般的に用いられている強度の光源を用いることができるため、評価を容易に実施することができる。
このケミカルパッシベーション法は、一般的な条件であれば良く、例えば、ヨウ素エタノール溶液(例えば濃度0.005〜0.5mol/L)、HF水溶液(例えば濃度0.1〜20%)、キンヒドロンメタノール液(例えば濃度0.005〜0.5mol/L)、キンヒドロン・エタノール液(例えば濃度0.005〜0.5mol/L)等によってパッシベーションすることができる。特にヨウ素エタノール溶液を用いることが好ましい。
このように実施が容易なヨウ素エタノール溶液を用いたケミカルパッシベーションによって、容易にキャリアの表面再結合を抑制する膜を形成することができる。このため、評価準備に掛かる時間を短くすることができ、評価工数の低減を図ることができる。このため、評価コストを低減することができる。
まず、パッシベーション膜が形成されたシリコン基板の表面にマイクロ波を照射しながら、キャリアを励起させるためのレーザー光を照射する。次にシリコン基板からのマイクロ波の透過波又は反射波を検出する。そしてマイクロ波の透過波又は反射波の変化に基づいて上記シリコン基板中に誘起されたキャリアのライフタイムを測定する。
そしてこの測定値を解析することによって、シリコン基板中の金属不純物濃度を評価する。
この準備するシリコン基板は、通常の規格のものでよいが、高抵抗率のものが好ましく、このような高抵抗の基板はFZ法で作製することが望ましい。
そして熱処理炉の金属汚染が検出された場合は、熱処理炉の洗浄、パーツの交換等の金属不純物低減のための処理を行う。
このように、本発明の汚染検出方法によって気相成長炉の金属不純物汚染の有無を検出すれば、高温熱処理が必須の気相成長工程において、工程後にシリコン基板が金属不純物に汚染される可能性を低減させることができる。
前述のように、本発明の汚染検出方法によって金属不純物の有無の管理を行った気相成長炉は、金属不純物濃度が厳密に管理されたものであるため、このような気相成長炉を用いてシリコン基板上に単結晶薄膜を気相成長させることによって、金属不純物濃度を低減させたエピタキシャル基板を製造することができる。
(実験例1)
シリコン基板として、N型のFZ法で作製した直径6インチ(150mm)・厚さ700μmのシリコン単結晶基板を3枚準備した。このうち2枚は抵抗率が680〜820Ω・cm(以下750Ω・cmと表記)、残りの1枚が42〜58Ω・cm(以下50Ω・cmと表記)とした。ドーパントにはPを用いた。また抵抗率750Ω・cmのシリコン基板のうちの片方の基板には、その両主表面に厚さ10μmのノンドープの単結晶薄膜を気相成長させた。
この時のキャリア励起のためのレーザー光の入射強度(キャリア注入量)を1×1012〜1×1015Photons/cm2の間で変化させた。その結果を図1に示す。図1は、N型のシリコン基板をキャリア注入量を変化させてμPCD法で評価した時のキャリア注入量とWLT値の関係を示した図である。図1の横軸はキャリア注入量、縦軸はWLT値である。
なお、従来は装置の仕様の都合等の問題により、キャリア注入は2×1013〜1×1014Photons/cm2未満の間で行われていた。
また、抵抗率が50Ω・cmの低抵抗率のN型シリコン基板も、高抵抗率のN型シリコン基板の時と同様に低キャリア注入量のときにWLT値が最大をとる傾向は同様なことが判った。
以上を総合すると、キャリア注入量の上限を5×1014Photons/cm2とすることが求められる。またこれ以上のキャリア注入は実現が困難であり、この点からも、5×1014Photons/cm2を上限とすることが望まれる。
次に、シリコン基板として、P型のFZ法で作製した直径6インチ(150mm)・厚さ700μmのシリコン単結晶基板を3枚準備した。このうち2枚は抵抗率が2000Ω・cm以上(以下2000Ω・cmと表記)、残りの1枚が20〜40Ω・cm(以下30Ω・cmと表記)とした。ドーパントにはBを用いた。また抵抗率2000Ω・cm以上のシリコン基板のうちの片方の基板には、その両主表面に厚さ10μmのノンドープの単結晶薄膜を気相成長させた。
この時のキャリア励起のためのレーザー光の入射強度(キャリア注入量)を1×1011〜1×1014Photons/cm2の間で変化させた。その結果を図2に示す。図2は、P型のシリコン基板をキャリア注入量を変化させてμPCD法で評価した時のキャリア注入量とWLT値の関係を示した図である。図2の横軸はキャリア注入量、縦軸はWLT値である。
また、抵抗率が30Ω・cmの低抵抗率のP型シリコン基板の場合でも、高抵抗率のP型シリコン基板の時と同様に1×1012〜1×1013Photons/cm2のキャリア注入量のときにWLT値が最大をとる傾向は同様であることが判った。
Claims (6)
- マイクロ波光導電減衰法少数キャリアライフタイム法により、シリコン基板の金属汚染を評価する方法であって、
前記シリコン基板の表面にケミカルパッシベーション法によりパッシベーション膜を形成した後に、マイクロ波光導電減衰法少数キャリア励起のために前記シリコン基板がP型シリコン基板の場合は1×1012〜1×1013Photons/cm2、N型シリコン基板の場合は1×1014〜5×1014Photons/cm2のキャリア注入を行って、前記シリコン基板中のウェーハライフタイム値を測定することを特徴とするシリコン基板の評価方法。 - 前記シリコン基板の厚さを500〜1000μmとすることを特徴とする請求項1に記載のシリコン基板の評価方法。
- 前記ケミカルパッシベーション法は、ヨウ素エタノール法とすることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のシリコン基板の評価方法。
