JP4915516B2 - 液晶組成物および液晶表示素子 - Google Patents
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Description
ここで、R1は炭素数2から12のアルケニル、炭素数4から12のアルカジエニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数2から12のアルケニルであり;R2は炭素数1から12のアルキルまたは炭素数2から12のアルケニルであり;Y1はフッ素または塩素であり;Y2はフッ素またはトリフルオロメトキシであり;X1およびX2は独立して水素またはフッ素であり;Z1およびZ2は独立して単結合または−CH2CH2−である。
1. 第1成分として式(1)で表される化合物の群から選択された少なくとも1つの化合物、第2成分として式(2−1)および式(2−2)で表される化合物の群から選択された少なくとも1つの化合物、および第3成分として式(3−1)および式(3−2)で表される化合物の群から選択された少なくとも1つの化合物を含有し、そしてネマチック相を有する液晶組成物。
第5成分は付加的な成分であり、特に大きな光学異方性および低い粘度を有する組成物の調整に適している。この成分の好ましい割合は、光学異方性を上げ、粘度を下げ、かつ大きい誘電異方性を確保するために、20%以下である。さらに好ましい割合は、15%以下である。
R1は炭素数2から12のアルケニル、炭素数4から12のアルカジエニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数2から12のアルケニルある。好ましいR1は下限温度を下げ、粘度を下げるなどの観点から、炭素数2から8のアルケニル、炭素数4から8のアルカジエニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数2から8のアルケニルである。さらに好ましいR1は炭素数2から5のアルケニルである。
好ましい化合物(2−2)は化合物化合物(2−2−1)および化合物(2−2−2)である。さらに好ましい化合物(2−2)は低い下限温度の観点から、化合物(2−2−1)である。
好ましい化合物(5)は化合物(5−1)から化合物(5−3)である。特に好ましい化合物(5)は、低い下限温度および小さい粘度の観点から化合物(5−1)である。
Wiley & Sons, Inc)、コンプリヘンシブ・オーガニック・シンセシス(Comprehensive Organic Synthesis, Pergamon Press)、新実験化学講座(丸善)などの成書に記載された方法によって合成できる。
表3において、1,4−シクロヘキシレンおよび1,3−ジオキサン−2,5−ジイルに関する立体配置はトランスである。−CH=CH−の結合基に関する立体配置はトランスである。実施例において記号の後にあるかっこ内の番号は好ましい化合物の番号に対応する。(−)の記号はその他の液晶性化合物を意味する。液晶性化合物の割合(百分率)は、液晶組成物の全重量に基づいた重量百分率(重量%)である。最後に、組成物の特性値をまとめた。
一般には成分化合物の重量%は各ピークの面積比と完全には同一ではない。しかし、本発明においては、これらのキャピラリカラムを用いるときは、実質的に補正係数は1であるので、試料中の成分化合物の重量%は、試料中の各ピークの面積%とほぼ対応する。各成分の液晶性化合物における補正係数に大きな差異がないからである。ガスクロクロマトグラムにより液晶組成物中の液晶化合物の組成比をより正確に求めるには、ガスクロマトグラムによる内部標準法を用いる。一定量正確に秤量された各液晶化合物成分(被検成分)と基準となる液晶化合物(基準物質)を同時にガスクロ測定して、得られた被検成分のピークと基準物質のピークとの面積比の相対強度をあらかじめ算出する。基準物質に対する各成分のピーク面積の相対強度を用いて補正すると、液晶組成物中の液晶化合物の組成比をガスクロ分析からより正確に求めることができる。
特許文献2(特開平10−114693号)に開示された組成物の中から実施例4を選んだ。選択の理由は、この組成物が化合物(1−3)を含有するからである。この組成物の成分および特性は下記のとおりである。この組成物を調整し物性値の測定を行った。
V2−BB−F (1−3) 20%
V−HHB(F)−F (−) 40%
V2−HHB(F)−F (−) 40%
NI=74.8℃;Tc≦0℃;Δn=0.098;Δε=3.4;γ1=70.5mPa・s;Vth=2.10V;VHR−1=99.1%;VHR−2=98.2%;τ=13.9ms.
