JP5145711B2 - ベンゼン誘導体、液晶組成物および液晶表示素子 - Google Patents

Description

本発明は液晶性化合物、液晶組成物および液晶表示素子に関する。さらに詳しくはベンゼン誘導体、これを含有し、そしてネマチック相を有する液晶組成物、およびこの組成物を含有する液晶表示素子に関する。

液晶表示素子は、液晶の動作モードに基づいて、ＰＣ（phase change）、ＴＮ（twisted nematic）、ＳＴＮ（super twisted nematic）、ＢＴＮ（Bistable twisted nematic）、ＥＣＢ（electrically controlled birefringence）、ＯＣＢ（optically compensated bend）、ＩＰＳ（in-plane switching）、ＶＡ（vertical alignment）などに分類される。この素子は、その駆動方式に基づいてＰＭ（passive matrix）とＡＭ（active matrix）に分類される。ＰＭ（passive matrix）はスタティック（static）とマルチプレックス（multiplex）などに分類され、ＡＭはＴＦＴ（thin film transistor）、ＭＩＭ（metal insulator metal）などに分類される。

これらの液晶表示素子は、液晶組成物を含有する。以下の説明においては、液晶表示素子を単に素子と表記することがある。液晶組成物を単に組成物と表記することがある。液晶性化合物を単に化合物と表記することがある。素子の特性を向上させるには、この組成物が適切な物性を有することが好ましい。組成物の成分である化合物に必要な一般的物性は、次のとおりである。
（１）化学的な安定性と物理的な安定性。
（２）高い透明点。
（３）液晶相の低い下限温度。
（４）小さな粘度。
（５）適切な光学異方性。
（６）適切な誘電率異方性。
（７）大きな比抵抗。
透明点は、液晶相−等方相の転移温度である。液晶相は、ネマチック相、スメクチック相などを意味する。なお、大きな誘電率異方性を有する化合物は、高い粘度を有することが多い。

組成物は多くの化合物を混合して調製される。したがって、これらの化合物は他の化合物とよく混和するのが好ましい。素子を氷点下の温度で使うこともあるので、低い温度で良好な相溶性を有する化合物が好ましい。高い透明点または液晶相の低い下限温度を有する化合物は、組成物におけるネマチック相の広い温度範囲に寄与する。好ましい組成物は、小さな粘度と素子のモードに適した光学異方性を有する。化合物の大きな誘電率異方性は、組成物の低いしきい値電圧に寄与する。このような組成物によって、使用できる温度範囲が広い、応答時間が短い、コントラスト比が大きい、駆動電圧が小さい、消費電力が小さい、電圧保持率が大きいなどの特性を有する素子を得ることができる。

負の誘電率異方性を示す化合物としては２，３−ジフルオロ１，４−フェニレンを部分構造に有する化合物（ｉ）が一般的に知られている（非特許文献２を参照）。誘電率異方性を改良するための化合物として、負の誘電率異方性をさらに大きな数値にさせるため、化合物分子の側方位にトリフルオロメチルを結合させた化合物（ii）、ジフルオロメチルを結合させた化合物（iii）および化合物（iv）が報告されている（特許文献１、非特許文献１、非特許文献２および特許文献２を参照）。しかしながら、これらの化合物は比較的大きな数値の負の誘電率異方性を示すものの、透明点が低く、また大きな粘度を示す等、液晶材料としての物性バランスが良好ではない。さらに好ましい液晶性化合物、液晶組成物および液晶表示素子が望まれている。

特開平８−０４０９５３号公報 ＷＯ２０００／０３９６３号パンフレット Synlett. 1999, No.4, 389-396 Angew. Chem. Int. Ed. 2000, 39, 4216-4235

本発明の第一の目的は、負の誘電率異方性を示すと共に、比較的高い透明点、比較的小さな粘度、適切な光学異方性、および他の液晶性化合物との優れた相溶性等、優れた物性バランスを有する液晶性化合物を提供することである。第二の目的は、この化合物を含有し、ネマチック相の広い温度範囲、小さな粘度、適切な光学異方性、および低いしきい値電圧を有する液晶組成物を提供することである。第三の目的は、この組成物を含有し、短い応答時間、小さな消費電力、大きなコントラスト、および高い電圧保持率を有する液晶表示素子を提供することにある。

最初に、本明細書における用語について説明する。液晶性化合物は、ネマチック相、スメクチック相などの液晶相を有する化合物および液晶相を有しないが液晶組成物の成分として有用な化合物の総称である。液晶表示素子は液晶表示パネルおよび液晶表示モジュールの総称である。ネマチック相の上限温度はネマチック相−等方相の相転移温度であり、そして単に上限温度と略すことがある。ネマチック相の下限温度を単に下限温度と略すことがある。式（１）で表わされる化合物を化合物（１）と表記することがある。この表記法は式（２）などで表される化合物にも適用することがある。「任意の」は位置だけでなく、個数についても任意であることを示す。そして、任意のＡがＢ、ＣまたはＤで置き換えられてもよいという表現は、１つのＡがＢ、ＣまたはＤで置き換えられてもよいという意味と、複数のＡのどれもがＢ、ＣおよびＤのいずれか１つで置き換えられてもよいという意味とに加えて、Ｂで置き換えられるＡ、Ｃで置き換えられるＡ、およびＤで置き換えられるＡの少なくとも２つが混在してもよいという意味を有する。例えば、任意の−ＣＨ_２−が−Ｏ−または−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられてもよいｎ−ブチルには、ＣＨ_３（ＣＨ_２）_３−の他、ＣＨ_３（ＣＨ_２）_２Ｏ−、ＣＨ_３−Ｏ−（ＣＨ_２）_２−、ＣＨ_３−Ｏ−ＣＨ_２−Ｏ−、ＣＨ_２＝ＣＨ−（ＣＨ_２）_３−、ＣＨ_３−ＣＨ＝ＣＨ−（ＣＨ_２）_２−、ＣＨ_３−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ_２−Ｏ−などが含まれる。そして、このような場合には、化合物の安定性を考慮すると、連続する複数の−ＣＨ_２−が−Ｏ−で置き換えられない方が好ましい。アルキルおよびアルキレンはどちらも直鎖の基であってもよく、分岐された基であってもよい。このことは、これらの基における任意の−ＣＨ_２−が−Ｏ−または−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられる場合も同様である。そして、組成物において示される百分率で表した化合物の量は、組成物の全重量に基づいた重量百分率（重量％）である。

本発明は次の各項で構成される。
［１］ 式（１）または式（２）で表される化合物：

ここに、ＲａおよびＲｂは独立して水素または炭素数１〜２０のアルキルであり；このアルキルにおいて、任意の−ＣＨ_２−は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−または−ＳｉＨ_２−で置き換えられてもよく、任意の−（ＣＨ_２）_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられてもよく、そして任意の水素はハロゲンで置き換えられてもよく；
Ａ^１、Ａ^１１、Ａ^１２、Ａ^２、Ａ^２１およびＡ^２２は独立して１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル、またはナフタレン−２，６−ジイルであり；これらの環において、１つのまたは隣り合わない２つの−ＣＨ_２−は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−または−ＳｉＨ_２−で置き換えられてもよく、そして任意の水素はハロゲンで置き換えられもよく；
Ｙは単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ_２ＣＯ−、−ＣＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＳｉＨ_２−、−ＳｉＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＣＨ＝ＣＨ−（ＣＨ_２）_２−、−（ＣＨ_２）_２−ＣＨ＝ＣＨ−、−（ＣＨ_２）_２ＣＦ_２Ｏ−、または−ＯＣＦ_２（ＣＨ_２）_２−であり；
Ｗは−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ_２ＣＯ−、−ＣＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＳｉＨ_２−、−ＳｉＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−（ＣＨ_２）_３−Ｏ−、−Ｏ−（ＣＨ_２）_３−、−ＣＨ＝ＣＨ−（ＣＨ_２）_２−、−（ＣＨ_２）_２−ＣＨ＝ＣＨ−、−（ＣＨ_２）_２ＣＦ_２Ｏ−、または−ＯＣＦ_２（ＣＨ_２）_２−であり；
Ｚ^１１、Ｚ^１２、Ｚ^２、Ｚ^２１およびＺ^２２は、独立して単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−ＣＨ_２ＣＯ−、−ＣＯＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−（ＣＨ_２）_３−Ｏ−、−Ｏ−（ＣＨ_２）_３−、−ＣＨ＝ＣＨ−（ＣＨ_２）_２−、−（ＣＨ_２）_２−ＣＨ＝ＣＨ−、−（ＣＨ_２）_２ＣＦ_２Ｏ−、または−ＯＣＦ_２（ＣＨ_２）_２−であり；
ｊ、ｋ、ｍ、ｎ、ｐおよびｑは独立して０または１であり、そしてこれらの合計は１、２、または３であり；
ｍが０であるとき、ｊおよびｋはどちらも０であり、式（１）におけるＲａは水素、アルコキシおよびアルコキシメチルのいずれでもなく、そして式（２）におけるＲａは１−アルケニルである。

［２］ ｊ、ｋおよびｍの合計、並びにｎ、ｐおよびｑの合計が独立して１または２である、［１］項に記載の化合物。

［３］ 式（１−１）〜式（１−９）および式（２−１）〜式（２−９）のいずれか１つで表される、［１］項に記載の化合物：

ここに、ＲａおよびＲｂは独立して水素または炭素数１〜２０のアルキルであり；このアルキルにおいて、末端に位置しない任意の−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−または−ＣＯ−で置き換えられてもよく、任意の−（ＣＨ_２）_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられてもよく、そして任意の水素はハロゲンで置き換えられてもよく；
Ａ^１、Ａ^１１、Ａ^１２、Ａ^２、Ａ^２１およびＡ^２２は、独立して１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル、またはナフタレン−２，６−ジイルであり；これらの環において、１つのまたは隣り合わない２つの−ＣＨ_２−は−Ｏ−、−Ｓ−、または−ＣＯ−で置き換えられてもよく、そして任意の水素はハロゲンで置き換えられもよく；
Ｙは単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ_２ＣＯ−、−ＣＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＳｉＨ_２−、−ＳｉＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＣＨ＝ＣＨ−（ＣＨ_２）_２−、−（ＣＨ_２）_２−ＣＨ＝ＣＨ−、−（ＣＨ_２）_２ＣＦ_２Ｏ−、または−ＯＣＦ_２（ＣＨ_２）_２−であり；
Ｗは−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ_２ＣＯ−、−ＣＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＳｉＨ_２−、−ＳｉＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−（ＣＨ_２）_３−Ｏ−、−Ｏ−（ＣＨ_２）_３−、−ＣＨ＝ＣＨ−（ＣＨ_２）_２−、−（ＣＨ_２）_２−ＣＨ＝ＣＨ−、−（ＣＨ_２）_２ＣＦ_２Ｏ−、または−ＯＣＦ_２（ＣＨ_２）_２−であり；
Ｚ^１１、Ｚ^１２、Ｚ^２、Ｚ^２１およびＺ^２２は、独立して単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−ＣＨ_２ＣＯ−、−ＣＯＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−（ＣＨ_２）_３−Ｏ−、−Ｏ−（ＣＨ_２）_３−、−ＣＨ＝ＣＨ−（ＣＨ_２）_２−、−（ＣＨ_２）_２−ＣＨ＝ＣＨ−、−（ＣＨ_２）_２ＣＦ_２Ｏ−、または−ＯＣＦ_２（ＣＨ_２）_２−であり；
式（１−２）、式（１−５）および式（１−９）において、Ｒａは水素、アルコキシおよびアルコキシメチルのいずれでもなく；式（２−２）、式（２−５）および式（２−９）において、Ｒａは１−アルケニルである。

［４］ ＲａおよびＲｂが独立して炭素数１〜１０のアルキル、炭素数１〜１０のアルコキシ、炭素数２〜１０のアルコキシアルキル、炭素数２〜１０のアルケニル、炭素数３〜１０のアルケニルオキシ、炭素数１〜１０のパーフルオロアルキル、または炭素数１〜１０のパーフルオロアルコキシであり；
Ａ^１、Ａ^１１、Ａ^１２、Ａ^２、Ａ^２１およびＡ^２２が、独立して１，４−シクロヘキシレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、４，６−ジオキサン−２，５−ジイル、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、３−フルオロ１，４−フェニレン、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル、またはナフタレン−２，６−ジイルであり；
Ｚ^１１およびＺ^１２が、独立して単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＣＨ＝ＣＨ−（ＣＨ_２）_２−、−（ＣＨ_２）_２−ＣＨ＝ＣＨ−、−（ＣＨ_２）_２ＣＦ_２Ｏ−、または−ＯＣＦ_２（ＣＨ_２）_２−であり；
Ｚ^２、Ｚ^２１およびＺ^２２が、独立して単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−（ＣＨ_２）_４−、−（ＣＨ_２）_３−Ｏ−、−Ｏ−（ＣＨ_２）_３−、−ＣＨ＝ＣＨ−（ＣＨ_２）_２−、−（ＣＨ_２）_２−ＣＨ＝ＣＨ−、−（ＣＨ_２）_２ＣＦ_２Ｏ−、または−ＯＣＦ_２（ＣＨ_２）_２−であり；
Ｙが単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２、−（ＣＨ_２）_４−、−（ＣＨ_２）_２ＣＦ_２Ｏ−、または−ＯＣＦ_２（ＣＨ_２）_２−であり；
そして、Ｗが−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−（ＣＨ_２）_４−、−（ＣＨ_２）_３−Ｏ−、−Ｏ−（ＣＨ_２）_３−、−（ＣＨ_２）_２ＣＦ_２Ｏ−、または−ＯＣＦ_２（ＣＨ_２）_２−である、［３］項に記載の化合物。

［５］ ＲａおよびＲｂが、独立して炭素数１〜１０のアルキル、炭素数１〜１０のアルコキシ、炭素数２〜１０のアルコキシアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり；
Ａ^１、Ａ^１１、Ａ^１２、Ａ^２、Ａ^２１およびＡ^２２が、独立して１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、３−フルオロ−１，４−フェニレン、または２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレンであり；
Ｚ^１１およびＺ^１２が、独立して単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＣＨ＝ＣＨ−（ＣＨ_２）_２−、−（ＣＨ_２）_２−ＣＨ＝ＣＨ−、−（ＣＨ_２）_２ＣＦ_２Ｏ−、または−ＯＣＦ_２（ＣＨ_２）_２−であり；
Ｚ^２、Ｚ^２１およびＺ^２２が、独立して単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−（ＣＨ_２）_２ＣＦ_２Ｏ−、または−ＯＣＦ_２（ＣＨ_２）_２−であり；
Ｙが単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２、−（ＣＨ_２）_４−、−（ＣＨ_２）_２ＣＦ_２Ｏ−、または−ＯＣＦ_２（ＣＨ_２）_２−であり；
そして、Ｗが−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−（ＣＨ_２）_４−、−（ＣＨ_２）_３−Ｏ−、−Ｏ−（ＣＨ_２）_３−、−（ＣＨ_２）_２ＣＦ_２Ｏ−、または−ＯＣＦ_２（ＣＨ_２）_２−である、［３］項に記載の化合物。

［６］ Ｒａが炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、そしてＲｂが炭素数１〜１０のアルコキシであり；
Ａ^１、Ａ^１１、Ａ^１２、Ａ^２、Ａ^２１およびＡ^２２が、独立して１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、または３−フルオロ−１，４−フェニレンであり；
Ｚ^１１およびＺ^１２が独立して単結合または−ＣＨ＝ＣＨ−であり；
Ｚ^２、Ｚ^２１およびＺ^２２が独立して単結合、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、または−ＯＣＦ_２−であり；
Ｙが単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２、−（ＣＨ_２）_４−、−（ＣＨ_２）_２ＣＦ_２Ｏ−、または−ＯＣＦ_２（ＣＨ_２）_２−であり；
そして、Ｗが−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−（ＣＨ_２）_４−、−（ＣＨ_２）_３−Ｏ−、−Ｏ−（ＣＨ_２）_３−、−（ＣＨ_２）_２ＣＦ_２Ｏ−、または−ＯＣＦ_２（ＣＨ_２）_２−である、［３］項に記載の化合物。

［７］ Ａ^１またはＡ^２が１，４−シクロヘキシレンである、［３］〜［６］のいずれか１項に記載の化合物。

［８］ Ａ^１またはＡ^２が１，４−フェニレンである、［３］〜［６］のいずれか１項に記載の化合物。

［９］ 式（１−１）〜式（１−９）においてＹまたはＺ^２が単結合であり、そして式（２−１）〜式（２−９）においてＺ^２が単結合である、［３］〜［６］のいずれか１項に記載の化合物。

［１０］ Ａ^１またはＡ^２が１，４−シクロヘキシレンであり、式（１−１）〜式（１−９）においてＹまたはＺ^２が単結合であり、そして式（２−１）〜式（２−９）においてＺ^２が単結合である、［３］〜［６］のいずれか１項に記載の化合物。

［１１］ Ａ^１またはＡ^２が１，４−フェニレンであり、式（１−１）〜式（１−９）においてＹまたはＺ^２が単結合であり、そして式（２−１）〜式（２−９）においてＺ^２が単結合である、［３］〜［６］のいずれか１項に記載の化合物。

［１２］ 式（２−１）、式（２−３）、式（２−４）、式（２−６）、式（２−７）および式（２−８）のいずれか１つで示され；そしてＡ^１が１，４−シクロヘキシレンである、［３］〜［６］のいずれか１項に記載の化合物。

［１３］ 式（２−１）で示され；Ａ^１が１，４−シクロヘキシレンであり；そして、Ｗが−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、または−ＣＦ_２Ｏ−である、［３］〜［６］のいずれか１項に記載の化合物。

［１４］ 式（２−３）で示され；Ａ^１およびＡ^１１が共に１，４−シクロヘキシレンであり；Ｚ^１１が単結合であり；そして、Ｗが−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、または−ＣＦ_２Ｏ−である、［３］〜［６］のいずれか１項に記載の化合物。

［１５］ 式（２−６）で示され；Ａ^１、Ａ^１１およびＡ^１２がいずれも１，４−シクロヘキシレンであり；Ｚ^１１およびＺ^１２が共に単結合であり；そして、Ｗが−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、または−ＣＦ_２Ｏ−である、［３］〜［６］のいずれか１項に記載の化合物。

［１６］ 式（１−２）、式（１−４）、式（１−５）、式（１−７）、式（１−８）および式（１−９）のいずれか１つで示され；そして、Ｚ^２が−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、または−ＯＣＦ_２−である、［３］〜［６］のいずれか１項に記載の化合物。

［１７］ 式（１−３）で示され；Ｒａが炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、そしてＲｂが炭素数１〜１０のアルコキシであり；Ａ^１およびＡ^１１が共に１，４−シクロヘキシレンであり；そしてＹおよびＺ^１１が共に単結合である、［３］項に記載の化合物。

［１８］ 式（１−３）で示され；Ｒａが炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、そしてＲｂが炭素数１〜１０のアルコキシであり；Ａ^１およびＡ^１１が共に１，４−シクロヘキシレンであり；Ｙが−ＣＨ_２ＣＨ_２−であり；そしてＺ^１１が単結合である、［３］項に記載の化合物。

［１９］ 式（１−３）で示され；Ｒａが炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、そしてＲｂが炭素数１〜１０のアルコキシであり；Ａ^１が１，４−フェニレンであり；Ａ^１１が１，４−シクロヘキシレンであり；そしてＹおよびＺ^１１が共に単結合である、［３］項に記載の化合物。

［２０］ 式（１−３）で示され；Ｒａが炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、そしてＲｂが炭素数１〜１０のアルコキシであり；Ａ^１およびＡ^１１が共に１，４−フェニレンであり；そしてＹおよびＺ^１１が共に単結合である、［３］〜［６］のいずれか１項に記載の化合物。

［２１］ 式（１−１）で示され；Ｒａが炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、そしてＲｂが炭素数１〜１０のアルコキシであり；Ａ^１が１，４−シクロヘキシレンであり；そしてＹが単結合である、［３項に記載の化合物。

［２２］ 式（１−１）で示され；Ｒａが炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、そしてＲｂが炭素数１〜１０のアルコキシであり；Ａ^１が１，４−シクロヘキシレンであり；そしてＹが−ＣＨ_２ＣＨ_２−である、［３］項に記載の化合物。

