JP5000130B2 - 半導体チップ - Google Patents
半導体チップ Download PDFInfo
- Publication number
- JP5000130B2 JP5000130B2 JP2005363836A JP2005363836A JP5000130B2 JP 5000130 B2 JP5000130 B2 JP 5000130B2 JP 2005363836 A JP2005363836 A JP 2005363836A JP 2005363836 A JP2005363836 A JP 2005363836A JP 5000130 B2 JP5000130 B2 JP 5000130B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power supply
- semiconductor chip
- bump
- wiring
- ground
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 53
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 29
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 14
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
これらの構造に適用される半導体チップは、その表面に、金(Au)などの金属からなる複数のバンプを有している。各バンプは、半導体チップの表面の中央部に形成された内部回路と電気的に接続されている。そして、チップ・オン・チップ構造では、一方の半導体チップのバンプと他方の半導体チップのバンプとを突き合わせて接合することにより、それらの半導体チップ間の機械的な接続が達成されるとともに、各半導体チップの内部回路間の電気的な接続が達成される。また、フリップ・チップ・ボンディング構造では、半導体チップのバンプを配線基板上のパッドに突き当てて接合することにより、配線基板上に半導体チップが支持されるとともに、配線基板上の配線と半導体チップの内部回路間の電気的な接続が達成される。
そこで、この発明の目的は、サージによる内部回路の破壊を防止することができながら、バンプのレイアウトの自由度の増大を図ることができる半導体チップを提供することである。
また、保護素子は、回路形成領域の周囲の領域に配置された電源配線とグランド配線との間に形成されているので、保護素子の配置と無関係に、バンプのレイアウトを決定することができる。すなわち、バンプを半導体チップの表面の中央部に設けられた回路形成領域上に配置することができ、もちろん、回路形成領域の周囲の領域上にバンプを配置することもできる。そのため、バンプのレイアウトの自由度を増すことができる。
請求項2に記載されているように、前記電源配線および前記グランド配線が、前記半導体チップ上の同じ層に設けられていることが好ましい。
また、請求項3に記載されているように、前記保護素子が、前記電源供給用のバンプおよび前記接地用のバンプ以外の全てのバンプに対応してそれぞれ設けられていることが好ましい。
前記半導体チップは、請求項4に記載されているように、前記固体装置としての配線基板にフリップ・チップ・ボンディングにより接合されるものであってもよい。
また、請求項5に記載されているように、前記半導体チップが、前記固体装置としての他の半導体チップに接合されてチップ・オン・チップ構造を構成するものであってもよい。
図1は、この発明の一実施形態に係る半導体チップの図解的な平面図である。また、図2は、図1に示す半導体チップをその表面に直交する平面で切断したときの断面図である。
この半導体チップは、いわゆるチップ・オン・チップ構造やフリップ・チップ・ボンディング構造に適用され、その表面1を他の半導体チップや配線基板などの固体装置に対向させて接合される。
回路形成領域2は、半導体チップの表面1の中央部に設けられた矩形の領域であり、トランジスタなどの機能素子を含む内部回路が作り込まれている。この回路形成領域2上には、たとえば、金(Au)などの金属材料からなる複数のバンプ4が互いに間隔を空けて整列配置されている。各バンプ4は、表面保護膜3から突出する略球状に形成されている。すなわち、図2に示すように、表面保護膜3には、回路形成領域2に形成された内部回路と電気的に接続されたパッド5を露出させる開口6が形成されており、各バンプ4は、パッド5上に設けられて、開口6から表面保護膜3上に隆起する略球状に形成されている。
より詳細に説明すると、電源配線7は、電源用のバンプ4Aから回路形成領域2の周囲の領域に引き出され、矩形の回路形成領域2の第1辺に沿って延び、さらに前記第1辺の隣の第2辺に沿うように曲げられて当該第2辺に沿って延び、さらに前記第2辺の隣の第3辺に沿うように曲げられて当該第3辺に沿って延び、さらに前記第3辺の隣の第4辺に沿うように曲げられて当該第4辺に沿って延び、当該第4辺に対向する位置で終端するように引き回されている。接地用のバンプ4Bは、電源用のバンプ4Aよりも前記第4辺に近い位置に配置されている。そして、グランド配線8は、接地用のバンプ4Bから回路形成領域2の周囲の領域に引き出され、矩形の回路形成領域2の前記第1辺に沿って電源配線7とは反対方向に向かって延び、さらに前記第1辺の隣の前記第4辺に沿うように曲げられて当該第4辺に沿って延び、さらに前記第4辺の隣の前記第3辺に沿うように曲げられて当該第3辺に沿って延び、さらに前記第3辺の隣の前記第2辺に沿うように曲げられて当該第2辺に沿って延び、当該第2辺に対向する位置で終端するように引き回されている。
2 回路形成領域
4 バンプ
7 電源配線
8 グランド配線
11 保護素子
12 保護素子
Claims (5)
- 機能素子を含む内部回路が形成された矩形の回路形成領域を表面の中央部に有し、その表面を固体装置の表面に対向させて接合される半導体チップであって、
前記回路形成領域上において、前記半導体チップの表面上に隆起して形成され、前記固体装置の表面に当接されて、前記内部回路と前記固体装置とを電気的に接続するための複数のバンプと、
前記回路形成領域の周囲の領域に形成され、電源電圧が供給される電源配線と、
前記回路形成領域の周囲の領域に前記電源配線から所定間隔を隔てて形成され、グランド電位に接地されるグランド配線と、
前記電源配線と前記グランド配線との間に形成され、前記バンプと前記電源配線および前記グランド配線との各間に電気的に介在された保護素子とを含み、
前記複数のバンプが、前記固体装置から電源電圧が供給される電源用のバンプと、前記固体装置からグランド電圧が供給される接地用のバンプとを含み、
前記電源配線が、前記電源用のバンプに接続され、前記電源用のバンプから前記回路形成領域の周囲の領域に引き出され、前記矩形の回路形成領域の第1辺に沿って延び、さらに前記第1辺の隣の第2辺に沿うように曲げられて当該第2辺に沿って延び、さらに前記第2辺の隣の第3辺に沿うように曲げられて当該第3辺に沿って延び、さらに前記第3辺の隣の第4辺に沿うように曲げられて当該第4辺に沿って延び、当該第4辺に対向する位置で終端するように引き回されており、
前記接地用のバンプが、前記電源用のバンプよりも前記第4辺に近い位置に配置されており、
前記グランド配線が、前記接地用のバンプに接続され、前記接地用のバンプから前記回路形成領域の周囲の領域に引き出され、前記矩形の回路形成領域の前記第1辺に沿って前記電源配線とは反対方向に向かって延び、さらに前記第1辺の隣の前記第4辺に沿うように曲げられて当該第4辺に沿って延び、さらに前記第4辺の隣の前記第3辺に沿うように曲げられて当該第3辺に沿って延び、さらに前記第3辺の隣の前記第2辺に沿うように曲げられて当該第2辺に沿って延び、当該第2辺に対向する位置で終端するように引き回されている
ことを特徴とする半導体チップ。 - 前記電源配線および前記グランド配線が、前記半導体チップ上の同じ層に設けられている、請求項1に記載の半導体チップ。
- 前記保護素子が、前記電源供給用のバンプおよび前記接地用のバンプ以外の全てのバンプに対応してそれぞれ設けられている、請求項1または2に記載の半導体チップ。
