JP2005298733A

JP2005298733A - 液晶組成物および液晶表示素子

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Publication number: JP2005298733A
Application number: JP2004119143A
Authority: JP
Inventors: Hitoshi Yamamoto; 均山本
Original assignee: Chisso Petrochemical Corp; Chisso Corp
Current assignee: JNC Corp; JNC Petrochemical Corp
Priority date: 2004-04-14
Filing date: 2004-04-14
Publication date: 2005-10-27
Also published as: US7306831B1

Abstract

【課題】ネマチック相の広い温度範囲、小さな粘度、適切な光学異方性、負に大きな誘電率異方性、大きな比抵抗などの特性において、複数の特性を充足する液晶組成物などを提供する。
【解決手段】好ましくは誘電率異方性が−１．５以下であり、特定式で表される化合物群から選択された少なくとも２つの式で表される少なくとも２つの化合物からなる第一成分を液晶組成物の全重量に基づいて２０〜７５重量％の範囲で含有し、好ましくは誘電率異方性が−１．５から１．５であり、特定式で表される化合物群から選択された少なくとも１つの化合物かならる第二成分を液晶組成物の全重量に基づいて２５〜７５重量％の範囲で含有し、そして負の誘電率異方性を有する液晶組成物。
【選択図】なし

Description

本発明は、主としてＡＭ（active matrix）素子に適する液晶組成物およびこの組成物を含有するＡＭ素子に関する。

液晶表示素子において、液晶の動作モードに基づいた分類は、ＰＣ（phase change）、ＴＮ（twisted nematic）、ＳＴＮ（super twisted nematic）、ＯＣＢ（optically compensated bend）、ＩＰＳ（in-plane switching）、ＶＡ（vertical alignment）などである。素子の駆動方式に基づいた分類は、ＰＭ（passive matrix）とＡＭ（active matrix）である。ＰＭはスタティック（static）とマルチプレックス（multiplex）などに分類され、ＡＭはＴＦＴ（thin film transistor）、ＭＩＭ（metal insulator metal）などに分類される。ＴＦＴの分類は非晶質シリコン（amorphous silicon）、多結晶シリコン（polycrystal silicon）、および連続粒界結晶シリコン（continuous grain silicon）である。多結晶シリコンは製造工程によって高温型と低温型とに分類される。光源に基づいた分類は、自然光を利用する反射型、バックライトを利用する透過型、そして自然光とバックライトの両方を利用する半透過型である。

これらの素子は適切な特性を有する液晶組成物を含有する。良好な一般的特性を有するＡＭ素子を得るには組成物の一般的特性を向上させる。２つの一般的特性における関連を下記の表１にまとめる。組成物の一般的特性を市販されているＡＭ素子に基づいてさらに説明する。ネマチック相の温度範囲は、素子の使用できる温度範囲に関連する。ネマチック相の好ましい上限温度は７０℃以上であり、そしてネマチック相の好ましい下限温度は−２０℃以下である。組成物の粘度は素子の応答時間に関連する。素子で動画を表示するためには短い応答時間が好ましい。したがって、組成物における小さな粘度が好ましい。低い温度における小さな粘度はより好ましい。

組成物の光学異方性は、素子のコントラスト比に関連する。ＶＡモード、ＩＰＳモードなどを有する素子は電気的に制御された複屈折（electrically controlled birefringence）を利用する。そこで、ＶＡモード、ＩＰＳモードなどを有する素子におけるコントラスト比を最大にするために、組成物の光学異方性（Δｎ）と素子のセルギャップ（ｄ）との積（Δｎ・ｄ）を一定の値に設計する。この値の例は０．３０〜０．３５μｍ（ＶＡモード）または０．２０〜０．３０μｍ（ＩＰＳモード）である。セルギャップ（ｄ）は通常３〜６μｍであるので、組成物における光学異方性は主に０．０５〜０．１１の範囲である。組成物の大きな誘電率異方性は素子の小さな駆動電圧に寄与する。したがって、大きな誘電率異方性が好ましい。組成物における大きな比抵抗は、素子における大きな電圧保持率と大きなコントラスト比に寄与する。したがって、初期に大きな比抵抗を有する組成物が好ましい。長時間使用したあとでも大きな比抵抗を有する組成物が好ましい。

ＴＮモードなどを有するＡＭ素子においては正の誘電率異方性を有する組成物が用いられる。一方、ＶＡモードなどを有するＡＭ素子においては負の誘電率異方性を有する組成物が用いられる。ＩＰＳモードなどを有するＡＭ素子においては正または負の誘電率異方性を有する組成物が用いられる。負の誘電率異方性を有する組成物は、負の誘電率異方性を有する液晶性化合物を含有する。この化合物は、その分子の短軸方向にフッ素のような極性基を有する。この化合物は、例えば２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレンを有する。負の誘電率異方性を有する組成物の例は次の文献に記載されている。

特開平９−２７８６９８号公報（ＥＰ０８９３４２３Ａ）特開２００３−２８５８号公報（ＵＳ６５４４６０４Ｂ２）特開２００４−３５６９８号公報特開平１０−２５１６４４号公報（ＵＳ６２４８４１０Ｂ１）欧州出願０４７４０６２号明細書（ＵＳ５３８４０６５Ｂ１）

本発明の目的は、ネマチック相の広い温度範囲、小さな粘度、適切な光学異方性、負に大きな誘電率異方性、大きな比抵抗などの特性において、複数の特性を充足する液晶組成物を提供することにある。この目的は複数の特性に関して適切なバランスを有する液晶組成物を提供することでもある。この目的は、この組成物を含有し、そして大きな電圧保持率を有する液晶表示素子を提供することでもある。この目的は、小さな粘度、０．０５〜０．１１の光学異方性、−６．５〜−２．０の誘電率異方性などの特性を有する組成物を含有し、そしてＶＡモード、ＩＰＳモードなどに適したＡＭ素子を提供することでもある。

本発明は下記の項などである。
１．第一成分として式（１−１）〜（１−６）で表される化合物の群から選択された少なくとも２つの式で表される少なくとも２つの化合物を液晶組成物の全重量に基づいて２０〜７５重量％の範囲で含有し、第二成分として式（２−１）〜（２−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を液晶組成物の全重量に基づいて２５〜７５重量％の範囲で含有し、そして負の誘電率異方性を有する液晶組成物。

式（１−１）〜（１−６）、および式（２−１）〜（２−３）において、Ｒ^１はアルキルまたはアルケニルであり；Ｒ^２はアルキル、アルケニルまたはアルコキシであり；Ｚ^１は単結合または−ＣＯＯ−であり；Ａ^１は１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレンまたは任意の水素がフッ素に置き換えられた１，４−フェニレンであり；Ａ^２は１，４−シクロヘキシレンまたは１，４−フェニレンであり；Ａ^３は１，４−フェニレンまたは任意の水素がフッ素に置き換えられた１，４−フェニレンであり；そしてＸ^１およびＸ^２の一方はフッ素であり、他方は−ＣＦ_２Ｈである。

