JP5011598B1 - ブチレン類液晶化合物 - Google Patents

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Abstract

本発明は、負の誘電率を有する液晶ディスプレイ材料として有用な液晶化合物、及びこのような化合物を使用する混合液晶材料に関する。上記の新規なネマティック相液晶化合物は負の誘電率を有し、下記の一般式(1)で表される構造を有する。式中、R1は、水素原子、又は炭素原子数1〜8の直鎖アルキル基、又は炭素原子数1〜8の直鎖アルケニル基を表すか、或いは、R1は、上記の直鎖アルキル基若しくは直鎖アルケニル基中の1個若しくは隣接しない2個のCH2を酸素原子で置換して形成されるアルコキシ基又はアルケノキシ基を表し、R1基の0〜4個の水素原子がフッ素で置換されてもよく、R2は、水素原子、又は炭素原子数1〜8の直鎖アルキル基を表すか、或いは、R2は、炭素原子数1〜8の直鎖フルオロアルキル基を表し、その基の中の0〜4個の水素がフッ素で置換されてもよく、Aは、ベンゼン環又は1,4−シクロヘキサン環を表し、Aが上記ベンゼン環である場合には、上記ベンゼン環上の0〜4個の水素原子がフッ素で置換されてもよく、n=1〜2であり、m=0〜2である。
【化1】

Description

発明の詳細な説明
[技術分野]
本発明は、負の誘電率を有する液晶ディスプレイ材料として有用な液晶化合物、及びこのような化合物を使用する混合液晶材料に関する。
[背景技術]
液晶ディスプレイは、エネルギー消費量が低い、耐用年数が長い、人体及び環境への影響が少ない、及び運搬に便利であるといった特性のために、ポータブルコンピュータ、テレビ、各種家庭用電気器具ディスプレイ、工業用表示計器、自動車のメータ、デスクトップモニタ、航空宇宙分野などにおいて広く使用されている。液晶の一般的な作動方式には、TN(ねじれネマティック)、STN(超ねじれネマティック)、TFT(薄膜トランジスタ)、GH(ゲストホスト)などが含まれる。
中でも、TFTは薄膜トランジスタアレイを使用して液晶分子を直接駆動することによって交差歪み効果を排除するため、表示される情報の容量が大きい。低粘度の液晶材料と併用することにより、TFTの応答速度が著しく向上し、ビデオ画像の表示による要求を満たすことができるため、TFTディスプレイ方式が現在のところ高級ディスプレイにおける主流の表示方式となっている。次いで、TFTディスプレイ方式はIPS(面内切替)、VA(垂直配向)、TN(ねじれネマティック相)方式に分類される。中でも、VA方式、並びにVA方式から発達したMVA及びPVA方式は、全て、負の誘電率をもつ液晶材料を使用するものである。アクティブマトリクスによって駆動されるVA、MVA及びPVAディスプレイ方式は、速い応答速度、広い視角及び高い解像度を備えるディスプレイ用途において競争力が比較的強い。それゆえに、化学合成の専門家は、新しい構造及び良好な性能を有する負の液晶を合成するために絶えず努力している。
VAディスプレイ方式に使用される液晶材料は、低電圧での駆動、高い応答速度及び比較的広い動作温度範囲を必要とし、特に低温状態での安定性を必要とするので、誘電率が極めて大きい、粘度が低い、透明点が高い、融点が低いなどの特性を有する液晶が要求される。複屈折(Δn)とセル厚さ(d)の積は入射光の波長(γ)と関係しているため、セル厚さを大幅に減少させて高い応答速度を実現するのは適切ではないであろう。一般に、応答速度は粘度を減少させることによって増加し、その一方で、応答速度は液晶材料の弾性定数を増大させることによっても増加することができる。
ディスプレイでは液晶の様々な指標に関する要件が定められるため、実用においては単一の化合物では全ての厳しい要件を満たすことは難しい。表示特性を高めるという目的を達成するために、様々な液晶モノマーを科学的に配合することによって機能的な短所を補完できるが、それには、混合された液晶材料が良好な混和性を必然的に有している必要がある。そのような液晶は環境の影響をほとんど受けず、低温下において結晶化又はスメクティック相の発生を生じないと見込まれることにより、上記の液晶の適用範囲が広くなる。
一般に、液晶分子の中に離れ合った不飽和二重結合を組み込むことにより、液晶の弾性定数の増加、溶解特性の向上、低温での優れた流動性、透明点の上昇及び結晶化温度の低下が実現できる。分子中に柔軟な基を組み込むことにより、スメクティック相が形成される可能性の減少、及び液晶の溶解性の上昇を起こすことができる。
