WO2005095311A9 - ベンゼン誘導体、液晶組成物および液晶表示素子 - Google Patents

ベンゼン誘導体、液晶組成物および液晶表示素子

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WO2005095311A9
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Syuichi Matsui
Yasuyuki Sasada
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Chisso Corp
Chisso Petrochemical Corp
Syuichi Matsui
Yasuyuki Sasada
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    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C25/00—Compounds containing at least one halogen atom bound to a six-membered aromatic ring
    • C07C25/18—Polycyclic aromatic halogenated hydrocarbons
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • C09K19/04—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit
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    • C09K2019/0407—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit the structure containing one or more specific, optionally substituted ring or ring systems containing a carbocyclic ring, e.g. dicyano-benzene, chlorofluoro-benzene or cyclohexanone
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2323/00—Functional layers of liquid crystal optical display excluding electroactive liquid crystal layer characterised by chemical composition

Definitions

  • the present invention relates to a liquid crystal compound, a liquid crystal composition, and a liquid crystal display element. More specifically, the present invention relates to a benzene derivative, a liquid crystal composition containing the benzene derivative and having a nematic phase, and a liquid crystal display device containing the composition.
  • Liquid crystal display elements are based on the liquid crystal operation mode, PC (phase change), TN (twisted nematic), S ⁇ (super twisted nematic), BTN (Bistable twisted nematic, E B) , OCB (optically compensated bend), IPS (in-plane switching), VA (vertical alignment), etc.
  • This element is classified into PM (passive matrix) and AM (active matrix) based on the driving method.
  • PM (passive matrix) is classified into static and mano-replex (multiplex)
  • AM is classified into TFT (thin film transistor), MIM (metal insulator metal), etc.
  • liquid crystal display elements contain a liquid crystal composition.
  • a liquid crystal display element is sometimes simply referred to as an element.
  • a liquid crystal composition may be simply referred to as a composition.
  • a liquid crystal compound may be simply referred to as a compound.
  • the composition preferably has appropriate physical properties. The general physical properties necessary for the compound that is a component of the composition are as follows.
  • the clearing point is the transition temperature of the liquid crystal phase isotropic phase.
  • the liquid crystal phase is nematic and smectic. It means ku phase.
  • a compound having a large dielectric anisotropy often has a high viscosity.
  • a composition is prepared by mixing many compounds. Therefore, these compounds are preferably miscible with other compounds. Since the device may be used at temperatures below freezing, compounds with good compatibility at low temperatures are preferred.
  • a compound having a high! /, A clearing point or a low liquid crystal phase! / And a minimum temperature contributes to a wide temperature range of the nematic phase in the composition.
  • Preferred compositions have low viscosity and optical anisotropy suitable for the device mode.
  • the large dielectric anisotropy of the compound contributes to the low threshold voltage of the composition. With such a composition, an element having characteristics such as a wide usable temperature range, a short response time, a large contrast ratio, a small driving voltage, a small power consumption, and a large voltage holding ratio can be obtained. .
  • a compound ⁇ having 2, 3 difluoro 1, 4 phenylene in a partial structure is generally known (see Non-Patent Document 2).
  • Dielectric constant As a compound for improving the anisotropy, a compound ( ⁇ ), difluoromethyl, in which trifluoromethyl is bonded to the side orientation of the compound molecule in order to make the negative dielectric anisotropy even larger.
  • the compounds (iii) and (iv) to which is bound are reported! /, (See Patent Document 1, Non-patent Document 1, Non-patent Document 2 and Patent Document 2).
  • Patent Document 1 Japanese Patent Laid-Open No. 8-040953
  • Patent Document 2 WO2000 / 03963 non-fret
  • Non-patent literature l Synlett. 1999, No.4, 389-396
  • Non-Patent Document 2 Angew. Chem. Int. Ed. 2000, 39, 4216-4235
  • the first object of the present invention is to exhibit negative dielectric anisotropy and to have a relatively high clearing point, relatively small viscosity, appropriate optical anisotropy, and other liquid crystalline compounds.
  • the object is to provide a liquid crystal compound having an excellent balance of physical properties such as excellent compatibility.
  • a second object is to provide a liquid crystal composition containing this compound and having a wide temperature range of a nematic phase, a small viscosity, suitable optical anisotropy, and a low threshold voltage.
  • the third object is to provide a liquid crystal display device containing this composition and having a short response time, a small power consumption, a large contrast, and a high voltage holding ratio.
  • a liquid crystal compound is a generic term for a compound having a liquid crystal phase such as a nematic phase or a smectic phase, and a compound having no liquid crystal phase but useful as a component of a liquid crystal composition.
  • a liquid crystal display element is a general term for a liquid crystal display panel and a liquid crystal display module.
  • the upper limit temperature of the nematic phase is the phase transition temperature of the nematic phase isotropic phase, and may simply be abbreviated as the upper limit temperature.
  • the lower limit temperature of the nematic phase is sometimes simply abbreviated as the lower limit temperature.
  • the ability to describe a compound represented by formula (1) as compound (1) is S.
  • a plurality of consecutive CH— is not replaced by O. It may be a branched group. This means that any CH— in these groups is O or
  • the same applies when CH CH is replaced.
  • the amount of the compound expressed as a percentage shown in the composition is a weight percentage (% by weight) based on the total weight of the composition.
  • the present invention includes the following items.
  • Ra and Rb are independently hydrogen or alkyl of 120 carbons; in this alkyl, any one CH— is replaced by one O S CO or one SiH—.
  • Any hydrogen may be replaced by halogen
  • a u A 12 A 2 A 21 and A 22 are each independently 1,4-cyclohexylene, 1,4 phenylene, decahydronaphthalene 1,6-6-diyl, 1,2,3,4-tetrahydronaphthalene 2, 6-gyl, or naphthalene 1, 2, 6-gyl; in these rings, one or two non-adjacent ones CH— are replaced by one OS CO or one SiH—.
  • CH) —CH CH, one (CH) CF O—, or OCF (CH) one;
  • z u z 12 z 2 z 21 and z 22 are independently a single bond,-(CH) COO -oco
  • j k m n p and q are independently 0 or 1, and their sum is 1 2 or 3;
  • Ra in formula (1) is not hydrogen, alkoxy or alkoxymethyl, and Ra in formula (2) is 1-alkenyl.
  • Ra and Rb are independently hydrogen or alkyl of 1 to 20 carbon atoms; in this alkyl, any —CH— that is not located at the terminal is O—, —S or —CO—
  • a U , A 12 , A 2 , A 21 and A 22 are each independently 1,4-cyclohexylene, 1,4 phenylene, decahydronaphthalene 1,6 diyl, 1, 2, 3, 4 tetrahydro Naphthalene-1,6 or naphthalene-1,6 diyl; in these rings, one or two non-adjacent —CH— is replaced by —O—, —S, or —CO.
  • any hydrogen may be replaced by a halogen
  • CH) —CH CH, one (CH) CF O—, or OCF (CH) one;
  • Z u Z 12 Z 2 Z 21 and Z 22 are each independently a single bond,-(CH) —coo— -oco
  • Ra is not hydrogen, alkoxy or alkoxymethyl! /, But no shift; formula (2-2), formula (2-5) and formula In (2-9)! /, Ra is 1 alkenyl.
  • Ra and Rb are independently alkyl having 1 to 10 carbons, alkoxy having 1 to 10 carbons, 2 to carbons; alkoxyalkyl having 10 carbons, alkenyl having 2 to 10 carbons, and 3 to 10 carbons; Alkenyloxy, perfluoroalkyl having 1 to 10 carbons, or perfluoroalkoxy having 10 to 10 carbons;
  • a u A 12 A 2 A 21 and A 22 are independently 1,4-cyclohexylene, 1,3-dioxane 1,2,5 gil, 4,6 dioxane 1,2,5 gil, 1,4 Diene, 2 Phenoreoro 1, 4 Phenolene, 3 Funenole 1, 4 Phenolene, 2, 3 Diphnoleolo 1, 4 —Phenylene, Decahydronaphthalene 1, 2 6 Dinore, 1, 2, 3, 4 tetrahydronaphthalene-2,6 dinore or naphthalene 2,6 dil;
  • Z 11 and Z 12 are independently a single bond, — (CH 2) — — COO— — OCO— —CF 2 O
  • CH CH (CH) CF O—, or OCF (CH);
  • Z 2 Z 21 and Z 22 are independently a single bond, (CH) COO oco c
  • ) -CH CH- (CH) CF O-, or OCF (CH)--;
  • Ra and Rb forces are independently alkyl having 1 to 10 carbons, alkoxy having 1 to 10 carbons, 2 to carbons; alkoxyalkyl having 10 carbons or 2 to 10 carbons;
  • a U A 12 A 2 A 21 and A 22 forces Independently 1, 4-cyclohexylene, 1, 4 phenylene, 2 funneloreol, 1, 4 phenolylene, 3 funneloreol, 1, 4 phenolylene, or 2, 3-difunoleolone 1 , 4 phenylene;
  • Z 2 Z 21 and Z 22 are independently a single bond, (CH) -OCH C
  • Ra is alkyl having 1 to 10 carbons or alkenyl having 2 to 10 carbons
  • Rb is alkoxy having 1 to C: L0;
  • a U , A 12 , A 2 , A 21 and A 22 forces Independently 1,4-cyclohexylene, 1,4 phenylene, 2-funoleolone, 1,4 phenylene, or 3-funoleolone, 1,4 Is bilen;
  • Z 2 , Z 21 and Z 22 are independently a single bond, CH 2 O—, — OCH —, — CF 0 —, or
  • Y is a single bond, (CH 3) 2 CH 2 CH—, -CF 0 1, -OCF, 1 (CH 2) 1,-
  • a 1 or A 2 is 1,4-cyclohexylene, Y or Z 2 is a single bond in Formula (1-1) to Formula (1-9), and Formula (2 — The compound according to any one of [3] to [6], wherein Z 2 is a single bond in formulas (2-9).
  • a 1 or A 2 is 1, 4 phenylene, Y or Z 2 in formulas (1-1) to (1-9) is a single bond, and 2-1) to formula (2-9), Z 2 is a single bond,
  • [0021] is represented by formula (2-1); A 1 is 1,4 cyclohexylene; and W is one (CH ) I,-CH 2 O—, or CF 2 O 3, The chemical compound according to any one of [3] and [6]
  • a 1 and A 11 are both 1,4-cyclohexylene; Z 11 is a single bond; and W is one (CH)-CH O, or one CF O—, [3]
  • [0024] [16] represented by any one of formula (12), formula (14), formula (15), formula (17), formula (18), and formula (19); And Z 2- CH O— — OCH — CF O—, or
  • Ra is an alkyl having 1 to 10 carbons; or an alkyl having 2 to 10 carbon atoms; an alkenyl having 10 carbons; and Rb is an alkoxy having 1 to 10 carbon atoms.
  • Ra is an alkyl having 1 to 10 carbons; or an alkyl having 2 to 10 carbons; an alkenyl having 10 carbons; and Rb is an alkoxy having 1 to 10 carbon atoms.
  • a 1 and A 11 are both 1,4-cyclohexylene; Y is —CH 2 CH 1; and Z 11 is a single bond;
  • [0027] is represented by formula (1-3); Ra is an alkyl having 1 to 10 carbons; or an alkyl having 2 to 10 carbons; an alkenyl having 10 carbons; and Rb is an alkoxy having 1 to 10 carbon atoms.
  • Ra is an alkyl having 1 to 10 carbons; or an alkyl having 2 to 10 carbon atoms; an alkenyl having 10 carbons; and Rb is an alkoxy having 1 to 10 carbon atoms.
  • Ra is an alkyl having 1 to 10 carbons; or an alkyl having 2 to 10 carbon atoms;
  • a 1 is 1,4-cyclohexylene; and
  • Y is a single bond.
  • Ra is an alkyl having 1 to 10 carbons; or an alkyl having 2 to 10 carbon atoms; an alkenyl having 10 carbons; and Rb is an alkoxy having 1 to 10 carbon atoms.
  • a 1 is 1,4-cyclohexylene; and Y is —CH 2 CH 1.
  • [0031] is represented by the formula (2-1); Ra is an alkyl having 1 to 10 carbons; or an alkyl having 2 to 10 carbon atoms; an alkenyl having 10 carbons; and Rb is an alkoxy having 1 to 10 carbon atoms.
  • a 1 is 1,4-cyclohexylene; and W is — (CH 2) 1.
  • [24] is represented by the formula (2-1); Ra is an alkyl having 1 to 10 carbons; or an alkyl having 2 to 10 carbon atoms; an alkenyl having 10 carbons; and Rb is an alkoxy having 1 to 10 carbon atoms.
  • a 1 is 1,4-cyclohexylene; and W is —CH 2 O—.
  • Ra is an alkyl having 1 to 10 carbons; or an alkyl having 2 to 10 carbon atoms; an alkenyl having 10 carbons; and Rb is an alkoxy having 1 to 10 carbon atoms.
  • Ra is an alkyl having 1 to 10 carbons; or an alkyl having 2 to 10 carbons; an alkenyl having 10 carbons; and Rb is an alkoxy having 1 to 10 carbons.
  • a 1 and A 11 are both 1,4-cyclohexylene; Z 11 is a single bond; and W is —CH 2 O—.
  • [28] is represented by formula (2-3); Ra is 1 to C carbon; 10 alkyl or 2 to C; alkenyl, and Rb is alkoxy having 1 to 10 carbons; Yes; A 1 is 1,4-phenol, and A 11 is 1,4-cyclohexylene; Z 11 is a single bond; and W is one (CH 2) one. [3] The compound according to item.
  • [0037] is represented by formula (2-3); Ra is 1 to C carbon; 10 alkyl or 2 to C; alkenyl having 10 carbons; and Rb is alkoxy having 1 to 10 carbons. Yes; A 11 is 1, 4 —Phenylene; Z 11 is a single bond; and W is one (CH 3) —, as described in paragraph [3].
  • [0038] is represented by formula (2-6); 11 ⁇ 2 is alkenyl having 1 to 10 carbons or alkenyl having 2 to 10 carbons, and Rb is alkoxy having 1 to 10 carbons; A 11 and A 12 are both 1,4-cyclohexylene; Z 11 and Z 12 are single bonds; and W is — (CH 2) 1 or 1 CH 2 O 3. Compound.
  • Ra is an alkyl having 1 to 10 carbon atoms
  • Rb is an alkyl having 1 to 10 carbon atoms or an alkenyl having 2 to 10 carbon atoms
  • a 2 is 1,4-cyclohexylene
  • Z 2 is —OCH—.
  • Ra is an alkyl having 1 to 10 carbon atoms
  • Rb is an alkyl having 1 to 10 carbon atoms or an alkenyl having 2 to 10 carbon atoms
  • a 2 and A 21 are both 1,4-cyclohexylene
  • Z 2 is —OCH—
  • Z 21 is a single bond.
  • Ra and Rb are each independently 1 to C carbon; alkyl of 10 or alkenyl of 2 to 10 carbon; A 1 and A 2 are both 1
  • Ra and Rb are each independently 1 to 10 carbon atoms; alkyl having 10 carbons or 2 to 10 carbon atoms; A 1 being 1, 4—
  • the compound according to item [3], which is cyclohexylene and A 2 is 1,4 phenylene; and Y and Z 2 are both single bonds.
  • Ra and Rb are each independently 1 to 10 carbon atoms; 10 alkyls or 2 to 10 carbons; A 1 is 1, 4
  • R 1 is alkyl having 1 10 carbons; in this alkyl, any —CH
  • X 1 is fluorine, chlorine -OCF -OCHF -CF -CHF CH F OCF CHF, or OC
  • F CHFCF; B 1 and D are independently 1,4-cyclohexylene, 1,4-fuel
  • R 2 and R 3 are independently alkyl having 1 to 10 carbons; in this alkyl, any —CH— may be replaced by —O—. Is —CH
  • X 2 is 1 CN or 1 C ⁇ C—CN
  • G is 1, 4-cyclohexylene, 1, 4-phenylene, 1,3-dioxane-1,5-5-diyl or pyrimidine-1,2,5-diyl
  • J is 1,4-cyclohexylene, 1,4-phenylene, pyrimidine-1, 5-zyl, or 1,4-phenylene, where at least one hydrogen is replaced by fluorine
  • Z 6 is — (CH 2) —,
  • L 3 , L 4 and L 5 are independently
  • [39] It comprises at least one of the compounds described in [1] and a compound represented by each of the formula (8), the formula (9), the formula (10), the formula (11), and the formula (12).
  • R 4 is alkyl having 1 to 10 carbon atoms
  • R 5 is fluorine or alkyl having 1 10 carbon atoms; in these alkyls, any —CH— is replaced by —O
  • M and P 1 are independently 1,4-cyclohexylene, 1,4 phenylene or decahydro-2,6 naphthylene;
  • Z 7 and Z 8 are independent -(CH) -COO or a single bond;
  • L 6 and L 7 are independently hydrogen or
  • L 6 and L 7 are fluorine.
  • a liquid crystal composition that may contain at least one optically active compound:
  • R 6 and R 7 are independently alkyl having 1 to 10 carbon atoms; Any —CH— can be replaced by —O— (CH 2) —is —CH
  • IT and R 3 are independently alkyl having 1 10 carbons; in this alkyl, any —CH— may be replaced by 0— (CH 3) —is —CH
  • X 2 is one CN or one C ⁇ C—CN
  • G is 1,4-cyclohexylene, 1, 4 —Phenylene, 1,3 dioxane 1,2,5 gil or pyrimidine 1,2,5 gil
  • J is 1,4 cyclohexylene, 1,4 phenylene, 1,2,5 gil, or at least Is 1, 4 -phenylene with one hydrogen replaced by fluorine
  • Z 6 is — (CH 2)
  • L 3 L 4 and L 5 are independently
  • Hydrogen or fluorine and b c and d are independently 0 or 1.
  • R 6 and R 7 are independently alkyl having 1 10 carbons; in this alkyl, any —CH— may be replaced by —O— CH
  • CH CH may be replaced by any hydrogen and any hydrogen may be replaced by fluorine;
  • Chobi 11 is independently 1, 4-cyclohexylene, 1, 4 phenylene, pyrimidine-2 5-zyl, or 1,4 phenylene with at least one hydrogen replaced by fluorine; and
  • Z 9 and Z 1 are independently C ⁇ C—COO, one (CH 2) —C
  • R 6 and R 7 are independently alkyl having 1 10 carbon atoms; in this alkyl, any —CH— may be replaced by — ⁇ — CH
  • CH CH may be replaced by any hydrogen and any hydrogen may be replaced by fluorine;
  • Chobi 11 is independently 1, 4-cyclohexylene, 1, 4 phenylene, pyrimidine-2 5-zyl, or 1,4 phenylene with at least one hydrogen replaced by fluorine; and
  • Z 9 and Z 1 are independently C ⁇ C—COO, one (CH 2) —C
  • R 6 ⁇ Q— Z 9 — T 1 U— R 7 (15) where R 6 and R 7 are independently alkyls of 1 10 carbons; in this alkyl, any —CH— Is an arbitrary one that can be replaced by —O (CH 2) — is —CH
  • the compound of the present invention has general physical properties necessary for liquid crystal compounds, stability to heat, light, etc., appropriate optical anisotropy, appropriate dielectric anisotropy, and superiority to other liquid crystal compounds. Compatible with each other.
  • the liquid crystal composition of the present invention contains at least one of these compounds, and has a high maximum temperature of the nematic phase, a low minimum temperature of the nematic phase, a small viscosity, a suitable optical anisotropy, and a low threshold voltage.
  • Have The liquid crystal display device of the present invention contains this composition and has a wide temperature range in which it can be used, a short response time, a large contrast ratio, and a low driving voltage.
  • the compound of the present invention is represented by either formula (1) or formula (2).
  • Ra and Rb in formula (1) and formula (2) are independently hydrogen or alkyl having! In this alkyl, any one CH— is one O S— —CO.
  • Ra or Rb are hydrogen, anolenoquinole, alkoxy, alkoxyalkyl, alkoxyalkoxy, alkylthio, alkylthioalkoxy, isyl, isylalkyl, acyloxy, acyloxyalkyl, alkoxycarbonyl, alkoxycarbonylalkyl, anolenoquinole, alkenyl.
  • Rogen are fluorine and chlorine.
  • a more preferred halogen is fluorine.
  • straight chains are preferred over branches. Even when Ra and Rb are branched groups, they are preferred when they are optically active.
  • Ra and Rb include alkyl having 1 to 10 carbon atoms, alkoxy having 1 to 10 carbon atoms, 2 to 2 carbon atoms; alkoxyalkyl having 10 carbon atoms, alkenyl having 2 to 0 carbon atoms, and 2 to 0 carbon atoms. Alkenyloxy, perfluoroalkyl having 1 to 10 carbon atoms, and perfluoroalkoxy having 1 to 10 carbon atoms. More preferred examples are alkyl having 1 to 10 carbon atoms, alkoxy having 1 to 10 carbon atoms, alkoxy having 2 to 10 carbon atoms, alkoxyalkyl having 2 to 10 carbon atoms and alkenyl having 2 to 10 carbon atoms. Further preferred Ra is C 1 -C 10 alkyl or C 2 10 alkenyl, and particularly preferred R b is C 1 10 alkoxy.
  • CH CH in alkenyl depends on the position of the double bond.
  • alkyl is —CH 2 C 3 H 2 C 3 C 4 C 4 C 4 C
  • alkoxy is OCH 2 -OC
  • xyalkyl are —CH 2 OCH 2 CH 2 OC 2 CH 2 O 2 CH, 1 (
  • alkenyl is —CH ⁇ CH—CH ⁇ CHCH—CH—CH ⁇ CH
  • HCH and OCH CH CHC H.
  • a specific example of an alkyl in which at least one hydrogen is replaced by a halogen is one (C H) -CF CH F -CF CHF CH CF CF CF (CH) F C
  • alkoxy substituted with a rogen is — ⁇ (CH) F —OCF CH F
  • At least one hydrogen is halogen
  • Ra or Rb is CH C H C H C H C
  • Ra or Rb are CH C H C H C H
  • CH CHC H
  • Ra CH C H C H C H C H
  • Rb More preferred specific examples of Rb are —OCH 2 —OC 2 H and —O
  • Equation (1) and Equation (2) A U A 12 A 2 A 21 and A 22 are independently 1,4-cyclocyclohexylene, 1,4-phenolene, decahydronaphthalene-1,6-diyl, 1,2,3,4- Tetrahydronaphthalene 2,6 dinore or naphthalene 2,6 dinore. In these rings, one or two non-adjacent CH— are OS CO
  • One or two non-adjacent one CH— is 101, 1 S, 1 C01 or 1 SiH
  • Examples of the cyclic group replaced with 2 2 are groups represented by the following formulas (16-1) to (16-30). Preferred examples among these are the formula (16-1), the formula (16-2), the formula (16-3), the formula (164), the formula (16-13), and the formula (16-21). .
  • Examples of the cyclic group in which arbitrary hydrogen is replaced by halogen are cyclic groups represented by the following formulas (17-1) to (17-17). Preferred examples among these include formula (17-1), formula (172), formula (17-3), formula (17-5), formula (17-7), formula (17-8), formula (17-10), formula (17-14), formula (17-16) and formula (17-17).
  • a u A 12 A 2 A 21 or A 22 are 1,4-cyclohexylene, 1,3 dioxane 2,5 dinore, 4,6 dioxane 2,5 dinole, 1,4 phenol Len 2 Funoleo 1, 1, 4 Fenylene, 3 Funoleo 1, 4, 4 Fenylene, 2, 3 Difunoleo low 1, 4 Fenylene, Decahydronaphthalene 2, 6 Dinore, 1, 2, 3, 4 Tetrahydr Lonaphthalene 1,2,6 dinore and Naphthalene 1,2,6 dill.
  • More preferred ⁇ columns are 1,4-cyclohexylene, 1,4 phenylene, 2 fluorolone, 1,4 phenylene, 3 phenoleol, 1,4 phenylene, or 2,3 diphenoleol, 1,4 phenylene. is there . Further preferred examples are 1,4 cyclohexylene, 1,4 phenylene, 2 fluoro-1,4 phenylene, and 3-funoleolone 1,4 phenylene. Particularly preferred examples of ⁇ 1 or ⁇ 2 are 1,4-cyclohexylene and 1,4 phenylene.
  • YWZ u Z 12 Z 2 Z 21 and Z 22 in the [0072] formula (1) and (2) is a linking group.
  • Y is a single bond, (CH) ⁇ — COO— — OCO— —CF O— —OCF— — CH
  • a preferred example of Y is a single bond, — (CH 2) —COO——OCO——CF 2 O——O
  • the configuration of such a linking group with respect to the double bond is preferably trans rather than cis.
  • W are one (CH 3) — and one CH 2 O 3.
  • CH C
  • Trans is preferable to cis for the configuration of the double bond.
  • Preferred examples of Z 2 , Z u , Z 12 , Z 21 or Z 22 are a single bond, one (CH) one, -COO-,-
  • -OCF one, one CH2 CH, one (CH) CF 0 1 and 10 CF (CH 2) —.
  • Z 2 , Z u , Z 12 , Z 21 or Z 22 are single bonds, —CH 2 O—, —O
  • Trans is preferred over cis.
  • j, k, m, n, p and q are each independently 0 or 1, and their sum is 1, 2 or 3. That is, the compound (1) and the compound (2) are compounds having 2 to 4 rings.
  • Ra in formula (1) is not hydrogen, alkoxy or alkoxymethyl
  • Ra in formula (2) is 1 alkenyl.
  • the sum of j, k and m is preferably 1 or 2.
  • the sum of np and q is preferably 1 or 2.
  • a 1 or A 2 are 1,4-phenylene and 1,4-cyclohexylene.
  • a particularly preferred example of formula (1) and formula (2) is that when A 1 and A 2 are both 1,4-phenylene, A 1 is 1,4-phenylene, and A When 2 is 1,4-cyclohexylene, A 1 is 1,4-cyclohexylene, and A 2 is 1,4 phenylene, and A 1 and A 2 are both 1,4-cyclohexane. This is the case for hexylene.
  • Y are single bonds, CH 2) CF 3 O and C
  • H CH.
  • Z 2 is a single bond, CH 2 O— —OCH CF
  • Z 2 is preferably —CH 2 O— —OCH 2 CF 3 O or OCF—.
  • Ra is alkyl or alkenyl
  • Rb is alkoxy
  • a 1 and A 11 are independently 1,4-phenylene or 1,4-cyclohexylene and both Y and Z 11 are preferably a single bond.
  • Ra is alkyl or alkenyl
  • Rb is alkoxy
  • a 1 is 1,4-cyclohexylene.
  • Y is preferably a single bond or one (CH 3) 2 —. At this time, Y is one (C
  • H is one.
  • Ra is alkyl or alkenyl
  • Rb is alkoxy
  • a 1 and A 11 are both 1 , 4 cyclohexylene
  • ⁇ is-(CH)
  • Z 11 is preferably a single bond.
  • Ra and Rb are independently alkyl or alkenyl, and A 1 and A 2 are both 1, 4-phenylene, and is preferably Y, and Z 2 are both single bonds.
  • Ra and Rb are independently alkyl or alkenyl, and A 1 is 1 , 4-cyclohexylene, A 2 is 1,4 phenylene, and Y and Z 2 are both single bonds.
  • Ra and Rb are independently alkyl or alkenyl, and A 1 is 1 , 4 phenylene, A 2 is 1,4-cyclohexylene, and both Y and Z 2 are preferably single bonds.
  • Z 2 is preferably a single bond.
  • a 1 is preferably 1,4-cyclohexylene.
  • Ra is alkyl or alkenyl
  • Rb is alkoxy
  • a 1 is 1 , 4-cyclohexylene
  • W is preferably one (CH 3) one.
  • a bond is preferred.
  • a 11 and A 12 are both 1,4-cyclohexylene, Y is one (CH) — And both z 11 and are preferably a single bond.
  • compound (1) and compound (2) may contain isotopes such as 2 H (deuterium) and 13 C in an amount greater than the natural abundance. At this time, there is no significant difference in the physical properties of the compounds.
  • Preferred examples of the formula (1) are the following formulas (11) to (19), and preferred examples of the formula (2) are formulas (2-1) to (2-9). .
  • formula (1 1) to formula (1-9) it is particularly preferred that at least one of Y and Z 2 is a single bond.
  • Z 2 it is particularly preferable that Z 2 is a single bond.
  • Ra is alkyl having 1 to 10 carbons or alkenyl having 2 to 10 carbons
  • Rb is alkoxy having 1 to 10 carbons
  • a 1 is 1, 4—
  • Preferred is cyclohexylene and Y is a single bond or one (CH) —! / '
  • Ra is alkyl having 1 to 10 carbon atoms
  • Rb is alkyl having 1 to 10 carbon atoms or alkenyl having 2 to 10 carbon atoms
  • a 2 is 1,4-cyclohexylene.
  • Z 2 is preferably —OCH—.
  • Ra is alkyl having 1 10 carbons or alkenyl having 2 10 carbons
  • Rb is alkoxy having 1 10 carbons
  • a 1 and A 11 Are both 1,4-sucrose xylene, and both Y and Z 11 are preferably single bonds.
  • Ra is alkyl having 1 to 10 carbons or alkenyl having 2 to 10 carbons
  • Rb is alkoxy having 1 to 10 carbons
  • both A 1 and A 11 are 1, 4
  • xylene is xylene
  • Y is one (CH)
  • Z 11 is a single bond.
  • Ra is alkyl having 1 to 10 carbons or alkenyl having 2 to 10 carbons
  • Rb is alkoxy having 1 to 10 carbons
  • a 1 is 1,4-phenylene.
  • the a xylene a 1 1 is to 1, 4 Shikuro and arbitrariness preferred that Y and Z 11 are both single bonds.
  • Ra is alkyl having 1 to 10 carbon atoms or alkenyl having 2 to 10 carbon atoms
  • Rb is alkoxy having 1 to 10 carbon atoms
  • both A 1 and A 11 are 1, 4
  • it is phenylene
  • Y and Z 11 are both single bonds.
  • Ra and Rb are each independently an alkyl having 1 to 10; alkyl having 10 carbons or an alcohol having 2-10 carbon atoms, and A 1 and A 2 being both 1, 4 Yes, and Y and Z 2 are preferably both single bonds! /
  • Ra and Rb are independently 1 to carbon atoms; alkenyl of alkyl carbon atoms or 2 10 10, a xylene A 1 is to 1, 4 cycloalkyl, A 2 Is 1,4 phenylene and both Y and Z 2 are preferably single bonds.
  • the number of carbon atoms Ra and Rb are independently 1; 10 alkyl or alkenyl having 2 to 10, an A, 4-phenylene, A 2 is 1, 4-cyclohex It is preferably silene, and both Y and z 2 are preferably a single bond.
  • Ra is alkyl having 1 to 10 carbons
  • Rb is alkyl having 1 to 10 carbons or alkenyl having 2 to 10 carbons
  • a 2 and A 21 are both 1 , 4-cyclohexylene
  • Z 2 is —OCH—
  • Z 21 is preferably a single bond.
  • Ra is alkyl having 1 to 10 carbons or alkenyl having 2 to 10 carbons
  • Rb is alkoxy having 1 to 10 carbons
  • W is-(CH) —Or— CH
  • O and A 1 is 1,4-cyclohexylene.
  • a 1 and A 11 are preferably 1,4-cyclohexylene and Z 11 is a single bond.
  • Ra is alkyl having 1 to 10 carbons or alkenyl having 2 to 10 carbons
  • Rb is alkoxy having 1 to 10 carbons
  • W is-(CH) —Or— CH
  • O 1 , A 1 and A 11 are both 1,4-cyclohexylene, and Z 11 is a single bond.
  • the liquid crystal composition of the present invention is a composition containing at least one of the compound (1) and the compound (2) and may contain at least one optically active compound.
  • the composition of the present invention may contain a liquid crystal compound other than the compound (1) and the compound (2).
  • a preferred liquid crystal compound other than the compound (1) and the compound (2) is a compound selected from the group consisting of compounds represented by the following formulas (3) to (15).
  • R 1 is alkyl having 1 to 10 carbon atoms.