２．Ｘ^１が−ＣＦ_２Ｈであり、そしてＸ^２がフッ素である項１記載の液晶組成物。
３．第一成分として式（１−１）〜（１−６）の群から選択された少なくとも２つの式のうちの１つが式（１−２）、（１−４）、（１−５）、または（１−６）である項１または２に記載の液晶組成物。

４．第一成分が式（１−２）、（１−４）、（１−５）、または（１−６）の群から選択された少なくとも２つの式で表される少なくとも２つの化合物である請求項１〜３のいずれか１項に記載の液晶組成物。
５．第一成分が式（１−４）で表される少なくとも１つの化合物および式（１−６）で表される少なくとも１つの化合物である項１または２に記載の液晶化合物。

６．第一成分が式（１−２）で表される少なくとも１つの化合物および式（１−４）で表される少なくとも１つの化合物である項１または２に記載の液晶化合物。
７．第一成分が式（１−２）で表される少なくとも１つの化合物、式（１−４）で表される少なくとも１つの化合物および式（１−５）で表される少なくとも１つの化合物である項１または２に記載の液晶化合物。

８．第一成分が式（１−２）で表される少なくとも１つの化合物、式（１−４）で表される少なくとも１つの化合物および式（１−６）で表される少なくとも１つの化合物である項１または２に記載の液晶化合物。
９．第一成分が式（１−２）で表される少なくとも１つの化合物および式（１−５）で表される少なくとも１つの化合物である項１または２に記載の液晶化合物。
１０．第一成分が式（１−２）で表される少なくとも１つの化合物および式（１−６）で表される少なくとも１つの化合物である項１または２に記載の液晶化合物。

１１．第一成分が式（１−３）で表される少なくとも１つの化合物および式（１−５）で表される少なくとも１つの化合物である項１または２に記載の液晶化合物。
１２．第一成分が式（１−３）で表される少なくとも１つの化合物および式（１−６）で表される少なくとも１つの化合物である項１または２に記載の液晶化合物。
１３．第一成分が式（１−４）で表される少なくとも１つの化合物および式（１−５）で表される少なくとも１つの化合物である項１または２に記載の液晶化合物。

１４．第一成分が式（１−３）で表される少なくとも１つの化合物および式（１−４）で表される少なくとも１つの化合物である項１または２に記載の液晶化合物。
１５．第一成分が式（１−３）で表される少なくとも１つの化合物、式（１−４）で表される少なくとも１つの化合物および式（１−５）で表される少なくとも１つの化合物である項１または２に記載の液晶化合物。
１６．第一成分が式（１−３）で表される少なくとも１つの化合物、式（１−４）で表される少なくとも１つの化合物および式（１−６）で表される少なくとも１つの化合物である項１または２に記載の液晶化合物。

１７．第二成分が、式（２−１−１）、（２−１−２）、（２−１−３）、（２−１−４）、（２−２−１）、（２−２−２）、（２−２−３）、（２−２−４）、（２−２−５）、（２−２−６）、（２−３−１）、（２−３−２）、（２−３−３）、および（２−３−４）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である項１〜１６のいずれか１項に記載の液晶組成物。

式（２−１−１）、（２−１−２）、（２−１−３）、（２−１−４）、（２−２−１）、（２−２−２）、（２−２−３）、（２−２−４）、（２−２−５）、（２−２−６）、（２−３−１）、（２−３−２）、（２−３−３）、および（２−３−４）において、Ｒ^１はアルキルまたはアルケニルであり、そしてＲ^２はアルキル、アルケニルまたはアルコキシである。

１８．第二成分が、項１６記載の式（２−１−１）、（２−１−２）、（２−２−１）、（２−２−４）、（２−３−１）、および（２−３−４）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である項１７に記載の液晶組成物。
１９．液晶組成物の誘電率異方性の値が−６．５〜−２．０の範囲である項１〜１８のいずれか１項に記載の液晶組成物。

２０．項１〜１９のいずれか１項に記載の液晶組成物を含有する液晶表示素子。
２１．液晶表示素子がＶＡモードまたはＩＰＳモードを有し、そしてアクティブマトリックスで駆動される項２０に記載の液晶表示素子。
２２．項１〜１９のいずれか１項記載の液晶組成物を、ＶＡモードまたはＩＰＳモードを有し、そしてアクティブマトリックスで駆動される液晶表示素子に使用する方法。

本発明の組成物は、ネマチック相の広い温度範囲、小さな粘度、適切な光学異方性、負に大きな誘電率異方性、大きな比抵抗などの特性において、複数の特性を充足する。この組成物は複数の特性に関して適切なバランスを有する。本発明の素子は、この組成物を含有し、そして大きな電圧保持率を有する。この素子は、小さな粘度、０．０５〜０．１１の光学異方性、−６．５〜−２．０の誘電率異方性などの特性を有する組成物を含有するので、ＶＡモード、ＩＰＳモードなどを有するＡＭ素子に適する。

この明細書における用語の使い方は次のとおりである。本発明の液晶組成物または本発明の液晶表示素子をそれぞれ「組成物」または「素子」と略すことがある。液晶表示素子は液晶表示パネルおよび液晶表示モジュールの総称である。アクティブマトリックスで駆動される素子をＡＭ素子と略すことがある。ＴＮモードを有する素子をＴＮ素子と略すことがある。他のモードを有する素子も同様に略すことがある。液晶組成物は液晶性化合物を含有する。この液晶性化合物は、ネマチック相、スメクチック相などの液晶相を有する化合物および液晶相を有さないが組成物の成分として有用な化合物の総称である。式（１）で表わされる化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を「化合物（１）」と略すことがある。他の式に関する化合物も同様に略すことがある。

ネマチック相の上限温度を「上限温度」と略すことがある。ネマチック相の下限温度を「下限温度」と略すことがある。「比抵抗が大きい」は、組成物が初期に大きな比抵抗を有し、そして長時間使用したあとでも組成物が大きな比抵抗を有することを意味する。「電圧保持率が大きい」は、素子が初期に大きな電圧保持率を有し、そして長時間使用したあとでも素子が大きな電圧保持率を有することを意味する。光学異方性などの特性を説明するときは、実施例に記載した方法で測定した値を用いる。組成物における成分の割合（百分率）は、組成物の全重量に基づいた重量百分率（重量％）である。

本発明の組成物を次の順で説明する。第一に、組成物における成分の構成を説明する。第二に、成分である化合物の主要な特性、および化合物が組成物に及ぼす主要な効果を説明する。第三に、成分である化合物の好ましい割合およびその理由を説明する。第四に、成分である化合物の好ましい形態を説明する。第五に、成分である化合物の具体的な例を示す。第六に、成分である化合物の合成法を説明する。