特許1(WO9827036A1)には、構造中に架橋としてブタンを含む化合物が開示されているが、さらにブチレンの液晶にまで関係するものではない。特許1は化合物の性質及び関連するデータを提供しているが、液晶の範囲は十分に広くはない。
特許2(WO2008090780)は構造中にブチレンをもつ液晶に関するものであるが、負の液晶又は本発明の化合物のいずれにも関係するものではない。
本発明は、液晶の相転移の範囲が比較的広く、良好な化学的安定性を有する、一連の新規な負の液晶を開発するものである。混合された液晶に上記の新規液晶を加えることにより、凝固点の降下、透明点の上昇及び負の誘電率の絶対値の増加を生じさせることができ、応用の際に非常に有益となる。
[発明の概要]
本発明は、粘度が低く、誘電率の絶対値が大きく、化学的安定性が良好であり、照明された高温環境に対する安定性を有する、新規で有益な負の液晶材料を提供する。本発明はまた、上記の液晶を合成する方法も提供する。
上記の化合物は以下の構造式(1):
Figure 0005011598

[式中、R1は、水素原子、又は炭素原子数1〜8の直鎖アルキル基、又は炭素原子数2〜8の直鎖アルケニル基を表すか、或いは、R1は、前記直鎖アルキル基若しくは直鎖アルケニル基中の1個若しくは隣接しない2個のCH2を酸素原子で置換して形成されるアルコキシ基又はアルケノキシ基を表し、その基の中の0〜4個の水素原子はフッ素で置換されてもよい。R2は、水素原子、又は炭素原子数1〜8の直鎖アルキル基を表し、その基の中の0〜4個の水素原子はフッ素で置換されてもよい。Aは、ベンゼン環又は1,4−二置換シクロヘキサン環を表し、Aがベンゼン環である場合には、ベンゼン環上の0〜4個の水素原子がフッ素で置換されてもよい。n=1〜2であり、m=0〜2である。]
で表される。
一連の化合物は以下の方法によって合成される。例として、
Figure 0005011598

すなわち1−(4−ビニルシクロヘキシル)−4−(4−エトキシ−2,3−ジフルオロフェニル)−ブチレンを取り上げる。
1.アルデヒドの合成
Figure 0005011598
2.ホスフィン塩の合成
Figure 0005011598
3.1−(4−ビニルシクロヘキシル)−4−(4−エトキシ−2,3−ジフルオロフェニル)−ブチレンの合成
Figure 0005011598
このようなブチレン類を調製する方法において、本発明では対応するホスフィン塩及びアルデヒドを使用し、塩基の存在下でウィッティヒ反応を行い、cis/trans型が混合したオレフィンを製造し、次にこれをtrans−オレフィンにさらに変換する。上記のウィッティヒ反応において、使用する塩基はカリウムtert−ブトキシド、水素化ナトリウム、ブチルリチウム、フェニルリチウムなどであってもよく、好ましくはカリウムtert−ブトキシドである。反応溶媒はエーテル溶媒又は芳香族溶媒から選択することができ、エーテル溶媒はテトラヒドロフラン、エチルエーテル、メチルtert−ブチルエーテル、ジオキサンなどから選択することができ、好ましくはテトラヒドロフラン又はメチルtert−ブチルエーテルであり、芳香族溶媒はトルエン、キシレンなどから選択することができる。上記の溶媒は単独で使用することもでき、又は2つ以上の溶媒の混合物として使用することもできる。
反応温度は好ましくは−30〜40℃の範囲であり、より好ましくは−20〜0℃である。得られた生成物はエーテル、芳香族、ハロ炭化水素などから選択される溶媒を用いて抽出してもよく、エーテル溶媒はエチルエーテル、メチルtert−ブチルエーテルなどから選択することができ、芳香族溶媒はトルエン、キシレン、ハロベンゼンなどから選択することができ、ハロ炭化水素はジクロロエタン、塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素などであってもよい。
cis−オレフィンをtrans−オレフィンに変換する反応において、ベンゼンスルフィン酸、又はベンゼンスルフィン酸ナトリウムと酸の混合物を使用することができる。使用する溶媒はアルコール溶媒又は芳香族溶媒であり、アルコール溶媒はメタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノールなどの低級脂肪アルコールであってもよく、好ましくはエタノールである。芳香族溶媒はトルエン、キシレンなどから選択することができ、好ましくはトルエンである。上記の溶媒は単独で使用することもでき、又は2つ以上の溶媒の混合物として使用することもできる。
[発明の実施形態]
以下の典型的な例によって、さらに本発明を詳細に例示するが、本発明は決して、それらの例に限定されるものではない。化合物の構造は核磁気共鳴(NMR)、ガスクロマトグラフィ質量分析法(GC−MS)などによって決定することができる。