1V2−BB−F (1−5) 12%
3−BB(F,F)XB(F,F)−F (2−1−2) 15%
2−HBB(F,F)−F (3−1−1) 10%
3−HBB(F,F)−F (3−1−1) 30%
5−HBB(F,F)−F (3−1−1) 7%
5−HBB(F)B−2 (4−2) 12%
5−HBB(F)B−3 (4−2) 12%
3−HBB(F)−F (−) 2%
NI=90.8℃;Tc≦−20℃;Δn=0.159;Δε=8.8;γ1=160.6mPa・s;Vth=1.52V;VHR−1=99.0%;VHR−2=98.1%;τ=47.8ms.
実施例1の組成物は、比較例1の組成物と比較して、高い上限温度、低い下限温度、大きな屈折率異方性、大きな誘電異方性および低いしきい値電圧を有した。
1V2−BB−CL (1−24) 12%
3−BB(F,F)XB(F,F)−F (2−1−2) 15%
2−HBB(F,F)−F (3−1−1) 10%
3−HBB(F,F)−F (3−1−1) 30%
5−HBB(F,F)−F (3−1−1) 7%
5−HBB(F)B−2 (4−2) 12%
5−HBB(F)B−3 (4−2) 12%
3−HBB(F)−F (−) 2%
NI=96.0℃;Tc≦−20℃;Δn=0.168;Δε=9.3;γ1=166.2mPa・s;Vth=1.50V;VHR−1=98.9%;VHR−2=98.0%;τ=48.9ms.
V2−BB−F (1−3) 6%
1V2−BB−F (1−5) 6%
3−BB(F,F)XB(F,F)−F (2−1−2) 10%
3−BB(F,F)XB(F)−OCF3 (2−1−3) 8%
3−BB(F)B(F,F)−F (2−2−1) 7%
2−HBB(F,F)−F (3−1−1) 5%
3−HBB(F,F)−F (3−1−1) 30%
3−HB(F)B(F,F)−F (3−1−3) 5%
3−HHBB(F,F)−F (3−2−1) 8%
5−HHBB(F,F)−F (3−2−1) 7%
3−HH2BB(F,F)−F (3−2−2) 3%
3−HHB(F)B(F,F)−F (3−2−4) 5%
NI=74.5℃;Tc≦−20℃;Δn=0.139;Δε=11.9;γ1=174.8mPa・s;Vth=1.24V;VHR−1=98.7%;VHR−2=98.1%;τ=48.7ms.
V2−BB−F (1−3) 3%
1V2−BB−F (1−5) 12%
V4−BB−F (1−10) 6%
3−BB(F)B(F,F)−F (2−2−1) 10%
5−BB(F)B(F,F)−F (2−2−1) 10%
3−HBB(F,F)−F (3−1−1) 21%
3−HB(F)B(F,F)−F (3−1−3) 5%
3−H2BB(F,F)−F (3−1−2) 5%
3−HHBB(F,F)−F (3−2−1) 4%
5−HHBB(F,F)−F (3−2−1) 4%
3−HHB(F)B(F,F)−F (3−2−4) 4%
5−HBB(F)B−2 (4−2) 8%
5−HBB(F)B−3 (4−2) 8%
NI=89.9℃;Tc≦−20℃;Δn=0.164;Δε=8.5;γ1=155.2mPa・s;Vth=1.54V;VHR−1=98.5%;VHR−2=97.9%;τ=46.7ms
1V2−BB−F (1−5) 7%
3−BB(F,F)XB(F,F)−F (2−1−2) 20%
3−BB(F,F)XB(F,F)−OCF3 (2−1−4) 10%
3−BB(F)B(F,F)−F (2−2−1) 5%
5−BB(F)B(F,F)−F (2−2−1) 5%
3−HBB(F,F)−F (3−1−1) 25%
3−H2BB(F,F)−F (3−1−2) 5%
2−HHBB(F,F)−F (3−2−1) 5%
3−HHBB(F,F)−F (3−2−1) 8%
3−HHB(F)B(F,F)−F (3−2−4) 5%
3−HH2B(F)B(F,F)−F (3−2−5) 5%
NI=73.5℃;Tc≦−20℃;Δn=0.142;Δε=15.1;γ1=191.5mPa・s;Vth=1.10V;VHR−1=98.0%;VHR−2=97.9%;τ=51.2ms.