第一に、組成物における成分の構成を説明する。化合物（１−１）〜（１−６）および化合物（２−１）〜（２−３）の組み合わせは３９９通りである。これをタイプ１〜タイプ３９９に分類して表２〜表１１にまとめる。表２〜表１１においてマル印は該当する化合物が成分であることを意味する。空欄は該当する化合物が成分でないことを意味する。例えば、タイプ１は化合物（１−１）、化合物（１−２）および化合物（２−１）が組成物に含有される成分であることを意味する。

表２．化合物の組み合わせ例（１）

表３．化合物の組み合わせ例（２）

表４．化合物の組み合わせ例（３）

表５．化合物の組み合わせ例（４）

表６．化合物の組み合わせ例（５）

表７．化合物の組み合わせ例（６）

表８．化合物の組み合わせ例（７）

表９．化合物の組み合わせ例（８）

表１０．化合物の組み合わせ例（９）

表１１．化合物の組み合わせ例（１０）

第一成分は式（１−１）〜（１−６）の群から選択された少なくとも２つの式で表される少なくとも２つの化合物である。少なくとも２つの式の例は、式（１−２）および（１−４）、式（１−２）、（１−４）および（１−５）、式（１−２）、（１−４）、（１−５）、および（１−６）などである。式（１−２）で表される化合物は、単一の化合物であってもよいし、または複数の化合物であってもよい。この規則は他の式で表される化合物にも適用される。２つの式で表される少なくとも２つの化合物の好ましい組み合わせは、化合物（１−４）および（１−６）、化合物（１−２）および（１−４）、化合物（１−２）および（１−５）、化合物（１−２）および（１−６）、化合物（１−３）および（１−５）、化合物（１−３）および（１−６）、化合物（１−４）および（１−５）、化合物（１−３）および（１−４）などである。３つの式で表される少なくとも３つの化合物の好ましい組み合わせは、化合物（１−２）、（１−４）および（１−５）、化合物（１−２）、（１−４）および（１−６）、化合物（１−３）、（１−４）および（１−５）、化合物（１−３）、（１−４）および（１−６）などである。小さな粘度の観点からより好ましい組み合わせは、化合物（１−４）および（１−６）、化合物（１−２）および（１−４）、化合物（１−２）、（１−４）および（１−５）、化合物（１−２）、（１−４）、および（１−６）などである。

本発明の組成物は組成物Ａと組成物Ｂに分類される。組成物Ａはその他の化合物をさらに含有してもよい。「その他の化合物」は液晶性化合物、添加物、不純物などである。この液晶性化合物は化合物（１−１）〜（１−６）および化合物（２−１）〜（２−３）とは異なる。この液晶性化合物は、特性を調整する目的で組成物に混合される。この添加物は光学活性な化合物、色素、紫外線吸収剤、酸化防止剤などである。液晶のらせん構造を誘起してねじれ角を与える目的で光学活性な化合物が組成物に混合される。ＧＨ（guest host）モードを有する素子に適合させるために色素が組成物に混合される。不純物は化合物の合成や組成物の調製のような工程において混入した化合物などである。

組成物Ｂは、実質的に化合物（１−１）〜（１−６）および化合物（２−１）〜（２−３）から選択された化合物のみからなる。「実質的に」は、これらの化合物とは異なる液晶性化合物を組成物Ｂが含有しないことを意味する。「実質的に」は、添加物、不純物などを組成物Ｂがさらに含有してもよいこと意味する。組成物Ｂは組成物Ａに比較して成分の数が少ない。組成物Ｂはコストの観点から組成物Ａよりも好ましい。その他の液晶性化合物を混合することによって物性をさらに調整できるので、組成物Ａは組成物Ｂよりも好ましい。

紫外線吸収剤の例は、ベンゾフェノン、ベンゾエート、トリアゾールなどである。ベンゾフェノンの例は、２−ヒドロキシ−４−オクトキシベンゾフェノンなどである。ベンゾエートの例は、２，４−ジ−tert−ブチルフェニル−３，５−ジ−tert−ブチル−４−ヒドロキシベンゾエートなどである。トリアゾールの例は、２−（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−［２−ヒドロキシ−３−（３，４，５，６−テトラヒドロキシフタルイミド−メチル）−５−メチルフェニル］ベンゾトリアゾール、２−（３−tert−ブチル−２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾールなどである。

酸化防止剤の例は、フェノール、有機硫黄化合物などである。フェノールの例は、３，５−ジ−tert−ブチル−４−ヒドロキシトルエン、２，２’−メチレンビス（６−tert−ブチル−４−メチルフェノール）、４，４’−ブチリデンビス（６−tert−ブチル−３−メチルフェノール）、２，６−ジ−tert−ブチル−４−（２−オクタデシルオキシカルボニル）エチルフェノール、ペンタエリスリトールテトラキス［３−（３，５−ジ−tert−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］などである。有機硫黄化合物の例は、ジラウリル−３，３’−チオプロピオネート、ジミリスチル−３，３’−チオプロピオネート、ジステアリル−３，３’−チオプロピオネート、ペンタエリスリトールテトラキス（３−ラウリルチオプロピオネート）、２−メルカプトベンズイミダゾールなどである。

紫外線吸収剤または酸化防止剤のような添加物は目的を達するためには多い量が好ましい。しかし、多過ぎる量の添加物は組成物の一般的特性には好ましくない。組成物を加熱したとき、多い量の酸化防止剤は比抵抗の低下を防止できる。しかし、多過ぎる量の酸化防止剤は組成物の上限温度を下げることがある。好ましい紫外線吸収剤または酸化防止剤の割合は、組成物の全重量に基づいて例えば１０ｐｐｍ〜５００ｐｐｍである。好ましい割合は３０〜３００ｐｐｍである。さらに好ましい割合は４０〜２００ｐｐｍである。

第二に、成分である化合物の主要な特性、および化合物が組成物に及ぼす主要な効果を説明する。化合物の主要な特性を表１２にまとめる。表１２の記号において、Ｌは大きいまたは高い、Ｍは中程度の、そしてＳは小さいまたは低いを意味する。０は誘電率異方性がほぼゼロである（または極めて小さい）ことを意味する。Ｌ、ＭおよびＳの記号は、これらの化合物における相対的な評価である。

表１２．化合物の特性

１）化合物の誘電率異方性は負である。

誘電率異方性が−１．５以下である化合物が第一成分には好ましい。誘電率異方性が−１．５から１．５である化合物が第二成分には好ましい。

第三に、成分の好ましい割合およびその理由を説明する。第一成分の好ましい割合は、誘電率異方性を負に大きくするために、またはしきい値電圧を下げるために２０％以上であり、そして下限温度を下げるために７５％以下である。さらに好ましい割合は３０〜７０％である。第二成分の好ましい割合は、粘度を小さくするために２５％以上であり、そして誘電率異方性を負に大きくするために、またはしきい値電圧を下げるために７５％以下である。さらに好ましい割合は３５％〜６５％である。