以下は幾つかの通常の化合物の略語であり、単に本発明を例示する目的において有用なものである。
THF テトラヒドロフラン
DMF N,N−ジメチルホルムアミド
t−BUOK カリウムtert−ブトキシド
MS−CL メチルスルホニルクロリド
MTC (メトキシメチル)トリフェニルホスホニウムクロリド
TPEBr (1,3−ジオキソラン−2−イルメチル)トリフェニルホスホニウムブロミド
DMAP 4−N,N−4−ジメチルアミノピリジン
PPh3 トリフェニルホスフィン
以下は、本発明の化合物の構造を表す記号である。
V エチレンを表す
C 1,4−二置換シクロヘキサンを表す
W 2,3−ジフルオロベンゼンを表す
0 酸素原子を表す
1〜12 1〜12個の炭素原子を有する直鎖アルキルを表す
以下は、本発明で使用される液晶化合物において用いられる構造及び略号である。
Figure 0005011598
実施例1
1−(trans−ビニルシクロヘキシル)−4−(4−エトキシ−2,3ジフルオロフェニル)−ブチレン(VCV2W02)の調製
一、trans−4−ビニルシクロヘキシルヨードメタントリフェニルホスホニウム塩の調製
1.4−メトキシメチレンシクロヘキシル蟻酸メチルエステルの調製
温度計、撹拌機、液体シール、N保護及び乾燥管を備えた2Lの三つ口フラスコを使用した。285.4gのMTC及び400mlのTHFを添加した。−15℃の冷浴を備えたタンク内にフラスコを置き、白色の懸濁液を得た。温度を−5℃〜−10℃の間に制御し、t−BUOK93.3gのTHF400ml中における溶液を滴下した。色は最初に明るい橙色に変化し、次いで徐々に暗色に変化した。滴下が完了した後、反応を0.5時間行った。4−ケト−シクロヘキシル蟻酸メチルエステル100gのTHF100ml中における溶液を−5℃〜−10℃の間の温度で滴下すると、徐々に色が消失した。添加が完了した後、冷却を止め、温度を自然に約0℃まで上昇させ、熱抑制下で反応を1時間行った。NHCl10gの200ml水溶液を添加し、温度を10℃未満に制御した。抽出のために500mlのCHClを添加した。未溶解の物質がある場合、少量の水を添加してこれを溶解させ、中性になるまで水で洗浄した。有機相は色が黄褐色であり、無水NaSOで乾燥させ、ロータリーエバポレーターで溶媒を除去して、液体−固体混合物を得た。500mlのn−ヘキサンを添加し、ポンプで濾過し、100mlのn−ヘキサンで2回浸出させた。濾液をシリカゲルカラムに通し、ロータリーエバポレーターで溶媒を除去して、113.5gの淡黄色の液体を得た。収率:96%、GC純度:95.9%。
2.4−ホルミルシクロヘキシル蟻酸メチルエステルの調製
温度計、撹拌機、N保護及び氷水浴を備えた1リットルの三つ口フラスコを使用した。前のステップの生成物108.9g及びTHF330mlを添加し、5%塩酸110mlを滴下し、温度を10℃未満に制御した。添加が完了した後、加熱して温度を30℃まで上昇させ、その温度で4時間保持した。400mlの水を添加し、300mlのCHClで抽出し、中性になるまで水で洗浄し、無水NaSOで乾燥させ、ロータリーエバポレーターで溶媒を除去して、96.8gの淡黄色の液体を得た。収率:96.0%、GC純度:87.8%。
3.4−ビニルシクロヘキシル蟻酸メチルエステルの調製
温度計、撹拌機、液体シール、N保護及び乾燥管を備えた2リットルの三つ口フラスコを使用した。213.5gのCHPPhBr及び400mlのTHFを添加した。−15℃の温度の冷浴を備えたタンク内にフラスコを置き、白色の懸濁液を得た。t−BUOK65.8gのTHF300ml中における溶液を滴下し、温度を−5℃〜−10℃の間に制御した。色が黄色に変化した。添加が完了した後、反応を0.5時間行った。前のステップで得たアルデヒド84.7gのTHF100ml中における溶液を滴下し、温度を−5℃〜−10℃の間に制御すると、色が徐々に暗色に変化した。添加が完了した後、冷却を止め、温度を自然に約0℃まで上昇させ、反応を1時間行った。NHCl5gの200ml水溶液を添加し、温度を10℃未満に制御した。抽出のために500mlのCHClを添加した。未溶解の物質がある場合、少量の水を添加してこれを溶解させ、中性になるまで水で洗浄し、無水NaSOで乾燥させ、ロータリーエバポレーターで溶媒を除去して、液体−固体混合物を得た。500mlのn−ヘキサンを添加し、ポンプで濾過し、50mlのn−ヘキサンで2回浸出させた。濾液をシリカゲルカラムに通し、ロータリーエバポレーターで溶媒を除去して、89.4gの淡黄色の液体を得た。GC純度:92.2%、うちcis 36.3%、trans 55.9%。