  • any one non-terminal CH— can be replaced by one O (CH
  • X 1 is fluorine, chlorine, OCF -OCHF -CF CHF CH F
  • B 1 and D are independently 1, 4—
  • E is 1,4-cyclohexylene, 1,4 phenylene, or 1,4-phenylene with at least one hydrogen replaced by fluorine.
  • Z 4 and Z 5 are independently — (CH 2) 1, (CH 2) 2 -COO
  • L 2 is independently hydrogen or fluorine.
  • R 2 and R 3 are independently alkyl having 1 to 10 carbon atoms.
  • any —CH— can be replaced by —O (C
  • X 2 is one CN or one C ⁇ C—CN.
  • G is 1,4-cyclohexylene, 1,4 phenylene, 1,3 dioxane 2,5 diyl or pyrimidine 1,2,5-diyl.
  • J is 1,4-cyclohexylene, 1,4-phenylene, pyrimidine-1,2,5-diene, or 1,4-phenylene in which at least one hydrogen is replaced by fluorine.
  • Z 6 is one (CH 3) —COO——CF 2 O——OCF—, or a single bond.
  • L 3 L 4
  • L 5 is independently hydrogen or fluorine.
  • bc and d are independently 0 or (or 1?
  • R 4 is alkyl having 1 to 10 carbon atoms
  • R 5 is fluorine or alkyl having 1 to 10 carbon atoms.
  • H may be replaced and any hydrogen may be replaced by fluorine.
  • M And P 1 is independently 1,4-cyclohexylene, 1,4 phenylene or decahydro-2,6-naphthylene.
  • Z 7 and Z 8 are independently one (CH 2) COO or single connection
  • L 6 and L 7 are independently hydrogen or fluorine, and at least one of L 6 and L 7 is fluorine.
  • R 6 and R 7 are independently alkyl having 1 to 10 carbon atoms. In this alkyl, any non-terminal CH— may be replaced by O.
  • the element may be replaced with fluorine.
  • QT and U are independently 1,4-cyclohexylene, 1,4 phenylene, pyrimidine-25 dinole, or 1,4 phenylene with at least one hydrogen replaced with fluorine.
  • the first example of the liquid crystal composition in the present invention is at least one compound selected from the group consisting of compound (1) and compound (2), compound (3), compound (4) and compound (5 And at least one compound selected from the group consisting of at least one optically active compound! /, A composition.
  • the second example of the liquid crystal composition in the present invention is at least one compound selected from the group consisting of compound (1) and compound (2), compound (61), compound (62) and It is a composition containing at least one compound selected from the group consisting of compound (7) and may contain at least one optically active compound.
  • a third example of the liquid crystal composition of the present invention includes at least one compound selected from the group consisting of compound (1) and compound (2), and each of formula (8) to formula (12). At least one compound selected from the group consisting of the compounds represented by at least one An optically active compound may be included! / A composition.
  • the fourth example of the liquid crystal composition in the present invention is at least one compound selected from the group consisting of compound (1) and compound (2), compound (13), compound (14) and compound.
  • the composition comprises at least one compound selected from the group consisting of (15) and may contain at least one optically active compound.
  • the fifth example of the liquid crystal composition of the present invention comprises a compound (6-1), a compound (6-2), and a compound (7) in addition to the combination of the compounds shown in the first example.
  • a composition further comprising at least one compound selected from the group. That is, at least one compound selected from the group consisting of compound (1) and compound (2), at least one compound selected from the group consisting of compound (3), compound (4) and compound (5), and
  • the composition contains at least one compound selected from the group consisting of compound (6-1), compound (6-2) and compound (7), and may contain at least one optically active compound.
  • the sixth example of the liquid crystal composition in the present invention is selected from the group consisting of the compound (13), the compound (14) and the compound (15) in addition to the combination of the compounds shown in the first example.
  • a composition further comprising at least one compound. That is, at least one compound selected from the group consisting of compound (1) and compound (2), at least one compound selected from the group consisting of compound (3), compound (4) and compound (5) And at least one compound selected from the group consisting of compound (13), compound (14) and compound (15), and may contain at least one optically active compound.
  • the seventh example of the liquid crystal composition of the present invention includes, in addition to the combination of the compounds shown in the second example, a compound (13), a compound (14), and a compound (15).
  • a composition comprising at least one compound selected from the group consisting of one compound, compound (13), compound (14) and compound (15), and may contain at least one optically active compound. is there.
  • the compound of the present invention is a bicyclic, tricyclic or tetracyclic compound having 2-difluoromethyl-3 fluoro1,4 phenylene or 2 trifluoromethyl-3 fluoro 1,4 phenylene.
  • the compound of the present invention is extremely physically and chemically stable under the conditions under which the device is normally used, and has good compatibility with other liquid crystal compounds.
  • the composition containing the compound of the present invention is stable under conditions in which the device is usually used. Even when the composition is stored at a low temperature, the compound does not precipitate as a crystal or a smectic phase.
  • the compound of the present invention has general physical properties necessary for a liquid crystal material, appropriate optical anisotropy, and appropriate dielectric anisotropy.
  • the compound of the present invention has negative dielectric anisotropy. If the substituent and the linking group are properly selected, the compound of the present invention exhibits a large negative dielectric anisotropy.
  • a compound having a large negative dielectric anisotropy is a useful component for lowering the threshold voltage and / or value voltage of a composition for IPS or VA.
  • Ra or Rb is a linear group
  • the temperature range of the liquid crystal phase is wide and the viscosity is small.
  • Ra or Rb is a branched chain group
  • compatibility with other liquid crystal compounds is good.
  • a compound in which Ra or Rb is an optically active group is useful as a chiral dopant. By adding this compound to the composition, it is possible to prevent the reverse twisted domain generated in the device.
  • a compound in which Ra or Rb is not an optically active group is useful as a component of the composition.
  • Ra or Rb is alkenyl! /
  • the configuration depends on the position of the double bond.
  • Preferable! / Alkenyl compounds having a configuration have a high maximum temperature or a wide temperature range of the liquid crystal phase.
  • At least two of A U , A 12 , A 2 , A 21 and A 22 are 1, 4 cyclohexylene.
  • the upper limit temperature is high, the optical anisotropy is small, and the viscosity is small.
  • the optical anisotropy is relatively large and the orientational order parameter is large.
  • the temperature range of the liquid crystal phase with a large optical anisotropy is wide and the upper limit temperature is high.
  • YZ u Z 12 Z 2 At least one of Z 21 and Z 22 is a single bond,-(CH) CF O
  • This linking group is one (CH) ⁇ ⁇
  • the dielectric anisotropy is negative and larger.
  • a compound in which at least one of A 1 and A 2 is 1,4 optionally substituted with fluorine, and the linking groups Z 1 and Z 2 directly connected to the parenthesis ring are single bonds is Furthermore, the dielectric anisotropy is negative and larger, and at the same time the optical anisotropy is large.
  • the compound (11) to compound (15) and the compound (2-1) to compound (2-5) which are bicyclic or tricyclic have a low viscosity! /.
  • the compound (13) to compound (19) and the compound (13) to compound (19) which are tricyclic or tetracyclic have a high maximum temperature.
  • a compound having the desired physical properties can be obtained by appropriately selecting the types of terminal groups, rings and bonding groups, and the number of rings. Therefore, the compounds of the present invention, in particular, the compounds (11) to (19) and the compounds (2-1) to (2-9) are useful as components of compositions used in devices such as IPS VA. is there.
  • liquid crystal material such as a dielectric anisotropy, a wide temperature range of the liquid crystal phase, and a low viscosity.
  • the compound of the present invention can be synthesized by appropriately combining methods in organic synthetic chemistry. Methods for introducing the desired end groups, rings and linking groups into the starting materials are described in Organic Syntheses, John Wiley & Sons, Inc., Organic Reactions, John Wiley & Sons, Inc., Included in omprehensive Organic Synthesis, Pergamon Press, New; ⁇ Experience Course (Maruzen)!
  • MSG 1 or MSG 2 is a monovalent organic group having at least one ring.
  • a plurality of MSG 1 (or MSG 2) used in the scheme may be the same or different.
  • Compound (1A) to Compound (1K) correspond to Compound (1), Compound (2), Compound (11) to Compound (19), or Compound (2-1) to Compound (2-9) .
  • n-BuLi, ii)) n-BuLi
  • Compound (1A) is synthesized by reacting arylboric acid (21) with compound (22) synthesized by a known method in the presence of a carbonate solution and a catalyst such as tetrakis (triphenylphosphine) palladium. .
  • This compound (1A) is obtained by reacting compound (23) synthesized by a known method with n-butyllithium and then with zinc chloride, to give dichlorobis (triphenyl N) Palladium is also synthesized by reacting compound (22) in the presence of a catalyst such as palladium.
  • Compound (23) is reacted with n-butyllithium and subsequently with carbon dioxide to obtain carboxylic acid (24).
  • Compound (24) and phenol (25) synthesized by a known method are dehydrated in the presence of DDC (1,3-dicyclohexyl carpositimide) and DMAP (4-dimethylaminopyridine) to remove COO.
  • the compound (1B) having is synthesized.
  • a compound having OCO is also synthesized by this method.
  • Compound (1B) is treated with a sulfurizing agent such as Lawson's reagent to give compound (26).
  • Compound (26) is fluorinated with hydrogen fluoride pyridine complex and NBS (N bromosuccinimide) to synthesize compound (1C) with -CF 2 O (M. uroboshi et al., Chem. Lett., 1992,
  • Compound (1C) can also be synthesized by fluorinating Compound (26) with (Jetylamino) sulfur trifluoride (DAST) (see WH Bunnelle et al., J. Org. Chem. 1990, 55, 768.) .
  • DAST Jetylamino sulfur trifluoride
  • a compound having OCF is also synthesized by this method. Peer.
  • linking groups can also be generated by the method described in irsch et al., Anbew. Chem. Int. Ed. 2001, 40, 1480.
  • Compound (1G) is synthesized by hydrogenating compound (1E) in the presence of a catalyst such as palladium / carbon.
  • Compound (1F) Compound (1H) is synthesized by catalytic hydrogenation in the presence of a catalyst such as palladium on carbon.
  • the compound (23) is treated with n-butyllithium and then reacted with tetrafluoroethylene to obtain the compound (32).
  • the compound (22) is treated with n-butyllithium and then reacted with the compound (32) to synthesize the compound (II).
  • Compound (33) is obtained by reducing compound (29) with a reducing agent such as sodium borohydride. This is halogenated with hydrobromic acid or the like to obtain compound (34).
  • Compound (1J) is synthesized by reacting compound (34) with compound (25) in the presence of potassium carbonate or the like.
  • the compound (39) is synthesized by the method disclosed in JP-A-58-126823, JP-A-58-121225, JP-A-59-016840, or JP-A-59-042329. This is synthesized by reacting the 3 fluorobenzene derivative (38) with sec butyllithium, then dimethylformamide or formylpiperidine. These reactions are preferably carried out in a solvent such as ether hydrocarbon such as jetyl ether or tetrahydrofuran at a temperature between 100 ° C. and room temperature.
  • Compound (1) is synthesized by reacting compound (39) with a fluorinating agent such as DAST.
  • R is alkyl having 119 carbon atoms.
  • Compound (41) is synthesized by sequentially reacting compound (40) with sodium hydride and chloromethyl methyl ether (MOMC1). These reactions are preferably carried out in a solvent such as tetrahydrofuran at a temperature between 20 ° C. and the boiling point of the solvent.
  • Compound (42) is synthesized by reacting compound (41) with sec butyllithium and then dimethylformamide or formylpiperidine. These reactions are preferably carried out in a solvent such as ether hydrocarbons such as jetyl ether or tetrahydrofuran, at temperatures between 100 ° C. and room temperature.
  • Compound (43) is synthesized by reacting compound (42) with a fluorinating agent such as DAST.
  • This reaction is carried out in a solvent such as a halogenated hydrocarbon such as dichloromethane at a temperature between 100 ° C. and the boiling point of the solvent.
  • Compound (44) is synthesized by deprotection of compound (43). This reaction is performed by reacting dilute hydrochloric acid such as 2M hydrochloric acid in an alcohol such as ethanol at a temperature between room temperature and the boiling point of the solvent.
  • Compound (45) is synthesized by the etherification reaction of compound (44).
  • This reaction is carried out in the presence of a base such as sodium carbonate by reacting compound (44) with an alkyl halide such as alkyl iodide at a temperature between room temperature and the boiling point of the solvent in a solvent such as dimethylformamide.
  • a base such as sodium carbonate
  • np and q are greater than or equal to 1, and Z 2 is — OCO— — OCF — OCF (
  • the compounds (46) to (50) are respectively synthesized by using the compound (44) in place of the alcohol (phenol) intermediate in the above-described method for producing a linking group.
  • Y, Z U , Z 12 , Z 2 , Z 21 or Z 22 is a single bond
  • Compounds (60) and (63) in which A U , A 12 , A 2 , A 21 or A 22 is 1,4 phenylene can be synthesized by the following method in addition to the above synthesis method.
  • Compound (60) is synthesized by reacting compound (58) with boric acid compound (59). These reactions preferably use a metal catalyst in a solvent such as an aromatic hydrocarbon such as toluene, an ether hydrocarbon such as dioxane or ethylene glycol dimethyl ether in the presence of a base such as potassium phosphate or carbonated lithium. At a temperature between room temperature and the boiling point of the solvent. Tetrakis (triphenylphosphine) palladium, dichlorobis (triphenylphosphine) palladium, palladium carbon, etc. are used as the metal catalyst.
  • Compound (63) is used in the reaction route for synthesizing compound (60) from compound (57) described above! /, And instead of compound (57) and compound (59), compound (44) and The compound (62) is used and synthesized by applying the same reaction procedure.
  • the compound (64) is disclosed in JP-A-58-126823, JP-A-58_121225, JP-A-59-016840, or JP-A-59-042329. It is synthesized by reacting the 3 fluorobenzene derivative (38) synthesized by the method with sec butyllithium and then iodine. These reactions are preferably carried out in solvents such as jet hydrocarbons such as jetyl ether or tetrahydrofuran, at temperatures between 100 ° C. and room temperature.
  • solvents such as jet hydrocarbons such as jetyl ether or tetrahydrofuran
  • Compound (64) is synthesized by reacting methyl fluorosulfonyldifluoroacetate in the presence of cuprous iodide. This reaction is dimethyl Perform in an aprotic polar solvent such as honremamide or dimethyl sulfoxide at a temperature between 60 ° C and the boiling point of the solvent.
  • aprotic polar solvent such as honremamide or dimethyl sulfoxide
  • n, p and q are 0, Rb is alkoxy, W is —CH ⁇ CH 1, and compound (69) and W is — (CH 2) 1 )
  • R in these formulas is alkyl having 1 to 19 carbon atoms.
  • compound (66) is synthesized by reacting compound (65) described in Synlett 1999, No. 4, 389-396 with sec-butyllithium and then N-formylpiperidine. These reactions are preferably carried out in a solvent such as ether hydrocarbon such as jetyl ether or tetrahydrofuran at a temperature between 100 ° C. and room temperature.
  • Compound (68) is synthesized by allowing Grignard reagent (67) to act on compound (66) and then dehydrating the resulting alcohol in the presence of an acid catalyst such as p-toluenesulfonic acid.
  • Compound (69) is synthesized by acting on (68) a THF solution of cesium fluoride or tetraptylammonium fluoride in N, N dimethylformamide.
  • Compound (70) can be synthesized by adding hydrogen to compound (69) in the presence of a catalyst such as Pd / C.
  • a catalyst such as Pd / C.
  • n, p and q are 0, Rb is alkoxy, W is —CH 2 O—
  • R in these formulas is alkyl having 1 to 19 carbon atoms.
  • the compound (71) can be obtained by reacting the compound (65) described in Synlett 1999, No. 4, 389-396 with sec butyllithium and then bromine. Synthesize. These reactions are preferably carried out in a solvent such as ether hydrocarbon such as jetyl ether or tetrahydrofuran at a temperature between 100 ° C. and room temperature.
  • Compound (72) is synthesized by acting compound (71) on a THF solution of cesium fluoride or tetraptyl ammonium fluoride in N, N dimethylformamide.
  • Compound (73) is synthesized by reacting compound (72) with a borate ester such as dimethylborate with n-butyllithium, then!
  • Compound (74) is synthesized by allowing hydrogen peroxide to act on compound (73).
  • Compound (76) can be synthesized by reacting compound ( 74 ) with a halide such as compound (75) under basic conditions.
  • Q 3 Ra- (A 1 2 -Z 12 ) — (A 1 1 -Z 1 1 ) —
  • R is alkyl having 1 to 19 carbon atoms.
  • the compounds (77) to (80) are respectively synthesized by using the compound (74) in place of the alcohol (phenol) intermediate in the above-described method for producing a linking group.
  • composition of the present invention will be described in more detail.
  • the components of this composition are compound (1) and compound (2), preferably compound (11) to compound (19) and compound (2— ;!) to compound (2-9) It's possible to have only one compound! / Preferable! /
  • the composition contains at least one compound selected from compound (1 1) to compound (19) and compound (2-1) to compound (2-9) in a ratio of 1 to 99%. contains.
  • This composition also contains a component selected from the compound (3) to the compound (15) group power.
  • components are selected in consideration of the dielectric anisotropy of compound (1) and compound (2).
  • a preferred composition containing a compound selected from the compound (1) and the compound (2), which has a negative dielectric anisotropy and a medium value is as follows. This preference! /, The composition is at least one selected from the group consisting of compound (3), compound (4) and compound (5) Contains one compound. Another preference! / Composition comprises at least one compound selected from the group consisting of compound (6-1), compound (6-2) and compound (7). Another preferred composition comprises at least two compounds selected from each of these two groups. These compositions are used for the purpose of adjusting the temperature range, viscosity, optical anisotropy, dielectric anisotropy, threshold voltage, etc. of the liquid crystal phase, compound (13), compound (14) and compound (15).
  • compositions may further contain at least one compound selected from the group consisting of: These compositions may further contain at least one compound selected from the group consisting of compound (8) to compound (12) for the purpose of further adjusting the physical properties. These compositions may further contain compounds such as other liquid crystal compounds and additives for the purpose of adapting to AM TN devices, STN devices and the like.
  • Another preferred composition contains at least one compound selected from the group consisting of compound (13), compound (14) and compound (15).
  • This composition may further contain at least one compound selected from the group consisting of compound (8) to compound (12) for the purpose of further adjusting the physical properties.
  • This composition may further contain compounds such as other liquid crystalline compounds and additives for the purpose of adapting to AM-TN devices, STN devices and the like.
  • compositions and compositions containing a compound selected from the compound (1) and the compound (2) exhibiting a large negative negative dielectric anisotropy are as follows.
  • the composition contains at least one compound selected from the group consisting of compound (8) to compound (13).
  • This composition may further contain at least one compound selected from the group consisting of compound (13), compound (14) and compound (15).
  • This composition may further contain at least one compound selected from the group consisting of compounds (3) to (7) for the purpose of further adjusting the physical properties.
  • This composition may further contain other liquid crystalline compounds, additives and other compounds for the purpose of adapting to VA devices and the like.
  • Another preferred composition contains at least one compound selected from the group consisting of compound (13), compound (14) and compound (15). This composition may further contain at least one compound selected from the group consisting of compound (8) to compound (12). This composition may further contain at least one compound selected from the group consisting of compound (3) to compound (7). This composition contains other liquid crystalline compounds, additives, etc. A compound may be further contained.
  • a preferred composition containing a compound selected from the compound (1) and the compound (2) having a negative dielectric anisotropy and a small numerical value is as follows.
  • the composition comprises at least one compound selected from the group consisting of compound (3), compound (4) and compound (5).
  • Another preference! / The composition contains at least one compound selected from the group consisting of compound (6-1), compound (6-2) and compound (7) force.
  • Another preferred composition contains at least two compounds selected from each of the two such groups.
  • composition may further contain at least one compound selected from the group consisting of compound (8) to compound (12) for the purpose of further adjusting the physical properties.
  • This composition may further contain compounds such as other liquid crystal compounds and additives for the purpose of adapting to AM-TN devices, STN devices and the like.
  • Another preferred composition contains at least one compound selected from the group consisting of compound (8) to compound (12).
  • This composition may further contain at least one compound selected from the group consisting of compound (13), compound (14) and compound (15).
  • This composition may further contain at least one compound selected from the group consisting of compound (3) to compound (7) for the purpose of further adjusting the physical properties.
  • This composition may further contain a compound such as other liquid crystalline compounds and additives for the purpose of adapting to a VA device and the like.
  • the compound (3), the compound (4) and the compound (5) have a positive and large dielectric anisotropy, and are therefore mainly used in compositions for AM-TN devices.
  • the amount of these compounds is;!-99%.
  • a preferred amount is 10-97%.
  • a more preferred amount is 40 to 95%.
  • the preferred amount of this compound is 60% or less.
  • a more preferred amount is 40% or less.
  • Compound (6-1), Compound (6-2), and Compound (7) have very high positive dielectric anisotropy. Since it is large, it is mainly used in compositions for STN devices. In this composition, the amount of these compounds is 1 to 99%. A preferred amount is 10-97%. A more preferred amount is 40 to 95%. When compound (13), compound (14) or compound (15) is further added to this composition, the preferred amount of this compound is 60% or less. A more preferred amount is 40% or less.
  • compound (8) to compound (12) have negative dielectric anisotropy, they are mainly used in compositions for VA devices.
  • the preferred amount of these compounds is 80% or less. A more preferred amount is 40-80%.
  • compound (13), compound (14) or compound (15) is further added to this composition, the preferred amount of this compound is 60% or less. A more preferred amount is 40% or less.
  • the dielectric anisotropy of the compounds (13), (14) and (15) is small.
  • the compound (13) is mainly used for the purpose of adjusting viscosity or optical anisotropy.
  • Compound (14) and Compound (15) are used for the purpose of increasing the temperature range of the liquid crystal phase by increasing the maximum temperature or adjusting the optical anisotropy.
  • Increasing the amount of compound (13), compound (14) and compound (15) increases the threshold voltage of the composition and decreases the viscosity. Therefore, it can be used in large amounts as long as the composition threshold is satisfied!
  • Compound (3) to Compound (15) are preferred! / Examples are Compound (3-1) to Compound (3-9), Compound (4 1) to Compound (4-97), Compound (5-1) to Compound (5-33), Compound (6-1) to Compound (6-56), Compound (7-1) to Compound (7-3), Compound (8-1) to Compound ( 8-4), Compound (9-1) to Compound (9-6), Compound (10-1) to Compound (10-4), Compound (1 1 1), Compound (12-1), Compound (13 — 1) to Compound (13-14), Compound (14 1 ;! to Compound (1431), and Compound (15-1) to Compound (15-6).
  • the symbols in these compounds have the same meaning as the symbols in compounds (3) to (15).
  • the composition of the present invention is prepared by a known method.
  • the component compounds are mixed and dissolved in each other by heating.
  • Appropriate additives may be added to the composition to adjust the physical properties of the composition.
  • Such additives are well known to those skilled in the art.
  • a composition for a GH device may be prepared by adding a dichroic dye which is a compound such as merocyanine, styrinole, azo, azomethine, azoxy, quinophthalone, anthraquinone, and tetrazine.
  • a chiral dopant is added for the purpose of inducing the helical structure of the liquid crystal to give the necessary twist angle. Examples of chiral dopants are the following optically active compounds (Op— ;!) to (Op—13).
  • Chiralde pant added to composition And the preferred pitch for TN-TFT devices is in the range of 40-200 m: preferred for STN devices! /, The pitch is in the range of 6-20 am: preferred for BTN devices! /, The pitch is It is in the range of 1 ⁇ 5 to 4 ⁇ m: A relatively large amount of chiral dopant is added to the composition for PC elements. In order to adjust the temperature dependence of the pitch, at least two chiral dopants may be added.
  • the composition of the present invention can be used in devices such as PC, TN, STN, BTN, ECB, OCB, IPS, and VA. These elements may be driving force or AM.
  • NCAP nonematic curvilinear aligned phase
  • PD polymer dispersed
  • f row xJiPN polymer network element
  • the ratio (percentage) of the component or the liquid crystal compound is a weight percentage (% by weight) based on the total weight of the liquid crystal compound.
  • the composition is prepared by measuring the weight of a component such as a liquid crystal compound and then mixing them. Therefore, it is easy to calculate the weight percentage of the component. However, it is not easy to accurately calculate the component ratio by gas chromatographic analysis of the composition. This is because the correction coefficient depends on the type of liquid crystal compound. Fortunately, the correction factor is almost 1. Furthermore, a 1% by weight difference in the component compounds has little effect on the properties of the composition. Therefore, in the present invention, the area ratio of the component peak in the gas chromatograph can be regarded as the weight% of the component compound.
  • the results of gas chromatographic analysis can be considered to be equivalent to the weight percent of the liquid crystal compound without correction.
  • characteristic values there are three methods: when a compound is used as it is as a sample, when a compound is mixed with mother liquid crystals and used as a sample, and when a composition is used as a sample as it is.
  • the ratio of the compound to the base liquid crystal is 10% by weight: 90% by weight, 5% by weight: 95% by weight, 1% by weight: 99% by weight. The order was changed.
  • mother liquid crystal A The composition of the mother liquid crystal A is as follows.
  • the crystal was represented as C.
  • the crystals can be distinguished, they are expressed as C or C, respectively.
  • the tic phase is represented as S.
  • the liquid (isotropic) was expressed as Iso.
  • the nematic phase is represented as N.
  • the smectic phase can be distinguished from the smectic B phase, smectic C phase, or smectic A phase, they are expressed as S, S, or S, respectively.
  • transition temperature “C”
  • the upper limit temperature of the nematic phase may be abbreviated as “upper limit temperature”.
  • a sample having a nematic phase is stored in a freezer at 0 ° C., 1 ° C., 1 20 ° C., 1 30 ° C., and 40 ° C. for 10 days, and the liquid crystal phase is observed.
  • T is written as -20 ° C.
  • the minimum temperature of the nematic phase may be abbreviated as “minimum temperature”
  • a mother liquid crystal having a nematic phase is prepared by mixing several compounds having a similar structure.
  • a composition in which the compound to be measured and this mother liquid crystal are mixed is obtained.
  • An example of the mixing ratio is 15% compound and 85% mother liquid crystal.
  • the distance (gap) between the two glass substrates is (0 ⁇ 5 / ⁇ ) ⁇ m, and the twist angle is 80 degrees.
  • a sample is placed in a normally white mode liquid crystal display device.
  • ⁇ is a value of optical anisotropy measured by the above method.
  • a rectangular wave with a frequency of 32 ⁇ is applied to this element. Raise the voltage of the rectangular wave and measure the voltage value when the transmittance of light passing through the element reaches 90%.
  • the distance between the two glass substrates (gap) is approximately 9,1 m, and the sample is placed in a normally black mode liquid crystal display device that has been processed in home-to-mouth orientation.
  • a rectangular wave with a frequency of 32 Hz is applied to this element. Raise the voltage of the square wave and measure the voltage value when the transmittance of light passing through the element reaches 10%.
  • DRX-500 manufactured by Bruker Biospin Co., Ltd.
  • Deuterium such as CDC1
  • TMS Tetramethylsilane
  • GC-14B gas chromatograph manufactured by Shimadzu Corporation was used for the measurement.
  • the carrier gas is helium (2 ml / min).
  • the sample vaporization chamber was set to 280 ° C and the detector (FID) was set to 300 ° C.
  • a chiral column DB-1 (length 30111, inner diameter 0.32 mm, film thickness 0.25 m; dimethylpolysiloxane; nonpolar) made by Agilent Technologies Inc. was used.
  • the column was held at 200 ° C for 2 minutes and then heated to 280 ° C at a rate of 5 ° C / min.
  • the sample was prepared in an acetone solution (0.1% by weight), and 1 ⁇ 1 was injected into the sample vaporization chamber.
  • the recorder is a C-R5A Chromatopac manufactured by Shimadzu Corporation, or an equivalent.
  • the obtained gas chromatogram showed the retention time and peak area corresponding to the component compounds.
  • HP—1 length 30m, ID 0 ⁇ 32mm, film thickness 0 ⁇ 25m
  • Rtx—1 length 30m, ID 0.32mm, film thickness 0.25mm
  • BP-1 length 30m, inner diameter 0 ⁇ 32mm, film thickness 0 ⁇ 25 111).
  • a single-force ram CBP1——50-025 (length 50 m, inner diameter 0.25 mm, film thickness 0.25 mm) manufactured by Shimadzu Corporation may be used.
  • the area ratio of peaks in the gas chromatogram corresponds to the ratio of component compounds.
  • the weight percentage of the component compounds is not completely the same as the area ratio of each peak. However, in the present invention, when these column columns are used, the weight percentage of the component compounds may be regarded as being the same as the area ratio of each peak. This is because there is no significant difference in the correction coefficients of the component compounds.
  • a THF solution of 2-fluoro-4-ethoxybromobenzene is added dropwise to the dried shaved magnesium at 40 60 ° C.
  • To this solution is added dropwise THF solution of 4 (Provircyclohexyl) cyclohexanone at 40 60 ° C and stirred for another 2 hours.
  • the reaction mixture is poured into saturated aqueous ammonium chloride and extracted with toluene.
  • the organic layer is washed successively with water and saturated brine, dried over anhydrous magnesium sulfate, and concentrated under reduced pressure.
  • the resulting crude 1-hydroxy-4 4 propyl cyclohexyl cyclohexyl lu 2 fluoroethoxybenzene is used in the second step without purification.
  • the aqueous layer was extracted with 100 ml of ethyl acetate, and the organic layer was mixed, washed successively with water and saturated brine, dried over anhydrous magnesium sulfate, and concentrated under reduced pressure to give a crude product. 22.3 g of 3-fluoro-4-ethoxyphenylpolonic acid was obtained. The obtained boric acid derivative was used in the second step without purification.
  • the concentrated residue was purified by silica gel column chromatography using a mixed solvent of ethyl acetate / heptane as an eluent to obtain 17 ⁇ 6 g (l l 3 mmol) of 3-fluoro-4-ethoxyphenol.
  • the extract layer was washed successively with water and saturated brine, dried over anhydrous magnesium sulfate, and concentrated under reduced pressure.
  • the organic layer was washed successively with water and saturated brine, dried over anhydrous magnesium sulfate, concentrated under reduced pressure, and the residue was purified by silica gel column chromatography using a mixed solvent of ethyl acetate / heptane as a developing solvent. Purify and obtain This one more The product was purified by repeated recrystallization to obtain 7.6 g of 2 difluoromethyl 1-3 fluoro 4 ethoxyphenyl methoxymethyl ether.
  • the resulting crude triflate derivative (5.5 g) was 4- (propyl cyclohexyl) phenylboric acid 3.2 g (13.2 mmol), potassium bromide 1.6 g (13.2 mmol), potassium phosphate 5 ⁇ lg (24 mmol), 50 ml of dioxane, and 0.4 g (0.3 mmol) of tetrakistriphenylphosphine palladium as a coupling catalyst were mixed and heated to reflux for 5 hours. The reaction mixture was poured into water and extracted with 100 ml of toluene, and then the organic layer was washed successively with water and saturated brine, dried over anhydrous magnesium sulfate, and concentrated under reduced pressure.
  • the concentrated residue was purified by silica gel column chromatography using a mixed solvent of ethyl acetate / heptane as an eluent, and further purified by repeated recrystallization from a mixed solvent of heptane / ethanol. Hexinole) phenyl-2-fluoro-3 difluoromethyl-ethoxybenzene was obtained. The melting point of this compound was 82.2 ° C.
  • 2-Fluoro-4-methylphenyl methoxymethyl ether obtained in the first step is dissolved in terahydrofuran and cooled to 70 ° C under a nitrogen atmosphere and acetone dry ice refrigerant.
  • To this solution is added sec butyl lithium dropwise under a nitrogen atmosphere, and the mixture is stirred at 70 ° C for 1 hour.
  • dimethylformamide is added dropwise at -70 ° C.
  • the mixture is stirred at the same temperature for 2 hours.
  • the reaction mixture is poured into saturated aqueous ammonium chloride and extracted with hexane.
  • the organic layer is washed successively with water and saturated brine, dried over anhydrous magnesium sulfate, and concentrated under reduced pressure.
  • the resulting residue is purified by silica gel column chromatography to obtain 2 fluoro-3 formyl-4 methylphenyl methoxymethyl ether.