第四に、成分である化合物の好ましい形態を説明する。成分である化合物の化学式において、Ｒ^１の記号を複数の化合物に用いた。これらの化合物において、任意の２つのＲ^１の意味は同一であってもよいし、または異なってもよい。例えば、化合物（１−１）のＲ^１がアルキルであり、化合物（１−２）のＲ^１がアルケニルであるケースがある。このルールは、Ｒ^２、Ａ^１、Ａ^２、Ａ^３、またはＺ^１の記号についても適用する。

好ましいＲ^１は炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルである。より好ましいＲ^１は炭素数１〜７のアルキルまたは炭素数２〜７のアルケニルである。好ましいＲ^２は炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニルまたは炭素数１〜１０のアルコキシである。より好ましいＲ^２は炭素数１〜７のアルキル、炭素数２〜７のアルケニルまたは炭素数１〜７のアルコキシである。

好ましいアルキルは、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、またはオクチルである。さらに好ましいアルキルは、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、またはヘプチルである。

好ましいアルケニルは、ビニル、１−プロペニル、２−プロペニル、１−ブテニル、２−ブテニル、３−ブテニル、１−ペンテニル、２−ペンテニル、３−ペンテニル、４−ペンテニル、１−ヘキセニル、２−ヘキセニル、３−ヘキセニル、４−ヘキセニル、または５−ヘキセニルである。さらに好ましいアルケニルは、ビニル、１−プロペニル、３−ブテニル、または３−ペンテニルである。これらのアルケニルにおける−ＣＨ＝ＣＨ−の好ましい立体配置は、二重結合の位置に依存する。１−プロペニル、１−ブテニル、１−ペンテニル、１−ヘキセニル、３−ペンテニル、３−ヘキセニルのようなアルケニルにおいてはトランスが好ましい。２−ブテニル、２−ペンテニル、２−ヘキセニルのようなアルケニルにおいてはシスが好ましい。

好ましいアルコキシは、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、またはヘプチルオキシである。さらに好ましいアルコキシは、メトキシまたはエトキシである。

成分である化合物において、１，４−シクロヘキシレンに関する立体配置は、シスよりもトランスが好ましい。Ａ^１またはＡ^３に関する「任意の水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレン」は、２−フルオロ−１，４−フェニレン、２，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン、２，６−ジフルオロ−１，４−フェニレン、２，３，５−トリフルオロ−１，４−フェニレン、または２，３，５，６−テトラ−１，４−フェニレンである。好ましいＡ^１またはＡ^３は１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、２，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン、または、２，６−ジフルオロ−１，４−フェニレンである。さらに好ましいＡ^１またはＡ^３は、１，４−フェニレンまたは２−フルオロ−１，４−フェニレンである。２−フルオロ−１，４−フェニレンは３−フルオロ−１、４−フェニレンと同一であるので、後者は例示しなかった。この規則は、２，５−ジフルオロ−１，４−フェニレンと３，６−ジフルオロ−１，４−フェニレンとの関係などにも適用される。

第五に、成分である化合物の具体的な例を示す。好ましい化合物（１−２）は、化合物（１−２−１）および（１−２−２）である。好ましい化合物（１−２）は、化合物（１−２−１）である。好ましい化合物（２−１）は、化合物（２−１−１）〜（２−１−４）である。好ましい化合物（２−２）は、化合物（２−２−１）〜（２−２−６）である。好ましい化合物（２−３）は、化合物（２−３−１）〜（２−３−４）である。より好ましい化合物（２−１）〜（２−３）は、化合物（２−１−１）、（２−１−２）、（２−２−１）、（２−２−４）、（２−３−１）、および（２−３−４）である。これらの化合物において、Ｒ^１およびＲ^２の記号を複数の化合物に用いた。任意の２つの化合物において、Ｒ^１の意味は同一であってもよいし、または異なってもよい。この規則はすでに記載した。

Ｒ^１はアルキルまたはアルケニルである。好ましいＲ^１は炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルである。Ｒ^２はアルキル、アルケニル、またはアルコキシである。好ましいＲ^２は炭素数１〜１０のアルキル、炭素数２〜１０のアルケニルまたは炭素数１〜１０のアルコキシである。好ましいアルキル、アルケニル、またはアルコキシ、およびさらに好ましいアルキル、アルケニル、またはアルコキシはすでに記載したとおりである。これらアルケニルにおいて、−ＣＨ＝ＣＨ−の好ましい立体配置は、すでに記載したとおりである。これらの好ましい化合物において１，４−シクロヘキシレンに関する立体配置はシスよりもトランスが好ましい。

第六に、成分である化合物の合成法を説明する。これらの化合物は既知の方法によって合成できる。合成法を例示する。化合物（１−４−１）は、特開平９−２７８６９８号公報または特開２００３−２８５８号公報に記載された方法を修飾することによって合成する。化合物（２−１−１）は、特開昭５９−７０６２４号公報または特開昭６０−１６９４０号公報に記載された方法によって合成する。

合成法を記載しなかった化合物は、オーガニック・シンセシス（Organic Synthesis, John Wiley & Sons, Inc）、オーガニック・リアクション（Organic Reactions, John Wiley & Sons, Inc）、コンプリヘンシブ・オーガニック・シンセシス（Comprehensive Organic Synthesis, Pergamon Press）、新実験化学講座（丸善）などの成書に記載された方法によって合成できる。組成物は、このようにして得た化合物から公知の方法によって調製される。例えば、成分である化合物を混合し、加熱によって互いに溶解させる。

本発明の組成物は、主として０．０５〜０．１１の光学異方性および−６．５〜−２．０の誘電率異方性を有する。好ましい誘電率異方性は、−５．０〜−２．５の範囲である。成分である化合物の割合を制御することによって、またはその他の化合物を混合することによって、０．０５〜０．１８の光学異方性を有する組成物、さらには０．０５〜０．２０の光学異方性を有する組成物を調製してもよい。したがって、この組成物はＶＡモード、ＩＰＳモードなどを有するＡＭ素子に適する。この組成物はＶＡモードを有するＡＭ素子に特に適する。

ＴＮモードなどを有する素子における電場の方向は、液晶層に対して垂直である。一方、ＶＡモード、ＩＰＳモードなどを有する素子における電場の方向は、液晶層に平行である。ＶＡモードを有する素子の構造は、K. Ohmuro, S. Kataoka, T. Sasaki and Y. Koike, SID '97 Digest of Technical Papers, 28, 845 (1997)に報告されている。ＩＰＳモードを有する素子の構造は、国際公開９１／１０９３６号（ＵＳ５５７６８６７）に報告されている。本発明の組成物は、これらの素子にも適する。