4.4−ビニルシクロヘキシルカルビノールの調製
温度計、撹拌機及びN保護を備えた1リットルの三つ口フラスコを使用した。46.2gの4−ビニルシクロヘキシル蟻酸メチルエステル及び140mlのトルエンを添加して、淡黄色の溶液を得た。氷水浴を用いて温度を低下させた。理論量より1.2倍多い量の、ビス(2−メトキシエトキシ)水素化アルミニウムナトリウムのトルエン溶液を滴下し、温度を30℃未満に制御した。添加が完了した後、温度を30℃に制御し、その温度で2時間保持した。20%のNaOH水溶液220gに上記の混合物を注ぎ入れ、温度を30℃未満に制御して、30分間攪拌した。有機相を分取し、300mlのTHFで水相を2回抽出し、有機相を合わせ、ロータリーエバポレーターで溶媒を除去して、42.1gの淡黄色の液体を得た。GC純度:94.4%、うちcis 38.0%、trans 56.4%。
5.trans−4−ビニルシクロヘキシルメチルメタンスルホネートの調製
温度計、撹拌機及びN保護を備えた1リットルの三つ口フラスコを使用した。前のステップで得たアルコール38.5g、ピリジン32.6g、DMAP1.7g及びCHCl220mlを添加し、氷水浴を用いて温度を低下させた。理論量より1.2倍多い量のMS−Clを滴下し、温度を30℃未満に制御した。添加が完了した後、加熱しながら還流を5時間行うと、溶液が淡黄色で透明な溶液に変化した。200mlの水を添加し、有機相を分取した。100mlの5%塩酸及び100mlの水をさらに有機相に添加し、10分間攪拌し、有機相を分取した。中性になるまで有機相を水で洗浄し、無水NaSOで乾燥させ、ロータリーエバポレーターで溶媒を除去して、63.9gの淡黄色の液体を得た。シクロヘキサンを添加した。上記の混合物をシリカゲルカラムに通し、ロータリーエバポレーターで溶媒を除去して、48.0gの淡黄色の液体を得た。収率:80.2%。90mlのn−ヘキサンを用いて再結晶化を行い、−30℃で濾過を行って、22.0gの生成物を得た。GC純度:97.9%。
6.trans−4−ビニルシクロヘキシルヨードメタンの調製
温度計、撹拌機及びN保護を備えた1リットルの三つ口フラスコを使用した。前のステップで得たエステル53.2g、ヨウ化ナトリウム54.9g及びブタノン500mlを添加し、加熱しながら還流を6時間行って、反応液を徐々に濃縮した。26gのNaHSO及び200mlの水を添加して、30分間攪拌した。抽出のために300mlのトルエンを添加し、中性になるまで水で洗浄し、ロータリーエバポレーターで溶媒を除去して、60.0gの淡黄色の液体を得た。GC純度:98.2%。
7.trans−4−ビニルシクロヘキシルヨードメタントリフェニルホスホニウム塩の調製
温度計、撹拌機及びN保護を備えた1リットルの三つ口フラスコを使用した。前のステップで得たtrans−4−ビニルシクロヘキシルヨードメタン60.0g、トリフェニルホスフィン76.7g及びアセトニトリル200mlを添加し、加熱及び還流を38時間行って反応させると、反応液が徐々に透明になった。温度を室温まで冷却し、250mlのCHCl及び1lの水を添加した。有機層(下層)を分取し、200mlのCHClを添加して水相を抽出し、有機相を合わせ、中性になるまで水で洗浄し、無水NaSOを添加して乾燥させ、ロータリーエバポレーターで溶媒を除去して、158gの粗生成物(粘り気のある液体)を得た。溶解のために300mlのアセトンを添加し、固体をフラスコ内にゆっくりと沈殿させ、フラスコを冷凍庫内に一晩置いた。次の日に、−20℃で固体を濾別し、フィルターケーキを冷アセトンで浸出させ、室温で真空乾燥して、91.1gの白色の固体を得た。収率:73.0%。
二、2,3−ジフルオロ−4−エトキシフェニルプロピルアルデヒドの調製
1.2,3−ジフルオロ−4−エトキシフェニルプロピレンエチレングリコールアセタールの調製
水分離器及びN保護を備えた2lの三つ口フラスコを使用した。268gのTPEBr及び1000mlのトルエンを添加した。オイルバスでの加熱によって内部の温度を110℃まで上昇させ、還流させ、蒸留されてくる水がなくなるまで水を分離した。温度を−5℃未満に低下させ、70gのt−BUOK及び280mlのテトラヒドロフランの混合液を5℃未満の温度で滴下すると、系の色が黄色に変化した。添加が完了した後、温度を再び−5℃未満に低下させた。温度を0℃未満に制御し、93gの2,3−ジフルオロ−4−エトキシベンズアルデヒド、60mlのTHF及び200mlのトルエンの混合液を滴下した。添加が完了した後、0℃未満の温度で2時間、反応を熱的に抑制した。上記の系に、加水分解のため、200mlの水を添加した。上記の系を分液漏斗に移し、有機相を分取した。有機相は、中性になるまで水で洗浄した。次に、有機相を1リットルの一口フラスコに移し、減圧下で溶媒を除去した。400mlの石油エーテルを添加して、液体−固体混合物を得た。得られた液体−固体混合物をポンプで濾過し、濾液をシリカゲルカラムに通し、石油エーテルを用いて溶離させた。減圧下で溶媒を除去して、114gの白色の固体を得た。収率:90.0%、GC:cis 70.4%、trans 27.1%。