  • Fluoro-3 formyl-4 methylphenyl methoxymethyl ether obtained in the second step is dissolved in dichloromethane and cooled to 0 ° C. in a nitrogen atmosphere, and then added with jetylaminosulfur trifluoride (DAST) at room temperature. Stir for hours.
  • the solution is poured into an aqueous sodium hydrogen carbonate solution and extracted with heptane.
  • the organic layer is washed successively with water and saturated brine, dried over anhydrous magnesium sulfate, and concentrated under reduced pressure. Concentrated residue Is purified by silica gel column chromatography to obtain 2 fluoro 3 difluoromethylolene 4 methylphenyl methoxymethyl ether.
  • Ethylphenylboric acid is mixed with 3-fluoro-4-sulfinpalladium in a toluene / ethanol mixed solvent and heated to reflux for 8 hours.
  • the reaction mixture is poured into water and extracted with 100 ml of toluene.
  • the organic layer is washed successively with water and saturated brine, dried over anhydrous magnesium sulfate, and concentrated under reduced pressure.
  • the concentrated residue is purified by silica gel column chromatography. And purified by repeated recrystallization to obtain pure 3-fluoro-4- (4-ethylphenyl) anisole.
  • 3-Fluoro-4 (4-ethylphenyl) phenyl methoxymethyl ether obtained in the third step is dissolved in terahydrofuran and cooled to 70 ° C under a nitrogen atmosphere and acetone dry ice refrigerant.
  • To this solution add sec butyl lithium dropwise under a nitrogen atmosphere, and then stir at -70 ° C for 1 hour.
  • dimethylformamide is added dropwise at -70 ° C, followed by stirring at the same temperature for 2 hours.
  • the reaction mixture is poured into saturated aqueous ammonium chloride and extracted with hexane.
  • the organic layer is washed successively with water and saturated brine, dried over anhydrous magnesium sulfate, and concentrated under reduced pressure.
  • Step 5 2-Honoreminole 3-Funoreo port 4- (4-Ethenolefenole) phenol methoxymethyl ether obtained in Step 4 is dissolved in dichloromethane and cooled to 0 ° C in a nitrogen atmosphere. Add orido (DAST) and stir at room temperature for 20 hours. The solution is poured into an aqueous sodium hydrogen carbonate solution and extracted with heptane. The organic layer is washed successively with water and saturated brine, dried over anhydrous magnesium sulfate, and concentrated under reduced pressure. The concentrated residue is purified by silica gel column chromatography to obtain 2-difluoromethenole 3-funoleo port 4 4 ethino ref.
  • DAST orido
  • 2-Difluoromethyl 3-fluoro-4- (4-ethylphenyl) phenol and pyridine obtained in the sixth step are dissolved in dichloromethane, and trifluoromethanesulfonic anhydride is added at about 5 ° C under a nitrogen atmosphere, and the mixture is heated at the same temperature for 2 hours. Stir.
  • the reaction mixture is poured into an aqueous sodium hydrogen carbonate solution and extracted with dichloromethane.
  • the organic layer is washed successively with water and saturated brine, dried over anhydrous magnesium sulfate, and then concentrated under reduced pressure to obtain a crude triflate derivative.
  • the resulting crude triflate derivative is mixed with 4 pentylphenylboric acid, potassium bromide, and potassium phosphate in dioxane, tetrakistriphenylphosphine palladium is added as a coupling catalyst, and the mixture is heated to reflux for 8 hours.
  • the reaction mixture is poured into water and extracted with toluene.
  • the organic layer is washed successively with water and saturated brine, dried over anhydrous magnesium sulfate, and concentrated under reduced pressure.
  • the concentrated residue is purified by silica gel column chromatography, and further purified by repeated recrystallization to obtain pure 4 pentyl-2 'difluoromethyl 3'-fluoro 4 "-ethyl terphenyl.
  • reaction mixture was poured into 100 ml of saturated ammonium chloride water and extracted with 200 ml of toluene.
  • the organic layer was washed sequentially with 100 ml of water and 100 ml of saturated brine, dried over anhydrous magnesium sulfate, concentrated under reduced pressure, and crude 1-hydroxy 1 1 1 (2-trifluoromethyl-3 fluoro-4 ethoxy-5 trimethylsilylphenyl). 20-7 g of) -2— (4 (4 (propyl) cyclohexyl) cyclohexyl) ethane was obtained.
  • Example 7 ⁇ - (4- (4-Propylcyclohexyl) cyclohexyl) 2-trifluoromethyl-3 fluoro-4-etoxystyrene obtained in Example 7 7.89 g was dissolved in 200 mL of a toluene solvent mixture solvent. . A palladium carbon catalyst was added to this solution under a nitrogen atmosphere, and a hydrogenation reaction was performed at room temperature and pressure for 2 days. After completion of the reaction, the catalyst was removed by filtration.

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Abstract

　負の誘電率異方性を示す公知の化合物は比較的大きな数値の負の誘電率異方性を示すものの、透明点が低く、また大きな粘度を示す等、液晶材料としての物性バランスが良好ではない。本発明は負の誘電率異方性を示すと共に、比較的高い透明点、比較的小さな粘度、適切な光学異方性、および他の液晶性化合物との優れた相溶性等、優れた物性バランスを有する液晶性化合物を提供することを目的とする。 　本発明の化合物は式（１）または式（２）で表される化合物である。これらの式において、ＲａおよびＲｂは水素または炭素数１～２０のアルキルであり、Ａ１、Ａ１１、Ａ１２、Ａ２、Ａ２１およびＡ２２は環状基であり、Ｙ、Ｗ、Ｚ１１、Ｚ１２、Ｚ２、Ｚ２１およびＺ２２は結合基であり、そしてｊ、ｋ、ｍ、ｎ、ｐおよびｑは０または１であり、これらの合計は１～３である。

Description

明 細 書
ベンゼン誘導体、液晶組成物および液晶表示素子
技術分野
[0001] 本発明は液晶性化合物、液晶組成物および液晶表示素子に関する。さらに詳しく はベンゼン誘導体、これを含有し、そしてネマチック相を有する液晶組成物、および この組成物を含有する液晶表示素子に関する。
背景技術
[0002] 液晶表示素子は、液晶の動作モードに基づいて、 PC (phase change)、 TN (twisted nematic)、 S Ν (super twisted nematic)、 BTN (Bistable twisted nematic 、 Eし B ( electrically controlled birernngence)、 OCB (optically compensated bend)、 IPS ( in-plane switching)、 VA (vertical alignment)などに分類される。この素子は、その駆 動方式に基づいて PM (passive matrix)と AM (active matrix)に分類される。 PM ( passive matrix)はスタティック (static)とマノレチプレックス (multiplex)などに分類され、 AMは TFT (thin film transistor)、 MIM (metal insulator metal)などに分類される。
[0003] これらの液晶表示素子は、液晶組成物を含有する。以下の説明にお!/、ては、液晶 表示素子を単に素子と表記することがある。液晶組成物を単に組成物と表記すること がある。液晶性化合物を単に化合物と表記することがある。素子の特性を向上させる には、この組成物が適切な物性を有することが好ましい。組成物の成分である化合 物に必要な一般的物性は、次のとおりである。
(1)化学的な安定性と物理的な安定性。
(2)高い透明点。
(3)液晶相の低い下限温度。
(4)小さな粘度。
(5)適切な光学異方性。
(6)適切な誘電率異方性。
(7)大きな比抵抗。
透明点は、液晶相一等方相の転移温度である。液晶相は、ネマチック相、スメクチッ ク相などを意味する。なお、大きな誘電率異方性を有する化合物は、高い粘度を有 することが多い。
[0004] 組成物は多くの化合物を混合して調製される。したがって、これらの化合物は他の 化合物とよく混和するのが好ましい。素子を氷点下の温度で使うこともあるので、低い 温度で良好な相溶性を有する化合物が好ましレ、。高!/、透明点または液晶相の低!/、 下限温度を有する化合物は、組成物におけるネマチック相の広い温度範囲に寄与 する。好ましい組成物は、小さな粘度と素子のモードに適した光学異方性を有する。 化合物の大きな誘電率異方性は、組成物の低いしきい値電圧に寄与する。このよう な組成物によって、使用できる温度範囲が広い、応答時間が短い、コントラスト比が 大きい、駆動電圧が小さい、消費電力が小さい、電圧保持率が大きいなどの特性を 有する素子を得ることができる。
[0005] 負の誘電率異方性を示す化合物としては 2, 3 ジフルォロ 1 , 4 フエ二レンを部 分構造に有する化合物 ωが一般的に知られている（非特許文献 2を参照）。誘電率 異方性を改良するための化合物として、負の誘電率異方性をさらに大きな数値にさ せるため、化合物分子の側方位にトリフルォロメチルを結合させた化合物（ϋ)、ジフ ルォロメチルを結合させた化合物（iii)および化合物（iv)が報告されて!/、る (特許文献 1、非特許文献 1、非特許文献 2および特許文献 2を参照）。しかしながら、これらの化 合物は比較的大きな数値の負の誘電率異方性を示すものの、透明点が低ぐまた大 きな粘度を示す等、液晶材料としての物性バランスが良好ではない。さらに好ましい 液晶性化合物、液晶組成物および液晶表示素子が望まれて!/、る。
Figure imgf000004_0001
[0006] 特許文献 1 :特開平 8— 040953号公報
特許文献 2： WO2000/03963号ノ ンフレット
非特許文献 l : Synlett. 1999， No.4, 389-396
非特許文献 2 :Angew. Chem. Int. Ed. 2000， 39， 4216-4235
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0007] 本発明の第一の目的は、負の誘電率異方性を示すと共に、比較的高い透明点、比 較的小さな粘度、適切な光学異方性、および他の液晶性化合物との優れた相溶性 等、優れた物性バランスを有する液晶性化合物を提供することである。第二の目的は 、この化合物を含有し、ネマチック相の広い温度範囲、小さな粘度、適切な光学異方 性、および低いしきい値電圧を有する液晶組成物を提供することである。第三の目的 は、この組成物を含有し、短い応答時間、小さな消費電力、大きなコントラスト、およ び高い電圧保持率を有する液晶表示素子を提供することにある。
課題を解決するための手段
[0008] 最初に、本明細書における用語について説明する。液晶性化合物は、ネマチック 相、スメクチック相などの液晶相を有する化合物および液晶相を有しないが液晶組成 物の成分として有用な化合物の総称である。液晶表示素子は液晶表示パネルおよ び液晶表示モジュールの総称である。ネマチック相の上限温度はネマチック相一等 方相の相転移温度であり、そして単に上限温度と略すことがある。ネマチック相の下 限温度を単に下限温度と略すことがある。式（1)で表わされる化合物を化合物（1)と 表記すること力 Sある。この表記法は式（2)などで表される化合物にも適用することがあ る。「任意の」は位置だけでなぐ個数についても任意であることを示す。そして、任意 の Aが B、 Cまたは Dで置き換えられてもよいという表現は、 1つの Aが B、 Cまたは Dで 置き換えられてもよいという意味と、複数の Aのどれもが B、 Cおよび Dのいずれ力、 1つ で置き換えられてもよいという意味とに加えて、 Bで置き換えられる A、 Cで置き換えら れる A、および Dで置き換えられる Aの少なくとも 2つが混在してもよいという意味を有 する。例えば、任意の—CH—が—O—または— CH = CH—で置き換えられてもよ
2
い n—ブチルには、 CH (CH ) —の他、 CH (CH ) O—、 CH — O— (CH ) 一、 CH -O-CH O— CH =CH— (CH ) CH— CH = CH— (CH ) C
3 2 2 2 3 3 2 2
H— CH = CH— CH—O などが含まれる。そして、このような場合には、化合物
3 2
の安定性を考慮すると、連続する複数の CH—が O で置き換えられない方が 好ましい。
Figure imgf000006_0001
分岐された 基であってもよい。このことは、これらの基における任意の CH—が O または
2
— CH = CH で置き換えられる場合も同様である。そして、組成物において示され る百分率で表した化合物の量は、組成物の全重量に基づいた重量百分率（重量％) である。
本発明は次の各項で構成される。
[1] 式（1)または式（2)で表される化合物：
Figure imgf000006_0002
ここに、 Raおよび Rbは独立して水素または炭素数 1 20のアルキルであり；このアル キルにおいて、任意の一 CH—は一 O S CO または一 SiH—で置き
2 2 換えられてもよく、任意の—（CH ) —は— CH = CH で置き換えられてもよぐそし
2 2
て任意の水素はハロゲンで置き換えられてもよく；
Au A12 A2 A21および A22は独立して 1 , 4ーシクロへキシレン、 1 , 4 フエ二 レン、デカヒドロナフタレン一 2, 6—ジィル、 1 , 2, 3, 4—テトラヒドロナフタレン一 2, 6—ジィル、またはナフタレン一 2, 6—ジィルであり；これらの環において、 1つのまた は隣り合わない 2つの一 CH—は一 O S CO または一 SiH—で置き
2 2 換えられてもよく、そして任意の水素はハロゲンで置き換えられもよく；
Yは単結合、 （CH ) ― — CH = CH― — CF = CF― — CF O— — OCF -
2 2 2 2 -CH CO— -COCH -CH SiH SiH CH CH ) C
2 2 2 2 2 2 2 4
H = CH- (CH ) ― (CH ) ― CH = CH— - (CH ) CF O 、または— OC
2 2 2 2 2 2 2
F (CH ) 一であり；
2 2 2
Wは CH ) CH = CH CF = CF CH O OCH CF O OCF CH CO COCH CH SiH SiH CH
2 2 2 2 2 2 2 2 一 （CH ) 一、 一 （CH ) O O—（CH ) 一、 -CH = CH- (CH ) 、 一 （
2 4 2 3 2 3 2 2
CH ) —CH = CH 、 一 （CH ) CF O—、または OCF (CH ) 一であり；
2 2 2 2 2 2 2 2
zu z12 z2 z21および z22は、独立して単結合、 - (CH ) COO -oco
2 2
-CH O— -OCH -CF O— -OCF CH = CH CF = C
2 2 2 2
F— -CH CO— -COCH 一 （CH ) 一 （CH ) 一 O 、 一 O—（CH )
2 2 2 4 2 3 2 3 CH = CH— (CH ) ― (CH ) — CH = CH— - (CH ) CF O 、また
2 2 2 2 2 2 2 は OCF (CH ) 一であり；
2 2 2
j k m n pおよび qは独立して 0または 1であり、そしてこれらの合計は 1 2、または 3であり；
mが 0であるとき、 jおよび kはどちらも 0であり、式（1)における Raは水素、アルコキシ およびアルコキシメチルのいずれでもなぐそして式（2)における Raは 1ーァルケ二 ルである。
[0010] [2] j kおよび mの合計、並びに n pおよび qの合計が独立して 1または 2である、 [ 1]項に記載の化合物。
[0011] [3] 式（1 1)〜式（1 9)および式（2— 1)〜式（2— 9)のいずれか 1つで表される
[1]項に記載の化合物：
0 H
CM 00 寸 CD CO
Figure imgf000008_0001
Figure imgf000009_0001
C
Ra-A1 1-Z1 1-A1-W-^ Rb (2-3)
Figure imgf000009_0002
； C
Ra —-Aム1'2_フ12— フ 11—ム1— (2-6)
Ra —- 72_ ΑΔ2 _— Rb (2-7) - A2— Z21— A21 -Rb (2-8) A21-Z22-A22-Rb (2-9)
Figure imgf000009_0003
ここに、 Raおよび Rbは独立して水素または炭素数 1〜20のアルキルであり；このアル キルにおいて、末端に位置しない任意の— CH—は、 O—、—S または— CO—
2
で置き換えられてもよぐ任意の一（CH ) 一は CH = CH で置き換えられてもよ
2 2
ぐそして任意の水素はハロゲンで置き換えられてもよく；
AU、 A12、 A2、 A21および A22は、独立して 1 , 4ーシクロへキシレン、 1 , 4 フエ 二レン、デカヒドロナフタレン一 2, 6 ジィル、 1 , 2, 3, 4 テトラヒドロナフタレン一 2 , 6 ジィル、またはナフタレン一 2, 6 ジィルであり；これらの環において、 1つのま たは隣り合わない 2つの— CH—は— O—、—S 、または— CO で置き換えられ
2 てもよく、そして任意の水素はハロゲンで置き換えられもよく；
Yは単結合、 （CH ) ― — CH = CH― — CF = CF― — CF O— — OCF -
2 2 2 2 -CH CO— -COCH -CH SiH SiH CH CH ) C
2 2 2 2 2 2 2 4
H = CH- (CH ) ― (CH ) ― CH = CH— - (CH ) CF O 、または— OC
2 2 2 2 2 2 2
F (CH ) 一であり；
2 2 2
Wは CH ) CH = CH CF = CF CH O OCH CF
2 2 2 2
O— -OCF -CH CO— -COCH CH SiH SiH CH
2 2 2 2 2 2 2 2
-(CH ) - (CH ) —O - -0-(CH ) -CH = CH-(CH )
2 4 2 3 2 3 2 2
CH ) —CH = CH 、一（CH ) CF O—、または OCF (CH ) 一であり；
2 2 2 2 2 2 2 2
Zu Z12 Z2 Z21および Z22は、独立して単結合、 - (CH ) —coo— -oco
2 2
-CH O— -OCH -CF O— -OCF CH = CH CF = C
2 2 2 2
F— -CH CO— -COCH CH ) CH ) O O—（CH )
2 2 2 4 2 3 2 3 ― CH = CH— (CH ) ― (CH ) ― CH = CH— - (CH ) CF O 、また
2 2 2 2 2 2 2 は OCF (CH ) 一であり；
2 2 2
式（1 2)、式（1 5)および式（1 9)において、 Raは水素、アルコキシおよびアル コキシメチルの!/、ずれでもなく；式（2— 2)、式（2— 5)および式（2— 9)にお!/、て、 Ra は 1 アルケニルである。
[4] Raおよび Rbが独立して炭素数 1〜 10のアルキル、炭素数 1〜 10のアルコキシ 、炭素数 2〜； 10のアルコキシアルキル、炭素数 2〜 10のアルケニル、炭素数 3〜； 10 のァルケニルォキシ、炭素数 1〜10のパーフルォロアルキル、または炭素数;!〜 10 のパーフルォロアルコキシであり；
Au A12 A2 A21および A22が、独立して 1, 4ーシクロへキシレン、 1, 3—ジォ キサン一 2, 5 ジィル、 4, 6 ジォキサン一 2, 5 ジィル、 1, 4 フエ二レン、 2 フ ノレオロー 1, 4 フエ二レン、 3 フノレオ口 1, 4 フエ二レン、 2, 3 ジフノレオロー 1, 4 —フエ二レン、デカヒドロナフタレン一 2, 6 ジィノレ、 1, 2, 3, 4 テトラヒドロナフタレ ンー 2, 6 ジィノレ、またはナフタレン 2, 6 ジィルであり；
Z11および Z12が、独立して単結合、―（CH ) ― ― COO— ― OCO— -CF O
2 2 2 -OCF CH = CH— - (CH ) -CH = CH- (CH ) 一（CH ) 一 CH=CH (CH ) CF O—、または OCF (CH ) であり；
2 2
Z2 Z21および Z22が、独立して単結合、 (CH ) COO oco c
H O- OCH CF O OCF CH = CH 、一 CF = CF—、一（
2
CH ) (CH ) O- O—（CH ) - CH = CH—（CH ) —、一（CH
2 3 2 2
) -CH = CH- (CH ) CF O—、または OCF (CH ) - -であり；
Yが単結合、 (CH ) CH = CH- CF O OCF、一（CH )
2 2 2
(CH ) CF O—、または OCF (CH ) —であり；
そして、 Wがー（CH ) - CH O OCH CF O -OCF C
2
H = CH- (CH ) (CH ) O- O—（CH ) (CH ) CF O-
2 4 2 3 2 3
、または OCF (CH ) 一である、 [3]項に記載の化合物。
[5] Raおよび Rb力 独立して炭素数 1 10のアルキル、炭素数 1 10のアルコキ シ、炭素数 2〜； 10のアルコキシアルキルまたは炭素数 2〜； 10のアルケニルであり； AU A12 A2 A21および A22力 独立して 1 , 4ーシクロへキシレン、 1 , 4 フエ 二レン、 2 フノレオロー 1 , 4 フエ二レン、 3 フノレオロー 1 , 4 フエ二レン、または 2 , 3—ジフノレオロー 1 , 4 フエ二レンであり；
Z11および が、独立して単結合、一（CH ) OCF CH:
2 2
CH 、一（CH ) -CH = CH- (CH ) 一 (CH ) 一 CH = CH 、一（CH
2 4 2 2
) CF〇一、または一〇CF (CH ) 一であり；
2 2 2 2 2 2
Z2 Z21および Z22が、独立して単結合、 (CH ) -OCH C
2
F O OCF CH = CH- (CH ) CF O—、または- OCF (CH ) 一であり；
Yが単結合、 CH = CH- CF O OCF (CH )
2 2 2
(CH ) CF O 、または一 OCF (CH ) —であり；
そして、 Wがー（CH ) - CH O OCH CF O -OCF C
2
H = CH- (CH ) (CH ) O- O—（CH ) (CH ) CF〇一
2 4 2 3 2 3 2 2 2
、または OCF (CH ) 一である、 [3]項に記載の化合物。
2 2 2
[6] Raが炭素数 1 10のアルキルまたは炭素数 2 10のアルケニルであり、そして Rbが炭素数 1〜： L0のアルコキシであり； AU、 A12、 A2、 A21および A22力 独立して 1, 4ーシクロへキシレン、 1, 4 フエ 二レン、 2—フノレオロー 1, 4 フエ二レン、または 3—フノレオロー 1, 4 フエ二レンで あり；
Z11および Z12が独立して単結合または CH = CH であり；
Z2、 Z21および Z22が独立して単結合、 CH O—、— OCH —、— CF〇—、または
2
-OCF 一であり；
Yが単結合、 (CH ) CH二 CH—、 -CF〇一、 -OCF、 一（CH ) 一、 -
2 2 2 2 2 4
(CH ) CF〇一、または- OCF (CH ) 一であり；
2 2 2 2 2 2
そして、 Wがー（CH ) -CH〇一、 -OCH 一、 -CF〇一、 -OCF 一、 C
2 2 2 2 2 2
H二 CH 、一（CH ) 一 一 (CH ) 一〇一、一〇一 (CH ) 一、一 (CH ) CF〇一
2 4 2 3 2 3 2 2 2
、または一〇CF (CH ) - -である、 [3]項に記載の化合物。
[0015] [7] A1または A2が 1, 4- シクロへキシレンである、 [3]〜 [6]の!/、ずれか 1項に記 載の化合物。
[0016] [8] A1または A2が 1, 4- -フエ二レンである、 [3]〜 [6]の!/、ずれ力、 1項に記載の化 合物。
[0017] [9] 式（1 1)〜式（1 9)において Yまたは Z2が単結合であり、そして式（2— 1)
〜式（2— 9)にお!/、て Z2が単結合である、 [3]〜 [6]の!/、ずれか 1項に記載の化合物
[0018] [10] A1または A2が 1, 4ーシクロへキシレンであり、式（1— 1)〜式（1— 9)におい て Yまたは Z2が単結合であり、そして式（2— 1)〜式（2— 9)において Z2が単結合で ある、 [3]〜 [6]のいずれか 1項に記載の化合物。
[0019] [11] A1または A2が 1, 4 フエ二レンであり、式（1— 1)〜式（1— 9)において Yま たは Z2が単結合であり、そして式（2— 1)〜式（2— 9)において Z2が単結合である、 [
3]〜 [6]の!/、ずれか 1項に記載の化合物。
[0020] [12] 式（2— 1)、式（2— 3)、式（2— 4)、式（2— 6)、式（2— 7)および式（2— 8)の いずれ力、 1つで示され；そして A1が 1, 4ーシクロへキシレンである、 [3]〜 [6]のいず れか 1項に記載の化合物。
[0021] [13] 式（2— 1)で示され; A1が 1, 4 シクロへキシレンであり；そして、 Wが一（CH ) 一、 - CH O—、または CF O である、 [3] [6]のいずれか 1項に記載の化
2 2 2
合物。
[0022] [14] 式（2— 3)で示され; A1および A11が共に 1 , 4ーシクロへキシレンであり； Z11が 単結合であり；そして、 Wが一（CH ) - CH O 、または一 CF O—である、 [3]
2 2 2 2
[6]の!/、ずれか 1項に記載の化合物。
[0023] [15] 式（2— 6)で示され;
Figure imgf000013_0001
AUおよび A12がいずれも 1 , 4ーシクロへキシレンで あり； Z11および Z12が共に単結合であり；そして、 Wが—（CH ) - CH O 、また
2 2 2 は CF O である、 [3] [6]のいずれか 1項に記載の化合物。
2
[0024] [16] 式（1 2)、式（1 4)、式（1 5)、式（1 7)、式（1 8)および式（1 9)の いずれか 1つで示され；そして、 Z2がー CH O— - OCH - CF O—、または
2 2 2
OCF一である、 [3] [6]のいずれ力、 1項に記載の化合物。
2
[0025] [17] 式（1— 3)で示され； Raが炭素数 1〜； 10のアルキルまたは炭素数 2〜； 10のァ ルケニルであり、そして Rbが炭素数 1 10のアルコキシであり； A1および A11が共に 1 , 4ーシクロへキシレンであり；そして Yおよび Z11が共に単結合である、 [3]項に記載 の化合物。
[0026] [18] 式（1— 3)で示され； Raが炭素数 1〜； 10のアルキルまたは炭素数 2〜； 10のァ ルケニルであり、そして Rbが炭素数 1 10のアルコキシであり； A1および A11が共に 1 , 4ーシクロへキシレンであり； Yがー CH CH一であり；そして Z11が単結合である、 [
2 2
3]項に記載の化合物。
[0027] [19] 式（1— 3)で示され； Raが炭素数 1〜； 10のアルキルまたは炭素数 2〜； 10のァ ルケニルであり、そして Rbが炭素数 1 10のアルコキシであり； A1が 1 , 4—フエユレ ンであり； A11が 1 , 4ーシクロへキシレンであり；そして Yおよび Z11が共に単結合であ る、 [3]項に記載の化合物。
[0028] [20] 式（1— 3)で示され； Raが炭素数 1〜； 10のアルキルまたは炭素数 2〜； 10のァ ルケニルであり、そして Rbが炭素数 1 10のアルコキシであり； A1および A11が共に 1 , 4 フエ二レンであり；そして Yおよび Z11が共に単結合である、 [3] [6]のいずれ 力、 1項に記載の化合物。
[0029] [21 ] 式（1— 1)で示され； Raが炭素数 1〜； 10のアルキルまたは炭素数 2〜； 10のァ ルケニルであり、そして Rbが炭素数 1〜10のアルコキシであり； A1が 1 , 4—シクロへ キシレンであり；そして Yが単結合である、 [3項に記載の化合物。
[0030] [22] 式（1— 1)で示され； Raが炭素数 1〜； 10のアルキルまたは炭素数 2〜； 10のァ ルケニルであり、そして Rbが炭素数 1〜10のアルコキシであり； A1が 1 , 4—シクロへ キシレンであり；そして Yがー CH CH一である、 [3]項に記載の化合物。
2 2
[0031] [23] 式（2— 1)で示され； Raが炭素数 1〜； 10のアルキルまたは炭素数 2〜； 10のァ ルケニルであり、そして Rbが炭素数 1〜10のアルコキシであり； A1が 1 , 4—シクロへ キシレンであり；そして Wがー（CH ) 一である、 [3]項に記載の化合物。
2 2
[0032] [24] 式（2— 1)で示され； Raが炭素数 1〜； 10のアルキルまたは炭素数 2〜； 10のァ ルケニルであり、そして Rbが炭素数 1〜10のアルコキシであり； A1が 1 , 4—シクロへ キシレンであり；そして Wがー CH O—である、 [3]項に記載の化合物。
2
[0033] [25] 式（2— 1)で示され； Raが炭素数 1〜； 10のアルキルまたは炭素数 2〜； 10のァ ルケニルであり、そして Rbが炭素数 1〜10のアルコキシであり； A1が 1 , 4—フエユレ ンであり；そして Wがー（CH ) 一である、 [3]項に記載の化合物。
2 2
[0034] [26] 式（2— 3)で示され；1½が炭素数1〜10のァルキルまたは炭素数2〜10のァ ルケニルであり、そして Rbが炭素数 1〜10のアルコキシであり； A1および A11が共に 1 , 4—シクロへキシレンであり； Z11が単結合であり；そして Wが一（CH ) —である、 [3
2 2
]項に記載の化合物。
[0035] [27] 式（2— 3)で示され； Raが炭素数 1〜； 10のアルキルまたは炭素数 2〜； 10のァ ルケニルであり、そして Rbが炭素数 1〜10のアルコキシであり； A1および A11が共に 1 , 4ーシクロへキシレンであり； Z11が単結合であり；そして Wがー CH O—である、 [3]
2
項に記載の化合物。