この組成物はＡＭ素子だけでなくＰＭ素子にも使用することが可能である。この組成物は、ＰＣ、ＴＮ、ＳＴＮ、ＯＣＢなどのモードを有する素子に使用できる。これらの素子が反射型、透過型または半透過型であってもよい。この組成物はマイクロカプセル化して作製したＮＣＡＰ（nematic curvilinear aligned phase）素子や、ＰＮ（polymer network）素子のような、組成物中に三次元の網目状高分子を形成させたＰＤ（polymer dispersed）素子などにも使用できる。
（実施例）

実施例により本発明を詳細に説明する。本発明は下記の実施例によって限定されない。実施例における化合物は、下記の表１３の定義に基づいて記号により表した。表１３において、１，４−シクロヘキシレンに関する立体配置はトランスである。実施例において記号の後にあるかっこ内の番号は好ましい化合物の番号に対応する、（−）の記号はその他の化合物を意味する。化合物の割合（百分率）は、組成物の全重量に基づいた重量百分率（重量％）である。最後に、組成物の特性値をまとめる。

表１３．記号を用いた化合物の表記方法
Ｒ−（Ａ_１）−Ｚ_１−……−Ｚ_ｎ−（Ａ_ｎ）−Ｘ

特性値の測定は下記の方法にしたがった。それらの多くは、日本電子機械工業会規格（Standard of Electric Industries Association of Japan）ＥＩＡＪ・ＥＤ−２５２１Ａに記載された方法、またはこれを修飾した方法である。

ネマチック相の上限温度（ＮＩ；℃）：偏光顕微鏡を備えた融点測定装置のホットプレートに試料を置き、１℃／分の速度で加熱した。試料の一部がネマチック相から等方性液体に変化したときの温度を測定した。ネマチック相の上限温度を「上限温度」と略すことがある。

ネマチック相の下限温度（Ｔ_Ｃ；℃）：ネマチック相を有する試料を０℃、−１０℃、−２０℃、−３０℃、および−４０℃のフリーザー中に１０日間保管したあと、液晶相を観察した。例えば、試料が−２０℃ではネマチック相のままであり、−３０℃では結晶またはスメクチック相に変化したとき、Ｔ_Ｃを＜−２０℃と記載した。ネマチック相の下限温度を「下限温度」と略すことがある。

光学異方性（屈折率異方性；Δｎ；２５℃で測定）：測定は、波長５８９ｎｍの光を用い、接眼鏡に偏光板を取り付けたアッベ屈折計により行なった。主プリズムの表面を一方向にラビング（rubbing）したあと、試料を主プリズムに滴下した。屈折率ｎ‖は偏光の方向がラビングの方向と平行であるときに測定した。屈折率ｎ⊥は偏光の方向がラビングの方向と垂直であるときに測定した。光学異方性の値は、Δｎ＝ｎ‖−ｎ⊥、の式から計算した。試料が組成物のときはこの方法によって光学異方性を測定した。試料が化合物のときは、化合物を適切な組成物に混合したあと光学異方性を測定した。化合物の光学異方性は外挿値である。

誘電率異方性（Δε；２５℃で測定）：２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が２０μｍであるＶＡ素子に試料を入れた。このＶＡ素子に０．５ボルトを印加して、液晶分子の長軸方向における誘電率（ε‖）を測定した。２枚のガラス基板の間隔が９μｍであるＴＮ素子に試料を入れた。このＴＮ素子に０．５ボルトを印加して、液晶分子の短軸方向における誘電率（ε⊥）を測定した。誘電率異方性の値は、Δε＝ε‖−ε⊥の式から計算した。負の誘電率異方性を有する組成物をこの方法によって測定した。試料が化合物のときは、化合物を適切な組成物に混合したあと誘電率異方性を測定した。化合物の誘電率異方性は外挿値である。

回転粘度（γ１；２５℃で測定；ｍＰａ・ｓ）：測定はM. Imai et al., Molecular Crystals and Liquid Crystals, Vol. 259, 37 (1995)に記載された方法に従った。オクタデシルトリエトキシシランから調製した配向膜を有し、そして２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が２０μｍであるＶＡ素子に試料を入れた。ＶＡ素子に３９ボルトから５０ボルトの範囲で１ボルト毎に段階的に印加した。０．２秒の無印加のあと、ただ１つの矩形波（矩形パルス；０．２秒）と無印加（２秒）の条件で印加を繰り返した。この印加によって発生した過渡電流（transient current）のピーク電流（peak current）とピーク時間（peak time）を測定した。これらの測定値とM. Imaiらの論文、４０頁の計算式（８）とから回転粘度の値を得た。試料が組成物のときはこの方法によって回転粘度を測定した。試料が化合物のときは、化合物を適切な組成物に混合したあと回転粘度を測定した。化合物の回転粘度は外挿値である。

電圧保持率（ＶＨＲ；２５℃と１００℃で測定；％）：ポリイミド配向膜を有し、そして２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が６μｍであるＴＮ素子に試料を入れた。２５℃のＴＮ素子に印加した電圧の波形を陰極線オシロスコープで観測し、単位周期において電圧曲線と横軸との間の面積を求めた。ＴＮ素子を取り除いたあと印加した電圧の波形から同様にして面積を求めた。２つの面積の値を比較して電圧保持率を算出した。このようにして得られた値をＶＨＲ−１で表した。次に、このＴＮ素子を１００℃、２５０時間加熱した。２５℃に戻したあと、同様な方法で電圧保持率を測定した。加熱後に得られた値をＶＨＲ−２と表した。この加熱テストは、素子を長時間使用するテストの代わりに行った。

５−ＨＢ（２Ｆ，３ＣＦ_２Ｈ）−Ｏ２（１−１−１）１２％
３−ＨＨ１ＯＢ（２ＣＦ_２Ｈ，３Ｆ）−Ｏ２（１−２−１）１１％
３−ＨＨ１ＯＢ（２Ｆ，３ＣＦ_２Ｈ）−Ｏ２（１−２−２）１１％
５−ＨＨ−Ｖ（２−１−１）２５％
３−ＨＢ−Ｏ２（２−１−２）７％
５−ＨＢ−Ｏ２（２−１−２）７％
Ｖ−ＨＨＢ−１（２−２−１）１８％
１Ｖ−ＨＨＥＢＨ−４（２−３−１）２％
３−ＨＨＥＢＨ−４（２−３−１）２％
５−ＨＢＢ（３Ｆ）Ｂ−３（２−３−４）３％
５−ＨＢＢ（３Ｆ）Ｂ−Ｖ（２−３−４）２％
ＮＩ＝８５．８℃；Ｔｃ＜−２０℃；Δｎ＝０．０８３；Δε＝−２．３；γ１＝１５０ｍＰａ・ｓ；ＶＨＲ−１＝９９．５％．