2.2,3−ジフルオロ−4−エトキシフェニルプロピルアルデヒドエチレンアセタールの調製
前のステップで得た2,3−ジフルオロ−4−エトキシフェニルプロピレンエチレングリコールアセタール112g、ラネーニッケル34g及びトルエン600mlを、温度30℃で、8時間、5〜10atmの圧力下で水素化した。得られた物質をポンプで濾過し、触媒を除去し、減圧下で溶媒を除去して、白色の固体として生成物を得た。収率:94.0%、GC純度:96.3%。
3.2,3−ジフルオロ−4−エトキシフェニルプロピルアルデヒドの調製
保護を備えた1リットルの三つ口フラスコを使用した。77.4g(0.3mol)の2,3−ジフルオロ−4−エトキシフェニルプロピルアルデヒドエチレンアセタール、154.8mlの蟻酸及び240mlのトルエンを添加した。60〜70℃の温度で反応を行い、水を添加し、水相を分取し、中性になるまで水で洗浄し、無水NaSOを添加して乾燥させ、ロータリーエバポレーターで一部の溶媒を除去した。得られた生成物はそのまま使用することができた。
三、1−(trans−4−ビニルシクロヘキシル)−4−(4−エトキシ−2,3−ジフルオロフェニル)−ブチレン(VCV2W02)の調製
1.VCV2W02の調製
保護を備えた1リットルの三つ口フラスコを使用した。125.6gのtrans−4−ビニルシクロヘキシルヨードメタントリフェニルホスホニウム塩及び370mlのTHFを添加し、攪拌し、温度を低下させた。30.2gのt−BUOK及び120gのTHFを配合した溶液を滴下し、温度を−10℃未満に制御した。添加が完了した後、熱抑制を0.5時間行った。前のステップで得た2,3−ジフルオロ−4−エトキシフェニルプロピルアルデヒドの溶液を滴下し、温度を−5℃未満に制御した。滴下が完了した後、熱抑制を1時間行った。水及び300mlのトルエンを添加し、中性になるまで水で洗浄し、ロータリーエバポレーターで溶媒を除去し、300mlの石油エーテルを添加した。固体は全く沈殿しなかった。上澄みの有機層を分取し、有機相をシリカゲルカラムに通し、ロータリーエバポレーターで溶媒を除去し、溶媒を除去して32.0gの粗生成物を得た。
2.VCV2W02の変換
500mlの三つ口フラスコを使用し、32.0gのVCV2W02粗生成物、10gのベンゼンスルフィン酸ナトリウム、1.6gの濃塩酸、1.6gの水及び320mlのトルエンを添加した。50〜60℃の温度で反応を8時間行い、中性になるまで水で洗浄し、ロータリーエバポレーターで溶媒を除去し、シリカゲルカラムに通し、石油エーテルを用いて浸出させ、60mlの無水エタノールを用いて再結晶化を3回行って、14.1gの生成物を得た。純度:99.7%、相転移点:Cr31.5Iso。
例2
Figure 0005011598

すなわち1−(trans−4−ビニルシクロヘキシル)−4−(trans−4−(4’−エトキシ−2’,3’−ジフルオロフェニル)シクロヘキシル)−ブチレン(VCV2CW01)の調製
一、trans−4−(4’−メトキシ−2’,3’−ジフルオロフェニル)シクロヘキシルプロピルアルデヒドの調製
1.trans−4−(4’−メトキシ−2’,3’−ジフルオロフェニル)シクロヘキシルアクロレインエチレンアセタールの調製
水分離器を備えた2lの三つ口フラスコを使用した。96gのTPEBr及び400mlのトルエンを添加した。オイルバスでの加熱によって内部の温度を110℃まで上昇させ、還流させ、蒸留されてくる水がなくなるまで水を分離した。温度を5℃未満まで低下させ、24.1gのt−BUOK及び100mlのTHFを配合した混合液を、温度を5℃未満に制御しながら滴下した。添加が完了した後、温度を再び−5℃未満まで低下させた。trans−4−(4’−メトキシ−2’,3’−ジフルオロフェニル)シクロヘキサンアルデヒド及び500mlのトルエンの混合溶液を、0℃未満の温度で滴下した。添加が完了した後、熱抑制下で0℃未満の温度で反応を2時間行った。加水分解のために、200mlの水を系に添加した。分液漏斗に系を移し、有機相を分取した。中性になるまで有機相を水で洗浄し、有機相を1リットルの一口フラスコに移し、減圧下で溶媒を除去し、得られた物質1gあたり2mlの無水エタノールを添加して、25gの生成物を得た。収率:44.9%(ケトンに対して)、GC純度:90.5%。