［２３］ 式（２−１）で示され；Ｒａが炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、そしてＲｂが炭素数１〜１０のアルコキシであり；Ａ^１が１，４−シクロヘキシレンであり；そしてＷが−（ＣＨ_２）_２−である、［３］項に記載の化合物。

［２４］ 式（２−１）で示され；Ｒａが炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、そしてＲｂが炭素数１〜１０のアルコキシであり；Ａ^１が１，４−シクロヘキシレンであり；そしてＷが−ＣＨ_２Ｏ−である、［３］項に記載の化合物。

［２５］ 式（２−１）で示され；Ｒａが炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、そしてＲｂが炭素数１〜１０のアルコキシであり；Ａ^１が１，４−フェニレンであり；そしてＷが−（ＣＨ_２）_２−である、［３］項に記載の化合物。

［２６］ 式（２−３）で示され；Ｒａが炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、そしてＲｂが炭素数１〜１０のアルコキシであり；Ａ^１およびＡ^１１が共に１，４−シクロヘキシレンであり；Ｚ^１１が単結合であり；そしてＷが−（ＣＨ_２）_２−である、［３］項に記載の化合物。

［２７］ 式（２−３）で示され；Ｒａが炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、そしてＲｂが炭素数１〜１０のアルコキシであり；Ａ^１およびＡ^１１が共に１，４−シクロヘキシレンであり；Ｚ^１１が単結合であり；そしてＷが−ＣＨ_２Ｏ−である、［３］項に記載の化合物。

［２８］ 式（２−３）で示され；Ｒａが炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、そしてＲｂが炭素数１〜１０のアルコキシであり；Ａ^１が１，４−フェニレンであり、そしてＡ^１１が１，４−シクロヘキシレンであり；Ｚ^１１が単結合であり；そしてＷが−（ＣＨ_２）_２−である、［３］項に記載の化合物。

［２９］ 式（２−３）で示され；Ｒａが炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、そしてＲｂが炭素数１〜１０のアルコキシであり；Ａ^１、Ａ^１１が共に１，４−フェニレンであり；Ｚ^１１が単結合であり；そしてＷが−（ＣＨ_２）_２−である、［３］項に記載の化合物。

［３０］ 式（２−６）で示され；Ｒａが炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、そしてＲｂが炭素数１〜１０のアルコキシであり；Ａ^１、Ａ^１１およびＡ^１２が共に１，４−シクロヘキシレンであり；Ｚ^１１およびＺ^１２が単結合であり；そしてＷが−（ＣＨ_２）_２−または−ＣＨ_２Ｏ−である、［３］項に記載の化合物。

［３１］ 式（１−２）で示され；Ｒａが炭素数１〜１０のアルキルであり、そしてＲｂが炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり；Ａ^２が１，４−シクロヘキシレンであり；そしてＺ^２が−ＯＣＨ_２−である、［３］項に記載の化合物。

［３２］ 式（１−５）で示され；Ｒａが炭素数１〜１０のアルキルであり、そしてＲｂが炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり；Ａ^２およびＡ^２１が共に１，４−シクロヘキシレンであり；Ｚ^２が−ＯＣＨ_２−であり、そしてＺ^２１が単結合である、［３］項に記載の化合物。

［３３］ 式（１−４）で示され；ＲａおよびＲｂが独立して炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり；Ａ^１およびＡ^２が共に１，４−フェニレンであり；そして、ＹおよびＺ^２が共に単結合である、［３］項に記載の化合物。

［３４］ 式（１−４）で示され；ＲａおよびＲｂが独立して炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり；Ａ^１が１，４−シクロヘキシレンであり、そしてＡ^２が１，４−フェニレンであり；そして、ＹおよびＺ^２が共に単結合である、［３］項に記載の化合物。

［３５］ 式（１−４）で示され；ＲａおよびＲｂが独立して炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり；Ａ^１が１，４−フェニレンであり、そしてＡ^２が１，４−シクロヘキシレンであり；そして、ＹおよびＺ^２が共に単結合である、［３］項に記載の化合物。

［３６］［１］項に記載の化合物の少なくとも１つを含有し、少なくとも１つの光学活性化合物を含有してもよい液晶組成物。

［３７］［１］項に記載の化合物の少なくとも１つと、式（３）、式（４）および式（５）のそれぞれで表される化合物からなる群から選択される少なくとも１つの化合物とを含有し、少なくとも１つの光学活性化合物を含有してもよい液晶組成物：

ここに、Ｒ^１は炭素数１〜１０のアルキルであり；このアルキルにおいて、任意の−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、任意の−（ＣＨ_２）_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられてもよく、そして任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく；Ｘ^１はフッ素、塩素、−ＯＣＦ_３、−ＯＣＨＦ_２、−ＣＦ_３、−ＣＨＦ_２、−ＣＨ_２Ｆ、−ＯＣＦ_２ＣＨＦ_２、または−ＯＣＦ_２ＣＨＦＣＦ_３であり；Ｂ^１およびＤは独立して１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイルまたは少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレンであり；Ｅは１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、または少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレンであり；Ｚ^４およびＺ^５は独立して−（ＣＨ_２)_２−、−（ＣＨ_２)_４−、−ＣＯＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−または単結合であり；そして、Ｌ^１およびＬ^２は独立して水素またはフッ素である。

［３８］［１］項に記載の化合物の少なくとも１つと、式（６−１）、式（６−２）および式（７）のそれぞれで表される化合物からなる群から選択される少なくとも１つの化合物とを含有し、少なくとも１つの光学活性化合物を含有してもよい液晶組成物：

ここに、Ｒ^２およびＲ^３は独立して炭素数１〜１０のアルキルであり；このアルキルにおいて、任意の−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、任意の−（ＣＨ_２)_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられてもよく、そして任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく；Ｘ^２は−ＣＮまたは−Ｃ≡Ｃ−ＣＮであり；Ｇは１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイルまたはピリミジン−２，５−ジイルであり；Ｊは１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、ピリミジン−２,５−ジイル、または少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレンであり；Ｚ^６は−（ＣＨ_２)_２−、−ＣＯＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−または単結合であり；Ｌ^３、Ｌ^４およびＬ^５は独立して水素またはフッ素であり；そしてｂ、ｃおよびｄは独立して０または１である。

［３９］［１］項に記載の化合物の少なくとも１つと、式（８）、式（９）、式（１０）、式（１１）、および式（１２）のそれぞれで表される化合物からなる群から選択される少なくとも１つの化合物とを含有し、少なくとも１つの光学活性化合物を含有してもよい液晶組成物：

ここに、Ｒ^４は炭素数１〜１０のアルキルであり、そしてＲ^５はフッ素または炭素数１〜１０のアルキルであり；これらのアルキルにおいて、任意の−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、任意の−（ＣＨ_２)_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられてもよく、そして任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく；ＭおよびＰ^１は独立して１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレンまたはデカヒドロ−２，６−ナフチレンであり；Ｚ^７およびＺ^８は独立して−（ＣＨ_２)_２−、−ＣＯＯ−または単結合であり；Ｌ^６およびＬ^７は独立して水素またはフッ素であり；そして、Ｌ^６とＬ^７の少なくとも１つはフッ素である。

［４０］［１］項に記載の化合物の少なくとも１つと、式（１３）、式（１４）および式（１５）のそれぞれで表される化合物からなる群から選択される少なくとも１つの化合物とを含有し、少なくとも１つの光学活性化合物を含有してもよい液晶組成物：

ここに、Ｒ^６およびＲ^７は独立して炭素数１〜１０のアルキルであり；このアルキルにおいて、任意の−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、任意の−（ＣＨ_２)_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられてもよく、そして任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく；Ｑ、ＴおよびＵは独立して１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、ピリミジン−２、５−ジイル、または少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレンであり；そして、Ｚ^９およびＺ^１０は独立して−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ_２Ｏ−または単結合である。

［４１］ 式（６−１）、式（６−２）および式（７）のそれぞれで表される化合物からなる群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、［３７］項に記載の液晶組成物：

ここに、Ｒ^２およびＲ^３は独立して炭素数１〜１０のアルキルであり；このアルキルにおいて、任意の−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、任意の−（ＣＨ_２)_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられてもよく、そして任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく；Ｘ^２は−ＣＮまたは−Ｃ≡Ｃ−ＣＮであり；Ｇは１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイルまたはピリミジン−２，５−ジイルであり；Ｊは１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、ピリミジン−２,５−ジイル、または少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレンであり；Ｚ^６は−（ＣＨ_２)_２−、−ＣＯＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−または単結合であり；Ｌ^３、Ｌ^４およびＬ^５は独立して水素またはフッ素であり；そしてｂ、ｃおよびｄは独立して０または１である。

［４２］ 式（１３）、式（１４）および式（１５）のそれぞれで表される化合物からなる群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、［３７］項に記載の液晶組成物：

ここに、Ｒ^６およびＲ^７は独立して炭素数１〜１０のアルキルであり；このアルキルにおいて、任意の−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、任意の−（ＣＨ_２)_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられてもよく、そして任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく；Ｑ、ＴおよびＵは独立して１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、ピリミジン−２、５−ジイル、または少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレンであり；そして、Ｚ^９およびＺ^１０は独立して−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ_２Ｏ−または単結合である。

［４３］ 式（１３）、式（１４）および式（１５）のそれぞれで表される化合物からなる群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、［３８］項に記載の液晶組成物：

ここに、Ｒ^６およびＲ^７は独立して炭素数１〜１０のアルキルであり；このアルキルにおいて、任意の−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、任意の−（ＣＨ_２)_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられてもよく、そして任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく；Ｑ、ＴおよびＵは独立して１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、ピリミジン−２、５−ジイル、または少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレンであり；そして、Ｚ^９およびＺ^１０は独立して−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ_２Ｏ−または単結合である。

［４４］ 式（１３）、式（１４）および式（１５）のそれぞれで表される化合物からなる群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、［３９］項に記載の液晶組成物：

ここに、Ｒ^６およびＲ^７は独立して炭素数１〜１０のアルキルであり；このアルキルにおいて、任意の−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、任意の−（ＣＨ_２)_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられてもよく、そして任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく；Ｑ、ＴおよびＵは独立して１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、ピリミジン−２、５−ジイル、または少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレンであり；そして、Ｚ^９およびＺ^１０は独立して−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ_２Ｏ−または単結合である。

［４５］ 液晶表示素子を製造するための［３６］〜［４４］のいずれか１項に記載の液晶組成物の使用。

［４６］ ［３６］〜［４４］のいずれか１項に記載の液晶組成物を含有する液晶表示素子。

本発明の化合物は、液晶性化合物に必要な一般的物性、熱、光などに対する安定性、適切な光学異方性、適切な誘電率異方性、他の液晶性化合物との優れた相溶性を有する。本発明の液晶組成物は、これらの化合物の少なくとも１つを含有し、そしてネマチック相の高い上限温度、ネマチック相の低い下限温度、小さな粘度、適切な光学異方性、低いしきい値電圧を有する。本発明の液晶表示素子は、この組成物を含有し、そして使用できる広い温度範囲、短い応答時間、大きなコントラスト比、低い駆動電圧を有する。

本発明の化合物は式（１）および式（２）のどちらかで表される。

式（１）および式（２）におけるＲａおよびＲｂは、独立して水素または炭素数１〜２０のアルキルである。このアルキルにおいて、任意の−ＣＨ_２−は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−または−ＳｉＨ_２−で置き換えられてもよく、任意の−（ＣＨ_２）_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられてもよく、そして任意の水素はハロゲンで置き換えられてもよい。ＲａまたはＲｂの例は、水素、アルキル、アルコキシ、アルコキシアルキル、アルコキシアルコキシ、アルキルチオ、アルキルチオアルコキシ、アシル、アシルアルキル、アシルオキシ、アシルオキシアルキル、アルコキシカルボニル、アルコキシカルボニルアルキル、アルケニル、アルケニルオキシ、アルケニルオキシアルキル、アルコキシアルケニル、アルキニル、アルキニルオキシ、シラアルキルおよびジシラアルキルである。少なくとも１つの水素がハロゲンで置き換えられたこれらの基も好ましい。好ましいハロゲンはフッ素および塩素である。さらに好ましいハロゲンはフッ素である。これらの基において分岐よりも直鎖の方が好ましい。ＲａおよびＲｂが分岐の基であっても光学活性であるときは好ましい。

ＲａおよびＲｂの好ましい例は、炭素数１〜１０のアルキル、炭素数１〜１０のアルコキシ、炭素数２〜１０のアルコキシアルキル、炭素数２〜１０のアルケニル、炭素数２〜１０のアルケニルオキシ、炭素数１〜１０のパーフルオロアルキルおよび炭素数１〜１０のパーフルオロアルコキシである。より好ましい例は炭素数１〜１０のアルキル、炭素数１〜１０のアルコキシ、炭素数２〜１０のアルコキシアルキルおよび炭素数２〜１０のアルケニルである。さらに好ましいＲａは炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、特に好ましいＲｂは炭素数１〜１０のアルコキシである。

アルケニルにおける−ＣＨ＝ＣＨ−の好ましい立体配置は、二重結合の位置に依存する。−ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、−ＣＨ＝ＣＨＣ_２Ｈ_５、−ＣＨ＝ＣＨＣ_３Ｈ_７、−ＣＨ＝ＣＨＣ_４Ｈ_９、−Ｃ_２Ｈ_４ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３および−Ｃ_２Ｈ_４ＣＨ＝ＣＨＣ_２Ｈ_５のような奇数位に二重結合をもつアルケニルにおいてはトランス配置が好ましい。−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣ_２Ｈ_５および−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣ_３Ｈ_７のような偶数位に二重結合をもつアルケニルにおいてはシス配置が好ましい。

アルキルの具体的な例は、−ＣＨ_３、−Ｃ_２Ｈ_５、−Ｃ_３Ｈ_７、−Ｃ_４Ｈ_９、−Ｃ_５Ｈ_１０、−Ｃ_６Ｈ_１３、−Ｃ_７Ｈ_１５および−Ｃ_８Ｈ_１７である。アルコキシの具体的な例は、−ＯＣＨ_３、−ＯＣ_２Ｈ_５、−ＯＣ_３Ｈ_７、−ＯＣ_４Ｈ_９、−ＯＣ_５Ｈ_１０、−ＯＣ_６Ｈ_１３および−ＯＣ_７Ｈ_１５である。アルコキシアルキルの具体的な例は、−ＣＨ_２ＯＣＨ_３、−ＣＨ_２ＯＣ_２Ｈ_５、−ＣＨ_２ＯＣ_３Ｈ_７、−（ＣＨ_２）_２ＯＣＨ_３、−（ＣＨ_２）_２ＯＣ_２Ｈ_５、−（ＣＨ_２）_２ＯＣ_３Ｈ_７、−（ＣＨ_２）_３ＯＣＨ_３、−（ＣＨ_２）_４ＯＣＨ_３および−（ＣＨ_２）_５ＯＣＨ_３である。

アルケニルの具体的な例は、−ＣＨ＝ＣＨ_２、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨ_２、−ＣＨ＝ＣＨＣ_２Ｈ_５、−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、−（ＣＨ_２）_２ＣＨ＝ＣＨ_２、−ＣＨ＝ＣＨＣ_３Ｈ_７、−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣ_２Ｈ_５、−（ＣＨ_２）_２ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３および−（ＣＨ_２）_３ＣＨ＝ＣＨ_２である。アルケニルオキシの具体的な例は、−ＯＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨ_２、−ＯＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３および−ＯＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣ_２Ｈ_５である。

少なくとも１つの水素がハロゲンで置き換えられたアルキルの具体的な例は、−（ＣＨ_２）_２Ｆ、−ＣＦ_２ＣＨ_２Ｆ、−ＣＦ_２ＣＨＦ_２、−ＣＨ_２ＣＦ_３、−ＣＦ_２ＣＦ_３、−（ＣＨ_２）_３Ｆ、−（ＣＦ_２）_２ＣＦ_３、−ＣＦ_２ＣＨＦＣＦ_３および−ＣＨＦＣＦ_２ＣＦ_３である。少なくとも１つの水素がハロゲンで置き換えられたアルコキシの具体的な例は、−Ｏ（ＣＨ_２）_２Ｆ、−ＯＣＦ_２ＣＨ_２Ｆ、−ＯＣＦ_２ＣＨＦ_２、−ＯＣＨ_２ＣＦ_３、−ＯＣＦ_２ＣＦ_３、−Ｏ（ＣＨ_２）_３Ｆ、−Ｏ（ＣＦ_２）_２ＣＦ_３、−ＯＣＦ_２ＣＨＦＣＦ_３および−ＯＣＨＦＣＦ_２ＣＦ_３である。少なくとも１つの水素がハロゲンで置き換えられたアルケニルの具体的な例は、−ＣＨ＝ＣＨＦ、−ＣＨ＝ＣＦ_２、−ＣＦ＝ＣＨＦ、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ_２Ｆ、−ＣＨ＝ＣＨＣＦ_３、および−（ＣＨ_２）_２ＣＨ＝ＣＦ_２である。

ＲａまたはＲｂの好ましい具体的な例は、−ＣＨ_３、−Ｃ_２Ｈ_５、−Ｃ_３Ｈ_７、−Ｃ_４Ｈ_９、−Ｃ_５Ｈ_１０、−ＯＣＨ_３、−ＯＣ_２Ｈ_５、−ＯＣ_３Ｈ_７、−ＯＣ_４Ｈ_９、−ＯＣ_５Ｈ_１０、−ＣＨ_２ＯＣＨ_３、−（ＣＨ_２）_２ＯＣＨ_３、−（ＣＨ_２）_３ＯＣＨ_３、−ＣＨ＝ＣＨ_２、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨ_２、−ＣＨ＝ＣＨＣ_２Ｈ_５、−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、−（ＣＨ_２）_２ＣＨ＝ＣＨ_２、−ＣＨ＝ＣＨＣ_３Ｈ_７、−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣ_２Ｈ_５、−（ＣＨ_２）_２ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、−（ＣＨ_２）_３ＣＨ＝ＣＨ_２、−ＯＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨ_２、−ＯＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、−ＯＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣ_２Ｈ_５、−ＣＦ_２ＣＦ_３、−ＣＦ_２ＣＨＦ_２、−ＣＦ_２ＣＨ_２Ｆ、−（ＣＦ_２）_２ＣＦ_３、−ＣＦ_２ＣＨＦＣＦ_３、−ＣＨＦＣＦ_２ＣＦ_３、−ＯＣＦ_２ＣＦ_３、−ＯＣＦ_２ＣＨＦ_２、−ＯＣＦ_２ＣＨ_２Ｆ、−ＯＣＦ_２ＣＦ_２ＣＦ_３、−ＯＣＦ_２ＣＨＦＣＦ_３、および−ＯＣＨＦＣＦ_２ＣＦ_３である。

ＲａまたはＲｂのより好ましい具体的な例は、−ＣＨ_３、−Ｃ_２Ｈ_５、−Ｃ_３Ｈ_７、−Ｃ_４Ｈ_９、−Ｃ_５Ｈ_１０、−ＯＣＨ_３、−ＯＣ_２Ｈ_５、−ＯＣ_３Ｈ_７、−ＯＣ_４Ｈ_９、−ＯＣ_５Ｈ_１０、−ＣＨ_２ＯＣＨ_３、−ＣＨ＝ＣＨ_２、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨ_２、−ＣＨ＝ＣＨＣ_２Ｈ_５、−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、−（ＣＨ_２）_２ＣＨ＝ＣＨ_２、−ＣＨ＝ＣＨＣ_３Ｈ_７、−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣ_２Ｈ_５、−（ＣＨ_２）_２ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、および−（ＣＨ_２）_３ＣＨ＝ＣＨ_２である。

Ｒａの更に好ましい具体的な例は、−ＣＨ_３、−Ｃ_２Ｈ_５、−Ｃ_３Ｈ_７、−Ｃ_４Ｈ_９、−Ｃ_５Ｈ_１０、−ＣＨ＝ＣＨ_２、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、−（ＣＨ_２）_２ＣＨ＝ＣＨ_２、および−（ＣＨ_２）_２ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３である。Ｒｂの更に好ましい具体的な例は、−ＯＣＨ_３、−ＯＣ_２Ｈ_５、および−ＯＣ_３Ｈ_７である。

式（１）および式（２）におけるＡ^１、Ａ^１１、Ａ^１２、Ａ^２、Ａ^２１およびＡ^２２は、独立して１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイルまたはナフタレン−２，６−ジイルである。これらの環において、１つまたは隣り合わない２つの−ＣＨ_２−は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−または−ＳｉＨ_２−で置き換えられてもよく、そして任意の水素はハロゲンで置き換えられてもよい。

