JP4214604B2 - 誘電率異方性が負の値を有するチオエーテル化合物、液晶組成物および液晶表示素子 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は主として液晶表示素子、例えば垂直配向方式、ＩＰＳ（インプレインスイッチング）、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）、ＴＮ（捻れネマティック）、またはＳＴＮ（超捻れネマティック）などの各種表示方式、とりわけ垂直配向方式およびＩＰＳ用の液晶組成物に好適な新規な液晶化合物、およびこれを用いた好適な諸物性を有する液晶組成物、並びにこの液晶組成物を用いた液晶表示素子に関する。なお、本願において、液晶性化合物なる用語は、液晶相を示す化合物および液晶相を示さないが液晶組成物の構成成分として有用である化合物の総称として用いられる。
【０００２】
【従来の技術】
従来、様々な液晶表示方式が提案されてきた。それらの一例として、つぎのような表示方式が挙げられる（液晶の最新技術、工業調査会編（１９８３））。誘電率異方性値が正の液晶組成物を利用する方式として、ＴＮ、ＳＴＮ、またはＴＮをベースにしたＡＭ（能動マトリックス）｛ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）またはＭＩＭ（金属・絶縁膜・金属）｝などの方式がある。また、誘電率異方性値が負の液晶組成物を利用する方式として、電界制御複屈折効果（ＥＣＢ）｛ＨＡＮ（ハイブリッド分子配列）またはＤＡＰ（垂直分子配列）など｝、ＤＳ（動的散乱）、ＧＨ（ゲストホスト）またはＰＣ（相転移）などの方式がある。
これらの方式のうち、現在、実用化されているものの主流は誘電率異方性値（Δε）が正の液晶組成物を利用する方式である。これに比べると誘電率異方性値が負の液晶組成物を利用する方法については、実用化の程度が遅れている。このことと関連して、誘電率異方性値が負の液晶組成物やこれに用いる化合物自体の開発も、誘電率異方性値が正の液晶組成物やこれに用いる化合物の開発と比較すると、十分ではない状況にある。
【０００３】
このような状況の中、最近特に、液晶表示の欠点の一つである狭い視野角を広くするための改善の試みが盛んに行われるようになってきた。その方式の一つが、ＩＰＳ方式である（R.Kieferら、JAPAN DISPLAY '92, 547(1992)、M.Oh-eら、ASIA DISPLAY '95, 577(1995)、特表平５−５０５２４７号公報、特開平７−１２８６４７号公報など参照）。
ＩＰＳ方式の特徴の一つは、従来の液晶パネルでは上下の基盤上にそれぞれ電極が設けられていたのに対し、この方式の液晶パネルでは片側の基盤上のみ、くし歯形電極が設けられている点である。そしてこの方式のもう一つの特徴は、誘電率異方性値の正負に関係なく、液晶組成物を利用できる点である。
また、視野角を改善する試みのもう一つの例として、液晶分子の垂直配向を利用した方式が挙げられる（特開平２−１７６６２５号公報など参照）。この方式の特徴の一つは、誘電率異方性値が負の液晶組成物を使用することである。
このような背景から、誘電率異方性値が負である液晶性化合物並びに液晶組成物が強く要望されるようになってきた。
【０００４】
ところで、すべての表示方式において、用いられる液晶組成物は、適切な誘電率異方性値のみならず、その他の特性、例えば屈折率異方性値Δｎ、弾性定数比Ｋ33／Ｋ11（ここでＫ33はベンド弾性定数を、Ｋ11はスプレイ弾性定数をそれぞれ意味する）など諸物性も最適な値に調整する必要があり、更にまた液晶相が適当な温度範囲にあること、および低温においても低粘度であることなどが要求されている。
しかし、単独でこれらの条件をすべて満足する公知の液晶性化合物はないので、液晶材料として使用できる組成物は、通常、数種類から数十種類の液晶相を有する化合物を混合して調製されている。また、必要に応じて、数種類の液晶相を有しない化合物をこの液晶混合物に添加して調製されることもある。従って、個々の液晶性化合物は、他の液晶性化合物との相溶性が良好なこと、低温環境下での使用の要求から低温域での相溶性が良好であることなどの特性も要求されている。
【０００５】
しかしながら、前述したように従来の表示方式は誘電率異方性値が正である液晶組成物を用いたものが主流であるため、誘電率異方性値が負である化合物や組成物についてはその開発が充分であるとは言えない。
このように多様化する表示方式やそれに伴う材料への様々な特性要求に対する対応が不充分である。例えば、
・誘電率異方性値が負であっても、その絶対値が小さい、
・相溶性が悪いので多量に用いることができない、
・屈折率異方性値の自由な設定が困難である、
・粘度が大きい、
・化学的・物理的安定性が悪い、
などという問題がある。
【０００６】
誘電率異方性値が負である液晶性化合物の一例として、特開昭５７−１１４５３２に開示される２，３−ジフルオロフェニレン骨格を有する液晶性化合物が挙げられる。しかし、それらの化合物の負の誘電率異方性値（絶対値）は充分に大きくはなく、また、相溶性、屈折率異方性値の自由度、化学的・物理的安定性などの特性もすべて満足できるものではなく、さらなる改善が求められている。
一方、特開昭６４−３６６８３にチオエーテル結合を部分構造に有する液晶性化合物開示されている。しかし、それらは強誘電性液晶を意図したものであり、例えばＴＮ、ＳＴＮ、ＴＦＴなどに代表されるような表示方式に用いられるネマチック液晶を意図したものではなく、また、負の誘電率異方性値の絶対値を大きくするものではない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、特開平２−１７６６２５号公報に記載されているような垂直配向、ＩＰＳ、ＥＣＢ（ＨＡＮまたはＤＡＰなど）、ＤＳ、ＧＨ、ＰＣなどの各種表示方式、すなわち誘電率異方性値が負である液晶材料を用いる表示方式に使用できる液晶性化合物や組成物を提供することにある。また別の目的は、ＴＮ、ＳＴＮまたはＴＮをベースにしたＡＭ（ＴＦＴまたはＭＩＭ）などの方式、すなわち誘電率異方性値が正である液晶を用いる各種表示方式に使用する液晶組成物の諸特性を調整できる液晶性化合物を提供することにある。さらに別の目的は、前述の表示方式の改善された液晶表示素子を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために本発明者らは鋭意研究した結果、分子中にチオエーテル結合と２，３−ジフルオロフェニレンとを同時に有する特定の化合物が、絶対値の大きな負の誘電率異方性値を有するのみならず、適切な屈折率異方性値を有し、良好な相溶性と高い化学的安定性ならびに物理的安定性を有することを見出し、本発明の液晶性化合物、液晶組成物および液晶表示素子を完成させるに至った。
【０００９】
本発明の液晶性化合物は、つぎの〔１〕〜〔６〕項で示される。
〔１〕 一般式（１）
【化６】
（式中、Ｒ1およびＲ2は互いに独立して１〜１５個の炭素原子を有するアルキル基を表わし、このアルキル基中の相隣接しない任意のメチレンは酸素原子、硫黄原子、−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−で置換されていてもよく、またこのアルキル基中の任意の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよい。環Ａ1および環Ａ2は互いに独立して、トランス−１，４−シクロヘキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、トランス−１，４−シラシクロヘキシレン、１，４−フェニレン、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、３−フルオロ−１，４−フェニレン、ピリミジン−２，５−ジイル、ピリジン−２，５−ジイル、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、１，３−ジチアン−２，５−ジイルまたはテトラヒドロチオピラン−２，５−ジイルを表わす。Ｘは−ＣＨ2Ｓ−、−ＳＣＨ2−、−ＣＦ2Ｓ−または−ＳＣＦ2−を表わし、ｍは０または１である。）で示される液晶性化合物。
〔２〕 〔１〕項において、環Ａ1および環Ａ2が互いに独立して、トランス−１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレンまたは３−フルオロ−１，４−フェニレンである液晶性化合物。
〔３〕 〔１〕項において、環Ａ1がトランス−１，４−シクロヘキシレンであり、ｍが１である液晶性化合物。
〔４〕 〔３〕項において、環Ａ2がトランス−１，４−シクロヘキシレンである液晶性化合物。
〔５〕 〔３〕項において、Ｘが−ＣＨ2Ｓ−または−ＳＣＨ2−である液晶性化合物。
〔６〕 〔４〕項において、Ｘが−ＣＨ2Ｓ−または−ＳＣＨ2−である液晶性化合物。
【００１０】
本発明の液晶組成物は、つぎの〔７〕〜〔１６〕項で示される。
〔７〕 前記一般式〔１〕で示される液晶性化合物からなる第一成分を含む、少なくとも二成分からなる液晶組成物。
〔８〕 一般式（２）、（３）および（４）で示される化合物群から選択された少なくとも一つの化合物からなる（ｂ）成分
【化７】
（式中、 Ｒ3は１〜１０個の炭素原子を有するアルキル基を表わし、このアルキル基中の相隣接しない任意のメチレンは酸素原子または−ＣＨ＝ＣＨ−で置換されていてもよく、またこのアルキル基中の任意の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよい。Ｙ1はフッ素原子、塩素原子、−ＯＣＦ3、−ＯＣＦ2Ｈ、−ＣＦ3、−ＣＦ2Ｈ、−ＣＦＨ2、−ＯＣＦ2ＣＦ2Ｈまたは−ＯＣＦ2ＣＦＨＣＦ3を表わし、 Ｌ1およびＬ2は互いに独立して水素原子またはフッ素原子を表わす。 Ｚ1およびＺ2は互いに独立してエチレン、ビニレン、１，４−ブチレン、−ＣＯＯ−、−ＣＦ2Ｏ−、−ＯＣＦ2−または単結合を表わす。環Ｂはトランス−１，４−シクロヘキシレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイルまたは水素原子がフッ素原子で置換されていてもよい１，４−フェニレンを表わし、環Ｃはトランス−１，４−シクロヘキシレン、または水素原子がフッ素原子で置換されていてもよい１，４−フェニレンを表わす。）；
【００１１】
一般式（５）および（６）で示される化合物群から選択された少なくとも一つの化合物からなる（ｃ）成分
【化８】
（式中、 Ｒ4およびＲ5は互いに独立して１〜１０個の炭素原子を有するアルキル基を表わし、このアルキル基中の相隣接しない任意のメチレンは酸素原子またはビニレンで置換されていてもよく、またこのアルキル基中の任意の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよい。 Ｙ2は−ＣＮまたは−Ｃ≡Ｃ−ＣＮを表わす。環Ｄはトランス−１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、ピリミジン−２，５−ジイルまたは１，３−ジオキサン−２，５−ジイルを表わし、環Ｅはトランス−１，４−シクロヘキシレン、またはそれぞれの水素原子がフッ素原子で置換されていてもよい１，４−フェニレン、ピリミジン−２，５−ジイルもしくはピリジン−２，５−ジイルを表わし、環Ｆはトランス−１，４−シクロヘキシレンもしくは１，４−フェニレンを表わす。Ｚ3はエチレン、−ＣＯＯ−または単結合を表わし、 Ｌ3、 Ｌ4およびＬ5は互いに独立して水素原子またはフッ素原子を表わす。ａ、ｂおよびｃは互いに独立して０または１である。）；
【００１２】
一般式（７）、（８）および（９）からなる化合物群から選択された少なくとも一つの化合物からなる（ｄ）成分
【化９】
（式中、Ｒ6およびＲ7は互いに独立して１〜１０個の炭素原子を有するアルキル基を表わし、このアルキル基中の相隣接しない任意のメチレンは酸素原子またはビニレンで置換されていてもよく、またこのアルキル基中の任意の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよい。環Ｇ、環Ｉおよび環Ｊは互いに独立してトランス−１，４−シクロヘキシレン、ピリミジン−２，５−ジイル、または一つの水素原子がフッ素原子で置換されていてもよい１，４−フェニレンを表わす。Ｚ4およびＺ5は互いに独立してエチレン、ビニレン、−ＣＯＯ−、−Ｃ≡Ｃ−または単結合を表わす。）；
および
【００１３】
一般式（１０）、（１１）および（１２）で示される化合物群から選択された少なくとも一つの化合物からなる（ｅ）成分
【化１０】
（式中、 Ｒ8およびＲ9は互いに独立して１〜１０個の炭素原子を有するアルキル基を表わし、このアルキル基中の相隣接しない任意のメチレンは酸素原子もしくはビニレンで置換されていてもよく、またこのアルキル基中の任意の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよい。環Ｋおよび環Ｍは互いに独立してトランス−１，４−シクロヘキシレンまたは１，４−フェニレンを表わす。Ｌ6およびＬ7は互いに独立して水素原子もしくはフッ素原子を示すが、同時に水素原子であることはない。また、Ｚ6およびＺ7は互いに独立して−ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2Ｏ−または単結合を表わす。）；
からなる４成分から選択された少なくとも一成分と前記一般式（１）で示される液晶性化合物からなる第一成分とを含む液晶組成物
【００１４】
〔９〕 前記第一成分および前記（ｂ）成分の二成分を含む前記〔８〕項記載の液晶組成物。
〔１０〕 前記第一成分および前記（ｃ）成分の二成分を含む前記〔８〕項記載の液晶組成物。
〔１１〕 前記第一成分および前記（ｄ）成分の二成分を含む前記〔８〕項記載の液晶組成物。
〔１２〕 前記第一成分および前記（ｅ）成分の二成分を含む前記〔８〕項記載の液晶組成物。
〔１３〕 前記第一成分、前記（ｄ）成分および前記（ｅ）成分の三成分を含む前記〔８〕項記載の液晶組成物。
〔１４〕 前記第一成分、前記（ｄ）成分および前記（ｂ）成分の三成分を含む前記〔８〕項記載の液晶組成物。
〔１５〕 前記第一成分、前記（ｄ）成分および前記（ｃ）成分の三成分を含む前記〔８〕項記載の液晶組成物。
〔１６〕 前記第一成分、前記（ｄ）成分、前記（ｂ）成分、前記（ｃ）成分の四成分を含む前記〔８〕項記載の液晶組成物。
【００１５】
本発明の光学活性化合物を含有する液晶組成物は、つぎの〔１７〕項で示される。
〔１７〕〔７〕〜〔１６〕項のいずれか一項に記載の液晶組成物および光学活性化合物からなる光学活性化合物を含有する液晶組成物。
【００１６】
本発明の液晶表示素子は、つぎの〔１８〕項で示される。
〔１８〕 〔７〕〜〔１７〕）項のいずれか一項に記載の液晶組成物を含む液晶表示素子。
【００１７】
前記〔１２〕項および〔１３〕項に記載される発明は、Ｎ型（Δεが負）の液晶組成物に関する発明である。Ｎ型の液晶組成物は、例えば特開平２−１７６６２５号公報に記載されているような垂直配向方式や、ＩＰＳ方式など種々の表示方式で駆動できる。
また、〔９〕、〔１０〕、〔１１〕、〔１４〕、〔１５〕および〔１６〕項に記載される発明は、Ｐ型（Δεが正）の液晶組成物に関する発明であるが、このようなＰ型液晶組成物の成分としてＮ型の化合物を使用することもできる。このことによって、誘電率異方性値を液晶組成物の使用目的に応じて自由に設定できるのみならず、その他の特性、例えば液晶組成物の屈折率異方性値や弾性定数のコントロールなども可能となる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
本発明の化合物は一般式（１）で示される。好ましい化合物としては、下記の一般式（１−１）〜（１−３９）で示される化合物を挙げることができる。
（式中、Ｒ1およびＲ2は前記と同一の意味を表す。）
【００１９】
【化１１】
【００２０】
【化１２】
【００２１】
【化１３】
【００２２】
一般式（１−１）〜（１−３９）において、Ｒ1およびＲ2は互いに独立して１〜１５のアルキル基であり、このアルキル基中の相隣接しない任意のメチレンは酸素原子、硫黄原子、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−で置換されていてもよく、またこのアルキル基中の任意の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよい。
その中でも特に好ましい基は、−ＣＨ3、−Ｃ2Ｈ5、−Ｃ3H7、−Ｃ4Ｈ9、
−Ｃ5Ｈ11、−Ｃ6Ｈ13、−Ｃ7Ｈ15、−Ｃ8Ｈ17、−Ｃ9Ｈ19、
−Ｃ10Ｈ21、−Ｃ11Ｈ23、−Ｃ12Ｈ25、−ＣＦＨ2、−ＣＦ2Ｈ、
−ＣＦ3、−ＣＨ2ＣＨ2Ｆ、−ＣＨ2ＣＨＦ2、−ＣＨ2ＣＦ3、
−ＣＦ2ＣＨ3、−ＣＦ2ＣＦ2Ｈ、−ＣＦＨＣＦ3、−ＣＦ2ＣＦ3、
−（ＣＨ2）2ＣＨ2Ｆ、−（ＣＨ2）2ＣＨＦ2、−（ＣＨ2）2ＣＦ3、
−ＣＨ2ＣＦ2ＣＨ3、−ＣＨ2ＣＦ2ＣＦ3、−ＣＦ2Ｃ2Ｈ5、−Ｃ3Ｆ7、
−ＣＦ2ＣＦＨＣＦ3、−（ＣＨ2）3ＣＨ2Ｆ、−（ＣＨ2）4ＣＨ2Ｆ、
−（ＣＨ2）5ＣＨ2Ｆ、−ＣＦ2Ｃ3Ｈ7、−ＣＨ2ＣＦ2Ｃ2Ｈ5、
−（ＣＨ2）2ＣＦ2ＣＨ3、−ＣＦ2Ｃ4Ｈ9、−ＣＨ2ＣＦ2ＣＨ3、
−（ＣＨ2）2ＣＦ2Ｃ2Ｈ5、−（ＣＨ2）3ＣＦ2ＣＨ3、
【００２３】
−ＯＣＨ3、−ＯＣ2Ｈ5、−ＯＣ3H7、−ＯＣ4Ｈ9、−ＯＣ5Ｈ11、
−ＯＣ6Ｈ13、−ＯＣ7Ｈ15、−ＯＣ8Ｈ17、−ＯＣ9Ｈ19、
−ＯＣ10Ｈ21、−ＯＣ11Ｈ23、−ＯＣ12Ｈ25、−ＯＣＦＨ2、
−ＯＣＦ2Ｈ、−ＯＣＦ3、−ＯＣＨ2ＣＨ2Ｆ、−ＯＣＨ2ＣＨＦ2、
−ＯＣＨ2ＣＦ3、−ＯＣＦ2ＣＨ3、−ＯＣＦ2ＣＦ2Ｈ、−ＯＣＦＨＣＦ3、
−ＯＣＦ2ＣＦ3、−Ｏ（ＣＨ2）2ＣＨ2Ｆ、−Ｏ（ＣＨ2）2ＣＨＦ2、
−Ｏ（ＣＨ2）2ＣＦ3、−ＯＣＨ2ＣＦ2ＣＨ3、−ＯＣＨ2ＣＦ2ＣＦ3、
−ＯＣＦ2Ｃ2Ｈ5、−ＯＣ3Ｆ7、−ＯＣＦ2ＣＦＨＣＦ3、
−Ｏ（ＣＨ2）3ＣＨ2Ｆ、−Ｏ（ＣＨ2）4ＣＨ2Ｆ、
−Ｏ（ＣＨ2）5ＣＨ2Ｆ、−ＯＣＦ2Ｃ3Ｈ7、−ＯＣＨ2ＣＦ2Ｃ2Ｈ5、
−Ｏ（ＣＨ2）2ＣＦ2ＣＨ3、−ＯＣＦ2Ｃ4Ｈ9、−ＯＣＨ2ＣＦ2ＣＨ3、
−Ｏ（ＣＨ2）2ＣＦ2Ｃ2Ｈ5、−Ｏ（ＣＨ2）3ＣＦ2ＣＨ3、
【００２４】
−ＳＣＨ3、−ＳＣ2Ｈ5、−ＳＣ3H7、−ＳＣ4Ｈ9、−ＳＣ5Ｈ11、
−ＳＣ6Ｈ13、−ＳＣ7Ｈ15、−ＳＣ8Ｈ17、−ＳＣ9Ｈ19、
−ＳＣ10Ｈ21、−ＳＣ11Ｈ23、−ＳＣ12Ｈ25、−ＳＣＦＨ2、
−ＳＣＦ2Ｈ、−ＳＣＦ3、−ＳＣＨ2ＣＨ2Ｆ、−ＳＣＨ2ＣＨＦ2、
−ＳＣＨ2ＣＦ3、−ＳＣＦ2ＣＨ3、−ＳＣＦ2ＣＦ2Ｈ、−ＳＣＦＨＣＦ3、
−ＳＣＦ2ＣＦ3、−Ｓ（ＣＨ2）2ＣＨ2Ｆ、−Ｓ（ＣＨ2）2ＣＨＦ2、
−Ｓ（ＣＨ2）2ＣＦ3、−ＳＣＨ2ＣＦ2ＣＨ3、−ＳＣＨ2ＣＦ2ＣＦ3、
−ＳＣＦ2Ｃ2Ｈ5、−ＳＣ3Ｆ7、−ＳＣＦ2ＣＦＨＣＦ3、
−Ｓ（ＣＨ2）3ＣＨ2Ｆ、−Ｓ（ＣＨ2）4ＣＨ2Ｆ、
−Ｓ（ＣＨ2）5ＣＨ2Ｆ、−ＳＣＦ2Ｃ3Ｈ7、−ＳＣＨ2ＣＦ2Ｃ2Ｈ5、
−Ｓ（ＣＨ2）2ＣＦ2ＣＨ3、−ＳＣＦ2Ｃ4Ｈ9、−ＳＣＨ2ＣＦ2ＣＨ3、
−Ｓ（ＣＨ2）2ＣＦ2Ｃ2Ｈ5、−Ｓ（ＣＨ2）3ＣＦ2ＣＨ3、
【００２５】
−ＣＨ＝ＣＨ2、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ3、−ＣＨ＝ＣＨＣ2Ｈ5、
−ＣＨ＝ＣＨＣ3Ｈ7、−ＣＨ＝ＣＨＣ4Ｈ9、−ＣＨ2ＣＨ＝ＣＨＣＨ3、
−ＣＨ2ＣＨ＝ＣＨＣ2Ｈ5、−ＣＨ2ＣＨ＝ＣＨＣ3Ｈ7、
−ＣＨ2ＣＨ＝ＣＨＣ4Ｈ9、−（ＣＨ2）2ＣＨ＝ＣＨＣＨ3、
−（ＣＨ2）2ＣＨ＝ＣＨＣ2Ｈ5、−（ＣＨ2）2ＣＨ＝ＣＨＣ3Ｈ7、
−（ＣＨ2）2ＣＨ＝ＣＨＣ4Ｈ9、−ＣＨ2ＣＨ＝ＣＨ2、
−（ＣＨ2）2ＣＨ＝ＣＨ2、−（ＣＨ2）3ＣＨ＝ＣＨ2、
−（ＣＨ2）4ＣＨ＝ＣＨ2、−（ＣＨ2）5ＣＨ＝ＣＨ2、