2.trans−4−(4’−メトキシ−2’,3’−ジフルオロフェニル)シクロヘキシルプロピルアルデヒドエチレンアセタールの調製
25gのtrans−4−(4’−メトキシ−2’,3’−ジフルオロフェニル)シクロヘキシルアクロレインエチレンアセタール、10gのラネーNi及び500mlのトルエンを2リットルのオートクレーブ内に添加した。10atmの圧力下において、熱抑制下で30℃の温度で反応を行った。材料を取り出し、ラネーニッケルを濾別し、溶媒を除去して、得られた生成物は次のステップにそのまま使用することができた。
3.trans−4−(4’−メトキシ−2’,3’−ジフルオロフェニル)シクロヘキシルプロピルアルデヒドの調製
2リットルの三つ口フラスコを使用した。15.5gのtrans−4−(4’−メトキシ−2’,3’−ジフルオロフェニル)シクロヘキシルプロピルアルデヒドエチレンアセタール、31mlの蟻酸及び46.5mlのトルエンを添加し、オイルバスで加熱して還流させ、還流を2時間保持し、攪拌を停止し、室温まで冷却した。上記の溶液を分液漏斗に注ぎ入れ、水相を分離させ、有機相を500mlの水で2回洗浄し、予め配合しておいた炭酸カリウムの5%溶液を添加してpHを約7に調整し、中性になるまで500mlの水を用いてさらに3回洗浄し、無水硫酸ナトリウムを用いて乾燥させ、溶媒を除去して、得られた生成物は次のステップにそのまま使用することができた。
三、1−(trans−4−ビニルシクロヘキシル)−4−(trans−4−(4’−エトキシ−2’,3’−ジフルオロフェニル)シクロヘキシル)−ブチレン VCV2CW01の調製
1.VCV2CW01の調製
500mlの三つ口フラスコを使用した。26.8gのホスフィン塩及び200mlのn−ヘキサンを添加し、オイルバスで加熱し、還流させ、蒸留されてくる水がなくなるまで水を分離した。温度を−15℃まで低下させ、カリウムtert−ブトキシド5.86gのTHF23.5ml中における溶液を滴下し、温度を−10℃未満に制御した。添加した後、温度を−10℃に30分間保持した。温度を−10℃未満に制御しながら、13.4gのtrans−4−(4’−メトキシ−2’,3’−ジフルオロフェニル)シクロヘキシルプロピルアルデヒド及び200mlのTHFを配合した混合溶液をさらに滴下した。添加した後、温度を−10℃に2時間保持した。反応が完了した後、200mlの水及び200mlのトルエンに反応液を注ぎ入れた。層が分離したら、水相を分け取り、中性になるまで有機相を水で洗浄し、溶媒を除去し、生成物に100mlの石油エーテルを添加すると、固体が沈殿した。得られた混合物をポンプで濾過し、石油エーテルを用いて浸出させ、濾液をシリカゲルカラムに通し、溶媒を除去して、10.0gの生成物を得た。
2.VCV2CW01の変換
500mlの三つ口フラスコを使用した。10.0gのVCV2CW01粗生成物、2.6gのベンゼンスルフィン酸ナトリウム、1.2gの濃塩酸及び100mlのトルエンを添加した。50〜60℃の温度にオイルバスを加熱し、反応のためにその温度で8時間保持した。反応が完了した後、反応物に100mlの水を添加し、分液漏斗内に移した。有機相を分取し、中性になるまで水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムを用いて乾燥させ、シリカゲルカラムに通し、溶媒を除去して、10.0gの生成物を得た。生成物1gあたり0.5mlのトルエン及び生成物1gあたり2mlの無水エタノールを用いて生成物の再結晶化を3回行い、−20℃の温度で濾過し、5.5gの生成物を得た。純度:99.9%、相転移点:Cr71.6N118.0Iso。
上記の方法はまた、以下の液晶を合成するためにも使用した。
1−(trans−4−ビニルシクロヘキシル)−4−(4−メトキシ−2,3−ジフルオロフェニル)−ブチレン
1−(trans−4−ビニルシクロヘキシル)−4−(4−ブトキシ−2,3−ジフルオロフェニル)−ブチレン
1−(trans−4−ビニルシクロヘキシル)−4−(trans−4−(4’−エトキシ−2’,3’−ジフルオロフェニル)シクロヘキシル)−ブチレン
1−(trans−4−ビニルシクロヘキシル)−4−(trans−4−(4’−ブトキシ−2’,3’−ジフルオロフェニル)シクロヘキシル)−ブチレン
Figure 0005011598
構造同定(NMR)は以下の通りである。装置:av400、溶媒:CDCl3、周波数:400MHz(1H NMR)、100MHz(13C NMR)。
1.