1V2−BB−F (1−5) 8%
V2V2−BB−F (1−19) 5%
3−BB(F,F)XB(F,F)−F (2−1−2) 10%
3−BB(F,F)XB(F)−F (2−1−1) 5%
3−BB(F,F)XB(F,F)−OCF3 (2−1−4) 5%
3−BB(F,F)XB(F)−OCF3 (2−1−3) 10%
2−HHBB(F,F)−F (3−2−1) 5%
3−HHBB(F,F)−F (3−2−1) 8%
5−HHBB(F,F)−F (3−2−1) 5%
3−HHB(F)B(F,F)−F (3−2−4) 8%
3−HH2B(F)B(F,F)−F (3−2−5) 5%
5−HBB(F)B−2 (4−2) 5%
5−HBB(F)B−3 (4−2) 5%
2−HBB−F (−) 5%
3−HBB−F (−) 6%
5−HBB−F (−) 5%
NI=109.8℃;Tc≦−20℃;Δn=0.156;Δε=11.4;γ1=185.2mPa・s;Vth=1.40V;VHR−1=98.5%;VHR−2=97.5%;τ=52.1ms.
1V2−BB−CL (1−24) 5%
VFF2−BB−CL (1−40) 3%
3−BB(F,F)XB(F,F)−F (2−1−2) 15%
3−BB(F,F)XB(F)−OCF3 (2−1−3) 10%
3−BB(F)B(F,F)−F (2−2−1) 10%
2−HBB(F,F)−F (3−1−1) 5%
3−HBB(F,F)−F (3−1−1) 20%
3−HB(F)B(F,F)−F (3−1−3) 10%
5−HBB(F)B−2 (4−2) 7%
5−HBB(F)B−3 (4−2) 5%
3−HBB(F)−F (−) 10%
NI=71.8℃;Tc≦−20℃;Δn=0.158;Δε=12.7;γ1=164.2mPa・s;Vth=1.19V;VHR−1=98.1%;VHR−2=97.7%;τ=45.3ms.
1V2−BB−F (1−5) 7%
2V2−BB−F (1−8) 5%
V2V2−BB−F (1−19) 5%
3−BB(F,F)XB(F,F)−F (2−1−2) 10%
3−BB(F)B(F,F)−F (2−2−1) 5%
5−BB(F)B(F,F)−F (2−2−1) 5%
3−HBB(F,F)−F (3−1−1) 20%
3−H2BB(F,F)−F (3−1−2) 5%
4−H2BB(F,F)−F (3−1−2) 5%
5−H2BB(F,F)−F (3−1−2) 5%
3−HHBB(F,F)−F (3−2−1) 7%
5−HHBB(F,F)−F (3−2−1) 5%
2−BB(F)B−3 (5−1) 4%
1V2−BB(F)B−2 (5−1) 4%
2−BBB(2F)−3 (5−2) 4%
2−BB(2F,5F)B−2 (5−3) 4%
NI=71.5℃;Tc≦−20℃;Δn=0.155;Δε=9.3;γ1=145.4mPa・s;Vth=1.39V;VHR−1=98.0%;VHR−2=97.5%;τ=42.6ms.
1V2−BB−F (1−5) 6%
V2−BB−CL (1−22) 6%
3−BB(F,F)XB(F,F)−F (2−1−2) 10%
3−BB(F,F)XB(F)−F (2−1−1) 5%
3−BB(F)B(F,F)−F (2−2−1) 10%
3−HBB(F,F)−F (3−1−1) 15%
3−HB(F)B(F,F)−F (3−1−3) 10%
3−HBBB−3 (4−1) 4%
5−HBB(F)B−2 (4−2) 4%
5−HBB(F)B−3 (4−2) 8%
2−BB(2F,5F)B−2 (5−3) 5%
3−BB(2F,5F)B−3 (5−3) 5%
3−HHB−1 (−) 3%
V−HHB−1 (−) 3%
3−HHB−F (−) 3%
3−HHB−CL (−) 3%
NI=91.4℃;Tc≦−20℃;Δn=0.169;Δε=9.2;γ1=151.4mPa・s;Vth=1.49V;VHR−1=98.0%;VHR−2=97.5%;τ=44.6ms.