１つまたは隣り合わない２つの−ＣＨ_２−が−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−または−ＳｉＨ_２−で置き換えられた環状基の例は、下記の式（１６−１）〜式（１６−３０）で示される基である。これらのうちの好ましい例は、式（１６−１）、式（１６−２）、式（１６−３）、式（１６−４）、式（１６−１３）および式（１６−２１）である。

任意の水素がハロゲンで置き換えられた環状基の例は、下記の式（１７−１）〜式（１７−１７）で表される環状基である。これらのうちの好ましい例は、式（１７−１）、式（１７−２）、式（１７−３）、式（１７−５）、式（１７−７）、式（１７−８）、式（１７−１０）、式（１７−１４）、式（１７−１６）および式（１７−１７）である。

Ａ^１、Ａ^１１、Ａ^１２、Ａ^２、Ａ^２１またはＡ^２２の好ましい例は、１，４−シクロヘキシレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、４，６−ジオキサン−２，５−ジイル、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、３−フルオロ１，４−フェニレン、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル、およびナフタレン−２，６−ジイルである。より好ましい例は、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、３−フルオロ−１，４−フェニレン、または２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレンである。更に好ましい例は、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、および３−フルオロ−１，４−フェニレンである。そして、Ａ^１またはＡ^２の特に好ましい例は１，４−シクロヘキシレンおよび１，４−フェニレンである。

式（１）および式（２）におけるＹ、Ｗ、Ｚ^１１、Ｚ^１２、Ｚ^２、Ｚ^２１およびＺ^２２は結合基である。Ｙは単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−ＣＨ_２ＣＯ−、−ＣＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＳｉＨ_２−、−ＳｉＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＣＨ＝ＣＨ−（ＣＨ_２）_２−、−（ＣＨ_２）_２−ＣＨ＝ＣＨ−、−（ＣＨ_２）_２ＣＦ_２Ｏ−、または−ＯＣＦ_２（ＣＨ_２）_２−である。Ｗは−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ_２ＣＯ−、−ＣＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＳｉＨ_２−、−ＳｉＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−（ＣＨ_２）_３−Ｏ−、−Ｏ−（ＣＨ_２）_３−、−ＣＨ＝ＣＨ−（ＣＨ_２）_２−、−（ＣＨ_２）_２−ＣＨ＝ＣＨ−、−（ＣＨ_２）_２ＣＦ_２Ｏ−、または−ＯＣＦ_２（ＣＨ_２）_２−である。そして、Ｚ^２、Ｚ^１１、Ｚ^１２、Ｚ^２１およびＺ^２２は、独立して単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−ＣＨ_２ＣＯ−、−ＣＯＣＨ_２−、−ＣＨ_２ＳｉＨ_２−、−ＳｉＨ_２ＣＨ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−（ＣＨ_２）_３−Ｏ−、−Ｏ−（ＣＨ_２）_３−、−ＣＨ＝ＣＨ−（ＣＨ_２）_２−、−（ＣＨ_２）_２−ＣＨ＝ＣＨ−、−（ＣＨ_２）_２ＣＦ_２Ｏ−、または−ＯＣＦ_２（ＣＨ_２）_２−である。

Ｙの好ましい例は単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＣＨ＝ＣＨ−（ＣＨ_２）−、−（ＣＨ_２）−ＣＨ＝ＣＨ−、−（ＣＨ_２）_２ＣＦ_２Ｏ−および−ＯＣＦ_２（ＣＨ_２）_２−である。より好ましい例は単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＣＨ＝ＣＨ−（ＣＨ_２）_２−、−（ＣＨ_２）_２−ＣＨ＝ＣＨ−、−（ＣＨ_２）_２ＣＦ_２Ｏ−および−ＯＣＦ_２（ＣＨ_２）_２−である。そして、Ｙの特に好ましい例は単結合および−（ＣＨ_２）_２−である。なお、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−（ＣＨ_２）_２−、および−（ＣＨ_２）_２−ＣＨ＝ＣＨ−のような結合基の二重結合に関する立体配置はシスよりもトランスが好ましい。

Ｗの好ましい例は−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−（ＣＨ_２）_３−Ｏ−、−Ｏ−（ＣＨ_２）_３−、−ＣＨ＝ＣＨ−（ＣＨ_２）_２−、−（ＣＨ_２）_２−ＣＨ＝ＣＨ−、−（ＣＨ_２）_２ＣＦ_２Ｏ−および−ＯＣＦ_２（ＣＨ_２）_２−である。より好ましい例は−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＣＨ＝ＣＨ−（ＣＨ_２）_２−、−（ＣＨ_２）_２−ＣＨ＝ＣＨ−、−（ＣＨ_２）_２ＣＦ_２Ｏ−および−ＯＣＦ_２（ＣＨ_２）_２−である。そして、Ｗの特に好ましい例は−（ＣＨ_２）_２−および−ＣＨ_２Ｏ−である。なお、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−（ＣＨ_２）_２−、および−（ＣＨ_２）_２−ＣＨ＝ＣＨ−のような結合基の二重結合に関する立体配置はシスよりもトランスが好ましい。

Ｚ^２、Ｚ^１１、Ｚ^１２、Ｚ^２１またはＺ^２２の好ましい例は、単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−（ＣＨ_２）_４−、−（ＣＨ_２）_３−Ｏ−、−Ｏ−（ＣＨ_２）_３−、−ＣＨ＝ＣＨ−（ＣＨ_２）_２−、−（ＣＨ_２）_２−ＣＨ＝ＣＨ−、−（ＣＨ_２）_２ＣＦ_２Ｏ−および−ＯＣＦ_２（ＣＨ_２）_２−である。より好ましい例は、単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−（ＣＨ_２）_２ＣＦ_２Ｏ−および−ＯＣＦ_２（ＣＨ_２）_２−である。そして、Ｚ^２、Ｚ^１１、Ｚ^１２、Ｚ^２１またはＺ^２２の特に好ましい例は、単結合、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−および−ＯＣＦ_２−である。なお、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−（ＣＨ_２）_２−、−（ＣＨ_２）_２−ＣＨ＝ＣＨ−のような結合基の二重結合に関する立体配置はシスよりもトランスが好ましい。

式（１）および式（２）において、ｊ、ｋ、ｍ、ｎ、ｐおよびｑは独立して０または１であり、そしてこれらの合計は１、２または３である。即ち、化合物（１）および化合物（２）は２〜４の環を有する化合物である。ｍが０であるとき、ｊおよびｋはどちらも０であり、式（1）におけるＲａは水素、アルコキシおよびアルコキシメチルのいずれでもなく、そして式（２）におけるＲａは１−アルケニルである。ｊ、ｋおよびｍの合計は１または２であることが好ましく、そしてｎ、ｐおよびｑの合計も１または２であることが好ましい。

前記のように、Ａ^１またはＡ^２の特に好ましい例は、１，４−フェニレンおよび１，４−シクロヘキシレンである。従って、特に好ましい式（１）および式（２）の例は、Ａ^１およびＡ^２が共に１，４−フェニレンである場合、Ａ^１が１，４−フェニレンであり、そしてＡ^２が１，４−シクロヘキシレンである場合、Ａ^１が１，４−シクロヘキシレンであり、そしてＡ^２が１，４−フェニレンである場合、およびＡ^１およびＡ^２が共に１，４−シクロヘキシレンである場合である。

前記のように、Ｙの特に好ましい例は単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＦ_２Ｏ−および−ＣＨ＝ＣＨ−である。Ｚ^２の特に好ましい例は単結合、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−および−ＯＣＦ_２−である。即ち、式（１）においてＹおよびＺ^２の少なくとも１つが単結合であることは、化合物（１）の好ましい例の１つである。

式（１）において、ｍが０であり、そしてｎ、ｐおよびｑの合計が１、２または３であるとき、Ｚ^２が−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−または−ＯＣＦ_２−であることが好ましい。

式（１）において、ｍおよびｋが１であり、そしてｊおよびｎが０であるとき、Ｒａがアルキルまたはアルケニルであり、Ｒｂがアルコキシであり、Ａ^１およびＡ^１１が独立して１，４−フェニレンまたは１，４−シクロヘキシレンであり、そしてＹおよびＺ^１１が共に単結合であることが好ましい。

式（１）において、ｍが１であり、そしてｊ、ｋ、ｎ、ｐおよびｑが０であるとき、Ｒａがアルキルまたはアルケニルであり、Ｒｂがアルコキシであり、Ａ^１が１，４−シクロヘキシレンであり、そしてＹが単結合または−（ＣＨ_２）_２−であることが好ましい。このとき、Ｙが−（ＣＨ_２）_２−であることが更に好ましい。

式（１）において、ｍおよびｋが１であり、そしてｊ、ｎ、ｐおよびｑが０であるとき、Ｒａはアルキルまたはアルケニルであり、Ｒｂはアルコキシであり、Ａ^１およびＡ^１１が共に１，４−シクロヘキシレンであり、Ｙが−（ＣＨ_２）_２−であり、そしてＺ^１１が単結合であることが好ましい。

式（１）において、ｍが０であり、ｎが１であり、そしてｐおよびｑが共に０であるとき、Ｒａがアルキルであり、Ｒｂがアルキルまたはアルケニルであり、Ａ^２が１，４−シクロヘキシレンであり、そしてＺ^２が−ＯＣＨ_２−であることが好ましい。

式（１）において、ｍおよびｑが０であり、そしてｎおよびｐが１であるとき、Ｒａがアルキルであり、Ｒｂがアルキルまたはアルケニルであり、Ａ^２およびＡ^２１が共に１，４−シクロヘキシレンであり、Ｚ^２が−ＯＣＨ_２−であり、そしてＺ^２１が単結合であることが好ましい。

式（１）において、ｍおよびｎが１であり、そしてｊ、ｋ、ｐおよびｑがいずれも０であるとき、ＲａおよびＲｂが独立してアルキルまたはアルケニルであり、Ａ^１およびＡ^２が共に１，４−フェニレンであり、そしてＹおよびＺ^２が共に単結合であることが好ましい。

式（１）において、ｍおよびｎが１であり、そしてｊ、ｋ、ｐおよびｑがいずれも０であるとき、ＲａおよびＲｂが独立してアルキルまたはアルケニルであり、Ａ^１が１，４−シクロヘキシレンであり、Ａ^２が１，４−フェニレンであり、そしてＹおよびＺ^２が共に単結合であることが好ましい。

式（１）において、ｍおよびｎが１であり、そしてｊ、ｋ、ｐおよびｑが０であるとき、ＲａおよびＲｂが独立してアルキルまたはアルケニルであり、Ａ^１が１，４−フェニレンであり、Ａ^２が１，４−シクロヘキシレンであり、かつＹおよびＺ^２が共に単結合であることが好ましい。

式（２）において、そしてｍが０であるとき、Ｚ^２が単結合であることが好ましい。

式（２）において、ｍが１であり、そしてｎ＋ｐ＋ｑの合計が１または２であるとき、Ｗは−（ＣＨ_２）_２−または−ＣＨ_２Ｏ−であり、そしてＺ^２が単結合であることが好ましい。Ｗが−ＣＨ_２Ｏ−であることが更に好ましい。

式（２）において、ｍが１であるとき、Ａ^１が１，４−シクロヘキシレンであることが好ましい。

式（２）において、ｍが１であり、そしてｊ、ｋ、ｎ、ｐおよびｑが０であるとき、Ｒａがアルキルまたはアルケニルであり、Ｒｂがアルコキシであり、Ａ^１が１，４−シクロヘキシレンであり、そしてＷは−（ＣＨ_２）_２−であることが好ましい。

式（２）において、ｍおよびｋが１であり、そしてｊ、ｎ、ｐおよびｑが０であるとき、Ａ^１およびＡ^１１が共に１，４−シクロヘキシレンであり、Ｗが−（ＣＨ_２）_２−であり、そしてＺ^１１が単結合であることが好ましい。

式（２）において、ｍ、ｊおよびｋがすべて１であり、そしてｎ、ｐおよびｑが０であるとき、Ａ^１、Ａ^１１およびＡ^１２がいずれも１，４−シクロヘキシレンであり、Ｙが−（ＣＨ_２）_２−であり、そしてＺ^１１およびＺ^１２のどちらも単結合であることが好ましい。

なお、化合物（１）および化合物（２）は^２Ｈ（重水素）、^１３Ｃなどの同位体を天然存在比の量より多く含んでもよい。このとき、化合物の物性に大きな差異はない。

式（１）の好ましい例は下記の式（１−１）〜式（１−９）であり、式（２）の好ましい例は式（２−１）〜式（２−９）である。

これらの式中の記号は、式（１）および式（２）におけるそれぞれの記号と同じ意味を有し、それらの好ましい例も同じである。

式（１−１）〜式（１−９）において、ＹおよびＺ^２の少なくとも１つが単結合であることが特に好ましい。式（２−１）〜式（２−９）においては、Ｚ^２が単結合であることが特に好ましい。

式（１−１）において、Ｒａが炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、Ｒｂが炭素数１〜１０のアルコキシであり、Ａ^１が１，４−シクロヘキシレンであり、そしてＹが単結合または−（ＣＨ_２）_２−であることが好ましい。

式（１−２）において、Ｒａが炭素数１〜１０のアルキルであり、Ｒｂが炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、Ａ^２が１，４−シクロヘキシレンであり、そしてＺ^２が−ＯＣＨ_２−であることが好ましい。

式（１−２）、式（１−４）、式（１−５）、式（１−７）、式（１−８）、および式（１−９）において、Ｚ^２が−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、または−ＯＣＦ_２−であることが好ましい。

式（１−３）において、Ｒａが炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、Ｒｂが炭素数１〜１０のアルコキシであり、Ａ^１およびＡ^１１が共に１，４−シクロヘキシレンであり、そしてＹおよびＺ^１１が共に単結合であることが好ましい。

式（１−３）において、Ｒａが炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、Ｒｂが炭素数１〜１０のアルコキシであり、Ａ^１およびＡ^１１が共に１，４−シクロヘキシレンであり、Ｙが−（ＣＨ_２）_２−であり、そしてＺ^１１が単結合であることが好ましい。

式（１−３）において、Ｒａが炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、Ｒｂが炭素数１〜１０のアルコキシであり、Ａ^１が１，４−フェニレンであり、Ａ^１１が１，４−シクロヘキシレンであり、そしてＹおよびＺ^１１が共に単結合であることが好ましい。

式（１−３）において、Ｒａが炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、Ｒｂが炭素数１〜１０のアルコキシであり、Ａ^１およびＡ^１１が共に１，４−フェニレンであり、そしてＹおよびＺ^１１が共に単結合であることが好ましい。

式（１−４）において、ＲａおよびＲｂが独立して炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、Ａ^１およびＡ^２が共に１，４−フェニレンであり、そしてＹおよびＺ^２が共に単結合であることが好ましい。

式（１−４）において、ＲａおよびＲｂが独立して炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、Ａ^１が１，４−シクロヘキシレンであり、Ａ^２が１，４−フェニレンであり、そしてＹおよびＺ^２が共に単結合であることが好ましい。

式（１−４）において、ＲａおよびＲｂが独立して炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、Ａ^１が１，４−フェニレンであり、Ａ^２が１，４−シクロヘキシレンであり、ＹおよびＺ^２が共に単結合であることが好ましい。

式（１−５）において、Ｒａが炭素数１〜１０のアルキルであり、Ｒｂが炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、Ａ^２およびＡ^２１が共に１，４−シクロヘキシレンであり、Ｚ^２が−ＯＣＨ_２−であり、そしてＺ^２１が単結合であることが好ましい。

式（２−１）、式（２−３）、式（２−５）、および式（２−５）〜式（２−７）において、Ａ^１が１，４−シクロヘキシレンであることが好ましい。

式（２−１）において、Ｒａが炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、Ｒｂが炭素数１〜１０のアルコキシであり、Ｗは−（ＣＨ_２）_２−または−ＣＨ_２Ｏ−であり、そしてＡ^１が１，４−シクロヘキシレンであることが好ましい。

式（２−３）においては、Ａ^１およびＡ^１１が１，４−シクロヘキシレンであり、そしてＺ^１１が単結合であることが好ましい。

式（２−３）において、Ｒａが炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、Ｒｂが炭素数１〜１０のアルコキシであり、Ｗは−（ＣＨ_２）_２−または−ＣＨ_２Ｏ−であり、Ａ^１およびＡ^１１が共に１，４−シクロヘキシレンであり、そしてＺ^１１が単結合であることが好ましい。

式（２−６）において、Ａ^１、Ａ^１１およびＡ^１２がすべて１，４−シクロヘキシレンであり、Ｗは−（ＣＨ_２）_２−または−ＣＨ_２Ｏ−であり、Ｚ^１１およびＺ^１２が共に単結合であることが好ましい。

次に本発明の液晶組成物について説明する。
本発明の液晶組成物は化合物（１）および化合物（２）の少なくとも１つを含有し、そして少なくとも１つの光学活性化合物を含有してもよい組成物である。本発明の組成物は、化合物（１）および化合物（２）以外の液晶性化合物を含有することができる。化合物（１）および化合物（２）以外の好ましい液晶性化合物は、次の式（３）〜式（１５）のそれぞれで表される化合物からなる群から選択される化合物である。

これらの式において、Ｒ^１は炭素数１〜１０のアルキルである。このアルキルにおいて、末端に位置しない任意の−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、任意の−（ＣＨ_２)_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられてもよく、そして任意の水素はフッ素で置き換えられてもよい。Ｘ^１はフッ素、塩素、−ＯＣＦ_３、−ＯＣＨＦ_２、−ＣＦ_３、−ＣＨＦ_２、−ＣＨ_２Ｆ、−ＯＣＦ_２ＣＨＦ_２または−ＯＣＦ_２ＣＨＦＣＦ_３である。Ｂ^１およびＤは独立して１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、または少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレンである。Ｅは１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、または少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレンである。Ｚ^４およびＺ^５は独立して−（ＣＨ_２）_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＣＯＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−または単結合である。そして、Ｌ^１およびＬ^２は独立して水素またはフッ素である。

これらの式において、Ｒ^２およびＲ^３は独立して炭素数１〜１０のアルキルである。このアルキルにおいて、任意の−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、任意の−（ＣＨ_２)_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられてもよく、そして任意の水素はフッ素で置き換えられてもよい。Ｘ^２は−ＣＮまたは−Ｃ≡Ｃ−ＣＮである。Ｇは１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイルまたはピリミジン−２，５−ジイルである。Ｊは１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、ピリミジン−２,５−ジイル、または少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレンである。Ｚ^６は−（ＣＨ_２)_２−、−ＣＯＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、または単結合である。Ｌ^３、Ｌ^４およびＬ^５は独立して水素またはフッ素である。そして、ｂ、ｃおよびｄは独立して０または１である。

これらの式において、Ｒ^４は炭素数１〜１０のアルキルであり、そしてＲ^５はフッ素または炭素数１〜１０のアルキルである。これらのアルキルにおいて、末端に位置しない任意の−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、任意の−（ＣＨ_２)_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられてもよく、そして任意の水素はフッ素で置き換えられてもよい。ＭおよびＰ^１は独立して１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレンまたはデカヒドロ−２，６−ナフチレンである。Ｚ^７およびＺ^８は独立して−（ＣＨ_２)_２−、−ＣＯＯ−または単結合である。そして、Ｌ^６およびＬ^７は独立して水素またはフッ素であり、Ｌ^６とＬ^７の少なくとも１つはフッ素である。

これらの式において、Ｒ^６およびＲ^７は独立して炭素数１〜１０のアルキルである。このアルキルにおいて、末端に位置しない任意の−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、任意の−（ＣＨ_２)_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられてもよく、そして任意の水素はフッ素で置き換えられてもよい。Ｑ、ＴおよびＵは独立して１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、ピリミジン−２、５−ジイル、または少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレンである。そしてＺ^９およびＺ^１０は独立して−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ_２Ｏ−または単結合である。

本発明における液晶組成物の最初の例は、化合物（１）および化合物（２）からなる群から選択される少なくとも1つの化合物と、化合物（３）、化合物（４）および化合物（５）からなる群から選択される少なくとも１つの化合物とを含有し、少なくとも１つの光学活性化合物を含有してもよい組成物である。