Figure 0005011598

H NMRスペクトル
a 5.3〜5.4(2H、m);b 4.8〜4.9(1H、d);c、f 1.79〜1.87(2H、m);d、e 1.01〜1.15(4H、m) 1.59〜1.77(4H、m)(シクロヘキシル上のメチレンの8個の水素);g 4.92〜4.97(1H、m、J=17.32Hz、二重結合がtrans置換されていることを示す);h 5.7〜5.8(1H、m);i 2.21〜2.26(2H、m);j 2.6(2H、t);k 6.61〜6.65(1H、m);l 6.78〜6.82(1H、m);m 3.8(3 H、s)
13C NMRスペクトル
a 111.7;b、g、h 126.3、137.2、144.4;c、f 40.3、41.2;d、e 32.1、32.6;i、j 28.7、33.1;k 107.8;l 123.4;m 56.5;フッ素に結合している炭素原子(メトキシに対してメタ位)139.9〜142.5(q、J=245Hz);フッ素に結合している炭素原子(メトキシに対してオルト位)148.4〜150.9(q、J=244Hz);酸素に結合しているベンゼン環上の炭素原子147.0〜147.1(q);メチレンに結合しているベンゼン環上の炭素原子122.6〜122.8(d)
2.
Figure 0005011598

H NMR
a 5.29〜5.41(2H、m);b 4.85〜4.89(1H、m);c、f 1.79〜1.87(2H、m);d、e 1.01〜1.15(4H、m) 1.70〜1.77(4H、m)(シクロヘキシル上のメチレンの8個の水素);g 4.92〜4.97(1H、m、J=17.28Hz、二重結合がtrans置換されていることを示す);h 5.72〜5.80(1H、m);i 2.21〜2.26(2H、m);j 2.63(2H、t);k 6.60〜6.65(1H、m);l 6.75〜6.80(1H、m);m 4.04〜4.09(2 H、q、J=7Hz、エチルのメチレン上の水素を示す);n 1.42(3H、t、J=7Hz、エチルのメチル上の水素を示す)
13C NMRスペクトル
a 111.7;b、g、h 126.3、137.2、144.4;c、f 28.67、33.14;d、e 32.12、32.58;i、j 40.29、41.25;k 109.2;l 123.3〜123.4(t);m 65.32;n 14.70;フッ素に結合している炭素原子(メトキシに対してメタ位)140.2〜142.8(q、J=245Hz);フッ素に結合している炭素原子(メトキシに対してオルト位)148.5〜151.0(q、J=244Hz);酸素に結合しているベンゼン環上の炭素原子146.3〜146.4(q);メチレンに結合しているベンゼン環上の炭素原子122.57〜122.71(d)
3.