1V2−BB−CL (1−24) 5%
V2V2−BB−CL (1−38) 5%
3−BB(F)B(F,F)−F (2−2−1) 10%
5−BB(F)B(F,F)−F (2−2−1) 10%
2−HBB(F,F)−F (3−1−1) 5%
3−HBB(F,F)−F (3−1−1) 10%
3−HB(F)B(F,F)−F (3−1−3) 15%
5−HBB(F)B−2 (4−2) 5%
5−HBB(F)B−3 (4−2) 5%
3−HB−CL (−) 8%
3−HH−V (−) 5%
3−HHB(F,F)−F (−) 5%
5−HB(F)BH−3 (−) 4%
1O1−HBBH−3 (−) 4%
1O1−HBBH−4 (−) 4%
NI=92.0℃;Tc≦−20℃;Δn=0.157;Δε=8.2;γ1=141.3mPa・s;Vth=1.58V;VHR−1=97.9%;VHR−2=97.4%;τ=42.9ms.
1V2−BB−CL (1−24) 4%
2V2−BB−CL (1−27) 5%
V2V2−BB−CL (1−38) 5%
3−BB(F,F)XB(F,F)−OCF3 (2−1−4) 20%
3−HBB(F,F)−F (3−1−1) 10%
3−HB(F)B(F,F)−F (3−1−3) 10%
2−HHBB(F,F)−F (3−2−1) 6%
3−HHBB(F,F)−F (3−2−1) 6%
3−HHB(F)B(F,F)−F (3−2−4) 10%
7−HB−1 (−) 5%
3−HH−VFF (−) 3%
3−HHB(F)−F (−) 4%
3−H2BB(F)−F (−) 12%
NI=80.4℃;Tc≦−10℃;Δn=0.139;Δε=11.8;γ1=155.6mPa・s;Vth=1.28V;VHR−1=98.2%;VHR−2=97.7%;τ=43.7ms.
1V2−BB−F (1−5) 6%
VFF2−BB−F (1−39) 4%
3−BB(F,F)XB(F,F)−F (2−1−2) 10%
3−BB(F)B(F,F)−F (2−2−1) 10%
3−HBB(F,F)−F (3−1−1) 10%
3−HB(F)B(F,F)−F (3−1−3) 15%
3−HHB(F)B(F,F)−F (3−2−4) 10%
2O−HBBB−3 (4−1) 5%
5−HBB(F)B−2 (4−2) 10%
5−HBB(F)B−3 (4−2) 5%
3−HB−CL (−) 5%
3−BB(F,F)B−F (−) 10%
NI=94.4℃;Tc≦−20℃;Δn=0.170;Δε=11.1;γ1=166.1mPa・s;Vth=1.37V;VHR−1=98.6%;VHR−2=97.9%;τ=47.0ms.
V2−BB−F (1−3) 4%
1V2−BB−F (1−5) 8%
3−BB(F)B(F,F)−F (2−2−1) 10%
5−BB(F)B(F,F)−F (2−2−1) 8%
3−HBB(F,F)−F (3−1−1) 10%
3−HB(F)B(F,F)−F (3−1−3) 10%
2−HHBB(F,F)−F (3−2−1) 5%
3−HHBB(F,F)−F (3−2−1) 5%
5−HHBB(F,F)−F (3−2−1) 5%
5−HBB(F)B−2 (4−2) 4%
5−HBB(F)B−3 (4−2) 4%
2−BB(F)B−3 (5−1) 6%
3−HBB−2 (−) 4%
V2−HBB−2 (−) 5%
1V2−HBB−2 (−) 5%
3−HBB(F)−F (−) 7%
NI=107.0℃;Tc≦−20℃;Δn=0.173;Δε=8.2;γ1=160.9mPa・s;Vth=1.64V;VHR−1=98.2%;VHR−2=97.8%;τ=48.9ms.
1V2−BB−F (1−5) 11%
3−BB(F,F)XB(F,F)−F (2−1−2) 10%
3−BB(F,F)XB(F)−OCF3 (2−1−3) 10%
3−BB(F)B(F,F)−F (2−2−1) 8%
3−HBB(F,F)−F (3−1−1) 25%
3−HB(F)B(F,F)−F (3−1−3) 8%
3−H2BB(F,F)−F (3−1−2) 5%
5−H2BB(F,F)−F (3−1−2) 5%
3−HBB(F)−F (−) 4%
1O1−HBBH−3 (−) 7%
1O1−HBBH−4 (−) 7%
NI=75.1℃;Tc≦−20℃;Δn=0.144;Δε=11.2;γ1=155.5mPa・s;Vth=1.28V;VHR−1=98.1%;VHR−2=97.9%;τ=43.9ms.
1V2−BB−F (1−5) 7%
1V2−BB−CL (1−24) 7%
3−BB(F,F)XB(F,F)−F (2−1−2) 12%
3−BB(F)B(F,F)−F (2−2−1) 8%
5−BB(F)B(F,F)−F (2−2−1) 8%
2−HHBB(F,F)−F (3−2−1) 5%
3−HHBB(F,F)−F (3−2−1) 5%
5−HHBB(F,F)−F (3−2−1) 5%
3−HHB(F)B(F,F)−F (3−2−4) 7%
3−HH2B(F)B(F,F)−F (3−2−5) 5%
3−H2HB(F)B(F,F)−F (3−2−6) 5%
3−HB−CL (−) 6%
V−HHB−1 (−) 5%
2−HBB−F (−) 5%
3−HBB−F (−) 5%
5−HBB−F (−) 5%
NI=100.7℃;Tc≦−20℃;Δn=0.156;Δε=11.1;γ1=163.5mPa・s;Vth=1.39V;VHR−1=98.1%;VHR−2=97.9%;τ=46.3ms.
1V2−BB−CL (1−24) 5%
2V2−BB−CL (1−27) 5%
V2V2−BB−CL (1−38) 5%
3−BB(F,F)XB(F,F)−F (2−1−2) 10%
3−BB(F,F)XB(F,F)−OCF3 (2−1−4) 5%
3−BB(F)B(F,F)−F (2−2−1) 10%
5−BB(F)B(F,F)−F (2−2−1) 5%
3−HBB(F,F)−F (3−1−1) 26%
3−HB(F)B(F,F)−F (3−1−3) 3%
5−HBB(F)B−2 (4−2) 7%
5−HBB(F)B−3 (4−2) 7%
2−BB(F)B−3 (5−1) 4%
2−BBB(2F)−3 (5−2) 4%
2−BB(2F,5F)B−2 (5−3) 4%
NI=82.0℃;Tc≦−10℃;Δn=0.180;Δε=10.7;γ1=154.3mPa・s;Vth=1.35V;VHR−1=98.2%;VHR−2=97.7%;τ=44.0ms.
V2−BB−F (1−3) 3%
1V2−BB−F (1−5) 12%
3−BB(F,F)XB(F,F)−F (2−1−2) 10%
3−BB(F,F)XB(F)−OCF3 (2−1−3) 10%
3−BB(F)B(F,F)−F (2−2−1) 5%
3−HBB(F,F)−F (3−1−1) 25%
5−HBB(F)B−2 (4−2) 6%
5−HBB(F)B−3 (4−2) 6%
2−HBB−F (−) 5%
3−HBB−F (−) 5%
5−HBB−F (−) 3%
3−HHXB(F,F)−F (−) 10%
NI=78.0℃;Tc≦−20℃;Δn=0.148;Δε=10.0;γ1=129.4mPa・s;Vth=1.37V;VHR−1=98.2%;VHR−2=97.7%;τ=37.4ms.
1V2−BB−F (1−5) 10%
1V2−BB−CL (1−24) 4%
3−BB(F,F)XB(F,F)−F (2−1−2) 10%
3−BB(F)B(F,F)−F (2−2−1) 10%
5−BB(F)B(F,F)−F (2−2−1) 10%
3−HBB(F,F)−F (3−1−1) 20%
3−HB(F)B(F,F)−F (3−1−3) 5%
2−HHBB(F,F)−F (3−2−1) 4%
3−HHBB(F,F)−F (3−2−1) 3%
5−HBB(F)B−2 (4−2) 4%
5−HBB(F)B−3 (4−2) 4%
3−HGB(F,F)−F (−) 8%
3−GHB(F,F)−F (−) 8%
NI=71.5℃;Tc≦−20℃;Δn=0.150;Δε=12.7;γ1=169.6mPa・s;Vth=1.19V;VHR−1=98.3%;VHR−2=97.9%;τ=46.7ms.