本発明における液晶組成物の２番目の例は、化合物（１）および化合物（２）からなる群から選択される少なくとも1つの化合物と、化合物（６−１）、化合物（６−２）および化合物（７）からなる群から選択される少なくとも１つの化合物とを含有し、少なくとも１つの光学活性化合物を含有してもよい組成物である。

本発明における液晶組成物の３番目の例は、化合物（１）および化合物（２）からなる群から選択される少なくとも1つの化合物と、式（８）〜式（１２）のそれぞれで表される化合物からなる群から選択される少なくとも１つの化合物とを含有し、少なくとも１つの光学活性化合物を含有してもよい組成物である。

本発明における液晶組成物の４番目の例は、化合物（１）および化合物（２）からなる群から選択される少なくとも1つの化合物と、化合物（１３）、化合物（１４）および化合物（１５）からなる群から選択される少なくとも１つの化合物とを含有し、少なくとも１つの光学活性化合物を含有してもよい組成物である。

本発明における液晶組成物の５番目の例は、最初の例で示した化合物の組み合わせに加えて、化合物（６−１）、化合物（６−２）および化合物（７）からなる群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する組成物である。即ち、化合物（１）および化合物（２）からなる群から選択される少なくとも１つの化合物、化合物（３）、化合物（４）および化合物（５）からなる群から選択される少なくとも１つの化合物、並びに化合物（６−１）、化合物（６−２）および化合物（７）からなる群から選択される少なくとも１つの化合物を含有し、少なくとも１つの光学活性化合物を含有してもよい組成物である。

本発明における液晶組成物の６番目の例は、最初の例で示した化合物の組み合わせに加えて、化合物（１３）、化合物（１４）および化合物（１５）からなる群から選択される少なくとも１つの化合物を更に含有する組成物である。即ち、化合物（１）および化合物（２）からなる群から選択される少なくとも１つの化合物、化合物（３）、化合物（４）および化合物（５）からなる群から選択される少なくとも１つの化合物、並びに化合物（１３）、化合物（１４）および化合物（１５）からなる群から選択される少なくとも１つの化合物を含有し、少なくとも１つの光学活性化合物を含有してもよい組成物である。

本発明における液晶組成物の７番目の例は、２番目の例で示した化合物の組み合わせに加えて、化合物（１３）、化合物（１４）および化合物（１５）からなる群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する組成物である。即ち、化合物（１）および化合物（２）からなる群から選択される少なくとも１つの化合物、化合物（６−１）、化合物（６−２）および化合物（７）からなる群から選択される少なくとも１つの化合物、並びに化合物（１３）、化合物（１４）および化合物（１５）からなる群から選択される少なくとも１つの化合物を含有し、少なくとも１つの光学活性化合物を含有してもよい組成物である。

なお、式（３）〜式（１５）において、複数の式に用いられた同一の記号は同一の意味を有してもよいし、異なる意味を有してもよい。同一の記号が異なる意味を有する場合の例は、式（３）のＲ^１がアルキルであり、そして式（４）のＲ^１がアルケニルである場合である。

次に、本発明の化合物についてさらに説明する。本発明の化合物は、２−ジフルオロメチル−３−フルオロ−１，４−フェニレンまたは２−トリフルオロメチル−３−フルオロ−１，４−フェニレンを有する２環、３環または４環の化合物である。本発明の化合物は、素子が通常使用される条件下において物理的および化学的に極めて安定であり、そして他の液晶性化合物との相溶性がよい。本発明の化合物を含有する組成物は素子が通常使用される条件下で安定である。この組成物を低い温度で保管しても、この化合物が結晶（またはスメクチック相）として析出することがない。本発明の化合物は、液晶材料として必要な一般的物性、適切な光学異方性、そして適切な誘電率異方性を有する。

末端基、環および結合基を適切に選択することによって、本発明の化合物の光学異方性、誘電率異方性などの物性を任意に調整することが可能である。末端基、環および結合基の種類が、本発明の化合物の物性に与える効果を以下に説明する。

本発明の化合物は負の誘電率異方性を有する。置換基および結合基が適正に選択されれば、本発明の化合物は負に大きな誘電率異方性を示す。負で大きな誘電率異方性を有する化合物は、ＩＰＳあるいはＶＡ用途の組成物のしきい値電圧を下げるために有用な成分である。

ＲａまたはＲｂが直鎖の基であるときは液晶相の温度範囲が広くそして粘度が小さい。ＲａまたはＲｂが分岐鎖の基であるときは他の液晶性化合物との相溶性がよい。ＲａまたはＲｂが光学活性基である化合物は、キラルドーパントとして有用である。この化合物を組成物に添加することによって、素子に発生するリバース・ツイスト・ドメイン（Reverse twisted domain）を防止することができる。ＲａまたはＲｂが光学活性基でない化合物は組成物の成分として有用である。ＲａまたはＲｂがアルケニルであるとき、好ましい立体配置は二重結合の位置に依存する。好ましい立体配置を有するアルケニル化合物は、高い上限温度または液晶相の広い温度範囲を有する。

Ａ^１、Ａ^１１、Ａ^１２、Ａ^２、Ａ^２１およびＡ^２２の少なくとも２つが１，４−シクロヘキシレンであるときは、上限温度が高く、光学異方性が小さく、そして粘度が小さい。少なくとも１つの環が１，４−フェニレンであるときは、光学異方性が比較的大きく、そして配向秩序パラメーター（orientational order parameter）が大きい。少なくとも２つの環が１，４−フェニレンであるときは、光学異方性が大きく、液晶相の温度範囲が広く、そして上限温度が高い。

Ｙ、Ｚ^１１、Ｚ^１２、Ｚ^２、Ｚ^２１およびＺ^２２の少なくとも1つが単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−または−ＣＦ＝ＣＦ−であるときは粘度が小さい。この結合基が単結合、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−（ＣＨ_２）_２−または−ＣＨ＝ＣＨ−であるときは粘度がより小さい。この結合基が−ＣＨ＝ＣＨ−であるときは液晶相の温度範囲が広く、そして弾性定数比Ｋ_３３／Ｋ_１１（Ｋ_３３：ベンド弾性定数、Ｋ_１１：スプレイ弾性定数）が大きい。

Ｗが−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−または−ＣＦ＝ＣＦ−であるときは粘度が小さい。この結合基が−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−または−ＣＨ＝ＣＨ−であるときは粘度がより小さい。結合基が−ＣＨ＝ＣＨ−であるときは液晶相の温度範囲が広く、そして弾性定数比Ｋ_３３／Ｋ_１１（Ｋ_３３：ベンド弾性定数、Ｋ_１１：スプレイ弾性定数）が大きい。この結合基が−ＣＨ_２Ｏ−であるときは誘電率異方性が負でさらに大きい。

Ａ^１およびＡ^２の少なくとも１つがフッ素で置換されていてもよい１，４−フェニレンであり、かつこの環と直結する結合基Ｚ^１およびＺ^２が単結合である化合物は、誘電率異方性が負でさらに大きく、また同時に光学異方性が大きい。

２環または３環である化合物（１−１）〜化合物（１−５）、および化合物（２−１）〜化合物（２−５）は粘度が小さい。３環または４環である化合物（１−３）〜化合物（１−９）、および化合物（１−３）〜化合物（１−９）は上限温度が高い。このように、末端基、環および結合基の種類、環の数を適当に選択することにより、目的の物性を有する化合物を得ることができる。従って、本発明の化合物、特に化合物（１−１）〜化合物（１−９）および化合物（２−１）〜化合物（２−９）は、ＩＰＳ、ＶＡなどの素子に用いられる組成物の成分として有用である。

化合物（１−１）、化合物（１−３）、化合物（１−４）、および化合物（１−６）〜化合物（１−８）においてＺ^１が−（ＣＨ_２）_２−または−ＣＨ＝ＣＨ−である化合物は、負に大きな誘電率異方性を示し、液晶相の温度範囲が広く、また粘度が小さい等、液晶材料として特に優れた物性バランスを示す。

本発明の化合物は有機合成化学における手法を適切に組み合わせることにより合成することができる。出発物に目的の末端基、環および結合基を導入する方法は、オーガニックシンセシス（Organic Syntheses, John Wiley & Sons, Inc）、オーガニック・リアクションズ（Organic Reactions, John Wiley & Sons, Inc)、コンプリヘンシブ・オーガニック・シンセシス（Comprehensive Organic Synthesis, Pergamon Press）、新実験化学講座（丸善）などに記載されている。

結合基を生成する方法の一例に関して、最初にスキームを示し、次に項（Ｉ）〜項（XI）でスキームを説明する。このスキームにおいて、ＭＳＧ^１またはＭＳＧ^２は少なくとも１つの環を有する１価の有機基である。スキームで用いた複数のＭＳＧ^１（またはＭＳＧ^２）は、同一であってもよいし、または異なってもよい。化合物（１Ａ）〜化合物（１Ｋ）は、化合物（１）、化合物（２）、化合物（１−１）〜化合物（１−９）、または化合物（２−１）〜化合物（２−９）に相当する。

（Ｉ）単結合の生成
アリールホウ酸（２１）と公知の方法で合成される化合物（２２）とを、炭酸塩水溶液とテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウムのような触媒の存在下で反応させて化合物（１Ａ）を合成する。この化合物（１Ａ）は、公知の方法で合成される化合物（２３）にｎ−ブチルリチウムを、次いで塩化亜鉛を反応させ、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウムのような触媒の存在下で化合物（２２）を反応させることによっても合成される。

（II）−ＣＯＯ−と−ＯＣＯ−の生成
化合物（２３）にｎ−ブチルリチウムを、続いて二酸化炭素を反応させてカルボン酸（２４）を得る。化合物（２４）と、公知の方法で合成されるフェノール（２５）とをＤＤＣ（１，３−ジシクロヘキシルカルボジイミド）とＤＭＡＰ（４−ジメチルアミノピリジン）の存在下で脱水させて−ＣＯＯ−を有する化合物（１Ｂ）を合成する。この方法によって−ＯＣＯ−を有する化合物も合成する。

（III）−ＣＦ_２Ｏ−と−ＯＣＦ_２−の生成
化合物（１Ｂ）をローソン試薬のような硫黄化剤で処理して化合物（２６）を得る。化合物（２６）をフッ化水素ピリジン錯体とＮＢＳ（Ｎ−ブロモスクシンイミド）でフッ素化し、−ＣＦ_２Ｏ−を有する化合物（１Ｃ）を合成する（M. Kuroboshi et al., Chem. Lett., 1992，827.を参照）。化合物（１Ｃ）は化合物（２６）を（ジエチルアミノ）サルファートリフルオリド（ＤＡＳＴ）でフッ素化しても合成される（W. H. Bunnelle et al., J. Org. Chem. 1990, 55, 768.を参照）。この方法によって−ＯＣＦ_２−を有する化合物も合成する。Peer. Kirsch et al., Anbew. Chem. Int. Ed. 2001, 40, 1480.に記載の方法によってこれらの結合基を生成させることも可能である。

（IV）−（ＣＨ_２）_２ＣＦ_２Ｏ−と−ＯＣＦ_２（ＣＨ_２）_２−の生成
化合物（１Ｂ）の代わりに米国特許第４８３４９０５号公報、米国特許第４６２７９３３号公報開示の方法で合成されるプロピオン酸エステル誘導体（２７）を用いて、項（III）の方法に従って化合物（１Ｄ）を合成する。この方法によって−ＯＣＦ_２−（ＣＨ_２）_２−を有する化合物も合成する。

（V）−ＣＨ＝ＣＨ−の生成
化合物（２３）をｎ−ブチルリチウムで処理した後、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）などのホルムアミドと反応させてアルデヒド（２９）を得る。公知の方法で合成されるホスホニウム塩（３０）をカリウムｔｅｒｔ−ブトキシドのような塩基で処理して発生させたリンイリドを、アルデヒド（２９）に反応させて化合物（１Ｅ）を合成する。反応条件によってはシス体が生成するので、必要に応じて公知の方法によりシス体をトランス体に異性化する。

（VI）−（ＣＨ_２）_２−ＣＨ＝ＣＨ−と−ＣＨ＝ＣＨ−（ＣＨ_２）_２−の生成
ホスホニウム塩（３０）の代わりにホスホニウム塩（３１）を用いて、項（V）の方法に従って化合物（１Ｆ）を合成する。反応条件によってはシス体が生成するので、必要に応じて公知の方法によりシス体をトランス体に異性化する。この方法によって−ＣＨ＝ＣＨ−（ＣＨ_２）_２−を有する化合物も合成する。

（VII）−（ＣＨ_２）_２−の生成
化合物（１Ｅ）をパラジウム／炭素のような触媒の存在下で水素化することにより、化合物（１Ｇ）を合成する。

（VIII）−（ＣＨ_２）_４−の生成
化合物（１Ｆ）パラジウム炭素のような触媒の存在下で接触水素化して化合物（１Ｈ）を合成する。

（IX）−ＣＦ＝ＣＦ−の生成
化合物（２３）をｎ−ブチルリチウムで処理したあと、テトラフルオロエチレンを反応させて化合物（３２）を得る。化合物（２２）をｎ−ブチルリチウムで処理したあと化合物（３２）と反応させて化合物（１I）を合成する。

（IX）−ＣＨ_２Ｏ−または−ＯＣＨ_２−の生成
化合物（２９）を水素化ホウ素ナトリウムなどの還元剤で還元して化合物（３３）を得る。これを臭化水素酸などでハロゲン化して化合物（３４）を得る。炭酸カリウムなどの存在下で、化合物（３４）を化合物（２５）と反応させて化合物（１Ｊ）を合成する。

（X）−（ＣＨ_２）_３Ｏ−または−Ｏ（ＣＨ_２）_３−の生成
化合物（３４）の代わりに化合物（３７）を用いて、項（IX）の方法に従って化合物（１Ｋ）を合成する。

次に、式（１）においてＸがジフルオロメチルである化合物を合成する方法の一例を下記のスキームに示す。

これらの式における記号は式（１）における記号と同じ意味を有する。このことは以下に示されるスキームにおいても同様である。

例えば、化合物（３９）は特開昭５８−１２６８２３号公報、特開昭５８−１２１２２５号公報、特開昭５９−０１６８４０号公報、または特開昭５９−０４２３２９号公報に開示の方法で合成される３−フルオロベンゼン誘導体（３８）にｓｅｃ−ブチルリチウム、次いでジメチルホルムアミドまたはホルミルピペリジンを反応させて合成する。これらの反応は、好ましくはジエチルエーテルまたはテトラヒドロフラン等のエーテル系炭化水素などの溶媒中、−１００℃から室温までの間の温度で行う。化合物（１）は化合物（３９）にＤＡＳＴ等のフッ素化剤を反応させることによって合成する。この反応はジクロロメタン等のハロゲン系炭化水素などの溶媒中、−１００℃から溶媒の沸点までの間の温度で行う。

次に、ｎ、ｐおよびｑがすべて０であり、Ｒｂがアルコキシである化合物（４５）に関する合成法の一例を示す。

これらの式において、Ｒは炭素数１〜１９のアルキルである。

化合物（４１）は、化合物（４０）に順次水素化ナトリウムおよびクロロメチルメチルエーテル（ＭＯＭＣｌ）を反応させて合成する。これらの反応は、好ましくはテトラヒドロフランなどの溶媒中、−２０℃から溶媒の沸点までの間の温度で行う。化合物（４２）は化合物（４１）にｓｅｃ−ブチルリチウム、次いでジメチルホルムアミドまたはホルミルピペリジンを反応させて合成する。これらの反応は、好ましくはジエチルエーテルまたはテトラヒドロフラン等のエーテル系炭化水素などの溶媒中、−１００℃から室温までの間の温度で行う。化合物（４３）は化合物（４２）にＤＡＳＴ等のフッ素化剤を反応させることによって合成する。この反応はジクロロメタン等のハロゲン系炭化水素などの溶媒中、−１００℃から溶媒の沸点までの間の温度で行う。化合物（４４）は化合物（４３）の脱保護にて合成する。この反応はエタノール等のアルコール中、２Ｍ塩酸等希塩酸を室温から溶媒の沸点までの間の温度で反応させることで行う。化合物（４５）は化合物（４４）のエーテル化反応で合成する。この反応は炭酸ナトリウム等の塩基の存在下、ジメチルホルムアミド等の溶媒中、化合物（４４）にアルキルヨージド等ハロゲン化アルキルを室温から溶媒の沸点までの間の温度で反応させることにより行う。

次に、ｎ、ｐおよびｑの合計が１以上であり、Ｚ^２が−ＯＣＯ−、−ＯＣＦ_２−、−ＯＣＦ_２（ＣＨ_２）_２−、−ＯＣＨ_２−、または−Ｏ（ＣＨ_２）_３−である化合物（４６）〜化合物（５０）に関する合成法の一例を示す。

化合物（４６）〜（５０）は、前記の結合基を生成する方法においてアルコール（フェノール）中間体の代わりに化合物（４４）を使用することによりそれぞれ合成される。

Ｙ、Ｚ^１１、Ｚ^１２、Ｚ^２、Ｚ^２１またはＺ^２２が単結合であり、直結する環Ａ^１、Ａ^１１、Ａ^１２、Ａ^２、Ａ^２１またはＡ^２２が１，４−フェニレンである化合物（６０）および（６３）は、上記の合成方法以外に以下の方法でも合成できる。

化合物（５２）は化合物（５１）にｎ−ブチルリチウムを用いてリチオ化後、ホウ酸トリメチル等のホウ酸エステルを反応させ、さらに塩酸、硫酸等で加水分解して合成する。これらの反応は、好ましくはジエチルエーテルまたはテトラヒドロフラン等のエーテル系炭化水素などの溶媒中、−１００℃から室温までの間の温度で行う。化合物（５３）は化合物（５２）を過酸化水素水または過酢酸等の過酸化物を作用、酸化することで合成する。これらの反応は、好ましくはジエチルエーテルまたはテトラヒドロフラン等のエーテル系炭化水素、あるいは蟻酸、酢酸等のカルボン酸中において、−２０℃から溶媒の沸点までの間の温度で行う。化合物（５７）は上記で説明した化合物（４０）から化合物（４４）を合成する反応ルートにおいて、化合物（４０）の代わりに化合物（５３）を使用し、同一の反応操作を適用することで合成する。化合物（５８）は化合物（５７）にピリジン、トリエチルアミン等の塩基の存在下、無水トリフルオロメタンスルホン酸（（Ｔｆ）_２Ｏ）を反応することにより合成する。これらの反応は、好ましくはジクロロメタン等のハロゲン系炭化水素などの溶媒中、−２０℃から室温までの間の温度で行う。化合物（６０）は化合物（５８）とホウ酸化合物（５９）と反応させることによって合成する。これらの反応は、好ましくはトルエン等の芳香族系炭化水素、ジオキサン、エチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル系炭化水素などの溶媒中、燐酸カリウム、炭酸カリウムなどの塩基の存在下、金属触媒を用いて室温から溶媒の沸点までの間の温度で行う。金属触媒としてはテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、パラジウムカーボンなどが用いられる。

化合物（６３）は上記で説明した化合物（５７）から化合物（６０）を合成する反応ルートにおいて、化合物（５７）および化合物（５９）の代わりに化合物（４４）および化合物（６２）を使用し、同一の反応操作を適用することにより合成する。

次に、式（２）においてＸがトリフルオロメチルである化合物を合成する方法の一例を下記のスキームに示す。

例えば、化合物（６４）は特開昭５８−１２６８２３号公報、特開昭５８−１２１２２５号公報、特開昭５９−０１６８４０号公報、または特開昭５９−０４２３２９号公報に開示の方法で合成される３−フルオロベンゼン誘導体（３８）にｓｅｃ−ブチルリチウム、次いでヨウ素を反応させて合成する。これらの反応は、好ましくはジエチルエーテルまたはテトラヒドロフラン等のエーテル系炭化水素などの溶媒中、−１００℃から室温までの間の温度で行う。化合物（１）はJ. Chem. Soc., Chem.Commun., 1989, 705に記載のQing-Yun Chen等の方法に従い、化合物（６４）にヨウ化第１銅存在下でフルオロスルホニルジフルオロ酢酸メチルを反応させることによって合成する。この反応はジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等の非プロトン性極性溶媒中、６０℃から溶媒の沸点までの間の温度で行う。