−ＣＨ＝ＣＨＣＨ＝ＣＨ2、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ2ＣＨ＝ＣＨ2、
−ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ2）2ＣＨ＝ＣＨ2、−ＣＨ＝ＣＨ(ＣＨ2）3ＣＨ＝ＣＨ2、
−ＣＨ2ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ2）2ＣＨ＝ＣＨ2、
−（ＣＨ2）2ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ2）2ＣＨ＝ＣＨ2、
【００２６】
−ＣＦ＝ＣＦ2、−ＣＨ＝ＣＦ2、−ＣＨ＝ＣＨＦ、− ＣＨ2ＣＦ＝ＣＦ2、
− ＣＨ2ＣＨ＝ＣＦ2、− ＣＨ2ＣＨ＝ＣＨＦ、−（ＣＨ2）2ＣＨ ＝ＣＦ2、
−（ＣＨ2）2ＣＨ ＝ＣＨＦ、−（ＣＨ2）3ＣＨ ＝ＣＦ2、
−（ＣＨ2）3ＣＨ ＝ＣＨＦ、−（ＣＨ2）4ＣＨ ＝ＣＦ2、
−（ＣＨ2）4ＣＨ ＝ＣＨＦ、−（ＣＨ2）5ＣＨ ＝ＣＦ2、
−（ＣＨ2）5ＣＨ ＝ＣＨＦ、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ2ＣＨ2Ｆ、
−ＣＨ＝ＣＨＣＨ2ＣＨＦ2、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ2ＣＦ3、
−ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ2）2ＣＨ2Ｆ、−ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ2）2ＣＨＦ2、
−ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ2）2ＣＦ3、−ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ2）3ＣＨ2Ｆ、
−ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ2）3ＣＨＦ2、−ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ2）3ＣＦ3、
−ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ2）4ＣＨ2Ｆ、−ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ2）4ＣＨＦ2、
−ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ2）4ＣＦ3、− ＣＨ2ＣＨ ＝ＣＨＣＨ2ＣＨ2Ｆ、
− ＣＨ2ＣＨ ＝ＣＨ（ＣＨ2）2ＣＨ2Ｆ、
−（ＣＨ2）2ＣＨ ＝ＣＨＣＨ2ＣＨ2Ｆ、
−（ＣＨ2）2ＣＨ ＝ＣＨ（ＣＨ2）2ＣＨ2Ｆ、
−ＣＨ＝ＣＨＣＨ2ＣＨ＝ＣＦ2、−ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ2）2ＣＨ＝ＣＦ2、
−ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ2）2ＣＦ ＝ＣＦ2、
−ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ2）3ＣＨＦＣF3、
【００２７】
−ＯＣＨ2ＣＨ＝ＣＨＣＨ3、−ＯＣＨ2ＣＨ＝ＣＨＣ2Ｈ5、
−ＯＣＨ2ＣＨ＝ＣＨＣ3Ｈ7、−ＯＣＨ2ＣＨ＝ＣＨＣ4Ｈ9、
−Ｏ（ＣＨ2）2ＣＨ＝ＣＨＣＨ3、−Ｏ（ＣＨ2）2ＣＨ＝ＣＨＣ2Ｈ5、
−Ｏ（ＣＨ2）2ＣＨ＝ＣＨＣ3Ｈ7、−Ｏ（ＣＨ2）2ＣＨ＝ＣＨＣ4Ｈ9、
−ＯＣＨ2ＣＨ＝ＣＨ2、−Ｏ（ＣＨ2）2ＣＨ＝ＣＨ2、
−Ｏ（ＣＨ2）3ＣＨ＝ＣＨ2、−Ｏ（ＣＨ2）4ＣＨ＝ＣＨ2、
−Ｏ（ＣＨ2）5ＣＨ＝ＣＨ2、−ＯＣＨ2ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ2）2ＣＨ＝ＣＨ2、
−Ｏ（ＣＨ2）2ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ2）2ＣＨ＝ＣＨ2、
【００２８】
−ＳＣＨ2ＣＨ＝ＣＨＣＨ3、−ＳＣＨ2ＣＨ＝ＣＨＣ2Ｈ5、
−ＳＣＨ2ＣＨ＝ＣＨＣ3Ｈ7、−ＳＣＨ2ＣＨ＝ＣＨＣ4Ｈ9、
−Ｓ（ＣＨ2）2ＣＨ＝ＣＨＣＨ3、−Ｓ（ＣＨ2）2ＣＨ＝ＣＨＣ2Ｈ5、
−Ｓ（ＣＨ2）2ＣＨ＝ＣＨＣ3Ｈ7、−Ｓ（ＣＨ2）2ＣＨ＝ＣＨＣ4Ｈ9、
−ＳＣＨ2ＣＨ＝ＣＨ2、−Ｓ（ＣＨ2）2ＣＨ＝ＣＨ2、
−Ｓ（ＣＨ2）3ＣＨ＝ＣＨ2、−Ｓ（ＣＨ2）4ＣＨ＝ＣＨ2、
−Ｓ（ＣＨ2）5ＣＨ＝ＣＨ2、−ＳＣＨ2ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ2）2ＣＨ＝ＣＨ2、
−Ｓ（ＣＨ2）2ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ2）2ＣＨ＝ＣＨ2、
【００２９】
− ＯＣＨ2ＣＦ＝ＣＦ2、−ＯＣＨ2ＣＨ＝ＣＦ2、−ＯＣＨ2ＣＨ＝ＣＨＦ、
−Ｏ（ＣＨ2）2ＣＨ ＝ＣＦ2、−Ｏ（ＣＨ2）2ＣＨ ＝ＣＨＦ、
−Ｏ（ＣＨ2）3ＣＨ ＝ＣＦ2、−Ｏ（ＣＨ2）3ＣＨ ＝ＣＨＦ、
−Ｏ（ＣＨ2）4ＣＨ ＝ＣＦ2、−Ｏ（ＣＨ2）4ＣＨ ＝ＣＨＦ、
−Ｏ（ＣＨ2）5ＣＨ ＝ＣＦ2、−Ｏ（ＣＨ2）5ＣＨ ＝ＣＨＦ、
−Ｏ ＣＨ2ＣＨ ＝ＣＨＣＨ2ＣＨ2Ｆ、
−Ｏ（ＣＨ2）2ＣＨ ＝ＣＨ（ＣＨ2）2ＣＨ2Ｆ、
−Ｏ（ＣＨ2）2ＣＨ ＝ＣＨＣＨ2ＣＨ2Ｆ、
【００３０】
−ＳＣＨ2ＣＦ＝ＣＦ2、−ＳＣＨ2ＣＨ＝ＣＦ2、−ＳＣＨ2ＣＨ＝ＣＨＦ、
−Ｓ（ＣＨ2）2ＣＨ ＝ＣＦ2、−Ｓ（ＣＨ2）2ＣＨ ＝ＣＨＦ、
−Ｓ（ＣＨ2）3ＣＨ ＝ＣＦ2、−Ｓ（ＣＨ2）3ＣＨ ＝ＣＨＦ、
−Ｓ（ＣＨ2）4ＣＨ ＝ＣＦ2、−Ｓ（ＣＨ2）4ＣＨ ＝ＣＨＦ、
−Ｓ（ＣＨ2）5ＣＨ ＝ＣＦ2、−Ｓ（ＣＨ2）5ＣＨ ＝ＣＨＦ、
−Ｓ ＣＨ2ＣＨ ＝ＣＨＣＨ2ＣＨ2Ｆ、
−Ｓ（ＣＨ2）2ＣＨ ＝ＣＨ（ＣＨ2）2ＣＨ2Ｆ、
−Ｓ（ＣＨ2）2ＣＨ ＝ＣＨＣＨ2ＣＨ2Ｆ、
【００３１】
−Ｃ≡ＣＨ、−Ｃ≡ＣＣＨ3、−Ｃ≡ＣＣ2Ｈ5、−Ｃ≡ＣＣ3Ｈ7、
−Ｃ≡ＣＣ4Ｈ9、−ＣＨ2Ｃ≡ＣＨ、−ＣＨ2Ｃ≡ＣＣＨ3、
−ＣＨ2Ｃ≡ＣＣ2Ｈ5、−ＣＨ2Ｃ≡ＣＣ3Ｈ7、−ＣＨ2Ｃ≡ＣＣ4Ｈ9、
−（ＣＨ2）2Ｃ≡ＣＨ、−（ＣＨ2）2Ｃ≡ＣＣＨ3、
−（ＣＨ2）2Ｃ≡ＣＣ2Ｈ5、−（ＣＨ2）2Ｃ≡ＣＣ3Ｈ7、
−（ＣＨ2）2Ｃ≡ＣＣ4Ｈ9、−（ＣＨ2）3Ｃ≡ＣＨ、
−（ＣＨ2）3Ｃ≡ＣＣＨ3、−（ＣＨ2）3Ｃ≡ＣＣ2Ｈ5、
−（ＣＨ2）3Ｃ≡ＣＣ3Ｈ7、−（ＣＨ2）3Ｃ≡ＣＣ4Ｈ9、−Ｃ≡ＣＣＦ3、
−Ｃ≡ＣＣ2Ｆ5、−Ｃ≡ＣＣ3Ｆ7、−ＣＨ2Ｃ≡ＣＣＦ3、
−（ＣＨ2）2Ｃ≡ＣＣＦ3、
【００３２】
−ＯＣＨ2Ｃ≡ＣＨ、−ＯＣＨ2Ｃ≡ＣＣＨ3、−ＯＣＨ2Ｃ≡ＣＣ2Ｈ5、
−ＯＣＨ2Ｃ≡ＣＣ3Ｈ7、−ＯＣＨ2Ｃ≡ＣＣ4Ｈ9、
−Ｏ（ＣＨ2）2Ｃ≡ＣＨ、−Ｏ（ＣＨ2）2Ｃ≡ＣＣＨ3、
−Ｏ（ＣＨ2）2Ｃ≡ＣＣ2Ｈ5、−Ｏ（ＣＨ2）2Ｃ≡ＣＣ3Ｈ7、
−Ｏ（ＣＨ2）2Ｃ≡ＣＣ4Ｈ9、−Ｏ（ＣＨ2）3Ｃ≡ＣＨ、
−Ｏ（ＣＨ2）3Ｃ≡ＣＣＨ3、−Ｏ（ＣＨ2）3Ｃ≡ＣＣ2Ｈ5、
−Ｏ（ＣＨ2）3Ｃ≡ＣＣ3Ｈ7、−Ｏ（ＣＨ2）3Ｃ≡ＣＣ4Ｈ9、
【００３３】
−ＳＣＨ2Ｃ≡ＣＨ、−ＳＣＨ2Ｃ≡ＣＣＨ3、−ＳＣＨ2Ｃ≡ＣＣ2Ｈ5、
−ＳＣＨ2Ｃ≡ＣＣ3Ｈ7、−ＳＣＨ2Ｃ≡ＣＣ4Ｈ9、
−Ｓ（ＣＨ2）2Ｃ≡ＣＨ、−Ｓ（ＣＨ2）2Ｃ≡ＣＣＨ3、
−Ｓ（ＣＨ2）2Ｃ≡ＣＣ2Ｈ5、−Ｓ（ＣＨ2）2Ｃ≡ＣＣ3Ｈ7、
−Ｓ（ＣＨ2）2Ｃ≡ＣＣ4Ｈ9、−Ｓ（ＣＨ2）3Ｃ≡ＣＨ、
−Ｓ（ＣＨ2）3Ｃ≡ＣＣＨ3、−Ｓ（ＣＨ2）3Ｃ≡ＣＣ2Ｈ5、
−Ｓ（ＣＨ2）3Ｃ≡ＣＣ3Ｈ7、−Ｓ（ＣＨ2）3Ｃ≡ＣＣ4Ｈ9、
【００３４】
−ＯＣＨ2Ｃ≡ＣＣＦ3、−Ｏ（ＣＨ2）2Ｃ≡ＣＣＦ3、−ＣＨ2ＯＣＨ3、
−ＣＨ2ＯＣ2Ｈ5、−ＣＨ2ＯＣ3Ｈ7、−ＣＨ2ＯＣ4Ｈ9、
−ＣＨ2ＯＣ5Ｈ11、−（ＣＨ2）2ＯＣＨ3、−（ＣＨ2）2ＯＣ2Ｈ5、
−（ＣＨ2）2ＯＣ3Ｈ7、−（ＣＨ2）2ＯＣ4Ｈ9、
−（ＣＨ2）2ＯＣ5Ｈ11、−（ＣＨ2）3ＯＣＨ3、
−（ＣＨ2）3ＯＣ2Ｈ5、−（ＣＨ2）3ＯＣ3Ｈ7、−（ＣＨ2）3ＯＣ4Ｈ9、
−（ＣＨ2）3ＯＣ5Ｈ11、−（ＣＨ2）4ＯＣＨ3、
【００３５】
−ＳＣＨ2Ｃ≡ＣＣＦ3、−Ｓ（ＣＨ2）2Ｃ≡ＣＣＦ3、−ＣＨ2ＳＣＨ3、
−ＣＨ2ＳＣ2Ｈ5、−ＣＨ2ＳＣ3Ｈ7、−ＣＨ2ＳＣ4Ｈ9、
−ＣＨ2ＳＣ5Ｈ11、−（ＣＨ2）2ＳＣＨ3、−（ＣＨ2）2ＳＣ2Ｈ5、
−（ＣＨ2）2ＳＣ3Ｈ7、−（ＣＨ2）2ＳＣ4Ｈ9、
−（ＣＨ2）2ＳＣ5Ｈ11、−（ＣＨ2）3ＳＣＨ3、−（ＣＨ2）3ＳＣ2Ｈ5、
−（ＣＨ2）3ＳＣ3Ｈ7、−（ＣＨ2）3ＳＣ4Ｈ9、
−（ＣＨ2）3ＳＣ5Ｈ11、−（ＣＨ2）4ＳＣＨ3、
【００３６】
−ＣＦ2ＯＣＨ3、−ＣＦ2ＯＣ2Ｈ5、−ＣＦ2ＯＣ3Ｈ7、
−ＣＦ2ＯＣ4Ｈ9、−ＣＦ2ＯＣ5Ｈ11、−ＣＨ2ＯＣＦ3、
−ＣＨ2ＯＣ2Ｆ5、−ＯＣＨ2ＯＣＨ3、−ＯＣＨ2ＯＣ2Ｈ5、
−ＯＣＨ2ＯＣ3Ｈ7、−ＯＣＨ2ＯＣ4Ｈ9、−ＯＣＨ2ＯＣ5Ｈ11、
−Ｏ（ＣＨ2）2ＯＣＨ3、−Ｏ（ＣＨ2）2ＯＣ2Ｈ5、
−Ｏ（ＣＨ2）2ＯＣ3Ｈ7、−Ｏ（ＣＨ2）2ＯＣ4Ｈ9、
−Ｏ（ＣＨ2）2ＯＣ5Ｈ11、−Ｏ（ＣＨ2）3ＯＣＨ3、
−Ｏ（ＣＨ2）3ＯＣ2Ｈ5、−Ｏ（ＣＨ2）3ＯＣ3Ｈ7、
−Ｏ（ＣＨ2）3ＯＣ4Ｈ9、−Ｏ（ＣＨ2）3ＯＣ5Ｈ11、
−Ｏ（ＣＨ2）4ＯＣＨ3、−ＯＣＨ2ＯＣＦ3、−ＯＣＨ2ＯＣ2Ｆ5、
【００３７】
−ＣＦ2ＳＣＨ3、−ＣＦ2ＳＣ2Ｈ5、−ＣＦ2ＳＣ3Ｈ7、
−ＣＦ2ＳＣ4Ｈ9、−ＣＦ2ＳＣ5Ｈ11、−ＣＨ2ＳＣＦ3、
−ＣＨ2ＳＣ2Ｆ5、−ＳＣＨ2ＳＣＨ3、−ＳＣＨ2ＳＣ2Ｈ5、
−ＳＣＨ2ＳＣ3Ｈ7、−ＳＣＨ2ＳＣ4Ｈ9、−ＳＣＨ2ＳＣ5Ｈ11、
−Ｓ（ＣＨ2）2ＳＣＨ3、−Ｓ（ＣＨ2）2ＳＣ2Ｈ5、
−Ｓ（ＣＨ2）2ＳＣ3Ｈ7、−Ｓ（ＣＨ2）2ＳＣ4Ｈ9、
−Ｓ（ＣＨ2）2ＳＣ5Ｈ11、−Ｓ（ＣＨ2）3ＳＣＨ3、
−Ｓ（ＣＨ2）3ＳＣ2Ｈ5、−Ｓ（ＣＨ2）3ＳＣ3Ｈ7、
−Ｓ（ＣＨ2）3ＳＣ4Ｈ9、−Ｓ（ＣＨ2）3ＳＣ5Ｈ11、
−Ｓ（ＣＨ2）4ＳＣＨ3、−ＳＣＨ2ＳＣＦ3、−ＳＣＨ2ＳＣ2Ｆ5である。
【００３８】
本発明の液晶組成物は、 前記一般式（１）で示される液晶性化合物からなる第一成分を含む、少なくとも二成分からなる。本発明の液晶組成物の好ましい態様は、一般式（１）で示される化合物の少なくとも１種類からなる第一成分に、用途に応じて、一般式（２）〜（１２）で示される化合物の群から選択される化合物を混合することにより完成する。この第一成分の含有量は、組成物に対して０．１〜９９．９重量％、好ましく０．５〜８５重量％、より好ましくは１〜６５重量％である。
例えば組成物の含有量は、前記[１３]項の液晶組成物の場合、好ましくは第一成分が１〜５５重量％、（ｄ）成分が４〜７０重量％、（e）成分が４０〜９５重量％、より好ましくは第一成分が３〜５０重量％、（ｄ）成分が７〜６０重量％、（e）成分が５０〜９０重量％である。
また、前記[１４]項の液晶組成物の場合、好ましくは第一成分が１〜６０重量％、（ｂ）成分が１０〜９７重量％、（ｄ）成分が２〜７０重量％、より好ましくは第一成分が５〜５０重量％、（ｂ）成分が２０〜８８重量％、（ｄ）成分が７〜４０重量％である。
さらに、前記[１５]項の液晶組成物の場合、好ましくは第一成分が１〜６０重量％、（ｃ）成分が１０〜９４重量％、（ｄ）成分が５〜７０重量％、より好ましくは第一成分が５〜５０重量％、（ｃ）成分が２０〜８８重量％、（ｄ）成分が７〜４０重量％である。
【００３９】
本発明の組成物のさらに好ましい態様として、一般式（２）、（３）および（４）で示される化合物群から選択された少なくとも一つの化合物からなる（ｂ）成分；一般式（５）および（６）で示される化合物群から選択された少なくとも一つの化合物からなる（ｃ）成分；一般式（７）、（８）および（９）からなる化合物群から選択された少なくとも一つの化合物からなる（ｄ）成分；および 一般式（１０）、（１１）および（１２）で示される化合物群から選択された少なくとも一つの化合物からなる（ｅ）成分；からなる４成分から選択された少なくとも一成分と前記一般式（１）で示される液晶性化合物からなる第一成分とを含む液晶組成物が示される。
【００４０】
（ｂ）成分すなわち一般式（２）〜（４）で示される化合物で好ましいものとして、下記の一般式（２−１）〜（２−９），（３−１）〜（３−６９）および（４−１）〜（４−２４）で示される化合物を挙げることができる。
（式中、Ｒ3およびＹ2は前記と同一の意味をもつ。）
【００４１】
【化１４】
【００４２】
【化１５】
【００４３】
【化１６】
【００４４】
【化１７】
【００４５】
【化１８】
【００４６】
【化１９】
【００４７】
【化２０】
【００４８】
【化２１】
【００４９】
【化２２】
【００５０】
（ｂ）成分すなわち一般式（２）〜（４）で示される化合物は、誘電率異方性値が正の化合物であり、熱的安定性や化学的安定性が非常に優れており、電圧保持率の高い、あるいは比抵抗値の大きいといった高い信頼性を要求されるＴＦＴ（ＡＭ−ＬＣＤ）用の液晶組成物を調製する場合には特に有用である。
ＴＦＴ用の液晶組成物を調製する場合、（ｂ）成分の混合割合は、液晶組成物の全重量に対して１０〜９７重量％が好ましい。より好ましい混合割合は４０〜９５重量％である。この場合、粘度を調整する目的でさらに（ｄ）成分すなわち一般式（７）〜（９）で示される化合物を混合することもできる。
ＳＴＮ用またはＴＮ用の液晶組成物を調製する場合にも、（ｂ）成分を使用することができる。この成分は、（ｃ）成分すなわち一般式（５）〜（６）で示される化合物に比べて、液晶組成物のしきい値電圧を小さくする効果が少ないので、５０重量％以下の混合割合で使用するのが好ましい。
【００５１】
（ｃ）成分すなわち一般式（５）および（６）で示される化合物は、誘電率異方性値が正でその値が大きく、得られる液晶組成物のしきい値電圧を小さくする目的で使用される。また、屈折率異方性値の調整、透明点を高くするなどのネマチックレンジを広げる目的にも使用される。さらに、ＳＴＮまたはＴＮ用液晶組成物のＶ−Ｔ曲線の急峻性を改良する目的にも使用される。
（ｃ）成分は、ＳＴＮ用またはＴＮ用の液晶組成物を調製する場合には特に有用な化合物である。（ｃ）成分の混合割合を増加させると、液晶組成物のしきい値電圧が小さくなり、粘度が上昇する。したがって、液晶組成物の粘度が要求値を満足する限り、多量に配合することが表示素子を低電圧で駆動できることになるので有利である。ＳＴＮ用またはＴＮ用の液晶組成物を調製する場合には、（ｃ）成分の混合割合は、液晶組成物の全重量に対して１０〜９７重量％が好ましく、より好ましい混合割合は４０〜９５重量％である。
（ｃ）成分で好ましいものとして、下記の一般式（５−１）〜（５−４０），（６−１）〜（６−３）で示される化合物を挙げることができる。
（式中、Ｒ4、Ｒ5およびＹ3は前記と同一の意味をもつ。）
【００５２】
【化２３】
【００５３】
【化２４】
【００５４】
【化２５】
【００５５】
【化２６】
【００５６】
【化２７】
【００５７】
（ｄ）成分すなわち一般式（７）〜（９）で示される化合物のうちで好ましいものとして、下記の一般式（７−１）〜（７−１１），（８−１）〜（８−１８）および（９−１）〜（９−６）で示される化合物を挙げることができる。
（式中、Ｒ6およびＲ7は前記と同一の意味をもつ。）
【００５８】
【化２８】
【００５９】
【化２９】
【００６０】
【化３０】
【００６１】
【化３１】
【００６２】
（ｄ）成分すなわち一般式（７）〜（９）で示される化合物は、誘電率異方性の絶対値が小さく、中性に近い化合物である。一般式（７）で示される化合物は、主として液晶組成物の粘度調整または屈折率異方性値を調整する目的で使用される。また、一般式（８）および（９）で示される化合物は、液晶組成物の透明点を高くするなどのネマチックレンジを広げる目的または屈折率異方性値の調整の目的で使用される。
（ｄ）成分の混合割合を増加させると、得られる液晶組成物のしきい値電圧が大きくなり、粘度が小さくなる。したがって、液晶組成物のしきい値電圧が要求値を満足している限り、多量に配合することが望ましい。
ＴＦＴ用の液晶組成物を調製する場合には、（ｄ）成分の混合割合は、液晶組成物の全重量に対し４０重量％以下であるが、より好ましい混合割合は３５重量％以下である。また、ＳＴＮ用またはＴＮ用の液晶組成物を調製する場合には、（ｄ）成分の混合割合は、液晶組成物の全重量に対し７０重量％以下、より好ましくは６０重量％以下である。
【００６３】
（ｅ）成分すなわち一般式（１０）〜（１２）で示される化合物のうちで好ましいものとして、下記の一般式（１０−１）〜（１０−３），（１１−１）〜（１１−５）および（１２−１）〜（１２−３）で示される化合物を挙げることができる。（式中、Ｒ8およびＲ9は前記と同一の意味をもつ。）
【００６４】
【化３２】
【００６５】
（ｅ）成分すなわち一般式（１０）〜（１２）で示される化合物は、誘電率異方性値が負の化合物である。一般式（１０）で示される化合物は二環化合物であり、主としてしきい値電圧の調整、粘度調整または屈折率異方性値の調整の目的で使用される。一般式（１１）で示される化合物は透明点を高くするなどのネマチックレンジを広げる目的で、または屈折率異方性値を調整する目的で使用される。一般式（１２）で示される化合物は、得られる組成物のネマチックレンジを広げる目的のほか、しきい値電圧を小さくする目的および屈折率異方性値を大きくする目的で使用される。
（ｅ）成分は主としてＮ型（誘電率異方性値が負）の組成物に使用されるが、その混合割合を増加させると、得られる液晶組成物のしきい値電圧は小さくなるが、粘度が大きくなる。したがって、液晶組成物のしきい値電圧が要求値を満足している限り、少量の混合をすることが望ましい。しかしながら、これらの化合物は誘電率異方性値の絶対値が５以下であるので、混合割合が４０重量％より少なくなると低電圧駆動ができなくなる場合がある。
ＴＦＴ用のＮ型液晶組成物を調製する場合には、（ｅ）成分の混合割合は、液晶組成物の全重量に対して４０重量％以上が好ましく、５０〜９５重量％がより好ましい。
また、液晶組成物の弾性定数をコントロールし、電圧−透過率曲線（Ｖ−Ｔカーブ）を制御する目的で、（ｅ）成分をＰ型液晶組成物（誘電率異方性値が正である組成物）に添加する場合もある。このような場合には、液晶組成物中の（ｅ）成分の混合割合は３０重量％以下が好ましい。
【００６６】
本発明の光学活性化合物を含有する液晶組成物は、前記本発明の液晶組成物に光学活性化合物を添加することにより得られる。光学活性化合物の添加によりＯＣＢ（Optically Compensated Birefringence）モード用の液晶組成物などの特別な場合を除き、通常、液晶組成物のらせん構造を誘起して必要なねじれ角を調整し、逆ねじれ（reverse twist）が防止される。
本発明の光学活性化合物を含有する液晶組成物に用いられる具体的な光学活性化合物として、下記の化合物を挙げることができる。
【００６７】
【化３３】
【００６８】
本発明の液晶組成物は、通常、上記の光学活性化合物を添加して、らせんのピッチ（helical pitch）を調整する。らせんのピッチは、ＴＦＴ用およびＴＮ用の液晶組成物であれば、１０〜２００μｍの範囲、ＳＴＮ用の液晶組成物であれば、６〜２０μｍの範囲、また、双安定（bistable）ＴＮモード用の場合は、１．５〜４μｍの範囲に調整されたのが好ましい。また二種類以上の光学活性化合物を含む場合は、らせんピッチの温度依存性も制御できる。
【００６９】
本発明の液晶組成物および光学活性化合物を含有する液晶組成物は、それ自体慣用な方法により調製される。一般には、種々の成分の化合物をそれらの透明点よりも高い温度にして互いに溶解させる方法がとられている。