[0036] [28] 式（2— 3)で示され； Raが炭素数 1〜； 10のアルキルまたは炭素数 2〜； 10のァ ルケニルであり、そして Rbが炭素数 1〜10のアルコキシであり； A1が 1 , 4—フエユレ ンであり、そして A11が 1 , 4—シクロへキシレンであり； Z11が単結合であり；そして Wが 一（CH ) 一である、 [3]項に記載の化合物。
2 2
[0037] [29] 式（2— 3)で示され； Raが炭素数 1〜； 10のアルキルまたは炭素数 2〜； 10のァ ルケニルであり、そして Rbが炭素数 1〜10のアルコキシであり； A11が共に 1 , 4 —フエ二レンであり； Z11が単結合であり；そして Wが一（CH ) —である、 [3]項に記
2 2
載の化合物。
[0038] [30] 式（2— 6)で示され；1½が炭素数1〜10のァルキルまたは炭素数2〜10のァ ルケニルであり、そして Rbが炭素数 1〜10のアルコキシであり；
Figure imgf000015_0001
A11および A12が 共に 1 , 4—シクロへキシレンであり； Z11および Z12が単結合であり；そして Wが—（CH ) 一または一 CH O である、 [3]項に記載の化合物。
2 2 2
[0039] [31] 式（1— 2)で示され; Raが炭素数 1〜； 10のアルキルであり、そして Rbが炭素 数 1〜 10のアルキルまたは炭素数 2〜 10のアルケニルであり； A2が 1 , 4ーシクロへ キシレンであり；そして Z2がー OCH—である、 [3]項に記載の化合物。
2
[0040] [32] 式（1— 5)で示され； Raが炭素数 1〜； 10のアルキルであり、そして Rbが炭素 数 1〜10のアルキルまたは炭素数 2〜10のアルケニルであり； A2および A21が共に 1 , 4ーシクロへキシレンであり； Z2がー OCH—であり、そして Z21が単結合である、 [3]
2
項に記載の化合物。
[0041] [33] 式（1—4)で示され； Raおよび Rbが独立して炭素数 1〜； 10のアルキルまたは 炭素数 2〜 10のアルケニルであり； A1および A2が共に 1 , 4 フエ二レンであり；そし て、 Yおよび Z2が共に単結合である、 [3]項に記載の化合物。
[0042] [34] 式（1—4)で示され； Raおよび Rbが独立して炭素数 1〜； 10のアルキルまたは 炭素数 2〜； 10のアルケニルであり； A1が 1 , 4—シクロへキシレンであり、そして A2が 1 , 4 フエ二レンであり；そして、 Yおよび Z2が共に単結合である、 [3]項に記載の化 合物。
[0043] [35] 式（1—4)で示され； Raおよび Rbが独立して炭素数 1〜； 10のアルキルまたは 炭素数 2〜； 10のアルケニルであり； A1が 1 , 4 フエ二レンであり、そして A2が 1 , 4 シクロへキシレンであり；そして、 Yおよび Z2が共に単結合である、 [3]項に記載の化 合物。
[0044] [36] [1]項に記載の化合物の少なくとも 1つを含有し、少なくとも 1つの光学活性化 合物を含有してもよ!/、液晶組成物。
[0045] [37] [1]項に記載の化合物の少なくとも 1つと、式（3)、式 (4)および式（5)のそれぞ れで表される化合物からなる群から選択される少なくとも 1つの化合物とを含有し、少 なくとも 1つの光学活性化合物を含有してもよい液晶組成物:
Figure imgf000016_0001
ここに、 R1は炭素数 1 10のアルキルであり；このアルキルにおいて、任意の— CH
2 一は—O で置き換えられてもよぐ任意の一（CH ) 一は CH = CH で置き換
2 2
えられてもよく、そして任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく； X1はフッ素、塩素 -OCF -OCHF -CF -CHF CH F OCF CHF、または OC
3 2 3 2 2 2 2
F CHFCFであり； B1および Dは独立して 1 , 4—シクロへキシレン、 1 , 4—フエユレ
2 3
ン、 1 , 3 ジォキサン 2, 5 ジィルまたは少なくとも 1つの水素がフッ素で置き換 えられた 1 , 4 フエ二レンであり； Eは 1 , 4ーシクロへキシレン、 1 , 4 フエ二レン、ま たは少なくとも 1つの水素がフッ素で置き換えられた 1 , 4 フエ二レンであり； Z4およ び Z5は独立して一（CH ) (CH ) COO CF O OCF
2 2
— CH = CH または単結合であり；そして、 L1および! は独立して水素またはフッ素 である。
[38] [1]項に記載の化合物の少なくとも 1つと、式（6— 1)、式（6— 2)および式（7) のそれぞれで表される化合物からなる群から選択される少なくとも 1つの化合物とを 含有し、少なくとも 1つの光学活性化合物を含有してもよい液晶組成物：
Figure imgf000017_0001
ここに、 R2および R3は独立して炭素数 1〜 10のアルキルであり；このアルキルにおい て、任意の—CH—は—O—で置き換えられてもよぐ任意の一（CH )—は—CH
2 2 2
=CH—で置き換えられてもよぐそして任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく； X2は一 CNまたは一 C≡C— CNであり； Gは 1 , 4—シクロへキシレン、 1 , 4—フエ二 レン、 1 , 3—ジォキサン一 2, 5—ジィルまたはピリミジン一 2, 5—ジィルであり; Jは 1 , 4—シクロへキシレン、 1 , 4—フエ二レン、ピリミジン一 2,5—ジィル、または少なくと も 1つの水素がフッ素で置き換えられた 1 , 4—フエ二レンであり； Z6は—（CH ) —、
2 2
— COO—、 -CF O—、 -OCF—または単結合であり； L3、 L4および L5は独立して
2 2
水素またはフッ素であり；そして b、 cおよび dは独立して 0または 1である。
[39] [1]項に記載の化合物の少なくとも 1つと、式（8)、式（9)、式（10)、式（11)、 および式（12)のそれぞれで表される化合物からなる群から選択される少なくとも 1つ の化合物とを含有し、少なくとも 1つの光学活性化合物を含有してもよい液晶組成物
Figure imgf000018_0001
ここに、 R4は炭素数 1〜； 10のアルキルであり、そして R5はフッ素または炭素数 1 10 のアルキルであり；これらのアルキルにおいて、任意の— CH—は— O で置き換え
2
られてもよく、任意の一（CH )一は CH = CH で置き換えられてもよぐそして任
2 2
意の水素はフッ素で置き換えられてもよく； Mおよび P1は独立して 1 , 4ーシクロへキ シレン、 1 , 4 フエ二レンまたはデカヒドロー 2, 6 ナフチレンであり； Z7および Z8は 独立して—（CH ) —COO または単結合であり； L6および L7は独立して水素ま
2 2
たはフッ素であり；そして、 L6と L7の少なくとも 1つはフッ素である。
[40] [1]項に記載の化合物の少なくとも 1つと、式（13)、式（14)および式（15)のそ れぞれで表される化合物からなる群から選択される少なくとも 1つの化合物とを含有し 、少なくとも 1つの光学活性化合物を含有してもよい液晶組成物：
R6— Q— Z9— T— Z10— R7 (13)
R6— Q Z -T -Z10— U— R (14)
Figure imgf000018_0002
ここに、 R6および R7は独立して炭素数 1 10のアルキルであり；このアルキルにおい て、任意の—CH—は—O で置き換えられてもよぐ任意の一（CH )—は—CH
2 2 2
=CH で置き換えられてもよぐそして任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく； (3、丁ぉょび11は独立して1 , 4ーシクロへキシレン、 1 , 4 フエ二レン、ピリミジンー2 5—ジィル、または少なくとも 1つの水素がフッ素で置き換えられた 1 , 4 フエ二レン であり；そして、 Z9および Z1。は独立して一 C≡C― COO 、一（CH ) ― C
2 2
H = CH CH O または単結合である。
2
[41] 式（6— 1)、式（6— 2)および式（7)のそれぞれで表される化合物からなる群 から選択される少なくとも 1つの化合物をさらに含有する、 [37]項に記載の液晶組成 物：
Figure imgf000019_0001
ここに、 ITおよび R3は独立して炭素数 1 10のアルキルであり；このアルキルにおい て、任意の—CH—は 〇一で置き換えられてもよぐ任意の一（CH )—は—CH
2 2 2
=CH で置き換えられてもよぐそして任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく； X2は一 CNまたは一 C≡C— CNであり； Gは 1 , 4—シクロへキシレン、 1 , 4—フエ二 レン、 1 , 3 ジォキサン一 2, 5 ジィルまたはピリミジン一 2, 5 ジィルであり; Jは 1 , 4 シクロへキシレン、 1 , 4 フエ二レン、ピリミジン一 2,5 ジィル、または少なくと も 1つの水素がフッ素で置き換えられた 1 , 4—フエ二レンであり； Z6は—（CH )
2 2
― COO— -CF O— -OCF—または単結合であり； L3 L4および L5は独立して
2 2
水素またはフッ素であり；そして b cおよび dは独立して 0または 1である。
[42] 式（13)、式（14)および式（15)のそれぞれで表される化合物からなる群から 選択される少なくとも 1つの化合物をさらに含有する、 [37]項に記載の液晶組成物： R6-Q— Z9-T— Z10— R7
R6-Q一 Z -T -Z10— U— R7
Figure imgf000020_0001
ここに、 R6および R7は独立して炭素数 1 10のアルキルであり；このアルキルにおい て、任意の—CH—は—O で置き換えられてもよぐ任意の一（CH )—は—CH
2 2 2
= CH で置き換えられてもよぐそして任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく； (3、丁ぉょび11は独立して1 , 4ーシクロへキシレン、 1 , 4 フエ二レン、ピリミジンー2 5—ジィル、または少なくとも 1つの水素がフッ素で置き換えられた 1 , 4 フエ二レン であり；そして、 Z9および Z1。は独立して一 C≡C― COO 、一（CH ) ― C
2 2
H = CH CH O または単結合である。
2
[0051] [43] 式（13)、式（14)および式（15)のそれぞれで表される化合物からなる群から 選択される少なくとも 1つの化合物をさらに含有する、 [38]項に記載の液晶組成物： R6— Q— Z9— T— Z10— R7 (13)
R6— Q— Z -T -Z10— U— R (14)
Figure imgf000020_0002
ここに、 R6および R7は独立して炭素数 1 10のアルキルであり；このアルキルにおい て、任意の—CH—は—Ο で置き換えられてもよぐ任意の一（CH )—は—CH
2 2 2
= CH で置き換えられてもよぐそして任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく； (3、丁ぉょび11は独立して1 , 4ーシクロへキシレン、 1 , 4 フエ二レン、ピリミジンー2 5—ジィル、または少なくとも 1つの水素がフッ素で置き換えられた 1 , 4 フエ二レン であり；そして、 Z9および Z1。は独立して一 C≡C― COO 、一（CH ) ― C
2 2
H = CH CH O または単結合である。
2
[0052] [44] 式（13)、式（14)および式（15)のそれぞれで表される化合物からなる群から 選択される少なくとも 1つの化合物をさらに含有する、 [39]項に記載の液晶組成物： R6 -Q— Z9-T— Z10— R (13)
R6-Q— Z -T -Z10— U— R7 (14)
R6^^^Q— Z9— T一 U— R7 (15) ここに、 R6および R7は独立して炭素数 1 10のアルキルであり；このアルキルにおい て、任意の—CH—は—O で置き換えられてもよぐ任意の一（CH )—は—CH
2 2 2
=CH で置き換えられてもよぐそして任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく； (3、丁ぉょび11は独立して1 , 4ーシクロへキシレン、 1 , 4 フエ二レン、ピリミジンー2 5—ジィル、または少なくとも 1つの水素がフッ素で置き換えられた 1 , 4 フエ二レン であり；そして、 Z9および Z1。は独立して一 C≡C― COO 、一（CH ) ― C
2 2
H = CH CH O または単結合である。
2
[0053] [45] 液晶表示素子を製造するための [36] [44]のいずれ力、 1項に記載の液晶 組成物の使用。
[0054] [46] [36] [44]のいずれか 1項に記載の液晶組成物を含有する液晶表示素子 発明の効果
[0055] 本発明の化合物は、液晶性化合物に必要な一般的物性、熱、光などに対する安定 性、適切な光学異方性、適切な誘電率異方性、他の液晶性化合物との優れた相溶 性を有する。本発明の液晶組成物は、これらの化合物の少なくとも 1つを含有し、そし てネマチック相の高い上限温度、ネマチック相の低い下限温度、小さな粘度、適切な 光学異方性、低いしきい値電圧を有する。本発明の液晶表示素子は、この組成物を 含有し、そして使用できる広い温度範囲、短い応答時間、大きなコントラスト比、低い 駆動電圧を有する。
発明を実施するための最良の形態
[0056] 本発明の化合物は式（1)および式（2)のどちらかで表される。
Figure imgf000022_0001
式（1)および式（2)における Raおよび Rbは、独立して水素または炭素数;!〜 20の アルキルである。このアルキルにおいて、任意の一 CH—は一 O S— -CO
2
または SiH—で置き換えられてもよぐ任意の一（CH ) 一は CH = CH で
2 2 2 置き換えられてもよく、そして任意の水素はハロゲンで置き換えられてもよい。 Raまた は Rbの例は、水素、ァノレキノレ、アルコキシ、アルコキシアルキル、アルコキシアルコキ シ、アルキルチオ、アルキルチオアルコキシ、ァシル、ァシルアルキル、ァシルォキシ 、ァシルォキシアルキル、アルコキシカルボニル、アルコキシカルボニルアルキル、ァ ノレケニノレ、アルケニルォキシ、アルケニルォキシアルキル、アルコキシァルケニル、ァ ルキニル、アルキニルォキシ、シラアルキルおよびジシラアルキルである。少なくとも 1 つの水素がハロゲンで置き換えられたこれらの基も好まし!/、。好まし!/、ノ、ロゲンはフッ 素および塩素である。さらに好ましいハロゲンはフッ素である。これらの基において分 岐よりも直鎖の方が好ましレ、。 Raおよび Rbが分岐の基であっても光学活性であると きは好ましい。
[0057] Raおよび Rbの好ましい例は、炭素数 1 10のアルキル、炭素数 1 10のアルコキ シ、炭素数 2〜； 10のアルコキシアルキル、炭素数 2〜 0のァルケニル、炭素数 2〜 0のァルケニルォキシ、炭素数 1 10のパーフルォロアルキルおよび炭素数 1 10 のパーフルォロアルコキシである。より好ましい例は炭素数 1 10のアルキル、炭素 数；!〜 10のアルコキシ、炭素数 2 10のアルコキシアルキルおよび炭素数 2 10の アルケニルである。さらに好ましい Raは炭素数 1〜； 10のアルキルまたは炭素数 2 1 0のアルケニルであり、特に好ましい Rbは炭素数 1 10のアルコキシである。
[0058] アルケニルにおける CH = CH の好ましい立体配置は、二重結合の位置に依 存する。 CH = CHCH -CH = CHC H -CH = CHC H -CH = CHC
3 2 5 3 7 4
H C H CH = CHCHおよび— C H CH = CHC Hのような奇数位に二重結
9 2 4 3 2 4 2 5
合をもつアルケニルにおいてはトランス配置が好ましい。 -CH CH = CHCH -C H CH = CHC Hおよび— CH CH = CHC Hのような偶数位に二重結合をもつァ
2 2 5 2 3 7
ルケニルにおレ、てはシス配置が好ましレ、。
[0059] アルキルの具体的な例は、—CH C H C H C H C H C H
3 2 5 3 7 4 9 5 10 6 C H および C H である。アルコキシの具体的な例は、 OCH -OC
13 7 15 8 17 3 2
H -OC H -OC H -OC H OC H および一 OC H である。アルコ
5 3 7 4 9 5 10 6 13 7 15
キシアルキルの具体的な例は、—CH OCH CH OC H CH OC H、一（
2 3 2 2 5 2 3 7
CH ) OCH (CH ) OC H (CH ) OC H (CH ) OCH (CH )
2 2 3 2 2 2 5 2 2 3 7 2 3 3 2 4
OCHおよび一（CH ) OCHである。
3 2 5 3
[0060] アルケニルの具体的な例は、—CH = CH -CH = CHCH CH CH = CH
2 3 2 2 -CH = CHC H -CH CH = CHCH - (CH ) CH = CH -CH = CHC
2 5 2 3 2 2 2 3
H -CH CH = CHC H、一（CH ) CH = CHCHおよび一（CH ) CH = CH
7 2 2 5 2 2 3 2 3 2 である。アルケニルォキシの具体的な例は、 OCH CH = CH -OCH CH = C
2 2 2
HCHおよび OCH CH = CHC Hである。
3 2 2 5
[0061] 少なくとも 1つの水素がハロゲンで置き換えられたアルキルの具体的な例は、一（C H ) -CF CH F -CF CHF CH CF CF CF (CH ) F C
2 2 2 2 2 2 2 3 2 3 2 3
F ) CF -CF CHFCFおよび CHFCF CFである。少なくとも 1つの水素がハ
2 2 3 2 3 2 3
ロゲンで置き換えられたアルコキシの具体的な例は、—〇（CH ) F -OCF CH F
2 2 2 2
、一 OCF CHF、一 OCH CF、一 OCF CF、一〇（CH ) F、一〇（CF ) CF
2 2 2 3 2 3 2 3 2 2 3
-OCF CHFCFおよび一 OCHFCF CFである。少なくとも 1つの水素がハロゲン
2 3 2 3
で置き換えられたアルケニルの具体的な例は、 CH = CHF -CH = CF —CF
2
= CHF CH = CHCH F CH = CHCF、および CH ) CH = CFである
2 3 2 2 2
Raまたは Rbの好ましい具体的な例は、 CH C H C H C H C
3 2 5 3 7 4 9 5
H -OCH -OC H -OC H OC H OC H CH OCH
10 3 2 5 3 7 4 9 5 10 2 3
CH ) OCH - (CH ) OCH CH = CH CH = CHCH CH CH = C
2 2 3 2 3 3 2 3 2
H -CH = CHC H CH CH = CHCH CH ) CH = CH CH = CH
2 2 5 2 3 2 2 2
C H CH CH = CHC H (CH ) CH = CHCH (CH ) CH = CH
3 7 2 2 5 2 2 3 2 3 2 OCH CH = CH OCH CH = CHCH OCH CH = CHC H CF C F CF CHF CF CH F (CF ) CF CF CHFCF CHFCF CF
3 2 2 2 2 2 2 3 2 3 2 OCF CF OCF CHF OCF CH F OCF CF CF OCF CH
3 2 3 2 2 2 2 2 2 3 2
FCF、および一 OCHFCF CFである。
3 2 3
[0063] Raまたは Rbのより好ましい具体的な例は、 CH C H C H C H
3 2 5 3 7 4 9 C H OCH OC H OC H OC H OC H CH OCH
5 10 3 2 5 3 7 4 9 5 10 2 3 -CH = CH -CH = CHCH CH CH = CH -CH = CHC H CH
2 3 2 2 2 5 2
CH = CHCH - (CH ) CH = CH -CH = CHC H CH CH = CHC H
3 2 2 2 3 7 2 2 5 - (CH ) CH = CHCH、および—（CH ) CH = CHである。
2 2 3 2 3 2
[0064] Raの更に好ましい具体的な例は、 CH C H C H C H C H
3 2 5 3 7 4 9 5 10
-CH = CH -CH = CHCH、一（CH ) CH = CH、および一（CH ) CH = C
2 3 2 2 2 2 2
HCHである。 Rbの更に好ましい具体的な例は、—OCH -OC H、および—O
3 3 2 5
C Hである。
3 7
[0065] 式（1 )および式（2)
Figure imgf000024_0001
AU A12 A2 A21および A22は、独立して 1 , 4— シクロへキシレン、 1 , 4—フエ二レン、デカヒドロナフタレン一 2, 6—ジィル、 1 , 2, 3 , 4ーテトラヒドロナフタレン 2, 6 ジィノレまたはナフタレン 2, 6 ジィノレである。こ れらの環において、 1つまたは隣り合わない 2つの CH—は O S CO
2
または SiH—で置き換えられてもよぐそして任意の水素はハロゲンで置き換え
2
られてもよい。
[0066] 1つまたは隣り合わない 2つの一 CH—が一〇一、 一 S 、 一 C〇一または一SiH
2 2 で置き換えられた環状基の例は、下記の式（16— 1 )〜式（16— 30)で示される基 である。これらのうちの好ましい例は、式（16— 1)、式（16— 2)、式（16— 3)、式（16 4)、式（16— 13)および式（16— 21 )である。
[0067]
Figure imgf000025_0001
[0068] 任意の水素がハロゲンで置き換えられた環状基の例は、下記の式（17— 1)〜式（1 7— 17)で表される環状基である。これらのうちの好ましい例は、式（17— 1)、式（17 2)、式（17— 3)、式（17— 5)、式（17— 7)、式（17— 8)、式（17— 10)、式（17— 14)、式（17— 16)および式（17— 17)である。
Figure imgf000025_0002
(17-14) [0071] Au A12 A2 A21または A22の好ましい例は、 1, 4—シクロへキシレン、 1, 3 ジォキサン 2, 5 ジィノレ、 4, 6 ジォキサン 2, 5 ジィノレ、 1, 4 フエ二レン 2 フノレオ口一 1, 4 フエ二レン、 3 フノレオ口 1, 4 フエ二レン、 2, 3 ジフノレオ ロー 1, 4 フエ二レン、デカヒドロナフタレン 2, 6 ジィノレ、 1, 2, 3, 4 テトラヒド ロナフタレン一 2, 6 ジィノレ、およびナフタレン一 2, 6 ジィルである。より好ましい ί列は、 1, 4ーシクロへキシレン、 1, 4 フエ二レン、 2 フノレオロー 1, 4 フエ二レン、 3 フノレオロー 1, 4 フエ二レン、または 2, 3 ジフノレオロー 1, 4 フエ二レンである 。更に好ましい例は、 1, 4 シクロへキシレン、 1, 4 フエ二レン、 2 フルオロー 1, 4 フエ二レン、および 3—フノレオロー 1, 4 フエ二レンである。そして、 Α1または Α2 の特に好ましい例は 1, 4ーシクロへキシレンおよび 1, 4 フエ二レンである。
[0072] 式（1)および式（2)における Y W Zu Z12 Z2 Z21および Z22は結合基である。 Y は単結合、 （CH ) ― — COO— — OCO— -CF O— -OCF― — CH
2 2 2 2
=CH CF = CF— -CH CO COCH CH SiH SiH C
2 2 2 2 2
H 一 （CH ) -CH = CH- (CH ) 一 （CH ) 一 CH = CH 、 一 （CH
2 2 4 2 2 2 2 2
) CF O 、または一 OCF (CH ) —である。 Wは一（CH ) CH = CH
2 2 2 2 2 2 2
CF = CF— -CH O— -OCH CF O OCF CH CO
2 2 2 2 2
-COCH -CH SiH -SiH CH CH ) CH ) —O
2 2 2 2 2 2 4 2 3
O—（CH ) -CH = CH-(CH ) 一 （CH ) 一 CH = CH 、 一 （CH ) C
2 3 2 2 2 2 2 2
F O 、または OCF (CH ) —である。そして、 Z2 Zu Z12 Z21および Z22は、独
2 2 2 2
立して単結合、―（CH ) ― COO— ― OCO— -CH O— -OCH
2 2 2 2
CF O— -OCF CH = CH CF = CF CH CO COCH—
2 2 2 2 -CH SiH -SiH CH 一 （CH ) 一 （CH ) —O 〇一 （CH )
2 2 2 2 2 4 2 3 2 3 ― CH = CH— (CH ) ― (CH ) ― CH = CH— - (CH ) CF O 、また
2 2 2 2 2 2 2 は OCF (CH ) 一である。
2 2 2
[0073] Yの好ましい例は単結合、―（CH ) ― COO— ― OCO— -CF O— ― O
2 2 2
CF CH = CH 、 一 （CH ) -CH = CH- (CH ) 一 （CH )— CH =
2 2 4 2 2
CH― ―（CH ) CF O および— OCF (CH ) —である。より好ましい例は単結
2 2 2 2 2 2
合、一 （CH ) -CF O— -OCF 一 CH = CH 、 一 （CH ) 一 CH =
2 2 2 2 2 4 CH—（CH ) 一、一（CH ) CH = CH 、一（CH ) CF O および OCF (C
2 2 2 2 2 2 2 2
H ) —である。そして、 Yの特に好ましい例は単結合および—（CH ) —である。な
2 2 2 2
お、 CH二 CH 、一 CH二 CH—（CH ) —、および一（CH ) — CH二 CH のよ
2 2 2 2
うな結合基の二重結合に関する立体配置はシスよりもトランスが好ましい。
[0074] Wの好ましい例は—（CH ) ―、— CH = CH―、— CF = CF―、— CH O—、— O
2 2 2
CH一、 -CF O—、 -OCF一、一（CH ) 一、一（CH ) 一 O 、一 O—（CH )
2 2 2 2 4 2 3 2 3
―、 -CH = CH- (CH ) ―、―（CH ) ― CH = CH―、―（CH ) CF O および
2 2 2 2 2 2 2
-OCF (CH ) —である。より好ましい例は一（CH ) ―、一 CH = CH―、一 CH O
2 2 2 2 2 2 一、 -OCH一、 -CF O—、 -OCF一、 - (CH ) 一、 CH = CH—（CH )
2 2 2 2 4 2 2
、 - (CH ) ― CH = CH—、 - (CH ) CF O および— OCF (CH ) —である。そ
2 2 2 2 2 2 2 2
して、 Wの特に好ましい例は一（CH ) —および一 CH O である。なお、 CH = C
2 2 2
H―、― CH = CH— (CH ) —、および—（CH ) ― CH = CH のような結合基の
2 2 2 2
二重結合に関する立体配置はシスよりもトランスが好ましい。
[0075] Z2、 Zu、 Z12、 Z21または Z22の好ましい例は、単結合、一（CH ) 一、― COO—、 -
2 2
〇C〇一、 -CH〇一、 -OCH一、 -CF〇一、 -OCF一、 CH二 CH 、一 C
2 2 2 2
F二 CF 、一（CH ) 一、一（CH ) 〇一、 〇一（CH ) 一、 CH二 CH—（CH
2 4 2 3 2 3
) ―、―（CH ) ― CH二 CH―、―（CH ) CF〇—および―〇CF (CH ) —であ
2 2 2 2 2 2 2 2 2 2 る。より好ましい例は、単結合、一（CH ) ―、 -CH〇一、 -OCH―、 -CF〇一
2 2 2 2 2
、 -OCF 一、一 CH二 CH 、一（CH ) CF〇一および一〇CF (CH ) —である。
2 2 2 2 2 2 2 そして、 Z2、 Zu、 Z12、 Z21または Z22の特に好ましい例は、単結合、― CH O—、― O
2
CH一、 -CF〇一および一〇CF—である。なお、一 CH二 CH—、一 CH二 CH—
2 2 2
(CH ) 一、一（CH ) — CH = CH のような結合基の二重結合に関する立体配置
2 2 2 2
はシスよりもトランスが好ましレ、。
[0076] 式（1)および式（2)において、 j、 k、 m、 n、 pおよび qは独立して 0または 1であり、そ してこれらの合計は 1、 2または 3である。即ち、化合物（1)および化合物（2)は 2〜4 の環を有する化合物である。 mが 0であるとき、 jおよび kはどちらも 0であり、式（1)に おける Raは水素、アルコキシおよびアルコキシメチルのいずれでもなぐそして式（2) における Raは 1 アルケニルである。 j、 kおよび mの合計は 1または 2であることが好 ましぐそして n pおよび qの合計も 1または 2であることが好ましい。
[0077] 前記のように、 A1または A2の特に好ましい例は、 1 , 4 フエ二レンおよび 1 , 4ーシ クロへキシレンである。従って、特に好ましい式（1)および式（2)の例は、 A1および A2 が共に 1 , 4—フエ二レンである場合、 A1が 1 , 4—フエ二レンであり、そして A2が 1 , 4 ーシクロへキシレンである場合、 A1が 1 , 4ーシクロへキシレンであり、そして A2が 1 , 4 フエ二レンである場合、および A1および A2が共に 1 , 4ーシクロへキシレンである場 合である。
[0078] 前記のように、 Yの特に好ましい例は単結合、 CH ) CF O および C
2 2 2
H = CH である。 Z2の特に好ましい例は単結合、 CH O— -OCH CF
2 2 2
O および OCF—である。即ち、式（1)において Yおよび Z2の少なくとも 1つが単
2
結合であることは、化合物（1)の好ましい例の 1つである。
[0079] 式（1)において、 mが 0であり、そして n pおよび qの合計が 1 2または 3であるとき
Z2がー CH O— -OCH CF O または OCF —であることが好ましい。
2 2 2 2
[0080] 式（1)において、 mおよび kが 1であり、そして jおよび nが 0であるとき、 Raがアルキ ルまたはアルケニルであり、 Rbがアルコキシであり、 A1および A11が独立して 1 , 4 フエ二レンまたは 1 , 4ーシクロへキシレンであり、そして Yおよび Z11が共に単結合で あることが好ましい。
[0081] 式（1)において、 mが 1であり、そして j k n pおよび qが 0であるとき、 Raがアルキ ルまたはアルケニルであり、 Rbがアルコキシであり、 A1が 1 , 4ーシクロへキシレンで あり、そして Yが単結合または一（CH ) —であることが好ましい。このとき、 Yが一（C
2 2
H ) 一であることが更に好ましい。
2 2
[0082] 式（1)において、 mおよび kが 1であり、そして j n pおよび qが 0であるとき、 Raはァ ルキルまたはアルケニルであり、 Rbはアルコキシであり、 A1および A11が共に 1 , 4 シクロへキシレンであり、 γがー（CH ) 一であり、そして Z11が単結合であることが好
2 2
ましい。
[0083] 式（1)において、 mが 0であり、 nが 1であり、そして pおよび qが共に 0であるとき、 Ra がアルキルであり、 Rbがアルキルまたはアルケニルであり、 A2が 1 , 4ーシクロへキシ レンであり、そして Z2がー OCH—であることが好ましい。 [0084] 式（1)において、 mおよび qが 0であり、そして nおよび pが 1であるとき、 Raがアルキ ノレであり、 Rbがアルキルまたはアルケニルであり、 A2および A21が共に 1 , 4ーシクロ へキシレンであり、 Z2がー OCH—であり、そして Z21が単結合であることが好ましい。
2
[0085] 式（1)において、 mおよび nが 1であり、そして j、 k、 pおよび qがいずれも 0であるとき 、 Raおよび Rbが独立してアルキルまたはアルケニルであり、 A1および A2が共に 1 , 4 フエ二レンであり、そして Yおよび Z2が共に単結合であることが好ましい。
[0086] 式（1)において、 mおよび nが 1であり、そして j、 k、 pおよび qがいずれも 0であるとき 、 Raおよび Rbが独立してアルキルまたはアルケニルであり、 A1が 1 , 4ーシクロへキ シレンであり、 A2が 1 , 4 フエ二レンであり、そして Yおよび Z2が共に単結合であるこ とが好ましい。
[0087] 式（1)において、 mおよび nが 1であり、そして】、 k、 pおよび qが 0であるとき、 Raおよ び Rbが独立してアルキルまたはアルケニルであり、 A1が 1 , 4 フエ二レンであり、 A2 が 1 , 4ーシクロへキシレンであり、かつ Yおよび Z2が共に単結合であることが好ましい
〇
[0088] 式（2)において、そして mが 0であるとき、 Z2が単結合であることが好ましい。
[0089] 式（2)において、 mが 1であり、そして n + p + qの合計が 1または 2であるとき、 Wは - (CH ) —または一 CH O であり、そして Z2が単結合であることが好ましい。 Wが
2 2 2
-CH O であることが更に好ましい。
2
[0090] 式（2)において、 mが 1であるとき、 A1が 1 , 4ーシクロへキシレンであることが好まし い。
[0091] 式（2)において、 mが 1であり、そして j、 k、 n、 pおよび qが 0であるとき、 Raがアルキ ルまたはアルケニルであり、 Rbがアルコキシであり、 A1が 1 , 4ーシクロへキシレンで あり、そして Wは一（CH ) 一であることが好ましい。
2 2
[0092] 式（2)において、 mおよび kが 1であり、そして j、 n、 pおよび qが 0であるとき、 A1およ び A11が共に 1， 4—シクロへキシレンであり、 Wが一（CH ) —であり、そして Z11が単
2 2
結合であることが好ましい。
[0093] 式（2)において、 m、 jおよび kがすべて 1であり、そして n、 pおよび qが 0であるとき、
A11および A12がいずれも 1 , 4—シクロへキシレンであり、 Yが一（CH ) —であり 、そして z11および のどちらも単結合であることが好ましい。
[0094] なお、化合物（1)および化合物（2)は2 H (重水素）、13 Cなどの同位体を天然存在 比の量より多く含んでもよい。このとき、化合物の物性に大きな差異はない。
[0095] 式（1)の好ましい例は下記の式（1 1)〜式（1 9)であり、式（2)の好ましい例は 式（2— 1)〜式（2— 9)である。
Figure imgf000030_0001
[0096]
Figure imgf000031_0001
C
Ra —-A Δ1 1—フ 1 1— A Δ1'—-W-^ Rb (2-3)
Figure imgf000031_0002
； C
Ra —-Aム1'2_フ12— フ 11—ム1— (2-6)
Ra —- 72_ ΑΔ2 _— Rb (2-7) - A2— Z21— A21 -Rb (2-8) A21-Z22-A22-Rb (2-9)
Figure imgf000031_0003
これらの式中の記号は、式（1)および式（2)におけるそれぞれの記号と同じ意味を有 し、それらの好ましい例も同じである。
[0097] 式（1 1)〜式（1 9)において、 Yおよび Z2の少なくとも 1つが単結合であることが 特に好ましい。式（2— 1)〜式（2— 9)においては、 Z2が単結合であることが特に好ま しい。