式（２）においてｎ、ｐおよびｑが０であり、Ｒｂがアルコキシであり、Ｗが−ＣＨ＝ＣＨ−である化合物（６９）およびＷが−（ＣＨ_２）_２−である化合物（７０）の合成法の一例を下記のスキームに示す。化合物（６９）および化合物（７０）は式（２−１）、式（２−３）および式（２−６）に該当する。

これらの式におけるＲは炭素数１〜１９のアルキルである。

例えば、化合物（６６）は、Synlett 1999, No.4, 389-396に記載の化合物（６５）にｓｅｃ−ブチルリチウム、次いでＮ−ホルミルピペリジンを反応させて合成する。これらの反応は、好ましくはジエチルエーテルまたはテトラヒドロフラン等のエーテル系炭化水素などの溶媒中、−１００℃から室温までの間の温度で行う。化合物（６８）は化合物（６６）へＧｒｉｇｎａｒｄ試薬（６７）を作用させたのち、得られるアルコール体をｐ−トルエンスルホン酸等の酸触媒存在下に脱水反応を行うことで合成する。さらに化合物（６９）はＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド中フッ化セシウムあるいはテトラブチルアンモニウムフルオリドのＴＨＦ溶液を（６８）に作用することで合成する。化合物（７０）は、化合物（６９）にＰｄ／Ｃなどの触媒存在下、水素を付加させることによって合成することができる。

式（２）において、ｎ、ｐおよびｑが０であり、Ｒｂがアルコキシであり、Ｗが−ＣＨ_２Ｏ−である化合物（７６）の合成法の一例を下記のスキームに示す。化合物（７６）は式（２−１）、式（２−３）および式（２−６）に該当する。

これらの式におけるＲは炭素数１〜１９のアルキルである。

例えば、化合物（７１）は、Ｓｙｎｌｅｔｔ １９９９，Ｎｏ．４，３８９−３９６に記載の化合物（６５）にｓｅｃ−ブチルリチウム、次いで臭素を反応させて合成する。これらの反応は、好ましくはジエチルエーテルまたはテトラヒドロフラン等のエーテル系炭化水素などの溶媒中、−１００℃から室温までの間の温度で行う。さらに化合物（７２）はＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド中フッ化セシウムあるいはテトラブチルアンモニウムフルオリドのＴＨＦ溶液を化合物（７１）に作用することで合成する。化合物（７２）にｎ−ブチルリチウム、次いでホウ酸ジメチルなどのホウ酸エステルを反応させて化合物（７３）を合成する。化合物（７４）は化合物（７３）へ過酸化水素を作用させ合成する。化合物（７６）は、化合物（７４）へ塩基性条件下、化合物（７５）などのハロゲン化物を作用させることにより合成することができる。

次に式（２）において、ｎ、ｐおよびｑが０であり、Ｒｂがアルコキシであり、Ｗが−ＣＯＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−（ＣＨ_２）_２ＣＦ_２Ｏ−または−（ＣＨ_２）_３Ｏ−である化合物（７７）〜（８０）に関する合成法の一例を示す。化合物（７７）〜化合物（８０）は式（２−１）、式（２−３）および式（２−６）に該当する。

これらの式におけるＲは炭素数１〜１９のアルキルである。

化合物（７７）〜（８０）は、前記の結合基を生成する方法においてアルコール（フェノール）中間体の代わりに化合物（７４）を使用することによりそれぞれ合成される。

次に、本発明の組成物をさらに詳しく説明する。この組成物の成分は化合物（１）および化合物（２）、好ましくは化合物（１−１）〜化合物（１−９）および化合物（２−１）〜化合物（２−９）から選ばれた複数の化合物のみであってもよい。好ましい組成物は化合物（１−１）〜化合物（１−９）および化合物（２−１）〜化合物（２−９）から選択された少なくとも１つの化合物を１〜９９％の割合で含有する。この組成物は化合物（３）〜化合物（１５）からなる群から選択される成分をも含有する。組成物を調製するときには、化合物（１）および化合物（２）の誘電率異方性の大きさを考慮して成分を選択する。

誘電率異方性が負で中程度の大きさの値を示す化合物（１）および化合物（２）から選択される化合物を含有する好ましい組成物は次のとおりである。この好ましい組成物は化合物（３）、化合物（４）および化合物（５）からなる群から選択される少なくとも１つの化合物を含有する。別の好ましい組成物は、化合物（６−１）、化合物（６−２）および化合物（７）からなる群から選択される少なくとも１つの化合物を含有する。別の好ましい組成物は、これらの２群のそれぞれから選択される少なくとも２つの化合物を含有する。これらの組成物は、液晶相の温度範囲、粘度、光学異方性、誘電率異方性、しきい値電圧などを調整する目的で、化合物（１３）、化合物（１４）および化合物（１５）からなる群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有してもよい。これらの組成物は、物性をさらに調整する目的で、化合物（８）〜化合物（１２）からなる群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有してもよい。これらの組成物は、ＡＭ−ＴＮ素子、ＳＴＮ素子などに適合させる目的で、その他の液晶性化合物、添加物などの化合物をさらに含有してもよい。

別の好ましい組成物は化合物（１３）、化合物（１４）および化合物（１５）からなる群から選択される少なくとも１つの化合物を含有する。この組成物は、物性をさらに調整する目的で、化合物（８）〜化合物（１２）からなる群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有してもよい。この組成物は、ＡＭ−ＴＮ素子、ＳＴＮ素子などに適合させる目的で、その他の液晶性化合物、添加物などの化合物をさらに含有してもよい。

誘電率異方性が負で大きい値を示す化合物（１）および化合物（２）から選択される化合物を含有する好ましい組成物は次のとおりである。好ましい組成物は化合物（８）〜化合物（１３）からなる群から選択される少なくとも１つの化合物を含有する。この組成物は、化合物（１３）、化合物（１４）および化合物（１５）からなる群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有してもよい。この組成物は、物性をさらに調整する目的で、化合物（３）〜化合物（７）からなる群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有してもよい。この組成物は、ＶＡ素子などに適合させる目的で、その他の液晶性化合物、添加物などの化合物をさらに含有してもよい。

別の好ましい組成物は、化合物（１３）、化合物（１４）および化合物（１５）からなる群から選択される少なくとも１つの化合物を含有する。この組成物は、化合物（８）〜化合物（１２）からなる群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有してもよい。この組成物は、化合物（３）〜化合物（７）からなる群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有してもよい。この組成物はその他の液晶性化合物、添加物などの化合物をさらに含有してもよい。

誘電率異方性が負で数値が小さい化合物（１）および化合物（２）から選択される化合物を含有する好ましい組成物は次のとおりである。好ましい組成物は化合物（３）、化合物（４）および化合物（５）からなる群から選択される少なくとも１つの化合物を含有する。別の好ましい組成物は、化合物（６−１）、化合物（６−２）および化合物（７）からなる群から選択される少なくとも１つの化合物を含有する。別の好ましい組成物は、このような２つのからなる群のそれぞれから選択された少なくとも２つの化合物を含有する。これらの組成物は、液晶相の温度範囲、粘度、光学異方性、誘電率異方性、しきい値電圧などを調整する目的で、化合物（１３）、化合物（１４）および化合物（１５）からなる群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有してもよい。この組成物は、物性をさらに調整する目的で、化合物（８）〜化合物（１２）からなる群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有してもよい。この組成物は、ＡＭ−ＴＮ素子、ＳＴＮ素子などに適合させる目的で、その他の液晶性化合物、添加物などの化合物をさらに含有してもよい。

別の好ましい組成物は、化合物（８）〜化合物（１２）からなる群から選択される少なくとも１つの化合物を含有する。この組成物は、化合物（１３）、化合物（１４）および化合物（１５）からなる群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有してもよい。この組成物は、物性をさらに調整する目的で、化合物（３）〜化合物（７）からなる群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有してもよい。この組成物は、ＶＡ素子などに適合させる目的で、その他の液晶性化合物、添加物などの化合物をさらに含有してもよい。

化合物（３）、化合物（４）および化合物（５）は、誘電率異方性が正で大きいので、ＡＭ−ＴＮ素子用の組成物に主として用いられる。この組成物において、これらの化合物の量は１〜９９％である。好ましい量は１０〜９７％である。より好ましい量は４０〜９５％である。この組成物に化合物（１３）、化合物（１４）または化合物（１５）をさらに添加する場合、この化合物の好ましい量は６０％以下である。より好ましい量は４０％以下である。

化合物（６−１）、化合物（６−２）および化合物（７）は、誘電率異方性が正で非常に大きいので、ＳＴＮ素子用の組成物に主として用いられる。この組成物において、これらの化合物の量は１〜９９％である。好ましい量は１０〜９７％である。より好ましい量は４０〜９５％である。この組成物に化合物（１３）、化合物（１４）または化合物（１５）をさらに添加する場合、この化合物の好ましい量は６０％以下である。より好ましい量は４０％以下である。

化合物（８）〜化合物（１２）は、誘電率異方性が負であるので、ＶＡ素子用の組成物に主として用いられる。これらの化合物の好ましい量は８０％以下である。より好ましい量は４０〜８０％である。この組成物に化合物（１３）、化合物（１４）または化合物（１５）をさらに添加する場合、この化合物の好ましい量は６０％以下である。より好ましい量は４０％以下である。

化合物（１３）、化合物（１４）および化合物（１５）の誘電率異方性は小さい。化合物（１３）は粘度または光学異方性を調整する目的で主に使用される。化合物（１４）および化合物（１５）は上限温度を上げて液晶相の温度範囲を広げる、または光学異方性を調整する目的で使用される。化合物（１３）、化合物（１４）および化合物（１５）の量を増加させると組成物のしきい値電圧が高くなり、粘度が小さくなる。したがって、組成物のしきい値電圧の要求値を満たすかぎり多量に使用してもよい。

化合物（３）〜化合物（１５）の好ましい例は、化合物（３−１）〜化合物（３−９）、化合物（４−１）〜化合物（４−９７）、化合物（５−１）〜化合物（５−３３）、化合物（６−１）〜化合物（６−５６）、化合物（７−１）〜化合物（７−３）、化合物（８−１）〜化合物（８−４）、化合物（９−１）〜化合物（９−６）、化合物（１０−１）〜化合物（１０−４）、化合物（１１−１）、化合物（１２−１）、化合物（１３−１）〜化合物（１３−１４）、化合物（１４−１）〜化合物（１４−３１）、および化合物（１５−１）〜化合物（１５−６）である。これらの化合物における記号は、化合物（３）〜化合物（１５）におけるそれぞれの記号と同一の意味を有する。

本発明の組成物は公知の方法によって調製される。例えば、成分である化合物を混合し、加熱によって互いに溶解させる。組成物に適当な添加物を加えて組成物の物性を調整してもよい。このような添加物は当業者によく知られている。メロシアニン、スチリル、アゾ、アゾメチン、アゾキシ、キノフタロン、アントラキノン、テトラジンなどの化合物である二色性色素を添加してＧＨ素子用の組成物を調製してもよい。一方、液晶のらせん構造を誘起して必要なねじれ角を与える目的でキラルドーパントが添加される。キラルドーパントの例は下記の光学活性化合物（Ｏｐ−１）〜（Ｏｐ−１３）である。

キラルドーパントを組成物に添加してねじれのピッチを調整するとき、ＴＮ素子およびＴＮ−ＴＦＴ素子用の好ましいピッチは４０〜２００μｍの範囲である：ＳＴＮ素子用の好ましいピッチは６〜２０μｍの範囲である：ＢＴＮ素子用の好ましいピッチは１．５〜４μｍの範囲である：ＰＣ素子用の組成物にはキラルドーパントを比較的多量に添加する。ピッチの温度依存性を調整する目的で少なくとも２つのキラルドーパントを添加してもよい。

本発明の組成物は、ＰＣ、ＴＮ、ＳＴＮ、ＢＴＮ，ＥＣＢ、ＯＣＢ、ＩＰＳ、ＶＡなどの素子に使用できる。これらの素子は駆動方式がＰＭであってもよいし、またはＡＭであってもよい。この組成物をマイクロカプセル化して作製したＮＣＡＰ（nematic curvilinear aligned phase）素子や、組成物中に三次元の網目状高分子を形成させたＰＤ（polymer dispersed）素子、例えばＰＮ（polymer network）素子にも使用できる。

次に、実施例により本発明をさらに詳しく説明する。本発明はこれらの実施例によって制限されない。Ｎｏ．１などの化合物番号は、実施例１０において表で示した化合物のそれと対応する。得られる化合物は核磁気共鳴分析スペクトル、質量スペクトルなどで同定する。核磁気共鳴分析スペクトルにおいて、ｓはシングレット、ｄはダブレット、ｔはトリプレット、ｑはカルテット、ｍはマルチプレットである。化合物の量（百分率）は組成物の全重量に基づいた重量％である。物性値の測定は、日本電子機械工業規格（Standard of Electronic Industries Association of Japan）、ＥＩＡＪ・ＥＤ−２５２１Ａに記載された方法、またはこれを修飾した方法に従う。

成分または液晶性化合物の割合（百分率）は、液晶性化合物の全重量に基づいた重量百分率（重量％）である。組成物は、液晶性化合物などの成分の重量を測定してから混合することによって調製される。したがって、成分の重量％を算出するのは容易である。しかし、組成物をガスクロマト分析することによって成分の割合を正確に算出するのは容易でない。補正係数が液晶性化合物の種類に依存するからである。幸いなことに補正係数はほぼ１である。さらに、成分化合物における１重量％の差異が組成物の特性に与える影響は小さい。したがって、本発明においてはガスクロマトグラフにおける成分ピークの面積比を成分化合物の重量％と見なすことができる。つまり、ガスクロマト分析の結果（ピークの面積比）は、補正することなしに液晶性化合物の重量％と等価であると考えてよいのである。

特性値の測定において、化合物単体をそのまま試料として用いる場合、化合物を母液晶に混合し試料として用いる場合、そして組成物をそのまま試料として用いる場合の３通りの方法がある。化合物を母液晶に混合する場合は、次の方法をとる。１５重量％の化合物および８５重量％の母液晶を混合することによって試料を調製した。測定によって得られた値から外挿法よって化合物の特性値を算出した。外挿値＝（試料の測定値−０．８５×母液晶の測定値）／０．１５。この割合でスメクチック相（または結晶）が２５℃で析出するときは、化合物と母液晶の割合を１０重量％：９０重量％、５重量％：９５重量％、１重量％：９９重量％の順に変更した。

測定で得られた値のうち、化合物単体をそのまま試料として用い得られた値と、組成物をそのまま試料として用いて得られた値は、そのままの値を実験データとして記載する。化合物を母液晶に混合し試料として用い得られた値は、そのままの値を実験データとして記載する場合もあるし、外挿法で得られた値を記載する場合もある。

化合物を母液晶に混合し試料として用いる場合、その母液晶は複数存在する。母液晶の一例は母液晶Ａである。母液晶Ａの組成は、次のとおりである。

母液晶Ａ：

［液晶相の転移温度（℃）］
次のいずれかの方法で測定した。
１）偏光顕微鏡を備えた融点測定装置のホットプレート（メトラー社ＦＰ−５２型ホットステージ）に試料を置き、１℃／分の速度で加熱した。試料が相変化したときの温度を測定した。
２）パーキンエルマー社製の走査熱量計ＤＳＣ−７システムを用いて、３℃／分速度で測定した。

［液晶相の同定および相系列の表記］
結晶はＣと表した。結晶の区別がつく場合は、それぞれＣ_１またはＣ_２と表した。スメクチック相はＳと表した。液体（アイソトロピック）はＩｓｏと表した。ネマチック相はＮと表した。スメクチック相の中で、スメクチックＢ相、スメクチックＣ相またはスメクチックＡ相の区別がつく場合は、それぞれＳ_Ｂ、Ｓ_ＣまたはＳ_Ａと表した。転移温度の表記として、「Ｃ ９２．９ Ｎ １９６．９ Ｉｓｏ」とは、結晶からネマチック相への転移温度（ＣＮ）が９２．９℃であり、ネマチック相から液体への転移温度（ＮＩ）が１９６．９℃であることを示す。他の表記も同様である。

［ネマチック相の上限温度（ＮＩ；℃）］
偏光顕微鏡を備えた融点測定装置のホットプレートに試料を置き、１℃／分の速度で加熱する。試料の一部がネマチック相から等方性液体に変化したときの温度を測定する。ネマチック相の上限温度を「上限温度」と略すことがある。

［ネマチック相の下限温度（Ｔ_Ｃ；℃）］
ネマチック相を有する試料を０℃、−１０℃、−２０℃、−３０℃、および−４０℃のフリーザー中に１０日間保管したあと、液晶相を観察する。例えば、試料が−２０℃ではネマチック相のままであり、−３０℃では結晶（またはスメクチック相）に変化したとき、Ｔ_Ｃを＜−２０℃と記載する。ネマチック相の下限温度を「下限温度」と略すことがある。

［化合物の相溶性］
類似の構造を有する幾つかの化合物を混合してネマチック相を有する母液晶を調製する。測定する化合物とこの母液晶とを混合した組成物を得る。混合する割合の一例は、１５％の化合物と８５％の母液晶である。この組成物を−２０℃、−３０℃のような低い温度で３０日間保管する。この組成物の一部が結晶（またはスメクチック相）に変化したか否かを観察する。必要に応じて混合する割合と保管温度とを変更する。このようにして測定した結果から、結晶（またはスメクチック相）が析出する条件および結晶（またはスメクチック相）が析出しない条件を求める。これらの条件が相溶性の尺度である。

［粘度（η；２０℃で測定；ｍＰａ・ｓ）］
粘度の測定にはＥ型粘度計を用いる。

［光学異方性（屈折率異方性；Δｎ；２５℃で測定）］
測定は、波長５８９ｎｍの光を用い、接眼鏡に偏光板を取り付けたアッベ屈折計により行なった。主プリズムの表面を一方向にラビングしたあと、試料を主プリズムに滴下した。屈折率ｎ‖は偏光の方向がラビングの方向と平行であるときに測定した。屈折率ｎ⊥は偏光の方向がラビングの方向と垂直であるときに測定した。光学異方性の値は、Δｎ＝ｎ‖−ｎ⊥、の式から計算した。

［誘電率異方性（Δε；２５℃で測定）］
１）誘電率異方性が正である試料：２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が９μｍであり、そしてツイスト角が８０度であるＴＮ素子に試料を入れた。この素子にサイン波（１０Ｖ、１ｋＨｚ）を印加し、２秒後に液晶分子の長軸方向における誘電率（ε‖）を測定した。この素子にサイン波（０．５Ｖ、１ｋＨｚ）を印加し、２秒後に液晶分子の短軸方向における誘電率（ε⊥）を測定した。誘電率異方性の値は、Δε＝ε‖−ε⊥、の式から計算した。

２）誘電率異方性が負である試料：２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が２０μｍであるＶＡ素子に試料を入れた。この素子にサイン波（０．５Ｖ、１ｋＨｚ）を印加し、２秒後に液晶分子の長軸方向における誘電率（ε‖）を測定した。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が９μｍであり、ツイスト角が８０度であるＴＮ素子に試料を入れた。この素子にサイン波（０．５Ｖ、１ｋＨｚ）を印加し、２秒後に液晶分子の短軸方向における誘電率（ε⊥）を測定した。誘電率異方性の値は、Δε＝ε‖−ε⊥、の式から計算した。

［しきい値電圧（Ｖｔｈ；２５℃で測定；Ｖ）］
（１）誘電率異方性が正である組成物
２枚のガラス基板の間隔（ギャップ）が（０．５／Δｎ）μｍであり、ツイスト角が８０度である、ノーマリーホワイトモード（normally white mode）の液晶表示素子に試料を入れる。Δｎは上記の方法で測定した光学異方性の値である。この素子に周波数が３２Ｈｚである矩形波を印加する。矩形波の電圧を上昇させ、素子を通過する光の透過率が９０％になったときの電圧の値を測定する。
（２）誘電率異方性が負である組成物
２枚のガラス基板の間隔（ギャップ）が約９μｍであり、ホメオトロピック配向に処理したノーマリーブラックモード（normally black mode）の液晶表示素子に試料を入れる。この素子に周波数が３２Ｈｚである矩形波を印加する。矩形波の電圧を上昇させ、素子を通過する光の透過率１０％になったときの電圧の値を測定する。

［プロトン核磁気共鳴分析法（^１Ｈ−ＮＭＲ）］
測定は、ＤＲＸ−５００（ブルカーバイオスピン（株）製）を用いた。ＣＤＣｌ_３など重水素化されたサンプルが可溶な溶媒に溶解させた溶液を、室温にて核磁気共鳴装置を用いて測定した。なお、δ値のゼロ点の基準物０質にはテトラメチルシラン（ＴＭＳ）を用いた。