３−ＨＨ１ＯＢ（２ＣＦ_２Ｈ，３Ｆ）−Ｏ２（１−２−１）１１％
５−ＨＨ１ＯＢ（２ＣＦ_２Ｈ，３Ｆ）−Ｏ２（１−２−１）１１％
３−ＨＢＯＣＦ_２２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（１−４−１）１０％
５−ＨＢＯＣＦ_２２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（１−４−１）１０％
５−ＨＨ−Ｖ（２−１−１）２５％
３−ＨＢ−Ｏ２（２−１−２）１０％
５−ＨＢ−Ｏ２（２−１−２）９％
３−ＨＨＢ−１（２−２−１）４％
３−ＨＨＢ（２Ｆ）−Ｏ２（２−２−２）５％
３−ＨＨＢ（３Ｆ）−Ｏ２（２−２−３）５％
ＮＩ＝８８．３℃；Ｔｃ＜−２０℃；Δｎ＝０．０８３；Δε＝−２．６；γ１＝１４０ｍＰａ・ｓ；ＶＨＲ−１＝９９．５％．

３−ＨＢ（２Ｆ，３ＣＦ_２Ｈ）−Ｏ２（１−１−１）９％
５−ＨＢ（２Ｆ，３ＣＦ_２Ｈ）−Ｏ２（１−１−１）１０％
３−ＨＨ１ＯＢ（２ＣＦ_２Ｈ，３Ｆ）−Ｏ２（１−２−１）１１％
１Ｖ−ＨＨ１ＯＢ（２Ｆ，３ＣＦ_２Ｈ）−１（１−２−２）１１％
５−ＨＨ−Ｖ（２−１−１）２５％
５−ＨＢ−Ｏ２（２−１−２）７％
Ｖ−ＨＨＢ−１（２−２−１）２０％
５−ＨＢＢＨ−Ｖ１（２−３−２）２％
５−ＨＢ（３Ｆ）ＢＨ−３（２−３−３）４％
１Ｖ２−ＨＢ（３Ｆ）ＢＨ−３（２−３−３）１％
ＮＩ＝７８．８℃；Ｔｃ＜−２０℃；Δｎ＝０．０７９；Δε＝−２．７；γ１＝１５２ｍＰａ・ｓ；ＶＨＲ−１＝９９．４％．

３−ＨＢ（２Ｆ，３ＣＦ_２Ｈ）−Ｏ２（１−１−１）１０％
３−ＨＨ１ＯＢ（２ＣＦ_２Ｈ，３Ｆ）−Ｏ２（１−２−１）１１％
５−ＨＨ１ＯＢ（２ＣＦ_２Ｈ，３Ｆ）−Ｏ２（１−２−１）１１％
３−ＨＢＯＣＦ_２２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（１−４−１）１０％
５−ＨＢＯＣＦ_２２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（１−４−１）１０％
３−ＨＨ−４（２−１−１）１０％
２−ＨＨ−５（２−１−１）９％
５−ＨＢ−Ｏ２（２−１−２）９％
３−ＨＢＢ（２Ｆ）−Ｏ２（２−２−５）１０％
３−ＨＢＢ（３Ｆ）−Ｏ２（２−２−６）１０％
ＮＩ＝９０．６℃；Ｔｃ＜−２０℃；Δｎ＝０．１０２；Δε＝−３．３；γ１＝２３５ｍＰａ・ｓ；ＶＨＲ−１＝９９．６％．

３−ＨＢ（２Ｆ，３ＣＦ_２Ｈ）−Ｏ２（１−１−１）９％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３ＣＦ_２Ｈ）−Ｏ２（１−３−１）１１％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３ＣＦ_２Ｈ）−Ｏ２（１−３−１）１１％
３−ＨＢＯＣＦ_２２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（１−４−１）１０％
５−ＨＢＯＣＦ_２２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（１−４−１）１０％
５−ＨＨ−Ｖ（２−１−１）２２％
５−ＨＢ（２Ｆ）−Ｏ２（２−１−３）７％
３−ＨＢ（３Ｆ）−Ｏ２（２−１−４）２％
Ｖ−ＨＨＢ−１（２−２−１）１６％
３−ＨＢＢ−１（２−２−４）２％
ＮＩ＝８０．９℃；Ｔｃ＜−２０℃；Δｎ＝０．０８３；Δε＝−２．８；γ１＝１８０ｍＰａ・ｓ；ＶＨＲ−１＝９９．５％．

３−ＨＢ（２Ｆ，３ＣＦ_２Ｈ）−Ｏ２（１−１−１）９％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３ＣＦ_２Ｈ）−Ｏ２（１−３−１）１１％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３ＣＦ_２Ｈ）−Ｏ２（１−３−１）１１％
３−ＨＢＯＣＦ_２２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（１−４−１）１５％
５−ＨＢＯＣＦ_２２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（１−４−１）１５％
５−ＨＨ−Ｖ（２−１−１）３０％
Ｖ−ＨＨＢ−１（２−２−１）９％
ＮＩ＝８１．０℃；Ｔｃ＜−２０℃；Δｎ＝０．０８０；Δε＝−３．２；γ１＝１８０ｍＰａ・ｓ；ＶＨＲ−１＝９９．４％．
（比較例１）

３−ＨＨ−４（２−１−１）１０％
３−ＨＨ−５（２−１−１）１０％
５−ＨＢ−３（２−１−２）８％
３−ＨＢ−Ｏ１（２−１−２）６％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ４（−）１５％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ４（−）１３％
２−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１（−）９％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１（−）９％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（−）１０％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（−）１０％
ＮＩ＝６８．０℃；Δε＝−２．７；ＶＨＲ−１＝９９．６．
（比較例２）

３−ＨＨ−４（２−１−１）１０％
３−ＨＨ−５（２−１−１）１０％
５−ＨＢ−３（２−１−２）８％
３−ＨＢ−Ｏ１（２−１−２）６％
３−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ４（−）１５％
５−ＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（−）１３％
２−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１（−）９％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１（−）９％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（−）１０％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（−）１０％
ＮＩ＝７０．５℃；Δε＝−２．８；ＶＨＲ−１＝９９．６％．

３−ＨＨ１ＯＢ（２ＣＦ_２Ｈ，３Ｆ）−Ｏ２（１−２−１）１４％
５−ＨＨ１ＯＢ（２ＣＦ_２Ｈ，３Ｆ）−Ｏ２（１−２−１）１４％
３−ＨＢＯＣＦ_２２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−１（１−４−１）９％
５−ＨＢＯＣＦ_２２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−１（１−４−１）９％
３−ＨＢＯＣＦ_２２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（１−４−１）１０％
５−ＨＢＯＣＦ_２２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（１−４−１）１０％
３−ＨＨ−４（２−１−１）１０％
３−ＨＨ−５（２−１−１）１０％
５−ＨＢ−３（２−１−２）８％
３−ＨＢ−Ｏ１（２−１−２）６％
ＮＩ＝７６．８℃；Δε＝−４．０；ＶＨＲ−１＝９９．６％．