[0098] 式（1 1)において、 Raが炭素数 1〜 10のアルキルまたは炭素数 2〜 10のァルケ ニルであり、 Rbが炭素数 1〜10のアルコキシであり、 A1が 1 , 4—シクロへキシレンで あり、そして Yが単結合または一（CH ) —であることが好まし!/ '
2 2 [0099] 式（1 2)において、 Raが炭素数 1 10のアルキルであり、 Rbが炭素数 1 10の アルキルまたは炭素数 2 10のアルケニルであり、 A2が 1, 4ーシクロへキシレンであ り、そして Z2がー OCH—であることが好ましい。
2
[0100] 式（1 2)、式（1 4)、式（1 5)、式（1 7)、式（1 8)、および式（1 9)にお いて、 Z2がー CH〇一、 -OCH -CF〇一、または一〇CF—であることが好ま
2 2 2 2
しい。
[0101] 式（ 1 3)にお!/、て、 Raが炭素数 1 10のアルキルまたは炭素数 2 10のァルケ ニルであり、 Rbが炭素数 1 10のアルコキシであり、 A1および A11が共に 1, 4ーシク 口へキシレンであり、そして Yおよび Z11が共に単結合であることが好ましい。
[0102] 式（1 3)において、 Raが炭素数 1 10のアルキルまたは炭素数 2 10のァルケ ニルであり、 Rbが炭素数 1 10のアルコキシであり、 A1および A11が共に 1, 4ーシク 口へキシレンであり、 Yがー（CH ) 一であり、そして Z11が単結合であることが好まし
2 2
い。
[0103] 式（1 3)において、 Raが炭素数 1 10のアルキルまたは炭素数 2 10のァルケ ニルであり、 Rbが炭素数 1 10のアルコキシであり、 A1が 1, 4—フエ二レンであり、 A 11が 1, 4ーシクロへキシレンであり、そして Yおよび Z11が共に単結合であることが好ま しい。
[0104] 式（1 3)において、 Raが炭素数 1 10のアルキルまたは炭素数 2 10のァルケ ニルであり、 Rbが炭素数 1 10のアルコキシであり、 A1および A11が共に 1, 4 フエ 二レンであり、そして Yおよび Z11が共に単結合であることが好ましい。
[0105] 式（1—4)において、 Raおよび Rbが独立して炭素数 1〜； 10のアルキルまたは炭素 数 2 10のァノレケニノレであり、 A1および A2が共に 1, 4 フエ二レンであり、そして Y および Z2が共に単結合であることが好まし!/、。
[0106] 式（1—4)において、 Raおよび Rbが独立して炭素数 1〜； 10のアルキルまたは炭素 数 2 10のアルケニルであり、 A1が 1, 4 シクロへキシレンであり、 A2が 1, 4 フエ 二レンであり、そして Yおよび Z2が共に単結合であることが好ましい。
[0107] 式（1—4)において、 Raおよび Rbが独立して炭素数 1〜； 10のアルキルまたは炭素 数 2 10のアルケニルであり、 A , 4 フエ二レンであり、 A2が 1, 4ーシクロへキ シレンであり、 Yおよび z2が共に単結合であることが好ましい。
[0108] 式（1 5)において、 Raが炭素数 1〜10のアルキルであり、 Rbが炭素数 1〜10の アルキルまたは炭素数 2〜10のアルケニルであり、 A2および A21が共に 1 , 4ーシクロ へキシレンであり、 Z2がー OCH—であり、そして Z21が単結合であることが好ましい。
2
[0109] 式（2— 1)、式（2— 3)、式（2— 5)、および式（2— 5)〜式（2— 7)において、 A1が 1
, 4ーシクロへキシレンであることが好ましい。
[0110] 式（2— 1 )において、 Raが炭素数 1〜 10のアルキルまたは炭素数 2〜 10のァルケ ニルであり、 Rbが炭素数 1〜10のアルコキシであり、 Wは—（CH ) —または— CH
2 2 2
O であり、そして A1が 1 , 4ーシクロへキシレンであることが好ましい。
[0111] 式（2— 3)においては、 A1および A11が 1 , 4ーシクロへキシレンであり、そして Z11が 単結合であることが好ましレ、。
[0112] 式（2— 3)において、 Raが炭素数 1〜10のアルキルまたは炭素数 2〜10のァルケ ニルであり、 Rbが炭素数 1〜10のアルコキシであり、 Wは—（CH ) —または— CH
2 2 2
O であり、 A1および A11が共に 1 , 4ーシクロへキシレンであり、そして Z11が単結合 であることが好ましい。
[0113] 式（2— 6)にぉぃて、八1、八11ぉょび八12がすべて1 , 4ーシクロへキシレンであり、 W は一（CH ) または CH O であり、 Z11および Z12が共に単結合であることが好
2 2 2
ましい。
[0114] 次に本発明の液晶組成物につ!/、て説明する。
本発明の液晶組成物は化合物（1)および化合物（2)の少なくとも 1つを含有し、そ して少なくとも 1つの光学活性化合物を含有してもよレ、組成物である。本発明の組成 物は、化合物（1)および化合物（2)以外の液晶性化合物を含有することができる。化 合物（1)および化合物（2)以外の好ましい液晶性化合物は、次の式（3)〜式（15)の それぞれで表される化合物からなる群から選択される化合物である。
Figure imgf000034_0001
Figure imgf000034_0002
[0116] これらの式において、 R1は炭素数 1 10のアルキルである。このアルキルにおいて、 末端に位置しない任意の一 CH—は一 O で置き換えられてもよぐ任意の一（CH
2 2
)一は CH = CH で置き換えられてもよぐそして任意の水素はフッ素で置き換え
2
られてもよい。 X1はフッ素、塩素、 OCF -OCHF -CF CHF CH F
3 2 3 2 2 -OCF CHFまたは一 OCF CHFCFである。 B1および Dは独立して 1 , 4—シク
2 2 2 3
口へキシレン、 1 , 4 フエ二レン、 1 , 3 ジォキサン 2, 5 ジィノレ、または少なくと も 1つの水素がフッ素で置き換えられた 1 , 4 フエ二レンである。 Eは 1 , 4ーシクロへ キシレン、 1 , 4 フエ二レン、または少なくとも 1つの水素がフッ素で置き換えられた 1 , 4—フエ二レンである。 Z4および Z5は独立して—（CH ) 一、 （CH ) -COO
2 2 2 4
-CF O— -OCF CH = CH または単結合である。そして、 L1および
2 2
L2は独立して水素またはフッ素である。
[0117]
Figure imgf000034_0003
[0118] これらの式において、 R2および R3は独立して炭素数 1 10のアルキルである。この アルキルにおいて、任意の—CH—は—O で置き換えられてもよぐ任意の一（C
2
H )一は CH = CH で置き換えられてもよぐそして任意の水素はフッ素で置き
2 2
換えられてもよい。 X2は一 CNまたは一 C≡C— CNである。 Gは 1 , 4—シクロへキシ レン、 1 , 4 フエ二レン、 1 , 3 ジォキサン 2, 5 ジィルまたはピリミジン一 2, 5— ジィルである。 Jは 1 , 4—シクロへキシレン、 1 , 4—フエ二レン、ピリミジン一 2,5 ジィ ノレ、または少なくとも 1つの水素がフッ素で置き換えられた 1 , 4 フエ二レンである。 Z 6は一（CH ) ― COO— -CF O— -OCF―、または単結合である。 L3 L4
2 2 2 2
および L5は独立して水素またはフッ素である。そして、 b cおよび dは独立して 0また (ま 1で $?る。
Figure imgf000035_0001
これらの式において、 R4は炭素数 1〜； 10のアルキルであり、そして R5はフッ素また は炭素数 1〜： 10のアルキルである。これらのアルキルにおいて、末端に位置しない 任意の—CH—は—O で置き換えられてもよぐ任意の一（CH )—は CH = C
2 2 2
H で置き換えられてもよぐそして任意の水素はフッ素で置き換えられてもよい。 M および P1は独立して 1 , 4ーシクロへキシレン、 1 , 4 フエ二レンまたはデカヒドロー 2 , 6—ナフチレンである。 Z7および Z8は独立して一（CH ) COO または単結
2 2
合である。そして、 L6および L7は独立して水素またはフッ素であり、 L6と L7の少なくと も 1つはフッ素である。
[0121] R6-Q— Z9-T— Z10— R7 (13)
R6-Q— Z9- T-Z10— U— R7 (1 4)
R6 Q— Z9— T一 U— R7 (1 5)
[0122] これらの式において、 R6および R7は独立して炭素数 1 10のアルキルである。この アルキルにおいて、末端に位置しない任意の CH—は O で置き換えられても
2
よぐ任意の一（CH )一は CH = CH で置き換えられてもよぐそして任意の水
2 2
素はフッ素で置き換えられてもよい。 Q Tおよび Uは独立して 1 , 4ーシクロへキシレ ン、 1 , 4 フエ二レン、ピリミジンー2 5 ジィノレ、または少なくとも 1つの水素がフッ 素で置き換えられた 1 , 4 フエ二レンである。そして Z9および Z10は独立して C≡C ― — COO— —（CH ) ― — CH = CH― -CH O または単結合である。
2 2 2
[0123] 本発明における液晶組成物の最初の例は、化合物（1)および化合物（2)からなる 群から選択される少なくとも 1つの化合物と、化合物（3)、化合物（4)および化合物（5 )からなる群から選択される少なくとも 1つの化合物とを含有し、少なくとも 1つの光学 活性化合物を含有してもよ!/、組成物である。
[0124] 本発明における液晶組成物の 2番目の例は、化合物（1)および化合物（2)からなる 群から選択される少なくとも 1つの化合物と、化合物（6 1)、化合物（6 2)および 化合物（7)からなる群から選択される少なくとも 1つの化合物とを含有し、少なくとも 1 つの光学活性化合物を含有してもよレ、組成物である。
[0125] 本発明における液晶組成物の 3番目の例は、化合物（1)および化合物（2)からなる 群から選択される少なくとも 1つの化合物と、式（8)〜式（12)のそれぞれで表される 化合物からなる群から選択される少なくとも 1つの化合物とを含有し、少なくとも 1つの 光学活性化合物を含有してもよ!/、組成物である。
[0126] 本発明における液晶組成物の 4番目の例は、化合物（1)および化合物（2)からなる 群から選択される少なくとも 1つの化合物と、化合物（13)、化合物（14)および化合 物（15)からなる群から選択される少なくとも 1つの化合物とを含有し、少なくとも 1つ の光学活性化合物を含有してもよレ、組成物である。
[0127] 本発明における液晶組成物の 5番目の例は、最初の例で示した化合物の組み合わ せに加えて、化合物（6— 1)、化合物（6— 2)および化合物（7)からなる群から選択さ れる少なくとも 1つの化合物をさらに含有する組成物である。即ち、化合物（1)および 化合物（2)からなる群から選択される少なくとも 1つの化合物、化合物（3)、化合物（4 )および化合物（5)からなる群から選択される少なくとも 1つの化合物、並びに化合物 (6— 1)、化合物（6— 2)および化合物（7)からなる群から選択される少なくとも 1つの 化合物を含有し、少なくとも 1つの光学活性化合物を含有してもよい組成物である。
[0128] 本発明における液晶組成物の 6番目の例は、最初の例で示した化合物の組み合わ せに加えて、化合物（13)、化合物（14)および化合物（15)からなる群から選択され る少なくとも 1つの化合物を更に含有する組成物である。即ち、化合物（1)および化 合物（2)からなる群から選択される少なくとも 1つの化合物、化合物（3)、化合物（4) および化合物（5)からなる群から選択される少なくとも 1つの化合物、並びに化合物（ 13)、化合物（14)および化合物（15)からなる群から選択される少なくとも 1つの化合 物を含有し、少なくとも 1つの光学活性化合物を含有してもよい組成物である。
[0129] 本発明における液晶組成物の 7番目の例は、 2番目の例で示した化合物の組み合 わせに加えて、化合物（13)、化合物（14)および化合物（15)からなる群から選択さ れる少なくとも 1つの化合物をさらに含有する組成物である。即ち、化合物（1)および 化合物（2)からなる群から選択される少なくとも 1つの化合物、化合物（6— 1)、化合 物（6— 2)および化合物（7)からなる群から選択される少なくとも 1つの化合物、並び に化合物（13)、化合物（14)および化合物（15)からなる群から選択される少なくとも 1つの化合物を含有し、少なくとも 1つの光学活性化合物を含有してもよい組成物で ある。
[0130] なお、式（3)〜式（15)において、複数の式に用いられた同一の記号は同一の意味 を有してもよいし、異なる意味を有してもよい。同一の記号が異なる意味を有する場 合の例は、式（3)の R1がアルキルであり、そして式（4)の R1がアルケニルである場合 である。
[0131] 次に、本発明の化合物についてさらに説明する。本発明の化合物は、 2—ジフルォ ロメチルー 3 フルォロ 1 , 4 フエ二レンまたは 2 トリフルォロメチルー 3 フルォ ロー 1 , 4 フエ二レンを有する 2環、 3環または 4環の化合物である。本発明の化合 物は、素子が通常使用される条件下において物理的および化学的に極めて安定で あり、そして他の液晶性化合物との相溶性がよい。本発明の化合物を含有する組成 物は素子が通常使用される条件下で安定である。この組成物を低い温度で保管して も、この化合物が結晶ほたはスメクチック相）として析出することがない。本発明の化 合物は、液晶材料として必要な一般的物性、適切な光学異方性、そして適切な誘電 率異方性を有する。
[0132] 末端基、環および結合基を適切に選択することによって、本発明の化合物の光学 異方性、誘電率異方性などの物性を任意に調整することが可能である。末端基、環 および結合基の種類力 S、本発明の化合物の物性に与える効果を以下に説明する。
[0133] 本発明の化合物は負の誘電率異方性を有する。置換基および結合基が適正に選 択されれば、本発明の化合物は負に大きな誘電率異方性を示す。負で大きな誘電 率異方性を有する化合物は、 IPSあるいは VA用途の組成物のしき!/、値電圧を下げ るために有用な成分である。
[0134] Raまたは Rbが直鎖の基であるときは液晶相の温度範囲が広くそして粘度が小さい 。 Raまたは Rbが分岐鎖の基であるときは他の液晶性化合物との相溶性がよい。 Raま たは Rbが光学活性基である化合物は、キラルド一パントとして有用である。この化合 物を組成物に添加することによって、素子に発生するリバース 'ツイスト'ドメイン（ Reverse twisted domain)を防止すること力 Sできる。 Raまたは Rbが光学活性基でない 化合物は組成物の成分として有用である。 Raまたは Rbがアルケニルであるとき、好 まし!/、立体配置は二重結合の位置に依存する。好まし!/、立体配置を有するアルケニ ル化合物は、高い上限温度または液晶相の広い温度範囲を有する。
[0135] AU、 A12、 A2、 A21および A22の少なくとも 2つが 1 , 4 シクロへキシレンである ときは、上限温度が高ぐ光学異方性が小さぐそして粘度が小さい。少なくとも 1つの 環が 1 , 4 フエ二レンであるときは、光学異方性が比較的大きぐそして配向秩序パ ラメーター (orientational order parameter)が大きい。少なくとも 2つの環が 1 , 4 フエ 二レンであるときは、光学異方性が大きぐ液晶相の温度範囲が広ぐそして上限温 度が高い。
[0136] Y Zu Z12 Z2 Z21および Z22の少なくとも 1つが単結合、 - (CH ) CF O
2 2 2
― -OCF― CH = CH または一 CF = CF であるときは粘度が小さい。この
2
結合基が単結合、 -OCF -CF O— ―（CH ) —または— CH = CH であ
2 2 2 2
るときは粘度がより小さい。この結合基が CH = CH であるときは液晶相の温度範 囲が広ぐそして弾性定数比 K /K (K ：ベンド弾性定数、 K ：スプレイ弹性定
33 11 33 11
数）が大きい。
[0137] Wが一（CH ) -CH O OCH CF O OCF CH = C
2 2 2 2 2 2
H または一 CF = CF—であるときは粘度が小さい。この結合基が一（CH ) ― -
2 2
CH〇一、 -OCH -OCF -CF〇一または CH CH であるときは米占
2 2 2 2
度がより小さい。結合基が CH = CH であるときは液晶相の温度範囲が広ぐそし て弾性定数比 K /K (K ：ベンド弾性定数、 K ：スプレイ弾性定数）が大きい。こ
33 11 33 11
の結合基が CH Ο であるときは誘電率異方性が負でさらに大きい。
2
[0138] A1および A2の少なくとも 1つがフッ素で置換されていてもよい 1 , 4 フエ二レンであ り、かっこの環と直結する結合基 Z1および Z2が単結合である化合物は、誘電率異方 性が負でさらに大きぐまた同時に光学異方性が大きい。
[0139] 2環または 3環である化合物（1 1)〜化合物（1 5)、および化合物（2— 1)〜化 合物（2— 5)は粘度が小さ!/、。 3環または 4環である化合物（1 3)〜化合物（1 9) 、および化合物（1 3)〜化合物（1 9)は上限温度が高い。このように、末端基、環 および結合基の種類、環の数を適当に選択することにより、 目的の物性を有する化 合物を得ることができる。従って、本発明の化合物、特に化合物（1 1)〜化合物（1 9)および化合物（2— 1)〜化合物（2— 9)は、 IPS VAなどの素子に用いられる 組成物の成分として有用である。
[0140] 化合物（1 1)、化合物（1 3)、化合物（1 4)、および化合物（1 6)〜化合物（ 1 8)において Z1がー（CH ) または CH = CH である化合物は、負に大きな
2 2
誘電率異方性を示し、液晶相の温度範囲が広ぐまた粘度が小さい等、液晶材料と して特に優れた物性バランスを示す。
[0141] 本発明の化合物は有機合成化学における手法を適切に組み合わせることにより合 成すること力 Sできる。出発物に目的の末端基、環および結合基を導入する方法は、ォ ーガニックシンセシス (Organic Syntheses, John Wiley & Sons, Inc)、オーガニック-リ アクションズ（Organic Reactions, John Wiley & Sons, Inc),コンプリへンシブ ·オーガ ニック-シンセシス (し omprehensive Organic Synthesis, Pergamon Press)、新;^験ィ匕 学講座（丸善)などに記載されて!/、る。
[0142] 結合基を生成する方法の一例に関して、最初にスキームを示し、次に項 (I)〜項（ XI)でスキームを説明する。このスキームにおいて、 MSG1または MSG2は少なくとも 1つの環を有する 1価の有機基である。スキームで用いた複数の MSG1 (または MSG 2)は、同一であってもよいし、または異なってもよい。化合物（1A)〜化合物（1K)は 、化合物（1)、化合物 (2)、化合物（1 1)〜化合物（1 9)、または化合物 (2 - 1 ) 〜化合物（2— 9)に相当する。
[0143]
Pd(PPh3)4, Na2C03aq
MSG— B(OH)2 + Hal -MSG2 ^ MSG—MSG2
(21) (22) Hal = Br, (1A)
Haト MSG2
i)n-BuLi,ii)ZnCI2liii)PdCI2(PPh3)2 (22) Hal = Br, I MSG1— Hal » ^ MSG1— MSG2
(23) Hal = Br, (1A)
i)n-BuLi ii)C02 〇 DCCDMAP 〇
MSG1— Hal MSG1 ~ <( MSG1 ~ ^
OH 〇一 MSG- (23) Hal = Br,
(24) B)
H202aq ,
MSG2— B(OH)2 MSG"
(21) (25)
O Lawesson's reagent s HF-Py,NBS F F
MSG ~ <( ^ MSG ~ MSG1— ^<
O - MSG2 O - MSG2 O - MSG2
(1B) (26) (1C)
Figure imgf000041_0001
MSG1 ~ ^
'PPh3+B「
i)n-BuLi ii)DMF O (30) t-BuOK
Hal— MSG2 ^ MSG2 MSG -CH=CH-MSG
H
(23) Hal = Br, (1E)
(29)
MSG1 ~ ^PPh3+Br-
(31) , t-BuOK
MSG
CH=CH-MSG (1F) H2, Pd/C
MSG1— CH=CH— MSG2 MSG1—
-MSG
(1 ! (1G)
MSG2
H
(31 ) (1 H)
[0145] Haト MSG 2
i)n-BuLi, ii) )= n-BuLi
, , , (22) Hal = Br, . ,
MSG2— Hal MSG2— (v MSG2→V
MSG2
(23) Hal = Br,
(32) (1 1)
[0146] 〇、 NaBH4 HBr
MSG2
HO「MSG2
H
(29) (33)
MSG1— OH
, K2CO3
2 (25)
MSG ^ 「MSG2
B「 MSGf O
(34) (1 J)
Figure imgf000042_0001
MRn— OH
K2C〇3
(25)
片 MSG2 ^†MSG2
B「 3 MSGf〇 3
(37) (1 K)
[0148] (I)単結合の生成
ァリールホウ酸（21)と公知の方法で合成される化合物（22)とを、炭酸塩水溶液と テトラキス（トリフエニルホスフィン)パラジウムのような触媒の存在下で反応させて化合 物（1A)を合成する。この化合物（1A)は、公知の方法で合成される化合物（23)に n ブチルリチウムを、次いで塩化亜鉛を反応させ、ジクロロビス（トリフエ二 ン)パラジウムのような触媒の存在下で化合物（22)を反応させることによつても合成さ れる。
[0149] (II) COO と OCO の生成
化合物（23)に n ブチルリチウムを、続いて二酸化炭素を反応させてカルボン酸（ 24)を得る。化合物（24)と、公知の方法で合成されるフエノール（25)とを DDC (1 , 3—ジシクロへキシルカルポジイミド）と DMAP (4—ジメチルァミノピリジン）の存在下 で脱水させて COO を有する化合物（1B)を合成する。この方法によって OCO を有する化合物も合成する。
[0150] (III) -CF O と OCF—の生成
2 2
化合物（1B)をローソン試薬のような硫黄化剤で処理して化合物（26)を得る。化合 物（26)をフッ化水素ピリジン錯体と NBS (N ブロモスクシンイミド）でフッ素化し、 - CF O を有する化合物（1C)を合成する（M. uroboshi et al.， Chem. Lett., 1992,
2
827.を参照）。化合物（1C)は化合物（26)を (ジェチルァミノ）サルファートリフルオリ ド（DAST)でフッ素化しても合成される（W. H. Bunnelle et al.， J. Org. Chem. 1990， 55， 768.を参照）。この方法によって OCF を有する化合物も合成する。 Peer.
2
irsch et al.， Anbew. Chem. Int. Ed. 2001， 40， 1480.に記載の方法によってこれらの 結合基を生成させることも可能である。
[0151] (IV) - (CH ) CF O と— OCF (CH ) —の生成
2 2 2 2 2 2
化合物（1B)の代わりに米国特許第 4834905号公報、米国特許第 4627933号公 報開示の方法で合成されるプロピオン酸エステル誘導体（27)を用いて、項 (III)の方 法に従って化合物（1D)を合成する。この方法によって OCF—（CH ) を有す
2 2 2 る化合物も合成する。
[0152] (V)—CH = CH の生成
化合物（23)を n ブチルリチウムで処理した後、 N, N ジメチルホルムアミド（DM F)などのホルムアミドと反応させてアルデヒド（29)を得る。公知の方法で合成される ホスホニゥム塩（30)をカリウム tert ブトキシドのような塩基で処理して発生させたリ ンイリドを、アルデヒド（29)に反応させて化合物（1E)を合成する。反応条件によって はシス体が生成するので、必要に応じて公知の方法によりシス体をトランス体に異性 化する。
[0153] (VI) - (CH ) — CH = CH と— CH = CH— (CH ) —の生成
2 2 2 2
ホスホニゥム塩（30)の代わりにホスホニゥム塩（31)を用いて、項（V)の方法に従つ て化合物（1F)を合成する。反応条件によってはシス体が生成するので、必要に応じ て公知の方法によりシス体をトランス体に異性化する。この方法によって CH = CH 一（CH ) を有する化合物も合成する。
2 2
[0154] (VII) (CH ) 一の生成
2 2
化合物（1E)をパラジウム/炭素のような触媒の存在下で水素化することにより、化 合物（1G)を合成する。
[0155] (VIII) （CH ) —の生成
2 4
化合物（1F)パラジウム炭素のような触媒の存在下で接触水素化して化合物（1H) を合成する。
[0156] (IX)—CF = CF の生成
化合物（23)を n ブチルリチウムで処理したあと、テトラフルォロエチレンを反応さ せて化合物（32)を得る。化合物（22)を n ブチルリチウムで処理したあと化合物（3 2)と反応させて化合物（II)を合成する。
[0157] (IX) -CH O または一 OCH—の生成
2 2
化合物（29)を水素化ホウ素ナトリウムなどの還元剤で還元して化合物（33)を得る 。これを臭化水素酸などでハロゲン化して化合物（34)を得る。炭酸カリウムなどの存 在下で、化合物（34)を化合物（25)と反応させて化合物（1J)を合成する。
[0158] (X) - (CH ) O または O (CH ) —の生成
2 3 2 3
化合物（34)の代わりに化合物（37)を用いて、項 (IX)の方法に従って化合物（1K
)を合成する。
[0159] 次に、式（1)において Xがジフルォロメチルである化合物を合成する方法の一例を 下記のスキームに示す。
Figure imgf000045_0001
Q 1 ― Ra-(A1 2-Z12)— (A1 1-Z1 1 )^(A1-Y)—
Q2 = -(Z2-A2)— (Z2 -A21 )— (Z22-A22)^b これらの式における記号は式（1)における記号と同じ意味を有する。このことは以下 に示されるスキームにおいても同様である。
例えば、化合物（39)は特開昭 58— 126823号公報、特開昭 58 _ 121225号公 報、特開昭 59— 016840号公報、または特開昭 59— 042329号公報に開示の方法 で合成される 3 フルォロベンゼン誘導体（38)に sec ブチルリチウム、次いでジメ チルホルムアミドまたはホルミルピぺリジンを反応させて合成する。これらの反応は、 好ましくはジェチルエーテルまたはテトラヒドロフラン等のエーテル系炭化水素などの 溶媒中、 100°Cから室温までの間の温度で行う。化合物（1)は化合物（39)に DA ST等のフッ素化剤を反応させることによって合成する。この反応はジクロロメタン等の z系炭化水素などの溶媒中、 100°Cから溶媒の沸点までの間の温度で行う 次に、 n、 pおよび qがすべて 0であり、 Rbがアルコキシである化合物（45)に関する 合成法の一例を示す。
Figure imgf000045_0002
Figure imgf000045_0003
(43) (44)
HF2C F
RI, K2 C03
DMF
(45)
Q = Ra-(A 2-Z12)— (A1 1-Z A1~Y)— これらの式において、 Rは炭素数 1 19のアルキルである。
[0162] 化合物（41)は、化合物（40)に順次水素化ナトリウムおよびクロロメチルメチルエー テル (MOMC1)を反応させて合成する。これらの反応は、好ましくはテトラヒドロフラン などの溶媒中、 20°Cから溶媒の沸点までの間の温度で行う。化合物（42)は化合 物（41)に sec ブチルリチウム、次いでジメチルホルムアミドまたはホルミルピペリジ ンを反応させて合成する。これらの反応は、好ましくはジェチルエーテルまたはテトラ ヒドロフラン等のエーテル系炭化水素などの溶媒中、 100°Cから室温までの間の 温度で行う。化合物（43)は化合物（42)に DAST等のフッ素化剤を反応させること によって合成する。この反応はジクロロメタン等のハロゲン系炭化水素などの溶媒中 100°Cから溶媒の沸点までの間の温度で行う。化合物（44)は化合物（43)の脱 保護にて合成する。この反応はエタノール等のアルコール中、 2M塩酸等希塩酸を 室温から溶媒の沸点までの間の温度で反応させることで行う。化合物（45)は化合物 (44)のエーテル化反応で合成する。この反応は炭酸ナトリウム等の塩基の存在下、 ジメチルホルムアミド等の溶媒中、化合物（44)にアルキルョージド等ハロゲン化アル キルを室温から溶媒の沸点までの間の温度で反応させることにより行う。
[0163] 次に、 n pおよび qの合計が 1以上であり、 Z2が— OCO— — OCF — OCF (
2 2
CH ) -OCH または一〇（CH ) 一である化合物（46)〜化合物（50)に関
2 2 2 2 3
する合成法の一例を示す。
Figure imgf000047_0001
(50)
Q1 = Ra— (A12— Z12)— (A11-Z1 1)— (A1—、 ) - m
Q3 = (Z2 -A21 )— (Z22-A22)— Rb
[0164] 化合物（46)〜（50)は、前記の結合基を生成する方法においてアルコール（フエノ ール）中間体の代わりに化合物（44)を使用することによりそれぞれ合成される。
[0165] Y、 ZU、 Z12、 Z2、 Z21または Z22が単結合であり、
Figure imgf000047_0002
AU、 A12、 A2、 A21 または A22が 1 , 4 フエ二レンである化合物（60)および（63)は、上記の合成方法以 外に以下の方法でも合成できる。
Figure imgf000048_0001
(51 ) (53)
Figure imgf000048_0002
Q1 = Ra-(A12-Z12)— (A -Z1 )— { A1-Y)—
Q2 =— (Z2— A2)- -(Z2 -A21)— (Z22-A22)- -Rb
Q 3 _ -(Z21-A21)— (Z22-A22)— Rb
Q4 = Ra— (A12— Z12)厂 (A"-Z") 化合物（52)は化合物（51)に n ブチルリチウムを用いてリチォ化後、ホウ酸トリメ チル等のホウ酸エステルを反応させ、さらに塩酸、硫酸等で加水分解して合成する。 これらの反応は、好ましくはジェチルエーテルまたはテトラヒドロフラン等のエーテル 系炭化水素などの溶媒中、 100°Cから室温までの間の温度で行う。化合物（53) は化合物（52)を過酸化水素水または過酢酸等の過酸化物を作用、酸化することで 合成する。これらの反応は、好ましくはジェチルエーテルまたはテトラヒドロフラン等の エーテル系炭化水素、あるいは蟻酸、酢酸等のカルボン酸中において、 20°Cから 溶媒の沸点までの間の温度で行う。化合物（57)は上記で説明した化合物 (40)から 化合物（44)を合成する反応ルートにお!/、て、化合物（40)の代わりに化合物（53)を 使用し、同一の反応操作を適用することで合成する。化合物（58)は化合物（57)に ピリジン、トリェチルァミン等の塩基の存在下、無水トリフルォロメタンスルホン酸（(Tf ) O)を反応することにより合成する。これらの反応は、好ましくはジクロロメタン等のハ
2
ロゲン系炭化水素などの溶媒中、 20°Cから室温までの間の温度で行う。化合物（6 0)は化合物（58)とホウ酸化合物（59)と反応させることによって合成する。これらの 反応は、好ましくはトルエン等の芳香族系炭化水素、ジォキサン、エチレングリコール ジメチルエーテル等のエーテル系炭化水素などの溶媒中、燐酸カリウム、炭酸力リウ ムなどの塩基の存在下、金属触媒を用いて室温から溶媒の沸点までの間の温度で 行う。金属触媒としてはテトラキス（トリフエニルホスフィン)パラジウム、ジクロロビス（トリ フエニルホスフィン)パラジウム、パラジウムカーボンなどが用いられる。
[0167] 化合物（63)は上記で説明した化合物（57)から化合物（60)を合成する反応ルート にお!/、て、化合物（57)および化合物（59)の代わりに化合物（44)および化合物（6 2)を使用し、同一の反応操作を適用することにより合成する。
[0168] 次に、式（2)にお!/ 、物を合成する方法の一例を 下記のスキームに示す。
Q1 )-Q2
(38)
Figure imgf000049_0001
Ra-(A12-Z12)— i (A -W)—
J k ' m
Q2 = -(Z2— A2)- -(Z2 -A21 )— (Z22-A22)一 Rb
P ゾ q
[0169] 例えば、化合物（64)は特開昭 58— 126823号公報、特開昭 58 _ 121225号公 報、特開昭 59— 016840号公報、または特開昭 59— 042329号公報に開示の方法 で合成される 3 フルォロベンゼン誘導体（38)に sec ブチルリチウム、次いでヨウ 素を反応させて合成する。これらの反応は、好ましくはジェチルエーテルまたはテトラ ヒドロフラン等のエーテル系炭化水素などの溶媒中、 100°Cから室温までの間の 温度で行う。化合物（1)は J. Chem. So ， Chem.Commun., 1989， 705に記載の
Qing-Yun Chen等の方法に従い、化合物（64)にヨウ化第 1銅存在下でフルォロスル ホニルジフルォロ酢酸メチルを反応させることによって合成する。この反応はジメチル ホノレムアミド、ジメチルスルホキシド等の非プロトン性極性溶媒中、 60°Cから溶媒の 沸点までの間の温度で行う。
[0170] 式（2)において n、 pおよび qが 0であり、 Rbがアルコキシであり、 Wがー CH = CH 一である化合物（69)および Wがー（CH ) 一である化合物（70)の合成法の一例を
2 2
下記のスキームに示す。化合物（69)および化合物（70)は式（2— 1)、式（2— 3)お よび式（2— 6)に該当する。
Figure imgf000050_0001
CsF
Ra-(A 2-Z12)— (A -Z 1、 ^^^ J
Figure imgf000050_0002
(70)
これらの式における Rは炭素数 1〜 19のアルキルである。
[0172] 例えば、化合物（66)は、 Synlett 1999， No.4, 389-396に記載の化合物（65)に sec —ブチルリチウム、次いで N ホルミルピぺリジンを反応させて合成する。これらの反 応は、好ましくはジェチルエーテルまたはテトラヒドロフラン等のエーテル系炭化水素 などの溶媒中、 100°Cから室温までの間の温度で行う。化合物（68)は化合物（66 )へ Grignard試薬（67)を作用させたのち、得られるアルコ一ル体を p トルエンスル ホン酸等の酸触媒存在下に脱水反応を行うことで合成する。さらに化合物（69)は N ， N ジメチルホルムアミド中フッ化セシウムあるいはテトラプチルアンモニゥムフルォ リドの THF溶液を（68)に作用することで合成する。化合物（70)は、化合物（69)に Pd/Cなどの触媒存在下、水素を付加させることによって合成することができる。 [0173] 式（2)において、 n、 pおよび qが 0であり、 Rbがアルコキシであり、 Wがー CH O—
2 である化合物（76)の合成法の一例を下記のスキームに示す。化合物（76)は式（2 1)、式（2— 3)および式（2— 6)に該当する。
[0174]
Figure imgf000051_0001
(76)
これらの式における Rは炭素数 1〜 19のアルキルである。