［ガスクロマトグラム（ＧＣ）分析］
測定には島津製作所製のＧＣ−１４Ｂ型ガスクロマトグラフを用いた。キャリアーガスはヘリウム（２ｍｌ／分）である。試料気化室を２８０℃に、検出器（ＦＩＤ）を３００℃に設定した。成分化合物の分離には、Agilent Technologies Inc.製のキャピラリカラムＤＢ−１（長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ；固定液相はジメチルポリシロキサン；無極性）を用いた。このカラムは、２００℃で２分間保持したあと、５℃／分の割合で２８０℃まで昇温した。試料はアセトン溶液（０．１重量％）に調製したあと、その１μｌを試料気化室に注入した。記録計は島津製作所製のＣ−Ｒ５Ａ型Chromatopac、またはその同等品である。得られたガスクロマトグラムは、成分化合物に対応するピークの保持時間およびピークの面積を示した。

試料を希釈するための溶媒は、クロロホルム、ヘキサンなどを用いてもよい。成分化合物を分離するために、次のキャピラリカラムを用いてもよい。Agilent Technologies Inc.製のＨＰ−１（長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）、Restek Corporation製のＲｔｘ−１（長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）、SGE International Pty. Ltd製のＢＰ−１（長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）。化合物ピークの重なりを防ぐ目的で島津製作所製のキャピラリーカラムＣＢＰ１−Ｍ５０−０２５（長さ５０ｍ、内径０．２５ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）を用いてもよい。ガスクロマトグラムにおけるピークの面積比は成分化合物の割合に相当する。成分化合物の重量％は各ピークの面積比と完全には同一ではない。しかし、本発明においては、これらのキャピラリカラムを用いるときは、成分化合物の重量％は各ピークの面積比と同一であると見なしてよい。成分化合物における補正係数に大きな差異がないからである。

４−（４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル−２−フルオロ−３−ジフルオロメチル−エトキシベンゼン（化合物Ｎｏ．１−３−１）の合成

第１工程
乾燥させた削り状マグネシウムに２−フルオロ−４−エトキシブロモベンゼンのＴＨＦ溶液を４０〜６０℃にて滴下する。この溶液に４−（プロピルシクロヘキシル）シクロヘキサノンのＴＨＦ溶液を４０〜６０℃にて滴下し、さらに２時間攪拌する。反応混合物を飽和塩化アンモニウム水に注ぎ、トルエンで抽出する。有機層を水、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下に濃縮する。得られる粗製の１−ヒドロキシ−４−（４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル−２−フルオロエトキシベンゼンを精製することなく第２工程に用いる。

第２工程
第１工程で得られる粗製の１−ヒドロキシ−４−（４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル−２−フルオロエトキシベンゼンをトルエンに溶解する。ｐ−トルエンスルホン酸一水和物を加え、ディーンスターク装置を用いて脱水しながら２時間加熱還流する。反応混合物を飽和重曹水に注ぎ、トルエンで抽出する。有機層を水、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下に濃縮する。残さをシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、４−（４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキセニル−２−フルオロエトキシベンゼンを得る。

第３工程
第２工程で得られる４−（４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキセニル−２−フルオロエトキシベンゼンをトルエン−ソルミックス混合溶媒に溶解する。この溶液に窒素雰囲気下にてラネーニッケル触媒を加え、常温常圧にて２日間水素添加反応を行う。反応終了後、触媒を濾過により除去する。濾液を減圧下に濃縮し、残さをシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、４−（４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル−２−フルオロエトキシベンゼンを得る。このものをさらに再結晶繰り返すことにより精製し、純粋な４−（４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル−２−フルオロエトキシベンゼンを得る。

第４工程
第３工程で得られる４−（４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル−２−フルオロエトキシベンゼンをテロラヒドロフランに溶解し窒素雰囲気下にてアセトン−ドライアイス冷媒下で−７０℃まで冷却する。この溶液に窒素雰囲気下にてｓｅｃ−ブチルリチウム（シクロヘキサン、ｎ−ヘキサン溶液）を滴下し、滴下後−６５℃以下にて２時間攪拌する。次いでジメチルホルムアミドを−６５℃にて滴下し、滴下後２時間攪拌する。反応混合物を飽和塩化アンモニウム水に注ぎ、ヘキサンで抽出する。有機層を水、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下に濃縮し、残さをシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、４−（４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル−２−フルオロ−３−ホルミルエトキシベンゼンを得る。

第５工程
第４工程で得られる４−（４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル−２−フルオロ−３−ホルミルエトキシベンゼンをジクロロメタンに溶解し窒素雰囲気下にて０℃まで冷却後、ジエチルアミノサルファートリフオリド（ＤＡＳＴ）を添加し、さらに室温で２０時間攪拌する。この溶液を炭酸水素ナトリウム水溶液に注ぎ、ヘプタンで抽出する。有機層を水、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下に濃縮し、残さをシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、４−（４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル−２−フルオロ−３−ジフルオロメチル−エトキシベンゼンを得る。このものをさらに再結晶繰り返すことにより精製し、純粋な４−（４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル−２−フルオロ−３−ジフルオロメチル−エトキシベンゼンを得る。

４−（４−プロピルシクロヘキシル）フェニル−２−フルオロ−３−ジフルオロメチル−エトキシベンゼン（化合物Ｎｏ．１−３−５）の合成

第１工程
乾燥させた削り状マグネシウム３．０３ｇ（１２４．８ｍｍｏｌ）に攪拌しながら３−フルオロ−４−エトキシブロモベンゼン２２．８ｇ（１０４ｍｍｏｌ）のＴＨＦ溶液１００ｍｌを４０〜６０℃にて滴下し、滴下後１時間加熱還流した。この溶液を冷媒にて−７０℃まで冷却し、攪拌しながらホウ酸トリメチル１６ｍｌ（１３５．２ｍｍｏｌ）のＴＨＦ溶液（ＴＨＦ７０ｍｌ）を滴下した。−７０℃で３時間攪拌した後、さらに室温にて２０時間攪拌後、反応液を５℃まで冷却し、６Ｍ塩酸５０ｍｌを添加した。有機層を分離後、水層を酢酸エチル１００ｍｌで抽出し、前記有機層を混合後、水、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下で濃縮し、粗製の３−フルオロ−４−エトキシフェニルボロン酸を２２．３ｇ得た。得られたホウ酸誘導体は精製することなく第２工程に用いた。

第２工程
第１工程で得られた粗製の３−フルオロ−４−エトキシフェニルボロン酸２２．３ｇをテトラヒドロフラン２００ｍｌに溶解し、温浴で３５℃付近に保ちながら３０％過酸化水素水２３．６ｇ（２０８ｍｍｏｌ）を添加した。添加後反応液を室温にて２４時間攪拌した後、反応液を水３００ｍｌに投入し、次いで亜硫酸水素ナトリウムを添加し、室温で１時間攪拌した。反応液は酢酸エチル３００ｍｌで抽出し、抽出層を水、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下に濃縮した。濃縮残さは酢酸エチル／ヘプタンの混合溶媒を溶離液としたシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、３−フルオロ−４−エトキシフェノール１７．６ｇ（１１３ｍｍｏｌ）を得た。

第３工程
窒素雰囲気下、水素化ナトリウム５．２ｇ（１３０．８ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（１７０ｍｌ）懸濁液に第２工程で得た３−フルオロ−４−エトキシフェノール１７．１ｇ（１０９ｍｍｏｌ）を５〜１０℃の間で滴下し、同温度で３０分間攪拌した。次いでクロロメチルメチルエーテル９．９ｍｌ（１３０．８ｍｍｏｌ）のＴＨＦ（１０ｍｌ）溶液を５〜１０℃の間で滴下し、滴下後室温にて２時間攪拌した。反応液を氷水に投入後、ヘプタン３００ｍｌで抽出し、抽出層を水、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下に濃縮した。濃縮残さは酢酸エチル／ヘプタンの混合溶媒を溶離液としたシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、３−フルオロ−４−エトキシフェニル＝メトキシメチルエーテル１６．５ｇを得た。

第４工程
第３工程で得た３−フルオロ−４−エトキシフェニル＝メトキシメチルエーテル１６ｇ（７９．９ｍｍｏｌ）をテロラヒドロフラン１６０ｍｌに溶解し窒素雰囲気下、アセトン−ドライアイス冷媒下で−７０℃まで冷却した。この溶液に窒素雰囲気下にてｓｅｃ−ブチルリチウム（０．９９Ｍ、シクロヘキサン、ｎ−ヘキサン溶液）８９ｍｌ（８７．９ｍｍｏｌ）を滴下し、滴下後−７０℃にて１時間攪拌した。次いでジメチルホルムアミド６．８ｍｌ（８７．９ｍｍｏｌ）を−７０℃にて滴下し、滴下後同温度で２時間攪拌した。反応混合物を飽和塩化アンモニウム水に注ぎ、ヘキサン３００ｍｌで抽出した。有機層を水、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下に濃縮し、得られた残さを酢酸エチル／ヘプタンの混合溶媒を溶離液としたシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、２−ホルミル−３−フルオロ−４−エトキシフェニル＝メトキシメチルエーテル１６．５ｇを得た。

第５工程
第４工程で得た２−ホルミル−３−フルオロ−４−エトキシフェニル＝メトキシメチルエーテル８ｇ（３５ｍｍｏｌ）をジクロロメタン８０ｍｌに溶解し窒素雰囲気下にて０℃まで冷却後、ジエチルアミノサルファートリフオリド（ＤＡＳＴ）９．５ｍｌ（７１．８ｍｍｏｌ）を添加し、さらに室温で２０時間攪拌した。この溶液を炭酸水素ナトリウム水溶液に注ぎ、ヘプタン２００ｍｌで抽出した。有機層を水、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下に濃縮し、残さを酢酸エチル／ヘプタンの混合溶媒を展開溶媒としたシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、を得る。このものをさらに再結晶繰り返すことにより精製し、２−ジフルオロメチル−３−フルオロ−４−エトキシフェニル＝メトキシメチルエーテル７．６ｇを得た。

第６工程
第５工程で得た２−ジフルオロメチル−３−フルオロ−４−エトキシフェニル＝メトキシメチルエーテル７．５ｇ（３０ｍｍｏｌ）をエタノール３０ｍｌに溶解し室温にて攪拌しながら２Ｍ塩酸３０ｍｌ（６０ｍｍｏｌ）を添加し、添加後２時間加熱還流した。反応液を水に投入し、酢酸エチル１５０ｍｌで抽出し、有機層を水、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下に濃縮した。残さは酢酸エチル／ヘプタンの混合溶媒を溶離液としたシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し２−ジフルオロメチル−３−フルオロ−４−エトキシフェノール６．０ｇを得た。

第７工程
第６工程で得た２−ジフルオロメチル−３−フルオロ−４−エトキシフェノール２．５ｇ（１２ｍｍｏｌ）およびピリジン２ｍｌをジクロロメタン５０ｍｌに溶解し窒素雰囲気５〜１０℃にて無水トリフルオロメタンスルホン酸２．６ｍｌ（１５．６ｍｍｏｌ）を添加し、１．５時間同温度で攪拌した。反応混合物を炭酸水素ナトリウム水溶液に投入しジクロロメタン１００ｍｌで抽出した。有機層を水、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下に濃縮し粗製のトリフラート誘導体を得た。得られた粗製のトリフラート誘導体（５．５ｇ）は４−（プロピルシクロヘキシル）フェニルホウ酸３．２ｇ（１３．２ｍｍｏｌ）、臭化カリウム１．６ｇ（１３．２ｍｍｏｌ）、燐酸カリウム５．１ｇ（２４ｍｍｏｌ）、ジオキサン５０ｍｌおよびカップリング触媒としてテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム０．４ｇ（０．３ｍｍｏｌ）と混合し５時間加熱還流した。反応混合物を水へ投入しトルエン１００ｍｌで抽出後、有機層を水、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下に濃縮した。濃縮残さは酢酸エチル／ヘプタンの混合溶媒を溶離液としたシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、さらにヘプタン／エタノールの混合溶媒から再結晶を繰り返すことにより精製し、純粋な４−（４−プロピルシクロヘキシル）フェニル−２−フルオロ−３−ジフルオロメチル−エトキシベンゼンを得た。尚、この化合物の融点は８２．２℃であった。

４−（４−プロピルシクロヘキシル）メチル＝２−フルオロ−３−ジフルオロメチル−４−メチルフェニルエーテル（化合物Ｎｏ．１−２−８）の合成

第１工程
窒素雰囲気下、水素化ナトリウムのＴＨＦ懸濁液に２−フルオロ−４−メチルフェノールを５℃付近で滴下し、同温度で３０分間攪拌する。次いでクロロメチルメチルエーテルのＴＨＦ溶液を５℃付近で滴下し、滴下後室温にて２時間攪拌する。反応液を氷水に投入後、ヘプタンで抽出し、抽出層を水、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下に濃縮する。得られる濃縮残さをシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、２−フルオロ−４−メチルフェニル＝メトキシメチルエーテルを得る。

第２工程
第１工程で得られる２−フルオロ−４−メチルフェニル＝メトキシメチルエーテルをテロラヒドロフランに溶解し窒素雰囲気下、アセトン−ドライアイス冷媒下で−７０℃まで冷却する。この溶液に窒素雰囲気下にてｓｅｃ−ブチルリチウムを滴下し、滴下後−７０℃にて１時間攪拌する。次いでジメチルホルムアミドを−７０℃にて滴下し、滴下後同温度で２時間攪拌する。反応混合物を飽和塩化アンモニウム水に注ぎ、ヘキサンで抽出し、有機層を水、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下に濃縮する。得られる残さをシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、２−フルオロ−３−ホルミル−４−メチルフェニル＝メトキシメチルエーテルを得る。

第３工程
第２工程で得られる２−フルオロ−３−ホルミル−４−メチルフェニル＝メトキシメチルエーテルをジクロロメタンに溶解し窒素雰囲気下にて０℃まで冷却後、ジエチルアミノサルファートリフオリド（ＤＡＳＴ）を添加し、さらに室温で２０時間攪拌する。この溶液を炭酸水素ナトリウム水溶液に注ぎ、ヘプタンで抽出し、有機層を水、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下に濃縮する。濃縮残さをシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、２−フルオロ−３−ジフルオロメチル−４−メチルフェニル＝メトキシメチルエーテルを得る。

第４工程
第３工程で得られる２−フルオロ−３−ジフルオロメチル−４−メチルフェニル＝メトキシメチルエーテルをエタノールに溶解し室温にて攪拌しながら２Ｍ塩酸を添加し、添加後２時間加熱還流する。反応液を水に投入し、酢酸エチルで抽出し、有機層を水、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下に濃縮する。残さはシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し２−フルオロ−３−ジフルオロメチル−４−メチルフェノールを得る。

第５工程
第４工程で得られる２−フルオロ−３−ジフルオロメチル−４−メチルフェノールを窒素雰囲気下、４−プロピルシクロヘキシルヨードメタンおよび炭酸カリウムと共にＤＭＦ中混合し１００℃にて８時間加熱攪拌する。反応混合物を水に投入しトルエンで抽出し、有機層を水、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下に濃縮する。濃縮残さをシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、さらに再結晶を繰り返すことにより精製し、純粋な４−（４−プロピルシクロヘキシル）メチル＝２−フルオロ−３−ジフルオロメチル−４−メチルフェニルエーテルを得る。

４−ペンチル−２’−ジフルオロメチル−３’−フルオロ−４”−エチルターフェニル（化合物Ｎｏ．１−４−６）の合成

第１工程
４−エチルフェニルホウ酸をトルエン／エタノールの混合溶媒中、３−フルオロ−４−ヨードアニソール、炭酸カリウムおよびカップリング触媒としてテトラキストリフェニルホスフィンパラジウムと混合し８時間加熱還流する。反応混合物を水へ投入しトルエン１００ｍｌで抽出し、有機層を水、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下に濃縮する。濃縮残さはシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、さらに再結晶を繰り返すことにより精製し、純粋な３−フルオロ−４−（４−エチルフェニル）アニソールを得る。

第２工程
第１工程で得られる３−フルオロ−４−（４−エチルフェニル）アニソールをジクロロメタンに溶解し、冷媒下−６０℃まで冷却後、三臭化ホウ素を滴下する。滴下後２時間同温度で攪拌し、さらに室温にて８時間攪拌する。反応混合物を水へ投入しジクロロメタン層を分離し、ジクロロメタン層を水、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下に濃縮する。濃縮残さはシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し３−フルオロ−４−（４−エチルフェニル）フェノールを得る。

第３工程
窒素雰囲気下、水素化ナトリウムのＴＨＦ懸濁液に第２工程で得られる３−フルオロ−４−（４−エチルフェニル）フェノールを５℃付近で滴下し、同温度で３０分間攪拌する。次いでクロロメチルメチルエーテルのＴＨＦ溶液を５℃付近で滴下し、滴下後室温にて２時間攪拌する。反応液を氷水に投入後、ヘプタンで抽出し、抽出層を水、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下に濃縮する。得られる濃縮残さをシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、３−フルオロ−４−（４−エチルフェニル）フェニル＝メトキシメチルエーテルを得る。

第４工程
第３工程で得られる３−フルオロ−４−（４−エチルフェニル）フェニル＝メトキシメチルエーテルをテロラヒドロフランに溶解し窒素雰囲気下、アセトン−ドライアイス冷媒下で−７０℃まで冷却する。この溶液に窒素雰囲気下にてｓｅｃ−ブチルリチウムを滴下し、滴下後−７０℃にて１時間攪拌する。次いでジメチルホルムアミドを−７０℃にて滴下し、滴下後同温度で２時間攪拌する。反応混合物を飽和塩化アンモニウム水に注ぎ、ヘキサンで抽出し、有機層を水、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下に濃縮する。得られる残さをシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、２−ホルミル−３−フルオロ−４−（４−エチルフェニル）フェニル＝メトキシメチルエーテルを得る。

第５工程
第４工程で得られる２−ホルミル−３−フルオロ−４−（４−エチルフェニル）フェニル＝メトキシメチルエーテルをジクロロメタンに溶解し窒素雰囲気下にて０℃まで冷却後、ジエチルアミノサルファートリフオリド（ＤＡＳＴ）を添加し、さらに室温で２０時間攪拌する。この溶液を炭酸水素ナトリウム水溶液に注ぎ、ヘプタンで抽出し、有機層を水、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下に濃縮する。濃縮残さをシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、２−ジフルオロメチル−３−フルオロ−４−（４−エチルフェニル）フェニル＝メトキシメチルエーテルを得る。

第６工程
第５工程で得られる２−ジフルオロメチル−３−フルオロ−４−（４−エチルフェニル）フェニル＝メトキシメチルエーテルをエタノールに溶解し室温にて攪拌しながら２Ｍ塩酸を添加し、添加後２時間加熱還流する。反応液を水に投入し、酢酸エチルで抽出し、有機層を水、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下に濃縮する。残さはシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し２−ジフルオロメチル−３−フルオロ−４−（４−エチルフェニル）フェノールを得る。

第７工程
第６工程で得られる２−ジフルオロメチル−３−フルオロ−４−（４−エチルフェニル）フェノールおよびピリジンをジクロロメタンに溶解し窒素雰囲気下５℃付近で無水トリフルオロメタンスルホン酸を添加し、２時間同温度で攪拌する。反応混合物を炭酸水素ナトリウム水溶液に投入しジクロロメタンで抽出し、有機層を水、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下に濃縮し粗製のトリフラート誘導体を得る。得られる粗製のトリフラート誘導体を４−ペンチルフェニルホウ酸、臭化カリウム、および燐酸カリウムをジオキサン中で混合し、さらにカップリング触媒としてテトラキストリフェニルホスフィンパラジウム添加し８時間加熱還流する。反応混合物を水へ投入しトルエンで抽出し、有機層を水、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下に濃縮する。濃縮残さはシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、さらに再結晶を繰り返すことにより精製し、純粋な４−ペンチル−２’−ジフルオロメチル−３’−フルオロ−４”−エチルターフェニルを得る。

β−（４−（４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）−２−ジフルオロメチル−３−フルオロ−４−エトキシスチレン（化合物Ｎｏ．１−３−１５）の合成