- 熱処理炉でシリコン基板を熱処理し、その後、請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載のシリコン基板の評価方法によって該熱処理後のシリコン基板のウェーハライフタイム値を測定し、該測定値を用いて前記熱処理炉の金属汚染の有無を検出することを特徴とする汚染検出方法。
- 前記熱処理炉を、気相成長炉とすることを特徴とする請求項4に記載の汚染検出方法。
- 請求項5に記載の汚染検出方法によって汚染を管理した気相成長炉を用いて、シリコン基板上に単結晶薄膜を気相成長させることを特徴とするエピタキシャル基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008202717A JP5024224B2 (ja) | 2008-08-06 | 2008-08-06 | シリコン基板の評価方法、汚染検出方法及びエピタキシャル基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008202717A JP5024224B2 (ja) | 2008-08-06 | 2008-08-06 | シリコン基板の評価方法、汚染検出方法及びエピタキシャル基板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010040813A JP2010040813A (ja) | 2010-02-18 |
JP5024224B2 true JP5024224B2 (ja) | 2012-09-12 |
Family
ID=42013037
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008202717A Active JP5024224B2 (ja) | 2008-08-06 | 2008-08-06 | シリコン基板の評価方法、汚染検出方法及びエピタキシャル基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5024224B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5455393B2 (ja) * | 2009-02-20 | 2014-03-26 | Sumco Techxiv株式会社 | 半導体ウエハの再結合ライフタイム測定方法 |
JP5561217B2 (ja) * | 2011-03-18 | 2014-07-30 | 信越半導体株式会社 | ライフタイム値の測定方法及びこれを用いたウエーハの選別方法 |
JP2013105914A (ja) * | 2011-11-14 | 2013-05-30 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 気相成長装置の清浄度評価方法 |
JP5741467B2 (ja) * | 2012-02-07 | 2015-07-01 | 信越半導体株式会社 | 気相成長装置の清浄度評価方法 |
JP5884705B2 (ja) | 2012-10-16 | 2016-03-15 | 信越半導体株式会社 | 気相成長装置の汚染量測定方法及びエピタキシャルウェーハの製造方法 |
JP5839343B2 (ja) * | 2012-11-21 | 2016-01-06 | 信越半導体株式会社 | 気相成長装置の汚染検出方法及びエピタキシャルウェーハの製造方法 |
CN108735575A (zh) * | 2017-04-18 | 2018-11-02 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 晶圆处理方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2847228B2 (ja) * | 1993-12-22 | 1999-01-13 | 住友金属工業株式会社 | 半導体治具材料の評価方法 |
JP3670051B2 (ja) * | 1995-06-06 | 2005-07-13 | 株式会社神戸製鋼所 | 半導体試料のキャリアのライフタイム測定方法及びその装置 |
JPH11166907A (ja) * | 1997-12-03 | 1999-06-22 | Kobe Steel Ltd | ライフタイム測定用標準ウェーハ |
-
2008
- 2008-08-06 JP JP2008202717A patent/JP5024224B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010040813A (ja) | 2010-02-18 |
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A621 | Written request for application examination |
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R250 | Receipt of annual fees |
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S531 | Written request for registration of change of domicile |
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