比較例１，２の組成物と比較すると、この実施例７の組成物は同程度のＶＨＲ−１、より高い上限温度、そして負により大きな誘電率異方性を有する。

３−ＨＢ（２Ｆ，３ＣＦ_２Ｈ）−１（１−１−１）５％
３−ＨＨ１ＯＢ（２ＣＦ_２Ｈ，３Ｆ）−１（１−２−１）２％
Ｖ−ＨＨ１ＯＢ（２ＣＦ_２Ｈ，３Ｆ）−Ｏ２（１−２−１）１０％
５−ＨＨ１ＯＢ（２ＣＦ_２Ｈ，３Ｆ）−Ｏ２（１−２−１）１０％
Ｖ−ＨＢＯＣＦ_２２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−１（１−４−１）４％
３−ＨＢＯＣＦ_２２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（１−４−１）８％
５−ＨＢＯＣＦ_２２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（１−４−１）８％
１Ｖ−Ｈ２ＥＢ（２Ｆ，３Ｆ）−１（１−５−１）２％
５−Ｈ２ＥＢ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（１−５−１）２％
３−ＨＨ−４（２−１−１）１０％
２−ＨＨ−５（２−１−１）１０％
３−ＨＢ−Ｏ２（２−１−２）９％
３−ＨＢ−ＯＶ（２−１−２）１％
Ｖ−ＨＨＢ−１（２−２−１）１９％
ＮＩ＝８６．９℃；Ｔｃ＜−２０℃；Δｎ＝０．０９０；Δε＝−３．３；γ１＝１６０ｍＰａ・ｓ；ＶＨＲ−１＝９９．５％．

１Ｖ−ＨＢ（２Ｆ，３ＣＦ_２Ｈ）−Ｏ２（１−１−１）９％
Ｖ−ＨＨＢ（２Ｆ，３ＣＦ_２Ｈ）−１（１−３−１）４％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３ＣＦ_２Ｈ）−Ｏ２（１−３−１）７％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３ＣＦ_２Ｈ）−Ｏ２（１−３−１）１１％
３−ＨＢＯＣＦ_２２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（１−４−１）１５％
５−ＨＢＯＣＦ_２２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（１−４−１）１５％
３−ＨＨ−Ｏ１（２−１−１）１０％
５−ＨＨ−Ｖ（２−１−１）２０％
３−ＨＨＢ−１（２−２−１）３％
３−ＨＨＢ−３（２−２−１）４％
３−ＨＨＢ−Ｏ１（２−２−１）２％
ＮＩ＝８３．９℃；Ｔｃ＜−２０℃；Δｎ＝０．０８１；Δε＝−３．２；γ１＝１８８ｍＰａ・ｓ；ＶＨＲ−１＝９９．４％．

３−ＨＢ（２Ｆ，３ＣＦ_２Ｈ）−Ｏ２（１−１−１）４％
２−ＨＨ１Ｏ（２ＣＦ_２Ｈ，３Ｆ）−Ｏ２（１−２−１）１０％
３−ＨＨ１Ｏ（２ＣＦ_２Ｈ，３Ｆ）−Ｏ２（１−２−１）１０％
３−ＨＢＯＣＦ_２２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（１−４−１）１０％
４−ＨＢＯＣＦ_２２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（１−４−１）１０％
５−ＨＢＯＣＦ_２２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（１−４−１）１０％
５−ＨＨ−Ｖ（２−１−１）２２％
３−ＨＨ−Ｖ１（２−１−１）６％
Ｖ１−ＨＢ（２Ｆ）−１（２−１−３）５％
１Ｖ−ＨＢ（３Ｆ）−２（２−１−４）５％
１Ｖ−ＨＨＢ（２Ｆ）−１（２−２−２）３％
Ｖ−ＨＨＢ（３Ｆ）−Ｖ（２−２−３）５％
ＮＩ＝７９．１℃；Ｔｃ＜−２０℃；Δｎ＝０．０８５；Δε＝−４．０；γ１＝１４０ｍＰａ・ｓ；ＶＨＲ−１＝９９．６％．

３−ＨＢ（２Ｆ，３ＣＦ_２Ｈ）−Ｏ２（１−１−１）９％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３ＣＦ_２Ｈ）−Ｏ２（１−３−１）６％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３ＣＦ_２Ｈ）−Ｏ２（１−３−１）６％
２−ＨＢＯＣＦ_２２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（１−４−１）９％
３−ＨＢＯＣＦ_２２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（１−４−１）１１％
４−ＨＢＯＣＦ_２２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（１−４−１）１１％
５−ＨＢＯＣＦ_２２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（１−４−１）１１％
５−ＨＨ−Ｖ（２−１−１）２２％
３−ＨＢ−Ｏ２（２−１−２）５％
３−ＨＢＢ−ＯＶ（２−２−４）２％
Ｖ−ＨＢＢ（２Ｆ）−２（２−２−５）４％
１Ｖ−ＨＢＢ（３Ｆ）−１（２−２−６）４％
ＮＩ＝７９．０℃；Ｔｃ＜−２０℃；Δｎ＝０．０９４；Δε＝−３．２；γ１＝１７５ｍＰａ・ｓ；ＶＨＲ−１＝９９．５％．

実施例１１の組成物に、紫外線吸収剤として１００ｐｐｍの２−（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）ベンゾトリアゾールを添加し、そして酸化防止剤として１００ｐｐｍの３，５−ジ−tert−ブチル−４−ヒドロキシトルエンを添加した。得られた組成物の特性は次のとおりである。ＮＩ＝７９．０℃；Ｔｃ＜−２０℃；Δｎ＝０．０９４；Δε＝−３．２；ＶＨＲ−１＝９９．５％．

３−ＨＨ１Ｏ（２ＣＦ_２Ｈ，３Ｆ）−Ｏ２（１−２−１）１０％
５−ＨＨ１Ｏ（２ＣＦ_２Ｈ，３Ｆ）−Ｏ２（１−２−１）１０％
３−ＨＢＯＣＦ_２２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（１−４−１）１５％
５−ＨＢＯＣＦ_２２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（１−４−１）１５％
３−ＢＯＣＦ_２２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（１−６−１）８％
５−ＨＨ−Ｖ（２−１−１）３０％
３−ＨＢ−Ｏ２（２−１−２）４％
Ｖ−ＨＨＢ−１（２−２−１）８％
ＮＩ＝７９．９℃；Ｔｃ＜−２０℃；Δｎ＝０．０７９；Δε＝−３．２；γ１＝１６１ｍＰａ・ｓ；ＶＨＲ−１＝９９．６％．