第１工程
乾燥させた削り状マグネシウム１．８ｇ（７５．４ｍｍｏｌ）に攪拌しながら３−フルオロ−４−エトキシブロモベンゼン１５．０ｇ（６８．５ｍｍｏｌ）のＴＨＦ溶液３０ｍｌを４０〜６０℃にて滴下した。次いでこの溶液に（４−（４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）アセトアルデヒド２２．３ｇ（８９．１ｍｍｏｌ）のＴＨＦ溶液１００ｍｌを滴下し２時間攪拌した。反応混合物を飽和塩化アンモニウム水１００ｍｌに注ぎ、トルエン２００ｍｌで抽出した。有機層を水１００ｍｌ、飽和食塩水１００ｍｌで順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下に濃縮し、粗製の１−ヒドロキシ−１−（３−フルオロ−４−エトキシフェニル）−２−（４−（４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）エタンを２５．９ｇ得た。

第２工程
第１工程で得られた粗製の１−ヒドロキシ−１−（３−フルオロ−４−エトキシフェニル）−２−（４−（４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）エタン２５．９ｇをトルエンに溶解した。ｐ−トルエンスルホン酸一水和物０．８ｇ（４ｍｍｏｌ）を加え、ディーンスターク装置を用いて脱水しながら２時間加熱還流した。反応混合物を飽和重曹水２００ｍｌに注ぎ、トルエン２００ｍｌで抽出した。有機層を水２００ｍｌ、飽和食塩水１００ｍｌで順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下に濃縮した。残さをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ヘプタン／トルエン＝８／２）にて精製し、さらにヘプタンから再結晶してβ−（４−（４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）−３−フルオロ−４−エトキシスチレン１３．２ｇを得た。

第３工程
第２工程で得たβ−（４−（４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）−３−フルオロ−４−エトキシスチレン１３．２ｇ（３５．４ｍｍｏｌ）をＴＨＦ１５０ｍｌに溶解し窒素雰囲気下にてアセトン−ドライアイス冷媒下で−７０℃まで冷却した。この溶液に窒素雰囲気下にてｓｅｃ−ブチルリチウム（シクロヘキサン、１Ｍ ｎ−ヘキサン溶液）４６ｍｌ（４６ｍｍｏｌ）を滴下し、滴下後−６５℃以下にて２時間攪拌した。次いでジメチルホルムアミド７．８ｇ（１０６．２ｍｍｏｌ）を−６５℃にて滴下し、滴下後さらに２時間攪拌した。反応混合物を飽和塩化アンモニウム水２００ｍｌに注ぎ、ヘプタン２００ｍｌで抽出した。有機層を水３００ｍｌ、飽和食塩水１００ｍｌで順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下に濃縮し、残さをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ヘプタン／トルエン＝７／３）にて精製し、β−（４−（４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）−２−ホルミル−３−フルオロ−４−エトキシスチレン５．５ｇを得た。

第４工程
第３工程で得られたβ−（４−（４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）−２−ホルミル−３−フルオロ−４−エトキシスチレン５．５ｇ（１３．７ｍｍｏｌ）をジクロロメタン１００ｍｌに溶解し窒素雰囲気下にて０℃まで冷却後、ジエチルアミノサルファートリフオリド（ＤＡＳＴ）６．６ｇ（４１．１ｍｍｏｌ）を添加し、さらに室温で２０時間攪拌した。この溶液を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液３００ｍｌに注ぎ、ヘプタン２００ｍｌで抽出した。有機層を水３００ｍｌ、飽和食塩水２００ｍｌで順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下に濃縮した。残さをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ヘプタン／トルエン＝９／１）にて精製し、さらにヘプタン／エタノール混合溶媒から２回再結晶することにより、純粋なβ−（４−（４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）−２−ジフルオロメチル−３−フルオロ−４−エトキシスチレン２．１ｇを得た。この化合物は液晶相を示し、その転移点は以下の通りである。
Ｃ ６９．０ Ｎ １６８．７ Ｉｓｏ
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）；７．２３（ｄ，１Ｈ）、７．０２（ｔ，１Ｈ）、６．９７（ｔ，１Ｈ）、６．７１（ｄ，１Ｈ）、６．００（ｄｄ，１Ｈ）、４．１０（ｑ，２Ｈ）、２．０９−２．０４（ｍ，１Ｈ）、１．８６−１．７０（ｍ，８Ｈ）、１．４４（ｔ，３Ｈ）、１．３４−１．２７（ｍ，２Ｈ）、１．１７−０．９４（ｍ，１１Ｈ）、０．８７（ｔ，３Ｈ）、０．８９−０．８１（ｍ，２Ｈ）．

１−（２−ジフルオロメチル−３−フルオロ−４−エトキシフェニル）−２−（４−（４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）エタン（化合物Ｎｏ．１−３−１３）の合成

実施例５で得られるβ−（４−（４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）−２−ジフルオロメチル−３−フルオロ−４−エトキシスチレン１．６ｇをトルエン−ソルミックス混合溶媒２５ｍＬに溶解した。この溶液に窒素雰囲気下にてパラジウム炭素触媒を加え、常温常圧にて２日間水素添加反応を行った。反応終了後、触媒を濾過により除去した。濾液を減圧下に濃縮し、残さを（溶離液：ヘプタン／トルエン＝９／１）にて精製し、１−（２−ジフルオロメチル−３−フルオロ−４−エトキシフェニル）−２−（４−（４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）エタンを得る。このものをさらにヘプタン／エタノール混合溶媒から２回再結晶し、純粋な１−（２−ジフルオロメチル−３−フルオロ−４−エトキシフェニル）−２−（４−（４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）エタンを得た。この化合物は液晶相を示し、その転移点は以下の通りであった。
Ｃ ７６．６ （ＳｍＡ ４９．１） Ｎ １２０．４ Ｉｓｏ
^１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）；７．０２（ｔ，１Ｈ）、７．００（ｄ，１Ｈ）、６．９６（ｔ，１Ｈ）、４．１１（ｑ，２Ｈ）、１．８６−１．７１（ｍ，８Ｈ）、１．４６（ｔ，３Ｈ）、１．３７−１．１５（ｍ，６Ｈ）、１．０４−０．９３（ｍ，８Ｈ）、０．９０（ｔ，３Ｈ）、０．９１−０．８３（ｍ，２Ｈ）．

β−（４−（４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）−２−トリフルオロメチル−３−フルオロ−４−エトキシスチレン（化合物Ｎｏ．２−３−３）の合成

第１工程
窒素雰囲気下、ｓｅｃ−ブチルリチウム（１．０ｍｏｌ／Ｌ）４２．４ｍＬをＴＨＦ６０ｍＬに溶解させた２−フルオロ−２−トリフルオロメチル−６−トリメチルシリルエトキシベンゼン１０．０ｇ（３５．７ｍｍｏｌ）へ−７８℃にて滴下し、同温にて２時間撹拌した。次いでこの溶液に（４−（４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）アセトアルデヒド１０．７ｇ（４２．８ｍｍｏｌ）のＴＨＦ溶液２２ｍｌを滴下し同温にて１時間攪拌した後、室温まで昇温させ、終夜撹拌した。反応混合物を飽和塩化アンモニウム水１００ｍｌに注ぎ、トルエン２００ｍｌで抽出した。有機層を水１００ｍｌ、飽和食塩水１００ｍｌで順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下に濃縮し、粗製の１−ヒドロキシ−１−（２−トリフルオロメチル−３−フルオロ−４−エトキシ−５−トリメチルシリルフェニル）−２−（４−（４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）エタンを２０．７ｇ得た。

第２工程
第１工程で得られた粗製の１−ヒドロキシ−１−（２−トリフルオロメチル−３−フルオロ−４−エトキシ−５−トリメチルシリルフェニル）−２−（４−（４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）エタン２０．７ｇをトルエンに溶解した。ｐ−トルエンスルホン酸一水和物０．６８ｇ（３．５７ｍｍｏｌ）を加え、ディーンスターク装置を用いて脱水しながら２時間加熱還流した。反応混合物を飽和重曹水２００ｍｌに注ぎ、トルエン２００ｍｌで抽出した。有機層を水２００ｍｌ、飽和食塩水１００ｍｌで順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下に濃縮し、粗製のβ−（４−（４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）−２−トリフルオロメチル−３−フルオロ−４−エトキシ−５−トリメチルシリルスチレン１６．０３ｇを得た。

第３工程
粗製のβ−（４−（４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）−２−トリフルオロメチル−３−フルオロ−４−エトキシ−５−トリメチルシリルスチレン１６．０３ｇをＴＨＦ３５ｍＬに溶解させ、そこへテトラブチルアンモニウムフルオリド／ＴＨＦ溶液（１ｍｏｌ／Ｌ）２３．４ｍＬを滴下し、２時間撹拌した。反応液を水１００ｍＬへ注ぎ、トルエン２００ｍＬて抽出した。有機層を飽和食塩水１００ｍＬで洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。残さをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ヘプタン／トルエン＝８／２）にて精製し、さらにヘプタン／エタノール混合溶媒から２回再結晶し、β−（４−（４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）−２−トリフルオロメチル−３−フルオロ−４−エトキシスチレン７．８９ｇを得た。この化合物は液晶相を示し、その転移点は以下の通りであった。
Ｃ ８３．０ Ｎ １４９．３ Ｉｓｏ
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）；７．１７（ｄ，１Ｈ）、７．０１（ｔ，１Ｈ）、６．５９（ｄ，１Ｈ）、５．９１（ｄｄ，１Ｈ）、４．０９（ｑ，２Ｈ）、２．０７−２．０１（ｍ，１Ｈ）、１．８５−１．７０（ｍ，８Ｈ）、１．４４（ｔ，３Ｈ）、１．３４−１．２７（ｍ，２Ｈ）、１．１５−０．９３（ｍ，１１Ｈ）、０．８７（ｔ，３Ｈ）、０．８９−０．８１（ｍ，２Ｈ）．

１−（２−トリフルオロメチル−３−フルオロ−４−エトキシフェニル）−２−（４−（４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）エタン（化合物Ｎｏ．２−３−１２）の合成

実施例７で得られたβ−（４−（４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）−２−トリフルオロメチル−３−フルオロ−４−エトキシスチレン７．８９ｇをトルエン−ソルミックス混合溶媒２００ｍＬに溶解した。この溶液に窒素雰囲気下にてパラジウム炭素触媒を加え、常温常圧にて２日間水素添加反応を行った。反応終了後、触媒を濾過により除去した。濾液を減圧下に濃縮し、残さをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ヘプタン：トルエン＝４：１）にて精製し、１−（２−トリフルオロメチル−３−フルオロ−４−エトキシフェニル）−２−（４−（４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）エタンを得る。このものをさらにヘプタン／エタノール混合溶媒から２回再結晶し、純粋な１−（２−トリフルオロメチル−３−フルオロ−４−エトキシフェニル）−２−（４−（４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）エタン５．３５ｇを得た。この化合物は液晶相を示し、その転移点は以下の通りであった。
Ｃ ６８．０ （ＳｍＡ ４４．９） Ｎ １１２．８ Ｉｓｏ
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）；７．０１（ｔ，１Ｈ）、６．９２（ｄ，１Ｈ）、４．０８（ｑ，２Ｈ）、２．６９（ｍ，２Ｈ）、１．８１−１．６８（ｍ，８Ｈ）、１．４３（ｔ，３Ｈ）、１．４５−１．３９（ｍ，２Ｈ）、１．３３−１．１２（ｍ，６Ｈ）、１．００−０．９２（ｍ，８Ｈ）、０．８７（ｔ，３Ｈ）、０．９０−０．８０（ｍ，２Ｈ）．

４−（４−（４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）メトキシ−３−トリフルオロメチル−２−フルオロエトキシベンゼン（化合物Ｎｏ．２−３−１３）の合成

第１工程
窒素雰囲気下、ＴＨＦ６０ｍＬに溶解させた２−フルオロ−２−トリフルオロメチル−６−トリメチルシリルエトキシベンゼン２０．０ｇ（７１．４ｍｍｏｌ）へｓｅｃ−ブチルリチウム（１．０ｍｏｌ／Ｌ）８５．７ｍＬを−７８℃にて滴下し、同温にて２時間撹拌した。次いでこの溶液に臭素１３．７ｇ（８５．７ｍｍｏｌ）を滴下し同温にて１時間攪拌した後、室温まで昇温させ、終夜撹拌した。反応混合物を水１００ｍｌに注ぎ、トルエン２００ｍｌで抽出した。有機層を水１００ｍｌ、飽和食塩水１００ｍｌで順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下に濃縮し、粗製の２−トリフルオロメチル−３−フルオロ−４−エトキシ−５−トリメチルシリルブロモベンゼンを２７．８ｇ得た。

第２工程
第１工程で得られた粗製の２−トリフルオロメチル−３−フルオロ−４−エトキシ−５−トリメチルシリルブロモベンゼン２７．８ｇをＴＨＦ１００ｍＬに溶解した。そこへテトラブチルアンモニウムフルオリドＴＨＦ溶液（１．０ｍｏｌ／Ｌ）１００ｍＬを滴下し、一晩撹拌した。反応混合物を水２００ｍｌに注ぎ、トルエン２００ｍｌで抽出した。有機層を水２００ｍｌ、飽和食塩水１００ｍｌで順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下に濃縮した。残さをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ヘプタン）にて精製し、２−トリフルオロメチル−３−フルオロ−４−エトキシブロモベンゼン１５．０ｇを得た。

第３工程
第２工程で得た（２−トリフルオロメチル−３−フルオロ−４−エトキシブロモベンゼン１５．０ｇ１３．２ｇ（５２．２ｍｍｏｌ）をＴＨＦ５０ｍｌに溶解し窒素雰囲気下にてアセトン−ドライアイス冷媒下で−７０℃まで冷却した。この溶液に窒素雰囲気下にてｎ−ブチルリチウム（１．５６ｍｏｌ／Ｌ ｎ−ヘキサン溶液）４０ｍｌ（６２．６ｍｍｏｌ）を滴下し、滴下後−６５℃以下にて２時間攪拌した。次いでＴＨＦ３０ｍＬに溶解させたホウ酸トリメチル１３．０ｇ（１２５．２ｍｍｏｌ）を−６５℃にて滴下し、滴下後さらに１時間攪拌した後室温に昇温させ１晩撹拌した。反応混合物を３Ｎ−塩酸２００ｍｌに注ぎ、酢酸エチル２００ｍｌで抽出した。有機層を水３００ｍｌ、飽和食塩水１００ｍｌで順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下に濃縮し、粗製の２−トリフルオロメチル−３−フルオロ−４−エトキシフェニルホウ酸を１３．８ｇ得た。

第４工程
ＴＨＦ１００ｍｌに溶解させた第３工程で得られた粗製の２−トリフルオロメチル−３−フルオロ−４−エトキシフェニルホウ酸１３．８ｇ（５２．２ｍｍｏｌ）へ、３０％過酸化水素水１６．２ｇ（１０４．４ｍｍｏｌ）を滴下し、さらに室温で２時間攪拌した。この溶液を飽和亜硫酸水素ナトリウム水溶液３００ｍｌに注ぎ、酢酸エチル２００ｍｌで抽出した。有機層を飽和亜硫酸水素ナトリウム水溶液３００ｍＬ、水３００ｍｌ、飽和食塩水２００ｍｌで順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下に濃縮した。残さを蒸留にて精製し、さらにヘプタン／エタノール混合溶媒から２回再結晶することにより、純粋な２−トリフルオロメチル−３−フルオロ−４−エトキシフェノール５．６７ｇを得た。

第５工程
第４工程で得られた２−トリフルオロメチル−３−フルオロ−４−エトキシフェノール３．０ｇ（１３．４ｍｍｏｌ）をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド７０ｍＬに溶解させ、そこへ４−（４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシルブロモメタン４．４４ｇ（１４．７ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム２．０３ｇ（１４．７ｍｍｏｌ）、テトラブチルアンモニウムブロミド０．２２ｇ（０．６７ｍｍｏｌ）を加え、３時間加熱還流させた。室温に冷却した後、この溶液を水３００ｍｌに注ぎ、トルエン２００ｍｌで抽出した。有機層を水３００ｍｌ、飽和食塩水２００ｍｌで順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧下に濃縮した。残さをシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製（溶離液：ヘプタン：トルエン＝７：１）にて精製し、さらにヘプタン／エタノール混合溶媒から２回再結晶することにより、純粋な４−（４−（４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）メトキシ−３−トリフルオロメチル−２−フルオロエトキシベンゼン（化合物Ｎｏ．２−３−１３）３．０１ｇを得た。この化合物は液晶相を示した。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）；６．６９（ｄ，１Ｈ）、６．５９（ｔ，１Ｈ）、４．１２（ｑ，２Ｈ）、３．７３（ｄ，２Ｈ）、１．９７−１．９１（ｍ，２Ｈ）、１．８０−１．７０（ｍ，７Ｈ）、１．３７（ｔ，３Ｈ）、１．３４−１．２７（ｍ，２Ｈ）、１．１５−０．９４（ｍ，１１Ｈ）、０．８７（ｔ，３Ｈ）、０．８９−０．８１（ｍ，２Ｈ）．

前記の合成法および実施例１〜９を応用することによって、下記の化合物Ｎｏ．１−１−１〜Ｎｏ．２−９−９を合成する。

次の５つの化合物を混合して、ネマチック相を有する組成物（母液晶Ａ）を調製した。（母液晶Ａ）

母液晶Ａの物性は次のとおりであった。上限温度（ＮＩ）＝７４．０℃；粘度（η_２０）＝１８．９ｍＰａ・ｓ；光学異方性（Δｎ）＝０．０８７；誘電率異方性（Δε）＝−１．３。

母液晶Ａの８５％と実施例２で得られる４−（４−プロピルシクロヘキシル）フェニル−２−フルオロ−３−ジフルオロメチル−エトキシベンゼン（化合物Ｎｏ．１−３−５）の１５％とからなる組成物Ｂを調製した。組成物Ｂの物性値は次のとおりである。
光学異方性（Δｎ）＝０．０９６；誘電率異方性（Δε）＝−２．４。
化合物Ｎｏ．１−３−５を加えることによって、誘電率異方性が負に大きくなり、液晶表示素子にしたときに低い駆動電圧を有することが分かった。

母液晶Ａの８５％と実施例８で得られた４−（４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）エチル）−２−フルオロ−３−トリフルオロメチル−エトキシベンゼン（化合物Ｎｏ．２−３−１２）の１５％とからなる組成物Ｂを調製した。組成物Ｂの物性値は次のとおりであった。
光学異方性（Δｎ）＝０．０８６；誘電率異方性（Δε）＝−２．２１。
化合物Ｎｏ．２−３−１２を加えることによって、誘電率異方性が負に大きくなり、液晶表示素子にしたときに低い駆動電圧を有することが分かった。

［比較例１］
実施例１０に記載した組成物Ａの８５％とＷＯ２０００／０３９６３号パンフレットに記載の４−（４−プロピルシクロヘキシル）フェニル−２−フルオロ−３−ジフルオロメチル−エトキシベンゼンの１５％とからなる組成物Ｄを調製した。組成物Ｄの物性は次のとおりであった。
光学異方性（Δｎ）＝０．０９６；誘電率異方性（Δε）＝−２．１。

本発明の代表的な組成物を使用例１〜７にまとめた。最初に、組成物の成分である化合物とその量（重量％）を示し、次に組成物の物性値を示した。化合物は表１の取り決めに従い、左末端基、結合基、環構造、および右末端基の記号によって表示した。１，４−シクロヘキシレンおよび１，３−ジオキサン−２，５−ジイルの立体配置はトランスである。末端基の記号がない場合は、末端基が水素であることを意味する。

［使用例１］
３−ＨＢＢ（２ＣＦ２Ｈ，３Ｆ）−Ｏ２ （１−３−５） ６％
２−ＢＢ（２ＣＦ２Ｈ，３Ｆ）Ｈ−３ （１−４−５） ３％
２−ＢＢ（２ＣＦ２Ｈ，３Ｆ）Ｂ−３ （１−４−６） ６％

１Ｖ２−ＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ６％
３−ＨＢ−Ｃ ９％
２−ＢＴＢ−１ １０％
５−ＨＨ−ＶＦＦ ２４％
３−ＨＨＢ−１ ４％
ＶＦＦ−ＨＨＢ−１ ８％
ＶＦＦ２−ＨＨＢ−１ １１％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２ ５％
３−Ｈ２ＢＴＢ−３ ４％
３−Ｈ２ＢＴＢ−４ ４％
ＮＩ＝７６．５℃；Δｎ＝０．１３６；η（２０℃）＝２５．０ｍＰａ・ｓ；Δε＝４．８．