[0175] ί列免ば、、ィ匕合物（71)は、 Synlett 1999, No. 4, 389— 396に記載のィ匕合物（6 5)に sec ブチルリチウム、次いで臭素を反応させて合成する。これらの反応は、好 ましくはジェチルエーテルまたはテトラヒドロフラン等のエーテル系炭化水素などの溶 媒中、 100°Cから室温までの間の温度で行う。さらに化合物（72)は N, N ジメチ ルホルムアミド中フッ化セシウムあるいはテトラプチルアンモニゥムフルオリドの THF 溶液を化合物（71)に作用することで合成する。化合物（72)に n ブチルリチウム、 次!/、でホウ酸ジメチルなどのホウ酸エステルを反応させて化合物（73)を合成する。 化合物（74)は化合物（73)へ過酸化水素を作用させ合成する。化合物（76)は、化 合物（74)へ塩基性条件下、化合物（75)などのハロゲン化物を作用させることにより 合成すること力でさる。
[0176] 次に式（2)において、 n、 pおよび qが 0であり、 Rbがアルコキシであり、 Wがー COO 一、 -CF O—、 - (CH ) CF O または一（CH ) O である化合物（77)〜（80)
2 2 2 2 2 3
に関する合成法の一例を示す。化合物（77)〜化合物（80)は式 (2— 1)、式 (2— 3) および式（2— 6)に該当する。
[0177]
Figure imgf000052_0001
Q3 = Ra-(A1 2-Z12)— (A1 1-Z1 1 )— これらの式における Rは炭素数 1〜 19のアルキルである。
[0178] 化合物（77)〜（80)は、前記の結合基を生成する方法においてアルコール (フエノ ール）中間体の代わりに化合物（74)を使用することによりそれぞれ合成される。
[0179] 次に、本発明の組成物をさらに詳しく説明する。この組成物の成分は化合物（1)お よび化合物（2)、好ましくは化合物（1 1)〜化合物（1 9)および化合物（2—；!）〜 化合物（2— 9)力 選ばれた複数の化合物のみであってもよ!/、。好まし!/、組成物は 化合物（1 1 )〜化合物（1 9)および化合物（2— 1)〜化合物（2— 9)から選択さ れた少なくとも 1つの化合物を 1〜99%の割合で含有する。この組成物は化合物（3) 〜化合物（15)力 なる群力 選択される成分をも含有する。組成物を調製するとき には、化合物（1 )および化合物（2)の誘電率異方性の大きさを考慮して成分を選択 する。
[0180] 誘電率異方性が負で中程度の大きさの値を示す化合物（1)および化合物（2)から 選択される化合物を含有する好ましレ、組成物は次のとおりである。この好まし!/、組成 物は化合物（3)、化合物（4)および化合物（5)からなる群から選択される少なくとも 1 つの化合物を含有する。別の好まし!/、組成物は、化合物（6— 1)、化合物（6— 2)お よび化合物（7)からなる群から選択される少なくとも 1つの化合物を含有する。別の好 ましい組成物は、これらの 2群のそれぞれから選択される少なくとも 2つの化合物を含 有する。これらの組成物は、液晶相の温度範囲、粘度、光学異方性、誘電率異方性 、しきい値電圧などを調整する目的で、化合物（13)、化合物（14)および化合物（15 )からなる群から選択される少なくとも 1つの化合物をさらに含有してもよい。これらの 組成物は、物性をさらに調整する目的で、化合物（8)〜化合物（12)からなる群から 選択される少なくとも 1つの化合物をさらに含有してもよい。これらの組成物は、 AM TN素子、 STN素子などに適合させる目的で、その他の液晶性化合物、添加物な どの化合物をさらに含有してもよい。
[0181] 別の好ましい組成物は化合物（13)、化合物（14)および化合物（15)からなる群か ら選択される少なくとも 1つの化合物を含有する。この組成物は、物性をさらに調整す る目的で、化合物（8)〜化合物（12)からなる群から選択される少なくとも 1つの化合 物をさらに含有してもよい。この組成物は、 AM— TN素子、 STN素子などに適合さ せる目的で、その他の液晶性化合物、添加物などの化合物をさらに含有してもよい。
[0182] 誘電率異方性が負で大きい値を示す化合物（1)および化合物（2)から選択される 化合物を含有する好ましレ、組成物は次のとおりである。好まし!/、組成物は化合物（8) 〜化合物（13)からなる群から選択される少なくとも 1つの化合物を含有する。この組 成物は、化合物（13)、化合物（14)および化合物（15)からなる群から選択される少 なくとも 1つの化合物をさらに含有してもよい。この組成物は、物性をさらに調整する 目的で、化合物（3)〜化合物（7)からなる群から選択される少なくとも 1つの化合物を さらに含有してもよい。この組成物は、 VA素子などに適合させる目的で、その他の液 晶性化合物、添加物などの化合物をさらに含有してもよい。
[0183] 別の好ましい組成物は、化合物（13)、化合物（14)および化合物（15)からなる群 力、ら選択される少なくとも 1つの化合物を含有する。この組成物は、化合物（8)〜化 合物（12)からなる群から選択される少なくとも 1つの化合物をさらに含有してもよい。 この組成物は、化合物（3)〜化合物（7)からなる群から選択される少なくとも 1つの化 合物をさらに含有してもよい。この組成物はその他の液晶性化合物、添加物などの 化合物をさらに含有してもよい。
[0184] 誘電率異方性が負で数値が小さい化合物（1)および化合物（2)から選択される化 合物を含有する好ましレ、組成物は次のとおりである。好まし!/、組成物は化合物（3)、 化合物（4)および化合物（5)からなる群から選択される少なくとも 1つの化合物を含 有する。別の好まし!/、組成物は、化合物（6— 1)、化合物（6— 2)および化合物（7) 力、らなる群から選択される少なくとも 1つの化合物を含有する。別の好ましい組成物 は、このような 2つのからなる群のそれぞれから選択された少なくとも 2つの化合物を 含有する。これらの組成物は、液晶相の温度範囲、粘度、光学異方性、誘電率異方 性、しきい値電圧などを調整する目的で、化合物（13)、化合物（14)および化合物（ 15)からなる群から選択される少なくとも 1つの化合物をさらに含有してもよい。この組 成物は、物性をさらに調整する目的で、化合物（8)〜化合物（12)からなる群から選 択される少なくとも 1つの化合物をさらに含有してもよい。この組成物は、 AM— TN素 子、 STN素子などに適合させる目的で、その他の液晶性化合物、添加物などの化合 物をさらに含有してもよい。
[0185] 別の好ましい組成物は、化合物（8)〜化合物（12)からなる群から選択される少なく とも 1つの化合物を含有する。この組成物は、化合物（13)、化合物（14)および化合 物（15)からなる群から選択される少なくとも 1つの化合物をさらに含有してもよい。こ の組成物は、物性をさらに調整する目的で、化合物（3)〜化合物（7)からなる群から 選択される少なくとも 1つの化合物をさらに含有してもよい。この組成物は、 VA素子 などに適合させる目的で、その他の液晶性化合物、添加物などの化合物をさらに含 有してもよい。
[0186] 化合物（3)、化合物（4)および化合物（5)は、誘電率異方性が正で大き!/、ので、 A M—TN素子用の組成物に主として用いられる。この組成物において、これらの化合 物の量は;!〜 99%である。好ましい量は 10〜97%である。より好ましい量は 40〜95 %である。この組成物に化合物（13)、化合物（14)または化合物（15)をさらに添カロ する場合、この化合物の好ましい量は 60%以下である。より好ましい量は 40%以下 である。
[0187] 化合物（6— 1)、化合物（6— 2)および化合物（7)は、誘電率異方性が正で非常に 大きいので、 STN素子用の組成物に主として用いられる。この組成物において、これ らの化合物の量は 1〜99%である。好ましい量は 10〜97%である。より好ましい量 は 40〜95%である。この組成物に化合物（13)、化合物（14)または化合物（15)を さらに添加する場合、この化合物の好ましい量は 60%以下である。より好ましい量は 40%以下である。
[0188] 化合物（8)〜化合物（12)は、誘電率異方性が負であるので、 VA素子用の組成物 に主として用いられる。これらの化合物の好ましい量は 80%以下である。より好ましい 量は 40〜80%である。この組成物に化合物（13)、化合物（14)または化合物（15) をさらに添加する場合、この化合物の好ましい量は 60%以下である。より好ましい量 は 40%以下である。
[0189] 化合物（13)、化合物（14)および化合物（15)の誘電率異方性は小さい。化合物（ 13)は粘度または光学異方性を調整する目的で主に使用される。化合物（14)およ び化合物（15)は上限温度を上げて液晶相の温度範囲を広げる、または光学異方性 を調整する目的で使用される。化合物（13)、化合物（14)および化合物（15)の量を 増加させると組成物のしきい値電圧が高くなり、粘度が小さくなる。したがって、組成 物のしき!/、値電圧の要求値を満たすかぎり多量に使用してもよ!/、。
[0190] 化合物（3)〜化合物（15)の好まし!/、例は、化合物（3— 1)〜化合物（3— 9)、化合 物（4 1 )〜化合物 (4- 97) ,化合物 (5- 1)〜化合物 (5- 33) ,化合物 (6 ~ 1) ~ 化合物 (6 - 56) ,化合物 (7- 1)〜化合物 (7- 3) ,化合物 (8 - 1)〜化合物 (8 -4 )、化合物 (9- 1)〜化合物 (9- 6) ,化合物（10— 1)〜化合物（10— 4)、化合物（1 1 1)、化合物（12— 1)、化合物（13— 1)〜化合物（13— 14)、化合物（14一；!）〜 化合物（14 31)、および化合物（15— 1)〜化合物（15— 6)である。これらの化合 物における記号は、化合物（3)〜化合物（15)におけるそれぞれの記号と同一の意 味を有する。
[0191] ¾091
Figure imgf000056_0001
Figure imgf000057_0001
Figure imgf000058_0001
Figure imgf000058_0002
Figure imgf000058_0003
(439-
Figure imgf000059_0001
[0195]
Figure imgf000060_0001
Figure imgf000061_0001
Figure imgf000062_0001
[0199]
Figure imgf000063_0001
Figure imgf000064_0001
Figure imgf000065_0001
[0202]
Figure imgf000066_0001
Figure imgf000067_0001
)9- )8-
Figure imgf000068_0001
)7- )6- )5- )3- 0204 002
Figure imgf000069_0001
Figure imgf000070_0001
Figure imgf000070_0002
Figure imgf000070_0003
[0207] 本発明の組成物は公知の方法によって調製される。例えば、成分である化合物を 混合し、加熱によって互いに溶解させる。組成物に適当な添加物を加えて組成物の 物性を調整してもよい。このような添加物は当業者によく知られている。メロシアニン、 スチリノレ、ァゾ、ァゾメチン、ァゾキシ、キノフタロン、アントラキノン、テトラジンなどの 化合物である二色性色素を添加して GH素子用の組成物を調製してもよい。一方、 液晶のらせん構造を誘起して必要なねじれ角を与える目的でキラルド一パントが添 加される。キラルド一パントの例は下記の光学活性化合物（Op—；！)〜（Op— 13)で ある。
[0208]
Figure imgf000071_0001
[0209] キラルド一パントを組成物に添: び TN—TFT素子用の好ましいピッチは 40〜200 mの範囲である： STN素子用の 好まし!/、ピッチは 6〜20 a mの範囲である： BTN素子用の好まし!/、ピッチは 1 · 5〜4 〃mの範囲である： PC素子用の組成物にはキラルド一パントを比較的多量に添加す る。ピッチの温度依存性を調整する目的で少なくとも 2つのキラルド一パントを添加し てもよい。
[0210] 本発明の組成物は、 PC、 TN、 STN、 BTN, ECB、 OCB、 IPS, VAなどの素子に 使用できる。これらの素子は駆動方式力 であってもよいし、または AMであっても よい。この組成物をマイクロカプセル化して作製した NCAP (nematic curvilinear aligned phase)素子や、組成物中に三次元の網目状高分子を形成させた PD ( polymer dispersed)素子、 f列 xJiPN (polymer network)素子にも使用できる。
[0211] 次に、実施例により本発明をさらに詳しく説明する。本発明はこれらの実施例によつ て制限されない。 No. 1などの化合物番号は、実施例 10において表で示した化合物 のそれと対応する。得られる化合物は核磁気共鳴分析スペクトル、質量スペクトルな どで同定する。核磁気共鳴分析スペクトルにおいて、 sはシングレット、 dはダブレット 、 tはトリプレット、 qはカルテット、 mはマルチプレットである。化合物の量（百分率）は 組成物の全重量に基づいた重量％である。物性値の測定は、 日本電子機械工業規 格 (Standard of Electronic Industries Association of Japan)、 EIAJ ' ED— 252lA(こ 記載された方法、またはこれを修飾した方法に従う。
[0212] 成分または液晶性化合物の割合（百分率）は、液晶性化合物の全重量に基づいた 重量百分率（重量％)である。組成物は、液晶性化合物などの成分の重量を測定し てから混合することによって調製される。したがって、成分の重量％を算出するのは 容易である。しかし、組成物をガスクロマト分析することによって成分の割合を正確に 算出するのは容易でない。補正係数が液晶性化合物の種類に依存するからである。 幸いなことに補正係数はほぼ 1である。さらに、成分化合物における 1重量％の差異 が組成物の特性に与える影響は小さい。したがって、本発明においてはガスクロマト グラフにおける成分ピークの面積比を成分化合物の重量％と見なすことができる。つ まり、ガスクロマト分析の結果（ピークの面積比）は、補正することなしに液晶性化合物 の重量％と等価であると考えてよいのである。 [0213] 特性値の測定において、化合物単体をそのまま試料として用いる場合、化合物を 母液晶に混合し試料として用いる場合、そして組成物をそのまま試料として用いる場 合の 3通りの方法がある。化合物を母液晶に混合する場合は、次の方法をとる。 15重 量％の化合物および 85重量％の母液晶を混合することによって試料を調製した。測 定によって得られた値から外揷法よつて化合物の特性値を算出した。外揷値 = (試 料の測定値 0.85X母液晶の測定値) /0.15。この割合でスメクチック相ほたは 結晶）が 25°Cで析出するときは、化合物と母液晶の割合を10重量％:90重量％、 5 重量％： 95重量％、 1重量％： 99重量％の順に変更した。
[0214] 測定で得られた値のうち、化合物単体をそのまま試料として用い得られた値と、組 成物をそのまま試料として用いて得られた値は、そのままの値を実験データとして記 載する。化合物を母液晶に混合し試料として用い得られた値は、そのままの値を実 験データとして記載する場合もあるし、外揷法で得られた値を記載する場合もある。
[0215] 化合物を母液晶に混合し試料として用いる場合、その母液晶は複数存在する。母 液晶の一例は母液晶 Aである。母液晶 Aの組成は、次のとおりである。
[0216] 母液晶 A:
Figure imgf000073_0001
C5H"0 ^ OC2H5 。
[0217] [液晶相の転移温度（°C)]
次の!/、ずれかの方法で測定した。
1)偏光顕微鏡を備えた融点測定装置のホットプレート (メトラー社 FP— 52型ホットス テージ）に試料を置き、 c/分の速度で加熱した。試料が相変化したときの温度を 測定した。
2)パーキンエルマ一社製の走査熱量計 DSC— 7システムを用いて、 3°C/分速度で 測定した。
[0218] [液晶相の同定および相系列の表記]
結晶は Cと表した。結晶の区別がつく場合は、それぞれ Cまたは Cと表した。スメク
1 2
チック相は Sと表した。液体（ァイソトロピック）は Isoと表した。ネマチック相は Nと表し た。スメクチック相の中で、スメクチック B相、スメクチック C相またはスメクチック A相の 区別がつく場合は、それぞれ S 、 S または S と表した。転移温度の表記として、「C
B C A
92. 9 N 196. 9 Iso」とは、結晶からネマチック相への転移温度（CN)が 92. 9°C であり、ネマチック相から液体への転移温度（NI)が 196. 9°Cであることを示す。他の 表記も同様である。
[0219] [ネマチック相の上限温度（NI ; °C) ]
偏光顕微鏡を備えた融点測定装置のホットプレートに試料を置き、 1°C/分の速度 で加熱する。試料の一部がネマチック相から等方性液体に変化したときの温度を測 定する。ネマチック相の上限温度を「上限温度」と略すことがある。
[0220] [ネマチック相の下限温度 (T ; °C) ]
c
ネマチック相を有する試料を 0°C、一10°C、一 20°C、一 30°C、および 40°Cのフリ 一ザ一中に 10日間保管したあと、液晶相を観察する。例えば、試料が— 20°Cでは ネマチック相のままであり、 30°Cでは結晶ほたはスメクチック相）に変化したとき、 Tをく—20°Cと記載する。ネマチック相の下限温度を「下限温度」と略すことがある
C
〇
[0221] [化合物の相溶性]
類似の構造を有する幾つかの化合物を混合してネマチック相を有する母液晶を調 製する。測定する化合物とこの母液晶とを混合した組成物を得る。混合する割合の一 例は、 15%の化合物と 85%の母液晶である。この組成物を— 20°C、— 30°Cのような 低い温度で 30日間保管する。この組成物の一部が結晶ほたはスメクチック相）に変 化したか否力、を観察する。必要に応じて混合する割合と保管温度とを変更する。この ようにして測定した結果から、結晶ほたはスメクチック相）が析出する条件および結 晶ほたはスメクチック相）が析出しない条件を求める。これらの条件が相溶性の尺度 である。
[0222] [粘度（7] ; 20°じで測定; 111?& ' 3) ]
粘度の測定には E型粘度計を用いる。
[0223] [光学異方性 (屈折率異方性； A n ; 25°Cで測定) ]
測定は、波長 589nmの光を用い、接眼鏡に偏光板を取り付けたアッベ屈折計によ り行なった。主プリズムの表面を一方向にラビングしたあと、試料を主プリズムに滴下 した。屈折率 n IIは偏光の方向がラビングの方向と平行であるときに測定した。屈折 率 n上は偏光の方向がラビングの方向と垂直であるときに測定した。光学異方性の値 は、 Δ η = η II—η上、の式から計算した。
[0224] [誘電率異方性（Δ ε ; 25°Cで測定) ]
1)誘電率異方性が正である試料： 2枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が 9 ,1 mで あり、そしてツイスト角が 80度である TN素子に試料を入れた。この素子にサイン波（1 0V、 1kHz)を印加し、 2秒後に液晶分子の長軸方向における誘電率（ ε II )を測定 した。この素子にサイン波（0. 5V、 1kHz)を印加し、 2秒後に液晶分子の短軸方向 における誘電率（ ε上）を測定した。誘電率異方性の値は、 Δ ε = ε || — ε上、の 式から計算した。
[0225] 2)誘電率異方性が負である試料： 2枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）力 ¾0 m である VA素子に試料を入れた。この素子にサイン波（0. 5V、 1kHz)を印加し、 2秒 後に液晶分子の長軸方向における誘電率（ ε II )を測定した。 2枚のガラス基板の間 隔（セルギャップ）が 9 ,1 mであり、ツイスト角が 80度である TN素子に試料を入れた。 この素子にサイン波（0. 5V、 1kHz)を印加し、 2秒後に液晶分子の短軸方向におけ る誘電率（ ε上）を測定した。誘電率異方性の値は、 Δ ε = ε || — ε上、の式から計 算した。
[0226] [しき!/、値電圧（Vth； 25°Cで測定; V) ]
(1)誘電率異方性が正である組成物
2枚のガラス基板の間隔（ギャップ）が（0· 5/ Δ η)〃mであり、ツイスト角が 80度で ある、ノーマリーホワイトモード (normally white mode)の液晶表示素子に試料を入れ る。 Δ ηは上記の方法で測定した光学異方性の値である。この素子に周波数が 32Η ζである矩形波を印加する。矩形波の電圧を上昇させ、素子を通過する光の透過率 力 90%になったときの電圧の値を測定する。
(2)誘電率異方性が負である組成物
2枚のガラス基板の間隔（ギャップ）が約 9 ,1 mであり、ホメオト口ピック配向に処理し たノーマリーブラックモード (normally black mode)の液晶表示素子に試料を入れる。 この素子に周波数が 32Hzである矩形波を印加する。矩形波の電圧を上昇させ、素 子を通過する光の透過率 10%になったときの電圧の値を測定する。
[0227] [プロトン核磁気共鳴分析法 H— NMR) ]
測定は、 DRX— 500 (ブルカーバイオスピン (株)製）を用いた。 CDC1など重水素
3 化されたサンプルが可溶な溶媒に溶解させた溶液を、室温にて核磁気共鳴装置を 用いて測定した。なお、 δ値のゼロ点の基準物 0質にはテトラメチルシラン (TMS)を 用いた。
[0228] [ガスクロマトグラム（GC)分析]
測定には島津製作所製の GC— 14B型ガスクロマトグラフを用いた。キャリアーガス はヘリウム（2ml/分）である。試料気化室を 280°Cに、検出器 (FID)を 300°Cに設 定した。成分化合物の分離には、 Agilent Technologies Inc.製のキヤビラリカラム DB ー 1 (長さ30111、内径 0. 32mm、膜厚 0. 25 m ;固定液相はジメチルポリシロキサン ；無極性）を用いた。このカラムは、 200°Cで 2分間保持したあと、 5°C/分の割合で 2 80°Cまで昇温した。試料はアセトン溶液（0. 1重量％)に調製したあと、その 1 μ 1を 試料気化室に注入した。記録計は島津製作所製の C— R5A型 Chromatopac、また はその同等品である。得られたガスクロマトグラムは、成分化合物に対応するピーク の保持時間およびピークの面積を示した。
[0229] 試料を希釈するための溶媒は、クロ口ホルム、へキサンなどを用いてもよい。成分化 合物を分離するために、次のキヤビラリカラムを用いてもよい。 Agilent Technologies Inc.製の HP— 1 (長さ 30m、内径 0· 32mm,膜厚 0· 25 m)、 Restek Corporation 製の Rtx— 1 (長さ 30m、内径 0. 32mm,膜厚 0. 25〃 m)、 SGE International Pty. Ltd製の BP— 1 (長さ 30m、内径 0· 32mm,膜厚 0· 25 111)。化合物ピークの重な りを防ぐ目的で島津製作所製のキヤビラリ一力ラム CBP1— Μ50— 025 (長さ 50m 内径 0. 25mm、膜厚 0. 25〃 m)を用いてもよい。ガスクロマトグラムにおけるピーク の面積比は成分化合物の割合に相当する。成分化合物の重量％は各ピークの面積 比と完全には同一ではない。しかし、本発明においては、これらのキヤビラリカラムを 用いるときは、成分化合物の重量％は各ピークの面積比と同一であると見なしてよい 。成分化合物における補正係数に大きな差異がないからである。
実施例 1
[0230] 4一（4一プロビルシクロへキシル）シクロへキシルー 2 フルオロー 3 ジフルォロメ チルーエトキシベンゼン（化合物 No. 1 3 1)の合成
Figure imgf000077_0001
[0231] 第 1工程
乾燥させた削り状マグネシウムに 2 フルォロ 4—エトキシブロモベンゼンの THF 溶液を 40 60°Cにて滴下する。この溶液に 4 （プロビルシクロへキシル）シクロへ キサノンの THF溶液を 40 60°Cにて滴下し、さらに 2時間攪拌する。反応混合物を 飽和塩化アンモユウム水に注ぎ、トルエンで抽出する。有機層を水、飽和食塩水で 順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下に濃縮する。得られる粗 製の 1ーヒドロキシー4 4 プロビルシクロへキシ シクロへキシルー 2 フルォロ エトキシベンゼンを精製することなく第 2工程に用いる。
[0232] 第 2工程
第 1工程で得られる粗製の 1ーヒドロキシ 4 4 プロビルシクロへキシル）シクロ へキシル 2—フルォロエトキシベンゼンをトルエンに溶解する。 p トルエンスルホ ン酸一水和物を加え、ディーンスターク装置を用いて脱水しながら 2時間加熱還流す る。反応混合物を飽和重曹水に注ぎ、トルエンで抽出する。有機層を水、飽和食塩 水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下に濃縮する。残さをシ リカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、 4 4 プロビルシクロへキシル）シクロ へキセニルー 2—フルォロエトキシベンゼンを得る。 [0233] 第 3工程
第 2工程で得られる 4 4 プロビルシクロへキシル）シクロへキセニルー 2 フル ォロエトキシベンゼンをトルエン—ソルミックス混合溶媒に溶解する。この溶液に窒素 雰囲気下にてラネーニッケル触媒を加え、常温常圧にて 2日間水素添加反応を行う 。反応終了後、触媒を濾過により除去する。濾液を減圧下に濃縮し、残さをシリカゲ ルカラムクロマトグラフィーにて精製し、 4 4 プロビルシクロへキシル）シクロへキ シルー 2—フルォロエトキシベンゼンを得る。このものをさらに再結晶繰り返すことによ り精製し、純粋な 4一（4 プロビルシクロへキシル）シクロへキシルー 2 フルォロエト キシベンゼンを得る。
[0234] 第 4工程
第 3工程で得られる 4一（4 プロビルシクロへキシル）シクロへキシルー 2 フルォ 口エトキシベンゼンをテロラヒドロフランに溶解し窒素雰囲気下にてアセトン ドライア イス冷媒下で 70°Cまで冷却する。この溶液に窒素雰囲気下にて sec プチルリチ ゥム（シクロへキサン、 n へキサン溶液）を滴下し、滴下後— 65°C以下にて 2時間攪 拌する。次いでジメチルホルムアミドを— 65°Cにて滴下し、滴下後 2時間攪拌する。 反応混合物を飽和塩化アンモユウム水に注ぎ、へキサンで抽出する。有機層を水、 飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下に濃縮し、 残さをシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、 4 4 プロビルシクロへキシ シクロへキシル 2 フルォロ 3 ホルミルエトキシベンゼンを得る。
[0235] 第 5工程
第 4工程で得られる 4 4 プロビルシクロへキシル）シクロへキシルー 2 フルォ 3 ホルミルエトキシベンゼンをジクロロメタンに溶解し窒素雰囲気下にて 0°Cま で冷却後、ジェチルアミノサルファートリフオリド（DAST)を添加し、さらに室温で 20 時間攪拌する。この溶液を炭酸水素ナトリウム水溶液に注ぎ、ヘプタンで抽出する。 有機層を水、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧 下に濃縮し、残さをシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、 4- (4—プロピル シクロへキシル）シクロへキシルー 2 フルオロー 3 ジフルォロメチルーエトキシベン ゼンを得る。このものをさらに再結晶繰り返すことにより精製し、純粋な 4 4 プロ ビルシクロへキシル）シクロへキシルー 2 フルオロー 3 ジフルォロメチルーエトキシ ベンゼンを得る。
実施例 2
[0236] 4一（4一プロビルシクロへキシル）フエ二ルー 2 フルオロー 3 ジフルォロメチル エトキシベンゼン（化合物 No. 1 3— 5)の合成
Figure imgf000079_0001
[0237] 第 1工程
乾燥させた肖 IJり状マグネシウム 3· 03g (124. 8mmol)に攪拌しながら 3 フルォロ —4 エトキシブロモベンゼン 22· 8g (104mmol)の THF溶液 100mlを 40〜60。C にて滴下し、滴下後 1時間加熱還流した。この溶液を冷媒にて 70°Cまで冷却し、 攪拌しながらホウ酸トリメチル 16ml (135. 2mmol)の THF溶液（THF 7 Oml)を滴下 した。 70°Cで 3時間攪拌した後、さらに室温にて 20時間攪拌後、反応液を 5°Cま で冷却し、 6M塩酸 50mlを添加した。有機層を分離後、水層を酢酸ェチル 100mlで 抽出し、前記有機層を混合後、水、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシゥ ムで乾燥した後、減圧下で濃縮し、粗製の 3—フルオロー 4 エトキシフエ二ルポロン 酸を 22. 3g得た。得られたホウ酸誘導体は精製することなく第 2工程に用いた。
[0238] 第 2工程
第 1工程で得られた粗製の 3 フルオロー 4 エトキシフエ二ルポロン酸 22. 3gをテ トラヒドロフラン 200mlに溶解し、温浴で 35°C付近に保ちながら 30%過酸化水素水 2 3. 6g (208mmol)を添加した。添加後反応液を室温にて 24時間攪拌した後、反応 液を水 300mlに投入し、次いで亜硫酸水素ナトリウムを添加し、室温で 1時間攪拌し た。反応液は酢酸ェチル 300mlで抽出し、抽出層を水、飽和食塩水で順次洗浄し、 無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下に濃縮した。濃縮残さは酢酸ェチル / ヘプタンの混合溶媒を溶離液としたシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、 3 —フルォロ 4—エトキシフエノール 17 · 6g (l l 3mmol)を得た。
[0239] 第 3工程
窒素雰囲気下、水素化ナトリウム 5· 2g (130. 811111101)の1^1? (1701111)懸濁液に 第 2工程で得た 3 フルオロー 4 エトキシフエノール 17. lg (109mmol)を 5〜； 10 °Cの間で滴下し、同温度で 30分間攪拌した。次いでクロロメチルメチルエーテル 9. 9ml (130. 8mmol)の THF (lOml)溶液を 5〜； 10°Cの間で滴下し、滴下後室温に て 2時間攪拌した。反応液を氷水に投入後、ヘプタン 300mlで抽出し、抽出層を水、 飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下に濃縮した 。濃縮残さは酢酸ェチル /ヘプタンの混合溶媒を溶離液としたシリカゲルカラムクロ マトグラフィ一にて精製し、 3—フルオロー 4 エトキシフエ二ル=メトキシメチルエー テノレ 16. 5gを得た。
[0240] 第 4工程
第 3工程で得た 3—フルオロー 4—エトキシフエ二ル=メトキシメチルエーテル 16g ( 79. 9mmol)をテロラヒドロフラン 160mlに溶解し窒素雰囲気下、アセトン一ドライア イス冷媒下で— 70°Cまで冷却した。この溶液に窒素雰囲気下にて sec—プチルリチ ゥム（0. 99M、シクロへキサン、 n へキサン溶液） 89ml (87. 9mmol)を滴下し、滴 下後一 70°Cにて 1時間攪拌した。次いでジメチルホルムアミド 6. 8ml (87. 9mmol) を— 70°Cにて滴下し、滴下後同温度で 2時間攪拌した。反応混合物を飽和塩化アン モニゥム水に注ぎ、へキサン 300mlで抽出した。有機層を水、飽和食塩水で順次洗 浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下に濃縮し、得られた残さを酢酸ェ チル/ヘプタンの混合溶媒を溶離液としたシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精 製し、 2—ホノレミノレ 3—フルォロ 4—エトキシフエニル =メトキシメチルエーテル 16 . 5gを得た。
[0241] 第 5工程
第 4工程で得た 2 ホノレミノレ 3 フルォロ 4 エトキシフエニル =メトキシメチル エーテル 8g (35mmol)をジクロロメタン 80mlに溶解し窒素雰囲気下にて 0°Cまで冷 却後、ジェチルアミノサルファートリフオリド（DAST) 9· 5ml (71. 8mmol)を添加し 、さらに室温で 20時間攪拌した。この溶液を炭酸水素ナトリウム水溶液に注ぎ、ヘプ タン 200mlで抽出した。有機層を水、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシ ゥムで乾燥した後、減圧下に濃縮し、残さを酢酸ェチル /ヘプタンの混合溶媒を展 開溶媒としたシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、を得る。このものをさらに 再結晶繰り返すことにより精製し、 2 ジフルォロメチル一 3 フルォロ一 4 エトキシ フエ二ル=メトキシメチルエーテル 7. 6gを得た。
[0242] 第 6工程
第 5工程で得た 2 ジフルォロメチル 3 フルォロ 4 エトキシフエニル =メトキ シメチルエーテル 7. 5g (30mmol)をエタノール 30mlに溶解し室温にて攪拌しなが ら 2M塩酸 30ml (60mmol)を添加し、添加後 2時間加熱還流した。反応液を水に投 入し、酢酸ェチル 150mlで抽出し、有機層を水、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫 酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下に濃縮した。残さは酢酸ェチル /ヘプタンの 混合溶媒を溶離液としたシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し 2—ジフルォロ メチル 3—フルォロ 4—エトキシフエノール 6. 0gを得た。
[0243] 第 7工程
第 6工程で得た 2 -ジフルォロメチル 3 フルォロ 4—エトキシフエノール 2. 5g (12mmol)およびピリジン 2mlをジクロロメタン 50mlに溶解し窒素雰囲気 5〜； 10°C にて無水トリフルォロメタンスルホン酸 2. 6ml (15. 6mmol)を添加し、 1. 5時間同温 度で攪拌した。反応混合物を炭酸水素ナトリウム水溶液に投入しジクロロメタン 100 mlで抽出した。有機層を水、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾 燥した後、減圧下に濃縮し粗製のトリフラート誘導体を得た。得られた粗製のトリフラ ート誘導体（5· 5g)は 4— (プロビルシクロへキシル）フエニルホウ酸 3· 2g (13. 2mm ol)、臭化カリウム 1 · 6g (13. 2mmol)、燐酸カリウム 5· lg (24mmol)、ジォキサン 5 0mlおよびカップリング触媒としてテトラキストリフエニルホスフィンパラジウム 0· 4g (0 . 3mmol)と混合し 5時間加熱還流した。反応混合物を水へ投入しトルエン 100mlで 抽出後、有機層を水、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した 後、減圧下に濃縮した。濃縮残さは酢酸ェチル /ヘプタンの混合溶媒を溶離液とし たシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、さらにヘプタン/エタノールの混合 溶媒から再結晶を繰り返すことにより精製し、純粋な 4一（4 プロビルシクロへキシノレ )フエ二ルー 2 フルオロー 3 ジフルォロメチルーエトキシベンゼンを得た。尚、この 化合物の融点は 82. 2°Cであった。
実施例 3 [0244] 4一（4 プロビルシクロへキシル）メチル = 2—フルオロー 3 ジフルォロメチルー 4 メチルフエニルエーテル（化合物 No. 1 - 2- 8)の合成