３−ＨＢ（２Ｆ，３ＣＦ_２Ｈ）−Ｏ２（１−１−１）９％
３−ＨＨＢ（２Ｆ，３ＣＦ_２Ｈ）−Ｏ２（１−３−１）１１％
５−ＨＨＢ（２Ｆ，３ＣＦ_２Ｈ）−Ｏ２（１−３−１）１１％
３−ＨＢＯＣＦ_２２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（１−４−１）１０％
５−ＨＢＯＣＦ_２２Ｂ（２Ｆ，３Ｆ）−Ｏ２（１−４−１）１０％
５−ＨＨ−Ｖ（２−１−１）１５％
５−ＨＢ（２Ｆ）−Ｏ２（２−１−３）７％
３−ＨＢ（２Ｆ）−Ｏ２（２−１−４）２％
Ｖ−ＨＨＢ−１（２−２−１）１６％
３−ＨＢＢ−１（２−２−４）２％
１Ｏ１−ＨＨ−３（−）７％
ＮＩ＝８０．３℃；Ｔｃ＜−２０℃；Δｎ＝０．０８３；Δε＝−２．７；γ１＝１８７ｍＰａ・ｓ；ＶＨＲ−１＝９９．４％。

Claims

第一成分として式（１−１）〜（１−６）で表される化合物の群から選択された少なくとも２つの式で表される少なくとも２つの化合物を液晶組成物の全重量に基づいて２０〜７５重量％の範囲で含有し、第二成分として式（２−１）〜（２−３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を液晶組成物の全重量に基づいて２５〜７５重量％の範囲で含有し、そして負の誘電率異方性を有する液晶組成物。

式（１−１）〜（１−６）、および式（２−１）〜（２−３）において、Ｒ^１はアルキルまたはアルケニルであり；Ｒ^２はアルキル、アルケニルまたはアルコキシであり；Ｚ^１は単結合または−ＣＯＯ−であり；Ａ^１は１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレンまたは任意の水素がフッ素に置き換えられた１，４−フェニレンであり；Ａ^２は１，４−シクロヘキシレンまたは１，４−フェニレンであり；Ａ^３は１，４−フェニレンまたは任意の水素がフッ素に置き換えられた１，４−フェニレンであり；そしてＸ^１およびＸ^２の一方はフッ素であり、他方は−ＣＦ_２Ｈである。
Ｘ^１が−ＣＦ_２Ｈであり、そしてＸ^２がフッ素である請求項１に記載の液晶組成物。
第一成分として式（１−１）〜（１−６）の群から選択された少なくとも２つの式のうちの１つが式（１−２）、（１−４）、（１−５）、または（１−６）である請求項１または２に記載の液晶組成物。
第一成分が式（１−２）、（１−４）、（１−５）、または（１−６）の群から選択された少なくとも２つの式で表される少なくとも２つの化合物である請求項１〜３のいずれか１項に記載の液晶組成物。
第一成分が式（１−４）で表される少なくとも１つの化合物および式（１−６）で表される少なくとも１つの化合物である請求項１または２に記載の液晶化合物。
第一成分が式（１−２）で表される少なくとも１つの化合物および式（１−４）で表される少なくとも１つの化合物である請求項１または２に記載の液晶化合物。
第一成分が式（１−２）で表される少なくとも１つの化合物、式（１−４）で表される少なくとも１つの化合物および式（１−５）で表される少なくとも１つの化合物である請求項１または２に記載の液晶化合物。
第一成分が式（１−２）で表される少なくとも１つの化合物、式（１−４）で表される少なくとも１つの化合物および式（１−６）で表される少なくとも１つの化合物である請求項１または２に記載の液晶化合物。
第一成分が式（１−２）で表される少なくとも１つの化合物および式（１−５）で表される少なくとも１つの化合物である請求項１または２に記載の液晶化合物。
第一成分が式（１−２）で表される少なくとも１つの化合物および式（１−６）で表される少なくとも１つの化合物である請求項１または２に記載の液晶化合物。
第一成分が式（１−３）で表される少なくとも１つの化合物および式（１−５）で表される少なくとも１つの化合物である請求項１または２に記載の液晶化合物。
第一成分が式（１−３）で表される少なくとも１つの化合物および式（１−６）で表される少なくとも１つの化合物である請求項１または２に記載の液晶化合物。
第一成分が式（１−４）で表される少なくとも１つの化合物および式（１−５）で表される少なくとも１つの化合物である請求項１または２に記載の液晶化合物。
第一成分が式（１−３）で表される少なくとも１つの化合物および式（１−４）で表される少なくとも１つの化合物である請求項１または２に記載の液晶化合物。
第一成分が式（１−３）で表される少なくとも１つの化合物、式（１−４）で表される少なくとも１つの化合物および式（１−５）で表される少なくとも１つの化合物である請求項１または２に記載の液晶化合物。
第一成分が式（１−３）で表される少なくとも１つの化合物、式（１−４）で表される少なくとも１つの化合物および式（１−６）で表される少なくとも１つの化合物である請求項１または２に記載の液晶化合物。
第二成分が、式（２−１−１）、（２−１−２）、（２−１−３）、（２−１−４）、（２−２−１）、（２−２−２）、（２−２−３）、（２−２−４）、（２−２−５）、（２−２−６）、（２−３−１）、（２−３−２）、（２−３−３）、および（２−３−４）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である請求項１〜１６のいずれか１項に記載の液晶組成物。

式（２−１−１）、（２−１−２）、（２−１−３）、（２−１−４）、（２−２−１）、（２−２−２）、（２−２−３）、（２−２−４）、（２−２−５）、（２−２−６）、（２−３−１）、（２−３−２）、（２−３−３）、および（２−３−４）において、Ｒ^１はアルキルまたはアルケニルであり、そしてＲ^２はアルキル、アルケニルまたはアルコキシである。
第二成分が、請求項１６記載の式（２−１−１）、（２−１−２）、（２−２−１）、（２−２−４）、（２−３−１）、および（２−３−４）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である請求項１７に記載の液晶組成物。
液晶組成物の誘電率異方性の値が−６．５〜−２．０の範囲である請求項１〜１８のいずれか１項に記載の液晶組成物。
請求項１〜１９のいずれか１項に記載の液晶組成物を含有する液晶表示素子。
液晶表示素子がＶＡモードまたはＩＰＳモードを有し、そしてアクティブマトリックスで駆動される請求項２０に記載の液晶表示素子。
請求項１〜１９のいずれか１項記載の液晶組成物を、ＶＡモードまたはＩＰＳモードを有し、そしてアクティブマトリックスで駆動される液晶表示素子に使用する方法。