1V2−BB−F (1−5) 11%
3−BB(F,F)XB(F,F)−F (2−1−2) 5%
3−BB(F,F)XB(F)−F (2−1−1) 5%
3−BB(F,F)XB(F,F)−OCF3 (2−1−4) 5%
3−BB(F,F)XB(F)−OCF3 (2−1−3) 5%
3−HBB(F,F)−F (3−1−1) 18%
3−HB(F)B(F,F)−F (3−1−3) 10%
3−HHB(F)B(F,F)−F (3−2−4) 8%
5−HBB(F)B−2 (4−2) 2%
2−BB(F)B−3 (5−1) 5%
3−HBB(F)−F (−) 5%
3−H2BB(F)−F (−) 5%
3−HBEB(F,F)−F (−) 4%
5−HBEB(F,F)−F (−) 4%
3−HHEB(F,F)−F (−) 8%
NI=72.2℃;Tc≦−20℃;Δn=0.139;Δε=12.3;γ1=157.9mPa・s;Vth=1.21V;VHR−1=98.4%;VHR−2=97.7%;τ=43.7ms.
1V2−BB−F (1−5) 12%
3−BB(F)B(F,F)−F (2−2−1) 10%
5−BB(F)B(F,F)−F (2−2−1) 8%
3−B(F)B(F)B(F,F)−F (2−2−2) 5%
5−B(F)B(F)B(F,F)−F (2−2−2) 5%
2−HBB(F,F)−F (3−1−1) 5%
3−HBB(F,F)−F (3−1−1) 20%
2−HHBB(F,F)−F (3−2−1) 5%
3−HHBB(F,F)−F (3−2−1) 5%
5−HHBB(F,F)−F (3−2−1) 5%
3−HHB(F)B(F,F)−F (3−2−4) 5%
2−HBB−F (−) 5%
3−HBB−F (−) 5%
5−HBB−F (−) 5%
NI=84.5℃;Tc≦−20℃;Δn=0.159;Δε=11.3;γ1=167.0mPa・s;Vth=1.31V;VHR−1=98.3%;VHR−2=97.5%;τ=47.0ms.
1V2−BB−F (1−5) 10%
3−BB(F,F)XB(F,F)−F (2−1−2) 10%
3−B(F)B(F)B(F,F)−F (2−2−2) 6%
5−B(F)B(F)B(F,F)−F (2−2−2) 6%
3−HBB(F,F)−F (3−1−1) 25%
5−HBB(F,F)−F (3−1−1) 5%
3−HB(F)B(F,F)−F (3−1−3) 5%
2−HHBB(F,F)−F (3−2−1) 5%
3−HHBB(F,F)−F (3−2−1) 5%
5−HBB(F)B−2 (4−2) 6%
5−HBB(F)B−3 (4−2) 6%
2−BB(F)B−3 (5−1) 5%
3−HB−CL (−) 6%
NI=81.5℃;Tc≦−20℃;Δn=0.161;Δε=11.1;γ1=153.0mPa・s;Vth=1.32V;VHR−1=98.4%;VHR−2=97.7%;τ=42.0ms.
Claims (13)
- 第1成分として式(1)で表される化合物の群から選択された少なくとも1つの化合物、第2成分として式(2−1)および式(2−2)で表される化合物の群から選択された少なくとも1つの化合物、および第3成分として式(3−1)および式(3−2)で表される化合物の群から選択された少なくとも1つの化合物を含有し、そしてネマチック相を有する液晶組成物。
ここで、R1は炭素数2から12のアルケニル、炭素数4から12のアルカジエニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数2から12のアルケニルであり;R2は炭素数1から12のアルキルまたは炭素数2から12のアルケニルであり;Y1はフッ素または塩素であり;Y2はフッ素またはトリフルオロメトキシであり;X1およびX2は独立して水素またはフッ素であり;Z1およびZ2は独立して単結合または−CH2CH2−である。 - 第2成分が式(2−1)で表される化合物の群から選択された少なくとも1つの化合物であり、第3成分が式(3−1)で表される化合物の群から選択された少なくとも1つの化合物である請求項1に記載の液晶組物。
- 液晶組成物の全重量に基づいて、第1成分の割合が5重量%から25重量%の範囲であり、第2成分の割合が10重量%から40重量%の範囲であり、そして第3成分の割合が25重量%から65重量%の範囲である、請求項1または2に記載の液晶組成物。