本発明の液晶組成物および光学活性化合物を含有する液晶組成物は、メロシアニン系、スチリル系、アゾ系、アゾメチン系、アゾキシ系、キノフタロン系、アントラキノン系およびテトラジン系などの二色性色素を添加して、ゲストホスト（ＧＨ）モード用に使用できる。あるいはネマチック液晶をマイクロカプセル化して作製したＮＣＡＰや、液晶中に三次元網目状高分子を作製したポリマーネットワーク液晶表示素子（ＰＮＬＣＤ）に代表されるポリマー分散型液晶表示素子（ＰＤＬＣＤ）用にも使用できる。そのほかに、複屈折制御（ＥＣＢ）モードや動的散乱（ＤＳ）モード用としても使用できる。
【００７０】
本発明の液晶性化合物は公知の有機合成化学的手法を用いて製造することができる。その製造方法の例を反応式１、反応式２、反応式３および反応式４に示す。
【００７１】
【化３４】
【００７２】
上記反応式１に示される合成経路について説明する。
式（ａ）で示される４’−置換ビシクロヘキサン−４−カルボン酸メチルは水素化アルミニウムリチウムによる還元により式（ｂ）で示される４’−置換ビシクロヘキシルメタノールへと誘導され、ついで臭化水素と反応させて式（ｃ）で示される４’−置換ビシクロヘキシルメチルブロミドへと誘導される。
式（ｄ）で示される２，３−ジフルオロフェノールはハロゲン化アルキルと反応させて式（ｅ）で示される２，３−ジフルオロアルコキシベンゼンへと誘導される。ついでこの化合物をクロロ硫酸と反応させて式（ｆ）で示されるスルホニルクロリド化合物へと誘導され、さらに還元により式（g）で示される置換フェニルメルカプタン化合物へと誘導され、最後に式（ｃ）で示される４’−置換ビシクロヘキシルメチルブロミド化合物と反応させて式（ｈ）で示される目的のチオエーテル化合物へと誘導される。
【００７３】
【化３５】
【００７４】
つぎに、上記の反応式２に示される合成経路について説明する。
式（ｉ）で示される４−置換フェニルハライド化合物はマグネシウムと反応させた後、硫黄と反応させることにより式（ｊ）で示される４−(４−置換シクロヘキシル)フェニルメルカプタン化合物へと誘導される。
式（ｅ）で示される２，３−ジフルオロアルコキシベンゼンは第二ブチルリチウムと反応させた後、ドライアイスと反応させて式（ｋ）で示される置換安息香酸化合物へと誘導され、ついでメタノールと反応させて式（ｌ）で示される置換安息香酸メチルエステル化合物へと誘導される。式（ｌ）で示される置換安息香酸メチルエステル化合物は水素化アルミニウムリチウムによる還元により式（ｏ）で示される置換ベンジルアルコール化合物へと誘導され、ついで臭化水素と反応させて式（ｐ）で示される置換ベンジルブロミド化合物へと誘導され、最後に式（ｊ）で示される４−(４−置換シクロヘキシル)フェニルメルカプタン化合物と反応させて式（ｑ）で示される目的のチオエーテル化合物へと誘導される。
【００７５】
【化３６】
【００７６】
つぎに、上記の反応式３に示される合成経路について説明する。
式（ｉ）で示される４−置換フェニルハライド化合物はマグネシウムと反応させた後、二硫化炭素と反応させることにより式（ｒ）で示される４−(４−置換シクロヘキシル)ジチオ安息香酸化合物へと誘導され、ついで塩化チオニルと反応させて式（ｓ）で示される４−(４−置換シクロヘキシル)チオベンゾイルクロリド化合物へと誘導される。式（ｓ）で示される４−(４−置換シクロヘキシル)チオベンゾイルクロリド化合物は式（ｇ）で示される置換フェニルメルカプタン化合物と反応させて式（ｔ）で示される４−(４−置換シクロヘキシル)ジチオ安息香酸−置換フェニルエステル化合物へと誘導され、最後に酸化剤である１，３−ジブロモ−５，５−ジメチルヒダントイン（ＤＢＨ）の存在下でフッ化水素−ピリジン錯体と反応させて式（ｕ）で示される目的のチオエーテル化合物へと誘導される。
【００７７】
【化３７】
【００７８】
つぎに、上記の反応式４に示される合成経路について説明する。
式（ｅ）で示される２，３−ジフルオロアルコキシベンゼンは、第二ブチルリチウムと反応させた後、二硫化炭素と反応させて式（ｖ）で示される置換ジチオ安息香酸化合物へと誘導され、ついで塩化チオニルと反応させて式（ｗ）で示される置換チオベンゾイルクロリド化合物へと誘導される。式（ｗ）で示される置換チオベンゾイルクロリド化合物は式（ｊ）で示される４−(４−置換シクロヘキシル)フェニルメルカプタン化合物と反応させて式（ｘ）で示されるジチオ安息香酸−４−(４−置換シクロヘキシル)フェニルエステル化合物へと誘導され、最後に酸化剤である１，３−ジブロモ−５，５−ジメチルヒダントイン（ＤＢＨ）の存在下でフッ化水素−ピリジン錯体と反応させて式（ｙ）で示される目的のチオエーテル化合物へと誘導される。
【００７９】
【実施例】
実施例により本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例により何等限定されるものではない。なお、化合物の構造は核磁気共鳴スペクトル、赤外吸収スペクトルおよび質量スペクトル（以下、ＭＳと略す）などにより確認した。実施例中、ＭＳにおいてＭ+は分子イオンピークを表す。液晶性化合物のΔε（誘電率異方性値）は、下記の母液晶Ａ８５重量％と当該化合物１５重量％とからなる組成物からの外挿値（２５℃において測定）を表し、Δｎ（屈折率異方性値）は、下記の母液晶Ｂ８５重量％と当該化合物１５重量％とからなる組成物からの外挿値（２５℃において測定）を表す。
相転移温度におけるＣは結晶相を、ＳBはスメクチックＢ相を、Ｎはネマチック相を、Ｉｓｏは等方性液体相をそれぞれ示し、相転移温度の単位はすべて℃である。
【００８０】
母液晶Ａの組成
一般式
【化３８】
で示され、両末端のアルキル基（Ｒ10、Ｒ11）が下記のように異なる５種類のエステル化合物を、つぎの割合で混合し母液晶Ａとした。
【００８１】
【００８２】
母液晶Ｂの組成
一般式
【化３９】
で示され、末端のアルキル基（Ｒ12、Ｒ13）が下記のように異なる４種類の化合物を、つぎの割合で混合し母液晶Ｂとした。
【００８３】
【００８４】
実施例１ (化合物例)
トランス，トランス−４−（２，３−ジフルオロ−４−エトキシフェニルメルカプトメチル）−４’−ｎ−プロピルビシクロヘキサン（一般式（１）において、Ｒ1がプロピル、環Ａ1および環Ａ2がトランス−１，４−シクロヘキシレン、Ｘが−ＣＨ2Ｓ−、Ｒ2がエトキシ、ｍが１である化合物（式ｈの化合物、化合物番号３７）の合成；
第１段
トランス−４−（トランス−４−（ｎ−プロピル）シクロヘキシル）シクロヘキシルメタノール（式ｂにおいてＱ1＝ｎ−Ｃ3Ｈ7の化合物）の合成；
水素化アルミニウムリチウム（１２．６５ｇ、０．３３３ｍｏｌ）をテトラヒドロフラン（８００ｍｌ）に懸濁し、これを冷却して５℃でトランス−４−（トランス−４−（ｎ−プロピル）シクロヘキシル）シクロヘキシル蟻酸メチル（１３３．２１ｇ、０．５００ｍｏｌ）のテトラヒドロフラン（８００ｍｌ）溶液を滴下した。反応液を徐々に室温まで昇温させ、同温度で２時間反応させた。反応終了後、氷冷下、酢酸エチル（３００ｍｌ）を加え、ついで水（１５ｍｌ）、さらに２０容量％硫酸（２５０ｍｌ）を加えた。さらに水（１．５ｌ）を加え、ジエチルエーテル（１．５ｌ）で抽出した。有機層を水（１．０ｌ）で２回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。減圧下で溶媒を留去し、残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出溶媒：クロロホルム／メタノール＝９／１）に付し、減圧下で溶媒を留去し、トルエンから再結晶することによりトランス−４−（トランス−４−（ｎ−プロピル）シクロヘキシル）シクロヘキシルメタノール（式ｂにおいてＱ1＝ｎ−Ｃ3Ｈ7の化合物）（９５．８４ｇ、０．４０２ｍｏｌ；収率８０％）を得た。
【００８５】
第２段
トランス−４−（トランス−４−（ｎ−プロピル）シクロヘキシル）シクロヘキシルメチルブロミド（式ｃにおいてＱ1＝ｎ−Ｃ3Ｈ7の化合物）の合成；
第１段で得られたトランス−４−（トランス−４−（ｎ−プロピル）シクロヘキシル）シクロヘキシルメタノール（式ｂにおいてＱ1＝ｎ−Ｃ3Ｈ7の化合物）（９５．３６ｇ、０．４００ｍｏｌ）をキシレン（７００ｍｌ）に溶解し、４７％臭化水素酸（１２０ｍｌ）を加え、水を留去しながら１０時間加熱還流した。反応終了後、室温まで冷却し、反応液に水1リットルを加え、トルエン（８００ｍｌ）で抽出し、有機層を飽和炭酸ナトリウム水溶液（８００ｍｌ）、水（８００ｍｌ）、飽和塩化ナトリウム水溶液（８００ｍｌ）で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。減圧下で溶媒を留去し、残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出溶媒：ヘプタン）に付し、減圧下で溶媒を留去した後、ヘプタンから再結晶することによりトランス−４−（トランス−４−（ｎ−プロピル）シクロヘキシル）シクロヘキシルメチルブロミド（式ｃにおいてＱ1＝ｎ−Ｃ3Ｈ7の化合物）（６５．０８ｇ、０．２１６ｍｏｌ；収率５４％）を得た。
【００８６】
第３段
２，３−ジフルオロエトキシベンゼン（式ｅにおいてＱ2＝Ｃ2Ｈ5の化合物）の合成；
２，３−ジフルオロフェノール（１００．０ｇ、０．７６９ｍｏｌ）をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（２００ｍｌ）に溶解し、炭酸カリウム、ヨウ化カリウムを加え、ヨードエタン（１７９．８ｇ、１．１５ｍｏｌ）のＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（１００ｍｌ）溶液を滴下し、３時間加熱還流した。反応終了後、室温まで冷却し、反応液に水（４００ｍｌ）を加え、トルエン（５００ｍｌ）で抽出し、有機層を２グラム当量／ｌの水酸化ナトリウム水溶液（２００ｍｌ）、水（２００ｍｌ）で２回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。
減圧下で溶媒を留去し、残査を減圧下で蒸留することにより２，３−ジフルオロ−エトキシベンゼン（式ｅにおいてＱ2＝Ｃ2Ｈ5の化合物）（９９．１９ｇ、０．６２７ｍｏｌ；収率８１％）を得た。
【００８７】
第４段
２，３−ジフルオロ−４−エトキシ−ベンゼンスルホクロリド（式ｆにおいてＱ2＝Ｃ2Ｈ5の化合物）の合成
窒素気流下、−１０℃に冷却したクロロ硫酸（３００ｍｌ）に、同温度を保ちながら第３段で得られた２，３−ジフルオロエトキシベンゼン（式ｅにおいてＱ2＝Ｃ2Ｈ5の化合物）（９９．１９ｇ、０．６２７ｍｏｌ）を３０分かけて滴下し、同温度で３０分間反応させた。反応終了後、反応液を氷（１５００ｇ）に投入して冷却し、有機層をジエチルエーテル（８００ｍｌ）で２回抽出し、抽出液を水（８００ｍｌ）で２回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。
減圧下で溶媒を留去し、残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出溶媒：ヘプタン／酢酸エチル＝９／１）に付し、減圧下で溶媒を留去し、ヘプタンから再結晶することにより２，３−ジフルオロ−４−エトキシ−ベンゼンスルホクロリド（式ｆにおいてＱ2＝Ｃ2Ｈ5の化合物）（１９．７２ｇ、０．０７６８ｍｏｌ；収率１２％）を得た。
【００８８】
第５段
２，３−ジフルオロ−４−エトキシフェニルメルカプタン（式gにおいてＱ2＝Ｃ2Ｈ5の化合物）の合成
窒素気流下、氷（１８４．４２ｇ、１０．２ｍｏｌ）に濃硫酸（３３．２９ｍｌ）を加え、−１０℃に冷却した。同温度を保ちながら第４段で得られた２，３−ジフルオロ−４−エトキシベンゼンスルホクロリド（式ｆにおいてＱ2＝Ｃ2Ｈ5の化合物）（１９．７２ｇ、０．０７６８ｍｏｌ）のジエチルエーテル（４５ｍｌ）溶液を１５分かけて滴下し、ついで同温度を保ちながら亜鉛紛末（３０．１４ｇ、０．４６１ｍｏｌ）を加え、同温度で１時間撹拌した後、徐々に昇温し、室温下に一夜にわたり反応させた。亜鉛紛末を濾別後、ジエチルエーテル（２００ｍｌ）で２回抽出し、抽出液を水（２００ｍｌ）で２回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。この抽出液を減圧下で溶媒を留去し、残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出溶媒：ヘプタン／トルエン＝４／１）に付し、減圧下で溶媒を留去して２，３−ジフルオロ−４−エトキシフェニルメルカプタン（式gにおいてＱ2＝Ｃ2Ｈ5の化合物）（５．９４ｇ、０．０３１２ｍｏｌ；収率４１％）を得た。
【００８９】
第６段
トランス，トランス−４−（２，３−ジフルオロ−４−エトキシフェニルメルカプトメチル）−４’−ｎ−プロピルビシクロヘキサン（式ｈにおいてＱ1＝ｎ−Ｃ3Ｈ7，Ｑ2＝Ｃ2Ｈ5の化合物、化合物番号３７）の合成；
第２段で得られたトランス−４−（トランス−４−（ｎ−プロピル）シクロヘキシル）シクロヘキシルメチルブロミド（式ｃにおいてＱ1＝ｎ−Ｃ3Ｈ7の化合物）（３．１７ｇ、０．０１０５ｍｏｌ）、第５段で得られた２，３−ジフルオロ−４−エトキシフェニルメルカプタン（式gにおいてＱ2＝Ｃ2Ｈ5の化合物）（２．００ｇ、０．０１０５ｍｏｌ）、水酸化カリウム（０．７１ｇ、０．０１２６ｍｏｌ）およびＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（３０ｍｌ）の混合物を３時間加熱還流した。
反応終了後、室温まで冷却し、反応液に水（５０ｍｌ）を加え、トルエン（５０ｍｌ）で抽出し、有機層を２グラム当量／ｌの水酸化ナトリウム水溶液（２０ｍｌ）、ついで水（２０ｍｌ）で２回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。減圧下で溶媒を留去し、残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出溶媒：ヘプタン／トルエン＝４／１）に付し、減圧下で溶出溶媒を留去した後、ヘプタンから再結晶することによりトランス，トランス−４−（２，３−ジフルオロ−４−エトキシフェニルメルカプトメチル）−４’−ｎ−プロピルビシクロヘキサン（式ｈにおいてＱ1＝ｎ−Ｃ3Ｈ7,Ｑ2＝Ｃ2Ｈ5の化合物）（１．６１ｇ、０．００３９２ｍｏｌ；収率３７％）を得た。
各種スペクトルはこの物の構造をよく支持した。
ＭＳ：ｍ／ｅ＝４１０（Ｍ+）
相転移温度：Ｃ ７４．１ ＳB ８５．６ Ｎ ８９．４ Ｉｓｏ
Δε＝−６．０２、Δｎ＝０．１１４
【００９０】
以上の方法（反応式１）に準じて、化合物番号１〜２００で示される化合物が製造できる。
【化４０】
【００９１】
【化４１】
【００９２】
【化４２】
【００９３】
【化４３】
【００９４】
【化４４】
【００９５】
【化４５】
【００９６】
【化４６】
【００９７】
【化４７】
【００９８】
【化４８】
【００９９】
【化４９】
【０１００】
【化５０】
【０１０１】
【化５１】
【０１０２】
【化５２】
【０１０３】
【化５３】
【０１０４】
実施例２ (化合物例)
１−（トランス−４−（ｎ−ペンチル）シクロヘキシル）− ４−（２，３−ジフルオロ−４−エトキシフェニルメルカプトメチル）ベンゼン（一般式（１）において、Ｒ1がペンチル基、環Ａ1がトランス−１，４−シクロヘキシレン基、環Ａ2が１、４―フェニレン基、Ｘが−ＳＣＨ2−、Ｒ2がエトキシ基、ｍが１である化合物（式ｑの化合物、化合物番号２５２）の合成
第１段
４−（トランス−４−（ｎ−ペンチル）シクロヘキシル）フェニルメルカプタン（式ｊにおいてＱ1＝ｎ−Ｃ5Ｈ11の化合物）の合成
削状マグネシウム（０．４１ｇ、０．０１６８ｍｏｌ）にジエチルエーテル１０ｍｌを加え、これに４−（トランス−４−（ｎ−ペンチル）シクロヘキシル）フェニルヨージド（式ｉにおいてＱ1＝ｎ−Ｃ5Ｈ11の化合物）（５．２５ｇ、０．０１５ｍｏｌ）のジエチルエーテル（２０ｍｌ）溶液を滴下し、１時間加熱還流してグリニャール試薬を調製した。室温まで冷却し、硫黄（０．５１ｇ、０．０１６ｍｏｌ）を加えて２時間加熱還流した。さらに室温で１時間攪拌した後、氷冷下、３グラム当量／ｌの塩酸水（２０ｍｌ）を加えた。反応液に水（５０ｍｌ）を加え、ジエチルエーテル（１００ｍｌ）で抽出した。有機層を水（８０ｍｌ）で２回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、減圧下で溶媒を留去して４−（トランス−４−（ｎ−ペンチル）シクロヘキシル）フェニルメルカプタン（式ｊにおいてＱ1＝ｎ−Ｃ5Ｈ11の化合物）（１．５２ｇ、０．００５８ｍｏｌ；収率３９％）を得た。
【０１０５】
第２段
４−エトキシ−２，３−ジフルオロ安息香酸（式ｋにおいてＱ2＝ Ｃ2Ｈ5の化合物）の合成
２，３−ジフルオロエトキシベンゼン（式ｅにおいてＱ2＝ Ｃ2Ｈ5の化合物）（２０ｇ、０．１２６ｍｏｌ）をテトラヒドロフラン（２００ｍｌ）に溶解し、これを冷却して−６０℃で第二ブチルリチウムのシクロヘキサン溶液（１１８．８ｍｌ、０．１６４ｍｏｌ）を滴下し、同温度で２時間攪拌した。同温度でドライアイス（２７．８ｇ、０．６３２ｍｏｌ）を加え、同温度で２時間攪拌した。反応液を徐々に室温まで昇温させ、同温度で２時間攪拌した。反応終了後、氷冷下、６グラム当量／ｌの塩酸水（１００ｍｌ）を加え、さらに水（５００ｍｌ）を加えてジエチルエーテル（８００ｍｌ）で抽出した。有機層を水（５００ｍｌ）で２回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。減圧下で溶媒を留去し、残査をエタノールから再結晶することにより４−エトキシ−２，３−ジフルオロ安息香酸（式ｋにおいてＱ2＝ Ｃ2Ｈ5の化合物）（１４．８ｇ、０．０７３ｍｏｌ；収率５８％）を得た。
【０１０６】
第３段
４−エトキシ−２，３−ジフルオロ安息香酸メチル（式ｌにおいてＱ2＝ Ｃ2Ｈ5の化合物）の合成
第２段で得られた４−エトキシ−２，３−ジフルオロ安息香酸（式ｋにおいてＱ2＝ Ｃ2Ｈ5の化合物）（１４．８ｇ、０．０７３ｍｏｌ ）をメタノール（２００ｍｌ）に溶解し、濃硫酸（３ｍｌ）を加えて６時間加熱還流した。反応終了後、室温まで冷却し、反応液に水（５００ｍｌ）を加え、トルエン（８００ｍｌ）で抽出し、有機層を２グラム当量／ｌの水酸化ナトリウム水溶液（３００ｍｌ）、水（３００ｍｌ）で２回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。
減圧下で溶媒を留去し、残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出溶媒：トルエン）に付し、減圧下で溶媒を留去してトルエンから再結晶することにより４−エトキシ−２，３−ジフルオロ安息香酸メチル（式ｌにおいてＱ2＝ Ｃ2Ｈ5の化合物）（１１．２ｇ、０．０５２ｍｏｌ；収率７１％）を得た。
【０１０７】
第４段
４−エトキシ−２，３−ジフルオロベンジルアルコール（式ｏにおいてＱ2＝ Ｃ2Ｈ5の化合物）の合成
水素化アルミニウムリチウム（１．３１ｇ、０．０３４５ｍｏｌ）をテトラヒドロフラン（８０ｍｌ）に懸濁し、これを冷却して５℃において第３段で得られた４−エトキシ−２，３−ジフルオロ安息香酸メチル（式ｌにおいてＱ2＝ Ｃ2Ｈ5の化合物）（１１．２ｇ、０．０５１８ｍｏｌ）のテトラヒドロフラン（８０ｍｌ）溶液を滴下した。反応液を徐々に室温まで昇温させ、同温度で２時間反応させた。反応終了後、氷冷下、酢酸エチル（３５ｍｌ）を加え、次いで水（５ｍｌ）、さらに２０容量％硫酸（３５ｍｌ）を加えた。反応液に水（２００ｍｌ）を加え、ジエチルエーテル（３００ｍｌ）で抽出した。有機層を水（１００ｍｌ）で２回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。減圧下で溶媒を留去し、残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出溶媒：クロロホルム／メタノール＝９／１）に付し、減圧下で溶媒を留去してトルエンから再結晶することにより４−エトキシ−２，３−ジフルオロベンジルアルコール（式ｏにおいてＱ2＝ Ｃ2Ｈ5の化合物）（７．９９ｇ、０．０４２５ｍｏｌ；収率８２％）を得た。
【０１０８】
第５段
４−エトキシ−２，３−ジフルオロベンジルブロミド（式ｐにおいてＱ2＝ Ｃ2Ｈ5の化合物）の合成
第４段で得られた４−エトキシ−２，３−ジフルオロベンジルアルコール（式ｏにおいてＱ2＝ Ｃ2Ｈ5の化合物）（７．９９ｇ、０．０４２５ｍｏｌ）をキシレン（８０ｍｌ）に溶解し、４７％臭化水素酸（２０ｍｌ）を加え、水を留去しながら６時間加熱還流した。反応終了後、室温まで冷却し、反応液に水（１００ｍｌ）を加え、酢酸エチル（８０ｍｌ）で抽出し、有機層を飽和炭酸ナトリウム水溶液（８０ｍｌ）、水（８０ｍｌ）、飽和塩化ナトリウム水溶液（８０ｍｌ）で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。減圧下で溶媒を留去し、残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出溶媒：トルエン）に付し、減圧下で溶媒を留去した後、トルエンから再結晶することにより４−エトキシ−２，３−ジフルオロベンジルブロミド（式ｐにおいてＱ2＝ Ｃ2Ｈ5の化合物）（８．４３ｇ、０．０３３６ｍｏｌ；収率７９％）を得た。
【０１０９】
第６段
１−（トランス−４−（ｎ−ペンチル）シクロヘキシル）− ４−（２，３−ジフルオロ−４−エトキシフェニルメルカプトメチル）ベンゼン（式ｑにおいてＱ1＝ ｎ−Ｃ5Ｈ11、Ｑ2＝ Ｃ2Ｈ5の化合物、化合物番号２５２）の合成
第１段で得られた４−（トランス−４−（ｎ−ペンチル）シクロヘキシル）フェニルメルカプタン（式ｊにおいてＱ1＝ｎ−Ｃ5Ｈ11の化合物）（１．５２ｇ、０．００５８ｍｏｌ）、第５段で得られた４−エトキシ−２，３−ジフルオロベンジルブロミド（式ｐにおいてＱ2＝ Ｃ2Ｈ5の化合物）（１．６３ｇ、０．００６５ｍｏｌ）、水酸化カリウム（０．４４ｇ、０．００７８ｍｏｌ）およびＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（２０ｍｌ）の混合物を３時間加熱還流した。
反応終了後、室温まで冷却し、反応液に水（５０ｍｌ）を加え、トルエン（５０ｍｌ）で抽出し、有機層を２グラム当量／ｌの水酸化ナトリウム水溶液（２０ｍｌ）、次いで水（２０ｍｌ）で２回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。減圧下で溶媒を留去し、残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出溶媒：トルエン）に付し、減圧下で溶出溶媒を留去した後、ヘプタン−酢酸エチルから再結晶することにより１−（トランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘキシル）− ４−（２，３−ジフルオロ−４−エトキシフェニルメルカプトメチル）ベンゼン（式ｑにおいてＱ1＝ ｎ−Ｃ5Ｈ11、Ｑ2＝ Ｃ2Ｈ5の化合物、化合物番号２５２）（０．２７ｇ、０．０００６２ｍｏｌ；収率１１％）を得た。
各種スペクトルはこの物の構造をよく支持した。
相転移温度：Ｃ ６７．７ Ｉｓｏ
Δε＝−３．８９、Δｎ＝０．１４７
【０１１０】
以上の方法（反応式２）に準じて化合物番号２１１〜２７５で示される化合物が製造できる。
【化５４】
【０１１１】
【化５５】
【０１１２】
【化５６】
【０１１３】
【化５７】
【０１１４】
【化５８】
【０１１５】
【化５９】
【０１１６】
実施例３ (化合物例)
反応式３に準じて化合物番号２７６〜２８０で示される化合物が製造できる。
【化６０】
【０１１７】
実施例４ (化合物例)
反応式４に準じて化合物番号２８１〜２８５で示される化合物が製造できる。
【化６１】
【０１１８】
このように調製される本発明の液晶性化合物を含有するネマチック液晶組成物として、下記の例を示すことができる。これらの組成物例における化合物の表記は表１に示した定義に従い、組成は重量％で示した。
これら組成物の物性値として、粘度（η）は２０．０℃、屈折率異方性（Δｎ）、誘電率異方性（Δε）、しきい値電圧（Ｖｔｈ）およびねじれピッチ（Ｐ）は、２５．０℃での測定結果を示した。
【０１１９】
【表１】
【０１２０】
実施例５
つぎに示す組成の液晶組成物を製造した。
第一成分
３−ＨＨ１ＳＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ １５．０％
（ｄ）成分
式（７）の化合物
３−ＨＥＢ−Ｏ４ １３．０％
４−ＨＥＢ−Ｏ２ ２０．０％
５−ＨＥＢ−Ｏ１ ２０．０％
３−ＨＥＢ−Ｏ２ １８．０％
３−ＨＥＢ−Ｏ２ １４．０％
得られた組成物の物性値はつぎのとおりである。
ＴNI＝７７．０（℃）
η＝２３．０（ｍＰａ・s）
Δｎ＝０．０９５
Δε＝−１．８
【０１２１】
実施例６
つぎに示す組成の液晶組成物を製造した。
第一成分
３−ＨＨ１ＳＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ １５．０％
５−ＨＨ１ＳＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ １５．０％
３−ＨＢＦ１ＳＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ １０．０％
（ｄ）成分
式（７）の化合物
３−ＨＢ−Ｏ２ １０．０％
１Ｏ１−ＨＨ−５ ５．０％
３−ＨＨ−ＥＭｅ １２．０％
４−ＨＥＢ−Ｏ２ ７．０％
５−ＨＥＢ−Ｏ１ ８．０％
式（８）の化合物
３−ＨＨＢ−１ ６．０％
３−ＨＨＢ−３ ６．０％
その他の成分
５−ＨＥＢ（２ＣＮ，３ＣＮ）−Ｏ５ ２．０％
４−ＨＢＥＢ（２ＣＮ，３ＣＮ）−Ｏ４ ４．０％
【０１２２】
実施例７
つぎに示す組成の液晶組成物を製造した。
第一成分
１Ｖ−ＨＨ１ＳＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ １０．０％
（ｅ）成分
式（１０）の化合物
３−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ １２．０％
３−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ４ １０．０％
５−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ４ １０．０％
式（１２）の化合物
２−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）Ｂ−３ １５．０％
３−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）Ｂ−５ １３．０％
５−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）Ｂ−５ １４．０％
５−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）Ｂ−７ １６．０％
得られた組成物の物性値はつぎのとおりである。
ＴNI＝７３．９（℃）
Δｎ＝０．１９０
Δε＝−３．７
【０１２３】
実施例８
つぎに示す組成の液晶組成物を製造した。
第一成分
８−ＢＢ１ＳＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ ３．０％
（ｄ）成分
式（７）の化合物
３−ＨＨ−２ ５．０％
３−ＨＨ−４ ３．０％
３−ＨＨ−Ｏ１ ４．０％
３−ＨＨ−Ｏ３ ５．０％
５−ＨＨ−Ｏ１ ４．０％
（ｅ）成分
式（１０）の化合物
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ １２．０％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ １１．０％
式（１１）の化合物
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ １４．０％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ １５．０％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−２ ２４．０％
得られた組成物の物性値はつぎのとおりである。
ＴNI＝８４．５（℃）
Δｎ＝０．０７４
Δε＝−４．２
【０１２４】
実施例９
つぎに示す組成の液晶組成物を製造した。
第一成分
３−ＨＢ１ＳＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ １３．０％
（ｄ）成分
式（７）の化合物
３−ＨＨ−４ ５．０％
３−ＨＨ−５ ５．０％
３−ＨＨ−Ｏ１ ６．０％
３−ＨＨ−Ｏ３ ６．０％
３−ＨＢ−Ｏ１ ５．０％
３−ＨＢ−Ｏ２ ５．０％
式（８）の化合物
３−ＨＨＥＨ−３ ５．０％
３−ＨＨＥＨ−５ ５．０％
４−ＨＨＥＨ−３ ５．０％
（ｅ）成分
式（１０）の化合物
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ １０．０％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ １０．０％
式（１１）の化合物
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ １２．０％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−２ ４．０％
２−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１ ４．０％
得られた組成物の物性値はつぎのとおりである。
ＴNI＝６７．７（℃）
Δｎ＝０．０８３
Δε＝−３．２
【０１２５】
実施例１０
つぎに示す組成の液晶組成物を製造した。
第一成分
５−ＢＢ１ＳＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ ３．０％
（ｄ）成分
式（７）の化合物
５−ＢＢ−５ ９．０％
５−ＢＢ−Ｏ６ ９．０％
５−ＢＢ−Ｏ８ ８．０％
１−ＢＥＢ−５ ６．０％
３−ＢＥＢ−５ ６．０％
３−ＨＥＢ−Ｏ２ ２０．０％
式（８）の化合物
３−Ｈ２ＢＢ（２Ｆ）−５ ２０．０％
（ｅ）成分
式（１０）の化合物
３−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ １０．０％
式（１２）の化合物
５−ＢＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−７ ９．０％
得られた組成物の物性値はつぎのとおりである。
ＴNI＝７５．０（℃）
Δｎ＝０．１５３
Δε＝−２．８
【０１２６】
実施例１１
つぎに示す組成の液晶組成物を製造した。
第一成分
３−ＨＢＦ１ＳＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ ６．０％
（ｄ）成分
式（７）の化合物
３−ＨＢ−Ｏ１ １５．０％
式（８）の化合物
２−ＢＢ２Ｂ−Ｏ２ ６．０％
３−ＢＢ２Ｂ−Ｏ２ ６．０％
５−ＢＢ２Ｂ−Ｏ１ ６．０％
５−ＢＢ２Ｂ−Ｏ２ ６．０％
１−Ｂ２ＢＢ（２Ｆ）−５ ７．０％
３−Ｂ２ＢＢ（２Ｆ）−５ ７．０％
５−Ｂ（Ｆ）ＢＢ−Ｏ２ ７．０％
（ｅ）成分
式（１０）の化合物
３−ＨＥＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ ９．０％
４−ＨＥＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ ９．０％
５−ＨＥＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ ９．０％
式（１２）の化合物
３−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）Ｂ−３ ７．０％
【０１２７】
実施例１２
つぎに示す組成の液晶組成物を製造した。
第一成分
３−ＨＢＳ１Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ ９．０％
（ｄ）成分
式（７）の化合物
３−ＨＢ−Ｏ１ ９．０％
３−ＨＢ−Ｏ４ ９．０％
２−ＢＴＢ−Ｏ１ ５．０％
１−ＢＴＢ−Ｏ２ ５．０％
式（８）の化合物）
３−ＨＢＴＢ−Ｏ１ ５．０％
３−ＨＢＴＢ−Ｏ２ ５．０％
３−ＨＢＴＢ−Ｏ３ ５．０％
（ｅ）成分
式（１１）の化合物
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ ６．０％
５−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ ５．０％
その他の成分
３−ＢＴＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ １３．０％
５−ＢＴＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ １３．０％
３−Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）ＴＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ４ ４．０％
５−Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）ＴＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ４ ４．０％
５−ＢＰｒ（Ｆ）−Ｏ２ ３．０％
【０１２８】
実施例１３
つぎに示す組成の液晶組成物を製造した。
第一成分
３−ＨＨ１ＳＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ ５．０％
３−ＨＢ１ＳＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ ５．０％
（ｄ）成分
式（７）の化合物
３−ＨＢ−Ｏ２ １０．０％
５−ＨＢ−３ ８．０％
式（８）の化合物
３−ＨＢＢ−２ ６．０％
（ｅ）成分
式（１０）の化合物
５−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ １０．０％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ ８．０％
式（１１）の化合物
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ １２．０％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ ４．０％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１Ｏ１ ４．０％
２−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１ ５．０％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１ ５．０％
式（１２）の化合物
３−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）Ｂ−３ ８．０％
５−Ｂ２ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ １０．０％
得られた組成物の物性値はつぎのとおりである。
ＴNI＝７７．９（℃）
Δｎ＝０．１３３
Δε＝−４．０
【０１２９】
実施例１４
つぎに示す組成の液晶組成物を製造した。
第一成分
３−ＨＢ１ＳＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ ５．０％
３−ＨＢＦ１ＳＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ ５．０％
（ｂ）成分
式（３）の化合物
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ ２．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ ２．０％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ ２．０％
２−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ ６．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ ６．０％
２−Ｈ２ＢＢ（Ｆ）−Ｆ ９．０％
３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ）−Ｆ ９．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ２５．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １９．０％
（ｄ）成分
式（９）の化合物
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−４ ５．０％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−５ ５．０％
【０１３０】
実施例１５
つぎに示す組成の液晶組成物を製造した。
第一成分
３−ＨＨ１ＳＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ ４．０％
５−ＢＢ１ＳＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ ４．０％
（ｃ）成分
式（５）の化合物
１Ｖ２−ＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ５．０％
３−ＨＢ−Ｃ ２０．０％
Ｖ２−ＨＢ−Ｃ ６．０％
３−ＨＨＢ−Ｃ ３．０％
（ｄ）成分
式（７）の化合物
１−ＢＴＢ−３ ５．０％
２−ＢＴＢ−１ １０．０％
１Ｏ１−ＨＨ−３ ３．０％
３−ＨＨ−４ １１．０％
３−ＨＨＢ−１ １１．０％
式（８）の化合物
３−ＨＨＢ−３ ３．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２ ４．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２ ６．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−３ ５．０％
得られた組成物の物性値はつぎのとおりである。
ＴNI＝８０．７（℃）
η＝１７．４（ｍＰａ・s）
Δｎ＝０．１５６
Δε＝６．５
Ｖth＝２．３８（Ｖ）
【０１３１】
実施例１６
実施例１５で得られた液晶組成物１００重量部に光学活性化合物（記号：ＣＭ３３で示される化合物）０．８重量部を混合して光学活性化合物を含有する液晶組成物を得た。
Ｐ＝１１．５μｍであった。
【０１３２】
実施例１７
実施例１４で得られた液晶組成物１００重量部に光学活性化合物（記号：ＣＮで示される化合物）０．３重量部を混合して光学活性化合物を含有する液晶組成物を製造した。
【０１３３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明により、その絶対値の大きな負の誘電率異方性値と、制御された光学異方性値とを有し、熱や紫外線照射に対しても安定である液晶性化合物が提供される。この化合物は組成物に添加した場合、誘電率異方性、屈折率異方性などの諸特性を調整することができる。
本発明の液晶組成物は該化合物を含有する液晶組成物、および該液晶組成物を用いて作成される液晶表示素子が本発明により提供される。
【発明の属する技術分野】
本発明は主として液晶表示素子、例えば垂直配向方式、ＩＰＳ（インプレインスイッチング）、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）、ＴＮ（捻れネマティック）、またはＳＴＮ（超捻れネマティック）などの各種表示方式、とりわけ垂直配向方式およびＩＰＳ用の液晶組成物に好適な新規な液晶化合物、およびこれを用いた好適な諸物性を有する液晶組成物、並びにこの液晶組成物を用いた液晶表示素子に関する。なお、本願において、液晶性化合物なる用語は、液晶相を示す化合物および液晶相を示さないが液晶組成物の構成成分として有用である化合物の総称として用いられる。
【０００２】
【従来の技術】
従来、様々な液晶表示方式が提案されてきた。それらの一例として、つぎのような表示方式が挙げられる（液晶の最新技術、工業調査会編（１９８３））。誘電率異方性値が正の液晶組成物を利用する方式として、ＴＮ、ＳＴＮ、またはＴＮをベースにしたＡＭ（能動マトリックス）｛ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）またはＭＩＭ（金属・絶縁膜・金属）｝などの方式がある。また、誘電率異方性値が負の液晶組成物を利用する方式として、電界制御複屈折効果（ＥＣＢ）｛ＨＡＮ（ハイブリッド分子配列）またはＤＡＰ（垂直分子配列）など｝、ＤＳ（動的散乱）、ＧＨ（ゲストホスト）またはＰＣ（相転移）などの方式がある。
これらの方式のうち、現在、実用化されているものの主流は誘電率異方性値（Δε）が正の液晶組成物を利用する方式である。これに比べると誘電率異方性値が負の液晶組成物を利用する方法については、実用化の程度が遅れている。このことと関連して、誘電率異方性値が負の液晶組成物やこれに用いる化合物自体の開発も、誘電率異方性値が正の液晶組成物やこれに用いる化合物の開発と比較すると、十分ではない状況にある。
【０００３】
このような状況の中、最近特に、液晶表示の欠点の一つである狭い視野角を広くするための改善の試みが盛んに行われるようになってきた。その方式の一つが、ＩＰＳ方式である（R.Kieferら、JAPAN DISPLAY '92, 547(1992)、M.Oh-eら、ASIA DISPLAY '95, 577(1995)、特表平５−５０５２４７号公報、特開平７−１２８６４７号公報など参照）。
ＩＰＳ方式の特徴の一つは、従来の液晶パネルでは上下の基盤上にそれぞれ電極が設けられていたのに対し、この方式の液晶パネルでは片側の基盤上のみ、くし歯形電極が設けられている点である。そしてこの方式のもう一つの特徴は、誘電率異方性値の正負に関係なく、液晶組成物を利用できる点である。
また、視野角を改善する試みのもう一つの例として、液晶分子の垂直配向を利用した方式が挙げられる（特開平２−１７６６２５号公報など参照）。この方式の特徴の一つは、誘電率異方性値が負の液晶組成物を使用することである。
このような背景から、誘電率異方性値が負である液晶性化合物並びに液晶組成物が強く要望されるようになってきた。
【０００４】
ところで、すべての表示方式において、用いられる液晶組成物は、適切な誘電率異方性値のみならず、その他の特性、例えば屈折率異方性値Δｎ、弾性定数比Ｋ33／Ｋ11（ここでＫ33はベンド弾性定数を、Ｋ11はスプレイ弾性定数をそれぞれ意味する）など諸物性も最適な値に調整する必要があり、更にまた液晶相が適当な温度範囲にあること、および低温においても低粘度であることなどが要求されている。
しかし、単独でこれらの条件をすべて満足する公知の液晶性化合物はないので、液晶材料として使用できる組成物は、通常、数種類から数十種類の液晶相を有する化合物を混合して調製されている。また、必要に応じて、数種類の液晶相を有しない化合物をこの液晶混合物に添加して調製されることもある。従って、個々の液晶性化合物は、他の液晶性化合物との相溶性が良好なこと、低温環境下での使用の要求から低温域での相溶性が良好であることなどの特性も要求されている。
【０００５】
しかしながら、前述したように従来の表示方式は誘電率異方性値が正である液晶組成物を用いたものが主流であるため、誘電率異方性値が負である化合物や組成物についてはその開発が充分であるとは言えない。
このように多様化する表示方式やそれに伴う材料への様々な特性要求に対する対応が不充分である。例えば、
・誘電率異方性値が負であっても、その絶対値が小さい、
・相溶性が悪いので多量に用いることができない、
・屈折率異方性値の自由な設定が困難である、
・粘度が大きい、
・化学的・物理的安定性が悪い、
などという問題がある。
【０００６】
誘電率異方性値が負である液晶性化合物の一例として、特開昭５７−１１４５３２に開示される２，３−ジフルオロフェニレン骨格を有する液晶性化合物が挙げられる。しかし、それらの化合物の負の誘電率異方性値（絶対値）は充分に大きくはなく、また、相溶性、屈折率異方性値の自由度、化学的・物理的安定性などの特性もすべて満足できるものではなく、さらなる改善が求められている。
一方、特開昭６４−３６６８３にチオエーテル結合を部分構造に有する液晶性化合物開示されている。しかし、それらは強誘電性液晶を意図したものであり、例えばＴＮ、ＳＴＮ、ＴＦＴなどに代表されるような表示方式に用いられるネマチック液晶を意図したものではなく、また、負の誘電率異方性値の絶対値を大きくするものではない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、特開平２−１７６６２５号公報に記載されているような垂直配向、ＩＰＳ、ＥＣＢ（ＨＡＮまたはＤＡＰなど）、ＤＳ、ＧＨ、ＰＣなどの各種表示方式、すなわち誘電率異方性値が負である液晶材料を用いる表示方式に使用できる液晶性化合物や組成物を提供することにある。また別の目的は、ＴＮ、ＳＴＮまたはＴＮをベースにしたＡＭ（ＴＦＴまたはＭＩＭ）などの方式、すなわち誘電率異方性値が正である液晶を用いる各種表示方式に使用する液晶組成物の諸特性を調整できる液晶性化合物を提供することにある。さらに別の目的は、前述の表示方式の改善された液晶表示素子を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために本発明者らは鋭意研究した結果、分子中にチオエーテル結合と２，３−ジフルオロフェニレンとを同時に有する特定の化合物が、絶対値の大きな負の誘電率異方性値を有するのみならず、適切な屈折率異方性値を有し、良好な相溶性と高い化学的安定性ならびに物理的安定性を有することを見出し、本発明の液晶性化合物、液晶組成物および液晶表示素子を完成させるに至った。
【０００９】
本発明の液晶性化合物は、つぎの〔１〕〜〔６〕項で示される。
〔１〕 一般式（１）
【化６】
〔２〕 〔１〕項において、環Ａ1および環Ａ2が互いに独立して、トランス−１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレンまたは３−フルオロ−１，４−フェニレンである液晶性化合物。
〔３〕 〔１〕項において、環Ａ1がトランス−１，４−シクロヘキシレンであり、ｍが１である液晶性化合物。
〔４〕 〔３〕項において、環Ａ2がトランス−１，４−シクロヘキシレンである液晶性化合物。
〔５〕 〔３〕項において、Ｘが−ＣＨ2Ｓ−または−ＳＣＨ2−である液晶性化合物。
〔６〕 〔４〕項において、Ｘが−ＣＨ2Ｓ−または−ＳＣＨ2−である液晶性化合物。
【００１０】
本発明の液晶組成物は、つぎの〔７〕〜〔１６〕項で示される。
〔７〕 前記一般式〔１〕で示される液晶性化合物からなる第一成分を含む、少なくとも二成分からなる液晶組成物。
〔８〕 一般式（２）、（３）および（４）で示される化合物群から選択された少なくとも一つの化合物からなる（ｂ）成分
【化７】
【００１１】
一般式（５）および（６）で示される化合物群から選択された少なくとも一つの化合物からなる（ｃ）成分
【化８】
【００１２】
一般式（７）、（８）および（９）からなる化合物群から選択された少なくとも一つの化合物からなる（ｄ）成分
【化９】
および
【００１３】
一般式（１０）、（１１）および（１２）で示される化合物群から選択された少なくとも一つの化合物からなる（ｅ）成分
【化１０】
からなる４成分から選択された少なくとも一成分と前記一般式（１）で示される液晶性化合物からなる第一成分とを含む液晶組成物
【００１４】
〔９〕 前記第一成分および前記（ｂ）成分の二成分を含む前記〔８〕項記載の液晶組成物。
〔１０〕 前記第一成分および前記（ｃ）成分の二成分を含む前記〔８〕項記載の液晶組成物。
〔１１〕 前記第一成分および前記（ｄ）成分の二成分を含む前記〔８〕項記載の液晶組成物。
〔１２〕 前記第一成分および前記（ｅ）成分の二成分を含む前記〔８〕項記載の液晶組成物。
〔１３〕 前記第一成分、前記（ｄ）成分および前記（ｅ）成分の三成分を含む前記〔８〕項記載の液晶組成物。
〔１４〕 前記第一成分、前記（ｄ）成分および前記（ｂ）成分の三成分を含む前記〔８〕項記載の液晶組成物。
〔１５〕 前記第一成分、前記（ｄ）成分および前記（ｃ）成分の三成分を含む前記〔８〕項記載の液晶組成物。
〔１６〕 前記第一成分、前記（ｄ）成分、前記（ｂ）成分、前記（ｃ）成分の四成分を含む前記〔８〕項記載の液晶組成物。
【００１５】
本発明の光学活性化合物を含有する液晶組成物は、つぎの〔１７〕項で示される。
〔１７〕〔７〕〜〔１６〕項のいずれか一項に記載の液晶組成物および光学活性化合物からなる光学活性化合物を含有する液晶組成物。
【００１６】
本発明の液晶表示素子は、つぎの〔１８〕項で示される。
〔１８〕 〔７〕〜〔１７〕）項のいずれか一項に記載の液晶組成物を含む液晶表示素子。
【００１７】
前記〔１２〕項および〔１３〕項に記載される発明は、Ｎ型（Δεが負）の液晶組成物に関する発明である。Ｎ型の液晶組成物は、例えば特開平２−１７６６２５号公報に記載されているような垂直配向方式や、ＩＰＳ方式など種々の表示方式で駆動できる。
また、〔９〕、〔１０〕、〔１１〕、〔１４〕、〔１５〕および〔１６〕項に記載される発明は、Ｐ型（Δεが正）の液晶組成物に関する発明であるが、このようなＰ型液晶組成物の成分としてＮ型の化合物を使用することもできる。このことによって、誘電率異方性値を液晶組成物の使用目的に応じて自由に設定できるのみならず、その他の特性、例えば液晶組成物の屈折率異方性値や弾性定数のコントロールなども可能となる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
本発明の化合物は一般式（１）で示される。好ましい化合物としては、下記の一般式（１−１）〜（１−３９）で示される化合物を挙げることができる。
（式中、Ｒ1およびＲ2は前記と同一の意味を表す。）
【００１９】
【化１１】
【化１２】
【化１３】
一般式（１−１）〜（１−３９）において、Ｒ1およびＲ2は互いに独立して１〜１５のアルキル基であり、このアルキル基中の相隣接しない任意のメチレンは酸素原子、硫黄原子、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−で置換されていてもよく、またこのアルキル基中の任意の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよい。
その中でも特に好ましい基は、−ＣＨ3、−Ｃ2Ｈ5、−Ｃ3H7、−Ｃ4Ｈ9、
−Ｃ5Ｈ11、−Ｃ6Ｈ13、−Ｃ7Ｈ15、−Ｃ8Ｈ17、−Ｃ9Ｈ19、
−Ｃ10Ｈ21、−Ｃ11Ｈ23、−Ｃ12Ｈ25、−ＣＦＨ2、−ＣＦ2Ｈ、
−ＣＦ3、−ＣＨ2ＣＨ2Ｆ、−ＣＨ2ＣＨＦ2、−ＣＨ2ＣＦ3、
−ＣＦ2ＣＨ3、−ＣＦ2ＣＦ2Ｈ、−ＣＦＨＣＦ3、−ＣＦ2ＣＦ3、
−（ＣＨ2）2ＣＨ2Ｆ、−（ＣＨ2）2ＣＨＦ2、−（ＣＨ2）2ＣＦ3、
−ＣＨ2ＣＦ2ＣＨ3、−ＣＨ2ＣＦ2ＣＦ3、−ＣＦ2Ｃ2Ｈ5、−Ｃ3Ｆ7、
−ＣＦ2ＣＦＨＣＦ3、−（ＣＨ2）3ＣＨ2Ｆ、−（ＣＨ2）4ＣＨ2Ｆ、
−（ＣＨ2）5ＣＨ2Ｆ、−ＣＦ2Ｃ3Ｈ7、−ＣＨ2ＣＦ2Ｃ2Ｈ5、
−（ＣＨ2）2ＣＦ2ＣＨ3、−ＣＦ2Ｃ4Ｈ9、−ＣＨ2ＣＦ2ＣＨ3、
−（ＣＨ2）2ＣＦ2Ｃ2Ｈ5、−（ＣＨ2）3ＣＦ2ＣＨ3、
【００２３】
−ＯＣＨ3、−ＯＣ2Ｈ5、−ＯＣ3H7、−ＯＣ4Ｈ9、−ＯＣ5Ｈ11、
−ＯＣ6Ｈ13、−ＯＣ7Ｈ15、−ＯＣ8Ｈ17、−ＯＣ9Ｈ19、
−ＯＣ10Ｈ21、−ＯＣ11Ｈ23、−ＯＣ12Ｈ25、−ＯＣＦＨ2、
−ＯＣＦ2Ｈ、−ＯＣＦ3、−ＯＣＨ2ＣＨ2Ｆ、−ＯＣＨ2ＣＨＦ2、
−ＯＣＨ2ＣＦ3、−ＯＣＦ2ＣＨ3、−ＯＣＦ2ＣＦ2Ｈ、−ＯＣＦＨＣＦ3、
−ＯＣＦ2ＣＦ3、−Ｏ（ＣＨ2）2ＣＨ2Ｆ、−Ｏ（ＣＨ2）2ＣＨＦ2、
−Ｏ（ＣＨ2）2ＣＦ3、−ＯＣＨ2ＣＦ2ＣＨ3、−ＯＣＨ2ＣＦ2ＣＦ3、
−ＯＣＦ2Ｃ2Ｈ5、−ＯＣ3Ｆ7、−ＯＣＦ2ＣＦＨＣＦ3、
−Ｏ（ＣＨ2）3ＣＨ2Ｆ、−Ｏ（ＣＨ2）4ＣＨ2Ｆ、
−Ｏ（ＣＨ2）5ＣＨ2Ｆ、−ＯＣＦ2Ｃ3Ｈ7、−ＯＣＨ2ＣＦ2Ｃ2Ｈ5、
−Ｏ（ＣＨ2）2ＣＦ2ＣＨ3、−ＯＣＦ2Ｃ4Ｈ9、−ＯＣＨ2ＣＦ2ＣＨ3、
−Ｏ（ＣＨ2）2ＣＦ2Ｃ2Ｈ5、−Ｏ（ＣＨ2）3ＣＦ2ＣＨ3、
【００２４】
−ＳＣＨ3、−ＳＣ2Ｈ5、−ＳＣ3H7、−ＳＣ4Ｈ9、−ＳＣ5Ｈ11、
−ＳＣ6Ｈ13、−ＳＣ7Ｈ15、−ＳＣ8Ｈ17、−ＳＣ9Ｈ19、
−ＳＣ10Ｈ21、−ＳＣ11Ｈ23、−ＳＣ12Ｈ25、−ＳＣＦＨ2、
−ＳＣＦ2Ｈ、−ＳＣＦ3、−ＳＣＨ2ＣＨ2Ｆ、−ＳＣＨ2ＣＨＦ2、
−ＳＣＨ2ＣＦ3、−ＳＣＦ2ＣＨ3、−ＳＣＦ2ＣＦ2Ｈ、−ＳＣＦＨＣＦ3、
−ＳＣＦ2ＣＦ3、−Ｓ（ＣＨ2）2ＣＨ2Ｆ、−Ｓ（ＣＨ2）2ＣＨＦ2、
−Ｓ（ＣＨ2）2ＣＦ3、−ＳＣＨ2ＣＦ2ＣＨ3、−ＳＣＨ2ＣＦ2ＣＦ3、
−ＳＣＦ2Ｃ2Ｈ5、−ＳＣ3Ｆ7、−ＳＣＦ2ＣＦＨＣＦ3、
−Ｓ（ＣＨ2）3ＣＨ2Ｆ、−Ｓ（ＣＨ2）4ＣＨ2Ｆ、
−Ｓ（ＣＨ2）5ＣＨ2Ｆ、−ＳＣＦ2Ｃ3Ｈ7、−ＳＣＨ2ＣＦ2Ｃ2Ｈ5、
−Ｓ（ＣＨ2）2ＣＦ2ＣＨ3、−ＳＣＦ2Ｃ4Ｈ9、−ＳＣＨ2ＣＦ2ＣＨ3、
−Ｓ（ＣＨ2）2ＣＦ2Ｃ2Ｈ5、−Ｓ（ＣＨ2）3ＣＦ2ＣＨ3、
【００２５】
−ＣＨ＝ＣＨ2、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ3、−ＣＨ＝ＣＨＣ2Ｈ5、
−ＣＨ＝ＣＨＣ3Ｈ7、−ＣＨ＝ＣＨＣ4Ｈ9、−ＣＨ2ＣＨ＝ＣＨＣＨ3、
−ＣＨ2ＣＨ＝ＣＨＣ2Ｈ5、−ＣＨ2ＣＨ＝ＣＨＣ3Ｈ7、
−ＣＨ2ＣＨ＝ＣＨＣ4Ｈ9、−（ＣＨ2）2ＣＨ＝ＣＨＣＨ3、
−（ＣＨ2）2ＣＨ＝ＣＨＣ2Ｈ5、−（ＣＨ2）2ＣＨ＝ＣＨＣ3Ｈ7、
−（ＣＨ2）2ＣＨ＝ＣＨＣ4Ｈ9、−ＣＨ2ＣＨ＝ＣＨ2、
−（ＣＨ2）2ＣＨ＝ＣＨ2、−（ＣＨ2）3ＣＨ＝ＣＨ2、
−（ＣＨ2）4ＣＨ＝ＣＨ2、−（ＣＨ2）5ＣＨ＝ＣＨ2、
−ＣＨ＝ＣＨＣＨ＝ＣＨ2、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ2ＣＨ＝ＣＨ2、
−ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ2）2ＣＨ＝ＣＨ2、−ＣＨ＝ＣＨ(ＣＨ2）3ＣＨ＝ＣＨ2、
−ＣＨ2ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ2）2ＣＨ＝ＣＨ2、
−（ＣＨ2）2ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ2）2ＣＨ＝ＣＨ2、
【００２６】
−ＣＦ＝ＣＦ2、−ＣＨ＝ＣＦ2、−ＣＨ＝ＣＨＦ、− ＣＨ2ＣＦ＝ＣＦ2、
− ＣＨ2ＣＨ＝ＣＦ2、− ＣＨ2ＣＨ＝ＣＨＦ、−（ＣＨ2）2ＣＨ ＝ＣＦ2、
−（ＣＨ2）2ＣＨ ＝ＣＨＦ、−（ＣＨ2）3ＣＨ ＝ＣＦ2、
−（ＣＨ2）3ＣＨ ＝ＣＨＦ、−（ＣＨ2）4ＣＨ ＝ＣＦ2、
−（ＣＨ2）4ＣＨ ＝ＣＨＦ、−（ＣＨ2）5ＣＨ ＝ＣＦ2、
−（ＣＨ2）5ＣＨ ＝ＣＨＦ、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ2ＣＨ2Ｆ、
−ＣＨ＝ＣＨＣＨ2ＣＨＦ2、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ2ＣＦ3、
−ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ2）2ＣＨ2Ｆ、−ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ2）2ＣＨＦ2、
−ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ2）2ＣＦ3、−ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ2）3ＣＨ2Ｆ、
−ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ2）3ＣＨＦ2、−ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ2）3ＣＦ3、
−ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ2）4ＣＨ2Ｆ、−ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ2）4ＣＨＦ2、
−ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ2）4ＣＦ3、− ＣＨ2ＣＨ ＝ＣＨＣＨ2ＣＨ2Ｆ、
− ＣＨ2ＣＨ ＝ＣＨ（ＣＨ2）2ＣＨ2Ｆ、
−（ＣＨ2）2ＣＨ ＝ＣＨＣＨ2ＣＨ2Ｆ、
−（ＣＨ2）2ＣＨ ＝ＣＨ（ＣＨ2）2ＣＨ2Ｆ、
−ＣＨ＝ＣＨＣＨ2ＣＨ＝ＣＦ2、−ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ2）2ＣＨ＝ＣＦ2、
−ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ2）2ＣＦ ＝ＣＦ2、
−ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ2）3ＣＨＦＣF3、
【００２７】
−ＯＣＨ2ＣＨ＝ＣＨＣＨ3、−ＯＣＨ2ＣＨ＝ＣＨＣ2Ｈ5、
−ＯＣＨ2ＣＨ＝ＣＨＣ3Ｈ7、−ＯＣＨ2ＣＨ＝ＣＨＣ4Ｈ9、
−Ｏ（ＣＨ2）2ＣＨ＝ＣＨＣＨ3、−Ｏ（ＣＨ2）2ＣＨ＝ＣＨＣ2Ｈ5、
−Ｏ（ＣＨ2）2ＣＨ＝ＣＨＣ3Ｈ7、−Ｏ（ＣＨ2）2ＣＨ＝ＣＨＣ4Ｈ9、
−ＯＣＨ2ＣＨ＝ＣＨ2、−Ｏ（ＣＨ2）2ＣＨ＝ＣＨ2、
−Ｏ（ＣＨ2）3ＣＨ＝ＣＨ2、−Ｏ（ＣＨ2）4ＣＨ＝ＣＨ2、
−Ｏ（ＣＨ2）5ＣＨ＝ＣＨ2、−ＯＣＨ2ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ2）2ＣＨ＝ＣＨ2、
−Ｏ（ＣＨ2）2ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ2）2ＣＨ＝ＣＨ2、
【００２８】
−ＳＣＨ2ＣＨ＝ＣＨＣＨ3、−ＳＣＨ2ＣＨ＝ＣＨＣ2Ｈ5、
−ＳＣＨ2ＣＨ＝ＣＨＣ3Ｈ7、−ＳＣＨ2ＣＨ＝ＣＨＣ4Ｈ9、
−Ｓ（ＣＨ2）2ＣＨ＝ＣＨＣＨ3、−Ｓ（ＣＨ2）2ＣＨ＝ＣＨＣ2Ｈ5、
−Ｓ（ＣＨ2）2ＣＨ＝ＣＨＣ3Ｈ7、−Ｓ（ＣＨ2）2ＣＨ＝ＣＨＣ4Ｈ9、
−ＳＣＨ2ＣＨ＝ＣＨ2、−Ｓ（ＣＨ2）2ＣＨ＝ＣＨ2、
−Ｓ（ＣＨ2）3ＣＨ＝ＣＨ2、−Ｓ（ＣＨ2）4ＣＨ＝ＣＨ2、
−Ｓ（ＣＨ2）5ＣＨ＝ＣＨ2、−ＳＣＨ2ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ2）2ＣＨ＝ＣＨ2、
−Ｓ（ＣＨ2）2ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ2）2ＣＨ＝ＣＨ2、
【００２９】
− ＯＣＨ2ＣＦ＝ＣＦ2、−ＯＣＨ2ＣＨ＝ＣＦ2、−ＯＣＨ2ＣＨ＝ＣＨＦ、
−Ｏ（ＣＨ2）2ＣＨ ＝ＣＦ2、−Ｏ（ＣＨ2）2ＣＨ ＝ＣＨＦ、
−Ｏ（ＣＨ2）3ＣＨ ＝ＣＦ2、−Ｏ（ＣＨ2）3ＣＨ ＝ＣＨＦ、
−Ｏ（ＣＨ2）4ＣＨ ＝ＣＦ2、−Ｏ（ＣＨ2）4ＣＨ ＝ＣＨＦ、
−Ｏ（ＣＨ2）5ＣＨ ＝ＣＦ2、−Ｏ（ＣＨ2）5ＣＨ ＝ＣＨＦ、
−Ｏ ＣＨ2ＣＨ ＝ＣＨＣＨ2ＣＨ2Ｆ、
−Ｏ（ＣＨ2）2ＣＨ ＝ＣＨ（ＣＨ2）2ＣＨ2Ｆ、
−Ｏ（ＣＨ2）2ＣＨ ＝ＣＨＣＨ2ＣＨ2Ｆ、
【００３０】
−ＳＣＨ2ＣＦ＝ＣＦ2、−ＳＣＨ2ＣＨ＝ＣＦ2、−ＳＣＨ2ＣＨ＝ＣＨＦ、
−Ｓ（ＣＨ2）2ＣＨ ＝ＣＦ2、−Ｓ（ＣＨ2）2ＣＨ ＝ＣＨＦ、
−Ｓ（ＣＨ2）3ＣＨ ＝ＣＦ2、−Ｓ（ＣＨ2）3ＣＨ ＝ＣＨＦ、
−Ｓ（ＣＨ2）4ＣＨ ＝ＣＦ2、−Ｓ（ＣＨ2）4ＣＨ ＝ＣＨＦ、
−Ｓ（ＣＨ2）5ＣＨ ＝ＣＦ2、−Ｓ（ＣＨ2）5ＣＨ ＝ＣＨＦ、
−Ｓ ＣＨ2ＣＨ ＝ＣＨＣＨ2ＣＨ2Ｆ、
−Ｓ（ＣＨ2）2ＣＨ ＝ＣＨ（ＣＨ2）2ＣＨ2Ｆ、
−Ｓ（ＣＨ2）2ＣＨ ＝ＣＨＣＨ2ＣＨ2Ｆ、
【００３１】
−Ｃ≡ＣＨ、−Ｃ≡ＣＣＨ3、−Ｃ≡ＣＣ2Ｈ5、−Ｃ≡ＣＣ3Ｈ7、
−Ｃ≡ＣＣ4Ｈ9、−ＣＨ2Ｃ≡ＣＨ、−ＣＨ2Ｃ≡ＣＣＨ3、
−ＣＨ2Ｃ≡ＣＣ2Ｈ5、−ＣＨ2Ｃ≡ＣＣ3Ｈ7、−ＣＨ2Ｃ≡ＣＣ4Ｈ9、
−（ＣＨ2）2Ｃ≡ＣＨ、−（ＣＨ2）2Ｃ≡ＣＣＨ3、
−（ＣＨ2）2Ｃ≡ＣＣ2Ｈ5、−（ＣＨ2）2Ｃ≡ＣＣ3Ｈ7、
−（ＣＨ2）2Ｃ≡ＣＣ4Ｈ9、−（ＣＨ2）3Ｃ≡ＣＨ、
−（ＣＨ2）3Ｃ≡ＣＣＨ3、−（ＣＨ2）3Ｃ≡ＣＣ2Ｈ5、
−（ＣＨ2）3Ｃ≡ＣＣ3Ｈ7、−（ＣＨ2）3Ｃ≡ＣＣ4Ｈ9、−Ｃ≡ＣＣＦ3、
−Ｃ≡ＣＣ2Ｆ5、−Ｃ≡ＣＣ3Ｆ7、−ＣＨ2Ｃ≡ＣＣＦ3、
−（ＣＨ2）2Ｃ≡ＣＣＦ3、
【００３２】
−ＯＣＨ2Ｃ≡ＣＨ、−ＯＣＨ2Ｃ≡ＣＣＨ3、−ＯＣＨ2Ｃ≡ＣＣ2Ｈ5、
−ＯＣＨ2Ｃ≡ＣＣ3Ｈ7、−ＯＣＨ2Ｃ≡ＣＣ4Ｈ9、
−Ｏ（ＣＨ2）2Ｃ≡ＣＨ、−Ｏ（ＣＨ2）2Ｃ≡ＣＣＨ3、
−Ｏ（ＣＨ2）2Ｃ≡ＣＣ2Ｈ5、−Ｏ（ＣＨ2）2Ｃ≡ＣＣ3Ｈ7、
−Ｏ（ＣＨ2）2Ｃ≡ＣＣ4Ｈ9、−Ｏ（ＣＨ2）3Ｃ≡ＣＨ、
−Ｏ（ＣＨ2）3Ｃ≡ＣＣＨ3、−Ｏ（ＣＨ2）3Ｃ≡ＣＣ2Ｈ5、
−Ｏ（ＣＨ2）3Ｃ≡ＣＣ3Ｈ7、−Ｏ（ＣＨ2）3Ｃ≡ＣＣ4Ｈ9、
【００３３】
−ＳＣＨ2Ｃ≡ＣＨ、−ＳＣＨ2Ｃ≡ＣＣＨ3、−ＳＣＨ2Ｃ≡ＣＣ2Ｈ5、
−ＳＣＨ2Ｃ≡ＣＣ3Ｈ7、−ＳＣＨ2Ｃ≡ＣＣ4Ｈ9、
−Ｓ（ＣＨ2）2Ｃ≡ＣＨ、−Ｓ（ＣＨ2）2Ｃ≡ＣＣＨ3、
−Ｓ（ＣＨ2）2Ｃ≡ＣＣ2Ｈ5、−Ｓ（ＣＨ2）2Ｃ≡ＣＣ3Ｈ7、
−Ｓ（ＣＨ2）2Ｃ≡ＣＣ4Ｈ9、−Ｓ（ＣＨ2）3Ｃ≡ＣＨ、
−Ｓ（ＣＨ2）3Ｃ≡ＣＣＨ3、−Ｓ（ＣＨ2）3Ｃ≡ＣＣ2Ｈ5、
−Ｓ（ＣＨ2）3Ｃ≡ＣＣ3Ｈ7、−Ｓ（ＣＨ2）3Ｃ≡ＣＣ4Ｈ9、
【００３４】
−ＯＣＨ2Ｃ≡ＣＣＦ3、−Ｏ（ＣＨ2）2Ｃ≡ＣＣＦ3、−ＣＨ2ＯＣＨ3、
−ＣＨ2ＯＣ2Ｈ5、−ＣＨ2ＯＣ3Ｈ7、−ＣＨ2ＯＣ4Ｈ9、
−ＣＨ2ＯＣ5Ｈ11、−（ＣＨ2）2ＯＣＨ3、−（ＣＨ2）2ＯＣ2Ｈ5、
−（ＣＨ2）2ＯＣ3Ｈ7、−（ＣＨ2）2ＯＣ4Ｈ9、
−（ＣＨ2）2ＯＣ5Ｈ11、−（ＣＨ2）3ＯＣＨ3、
−（ＣＨ2）3ＯＣ2Ｈ5、−（ＣＨ2）3ＯＣ3Ｈ7、−（ＣＨ2）3ＯＣ4Ｈ9、
−（ＣＨ2）3ＯＣ5Ｈ11、−（ＣＨ2）4ＯＣＨ3、
【００３５】
−ＳＣＨ2Ｃ≡ＣＣＦ3、−Ｓ（ＣＨ2）2Ｃ≡ＣＣＦ3、−ＣＨ2ＳＣＨ3、
−ＣＨ2ＳＣ2Ｈ5、−ＣＨ2ＳＣ3Ｈ7、−ＣＨ2ＳＣ4Ｈ9、
−ＣＨ2ＳＣ5Ｈ11、−（ＣＨ2）2ＳＣＨ3、−（ＣＨ2）2ＳＣ2Ｈ5、
−（ＣＨ2）2ＳＣ3Ｈ7、−（ＣＨ2）2ＳＣ4Ｈ9、
−（ＣＨ2）2ＳＣ5Ｈ11、−（ＣＨ2）3ＳＣＨ3、−（ＣＨ2）3ＳＣ2Ｈ5、
−（ＣＨ2）3ＳＣ3Ｈ7、−（ＣＨ2）3ＳＣ4Ｈ9、
−（ＣＨ2）3ＳＣ5Ｈ11、−（ＣＨ2）4ＳＣＨ3、
【００３６】
−ＣＦ2ＯＣＨ3、−ＣＦ2ＯＣ2Ｈ5、−ＣＦ2ＯＣ3Ｈ7、
−ＣＦ2ＯＣ4Ｈ9、−ＣＦ2ＯＣ5Ｈ11、−ＣＨ2ＯＣＦ3、
−ＣＨ2ＯＣ2Ｆ5、−ＯＣＨ2ＯＣＨ3、−ＯＣＨ2ＯＣ2Ｈ5、
−ＯＣＨ2ＯＣ3Ｈ7、−ＯＣＨ2ＯＣ4Ｈ9、−ＯＣＨ2ＯＣ5Ｈ11、
−Ｏ（ＣＨ2）2ＯＣＨ3、−Ｏ（ＣＨ2）2ＯＣ2Ｈ5、
−Ｏ（ＣＨ2）2ＯＣ3Ｈ7、−Ｏ（ＣＨ2）2ＯＣ4Ｈ9、
−Ｏ（ＣＨ2）2ＯＣ5Ｈ11、−Ｏ（ＣＨ2）3ＯＣＨ3、
−Ｏ（ＣＨ2）3ＯＣ2Ｈ5、−Ｏ（ＣＨ2）3ＯＣ3Ｈ7、
−Ｏ（ＣＨ2）3ＯＣ4Ｈ9、−Ｏ（ＣＨ2）3ＯＣ5Ｈ11、
−Ｏ（ＣＨ2）4ＯＣＨ3、−ＯＣＨ2ＯＣＦ3、−ＯＣＨ2ＯＣ2Ｆ5、
【００３７】
−ＣＦ2ＳＣＨ3、−ＣＦ2ＳＣ2Ｈ5、−ＣＦ2ＳＣ3Ｈ7、
−ＣＦ2ＳＣ4Ｈ9、−ＣＦ2ＳＣ5Ｈ11、−ＣＨ2ＳＣＦ3、
−ＣＨ2ＳＣ2Ｆ5、−ＳＣＨ2ＳＣＨ3、−ＳＣＨ2ＳＣ2Ｈ5、
−ＳＣＨ2ＳＣ3Ｈ7、−ＳＣＨ2ＳＣ4Ｈ9、−ＳＣＨ2ＳＣ5Ｈ11、
−Ｓ（ＣＨ2）2ＳＣＨ3、−Ｓ（ＣＨ2）2ＳＣ2Ｈ5、
−Ｓ（ＣＨ2）2ＳＣ3Ｈ7、−Ｓ（ＣＨ2）2ＳＣ4Ｈ9、
−Ｓ（ＣＨ2）2ＳＣ5Ｈ11、−Ｓ（ＣＨ2）3ＳＣＨ3、
−Ｓ（ＣＨ2）3ＳＣ2Ｈ5、−Ｓ（ＣＨ2）3ＳＣ3Ｈ7、
−Ｓ（ＣＨ2）3ＳＣ4Ｈ9、−Ｓ（ＣＨ2）3ＳＣ5Ｈ11、
−Ｓ（ＣＨ2）4ＳＣＨ3、−ＳＣＨ2ＳＣＦ3、−ＳＣＨ2ＳＣ2Ｆ5である。
【００３８】
本発明の液晶組成物は、 前記一般式（１）で示される液晶性化合物からなる第一成分を含む、少なくとも二成分からなる。本発明の液晶組成物の好ましい態様は、一般式（１）で示される化合物の少なくとも１種類からなる第一成分に、用途に応じて、一般式（２）〜（１２）で示される化合物の群から選択される化合物を混合することにより完成する。この第一成分の含有量は、組成物に対して０．１〜９９．９重量％、好ましく０．５〜８５重量％、より好ましくは１〜６５重量％である。
例えば組成物の含有量は、前記[１３]項の液晶組成物の場合、好ましくは第一成分が１〜５５重量％、（ｄ）成分が４〜７０重量％、（e）成分が４０〜９５重量％、より好ましくは第一成分が３〜５０重量％、（ｄ）成分が７〜６０重量％、（e）成分が５０〜９０重量％である。
また、前記[１４]項の液晶組成物の場合、好ましくは第一成分が１〜６０重量％、（ｂ）成分が１０〜９７重量％、（ｄ）成分が２〜７０重量％、より好ましくは第一成分が５〜５０重量％、（ｂ）成分が２０〜８８重量％、（ｄ）成分が７〜４０重量％である。
さらに、前記[１５]項の液晶組成物の場合、好ましくは第一成分が１〜６０重量％、（ｃ）成分が１０〜９４重量％、（ｄ）成分が５〜７０重量％、より好ましくは第一成分が５〜５０重量％、（ｃ）成分が２０〜８８重量％、（ｄ）成分が７〜４０重量％である。
【００３９】
本発明の組成物のさらに好ましい態様として、一般式（２）、（３）および（４）で示される化合物群から選択された少なくとも一つの化合物からなる（ｂ）成分；一般式（５）および（６）で示される化合物群から選択された少なくとも一つの化合物からなる（ｃ）成分；一般式（７）、（８）および（９）からなる化合物群から選択された少なくとも一つの化合物からなる（ｄ）成分；および 一般式（１０）、（１１）および（１２）で示される化合物群から選択された少なくとも一つの化合物からなる（ｅ）成分；からなる４成分から選択された少なくとも一成分と前記一般式（１）で示される液晶性化合物からなる第一成分とを含む液晶組成物が示される。
【００４０】
（ｂ）成分すなわち一般式（２）〜（４）で示される化合物で好ましいものとして、下記の一般式（２−１）〜（２−９），（３−１）〜（３−６９）および（４−１）〜（４−２４）で示される化合物を挙げることができる。
（式中、Ｒ3およびＹ2は前記と同一の意味をもつ。）
【００４１】
【化１４】
【化１５】
【化１６】
【化１７】
【化１８】
【化１９】
【化２０】
【化２１】
【化２２】
（ｂ）成分すなわち一般式（２）〜（４）で示される化合物は、誘電率異方性値が正の化合物であり、熱的安定性や化学的安定性が非常に優れており、電圧保持率の高い、あるいは比抵抗値の大きいといった高い信頼性を要求されるＴＦＴ（ＡＭ−ＬＣＤ）用の液晶組成物を調製する場合には特に有用である。
ＴＦＴ用の液晶組成物を調製する場合、（ｂ）成分の混合割合は、液晶組成物の全重量に対して１０〜９７重量％が好ましい。より好ましい混合割合は４０〜９５重量％である。この場合、粘度を調整する目的でさらに（ｄ）成分すなわち一般式（７）〜（９）で示される化合物を混合することもできる。
ＳＴＮ用またはＴＮ用の液晶組成物を調製する場合にも、（ｂ）成分を使用することができる。この成分は、（ｃ）成分すなわち一般式（５）〜（６）で示される化合物に比べて、液晶組成物のしきい値電圧を小さくする効果が少ないので、５０重量％以下の混合割合で使用するのが好ましい。
【００５１】
（ｃ）成分すなわち一般式（５）および（６）で示される化合物は、誘電率異方性値が正でその値が大きく、得られる液晶組成物のしきい値電圧を小さくする目的で使用される。また、屈折率異方性値の調整、透明点を高くするなどのネマチックレンジを広げる目的にも使用される。さらに、ＳＴＮまたはＴＮ用液晶組成物のＶ−Ｔ曲線の急峻性を改良する目的にも使用される。
（ｃ）成分は、ＳＴＮ用またはＴＮ用の液晶組成物を調製する場合には特に有用な化合物である。（ｃ）成分の混合割合を増加させると、液晶組成物のしきい値電圧が小さくなり、粘度が上昇する。したがって、液晶組成物の粘度が要求値を満足する限り、多量に配合することが表示素子を低電圧で駆動できることになるので有利である。ＳＴＮ用またはＴＮ用の液晶組成物を調製する場合には、（ｃ）成分の混合割合は、液晶組成物の全重量に対して１０〜９７重量％が好ましく、より好ましい混合割合は４０〜９５重量％である。
（ｃ）成分で好ましいものとして、下記の一般式（５−１）〜（５−４０），（６−１）〜（６−３）で示される化合物を挙げることができる。
（式中、Ｒ4、Ｒ5およびＹ3は前記と同一の意味をもつ。）
【００５２】
【化２３】
【化２４】
【化２５】
【化２６】
【化２７】
（ｄ）成分すなわち一般式（７）〜（９）で示される化合物のうちで好ましいものとして、下記の一般式（７−１）〜（７−１１），（８−１）〜（８−１８）および（９−１）〜（９−６）で示される化合物を挙げることができる。
（式中、Ｒ6およびＲ7は前記と同一の意味をもつ。）
【００５８】
【化２８】
【化２９】
【化３０】
【化３１】
（ｄ）成分すなわち一般式（７）〜（９）で示される化合物は、誘電率異方性の絶対値が小さく、中性に近い化合物である。一般式（７）で示される化合物は、主として液晶組成物の粘度調整または屈折率異方性値を調整する目的で使用される。また、一般式（８）および（９）で示される化合物は、液晶組成物の透明点を高くするなどのネマチックレンジを広げる目的または屈折率異方性値の調整の目的で使用される。
（ｄ）成分の混合割合を増加させると、得られる液晶組成物のしきい値電圧が大きくなり、粘度が小さくなる。したがって、液晶組成物のしきい値電圧が要求値を満足している限り、多量に配合することが望ましい。
ＴＦＴ用の液晶組成物を調製する場合には、（ｄ）成分の混合割合は、液晶組成物の全重量に対し４０重量％以下であるが、より好ましい混合割合は３５重量％以下である。また、ＳＴＮ用またはＴＮ用の液晶組成物を調製する場合には、（ｄ）成分の混合割合は、液晶組成物の全重量に対し７０重量％以下、より好ましくは６０重量％以下である。
【００６３】
（ｅ）成分すなわち一般式（１０）〜（１２）で示される化合物のうちで好ましいものとして、下記の一般式（１０−１）〜（１０−３），（１１−１）〜（１１−５）および（１２−１）〜（１２−３）で示される化合物を挙げることができる。（式中、Ｒ8およびＲ9は前記と同一の意味をもつ。）
【００６４】
【化３２】
（ｅ）成分すなわち一般式（１０）〜（１２）で示される化合物は、誘電率異方性値が負の化合物である。一般式（１０）で示される化合物は二環化合物であり、主としてしきい値電圧の調整、粘度調整または屈折率異方性値の調整の目的で使用される。一般式（１１）で示される化合物は透明点を高くするなどのネマチックレンジを広げる目的で、または屈折率異方性値を調整する目的で使用される。一般式（１２）で示される化合物は、得られる組成物のネマチックレンジを広げる目的のほか、しきい値電圧を小さくする目的および屈折率異方性値を大きくする目的で使用される。
（ｅ）成分は主としてＮ型（誘電率異方性値が負）の組成物に使用されるが、その混合割合を増加させると、得られる液晶組成物のしきい値電圧は小さくなるが、粘度が大きくなる。したがって、液晶組成物のしきい値電圧が要求値を満足している限り、少量の混合をすることが望ましい。しかしながら、これらの化合物は誘電率異方性値の絶対値が５以下であるので、混合割合が４０重量％より少なくなると低電圧駆動ができなくなる場合がある。
ＴＦＴ用のＮ型液晶組成物を調製する場合には、（ｅ）成分の混合割合は、液晶組成物の全重量に対して４０重量％以上が好ましく、５０〜９５重量％がより好ましい。
また、液晶組成物の弾性定数をコントロールし、電圧−透過率曲線（Ｖ−Ｔカーブ）を制御する目的で、（ｅ）成分をＰ型液晶組成物（誘電率異方性値が正である組成物）に添加する場合もある。このような場合には、液晶組成物中の（ｅ）成分の混合割合は３０重量％以下が好ましい。
【００６６】
本発明の光学活性化合物を含有する液晶組成物は、前記本発明の液晶組成物に光学活性化合物を添加することにより得られる。光学活性化合物の添加によりＯＣＢ（Optically Compensated Birefringence）モード用の液晶組成物などの特別な場合を除き、通常、液晶組成物のらせん構造を誘起して必要なねじれ角を調整し、逆ねじれ（reverse twist）が防止される。
本発明の光学活性化合物を含有する液晶組成物に用いられる具体的な光学活性化合物として、下記の化合物を挙げることができる。
【００６７】
【化３３】
本発明の液晶組成物は、通常、上記の光学活性化合物を添加して、らせんのピッチ（helical pitch）を調整する。らせんのピッチは、ＴＦＴ用およびＴＮ用の液晶組成物であれば、１０〜２００μｍの範囲、ＳＴＮ用の液晶組成物であれば、６〜２０μｍの範囲、また、双安定（bistable）ＴＮモード用の場合は、１．５〜４μｍの範囲に調整されたのが好ましい。また二種類以上の光学活性化合物を含む場合は、らせんピッチの温度依存性も制御できる。
【００６９】
本発明の液晶組成物および光学活性化合物を含有する液晶組成物は、それ自体慣用な方法により調製される。一般には、種々の成分の化合物をそれらの透明点よりも高い温度にして互いに溶解させる方法がとられている。
本発明の液晶組成物および光学活性化合物を含有する液晶組成物は、メロシアニン系、スチリル系、アゾ系、アゾメチン系、アゾキシ系、キノフタロン系、アントラキノン系およびテトラジン系などの二色性色素を添加して、ゲストホスト（ＧＨ）モード用に使用できる。あるいはネマチック液晶をマイクロカプセル化して作製したＮＣＡＰや、液晶中に三次元網目状高分子を作製したポリマーネットワーク液晶表示素子（ＰＮＬＣＤ）に代表されるポリマー分散型液晶表示素子（ＰＤＬＣＤ）用にも使用できる。そのほかに、複屈折制御（ＥＣＢ）モードや動的散乱（ＤＳ）モード用としても使用できる。
【００７０】
本発明の液晶性化合物は公知の有機合成化学的手法を用いて製造することができる。その製造方法の例を反応式１、反応式２、反応式３および反応式４に示す。
【００７１】
【化３４】
上記反応式１に示される合成経路について説明する。
式（ａ）で示される４’−置換ビシクロヘキサン−４−カルボン酸メチルは水素化アルミニウムリチウムによる還元により式（ｂ）で示される４’−置換ビシクロヘキシルメタノールへと誘導され、ついで臭化水素と反応させて式（ｃ）で示される４’−置換ビシクロヘキシルメチルブロミドへと誘導される。
式（ｄ）で示される２，３−ジフルオロフェノールはハロゲン化アルキルと反応させて式（ｅ）で示される２，３−ジフルオロアルコキシベンゼンへと誘導される。ついでこの化合物をクロロ硫酸と反応させて式（ｆ）で示されるスルホニルクロリド化合物へと誘導され、さらに還元により式（g）で示される置換フェニルメルカプタン化合物へと誘導され、最後に式（ｃ）で示される４’−置換ビシクロヘキシルメチルブロミド化合物と反応させて式（ｈ）で示される目的のチオエーテル化合物へと誘導される。
【００７３】
【化３５】
つぎに、上記の反応式２に示される合成経路について説明する。
式（ｉ）で示される４−置換フェニルハライド化合物はマグネシウムと反応させた後、硫黄と反応させることにより式（ｊ）で示される４−(４−置換シクロヘキシル)フェニルメルカプタン化合物へと誘導される。
式（ｅ）で示される２，３−ジフルオロアルコキシベンゼンは第二ブチルリチウムと反応させた後、ドライアイスと反応させて式（ｋ）で示される置換安息香酸化合物へと誘導され、ついでメタノールと反応させて式（ｌ）で示される置換安息香酸メチルエステル化合物へと誘導される。式（ｌ）で示される置換安息香酸メチルエステル化合物は水素化アルミニウムリチウムによる還元により式（ｏ）で示される置換ベンジルアルコール化合物へと誘導され、ついで臭化水素と反応させて式（ｐ）で示される置換ベンジルブロミド化合物へと誘導され、最後に式（ｊ）で示される４−(４−置換シクロヘキシル)フェニルメルカプタン化合物と反応させて式（ｑ）で示される目的のチオエーテル化合物へと誘導される。
【００７５】
【化３６】
つぎに、上記の反応式３に示される合成経路について説明する。
式（ｉ）で示される４−置換フェニルハライド化合物はマグネシウムと反応させた後、二硫化炭素と反応させることにより式（ｒ）で示される４−(４−置換シクロヘキシル)ジチオ安息香酸化合物へと誘導され、ついで塩化チオニルと反応させて式（ｓ）で示される４−(４−置換シクロヘキシル)チオベンゾイルクロリド化合物へと誘導される。式（ｓ）で示される４−(４−置換シクロヘキシル)チオベンゾイルクロリド化合物は式（ｇ）で示される置換フェニルメルカプタン化合物と反応させて式（ｔ）で示される４−(４−置換シクロヘキシル)ジチオ安息香酸−置換フェニルエステル化合物へと誘導され、最後に酸化剤である１，３−ジブロモ−５，５−ジメチルヒダントイン（ＤＢＨ）の存在下でフッ化水素−ピリジン錯体と反応させて式（ｕ）で示される目的のチオエーテル化合物へと誘導される。
【００７７】
【化３７】
つぎに、上記の反応式４に示される合成経路について説明する。
式（ｅ）で示される２，３−ジフルオロアルコキシベンゼンは、第二ブチルリチウムと反応させた後、二硫化炭素と反応させて式（ｖ）で示される置換ジチオ安息香酸化合物へと誘導され、ついで塩化チオニルと反応させて式（ｗ）で示される置換チオベンゾイルクロリド化合物へと誘導される。式（ｗ）で示される置換チオベンゾイルクロリド化合物は式（ｊ）で示される４−(４−置換シクロヘキシル)フェニルメルカプタン化合物と反応させて式（ｘ）で示されるジチオ安息香酸−４−(４−置換シクロヘキシル)フェニルエステル化合物へと誘導され、最後に酸化剤である１，３−ジブロモ−５，５−ジメチルヒダントイン（ＤＢＨ）の存在下でフッ化水素−ピリジン錯体と反応させて式（ｙ）で示される目的のチオエーテル化合物へと誘導される。
【００７９】
【実施例】
実施例により本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例により何等限定されるものではない。なお、化合物の構造は核磁気共鳴スペクトル、赤外吸収スペクトルおよび質量スペクトル（以下、ＭＳと略す）などにより確認した。実施例中、ＭＳにおいてＭ+は分子イオンピークを表す。液晶性化合物のΔε（誘電率異方性値）は、下記の母液晶Ａ８５重量％と当該化合物１５重量％とからなる組成物からの外挿値（２５℃において測定）を表し、Δｎ（屈折率異方性値）は、下記の母液晶Ｂ８５重量％と当該化合物１５重量％とからなる組成物からの外挿値（２５℃において測定）を表す。
相転移温度におけるＣは結晶相を、ＳBはスメクチックＢ相を、Ｎはネマチック相を、Ｉｓｏは等方性液体相をそれぞれ示し、相転移温度の単位はすべて℃である。
【００８０】
母液晶Ａの組成
一般式
【化３８】
【００８１】
母液晶Ｂの組成
一般式
【化３９】
【００８３】
実施例１ (化合物例)
トランス，トランス−４−（２，３−ジフルオロ−４−エトキシフェニルメルカプトメチル）−４’−ｎ−プロピルビシクロヘキサン（一般式（１）において、Ｒ1がプロピル、環Ａ1および環Ａ2がトランス−１，４−シクロヘキシレン、Ｘが−ＣＨ2Ｓ−、Ｒ2がエトキシ、ｍが１である化合物（式ｈの化合物、化合物番号３７）の合成；
第１段
トランス−４−（トランス−４−（ｎ−プロピル）シクロヘキシル）シクロヘキシルメタノール（式ｂにおいてＱ1＝ｎ−Ｃ3Ｈ7の化合物）の合成；
水素化アルミニウムリチウム（１２．６５ｇ、０．３３３ｍｏｌ）をテトラヒドロフラン（８００ｍｌ）に懸濁し、これを冷却して５℃でトランス−４−（トランス−４−（ｎ−プロピル）シクロヘキシル）シクロヘキシル蟻酸メチル（１３３．２１ｇ、０．５００ｍｏｌ）のテトラヒドロフラン（８００ｍｌ）溶液を滴下した。反応液を徐々に室温まで昇温させ、同温度で２時間反応させた。反応終了後、氷冷下、酢酸エチル（３００ｍｌ）を加え、ついで水（１５ｍｌ）、さらに２０容量％硫酸（２５０ｍｌ）を加えた。さらに水（１．５ｌ）を加え、ジエチルエーテル（１．５ｌ）で抽出した。有機層を水（１．０ｌ）で２回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。減圧下で溶媒を留去し、残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出溶媒：クロロホルム／メタノール＝９／１）に付し、減圧下で溶媒を留去し、トルエンから再結晶することによりトランス−４−（トランス−４−（ｎ−プロピル）シクロヘキシル）シクロヘキシルメタノール（式ｂにおいてＱ1＝ｎ−Ｃ3Ｈ7の化合物）（９５．８４ｇ、０．４０２ｍｏｌ；収率８０％）を得た。
【００８５】
第２段
トランス−４−（トランス−４−（ｎ−プロピル）シクロヘキシル）シクロヘキシルメチルブロミド（式ｃにおいてＱ1＝ｎ−Ｃ3Ｈ7の化合物）の合成；
第１段で得られたトランス−４−（トランス−４−（ｎ−プロピル）シクロヘキシル）シクロヘキシルメタノール（式ｂにおいてＱ1＝ｎ−Ｃ3Ｈ7の化合物）（９５．３６ｇ、０．４００ｍｏｌ）をキシレン（７００ｍｌ）に溶解し、４７％臭化水素酸（１２０ｍｌ）を加え、水を留去しながら１０時間加熱還流した。反応終了後、室温まで冷却し、反応液に水1リットルを加え、トルエン（８００ｍｌ）で抽出し、有機層を飽和炭酸ナトリウム水溶液（８００ｍｌ）、水（８００ｍｌ）、飽和塩化ナトリウム水溶液（８００ｍｌ）で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。減圧下で溶媒を留去し、残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出溶媒：ヘプタン）に付し、減圧下で溶媒を留去した後、ヘプタンから再結晶することによりトランス−４−（トランス−４−（ｎ−プロピル）シクロヘキシル）シクロヘキシルメチルブロミド（式ｃにおいてＱ1＝ｎ−Ｃ3Ｈ7の化合物）（６５．０８ｇ、０．２１６ｍｏｌ；収率５４％）を得た。
【００８６】
第３段
２，３−ジフルオロエトキシベンゼン（式ｅにおいてＱ2＝Ｃ2Ｈ5の化合物）の合成；
２，３−ジフルオロフェノール（１００．０ｇ、０．７６９ｍｏｌ）をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（２００ｍｌ）に溶解し、炭酸カリウム、ヨウ化カリウムを加え、ヨードエタン（１７９．８ｇ、１．１５ｍｏｌ）のＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（１００ｍｌ）溶液を滴下し、３時間加熱還流した。反応終了後、室温まで冷却し、反応液に水（４００ｍｌ）を加え、トルエン（５００ｍｌ）で抽出し、有機層を２グラム当量／ｌの水酸化ナトリウム水溶液（２００ｍｌ）、水（２００ｍｌ）で２回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。
減圧下で溶媒を留去し、残査を減圧下で蒸留することにより２，３−ジフルオロ−エトキシベンゼン（式ｅにおいてＱ2＝Ｃ2Ｈ5の化合物）（９９．１９ｇ、０．６２７ｍｏｌ；収率８１％）を得た。
【００８７】
第４段
２，３−ジフルオロ−４−エトキシ−ベンゼンスルホクロリド（式ｆにおいてＱ2＝Ｃ2Ｈ5の化合物）の合成
窒素気流下、−１０℃に冷却したクロロ硫酸（３００ｍｌ）に、同温度を保ちながら第３段で得られた２，３−ジフルオロエトキシベンゼン（式ｅにおいてＱ2＝Ｃ2Ｈ5の化合物）（９９．１９ｇ、０．６２７ｍｏｌ）を３０分かけて滴下し、同温度で３０分間反応させた。反応終了後、反応液を氷（１５００ｇ）に投入して冷却し、有機層をジエチルエーテル（８００ｍｌ）で２回抽出し、抽出液を水（８００ｍｌ）で２回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。
減圧下で溶媒を留去し、残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出溶媒：ヘプタン／酢酸エチル＝９／１）に付し、減圧下で溶媒を留去し、ヘプタンから再結晶することにより２，３−ジフルオロ−４−エトキシ−ベンゼンスルホクロリド（式ｆにおいてＱ2＝Ｃ2Ｈ5の化合物）（１９．７２ｇ、０．０７６８ｍｏｌ；収率１２％）を得た。
【００８８】
第５段
２，３−ジフルオロ−４−エトキシフェニルメルカプタン（式gにおいてＱ2＝Ｃ2Ｈ5の化合物）の合成
窒素気流下、氷（１８４．４２ｇ、１０．２ｍｏｌ）に濃硫酸（３３．２９ｍｌ）を加え、−１０℃に冷却した。同温度を保ちながら第４段で得られた２，３−ジフルオロ−４−エトキシベンゼンスルホクロリド（式ｆにおいてＱ2＝Ｃ2Ｈ5の化合物）（１９．７２ｇ、０．０７６８ｍｏｌ）のジエチルエーテル（４５ｍｌ）溶液を１５分かけて滴下し、ついで同温度を保ちながら亜鉛紛末（３０．１４ｇ、０．４６１ｍｏｌ）を加え、同温度で１時間撹拌した後、徐々に昇温し、室温下に一夜にわたり反応させた。亜鉛紛末を濾別後、ジエチルエーテル（２００ｍｌ）で２回抽出し、抽出液を水（２００ｍｌ）で２回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。この抽出液を減圧下で溶媒を留去し、残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出溶媒：ヘプタン／トルエン＝４／１）に付し、減圧下で溶媒を留去して２，３−ジフルオロ−４−エトキシフェニルメルカプタン（式gにおいてＱ2＝Ｃ2Ｈ5の化合物）（５．９４ｇ、０．０３１２ｍｏｌ；収率４１％）を得た。
【００８９】
第６段
トランス，トランス−４−（２，３−ジフルオロ−４−エトキシフェニルメルカプトメチル）−４’−ｎ−プロピルビシクロヘキサン（式ｈにおいてＱ1＝ｎ−Ｃ3Ｈ7，Ｑ2＝Ｃ2Ｈ5の化合物、化合物番号３７）の合成；
第２段で得られたトランス−４−（トランス−４−（ｎ−プロピル）シクロヘキシル）シクロヘキシルメチルブロミド（式ｃにおいてＱ1＝ｎ−Ｃ3Ｈ7の化合物）（３．１７ｇ、０．０１０５ｍｏｌ）、第５段で得られた２，３−ジフルオロ−４−エトキシフェニルメルカプタン（式gにおいてＱ2＝Ｃ2Ｈ5の化合物）（２．００ｇ、０．０１０５ｍｏｌ）、水酸化カリウム（０．７１ｇ、０．０１２６ｍｏｌ）およびＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（３０ｍｌ）の混合物を３時間加熱還流した。
反応終了後、室温まで冷却し、反応液に水（５０ｍｌ）を加え、トルエン（５０ｍｌ）で抽出し、有機層を２グラム当量／ｌの水酸化ナトリウム水溶液（２０ｍｌ）、ついで水（２０ｍｌ）で２回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。減圧下で溶媒を留去し、残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出溶媒：ヘプタン／トルエン＝４／１）に付し、減圧下で溶出溶媒を留去した後、ヘプタンから再結晶することによりトランス，トランス−４−（２，３−ジフルオロ−４−エトキシフェニルメルカプトメチル）−４’−ｎ−プロピルビシクロヘキサン（式ｈにおいてＱ1＝ｎ−Ｃ3Ｈ7,Ｑ2＝Ｃ2Ｈ5の化合物）（１．６１ｇ、０．００３９２ｍｏｌ；収率３７％）を得た。
各種スペクトルはこの物の構造をよく支持した。
ＭＳ：ｍ／ｅ＝４１０（Ｍ+）
相転移温度：Ｃ ７４．１ ＳB ８５．６ Ｎ ８９．４ Ｉｓｏ
Δε＝−６．０２、Δｎ＝０．１１４
【００９０】
以上の方法（反応式１）に準じて、化合物番号１〜２００で示される化合物が製造できる。
【化４０】
【化４１】
【化４２】
【化４３】
【化４４】
【化４５】
【化４６】
【化４７】
【化４８】
【化４９】
【化５０】
【化５１】
【化５２】
【化５３】
実施例２ (化合物例)
１−（トランス−４−（ｎ−ペンチル）シクロヘキシル）− ４−（２，３−ジフルオロ−４−エトキシフェニルメルカプトメチル）ベンゼン（一般式（１）において、Ｒ1がペンチル基、環Ａ1がトランス−１，４−シクロヘキシレン基、環Ａ2が１、４―フェニレン基、Ｘが−ＳＣＨ2−、Ｒ2がエトキシ基、ｍが１である化合物（式ｑの化合物、化合物番号２５２）の合成
第１段
４−（トランス−４−（ｎ−ペンチル）シクロヘキシル）フェニルメルカプタン（式ｊにおいてＱ1＝ｎ−Ｃ5Ｈ11の化合物）の合成
削状マグネシウム（０．４１ｇ、０．０１６８ｍｏｌ）にジエチルエーテル１０ｍｌを加え、これに４−（トランス−４−（ｎ−ペンチル）シクロヘキシル）フェニルヨージド（式ｉにおいてＱ1＝ｎ−Ｃ5Ｈ11の化合物）（５．２５ｇ、０．０１５ｍｏｌ）のジエチルエーテル（２０ｍｌ）溶液を滴下し、１時間加熱還流してグリニャール試薬を調製した。室温まで冷却し、硫黄（０．５１ｇ、０．０１６ｍｏｌ）を加えて２時間加熱還流した。さらに室温で１時間攪拌した後、氷冷下、３グラム当量／ｌの塩酸水（２０ｍｌ）を加えた。反応液に水（５０ｍｌ）を加え、ジエチルエーテル（１００ｍｌ）で抽出した。有機層を水（８０ｍｌ）で２回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、減圧下で溶媒を留去して４−（トランス−４−（ｎ−ペンチル）シクロヘキシル）フェニルメルカプタン（式ｊにおいてＱ1＝ｎ−Ｃ5Ｈ11の化合物）（１．５２ｇ、０．００５８ｍｏｌ；収率３９％）を得た。
【０１０５】
第２段
４−エトキシ−２，３−ジフルオロ安息香酸（式ｋにおいてＱ2＝ Ｃ2Ｈ5の化合物）の合成
２，３−ジフルオロエトキシベンゼン（式ｅにおいてＱ2＝ Ｃ2Ｈ5の化合物）（２０ｇ、０．１２６ｍｏｌ）をテトラヒドロフラン（２００ｍｌ）に溶解し、これを冷却して−６０℃で第二ブチルリチウムのシクロヘキサン溶液（１１８．８ｍｌ、０．１６４ｍｏｌ）を滴下し、同温度で２時間攪拌した。同温度でドライアイス（２７．８ｇ、０．６３２ｍｏｌ）を加え、同温度で２時間攪拌した。反応液を徐々に室温まで昇温させ、同温度で２時間攪拌した。反応終了後、氷冷下、６グラム当量／ｌの塩酸水（１００ｍｌ）を加え、さらに水（５００ｍｌ）を加えてジエチルエーテル（８００ｍｌ）で抽出した。有機層を水（５００ｍｌ）で２回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。減圧下で溶媒を留去し、残査をエタノールから再結晶することにより４−エトキシ−２，３−ジフルオロ安息香酸（式ｋにおいてＱ2＝ Ｃ2Ｈ5の化合物）（１４．８ｇ、０．０７３ｍｏｌ；収率５８％）を得た。
【０１０６】
第３段
４−エトキシ−２，３−ジフルオロ安息香酸メチル（式ｌにおいてＱ2＝ Ｃ2Ｈ5の化合物）の合成
第２段で得られた４−エトキシ−２，３−ジフルオロ安息香酸（式ｋにおいてＱ2＝ Ｃ2Ｈ5の化合物）（１４．８ｇ、０．０７３ｍｏｌ ）をメタノール（２００ｍｌ）に溶解し、濃硫酸（３ｍｌ）を加えて６時間加熱還流した。反応終了後、室温まで冷却し、反応液に水（５００ｍｌ）を加え、トルエン（８００ｍｌ）で抽出し、有機層を２グラム当量／ｌの水酸化ナトリウム水溶液（３００ｍｌ）、水（３００ｍｌ）で２回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。
減圧下で溶媒を留去し、残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出溶媒：トルエン）に付し、減圧下で溶媒を留去してトルエンから再結晶することにより４−エトキシ−２，３−ジフルオロ安息香酸メチル（式ｌにおいてＱ2＝ Ｃ2Ｈ5の化合物）（１１．２ｇ、０．０５２ｍｏｌ；収率７１％）を得た。
【０１０７】
第４段
４−エトキシ−２，３−ジフルオロベンジルアルコール（式ｏにおいてＱ2＝ Ｃ2Ｈ5の化合物）の合成
水素化アルミニウムリチウム（１．３１ｇ、０．０３４５ｍｏｌ）をテトラヒドロフラン（８０ｍｌ）に懸濁し、これを冷却して５℃において第３段で得られた４−エトキシ−２，３−ジフルオロ安息香酸メチル（式ｌにおいてＱ2＝ Ｃ2Ｈ5の化合物）（１１．２ｇ、０．０５１８ｍｏｌ）のテトラヒドロフラン（８０ｍｌ）溶液を滴下した。反応液を徐々に室温まで昇温させ、同温度で２時間反応させた。反応終了後、氷冷下、酢酸エチル（３５ｍｌ）を加え、次いで水（５ｍｌ）、さらに２０容量％硫酸（３５ｍｌ）を加えた。反応液に水（２００ｍｌ）を加え、ジエチルエーテル（３００ｍｌ）で抽出した。有機層を水（１００ｍｌ）で２回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。減圧下で溶媒を留去し、残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出溶媒：クロロホルム／メタノール＝９／１）に付し、減圧下で溶媒を留去してトルエンから再結晶することにより４−エトキシ−２，３−ジフルオロベンジルアルコール（式ｏにおいてＱ2＝ Ｃ2Ｈ5の化合物）（７．９９ｇ、０．０４２５ｍｏｌ；収率８２％）を得た。
【０１０８】
第５段
４−エトキシ−２，３−ジフルオロベンジルブロミド（式ｐにおいてＱ2＝ Ｃ2Ｈ5の化合物）の合成
第４段で得られた４−エトキシ−２，３−ジフルオロベンジルアルコール（式ｏにおいてＱ2＝ Ｃ2Ｈ5の化合物）（７．９９ｇ、０．０４２５ｍｏｌ）をキシレン（８０ｍｌ）に溶解し、４７％臭化水素酸（２０ｍｌ）を加え、水を留去しながら６時間加熱還流した。反応終了後、室温まで冷却し、反応液に水（１００ｍｌ）を加え、酢酸エチル（８０ｍｌ）で抽出し、有機層を飽和炭酸ナトリウム水溶液（８０ｍｌ）、水（８０ｍｌ）、飽和塩化ナトリウム水溶液（８０ｍｌ）で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。減圧下で溶媒を留去し、残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出溶媒：トルエン）に付し、減圧下で溶媒を留去した後、トルエンから再結晶することにより４−エトキシ−２，３−ジフルオロベンジルブロミド（式ｐにおいてＱ2＝ Ｃ2Ｈ5の化合物）（８．４３ｇ、０．０３３６ｍｏｌ；収率７９％）を得た。
【０１０９】
第６段
１−（トランス−４−（ｎ−ペンチル）シクロヘキシル）− ４−（２，３−ジフルオロ−４−エトキシフェニルメルカプトメチル）ベンゼン（式ｑにおいてＱ1＝ ｎ−Ｃ5Ｈ11、Ｑ2＝ Ｃ2Ｈ5の化合物、化合物番号２５２）の合成
第１段で得られた４−（トランス−４−（ｎ−ペンチル）シクロヘキシル）フェニルメルカプタン（式ｊにおいてＱ1＝ｎ−Ｃ5Ｈ11の化合物）（１．５２ｇ、０．００５８ｍｏｌ）、第５段で得られた４−エトキシ−２，３−ジフルオロベンジルブロミド（式ｐにおいてＱ2＝ Ｃ2Ｈ5の化合物）（１．６３ｇ、０．００６５ｍｏｌ）、水酸化カリウム（０．４４ｇ、０．００７８ｍｏｌ）およびＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（２０ｍｌ）の混合物を３時間加熱還流した。
反応終了後、室温まで冷却し、反応液に水（５０ｍｌ）を加え、トルエン（５０ｍｌ）で抽出し、有機層を２グラム当量／ｌの水酸化ナトリウム水溶液（２０ｍｌ）、次いで水（２０ｍｌ）で２回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。減圧下で溶媒を留去し、残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出溶媒：トルエン）に付し、減圧下で溶出溶媒を留去した後、ヘプタン−酢酸エチルから再結晶することにより１−（トランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘキシル）− ４−（２，３−ジフルオロ−４−エトキシフェニルメルカプトメチル）ベンゼン（式ｑにおいてＱ1＝ ｎ−Ｃ5Ｈ11、Ｑ2＝ Ｃ2Ｈ5の化合物、化合物番号２５２）（０．２７ｇ、０．０００６２ｍｏｌ；収率１１％）を得た。
各種スペクトルはこの物の構造をよく支持した。
相転移温度：Ｃ ６７．７ Ｉｓｏ
Δε＝−３．８９、Δｎ＝０．１４７
【０１１０】
以上の方法（反応式２）に準じて化合物番号２１１〜２７５で示される化合物が製造できる。
【化５４】
【化５５】
【化５６】
【化５７】
【化５８】
【化５９】
実施例３ (化合物例)
反応式３に準じて化合物番号２７６〜２８０で示される化合物が製造できる。
【化６０】
実施例４ (化合物例)
反応式４に準じて化合物番号２８１〜２８５で示される化合物が製造できる。
【化６１】
このように調製される本発明の液晶性化合物を含有するネマチック液晶組成物として、下記の例を示すことができる。これらの組成物例における化合物の表記は表１に示した定義に従い、組成は重量％で示した。
これら組成物の物性値として、粘度（η）は２０．０℃、屈折率異方性（Δｎ）、誘電率異方性（Δε）、しきい値電圧（Ｖｔｈ）およびねじれピッチ（Ｐ）は、２５．０℃での測定結果を示した。
【０１１９】
【表１】
実施例５
つぎに示す組成の液晶組成物を製造した。
第一成分
３−ＨＨ１ＳＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ １５．０％
（ｄ）成分
式（７）の化合物
３−ＨＥＢ−Ｏ４ １３．０％
４−ＨＥＢ−Ｏ２ ２０．０％
５−ＨＥＢ−Ｏ１ ２０．０％
３−ＨＥＢ−Ｏ２ １８．０％
３−ＨＥＢ−Ｏ２ １４．０％
得られた組成物の物性値はつぎのとおりである。
ＴNI＝７７．０（℃）
η＝２３．０（ｍＰａ・s）
Δｎ＝０．０９５
Δε＝−１．８
【０１２１】
実施例６
つぎに示す組成の液晶組成物を製造した。
第一成分
３−ＨＨ１ＳＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ １５．０％
５−ＨＨ１ＳＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ １５．０％
３−ＨＢＦ１ＳＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ １０．０％
（ｄ）成分
式（７）の化合物
３−ＨＢ−Ｏ２ １０．０％
１Ｏ１−ＨＨ−５ ５．０％
３−ＨＨ−ＥＭｅ １２．０％
４−ＨＥＢ−Ｏ２ ７．０％
５−ＨＥＢ−Ｏ１ ８．０％
式（８）の化合物
３−ＨＨＢ−１ ６．０％
３−ＨＨＢ−３ ６．０％
その他の成分
５−ＨＥＢ（２ＣＮ，３ＣＮ）−Ｏ５ ２．０％
４−ＨＢＥＢ（２ＣＮ，３ＣＮ）−Ｏ４ ４．０％
【０１２２】
実施例７
つぎに示す組成の液晶組成物を製造した。
第一成分
１Ｖ−ＨＨ１ＳＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ １０．０％
（ｅ）成分
式（１０）の化合物
３−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ １２．０％
３−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ４ １０．０％
５−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ４ １０．０％
式（１２）の化合物
２−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）Ｂ−３ １５．０％
３−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）Ｂ−５ １３．０％
５−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）Ｂ−５ １４．０％
５−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）Ｂ−７ １６．０％
得られた組成物の物性値はつぎのとおりである。
ＴNI＝７３．９（℃）
Δｎ＝０．１９０
Δε＝−３．７
【０１２３】
実施例８
つぎに示す組成の液晶組成物を製造した。
第一成分
８−ＢＢ１ＳＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ ３．０％
（ｄ）成分
式（７）の化合物
３−ＨＨ−２ ５．０％
３−ＨＨ−４ ３．０％
３−ＨＨ−Ｏ１ ４．０％
３−ＨＨ−Ｏ３ ５．０％
５−ＨＨ−Ｏ１ ４．０％
（ｅ）成分
式（１０）の化合物
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ １２．０％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ １１．０％
式（１１）の化合物
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ １４．０％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ １５．０％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−２ ２４．０％
得られた組成物の物性値はつぎのとおりである。
ＴNI＝８４．５（℃）
Δｎ＝０．０７４
Δε＝−４．２
【０１２４】
実施例９
つぎに示す組成の液晶組成物を製造した。
第一成分
３−ＨＢ１ＳＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ １３．０％
（ｄ）成分
式（７）の化合物
３−ＨＨ−４ ５．０％
３−ＨＨ−５ ５．０％
３−ＨＨ−Ｏ１ ６．０％
３−ＨＨ−Ｏ３ ６．０％
３−ＨＢ−Ｏ１ ５．０％
３−ＨＢ−Ｏ２ ５．０％
式（８）の化合物
３−ＨＨＥＨ−３ ５．０％
３−ＨＨＥＨ−５ ５．０％
４−ＨＨＥＨ−３ ５．０％
（ｅ）成分
式（１０）の化合物
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ １０．０％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ １０．０％
式（１１）の化合物
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ １２．０％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−２ ４．０％
２−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１ ４．０％
得られた組成物の物性値はつぎのとおりである。
ＴNI＝６７．７（℃）
Δｎ＝０．０８３
Δε＝−３．２
【０１２５】
実施例１０
つぎに示す組成の液晶組成物を製造した。
第一成分
５−ＢＢ１ＳＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ ３．０％
（ｄ）成分
式（７）の化合物
５−ＢＢ−５ ９．０％
５−ＢＢ−Ｏ６ ９．０％
５−ＢＢ−Ｏ８ ８．０％
１−ＢＥＢ−５ ６．０％
３−ＢＥＢ−５ ６．０％
３−ＨＥＢ−Ｏ２ ２０．０％
式（８）の化合物
３−Ｈ２ＢＢ（２Ｆ）−５ ２０．０％
（ｅ）成分
式（１０）の化合物
３−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ １０．０％
式（１２）の化合物
５−ＢＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−７ ９．０％
得られた組成物の物性値はつぎのとおりである。
ＴNI＝７５．０（℃）
Δｎ＝０．１５３
Δε＝−２．８
【０１２６】
実施例１１
つぎに示す組成の液晶組成物を製造した。
第一成分
３−ＨＢＦ１ＳＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ ６．０％
（ｄ）成分
式（７）の化合物
３−ＨＢ−Ｏ１ １５．０％
式（８）の化合物
２−ＢＢ２Ｂ−Ｏ２ ６．０％
３−ＢＢ２Ｂ−Ｏ２ ６．０％
５−ＢＢ２Ｂ−Ｏ１ ６．０％
５−ＢＢ２Ｂ−Ｏ２ ６．０％
１−Ｂ２ＢＢ（２Ｆ）−５ ７．０％
３−Ｂ２ＢＢ（２Ｆ）−５ ７．０％
５−Ｂ（Ｆ）ＢＢ−Ｏ２ ７．０％
（ｅ）成分
式（１０）の化合物
３−ＨＥＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ ９．０％
４−ＨＥＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ ９．０％
５−ＨＥＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ ９．０％
式（１２）の化合物
３−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）Ｂ−３ ７．０％
【０１２７】
実施例１２
つぎに示す組成の液晶組成物を製造した。
第一成分
３−ＨＢＳ１Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ ９．０％
（ｄ）成分
式（７）の化合物
３−ＨＢ−Ｏ１ ９．０％
３−ＨＢ−Ｏ４ ９．０％
２−ＢＴＢ−Ｏ１ ５．０％
１−ＢＴＢ−Ｏ２ ５．０％
式（８）の化合物）
３−ＨＢＴＢ−Ｏ１ ５．０％
３−ＨＢＴＢ−Ｏ２ ５．０％
３−ＨＢＴＢ−Ｏ３ ５．０％
（ｅ）成分
式（１１）の化合物
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ ６．０％
５−ＨＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ ５．０％
その他の成分
３−ＢＴＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ １３．０％
５−ＢＴＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ １３．０％
３−Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）ＴＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ４ ４．０％
５−Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）ＴＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ４ ４．０％
５−ＢＰｒ（Ｆ）−Ｏ２ ３．０％
【０１２８】
実施例１３
つぎに示す組成の液晶組成物を製造した。
第一成分
３−ＨＨ１ＳＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ ５．０％
３−ＨＢ１ＳＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ ５．０％
（ｄ）成分
式（７）の化合物
３−ＨＢ−Ｏ２ １０．０％
５−ＨＢ−３ ８．０％
式（８）の化合物
３−ＨＢＢ−２ ６．０％
（ｅ）成分
式（１０）の化合物
５−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ １０．０％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ ８．０％
式（１１）の化合物
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ １２．０％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ ４．０％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１Ｏ１ ４．０％
２−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１ ５．０％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１ ５．０％
式（１２）の化合物
３−ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）Ｂ−３ ８．０％
５−Ｂ２ＢＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ １０．０％
得られた組成物の物性値はつぎのとおりである。
ＴNI＝７７．９（℃）
Δｎ＝０．１３３
Δε＝−４．０
【０１２９】
実施例１４
つぎに示す組成の液晶組成物を製造した。
第一成分
３−ＨＢ１ＳＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ ５．０％
３−ＨＢＦ１ＳＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ ５．０％
（ｂ）成分
式（３）の化合物
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ ２．０％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ ２．０％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ ２．０％
２−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ ６．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ ６．０％
２−Ｈ２ＢＢ（Ｆ）−Ｆ ９．０％
３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ）−Ｆ ９．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ２５．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １９．０％
（ｄ）成分
式（９）の化合物
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−４ ５．０％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−５ ５．０％
【０１３０】
実施例１５
つぎに示す組成の液晶組成物を製造した。
第一成分
３−ＨＨ１ＳＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ ４．０％
５−ＢＢ１ＳＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２ ４．０％
（ｃ）成分
式（５）の化合物
１Ｖ２−ＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ５．０％
３−ＨＢ−Ｃ ２０．０％
Ｖ２−ＨＢ−Ｃ ６．０％
３−ＨＨＢ−Ｃ ３．０％
（ｄ）成分
式（７）の化合物
１−ＢＴＢ−３ ５．０％
２−ＢＴＢ−１ １０．０％
１Ｏ１−ＨＨ−３ ３．０％
３−ＨＨ−４ １１．０％
３−ＨＨＢ−１ １１．０％
式（８）の化合物
３−ＨＨＢ−３ ３．０％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２ ４．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２ ６．０％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−３ ５．０％
得られた組成物の物性値はつぎのとおりである。
ＴNI＝８０．７（℃）
η＝１７．４（ｍＰａ・s）
Δｎ＝０．１５６
Δε＝６．５
Ｖth＝２．３８（Ｖ）
【０１３１】
実施例１６
実施例１５で得られた液晶組成物１００重量部に光学活性化合物（記号：ＣＭ３３で示される化合物）０．８重量部を混合して光学活性化合物を含有する液晶組成物を得た。
Ｐ＝１１．５μｍであった。
【０１３２】
実施例１７
実施例１４で得られた液晶組成物１００重量部に光学活性化合物（記号：ＣＮで示される化合物）０．３重量部を混合して光学活性化合物を含有する液晶組成物を製造した。
【０１３３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明により、その絶対値の大きな負の誘電率異方性値と、制御された光学異方性値とを有し、熱や紫外線照射に対しても安定である液晶性化合物が提供される。この化合物は組成物に添加した場合、誘電率異方性、屈折率異方性などの諸特性を調整することができる。
本発明の液晶組成物は該化合物を含有する液晶組成物、および該液晶組成物を用いて作成される液晶表示素子が本発明により提供される。
Claims (15)
- 一般式（１）
- 請求項１において、環Ａ1がトランス−１，４−シクロヘキシレンである液晶性化合物。
- 請求項２において、環Ａ2がトランス−１，４−シクロヘキシレンである液晶性化合物。
- 前記一般式（１）で示される液晶性化合物からなる第一成分を含む、少なくとも二成分からなる液晶組成物。
- 一般式（２）、（３）および（４）で示される化合物群から選択された少なくとも一つの化合物からなる（ｂ）成分
- 前記第一成分および前記（ｂ）成分の二成分を含む請求項５記載の液晶組成物。
- 前記第一成分および前記（ｃ）成分の二成分を含む請求項５記載の液晶組成物。
- 前記第一成分および前記（ｄ）成分の二成分を含む請求項５記載の液晶組成物。
- 前記第一成分および前記（ｅ）成分の二成分を含む請求項５記載の液晶組成物。
- 前記第一成分、前記（ｄ）成分および前記（ｅ）成分の三成分を含む請求項５記載の液晶組成物。
- 前記第一成分、前記（ｄ）成分および前記（ｂ）成分の三成分を含む請求項５記載の液晶組成物。
- 前記第一成分、前記（ｄ）成分および前記（ｃ）成分の三成分を含む請求項５記載の液晶組成物。
- 前記第一成分、前記（ｄ）成分、前記（ｂ）成分、前記（ｃ）成分の四成分を含む請求項５記載の液晶組成物。
- 請求項４〜１３のいずれか一項に記載の液晶組成物および光学活性化合物からなる光学活性化合物を含有する液晶組成物。
- 請求項４〜１４のいずれか一項に記載の液晶組成物を含む液晶表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06222399A JP4214604B2 (ja) | 1999-03-09 | 1999-03-09 | 誘電率異方性が負の値を有するチオエーテル化合物、液晶組成物および液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06222399A JP4214604B2 (ja) | 1999-03-09 | 1999-03-09 | 誘電率異方性が負の値を有するチオエーテル化合物、液晶組成物および液晶表示素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000256307A JP2000256307A (ja) | 2000-09-19 |
| JP4214604B2 true JP4214604B2 (ja) | 2009-01-28 |
Family
ID=13193950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06222399A Expired - Lifetime JP4214604B2 (ja) | 1999-03-09 | 1999-03-09 | 誘電率異方性が負の値を有するチオエーテル化合物、液晶組成物および液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4214604B2 (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4300714B2 (ja) * | 2001-04-27 | 2009-07-22 | チッソ株式会社 | 液晶組成物および液晶表示素子 |
| JP5092287B2 (ja) * | 2005-06-22 | 2012-12-05 | Ｊｎｃ株式会社 | 液晶組成物および液晶表示素子 |
| JP4973911B2 (ja) * | 2006-03-27 | 2012-07-11 | Ｄｉｃ株式会社 | クロマン誘導体及び当該化合物を含有する液晶組成物 |
| EP3075816B1 (en) | 2009-01-22 | 2018-05-23 | JNC Corporation | Liquid crystal composition and liquid crystal display device |
| DE102010012900A1 (de) | 2009-04-23 | 2010-11-25 | Merck Patent Gmbh | Flüssigkristallanzeige |
| JP2010001482A (ja) * | 2009-08-07 | 2010-01-07 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
| JP5472351B2 (ja) * | 2012-03-19 | 2014-04-16 | Ｊｎｃ株式会社 | 液晶組成物および液晶表示素子 |
| CN103571498B (zh) * | 2013-10-16 | 2015-06-17 | 西安彩晶光电科技股份有限公司 | 含有cf2s桥键的液晶单体化合物及合成方法 |
| CN106459766B (zh) * | 2014-07-25 | 2017-12-05 | Dic株式会社 | 液晶组合物及使用其的液晶显示元件 |
| KR20190004730A (ko) | 2016-04-28 | 2019-01-14 | 제이엔씨 주식회사 | 나프탈렌환을 갖는 화합물, 액정 조성물 및 액정 표시 소자 |
| DE102017010478A1 (de) * | 2016-12-02 | 2018-06-07 | Merck Patent Gmbh | Thioether-Verbindungen |
| CN108822870B (zh) * | 2018-07-02 | 2020-07-14 | 西安彩晶光电科技股份有限公司 | 液晶化合物、包含该液晶化合物的液晶组合物及光电元件 |
-
1999
- 1999-03-09 JP JP06222399A patent/JP4214604B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000256307A (ja) | 2000-09-19 |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| S531 | Written request for registration of change of domicile |
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