Figure 0005011598

H NMRスペクトル
a 5.32〜5.42(2H、m);b 4.87〜4.90(1H、d);c、f 1〜2(2H、m);d、e 1〜2(8H、m)(シクロヘキシル上のメチレンの8個の水素);g 4.94〜4.98(1H、d、J=17.32Hz、二重結合がtrans置換されていることを示す);h 5.73〜5.82(1H、m);i、j 1〜2(4H、m);k 1〜2(1 H、m);l、m 1〜2(8H、m);n 2.70〜2.77(1H、m);o 6.63〜6.68(1 H、m);p 6.81〜6.85(1H、m);q 4.05〜4.11(2H、q、J=6.96Hz、エチルのメチレン上の水素を示す);r 1.43(3H、t、J=6.96Hz、エチルのメチル上の水素を示す)
13C NMRスペクトル
a 110.7;b、g、h 128.1、136.0、144.6;o 109.4;p 120.4〜120.5(t);q 65.39;r 14.80;フッ素に結合している炭素原子(メトキシに対してオルト位)148.1〜150.7(q、J=244Hz);フッ素に結合している炭素原子(メトキシに対してメタ位)140.2〜142.8(q、J=245Hz);酸素に結合しているベンゼン環上の炭素原子146.0〜146.1(q);メチレンに結合しているベンゼン環上の炭素原子128.2〜128.3(d)
4.
Figure 0005011598

H NMRスペクトル
a 5.32〜5.42(2H、m);b 4.87〜4.90(1H、m);c、f 1〜2(2H、m);d、e 1〜2(8H、m)(シクロヘキシル上のメチレンの8個の水素);g 4.94〜4.99(1H、d、J=17.32Hz、二重結合がtrans置換されていることを示す);h 5.73〜5.82(1H、m);i、j 1〜2(4H、m);k 1〜2(1 H、m);l、m 1〜2(8H、m);n 2.70〜2.76(1H、m);o 6.63〜6.68(1 H、m);p 6.80〜6.85(1H、m);q 3.99〜4.02(2H、t);r、s 1〜2(4H、m);t 0.92〜0.99(3H、t)
13C NMRスペクトル
a 111.7;b、g、h 128.7、136.0、144.6;o 109.49〜109.51(d);p 120.3〜120.4(t);q 69.63;s 19.10;t 13.76;フッ素に結合している炭素原子(メトキシに対してオルト位)148.1〜150.7(q、J=244Hz);フッ素に結合している炭素原子(メトキシに対してメタ位)140.3〜142.9(q、J=245Hz);酸素に結合しているベンゼン環上の炭素原子146.3〜146.4(m);メチレンに結合しているベンゼン環上の炭素原子128.2
適用例
以下の配合で親液晶Mを配合した。
PCH501 0.20
PCH502 0.20
VHHP1 0.30
VHHPFF 0.30
ただし、Mは親液晶、M−1〜M−3は全て上記の親液晶80%に1つの液晶20%を混合して得られたものであり、以下のパラメータを有していた。
Figure 0005011598
表1のデータから、一連の1つの液晶を添加することによって、透明点を効果的に高め、結晶化温度を低下し得ることが分かった。
その上、結晶を沈殿させるために、上記の親液晶及びM−1〜M−3をより低い温度に同時に置いた後では、Mは室温で元の状態に戻ることができず、少量の結晶が存在した。M−1〜M−3は室温で速やかに液晶の元の状態に戻り、結晶の沈殿はなかった。したがって、これらの液晶は他の液晶との混和性が非常に良好であったことが分かる。

Claims (4)

  1. 下記一般式(1):
    Figure 0005011598
    [式中、R1は、水素原子、又は炭素原子数1〜8の直鎖アルキル基、又は炭素原子数2〜8の直鎖アルケニル基を表すか、或いは、R1は、前記直鎖アルキル基若しくは直鎖アルケニル基中の1個若しくは隣接しない2個のCH2を酸素原子で置換して形成されるアルコキシ基又はアルケノキシ基を表し、R1基の0〜4個の水素原子はフッ素で置換されてもよく、
    R2は、水素原子、又は炭素原子数1〜8の直鎖アルキル基を表すか、或いは、R2は、炭素原子数1〜8の直鎖フルオロアルキル基を表し、前記直鎖フルオロアルキル基は0〜4個のフッ素原子を有してもよく、
    Aは、ベンゼン環又は1,4−シクロヘキサン環を表し、Aが前記ベンゼン環である場合には、前記ベンゼン環上の0〜4個の水素原子がフッ素で置換されてもよく、
    n=1〜2であり、m=0〜2である。]
    で表される構造を有する、負の誘電率を有する新規なネマティック相液晶化合物。
  2. R2が水素であり、m=0であり、R1が炭素原子数1〜4の直鎖アルコキシ基である、請求項1に記載のネマティック相液晶化合物。
  3. R2が水素であり、Aが1,4−シクロヘキサン環であり、m=1であり、R1が炭素原子数1〜4の直鎖アルコキシ基である、請求項1に記載のネマティック相液晶化合物。
  4. 請求項1に記載のネマティック相液晶化合物を含有し、
    前記ネマティック相液晶化合物の含有量が1〜60%である、液晶混合物。
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