Figure imgf000082_0001
[0245] 第 1工程
窒素雰囲気下、水素化ナトリウムの THF懸濁液に 2 フルオロー 4ーメチルフエノ ールを 5°C付近で滴下し、同温度で 30分間攪拌する。次いでクロロメチルメチルエー テルの THF溶液を 5°C付近で滴下し、滴下後室温にて 2時間攪拌する。反応液を氷 水に投入後、ヘプタンで抽出し、抽出層を水、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸 マグネシウムで乾燥した後、減圧下に濃縮する。得られる濃縮残さをシリカゲルカラム クロマトグラフィーにて精製し、 2 フルオロー 4 メチルフエ二ル=メトキシメチルェ 一テルを得る。
[0246] 第 2工程
第 1工程で得られる 2—フルオロー 4 メチルフエ二ル=メトキシメチルエーテルを テロラヒドロフランに溶解し窒素雰囲気下、アセトン ドライアイス冷媒下で 70°Cま で冷却する。この溶液に窒素雰囲気下にて sec ブチルリチウムを滴下し、滴下後一 70°Cにて 1時間攪拌する。次いでジメチルホルムアミドを— 70°Cにて滴下し、滴下後 同温度で 2時間攪拌する。反応混合物を飽和塩化アンモニゥム水に注ぎ、へキサン で抽出し、有機層を水、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し た後、減圧下に濃縮する。得られる残さをシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精 製し、 2 フルオロー 3 ホルミルー4 メチルフヱニル=メトキシメチルエーテルを得
[0247] 第 3工程
第 2工程で得られる 2 フルオロー 3 ホルミルー4 メチルフエ二ル=メトキシメチ ルエーテルをジクロロメタンに溶解し窒素雰囲気下にて 0°Cまで冷却後、ジェチルァ ミノサルファートリフオリド（DAST)を添加し、さらに室温で 20時間攪拌する。この溶 液を炭酸水素ナトリウム水溶液に注ぎ、ヘプタンで抽出し、有機層を水、飽和食塩水 で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下に濃縮する。濃縮残さ をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、 2 フルォロ 3 ジフルォロメチ ノレ 4 メチルフエニル =メトキシメチルエーテルを得る。
[0248] 第 4工程
第 3工程で得られる 2 フルオロー 3 ジフルォロメチルー 4 メチルフエ二ル=メト キシメチルエーテルをエタノールに溶解し室温にて攪拌しながら 2M塩酸を添加し、 添加後 2時間加熱還流する。反応液を水に投入し、酢酸ェチルで抽出し、有機層を 水、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下に濃縮 する。残さはシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し 2 フノレオ口一 3 ジフル ォロメチルー 4 メチルフエノールを得る。
[0249] 第 5工程
第 4工程で得られる 2 フルオロー 3 ジフルォロメチルー 4 メチルフエノールを 窒素雰囲気下、 4 プロビルシクロへキシルョードメタンおよび炭酸カリウムと共に D MF中混合し 100°Cにて 8時間加熱攪拌する。反応混合物を水に投入しトルエンで 抽出し、有機層を水、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した 後、減圧下に濃縮する。濃縮残さをシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、さ らに再結晶を繰り返すことにより精製し、純粋な 4一（4 プロビルシクロへキシル)メ チル = 2 フルオロー 3 ジフルォロメチルー 4 メチルフエニルエーテルを得る。 実施例 4
[0250] 4 ペンチルー 2 '—ジフルォロメチルー 3 ' フルオロー 4"ーェチルターフエ二ノレ（ 化合物 No. 1 4 6)の合成
Figure imgf000083_0001
[0251] 第 1工程
4 ェチルフエニルホウ酸をトルエン/エタノールの混合溶媒中、 3—フルォロ 4 スフインパラジウムと混合し 8時間加熱還流する。反応混合物を水へ投入しトルエン 1 00mlで抽出し、有機層を水、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾 燥した後、減圧下に濃縮する。濃縮残さはシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精 製し、さらに再結晶を繰り返すことにより精製し、純粋な 3—フルォロ一 4— (4—ェチ ルフエニル）ァニソールを得る。
[0252] 第 2工程
第 1工程で得られる 3—フルォロ 4一（4 ェチルフエニル）ァニソ一ルをジクロロメ タンに溶解し、冷媒下ー 60°Cまで冷却後、三臭化ホウ素を滴下する。滴下後 2時間 同温度で攪拌し、さらに室温にて 8時間攪拌する。反応混合物を水へ投入しジクロロ メタン層を分離し、ジクロロメタン層を水、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネ シゥムで乾燥した後、減圧下に濃縮する。濃縮残さはシリカゲルカラムクロマトグラフ ィ一にて精製し 3—フルォロ 4一（4 ェチルフエニル）フエノールを得る。
[0253] 第 3工程
窒素雰囲気下、水素化ナトリウムの THF懸濁液に第 2工程で得られる 3 フルォロ -4- (4 ェチルフエニル）フエノールを 5°C付近で滴下し、同温度で 30分間攪拌 する。次いでクロロメチルメチルエーテルの THF溶液を 5°C付近で滴下し、滴下後室 温にて 2時間攪拌する。反応液を氷水に投入後、ヘプタンで抽出し、抽出層を水、飽 和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下に濃縮する。 得られる濃縮残さをシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、 3—フルォロ一 4 一（4一ェチルフエニル）フエ二ル=メトキシメチルエーテルを得る。
[0254] 第 4工程
第 3工程で得られる 3—フルオロー 4 （4 ェチルフエニル）フエ二ル=メトキシメチ ルエーテルをテロラヒドロフランに溶解し窒素雰囲気下、アセトン ドライアイス冷媒 下で 70°Cまで冷却する。この溶液に窒素雰囲気下にて sec ブチルリチウムを滴 下し、滴下後— 70°Cにて 1時間攪拌する。次いでジメチルホルムアミドを— 70°Cにて 滴下し、滴下後同温度で 2時間攪拌する。反応混合物を飽和塩化アンモユウム水に 注ぎ、へキサンで抽出し、有機層を水、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネ シゥムで乾燥した後、減圧下に濃縮する。得られる残さをシリカゲルカラムクロマトダラ フィ一にて精製し、 2 ホルミノレー 3 フルオロー 4— (4 ェチルフエ二ノレ）フエニル =メトキシメチルエーテルを得る。
[0255] 第 5工程 第 4工程で得られる 2 -ホノレミノレ 3—フノレオ口 4— (4 ェチノレフエ二ノレ）フエ二 ル=メトキシメチルエーテルをジクロロメタンに溶解し窒素雰囲気下にて 0°Cまで冷却 後、ジェチルアミノサルファートリフオリド（DAST)を添加し、さらに室温で 20時間攪 拌する。この溶液を炭酸水素ナトリウム水溶液に注ぎ、ヘプタンで抽出し、有機層を 水、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下に濃縮 する。濃縮残さをシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、 2—ジフルォロメチ ノレ 3—フノレオ口 4 4 ェチノレフエ二ノレ）フエ二ノレ =メトキシメチノレエーテノレを得
[0256] 第 6工程
第 5工程で得られる 2 -ジフルォロメチル 3—フルォロ 4— (4 ェチルフエニル )フエ二ル=メトキシメチルエーテルをエタノールに溶解し室温にて攪拌しながら 2M 塩酸を添加し、添加後 2時間加熱還流する。反応液を水に投入し、酢酸ェチルで抽 出し、有機層を水、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、 減圧下に濃縮する。残さはシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し 2—ジフノレ ォロメチル 3—フルォロ 4— (4—ェチルフエニル）フエノールを得る。
[0257] 第 7工程
第 6工程で得られる 2 -ジフルォロメチル 3—フルォロ 4— (4 ェチルフエニル )フエノールおよびピリジンをジクロロメタンに溶解し窒素雰囲気下 5°C付近で無水トリ フルォロメタンスルホン酸を添加し、 2時間同温度で攪拌する。反応混合物を炭酸水 素ナトリウム水溶液に投入しジクロロメタンで抽出し、有機層を水、飽和食塩水で順次 洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下に濃縮し粗製のトリフラート誘 導体を得る。得られる粗製のトリフラート誘導体を 4 ペンチルフエニルホウ酸、臭化 カリウム、および燐酸カリウムをジォキサン中で混合し、さらにカップリング触媒として テトラキストリフエニルホスフィンパラジウム添加し 8時間加熱還流する。反応混合物を 水へ投入しトルエンで抽出し、有機層を水、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マ グネシゥムで乾燥し、減圧下に濃縮する。濃縮残さはシリカゲルカラムクロマトグラフィ 一にて精製し、さらに再結晶を繰り返すことにより精製し、純粋な 4 ペンチルー 2' ジフルォロメチル 3 '—フルォロ 4"ーェチルターフエニルを得る。 実施例 5
[0258] β一（4一（4 プロビルシクロへキシル）シクロへキシル） 2—ジフルォロメチルー 3 フルォロ 4ーェトキシスチレン（化合物 No. 1 - 3 - 1 5)の合成
Figure imgf000086_0001
[0259] 第 1工程
乾燥させた肖 IJり状マグネシウム 1 · 8g ( 75. 4mmol)に攪拌しながら 3 フルオロー 4 エトキシブロモベンゼン 1 5. 0g (68. 5mmol)の THF溶液 30mlを 40〜60。Cに て滴下した。次いでこの溶液に（4一（4 プロビルシクロへキシル）シクロへキシル）ァ セトァノレデヒド 22. 3g (89. lmmol)の THF溶液 100mlを滴下し 2時間攪拌した。反 応混合物を飽和塩化アンモニゥム水 100mlに注ぎ、トルエン 200mlで抽出した。有 機層を水 100ml、飽和食塩水 100mlで順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥 した後、減圧下に濃縮し、粗製の 1—ヒドロキシ— 1— (3—フルオロー 4—エトキシフ ェニル）ー2—（4一（4 プロビルシクロへキシル）シクロへキシル）エタンを 25 · 9g得 た。
[0260] 第 2工程
第 1工程で得られた粗製の 1—ヒドロキシ一 1— (3—フルオロー 4—エトキシフエ二 ノレ） - 2 - (4一（4 プロビルシクロへキシル）シクロへキシル）ェタン 25. 9gをトノレエ ンに溶解した。 p—トルエンスルホン酸一水和物 0. 8g (4mmol)を加え、ディーンスタ ーク装置を用いて脱水しながら 2時間加熱還流した。反応混合物を飽和重曹水 200 mlに注ぎ、トルエン 200mlで抽出した。有機層を水 200ml、飽和食塩水 100mlで順 次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下に濃縮した。残さをシリカゲ ルカラムクロマトグラフィー（溶離液:ヘプタン/トルエン = 8/2)にて精製し、さらに ヘプタンから再結晶して β —（4— (4 プロビルシクロへキシル）シクロへキシル） 3 —フルォロ一 4 エトキシスチレン 13. 2gを得た。
[0261] 第 3工程
第 2工程で得た β一（4一（4 プロビルシクロへキシル）シクロへキシル）ー3 フル オロー 4 エトキシスチレン 13 · 2g (35. 4mmol)を THF 1 50mlに溶解し窒素雰囲 気下にてアセトン—ドライアイス冷媒下で— 70°Cまで冷却した。この溶液に窒素雰囲 気下にて sec ブチルリチウム（シクロへキサン、 1M n へキサン溶液） 46ml (46m mol)を滴下し、滴下後— 65°C以下にて 2時間攪拌した。 7火いでジメチルホルムアミド 7. 8g(106. 2mmol)を一 65°Cにて滴下し、滴下後さらに 2時間攪拌した。反応混 合物を飽和塩化アンモニゥム水 200mlに注ぎ、ヘプタン 200mlで抽出した。有機層 を水 300ml、飽和食塩水 100mlで順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後 、減圧下に濃縮し、残さをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液:ヘプタン/トル ェン = 7/3)にて精製し、 β —（4— (4 プロビルシクロへキシル）シクロへキシル） — 2 ホノレミノレ 3 フルォロ 4—ェトキシスチレン 5 · 5gを得た。
[0262] 第 4工程
第 3工程で得られた β —（4— (4 プロビルシクロへキシル）シクロへキシル） 2— ホルミル一 3 フルオロー 4 エトキシスチレン 5. 5g(13. 7mmol)をジクロロメタン 1 00mlに溶解し窒素雰囲気下にて 0°Cまで冷却後、ジェチルアミノサルファートリフォ リド（DAST)6. 6g(41. lmmol)を添加し、さらに室温で 20時間攪拌した。この溶液 を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液 300mlに注ぎ、ヘプタン 200mlで抽出した。有機 層を水 300ml、飽和食塩水 200mlで順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した 後、減圧下に濃縮した。残さをシリカゲルカラムクロマトグラフィー (溶離液:ヘプタン /トルエン = 9/1)にて精製し、さらにヘプタン/エタノール混合溶媒から 2回再結 晶することにより、純粋な β一（4一（4 プロビルシクロへキシル）シクロへキシル） 2 ジフルォロメチル一 3 フルオロー 4 エトキシスチレン 2. lgを得た。この化合物 は液晶相を示し、その転移点は以下の通りである。
C 69. 0 N 168. 7 Iso
'H-NMRCCDCl )： δ (ppm) ;7. 23 (d, 1H)、 7. 02 (t, 1H)、 6. 97 (t, 1H)、 6
3
. 71 (d, 1H)、 6. 00 (dd, 1H)、 4. 10(q, 2H)、 2. 09— 2. 04 (m, 1H)、 1. 86— 1. 70 (m, 8H)、 1. 44 (t, 3H)、 1. 34— 1. 27 (m, 2H)、 1. 17— 0. 94 (m, 11H )、 0. 87(t, 3H)、 0. 89-0. 81 (m, 2H) .
実施例 6
[0263] 1— (2 ジフルォロメチルー 3 フルオロー 4 エトキシフエニル）ー2—（4一（4 プロビルシクロへキシル）シクロへキシル）ェタン（化合物 No. 1 - 3- 13)の合成
Figure imgf000088_0001
実施例 5で得られる 13一（4一（4 プロビルシクロへキシル）シクロへキシル） 2— ジフルォロメチルー 3—フルオロー 4ーェトキシスチレン 1. 6gをトルエン ソルミック ス混合溶媒 25mLに溶解した。この溶液に窒素雰囲気下にてパラジウム炭素触媒を 加え、常温常圧にて 2日間水素添加反応を行った。反応終了後、触媒を濾過により 除去した。濾液を減圧下に濃縮し、残さを (溶離液:ヘプタン/トルエン = 9/1)にて 精製し、 1一（2 ジフルォロメチルー 3 フルオロー 4 エトキシフエニル）ー2—（4 一（4 プロビルシクロへキシル）シクロへキシル）エタンを得る。このものをさらにヘプ タン/エタノール混合溶媒から 2回再結晶し、純粋な 1一（2 ジフルォロメチルー 3 一フルオロー 4一エトキシフエニル）ー2—（4一 （4一プロビルシクロへキシル）シクロ へキシル)エタンを得た。この化合物は液晶相を示し、その転移点は以下の通りであ つた。
C 76. 6 (SmA 49. 1) N 120. 4 Iso
XH NMR (CDC1 )： δ (ppm) ; 7. 02 (t, 1H)、 7. 00 (d, 1H)、 6. 96 (t, 1H)、 4
3
. l l (q, 2H)、 1. 86 - 1. 71 (m, 8H)、 1. 46 (t, 3H)、 1. 37— 1. 15 (m, 6H)、 1. 04-0. 93 (m, 8H)、 0. 90 (t, 3H)、 0. 91— 0. 83 (m, 2H) .
実施例 Ί
[0264] β一（4一（4 プロビルシクロへキシル）シクロへキシル）ー2—トリフルォロメチルー 3
フルォロ 4ーェトキシスチレン（化合物 No. 2- 3 - 3)の合成
Figure imgf000088_0002
[0265] 第 1工程
窒素雰囲気下、 sec ブチルリチウム（1. 0mol/L) 42. 4mLを THF60mLに溶 解させた 2 フルォロ 2 トリフルォロメチルー 6 トリメチルシリルエトキシベンゼン 10. 0g (35. 7mmol)へ— 78°Cにて滴下し、同温にて 2時間撹拌した。次いでこの 溶液に（4一 （4一プロビルシクロへキシル）シクロへ: . 7g ( 42. 8mmol)の THF溶液 22mlを滴下し同温にて 1時間攪拌した後、室温まで昇温 させ、終夜撹拌した。反応混合物を飽和塩化アンモニゥム水 100mlに注ぎ、トルエン 200mlで抽出した。有機層を水 100ml、飽和食塩水 100mlで順次洗浄し、無水硫 酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下に濃縮し、粗製の 1ーヒドロキシ一 1一（2—トリ フルォロメチルー 3 フルオロー 4 エトキシー5 トリメチルシリルフエニル）ー2— ( 4一（4一プロビルシクロへキシル）シクロへキシル）エタンを 20· 7g得た。
[0266] 第 2工程
第 1工程で得られた粗製の 1—ヒドロキシ一 1— (2—トリフルォロメチル一 3—フルォ ロー 4 エトキシ 5 トリメチルシリノレフエニル）ー2—（4一（4 プロビルシクロへキ シノレ）シクロへキシル）ェタン 20. 7gをトノレェンに溶解した。 p トルエンスルホン酸一 水和物 0. 68g (3. 57mmol)を加え、ディーンスターク装置を用いて脱水しながら 2 時間加熱還流した。反応混合物を飽和重曹水 200mlに注ぎ、トルエン 200mlで抽 出した。有機層を水 200ml、飽和食塩水 100mlで順次洗浄し、無水硫酸マグネシゥ ムで乾燥した後、減圧下に濃縮し、粗製の /3 （4一（4 プロビルシクロへキシル)シ クロへキシル） 2 トリフルォロメチル一 3 -フルォロ 4—エトキシ一 5 -トリメチノレ シリルスチレン 16· 03gを得た。
[0267] 第 3工程
粗製の /3—（4一（4 プロビルシクロへキシル）シクロへキシル）ー2—トリフルォロメ チルー 3 フルオロー 4 エトキシ 5 トリメチルシリルスチレン 16. 03gを THF35 mLに溶解させ、そこへテトラプチルアンモニゥムフルオリド/ THF溶液（lmol/L) 23. 4mLを滴下し、 2時間撹拌した。反応液を水 lOOmLへ注ぎ、トルエン 200mLて 抽出した。有機層を飽和食塩水 lOOmLで洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した 。残さをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液:ヘプタン/トルエン = 8/2)にて 精製し、さらにヘプタン/エタノール混合溶媒から 2回再結晶し、 β 一（4一（4一プロ ビルシクロへキシノレ）シクロへキシル） 2 トリフルォロメチル 3 フルォロ 4ーェ トキシスチレン 7. 89gを得た。この化合物は液晶相を示し、その転移点は以下の通り であった。
C 83. 0 N 149. 3 Iso H-NMR(CDC1 )： δ (ppm) ;7. 17 (d, 1H)、 7. 01 (t, 1H)、 6. 59 (d, 1H)、
3
5. 91 (dd, 1H)、 4. 09 (q, 2H)、 2. 07— 2. 01 (m, 1H)、 1. 85— 1. 70 (m, 8H )、 1. 44 (t, 3H)、 1. 34-1. 27 (m, 2H)、 1. 15— 0. 93 (m, 11H)、 0. 87(t, 3 H)、 0. 89-0. 81 (m, 2H) .
実施例 8
[0268] 1— (2—トリフルォロメチルー 3 フルオロー 4 エトキシフエニル）ー2—（4一（4 プロビルシクロへキシル）シクロへキシル）ェタン（化合物 No. 2-3-12)の合成
Figure imgf000090_0001
実施例 7で得られた β —（4— (4 プロビルシクロへキシル）シクロへキシル） 2— トリフルォロメチルー 3 フルオロー 4ーェトキシスチレン 7. 89gをトルエン ソルミツ タス混合溶媒 200mLに溶解した。この溶液に窒素雰囲気下にてパラジウム炭素触 媒を加え、常温常圧にて 2日間水素添加反応を行った。反応終了後、触媒を濾過に より除去した。濾液を減圧下に濃縮し、残さをシリカゲルカラムクロマトグラフィー (溶 離液：ヘプタン：トルエン = 4： 1 )にて精製し、 1— (2—トリフルォロメチル— 3 -フル オロー 4 エトキシフエニル）ー2—（4一（4 プロビルシクロへキシル）シクロへキシ ノレ）エタンを得る。このものをさらにヘプタン/エタノール混合溶媒から 2回再結晶し、 純粋な 1一（2—トリフルォロメチルー 3—フルオロー 4一エトキシフエニル）ー2—（4一 (4 プロビルシクロへキシル）シクロへキシル）ェタン 5· 35gを得た。この化合物は液 晶相を示し、その転移点は以下の通りであった。
C 68. 0 (SmA 44. 9) N 112. 8 Iso
'H-NMRCCDCl )： δ (ppm) ;7. 01 (t, 1H)、 6. 92 (d, 1H)、 4. 08 (q, 2H)、
3
2. 69 (m, 2H)、 1. 81— 1. 68 (m, 8H)、 1. 43 (t, 3H)、 1. 45— 1. 39 (m, 2H) 、 1. 33-1. 12(m, 6H)、 1. 00— 0. 92 (m, 8H)、 0. 87(t, 3H)、 0. 90— 0. 80 (m, 2H) .
実施例 9
[0269] 4一（4一（4 プロビルシクロへキシル）シクロへキシル）メトキシー3 トリフルォロメ チノレー 2 フルォロエトキシベンゼン（化合物 No. 2-3-13)の合成
Figure imgf000091_0001
[0270] 第 1工程
窒素雰囲気下、 THF60mLに溶解させた 2 フルォロ 2 トリフノレオロメチノレー 6 ートリメチルシリルエトキシベンゼン 20· 0g (71. 4mmol)へ sec ブチルリチウム（1 . 0mol/L) 85. 7mLを一 78°Cにて滴下し、同温にて 2時間撹拌した。次いでこの 溶液に臭素 13. 7g (85. 7mmol)を滴下し同温にて 1時間攪拌した後、室温まで昇 温させ、終夜撹拌した。反応混合物を水 100mlに注ぎ、トルエン 200mlで抽出した。 有機層を水 100ml、飽和食塩水 100mlで順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾 燥した後、減圧下に濃縮し、粗製の 2 トリフルォロメチル— 3 フルォロ 4 ェトキ シ 5 トリメチノレシリノレブロモベンゼンを 27. 8g得た。
[0271] 第 2工程
第 1工程で得られた粗製の 2 トリフルォロメチル一 3 フルォロ一 4 エトキシ一 5 —トリメチルシリルブロモベンゼン 27· 8gを THFlOOmLに溶解した。そこへテトラブ チルアンモニゥムフルオリド THF溶液（1. Omol/U lOOmLを滴下し、ー晚撹拌し た。反応混合物を水 200mlに注ぎ、トルエン 200mlで抽出した。有機層を水 200ml 、飽和食塩水 100mlで順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下に 濃縮した。残さをシリカゲルカラムクロマトグラフィー (溶離液:ヘプタン）にて精製し、 2 トリフルォロメチルー 3 フルオロー 4 エトキシブロモベンゼン 15. Ogを得た。
[0272] 第 3工程
第 2工程で得た（2 トリフルォロメチルー 3 フルオロー 4 エトキシブロモベンゼ ン 15· 0gl 3. 2g (52. 2mmol)を丁 HF50mUこ溶角早し查素雰囲気 こてアセトン ドライアイス冷媒下で— 70°Cまで冷却した。この溶液に窒素雰囲気下にて n—プチ ノレリチウム（1 · 56mol/L n へキサン溶液） 40ml (62· 6mmol)を滴下し、滴下 後— 65°C以下にて 2時間攪拌した。次いで THF30mLに溶解させたホウ酸トリメチ ノレ 13. 0g (125. 2mmol)を一 65°Cにて滴下し、滴下後さらに 1時間攪拌した後室 温に昇温させ 1晚撹拌した。反応混合物を 3N 塩酸 200mlに注ぎ、酢酸ェチル 20 Omlで抽出した。有機層を水 300ml、飽和食塩水 100mlで順次洗浄し、無水硫酸 マグネシウムで乾燥した後、減圧下に濃縮し、粗製の 2 トリフルォロメチル— 3 フ ルオロー 4 エトキシフエニルホウ酸を 13. 8g得た。
[0273] 第 4工程
THFlOOmlに溶解させた第 3工程で得られた粗製の 2 トリフルォロメチル— 3— フルオロー 4 エトキシフヱニルホウ酸 13. 8g (52. 2mmol)へ、 30%過酸化水素水 16. 2g (104. 4mmol)を滴下し、さらに室温で 2時間攪拌した。この溶液を飽和亜 硫酸水素ナトリウム水溶液 300mlに注ぎ、酢酸ェチル 200mlで抽出した。有機層を 飽和亜硫酸水素ナトリウム水溶液 300mL、水 300ml、飽和食塩水 200mlで順次洗 浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下に濃縮した。残さを蒸留にて精製 し、さらにヘプタン/エタノール混合溶媒から 2回再結晶することにより、純粋な 2—ト リフルォロメチル一 3 フルオロー 4 エトキシフエノール 5· 67gを得た。
[0274] 第 5工程
第 4工程で得られた 2 トリフノレオロメチノレ 3 フルォロ 4 エトキシフエノール 3 . 0g (13. 4mmol)を N, N ジメチルホルムアミド 70mLに溶解させ、そこへ 4— (4 プロビルシクロへキシル）シクロへキシルブロモメタン 4. 44g (14. 7mmol)、炭酸 カリウム 2. 03g (14. 7mmol)、テトラブチノレアンモニゥムブロミド 0. 22g (0. 67mmo 1)を加え、 3時間加熱還流させた。室温に冷却した後、この溶液を水 300mlに注ぎ、 トルエン 200mlで抽出した。有機層を水 300ml、飽和食塩水 200mlで順次洗浄し、 無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下に濃縮した。残さをシリカゲルカラムクロ マトグラフィ一で精製 (溶離液:ヘプタン：トルエン = 7 : 1)にて精製し、さらにヘプタン /エタノール混合溶媒から 2回再結晶することにより、純粋な 4一（4一（4 プロピル シクロへキシル）シクロへキシル）メトキシ 3 トリフルォロメチルー 2 フルォロエト キシベンゼン（化合物 No. 2 - 3 - 13) 3. Olgを得た。この化合物は液晶相を示した
〇
'H-NMR CCDCl )： δ (ppm) ; 6. 69 (d, 1H)、 6. 59 (t, 1H)、 4. 12 (q, 2H)、
3
3. 73 (d, 2H)、 1. 97 - 1. 91 (m, 2H)、 1. 80— 1. 70 (m, 7H)、 1. 37 (t, 3H) 、 1. 34 - 1. 27 (m, 2H)、 1. 15— 0. 94 (m, 11H)、 0. 87 (t, 3H)、 0. 89— 0. 8 1 (m, 2H) . 実施例 10
[0275] 前記の合成法および実施例;！〜 9を応用することによって、下記の化合物 No. 1 1一 1〜Νο · 2一 9一 9を合成する。
Figure imgf000093_0001
[0277]
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ίτ卜 ί一--
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)3338---
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き3)253-- 一953-- /A: /.£8soosoozl>d/ O U£S60S00ZAV
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23CH0Cェ - 一ェ3) 1丄90 H二--、
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(1-6-2)
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(1-6-19)
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[0294] π ( ϊ) π卜 ί ()-- Η卜 ί ()--
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二)
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ρ卜ϊ ί)-- ϊ)
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I£'6tT MO't8
Figure imgf000116_0002
Z,f8SOO/SOOrdf/X3d TTf£60/S00Z OM old// z-fssoosoozdf
Figure imgf000117_0001
Figure imgf000118_0001
寸マ ( fリ〇
Figure imgf000119_0001
Figure imgf000120_0001
Figure imgf000121_0001
Figure imgf000122_0001
-
Figure imgf000123_0001
(-
Figure imgf000124_0001
is (-
Figure imgf000124_0002
) (-
5837
123
Figure imgf000125_0001
Figure imgf000126_0001
Figure imgf000126_0002
) (2422--
) (2620--〇丁
Figure imgf000127_0001
.εϋ02/τ1:£ nes OAV
Figure imgf000128_0001
寸マ卜 (
Figure imgf000128_0002
iG <
§〕0
Figure imgf000129_0001
実施例 11
次の 5つの化合物を混合して、ネマチック相を有する組成物（母液晶 A)を調製した 。 （母液晶 A) C3H7O OC2H5 17.2%
Figure imgf000130_0001
C5H"O C OCH3 20.70,
C5H"0^ OC2H5 。 母液晶 Aの物性は次のとおりであった。上限温度（NI) =74· 0°C;粘度（ 7] )=18
20
. 9mPa's;光学異方性（Δη)=0· 087;誘電率異方性（Δ ε ) =→· 3。
[0314] 母液晶 Αの 85%と実施例 2で得られる 4一（4 プロビルシクロへキシル）フエニル - 2—フルォロ 3—ジフルォロメチル一エトキシベンゼン（化合物 No. 1 3— 5)の 15%とからなる組成物 Bを調製した。組成物 Bの物性値は次のとおりである。
光学異方性（Δη)=0. 096;誘電率異方性（Δ ε ) =— 2. 4。
化合物 No. 1 3— 5を加えることによって、誘電率異方性が負に大きくなり、液晶 表示素子にしたときに低い駆動電圧を有することが分かった。
実施例 12
[0315] 母液晶 Aの 85%と実施例 8で得られた 4一（4 プロビルシクロへキシル）シクロへキ シノレ）ェチル） 2 フルォロ 3 トリフルォロメチルーエトキシベンゼン（化合物 No . 2— 3— 12)の 15%とからなる組成物 Bを調製した。組成物 Bの物性値は次のとおり であった。
光学異方性（Δη)=0. 086;誘電率異方性（Δ ε ) = 2. 21。
化合物 No. 2— 3— 12を加えることによって、誘電率異方性が負に大きくなり、液晶 表示素子にしたときに低い駆動電圧を有することが分かった。
[0316] [比較例 1]
実施例 10に記載した組成物 Aの 85%と WO2000/03963号パンフレットに記載 の 4— (4 プロビルシクロへキシノレ）フエ二ノレ 2 フルォロ 3 ジフルォロメチル エトキシベンゼンの 15%とからなる組成物 Dを調製した。組成物 Dの物性は次のと おりであった。
光学異方性（Δ η) =0. 096 ;誘電率異方性（Δ ε ) = 2. 1。
[0317] 本発明の代表的な組成物を使用例 1〜7にまとめた。最初に、組成物の成分である 化合物とその量 (重量％)を示し、次に組成物の物性値を示した。化合物は表 1の取 り決めに従い、左末端基、結合基、環構造、および右末端基の記号によって表示し た。 1 , 4ーシクロへキシレンおよび 1 , 3—ジォキサン—2, 5—ジィルの立体配置はト ランスである。末端基の記号がない場合は、末端基が水素であることを意味する。
[0318]
表 1 記号を用いた化合物の表記方法
Figure imgf000132_0001
[使用例 1]
3— HBB(2CF2H, 3F)
2— BB(2CF2H, 3F)H / ()c)099I ss寸miH2d02mm21 Ill 0
/ ()09Ι 0d 9392Λ1Ι
%OT omHlI
%I I〇mhazll
%寸2
%寸
Figure imgf000133_0001
/ ZmhmzHII 0
% S寸mhmzHII
%寸寸mhmzH II
/ () ()01I0S godH2d02mmHI I—I 0
/ ()C)I SsS寸HiH2d02mm2I IIl 0
%∞寸HH II
Figure imgf000133_0002
%9 ImHHlI
/ ()010 dd mHHlI 0
/c)06 di mHZHlI 0
/)010 mmHI 0
/ ()() z dd mxd mmll 0
% IIz SHmmH〇II
/) mmHHZI 0
/) mmHHI 0
/ ()0寸 dd mmzHHlI 0
/ ½) ()oIIz 2οd H2d02mAHHI IιI 0，
Figure imgf000134_0001
% 3 ^HHII
,( ()/0C 3O385 1B2¾2HP1H12II110 ,() ()/0 3VC33o336HHB2¾¾22Il110
% 3 ^HHII
,() ()/0C 3355 2BB2¾2HFH14II110
,() ()/0 3VC 3o37HB2¾2HF2111I l110
Figure imgf000135_0001
/0 35HHEHII % 33 ^HHEHII
Figure imgf000136_0001
/0 35HHII 3— HHB(2F, 3F)— 2 4%
3-HHB(2F, 3F) -02 10%
5-HHB(2F, 3F) -02 8%
NI = 77. 8°C; Δη = 0. 083; η (20。C) =39. ImPa-s; Δ ε =— 3. 7.