［使用例２］
３−ＨＢＢ（２ＣＦ２Ｈ，３Ｆ）−Ｏ２ （１−３−５） １０％
２−ＢＢ（２ＣＦ２Ｈ，３Ｆ）Ｈ−３ （１−４−５） ５％

３−ＨＨ−４ ８％
３−ＨＨＢ−１ ６％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １０％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ９％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １０％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ２５％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−５ ７％
２−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ３％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ３％
３−ＨＨ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４％
ＮＩ＝８３．０℃；Δｎ＝０．１１５；η（２０℃）＝３６．９ｍＰａ・ｓ；Δε＝８．２．

［使用例３］
３−ＨＨＶＢ（２ＣＦ２Ｈ，３Ｆ）−Ｏ２ （１−３−１５） ７％
３−ＨＨＶＢ（２ＣＦ３，３Ｆ）−Ｏ２ （２−３−３） ６％
１−Ｂ（２ＣＦ２Ｈ，３Ｆ）Ｏ１Ｈ−３ （１−２−８） ５％

３−ＨＨ−４ ５％
３−ＨＨ−５ ５％
３−ＨＨ−Ｏ１ ３％
３−ＨＨ−Ｏ３ ３％
３−ＨＢ−Ｏ１ ５％
３−ＨＢ−Ｏ２ ５％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ １０％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ １０％
３−ＨＨＥＨ−３ ２％
３−ＨＨＥＨ−５ ２％
４−ＨＨＥＨ−３ ２％
２−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１ ４％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−２ ４％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ １２％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ １０％

［使用例４］
３−ＨＶＢ（２ＣＦ２Ｈ，３Ｆ）−Ｏ２ （１−１−１３） ５％
３−ＨＶＢ（２ＣＦ３，３Ｆ）−Ｏ２ （２−１−２） ５％
３−ＨＨＢ（２ＣＦ２Ｈ，３Ｆ）−Ｏ２ （１−３−１） ５％

３−ＨＨ−４ ５％
３−ＨＨ−５ ５％
３−ＨＨ−Ｏ１ ６％
３−ＨＨ−Ｏ３ ６％
３−ＨＢ−Ｏ１ ５％
３−ＨＢ−Ｏ２ ５％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ １０％
３−ＨＨＥＨ−３ ５％
３−ＨＨＥＨ−５ ５％
４−ＨＨＥＨ−３ ５％
２−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１ ４％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ １２％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ １２％

［使用例５］
１Ｖ−ＨＢ（２ＣＦ２Ｈ，３Ｆ）−Ｏ２ （１−１−４） １０％
３−ＨＨＶＢ（２ＣＦ２Ｈ，３Ｆ）−Ｏ２（１−３−１５） ５％

３−ＨＨ−４ ５％
３−ＨＨ−５ ５％
３−ＨＨ−Ｏ１ ４％
３−ＨＨ−Ｏ３ ４％
３−ＨＢ−Ｏ１ ４％
３−ＨＢ−Ｏ２ ３％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ １０％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ ５％
３−ＨＨＥＨ−３ ５％
３−ＨＨＥＨ−５ ５％
４−ＨＨＥＨ−３ ５％
２−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１ ４％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−２ ４％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ １２％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ １０％

［使用例６］
３−ＨＶＢ（２ＣＦ２Ｈ，３Ｆ）−Ｏ２ （１−１−１３） ７％
２−ＢＢ（２ＣＦ２Ｈ，３Ｆ）Ｈ−３ （１−４−５） ５％

３−ＨＨ−４ ５％
３−ＨＨ−５ ５％
３−ＨＨ−Ｏ１ ６％
３−ＨＨ−Ｏ３ ６％
３−ＨＢ−Ｏ１ ５％
３−ＨＢ−Ｏ２ ５％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ １０％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ １０％
３−ＨＨＥＨ−３ ４％
３−ＨＨＥＨ−５ ３％
２−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１ ４％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−２ ４％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ １２％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ ９％

［使用例７］
３−ＨＢＢ（２ＣＦ２Ｈ，３Ｆ）−Ｏ２ （１−３−５） １０％
２−ＢＢ（２ＣＦ２Ｈ，３Ｆ）Ｈ−３ （１−４−５） ５％

３−ＨＨ−４ ５％
３−ＨＨ−５ ５％
３−ＨＨ−Ｏ１ ３％
３−ＨＨ−Ｏ３ ３％
３−ＨＢ−Ｏ１ ４％
３−ＨＢ−Ｏ２ ４％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ １０％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ １０％
３−ＨＨＥＨ−３ ５％
３−ＨＨＥＨ−５ ５％
４−ＨＨＥＨ−３ ５％
２−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１ ４％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−２ ４％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ １０％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ ８％
ＮＩ＝７７．８℃；Δｎ＝０．０８３；η（２０℃）＝３９．１ｍＰａ・ｓ；Δε＝−３．７．
上記の組成物１００部に（Ｏｐ−５）を０．２５部添加したときのピッチは５８．５μｍであった。

本発明により、負の誘電率異方性を示すと共に、液晶性化合物に必要な一般的物性、熱、光などに対する安定性、適切な光学異方性、適切な誘電率異方性、他の液晶性化合物との優れた相溶性を有するなど、優れた物性バランスを有する液晶性化合物が提供される。この液晶性化合物の少なくとも１つを含有する液晶組成物は、適切なネマチック相、小さな粘度、適切な光学異方性、および低いしきい値電圧を有する。そして、この組成物を含有させることにより、使用できる広い温度範囲、短い応答時間、大きなコントラスト比、低い駆動電圧などを有する液晶表示素子を製造できる。

Claims (30)

1. 式（２）で表される化合物：
   

   

   ここに、ＲａおよびＲｂは独立して水素または炭素数１〜１０のアルキルであり；このアルキルにおいて、任意の−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、任意の−（ＣＨ_２）_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられてもよく、そして任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく；
   Ａ^１、Ａ^１１、Ａ^１２、Ａ^２、Ａ^２１およびＡ^２２は独立して１，４−シクロヘキシレンまたは１，４−フェニレンであり；これらの環において、１つのまたは隣り合わない２つの−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、そして任意の水素はフッ素で置き換えられもよく；
   Ｗは−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−（ＣＨ_２）_３−Ｏ−、−Ｏ−（ＣＨ_２）_３−、−（ＣＨ_２）_２ＣＦ_２Ｏ−、または−ＯＣＦ_２（ＣＨ_２）_２−であり；
   Ｚ^１１、Ｚ^１２、Ｚ^２、Ｚ^２１およびＺ^２２は、独立して単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−または−ＣＨ＝ＣＨ−であり；
   ｊ、ｋおよびｍは独立して０または１であり、ｎ、ｐおよびｑは０であり、そしてこれらの合計は１、２、または３であるが、ｍが０であることはない。
2. ｊ、ｋおよびｍの合計が１または２である、請求項１に記載の化合物。
3. 式（２−１）、式（２−３）または式（２−６）のいずれか１つで表される、請求項１に記載の化合物：
   

   

   ここに、ＲａおよびＲｂは独立して水素または炭素数１〜１０のアルキルであり；このアルキルにおいて、末端に位置しない任意の−ＣＨ_２−は、−Ｏ−で置き換えられてもよく、任意の−（ＣＨ_２）_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられてもよく、そして任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく；
   Ａ^１、Ａ^１１ およびＡ^１２ は、独立して１，４−シクロヘキシレンまたは１，４−フェニレンであり；これらの環において、１つのまたは隣り合わない２つの−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、そして任意の水素はフッ素で置き換えられもよく；
   Ｗは−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−（ＣＨ_２）_３−Ｏ−、−Ｏ−（ＣＨ_２）_３−、−（ＣＨ_２）_２ＣＦ_２Ｏ−、または−ＯＣＦ_２（ＣＨ_２）_２−であり；
   Ｚ^１１ およびＺ^１２ は、独立して単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−または−ＣＨ＝ＣＨ−である。
4. ＲａおよびＲｂが独立して炭素数１〜１０のアルキル、炭素数１〜１０のアルコキシ、炭素数２〜１０のアルコキシアルキル、炭素数２〜１０のアルケニルまたは炭素数３〜１０のアルケニルオキシであり；
   Ａ^１、Ａ^１１ およびＡ^１２ が、独立して１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、３−フルオロ１，４−フェニレンまたは２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレンであり；
   Ｚ^１１およびＺ^１２が、独立して単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−または−ＣＨ＝ＣＨ−であり；
   そして、Ｗが−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−（ＣＨ_２）_４−、−（ＣＨ_２）_３−Ｏ−、−Ｏ−（ＣＨ_２）_３−、−（ＣＨ_２）_２ＣＦ_２Ｏ−、または−ＯＣＦ_２（ＣＨ_２）_２−である、請求項３に記載の化合物。
5. ＲａおよびＲｂが、独立して炭素数１〜１０のアルキル、炭素数１〜１０のアルコキシ、炭素数２〜１０のアルコキシアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり；
   Ａ^１、Ａ^１１ およびＡ^１２ が、独立して１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、３−フルオロ−１，４−フェニレン、または２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレンであり；
   Ｚ^１１およびＺ^１２が、独立して単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−または−ＣＨ＝ＣＨ−であり；
   そして、Ｗが−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−（ＣＨ_２）_４−、−（ＣＨ_２）_３−Ｏ−、−Ｏ−（ＣＨ_２）_３−、−（ＣＨ_２）_２ＣＦ_２Ｏ−、または−ＯＣＦ_２（ＣＨ_２）_２−である、請求項３に記載の化合物。
6. Ｒａが炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、そしてＲｂが炭素数１〜１０のアルコキシであり；
   Ａ^１、Ａ^１１ およびＡ^１２ が、独立して１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、または３−フルオロ−１，４−フェニレンであり；
   Ｚ^１１およびＺ^１２が独立して単結合または−ＣＨ＝ＣＨ−であり；
   そして、Ｗが−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−（ＣＨ_２）_４−、−（ＣＨ_２）_３−Ｏ−、−Ｏ−（ＣＨ_２）_３−、−（ＣＨ_２）_２ＣＦ_２Ｏ−、または−ＯＣＦ_２（ＣＨ_２）_２−である、請求項３に記載の化合物。
7. Ａ^１ が１，４−シクロヘキシレンである、請求項３〜６のいずれか１項に記載の化合物。
8. Ａ^１ が１，４−フェニレンである、請求項３〜６のいずれか１項に記載の化合物。
9. 式（２−１）で示され；Ａ^１が１，４−シクロヘキシレンであり；そして、Ｗが−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、または−ＣＦ_２Ｏ−である、請求項３〜６のいずれか１項に記載の化合物。
10. 式（２−３）で示され；Ａ^１およびＡ^１１が共に１，４−シクロヘキシレンであり；Ｚ^１１が単結合であり；そして、Ｗが−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、または−ＣＦ_２Ｏ−である、請求項３〜６のいずれか１項に記載の化合物。
11. 式（２−６）で示され；Ａ^１、Ａ^１１およびＡ^１２がいずれも１，４−シクロヘキシレンであり；Ｚ^１１およびＺ^１２が共に単結合であり；そして、Ｗが−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ_２Ｏ−、または−ＣＦ_２Ｏ−である、請求項３〜６のいずれか１項に記載の化合物。
12. 式（２−１）で示され；Ｒａが炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、そしてＲｂが炭素数１〜１０のアルコキシであり；Ａ^１が１，４−シクロヘキシレンであり；そしてＷが−（ＣＨ_２）_２−である、請求項３に記載の化合物。
13. 式（２−１）で示され；Ｒａが炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、そしてＲｂが炭素数１〜１０のアルコキシであり；Ａ^１が１，４−シクロヘキシレンであり；そしてＷが−ＣＨ_２Ｏ−である、請求項３に記載の化合物。
14. 式（２−１）で示され；Ｒａが炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、そしてＲｂが炭素数１〜１０のアルコキシであり；Ａ^１が１，４−フェニレンであり；そしてＷが−（ＣＨ_２）_２−である、請求項３に記載の化合物。
15. 式（２−３）で示され；Ｒａが炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、そしてＲｂが炭素数１〜１０のアルコキシであり；Ａ^１およびＡ^１１が共に１，４−シクロヘキシレンであり；Ｚ^１１が単結合であり；そしてＷが−（ＣＨ_２）_２−である、請求項３に記載の化合物。
16. 式（２−３）で示され；Ｒａが炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、そしてＲｂが炭素数１〜１０のアルコキシであり；Ａ^１およびＡ^１１が共に１，４−シクロヘキシレンであり；Ｚ^１１が単結合であり；そしてＷが−ＣＨ_２Ｏ−である、請求項３に記載の化合物。
17. 式（２−３）で示され；Ｒａが炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、そしてＲｂが炭素数１〜１０のアルコキシであり；Ａ^１が１，４−フェニレンであり、そしてＡ^１１が１，４−シクロヘキシレンであり；Ｚ^１１が単結合であり；そしてＷが−（ＣＨ_２）_２−である、請求項３に記載の化合物。
18. 式（２−３）で示され；Ｒａが炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、そしてＲｂが炭素数１〜１０のアルコキシであり；Ａ^１、Ａ^１１が共に１，４−フェニレンであり；Ｚ^１１が単結合であり；そしてＷが−（ＣＨ_２）_２−である、請求項３に記載の化合物。
19. 式（２−６）で示され；Ｒａが炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、そしてＲｂが炭素数１〜１０のアルコキシであり；Ａ^１、Ａ^１１およびＡ^１２が共に１，４−シクロヘキシレンであり；Ｚ^１１およびＺ^１２が単結合であり；そしてＷが−（ＣＨ_２）_２−または−ＣＨ_２Ｏ−である、請求項３に記載の化合物。
20. 請求項１に記載の化合物の少なくとも１つを含有し、少なくとも１つの光学活性化合物を含有してもよい液晶組成物。
21. 請求項１に記載の化合物の少なくとも１つと、式（３）、式（４）および式（５）のそれぞれで表される化合物からなる群から選択される少なくとも１つの化合物とを含有し、少なくとも１つの光学活性化合物を含有してもよい液晶組成物：
    

    

    ここに、Ｒ^１は炭素数１〜１０のアルキルであり；このアルキルにおいて、任意の−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、任意の−（ＣＨ_２）_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられてもよく、そして任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく；Ｘ^１はフッ素、塩素、−ＯＣＦ_３、−ＯＣＨＦ_２、−ＣＦ_３、−ＣＨＦ_２、−ＣＨ_２Ｆ、−ＯＣＦ_２ＣＨＦ_２、または−ＯＣＦ_２ＣＨＦＣＦ_３であり；Ｂ^１およびＤは独立して１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイルまたは少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレンであり；Ｅは１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、または少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレンであり；Ｚ^４およびＺ^５は独立して−（ＣＨ_２)_２−、−（ＣＨ_２)_４−、−ＣＯＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−または単結合であり；そして、Ｌ^１およびＬ^２は独立して水素またはフッ素である。
22. 請求項１に記載の化合物の少なくとも１つと、式（６−１）、式（６−２）および式（７）のそれぞれで表される化合物からなる群から選択される少なくとも１つの化合物とを含有し、少なくとも１つの光学活性化合物を含有してもよい液晶組成物：
    

    

    ここに、Ｒ^２およびＲ^３は独立して炭素数１〜１０のアルキルであり；このアルキルにおいて、任意の−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、任意の−（ＣＨ_２)_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられてもよく、そして任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく；Ｘ^２は−ＣＮまたは−Ｃ≡Ｃ−ＣＮであり；Ｇは１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイルまたはピリミジン−２，５−ジイルであり；Ｊは１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、ピリミジン−２，５−ジイル、または少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレンであり；Ｚ^６は−（ＣＨ_２)_２−、−ＣＯＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−または単結合であり；Ｌ^３、Ｌ^４およびＬ^５は独立して水素またはフッ素であり；そしてｂ、ｃおよびｄは独立して０または１である。
23. 請求項１に記載の化合物の少なくとも１つと、式（８）、式（９）、式（１０）、式（１１）、および式（１２）のそれぞれで表される化合物からなる群から選択される少なくとも１つの化合物とを含有し、少なくとも１つの光学活性化合物を含有してもよい液晶組成物：
    

    

    ここに、Ｒ^４は炭素数１〜１０のアルキルであり、そしてＲ^５はフッ素または炭素数１〜１０のアルキルであり；これらのアルキルにおいて、任意の−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、任意の−（ＣＨ_２)_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられてもよく、そして任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく；ＭおよびＰ^１は独立して１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレンまたはデカヒドロ−２，６−ナフチレンであり；Ｚ^７およびＺ^８は独立して−（ＣＨ_２)_２−、−ＣＯＯ−または単結合であり；Ｌ^６およびＬ^７は独立して水素またはフッ素であり；そして、Ｌ^６とＬ^７の少なくとも１つはフッ素である。
24. 請求項１に記載の化合物の少なくとも１つと、式（１３）、式（１４）および式（１５）のそれぞれで表される化合物からなる群から選択される少なくとも１つの化合物とを含有し、少なくとも１つの光学活性化合物を含有してもよい液晶組成物：
    

    

    ここに、Ｒ^６およびＲ^７は独立して炭素数１〜１０のアルキルであり；このアルキルにおいて、任意の−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、任意の−（ＣＨ_２)_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられてもよく、そして任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく；Ｑ、ＴおよびＵは独立して１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、ピリミジン−２、５−ジイル、または少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレンであり；そして、Ｚ^９およびＺ^１０は独立して−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ_２Ｏ−または単結合である。
25. 式（６−１）、式（６−２）および式（７）のそれぞれで表される化合物からなる群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、請求項２１に記載の液晶組成物：
    

    

    ここに、Ｒ^２およびＲ^３は独立して炭素数１〜１０のアルキルであり；このアルキルにおいて、任意の−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、任意の−（ＣＨ_２)_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられてもよく、そして任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく；Ｘ^２は−ＣＮまたは−Ｃ≡Ｃ−ＣＮであり；Ｇは１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイルまたはピリミジン−２，５−ジイルであり；Ｊは１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、ピリミジン−２，５−ジイル、または少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレンであり；Ｚ^６は−（ＣＨ_２)_２−、−ＣＯＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−または単結合であり；Ｌ^３、Ｌ^４およびＬ^５は独立して水素またはフッ素であり；そしてｂ、ｃおよびｄは独立して０または１である。
26. 式（１３）、式（１４）および式（１５）のそれぞれで表される化合物からなる群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、請求項２１に記載の液晶組成物：
    

    

    ここに、Ｒ^６およびＲ^７は独立して炭素数１〜１０のアルキルであり；このアルキルにおいて、任意の−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、任意の−（ＣＨ_２)_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられてもよく、そして任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく；Ｑ、ＴおよびＵは独立して１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、ピリミジン−２、５−ジイル、または少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレンであり；そして、Ｚ^９およびＺ^１０は独立して−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ_２Ｏ−または単結合である。
27. 式（１３）、式（１４）および式（１５）のそれぞれで表される化合物からなる群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、請求項２２に記載の液晶組成物：
    

    

    ここに、Ｒ^６およびＲ^７は独立して炭素数１〜１０のアルキルであり；このアルキルにおいて、任意の−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、任意の−（ＣＨ_２)_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられてもよく、そして任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく；Ｑ、ＴおよびＵは独立して１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、ピリミジン−２、５−ジイル、または少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレンであり；そして、Ｚ^９およびＺ^１０は独立して−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ_２Ｏ−または単結合である。
28. 式（１３）、式（１４）および式（１５）のそれぞれで表される化合物からなる群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、請求項２３に記載の液晶組成物：
    

    

    ここに、Ｒ^６およびＲ^７は独立して炭素数１〜１０のアルキルであり；このアルキルにおいて、任意の−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、任意の−（ＣＨ_２)_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられてもよく、そして任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく；Ｑ、ＴおよびＵは独立して１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、ピリミジン−２、５−ジイル、または少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレンであり；そして、Ｚ^９およびＺ^１０は独立して−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ_２Ｏ−または単結合である。
29. 液晶表示素子を製造するための、請求項２０〜２８のいずれか１項に記載の液晶組成物の使用。
30. 請求項２０〜２８のいずれか１項に記載の液晶組成物を含有する液晶表示素子。