- 第1成分として式(1)で表される化合物の群から選択された少なくとも1つの化合物、第2成分として式(2−1)および式(2−2)で表される化合物の群から選択された少なくとも1つの化合物、第3成分として式(3−1)および式(3−2)で表される化合物の群から選択された少なくとも1つの化合物、および第4成分として式(4)で表される化合物の群から選択された少なくとも1つの化合物を含有し、そしてネマチック相を有する液晶組成物。
ここで、R1は炭素数2から12のアルケニル、炭素数4から12のアルカジエニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数2から12のアルケニルあり;R2は炭素数1から12のアルキルまたは炭素数2から12のアルケニルであり;R3およびR4は独立して炭素数1から12のアルキル、炭素数1から12のアルコキシ、炭素数2から12のアルコキシアルキルまたは炭素数2から12のアルケニルであり;Y1はフッ素または塩素であり;Y2はフッ素またはトリフルオロメトキシであり;X1、X2およびX3は独立して水素またはフッ素であり;Z1およびZ2は独立して単結合または−CH2CH2−である。 - 第2成分が式(2−1)で表される化合物の群から選択された少なくとも1つの化合物であり、第3成分が式(3−1)で表される化合物の群から選択された少なくとも1つの化合物である請求項4に記載の液晶組成物。
- 式(1)においてY1がフッ素であり、式(3−1)および式(3−2)においてX2が水素であり、式(4)においてX3がフッ素である、請求項4または5に記載の液晶組成物。
- 液晶組成物の全重量に基づいて、第1成分の割合が5重量%から25重量%の範囲であり、第2成分の割合が10重量%から40重量%の範囲であり、第3成分の割合が25重量%から65重量%の範囲であり、そして第4成分の割合が5重量%から30重量%の範囲である、請求項6に記載の液晶組成物。
- 第1成分として式(1)で表される化合物の群から選択された少なくとも1つの化合物、第2成分として式(2−1)および式(2−2)で表される化合物の群から選択された少なくとも1つの化合物、第3成分として式(3−1)および式(3−2)で表される化合物の群から選択された少なくとも1つの化合物、第4成分として式(4)で表される化合物の群から選択された少なくとも1つの化合物、および第5成分として式(5)で表される化合物の群から選択された少なくとも1つの化合物を含有し、そしてネマチック相を有する液晶組成物。
ここで、R1は炭素数2から12のアルケニル、炭素数4から12のアルカジエニルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられた炭素数2から12のアルケニルあり;R2は炭素数1から12のアルキルまたは炭素数2から12のアルケニルであり;R3およびR4は独立して炭素数1から12のアルキル、炭素数1から12のアルコキシ、炭素数2から12のアルコキシアルキルまたは炭素数2から12のアルケニルであり;Y1はフッ素または塩素であり;Y2はフッ素またはトリフルオロメトキシであり;X1、X2、X3、X4、X5およびX6は独立して水素またはフッ素であり、X4、X5およびX6のうち、少なくとも一つはフッ素であり;Z1およびZ2は独立して単結合または−CH2CH2−である。 - 第2成分が式(2−1)で表される化合物の群から選択された少なくとも1つの化合物であり、第3成分が式(3−1)で表される化合物の群から選択された少なくとも1つの化合物である請求項8に記載の液晶組成物。
- 式(1)においてY1がフッ素であり、式(3−1)および式(3−2)においてX2が水素であり、式(4)においてX3がフッ素であり、式(5)においてX4がフッ素であり、X5およびX6が水素である、請求項8または9に記載の液晶組成物。
- 液晶組成物の全重量に基づいて、第1成分の割合が5重量%から25重量%の範囲であり、第2成分の割合が10重量%から40重量%の範囲であり、第3成分の割合が25重量%から65重量%の範囲であり、第4成分の割合が5重量%から30重量%の範囲であり、そして第5成分の割合が3重量%から20重量%の範囲である、請求項10に記載の液晶組成物。
- ネマチック相の上限温度が70℃から110℃の範囲であり、25℃で波長589nmにおける光学異方性が0.13から0.18の範囲であり、そして25℃における誘電率異方性が7から17の範囲である、請求項1から11のいずれか1項に記載の液晶組成物。
- 請求項1から12のいずれか1項に記載の液晶組成物を含有する液晶表示素子。
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