上記の糸且成物 100部に（Op— 5)を 0. 25部添加したときのピッチは 58. 5 111であつ た。
産業上の利用可能性
本発明により、負の誘電率異方性を示すと共に、液晶性化合物に必要な一般的物 性、熱、光などに対する安定性、適切な光学異方性、適切な誘電率異方性、他の液 晶性化合物との優れた相溶性を有するなど、優れた物性バランスを有する液晶性化 合物が提供される。この液晶性化合物の少なくとも 1つを含有する液晶組成物は、適 切なネマチック相、小さな粘度、適切な光学異方性、および低いしきい値電圧を有す る。そして、この組成物を含有させることにより、使用できる広い温度範囲、短い応答 時間、大きなコントラスト比、低い駆動電圧などを有する液晶表示素子を製造できる。

Claims

請求の範囲
[1] 式（1)または式（2)で表される化合物：
Figure imgf000138_0001
ここに、 Raおよび Rbは独立して水素または炭素数 1 20のアルキルであり；このアル キルにおいて、任意の一 CH—は一 O S CO または一 SiH—で置き
2 2 換えられてもよく、任意の—（CH ) —は— CH = CH で置き換えられてもよぐそし
2 2
て任意の水素はハロゲンで置き換えられてもよく；
Au A12 A2 A21および A22は独立して 1, 4ーシクロへキシレン、 1, 4 フエ二 レン、デカヒドロナフタレン一 2, 6—ジィル、 1, 2, 3, 4—テトラヒドロナフタレン一 2, 6—ジィル、またはナフタレン一 2, 6—ジィルであり；これらの環において、 1つのまた は隣り合わない 2つの一 CH—は一 O S CO または一 SiH—で置き
2 2 換えられてもよく、そして任意の水素はハロゲンで置き換えられもよく；
Yは単結合、 （CH ) ― — CH = CH― — CF = CF― — CF O— — OCF -
2 2 2 2 -CH CO— -COCH -CH SiH SiH CH CH ) C
2 2 2 2 2 2 2 4
H = CH- (CH ) ― (CH ) ― CH = CH— - (CH ) CF O 、または— OC
2 2 2 2 2 2 2
F (CH ) 一であり；
2 2 2
Wは CH ) CH = CH CF = CF CH O OCH CF
2 2 2 2
O— -OCF -CH CO— -COCH CH SiH SiH CH
2 2 2 2 2 2 2 2 CH ) CH ) O O—（CH ) -CH = CH-(CH )
2 4 2 3 2 3 2 2
CH ) —CH = CH CH ) CF O—、または OCF (CH ) 一であり；
2 2 2 2 2 2 2 2
zu z12 z2 z21および z22は、独立して単結合、 - (CH ) ― COO -oco
2 2
-CH O— -OCH -CF O— -OCF CH = CH CF = C
2 2 2 2
F— -CH CO— -COCH CH ) CH ) O O—（CH )
2 2 2 4 2 3 2 3 ― CH = CH— (CH ) ― (CH ) ― CH = CH— - (CH ) CF O 、また
2 2 2 2 2 2 2 は OCF (CH ) 一であり；
2 2 2
j、 k、 m、 n、 pおよび qは独立して 0または 1であり、そしてこれらの合計は 1、 2、または 3であり；
mが 0であるとき、 jおよび kはどちらも 0であり、式（1)における Raは水素、アルコキシ およびアルコキシメチルのいずれでもなぐそして式（2)における Raは 1ーァルケ二 ルである。
[2] j、 kおよび mの合計、並びに n、 pおよび qの合計が独立して 1または 2である、請求 項 1に記載の化合物。
[3] 式（1 1)〜式（1 9)および式（2— 1)〜式（2— 9)のいずれか 1つで表される、 請求項 1に記載の化合物：
CM 00 寸 CD CO
Figure imgf000140_0001
Figure imgf000141_0001
C
Ra-A1 1-Z1 1-A1-W-^ Rb (2-3)
Figure imgf000141_0002
； C
Ra —-Aム1'2_フ12— フ 11—ム1— (2-6)
Ra —- 72_ ΑΔ2 _— Rb (2-7) - A2— Z21— A21 -Rb (2-8) A21-Z22-A22-Rb (2-9)
Figure imgf000141_0003
ここに、 Raおよび Rbは独立して水素または炭素数 1〜20のアルキルであり；このアル キルにおいて、末端に位置しない任意の— CH—は、 O—、—S または— CO—
2
で置き換えられてもよぐ任意の一（CH ) 一は CH = CH で置き換えられてもよ
2 2
ぐそして任意の水素はハロゲンで置き換えられてもよく；
AU、 A12、 A2、 A21および A22は、独立して 1 , 4ーシクロへキシレン、 1 , 4 フエ 二レン、デカヒドロナフタレン一 2, 6 ジィル、 1 , 2, 3, 4 テトラヒドロナフタレン一 2 , 6 ジィル、またはナフタレン一 2, 6 ジィルであり；これらの環において、 1つのま たは隣り合わない 2つの— CH—は— O—、—S 、または— CO で置き換えられ
2 てもよく、そして任意の水素はハロゲンで置き換えられもよく；
Yは単結合、 （CH ) ― — CH = CH― — CF = CF― — CF O— — OCF -
2 2 2 2 -CH CO— -COCH -CH SiH SiH CH CH ) C
2 2 2 2 2 2 2 4
H = CH- (CH ) ― (CH ) ― CH = CH— - (CH ) CF O 、または— OC
2 2 2 2 2 2 2
F (CH ) 一であり；
2 2 2
Wは CH ) CH = CH CF = CF CH O OCH CF
2 2 2 2
O— -OCF -CH CO— -COCH CH SiH SiH CH
2 2 2 2 2 2 2 2
-(CH ) - (CH ) —O - -0-(CH ) -CH = CH-(CH )
2 4 2 3 2 3 2 2
CH ) —CH = CH 、一（CH ) CF O—、または OCF (CH ) 一であり；
2 2 2 2 2 2 2 2
Zu Z12 Z2 Z21および Z22は、独立して単結合、 - (CH ) —coo— -oco
2 2
-CH O— -OCH -CF O— -OCF CH = CH CF = C
2 2 2 2
F— -CH CO— -COCH CH ) CH ) O O—（CH )
2 2 2 4 2 3 2 3 ― CH = CH— (CH ) ― (CH ) ― CH = CH— - (CH ) CF O 、また
2 2 2 2 2 2 2 は OCF (CH ) 一であり；
2 2 2
式（1 2)、式（1 5)および式（1 9)において、 Raは水素、アルコキシおよびアル コキシメチルの!/、ずれでもなく；式（2— 2)、式（2— 5)および式（2— 9)にお!/、て、 Ra は 1 アルケニルである。
[4] Raおよび Rbが独立して炭素数 1〜 10のアルキル、炭素数 1〜 10のアルコキシ、炭
'、炭素数 2〜； 10のァルケニル、炭素数 3〜； 10のァ -ニルォキシ、炭素数 1〜10のパーフルォロアルキル、または炭素数 1〜10のパ 一フルォロアルコキシであり；
Au A12 A2 A21および A22が、独立して 1, 4ーシクロへキシレン、 1, 3—ジォ キサン一 2, 5 ジィル、 4, 6 ジォキサン一 2, 5 ジィル、 1, 4 フエ二レン、 2 フ ノレオロー 1, 4 フエ二レン、 3 フノレオ口 1, 4 フエ二レン、 2, 3 ジフノレオロー 1, 4 —フエ二レン、デカヒドロナフタレン一 2, 6 ジィノレ、 1, 2, 3, 4 テトラヒドロナフタレ ンー 2, 6 ジィノレ、またはナフタレン 2, 6 ジィルであり；
Z11および Z12が、独立して単結合、―（CH ) ― ― COO— ― OCO— -CF O
2 2 2 -OCF CH = CH— - (CH ) -CH = CH- (CH ) CH
2 2 4 2 2 2 ) 一 CH=CH (CH ) CF O—、または OCF (CH ) であり；
2 2
Z2 Z21および Z22が、独立して単結合、 (CH ) COO oco c
H O- OCH CF O OCF CH = CH CF = CF
2
CH ) (CH ) O- O—（CH ) - CH = CH—（CH ) CH
2 3 2 2
) -CH = CH- (CH ) CF O—、または OCF (CH ) - -であり；
Yが単結合、 (CH ) CH = CH- CF O OCF CH )
2 2 2
(CH ) CF O—、または OCF (CH ) —であり；
そして、 Wがー（CH ) - CH O OCH CF O -OCF C
2
H = CH- (CH ) (CH ) O- O—（CH ) (CH ) CF O-
2 4 2 3 2 3
、または OCF (CH ) 一である、請求項 3に記載の化合物。
2 2 2
[5] Raおよび Rb力 独立して炭素数 1 10のアルキル、炭素数 1 10のアルコキシ、 炭素数 2 10のアルコキシアルキルまたは炭素数 2〜； 10のアルケニルであり； AU A12 A2 A21および A22力 独立して 1, 4ーシクロへキシレン、 1, 4 フエ 二レン、 2 フノレオロー 1, 4 フエ二レン、 3 フノレオロー 1, 4 フエ二レン、または 2 , 3—ジフノレオロー 1, 4 フエ二レンであり；
Z11および が、独立して単結合、一（CH ) OCF CH:
2 2
CH CH ) -CH = CH- (CH ) (CH ) 一 CH = CH 、一（CH
2 4 2 2
) CF〇一、または一〇CF (CH ) 一であり；
2 2 2 2 2 2
Z2 Z21および Z22が、独立して単結合、 (CH ) -OCH C
2
F O OCF CH = CH- (CH ) CF O—、または- OCF (CH ) 一であり；
Yが単結合、 CH = CH- CF O OCF (CH )
2 2 2
(CH ) CF O 、または一 OCF (CH ) —であり；
そして、 Wがー（CH ) - CH O OCH CF O -OCF C
2
H = CH- (CH ) (CH ) O- O—（CH ) (CH ) CF〇一
2 4 2 3 2 3 2 2 2
、または OCF (CH ) 一である、請求項 3に記載の化合物。
2 2 2
[6] Raが炭素数 1 10のアルキルまたは炭素数 2 10のアルケニルであり、そして Rb が炭素数 1〜； L0のアルコキシであり； AU A12 A2 A21および A22力 独立して 1, 4ーシクロへキシレン、 1, 4 フエ 二レン、 2—フノレオロー 1, 4 フエ二レン、または 3—フノレオロー 1, 4 フエ二レンで あり；
Z11および Z12が独立して単結合または CH = CH であり；
Z2 Z21および Z22が独立して単結合、 CH O— -OCH -CF O 、または
2 2 2
-OCF 一であり；
2
Yが単結合、 （CH ) ― — CH = CH― -CF O— — OCF —（CH ) ― -
2 2 2 2 2 4
(CH ) CF O—、または OCF (CH ) 一であり；
2 2 2 2 2 2
そして、 Wがー（CH ) -CH O— -OCH -CF O OCF C
2 2 2 2 2 2
H = CH— -(CH ) - (CH ) —O— -0-(CH ) 一（CH ) CF O—
2 4 2 3 2 3 2 2 2
、または OCF (CH ) 一である、請求項 3に記載の化合物。
2 2 2
[7] A1または A2が 1, 4ーシクロへキシレンである、請求項 3 6のいずれ力、 1項に記載 の化合物。
[8] A1または A2が 1, 4 フエ二レンである、請求項 3 6のいずれ力、 1項に記載の化合 物。
[9] 式（1― 1)〜式（1― 9)にお!/、て Yまたは Z2が単結合であり、そして式（2― 1)〜式（
2-9)において Z2が単結合である、請求項 3 6のいずれか 1項に記載の化合物。
[10] A1または A2が 1, 4ーシクロへキシレンであり、式（1 1)〜式（1 9)において Yま たは Z2が単結合であり、そして式（2— 1)〜式（2— 9)において Z2が単結合である、 請求項 3 6のいずれか 1項に記載の化合物。
[11] A1または A2が 1, 4 フエ二レンであり、式（1— 1)〜式（1— 9)において Yまたは Z2 が単結合であり、そして式（2— 1)〜式（2— 9)において Z2が単結合である、請求項 3 6のいずれか 1項に記載の化合物。
[12] 式（2— 1)、式（2— 3)、式（2— 4)、式（2— 6)、式（2— 7)および式（2— 8)のいず れカ、 1つで示され；そして A1が 1, 4ーシクロへキシレンである、請求項 3 6のいずれ 力、 1項に記載の化合物。
[13] 式（2— 1)で示され； A1が 1, 4 シクロへキシレンであり；そして、 Wが一（CH ) -
2 2 -CH O—、または CF O である、請求項 3 6のいずれか 1項に記載の化合 物。
[14] 式（2— 3)で示され; A1および A11が共に 1 , 4ーシクロへキシレンであり； Z11が単結 合であり；そして、 Wが一（CH ) -CH O 、または一 CF O である、請求項 3
2 2 2 2
6のいずれか 1項に記載の化合物。
[15] 式（2— 6)で示され；
Figure imgf000145_0001
A11および A12がいずれも 1 , 4ーシクロへキシレンであり； Z 11および Z12が共に単結合であり；そして、 Wが一（CH ) ― CH O 、または一 C
2 2 2
F Ο である、請求項 3 6のいずれか 1項に記載の化合物。
2
[16] 式（1 2)、式（1 4)、式（1 5)、式（1 7)、式（1 8)および式（1 9)のいず れか 1つで示され；そして、 Z2が一 CH〇一、 -OCH -CF〇一 または一〇C
2 2 2
F一である、請求項 3 6のいずれか 1項に記載の化合物。
2
[17] 式（ 1— 3)で示され； Raが炭素数 1 10のアルキルまたは炭素数 2〜； 10のァルケ ニルであり、そして Rbが炭素数 1 10のアルコキシであり； A1および A11が共に 1 , 4 ーシクロへキシレンであり；そして γおよび Z11が共に単結合である、請求項 3に記載 の化合物。
[18] 式（ 1— 3)で示され； Raが炭素数 1 10のアルキルまたは炭素数 2〜； 10のァルケ ニルであり、そして Rbが炭素数 1 10のアルコキシであり； A1および A11が共に 1 , 4 —シクロへキシレンであり； γが一 CH CH—であり；そして Z11が単結合である、請求
2 2
項 3に記載の化合物。
[19] 式（ 1— 3)で示され； Raが炭素数 1 10のアルキルまたは炭素数 2〜； 10のァルケ ニルであり、そして Rbが炭素数 1 10のアルコキシであり； A1が 1 , 4—フエ二レンで あり； A11が 1 , 4ーシクロへキシレンであり；そして Yおよび Z11が共に単結合である、 請求項 3に記載の化合物。
[20] 式（ 1— 3)で示され； Raが炭素数 1 10のアルキルまたは炭素数 2〜； 10のァルケ ニルであり、そして Rbが炭素数 1 10のアルコキシであり； A1および A11が共に 1 , 4 フエ二レンであり；そして Yおよび Z11が共に単結合である、請求項 3 6のいずれ 力、 1項に記載の化合物。
[21] 式（1— 1)で示され； Raが炭素数 1〜； 10のアルキルまたは炭素数 2〜； 10のァルケ ニルであり、そして Rbが炭素数 1 10のアルコキシであり； A1が 1 , 4ーシクロへキシ レンであり；そして Yが単結合である、請求項 3項に記載の化合物。
[22] 式（1— 1)で示され； Raが炭素数 1〜； 10のアルキルまたは炭素数 2〜； 10のァルケ ニルであり、そして Rbが炭素数 1〜10のアルコキシであり； A1が 1 , 4ーシクロへキシ レンであり；そして Yがー CH CH一である、請求項 3に記載の化合物。
2 2
[23] 式（2 1 )で示され； Raが炭素数 1〜 10のアルキルまたは炭素数 2〜； 10のァルケ ニルであり、そして Rbが炭素数 1〜10のアルコキシであり； A1が 1 , 4ーシクロへキシ レンであり；そして Wがー（CH ) 一である、請求項 3に記載の化合物。
2 2
[24] 式（2 1 )で示され； Raが炭素数 1〜 10のアルキルまたは炭素数 2〜； 10のァルケ ニルであり、そして Rbが炭素数 1〜10のアルコキシであり； A1が 1 , 4ーシクロへキシ レンであり；そして Wがー CH O である、請求項 3に記載の化合物。
2
[25] 式（2 1 )で示され； Raが炭素数 1〜 10のアルキルまたは炭素数 2〜； 10のァルケ ニルであり、そして Rbが炭素数 1〜10のアルコキシであり； A1が 1 , 4—フエ二レンで あり；そして Wがー（CH ) 一である、請求項 3に記載の化合物。
2 2
[26] 式（2 3)で示され； Raが炭素数 1〜 10のアルキルまたは炭素数 2〜； 10のァルケ ニルであり、そして Rbが炭素数 1〜10のアルコキシであり； A1および A11が共に 1 , 4 —シクロへキシレンであり； Z11が単結合であり；そして Wが一（CH ) —である、請求
2 2
項 3に記載の化合物。
[27] 式（2 3)で示され； Raが炭素数 1〜 10のアルキルまたは炭素数 2〜； 10のァルケ ニルであり、そして Rbが炭素数 1〜10のアルコキシであり； A1および A11が共に 1 , 4 ーシクロへキシレンであり； Z11が単結合であり；そして Wがー CH O である、請求項
2
3に記載の化合物。
[28] 式（2 3)で示され； Raが炭素数 1〜 10のアルキルまたは炭素数 2〜； 10のァルケ ニルであり、そして Rbが炭素数 1〜10のアルコキシであり； A1が 1 , 4—フエ二レンで あり、そして A11が 1 , 4—シクロへキシレンであり； Z11が単結合であり；そして Wが一（ CH ) 一である、請求項 3に記載の化合物。
2 2
[29] 式（2 3)で示され； Raが炭素数 1〜 10のアルキルまたは炭素数 2〜； 10のァルケ ニルであり、そして Rbが炭素数 1〜10のアルコキシであり；
Figure imgf000146_0001
A11が共に 1 , 4 フエ 二レンであり； Z11が単結合であり；そして Wがー（CH ) 一である、請求項 3に記載の 化合物。
[30] 式（2— 6)で示され； Raが炭素数 1〜 10のアルキルまたは炭素数 2〜； 10のァルケ ニルであり、そして Rbが炭素数 1〜； 10のアルコキシであり；
Figure imgf000147_0001
A11および A12が共に 1 , 4—シクロへキシレンであり； Z11および Z12が単結合であり；そして Wが一（CH )
2 2 または CH O である、請求項 3に記載の化合物。
2
[31] 式（1— 2)で示され； Raが炭素数 1〜； 10のアルキルであり、そして Rbが炭素数 1〜 10のアルキルまたは炭素数 2〜10のアルケニルであり； A2が 1 , 4ーシクロへキシレ ンであり；そして Z2がー OCH—である、請求項 3に記載の化合物。
2
[32] 式（1— 5)で示され； Raが炭素数 1〜； 10のアルキルであり、そして Rbが炭素数 1〜 10のアルキルまたは炭素数 2〜10のアルケニルであり； A2および A21が共に 1 , 4 シクロへキシレンであり； Z2がー OCH—であり、そして Z21が単結合である、請求項 3
2
に記載の化合物。
[33] 式（1—4)で示され； Raおよび Rbが独立して炭素数 1〜； 10のアルキルまたは炭素 数 2〜 10のアルケニルであり； A1および A2が共に 1 , 4 フエ二レンであり；そして、 Y および Z2が共に単結合である、請求項 3に記載の化合物。
[34] 式（1—4)で示され； Raおよび Rbが独立して炭素数 1〜； 10のアルキルまたは炭素 数 2〜； 10のァノレケニノレであり； A1が 1 , 4—シクロへキシレンであり、そして A2が 1 , 4 フエ二レンであり；そして、 Yおよび Z2が共に単結合である、請求項 3に記載の化合 物。
[35] 式（1—4)で示され； Raおよび Rbが独立して炭素数 1〜； 10のアルキルまたは炭素 数 2〜； 10のァノレケニノレであり； A1が 1 , 4 フエ二レンであり、そして A2が 1 , 4ーシクロ へキシレンであり；そして、 Yおよび Z2が共に単結合である、請求項 3に記載の化合 物。
[36] 請求項 1に記載の化合物の少なくとも 1つを含有し、少なくとも 1つの光学活性化合 物を含有してもよ!/、液晶組成物。
[37] 請求項 1に記載の化合物の少なくとも 1つと、式（3)、式 (4)および式（5)のそれぞ れで表される化合物からなる群から選択される少なくとも 1つの化合物とを含有し、少 なくとも 1つの光学活性化合物を含有してもよい液晶組成物：
Figure imgf000148_0001
ここに、 R1は炭素数 1 10のアルキルであり；このアルキルにおいて、任意の— CH
2 一は—O で置き換えられてもよぐ任意の一（CH ) 一は CH = CH で置き換
2 2
えられてもよく、そして任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく； X1はフッ素、塩素 -OCF -OCHF -CF -CHF CH F OCF CHF、または OC
3 2 3 2 2 2 2
F CHFCFであり； B1および Dは独立して 1 , 4—シクロへキシレン、 1 , 4—フエユレ
2 3
ン、 1 , 3 ジォキサン 2, 5 ジィルまたは少なくとも 1つの水素がフッ素で置き換 えられた 1 , 4 フエ二レンであり； Eは 1 , 4ーシクロへキシレン、 1 , 4 フエ二レン、ま たは少なくとも 1つの水素がフッ素で置き換えられた 1 , 4 フエ二レンであり； Z4およ び Z5は独立して—（CH ) ― (CH )― — COO— -CF O— — OCF―
2 2 2 4 2 2
— CH = CH または単結合であり；そして、 L1および L2は独立して水素またはフッ素 である。
請求項 1に記載の化合物の少なくとも 1つと、式（6— 1)、式（6— 2)および式（7)の それぞれで表される化合物からなる群から選択される少なくとも 1つの化合物とを含 有し、少なくとも 1つの光学活性化合物を含有してもよい液晶組成物：
Figure imgf000149_0001
ここに、 R2および R3は独立して炭素数 1〜 10のアルキルであり；このアルキルにおい て、任意の—CH—は—O—で置き換えられてもよぐ任意の一（CH )—は—CH
2 2 2
=CH—で置き換えられてもよぐそして任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく； X2は一 CNまたは一 C≡C— CNであり； Gは 1 , 4—シクロへキシレン、 1 , 4—フエ二 レン、 1 , 3—ジォキサン一 2, 5—ジィルまたはピリミジン一 2, 5—ジィルであり; Jは 1 , 4—シクロへキシレン、 1 , 4—フエ二レン、ピリミジン一 2,5—ジィル、または少なくと も 1つの水素がフッ素で置き換えられた 1 , 4—フエ二レンであり； Z6は—（CH ) —、
2 2
— COO—、 -CF O—、 -OCF—または単結合であり； L3、 L4および L5は独立して
2 2
水素またはフッ素であり；そして b、 cおよび dは独立して 0または 1である。
請求項 1に記載の化合物の少なくとも 1つと、式（8)、式（9)、式（10)、式（11)、お よび式（12)のそれぞれで表される化合物からなる群から選択される少なくとも 1つの 化合物とを含有し、少なくとも 1つの光学活性化合物を含有してもよい液晶組成物：
Figure imgf000150_0001
ここに、 R4は炭素数 1〜； 10のアルキルであり、そして R5はフッ素または炭素数 1 10 のアルキルであり；これらのアルキルにおいて、任意の— CH—は— O で置き換え
2
られてもよく、任意の一（CH )一は CH = CH で置き換えられてもよぐそして任
2 2
意の水素はフッ素で置き換えられてもよく； Mおよび P1は独立して 1 , 4ーシクロへキ シレン、 1 , 4 フエ二レンまたはデカヒドロー 2, 6 ナフチレンであり； Z7および Z8は 独立して—（CH ) —COO または単結合であり； L6および L7は独立して水素ま
2 2
たはフッ素であり；そして、 L6と L7の少なくとも 1つはフッ素である。
請求項 1に記載の化合物の少なくとも 1つと、式（13)、式（14)および式（15)のそ れぞれで表される化合物からなる群から選択される少なくとも 1つの化合物とを含有し 、少なくとも 1つの光学活性化合物を含有してもよい液晶組成物：
R6^ ^Q— Z9— T -U— R ' (15) ここに、 R6および R7は独立して炭素数 1 10のアルキルであり；このアルキルにおい て、任意の—CH—は—O で置き換えられてもよぐ任意の一（CH )—は—CH
2 2 2
=CH で置き換えられてもよぐそして任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく； (3、丁ぉょび11は独立して1 , 4ーシクロへキシレン、 1 , 4 フエ二レン、ピリミジンー2 5—ジィル、または少なくとも 1つの水素がフッ素で置き換えられた 1 , 4 フエ二レン であり；そして、 Z9および Z1。は独立して一 C≡C― COO 、一（CH ) ― C
2 2
H = CH CH O または単結合である。
2
式（6— 1)、式（6— 2)および式（7)のそれぞれで表される化合物からなる群から選 択される少なくとも 1つの化合物をさらに含有する、請求項 37に記載の液晶組成物：
Figure imgf000151_0001
ここに、 ITおよび R3は独立して炭素数 1 10のアルキルであり；このアルキルにおい て、任意の—CH—は—O で置き換えられてもよぐ任意の一（CH )—は—CH
2 2 2
=CH で置き換えられてもよぐそして任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく； X2は一 CNまたは一 C≡C— CNであり； Gは 1 , 4—シクロへキシレン、 1 , 4—フエ二 レン、 1 , 3 ジォキサン一 2, 5 ジィルまたはピリミジン一 2, 5 ジィルであり; Jは 1 , 4 シクロへキシレン、 1 , 4 フエ二レン、ピリミジン一 2,5 ジィル、または少なくと も 1つの水素がフッ素で置き換えられた 1 , 4—フエ二レンであり； Z6は—（CH )
2 2
― COO— -CF O— -OCF—または単結合であり； L3 L4および L5は独立して
2 2
水素またはフッ素であり；そして b cおよび dは独立して 0または 1である。
式（ 13)、式（ 14)および式（ 15)のそれぞれで表される化合物からなる群から選択 される少なくとも 1つの化合物をさらに含有する、請求項 37に記載の液晶組成物： R6 -Q— Z9-T— Z10— R (13)
R6-Q— Z -T -Z10— U— R7 (14)
-Q— Z9— T一 U— R7 (15) ここに、 R6および R7は独立して炭素数 1 10のアルキルであり；このアルキルにおい て、任意の—CH—は—O で置き換えられてもよぐ任意の一（CH )—は—CH
2 2 2
=CH で置き換えられてもよぐそして任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく (3、丁ぉょび11は独立して1 , 4 シクロへキシレン、 1 , 4 フエ二レン、ピリミジン一 2 5—ジィル、または少なくとも 1つの水素がフッ素で置き換えられた 1 , 4 フエ二レン であり；そして、 Z9および Z1。は独立して一 C≡C― COO 、一（CH ) ― C
2 2
H = CH CH O または単結合である。
2
[43] 式（13)、式（14)および式（15)のそれぞれで表される化合物からなる群から選択 される少なくとも 1つの化合物をさらに含有する、請求項 38に記載の液晶組成物： R6— Q— Z9— T— Z10— R7 (13)
R6-Q— Z -T -Z10— U— R7 (14)
Q— Ζ9— Τ一 U— R7 (15) ここに、 R6および R7は独立して炭素数 1 10のアルキルであり；このアルキルにおい て、任意の—CH—は—O で置き換えられてもよぐ任意の一（CH )—は—CH
2 2 2
=CH で置き換えられてもよぐそして任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく (3、丁ぉょび11は独立して1 , 4 シクロへキシレン、 1 , 4 フエ二レン、ピリミジン一 2 5—ジィル、または少なくとも 1つの水素がフッ素で置き換えられた 1 , 4 フエ二レン であり；そして、 Z9および Z1。は独立して一 C≡C― COO 、一（CH ) ― C
2 2
H = CH CH O または単結合である。
2
[44] 式（13)、式（14)および式（15)のそれぞれで表される化合物からなる群から選択 される少なくとも 1つの化合物をさらに含有する、請求項 39に記載の液晶組成物：
Figure imgf000153_0001
ここに、 R6および R7は独立して炭素数 1 10のアルキルであり；このアルキルにおい て、任意の—CH—は—O で置き換えられてもよぐ任意の一（CH )—は—CH
2 2 2
=CH で置き換えられてもよぐそして任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく； (3、丁ぉょび11は独立して1 , 4ーシクロへキシレン、 1 , 4 フエ二レン、ピリミジンー2 5—ジィル、または少なくとも 1つの水素がフッ素で置き換えられた 1 , 4 フエ二レン であり；そして、 Z9および Z1。は独立して一 C≡C― COO 、一（CH ) ― C
2 2
H = CH CH O または単結合である。
2
液晶表示素子を製造するための、請求項 36 44のいずれ力、 1項に記載の液晶組 成物の使用。
請求項 36 44のいずれか 1項に記載の液晶組成物を含有する液晶表示素子。
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