- 前記半導体チップが、前記固体装置としての配線基板にフリップ・チップ・ボンディングにより接合されるものである、請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体チップ。
- 前記半導体チップが、前記固体装置としての他の半導体チップに接合されてチップ・オン・チップ構造を構成するものである、請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体チップ。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005363836A JP5000130B2 (ja) | 2005-12-16 | 2005-12-16 | 半導体チップ |
US11/637,945 US7518230B2 (en) | 2005-12-14 | 2006-12-13 | Semiconductor chip and semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005363836A JP5000130B2 (ja) | 2005-12-16 | 2005-12-16 | 半導体チップ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007165800A JP2007165800A (ja) | 2007-06-28 |
JP5000130B2 true JP5000130B2 (ja) | 2012-08-15 |
Family
ID=38248313
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005363836A Active JP5000130B2 (ja) | 2005-12-14 | 2005-12-16 | 半導体チップ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5000130B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011171680A (ja) * | 2010-02-22 | 2011-09-01 | Panasonic Corp | 半導体集積回路装置 |
JP2015005626A (ja) * | 2013-06-21 | 2015-01-08 | ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエルPS4 Luxco S.a.r.l. | 半導体装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2919566B2 (ja) * | 1990-06-29 | 1999-07-12 | 沖電気工業株式会社 | 半導体装置 |
JPH04196464A (ja) * | 1990-11-28 | 1992-07-16 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
JP4629826B2 (ja) * | 2000-02-22 | 2011-02-09 | パナソニック株式会社 | 半導体集積回路装置 |
FR2831328A1 (fr) * | 2001-10-23 | 2003-04-25 | St Microelectronics Sa | Protection d'un circuit integre contre des decharges electrostatiques et autres surtensions |
JP4695823B2 (ja) * | 2003-02-28 | 2011-06-08 | ミツミ電機株式会社 | 半導体装置 |
-
2005
- 2005-12-16 JP JP2005363836A patent/JP5000130B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007165800A (ja) | 2007-06-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5617980B2 (ja) | Esd保護デバイス | |
JP4731883B2 (ja) | ダブルスタックされたbgaパッケージ及び多重スタックされたbgaパッケージ | |
JP5342154B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR101255335B1 (ko) | 반도체 패키지 및 그 제조 방법 | |
JP2006210777A (ja) | 半導体装置 | |
US11508685B2 (en) | Stacked semiconductor package | |
KR100910231B1 (ko) | 웨이퍼 레벨 반도체 패키지 및 이의 제조 방법 | |
JP4105524B2 (ja) | 半導体装置 | |
TWI578476B (zh) | 半導體封裝 | |
KR20190119474A (ko) | 칩 스택 패키지 | |
US9236320B2 (en) | Chip package | |
JP2010206021A (ja) | 電子部品実装構造体、およびその製造方法 | |
JP5000130B2 (ja) | 半導体チップ | |
US7180185B2 (en) | Semiconductor device with connections for bump electrodes | |
US9508672B2 (en) | Semiconductor device | |
JP4264640B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US10008441B2 (en) | Semiconductor package | |
KR20090026623A (ko) | 반도체 패키지 | |
US7732934B2 (en) | Semiconductor device having conductive adhesive layer and method of fabricating the same | |
JP2008187050A (ja) | システムインパッケージ装置 | |
KR20160114852A (ko) | 반도체 칩, 및 이를 포함하는 플립 칩 패키지와 웨이퍼 레벨 패키지 | |
JP4305674B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2007059430A (ja) | 半導体装置 | |
JP5096730B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2016119379A (ja) | 半導体装置及び電子装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081203 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120118 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120126 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120326 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120510 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120516 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5000130 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150525 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |