JP4987771B2 - マスクレス粒子ビーム露光方法 - Google Patents
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Description
図1に、本発明に係るマスクレス粒子ビームプロセス装置PML2の概略図を示している。以下では、本発明を開示するために必要なものについてのみ、上記装置について詳述している;理解の便宜上、図1に示されたPML2の構成部品の大きさは実際のものと異なっている。特に、粒子ビームの横幅は実際のものと異なっており誇張されている。詳細については、読者は米国特許6768125号を参照できる。
従来の書込み方法(図19参照)と比較して、上記APSにおける、そして、上記APSに入力するデータ移動を低減させる事が可能な書込み方法を、我々は提案する。我々は、この方法を「トロット法」と呼ぶ。なぜなら、個々のビームレットの動きが、小走り、すなわち、トロッティングしている馬の対角線状の脚の動きの様であるからである。
以下に、ブランキングプレート202の電子的な構造が開示されている。本開示にかかる構造によれば、上記書込方法の規則に従い、書き込み方法を実行することが可能となる。図6には、このようなブランキングプレート60の全体のブロック図が示されている。上記ブランキングプレートは、論理回路やブランキングアパーチャを含む単一のウェハダイから、物理的に形成されていてもよい。ブランキングプレート60は、2以上のウェハを積み重ねられ、または、2以上のウェハを複合された構成のものから、形成されていてもよい。たとえば、上記論理回路を含んでいるダイが、ブランキング電極を含むダイと接合されていてもよい。上記開口部は、それぞれC個のアパーチャを備えている2R本の横列に沿って、アパーチャフィールド61に配置される。これにより、上記ブランカーセルが、2R本の上記横列の延びる方向(図6では横方向)と垂直である方向(図6では縦方向)に、C本の縦列になっているように見える。それぞれの横列における上記ブランカーエレメンツ(アパーチャ)の数Cは、N×N’またはN×N’の整数倍と等しいことが好ましい。上記ブランカーセルは、2つのAPSメモリ列62N、62S(N、Sは、それぞれ「ノース」、「サウス」を意味している)を用いて、縦方向にアドレスされる。これらの2つのAPSメモリ列62N、62Sは、たとえば、高ビット密度を可能とするデュアルポートスタティックRAMなどである。
実施例では、発生するパターンはグレイレベルを含んでいる。このパターンは、画素が全く露光されない状態つまり0%から、画素が完全に露光される状態つまり100%までの幅を有する、gのグレイレベルの露光をすることができる。gのグレイレベルに対して、gビットが上記SRAMに記憶されるため、これはデータのオーバーヘッドを招く。上記外部接続インターフェイスを通るデータのレートを小さくすれば、グレイレベルG(G=ld(g)bit)だけを上記APSに送り、上記APS内部でグレイレベル(G―bit)からgアパーチャビットに変換することが可能である。これは、DPRAMにデータが記憶される前や、上記DPRAMからのデータを読み込み、そのデータを上記ブランカーセルに送っているときに、行われる。
ここで示すAPSシステムにおいて起こりうる(おそらく最もその可能性の高い)故障の一例は、機械的な、または、電子的な損傷によるブランキングセルの故障である。そのため、それに対応するビームレットをブランクさせることができなくなる(常にオープンとなるエラーである)。一方を他方の上の位置させるように2つのアパーチャプレートを積み重ね、並行して電子的に作動させることで、常に開口しているというエラーの起こる確率は、かなり減少すると思われる。並行して作動するこの2つのブランカープレート装置202a、202bを有する、このリダンダントな構成は、図11に記載されている。図11に示された2つの外部アパーチャは、故障部分を全く有さない。一方、2つの内部のアパーチャは、第1または第2のブランカープレートそれぞれにおいて、故障部分を有する。だが、ブランカープレートをリダンダントに積み重ねたため、上記2つのアパーチャが適正に作動することが可能となる。
図12は、本発明に係るアパーチャの配置の一例を示した図である。この図を、上述した図18における公知の配置と比較して見ることができる。図12における平面図における縦方向および横方向は、図18、図6および図8に示したものと同じである;上記アパーチャはクロスハッチがされた四角形で表されている。図18に示したように、それぞれのアパーチャは、両辺3w×3wのセルスペースに割当てられている。公知技術と対比すると、追加のスペースが、アパーチャのそれぞれのブロックの間に配置されている。これにより、横方向における基本距離(ここでは9w)においてセルスペースの幅(w)に乗算している整数と、N’w(ここでは10w)においてセルスペースの幅(w)に乗算している整数とが、互いに素となっている。
上述した構成は、ターゲット40上のマーカ41、42を読み取るためにも用いられる。このようなマーカは、上記ビームカレントを高い割合で反射し、さらに第2の照射をさせることができる材料により構成されている。これらの反射は、上記ビームの横に位置する検出器44により検出される。第2の照射としては、たとえば第2の電子ビームやオージェ電子照射が好ましい。特にオージェ電子放射は、線の幅が非常に小さく、ある特定のエネルギーにおいて特徴的な電子照射をするといった利点を有する。そのため、オージェ電子放射を検出器44で検出することが可能である。
・従来のPML2に比べて、フリップフロップの数を大幅に減少させることができる。
・フリップフロップスイッチングの回数を数桁小さくできる。
・電力消費を(同じ作動モードにおいて)かなり減少させることができる。
・所定回数のフリップフロップのスイッチングが、より長時間にわたって行われる。
・所定回数の上記アパーチャのスイッチングが、より長時間にわたって行われる。
・本発明にかかる構成によれば、1クロックだけで、十分に同期をとることができる。
・本発明にかかる書き込み方法によれば、所定のデータストリームで、上記光学系の修正をすることができる。
101 照射システム(粒子光学系、電気光学系)
102 PDシステム(電気光学系)
103 粒子光学系(電気光学系、電子光投影装置)
104 ターゲットステーション
11 イオン源
11a イクストラクター
12 粒子フィルター/ジェネラルブランカー
13 コンデンサレンズ系
14 基板(ウェハ)
16 偏向手段
17 吸収プレート
c1、c2 クロスオーバー
201、202 プレート
202a、202b ブランカープレート装置
21 アパーチャ
221 電極
40 ターゲット
41 マーカ(マーカパターン)
411 埋没マーカ
42 マーカ(ファインマーカ)
44 検出器
60 ブランキングプレート
61 アパーチャフィールド
62N、62S メモリ列
65 アドレス部
66 制御信号
67 メモリブロック
HC 縦列
82 DPRAM
83 マスクブロック
84 制御ライン
840 時間信号(時間情報)
841、842 イクストラクター
871、872 DPRAM論理
A、B ポート
A0、A1 アドレス領域、
T1 画素露光サイクル
Ts 安定時間
Tu、dt 時間
lb、pb リソグラフィビーム(パターン化ビーム)
b1、b2、b3 ビームレット
Claims (22)
- 荷電粒子のビームをターゲットに照射する方法であって、
上記粒子を通過させる複数のアパーチャを有するパターン決定手段(102)を用意し、
上記アパーチャを通って上記パターン決定手段を横切る上記ビームを上記パターン決定手段に照射することにより、上記アパーチャと同数のビームレットからなるパターン化ビーム(pb)を形成し、
上記パターン化ビームによって、上記ターゲット(14、40)上の位置において、第1の幅(w)を有するとともに、上記複数のアパーチャの少なくとも一部のアパーチャイメージを備えるビームイメージを形成し、
上記アパーチャイメージが形成されるイメージ面において、上記パターン決定手段に対して上記ターゲットを経路に沿って相対移動させる、各工程を含む方法であって、
画素露光期間(Tu)において、上記ターゲットとともに上記ビームイメージの上記位置を移動させるようにし、上記画素露光期間は、上記ターゲットにおいて測定される上記第1の幅より大きい進行距離を、上記ターゲットが上記相対移動しているときの時間を有し、
上記画素露光期間の後に、上記ターゲットに対して上記ビームイメージの上記位置を変化させるようにし、この位置の変化は、上記パターン決定手段の位置に対する、上記画素露光期間(Tu)の間における上記ビームイメージの上記位置の移動をほぼ補うものである方法。 - 上記進行距離は、上記第1の幅の倍数以上である、請求項1に記載の方法。
- 上記進行距離は、上記相対移動の方向における隣接するビームレット間の距離以下である、請求項1または2に記載の方法。
- 上記相対移動の方向において同一線上にある上記ビームレットは、少なくとも1以上の上記ビームレットからなるグループを構成しており、2以上の上記ビームレットからなるそれぞれのグループにおいて、上記ビームレットは、上記ターゲット上においてそれぞれ上記進行距離の整数倍離間しており、上記グループの数に上記第1の幅を掛けたものが上記進行距離以上であるように、上記グループの数が決定されている、請求項1ないし3のいずれか一つに記載の方法。
- 複数の画素露光期間を含む時間において、上記ターゲットの上記相対移動は連続的な直線状の移動である、請求項1ないし4のいずれか一つに記載の方法。
- 上記画素露光期間以外においては、上記パターン化ビームが上記ターゲットに到達する前に、吸収手段によって吸収されて上記パターン化ビームが消える、請求項1ないし5のいずれか一つに記載の方法。
- 上記画素露光期間の開始時から連続する次の上記画素露光期間の開始時までの間における、上記ターゲットの上記相対移動の距離は、上記第1の幅の整数倍である第2の幅と等しい、請求項1ないし6のいずれか一つに記載の方法。
- 同一線上に存在する2本の上記ビームレット間における上記ターゲットの上記相対移動の方向に沿って測定された距離は、上記第1の幅の整数倍数(N’w)であり、
上記ターゲットの上記相対移動の方向に沿って測定された距離において、上記第1の幅を整数倍した整数のうち少なくともいずれかは、上記第2の幅において上記第1の幅を整数した整数と互いに素である、請求項7に記載の方法。 - 上記第1の幅の整数倍数が、1単位だけ異なっている、請求項8に記載の方法。
- 上記パターン化ビームの伝播方向にほぼ垂直である方向に沿って、上記ターゲットを上記パターン決定手段に相対的に移動させる、請求項1ないし9のいずれか一つに記載の方法。
- 上記パターン決定手段(102)は、複数の静電ビームレット偏向器(221)を備えており、これら各偏向器は、上記パターン決定手段の個々のアパーチャと関連づけられるとともに、それぞれの制御信号(84)によって制御され、これらの制御信号によって起動させられたとき、上記アパーチャを横切る上記ビームレットを通常の経路から十分な量だけそらすように構成されており、上記パターン決定手段の上記アパーチャは、複数の上記制御信号により、時間に依存して上記ターゲット上に形成されるパターンに応じて制御される、請求項1ないし10のいずれか一つに記載の方法。
- 上記アパーチャを分離グループにグループ化している場合、それぞれの上記分離グループ(HC1)の上記アパーチャについての上記制御信号(84)が、時間的に重ならないように、共通の制御ラインを通って用いられる、請求項11に記載の方法。
- それぞれの上記分離グループの上記アパーチャは、上記ターゲットの上記相対運動方向と交差する方向に沿って、上記パターン決定手段に配置されている、請求項12に記載の方法。
- それぞれの上記分離グループの上記アパーチャは、上記ターゲットの上記相対移動方向と交差する方向から測定した場合、上記パターン決定手段における上記アパーチャに覆われた領域の幅の2分の1を超えて延びており、上記制御信号は、反対の2つの方向から上記アパーチャの上記領域に入力される、請求項13に記載の方法。
- 上記制御信号を処理するためのデータが、上記パターン決定手段のデータ記憶手段(67)に入力されて記憶され、上記データが、個別に読み出されてそれに応じて上記制御信号が処理される、請求項11ないし14にのいずれか一つ記載の方法。
- 2つのポートを有するデータ記憶手段を備えており、それぞれの上記画素露光期間において、上記データ記憶手段の第1のポートを通して、上記アパーチャを制御するデータが上記制御信号の処理のために読み出され、
上記データ記憶手段の第2のポートを通して、連続する上記画素露光期間に関するデータが記憶される、請求項15に記載の方法。 - 上記パターン決定手段の上記アパーチャは、相補的アパーチャのグループにグループ化されており、それぞれのグループについて、上記グループの上記アパーチャと関連する上記制御信号が、共通信号(871)から発生しており、上記共通信号は、上記制御信号に順次コピーされるものである、請求項15または16に記載の方法。
- 上記共通信号は、それぞれのアパーチャ間の上記ターゲットの相対移動方向に沿う空間的なオフセットに対応する時間だけずれて、上記制御信号にコピーされる、請求項17に記載の方法。
- グループの上記共通信号は、このグループに属する上記アパーチャにより実現されるグレイレベルの情報を含み、このグレイレベルを、一連の非作動制御信号と作動制御信号に変換し、上記グレイレベルは、上記グループにおける制御信号の全体数に対する非作動の信号の数を決定するものである、請求項17または18に記載の方法。
- 上記グレイレベルの上記変換は、上記記録手段から上記データを出力した後になされる、請求項19に記載の方法。
- 上記グレイレベルの一連の制御信号への変換は、等間隔シーケンスへの変換、準ランダムシーケンスへの返還、リニアフィードバックシフトレジスタを用いた変換、個々の制御信号について異なるオフセットを用いた変換、又はこれらの組合せによる変換の少なくとも1つを利用した方法により行う、請求項19または20に記載の方法。
- 上記アパーチャは、少なくとも2つの平行な列に配列されており、上記平行な列は、それぞれ上記ビームに沿って所定距離だけ相互に離間しており、上記平行な列に配列された上記アパーチャは、並行して作動させられる、請求項11ないし21のいずれか一つに記載の方法。
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EP2190003B1 (en) * | 2008-11-20 | 2014-10-01 | IMS Nanofabrication AG | Constant current multi-beam patterning |
JP5634052B2 (ja) * | 2009-01-09 | 2014-12-03 | キヤノン株式会社 | 荷電粒子線描画装置およびデバイス製造方法 |
EP2228817B1 (en) * | 2009-03-09 | 2012-07-18 | IMS Nanofabrication AG | Global point spreading function in multi-beam patterning |
US8546767B2 (en) | 2010-02-22 | 2013-10-01 | Ims Nanofabrication Ag | Pattern definition device with multiple multibeam array |
JP2011199279A (ja) * | 2010-03-18 | 2011-10-06 | Ims Nanofabrication Ag | ターゲット上へのマルチビーム露光のための方法 |
JP5683227B2 (ja) * | 2010-11-19 | 2015-03-11 | キヤノン株式会社 | 電子ビーム描画装置、およびそれを用いた物品の製造方法 |
JP5386544B2 (ja) * | 2011-06-07 | 2014-01-15 | 株式会社アドバンテスト | 電子ビーム露光装置及び電子ビーム露光方法 |
JP2013016744A (ja) * | 2011-07-06 | 2013-01-24 | Canon Inc | 描画装置及びデバイスの製造方法 |
JP5977941B2 (ja) | 2011-12-19 | 2016-08-24 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 |
TWI524461B (zh) * | 2012-02-14 | 2016-03-01 | 愛發科股份有限公司 | 離子束照射裝置 |
JP6014342B2 (ja) | 2012-03-22 | 2016-10-25 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 |
JP6128744B2 (ja) * | 2012-04-04 | 2017-05-17 | キヤノン株式会社 | 描画装置、描画方法、および、物品の製造方法 |
US8907280B1 (en) | 2012-09-19 | 2014-12-09 | Sandia Corporation | Fast electron microscopy via compressive sensing |
JP6215586B2 (ja) * | 2012-11-02 | 2017-10-18 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置 |
EP2757571B1 (en) * | 2013-01-17 | 2017-09-20 | IMS Nanofabrication AG | High-voltage insulation device for charged-particle optical apparatus |
JP2015023286A (ja) | 2013-07-17 | 2015-02-02 | アイエムエス ナノファブリケーション アーゲー | 複数のブランキングアレイを有するパターン画定装置 |
EP2830083B1 (en) * | 2013-07-25 | 2016-05-04 | IMS Nanofabrication AG | Method for charged-particle multi-beam exposure |
EP2913838B1 (en) | 2014-02-28 | 2018-09-19 | IMS Nanofabrication GmbH | Compensation of defective beamlets in a charged-particle multi-beam exposure tool |
EP2937889B1 (en) | 2014-04-25 | 2017-02-15 | IMS Nanofabrication AG | Multi-beam tool for cutting patterns |
JP6653125B2 (ja) | 2014-05-23 | 2020-02-26 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置 |
EP3358599B1 (en) | 2014-05-30 | 2021-01-27 | IMS Nanofabrication GmbH | Compensation of dose inhomogeneity using row calibration |
JP6353278B2 (ja) | 2014-06-03 | 2018-07-04 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置 |
JP6892214B2 (ja) | 2014-07-10 | 2021-06-23 | アイエムエス ナノファブリケーション ゲーエムベーハー | 畳み込みカーネルを使用する粒子ビーム描画機のカスタマイズ化 |
US9568907B2 (en) | 2014-09-05 | 2017-02-14 | Ims Nanofabrication Ag | Correction of short-range dislocations in a multi-beam writer |
US10199283B1 (en) | 2015-02-03 | 2019-02-05 | Pdf Solutions, Inc. | Method for processing a semiconductor wager using non-contact electrical measurements indicative of a resistance through a stitch, where such measurements are obtained by scanning a pad comprised of at least three parallel conductive stripes using a moving stage with beam deflection to account for motion of the stage |
US9799575B2 (en) | 2015-12-16 | 2017-10-24 | Pdf Solutions, Inc. | Integrated circuit containing DOEs of NCEM-enabled fill cells |
US9653263B2 (en) | 2015-03-17 | 2017-05-16 | Ims Nanofabrication Ag | Multi-beam writing of pattern areas of relaxed critical dimension |
EP3096342B1 (en) | 2015-03-18 | 2017-09-20 | IMS Nanofabrication AG | Bi-directional double-pass multi-beam writing |
US10410831B2 (en) | 2015-05-12 | 2019-09-10 | Ims Nanofabrication Gmbh | Multi-beam writing using inclined exposure stripes |
US10978438B1 (en) | 2015-12-16 | 2021-04-13 | Pdf Solutions, Inc. | IC with test structures and E-beam pads embedded within a contiguous standard cell area |
US10593604B1 (en) | 2015-12-16 | 2020-03-17 | Pdf Solutions, Inc. | Process for making semiconductor dies, chips, and wafers using in-line measurements obtained from DOEs of NCEM-enabled fill cells |
US9653446B1 (en) | 2016-04-04 | 2017-05-16 | Pdf Solutions, Inc. | Integrated circuit containing standard logic cells and library-compatible, NCEM-enabled fill cells, including at least via-open-configured, AACNT-short-configured, TS-short-configured, and AA-short-configured, NCEM-enabled fill cells |
US9905553B1 (en) | 2016-04-04 | 2018-02-27 | Pdf Solutions, Inc. | Integrated circuit containing standard logic cells and library-compatible, NCEM-enabled fill cells, including at least via-open-configured, AACNT-short-configured, GATECNT-short-configured, and metal-short-configured, NCEM-enabled fill cells |
US9929063B1 (en) | 2016-04-04 | 2018-03-27 | Pdf Solutions, Inc. | Process for making an integrated circuit that includes NCEM-Enabled, tip-to-side gap-configured fill cells, with NCEM pads formed from at least three conductive stripes positioned between adjacent gates |
US10325756B2 (en) | 2016-06-13 | 2019-06-18 | Ims Nanofabrication Gmbh | Method for compensating pattern placement errors caused by variation of pattern exposure density in a multi-beam writer |
US10325757B2 (en) | 2017-01-27 | 2019-06-18 | Ims Nanofabrication Gmbh | Advanced dose-level quantization of multibeam-writers |
US9748153B1 (en) | 2017-03-29 | 2017-08-29 | Pdf Solutions, Inc. | Process for making and using a semiconductor wafer containing first and second does of standard cell compatible, NCEM-enabled fill cells, with the first DOE including side-to-side short configured fill cells, and the second DOE including tip-to-side short configure |
US9773774B1 (en) | 2017-03-30 | 2017-09-26 | Pdf Solutions, Inc. | Process for making and using a semiconductor wafer containing first and second DOEs of standard cell compatible, NCEM-enabled fill cells, with the first DOE including chamfer short configured fill cells, and the second DOE including corner short configured fill cells |
JP6863814B2 (ja) | 2017-04-28 | 2021-04-21 | 日本たばこ産業株式会社 | パッケージ |
US9768083B1 (en) | 2017-06-27 | 2017-09-19 | Pdf Solutions, Inc. | Process for making and using a semiconductor wafer containing first and second DOEs of standard cell compatible, NCEM-enabled fill cells, with the first DOE including merged-via open configured fill cells, and the second DOE including snake open configured fill cells |
US9786649B1 (en) | 2017-06-27 | 2017-10-10 | Pdf Solutions, Inc. | Process for making and using a semiconductor wafer containing first and second DOEs of standard cell compatible, NCEM-enabled fill cells, with the first DOE including via open configured fill cells, and the second DOE including stitch open configured fill cells |
US9865583B1 (en) | 2017-06-28 | 2018-01-09 | Pdf Solutions, Inc. | Process for making and using a semiconductor wafer containing first and second DOEs of standard cell compatible, NCEM-enabled fill cells, with the first DOE including snake open configured fill cells, and the second DOE including stitch open configured fill cells |
US10096530B1 (en) | 2017-06-28 | 2018-10-09 | Pdf Solutions, Inc. | Process for making and using a semiconductor wafer containing first and second DOEs of standard cell compatible, NCEM-enabled fill cells, with the first DOE including merged-via open configured fill cells, and the second DOE including stitch open configured fill cells |
US10522329B2 (en) | 2017-08-25 | 2019-12-31 | Ims Nanofabrication Gmbh | Dose-related feature reshaping in an exposure pattern to be exposed in a multi beam writing apparatus |
US20190066972A1 (en) * | 2017-08-29 | 2019-02-28 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Charged particle beam device, aperture arrangement for a charged particle beam device, and method for operating a charged particle beam device |
US11569064B2 (en) | 2017-09-18 | 2023-01-31 | Ims Nanofabrication Gmbh | Method for irradiating a target using restricted placement grids |
EP3460825B1 (en) | 2017-09-18 | 2020-02-19 | IMS Nanofabrication GmbH | Method for irradiating a target using restricted placement grids |
US10534115B1 (en) * | 2017-09-22 | 2020-01-14 | Facebook Technologies, Llc | Gray-tone electron-beam lithography |
JP7286630B2 (ja) * | 2017-10-02 | 2023-06-05 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 荷電粒子ビームを用いた装置 |
US10651010B2 (en) | 2018-01-09 | 2020-05-12 | Ims Nanofabrication Gmbh | Non-linear dose- and blur-dependent edge placement correction |
US10840054B2 (en) | 2018-01-30 | 2020-11-17 | Ims Nanofabrication Gmbh | Charged-particle source and method for cleaning a charged-particle source using back-sputtering |
US11220028B1 (en) | 2018-03-08 | 2022-01-11 | Facebook Technologies, Llc | Method of manufacture for thin, multi-bend optics by compression molding |
US10976483B2 (en) | 2019-02-26 | 2021-04-13 | Facebook Technologies, Llc | Variable-etch-depth gratings |
US11099482B2 (en) | 2019-05-03 | 2021-08-24 | Ims Nanofabrication Gmbh | Adapting the duration of exposure slots in multi-beam writers |
KR20200128363A (ko) * | 2019-05-03 | 2020-11-12 | 아이엠에스 나노패브릭케이션 게엠베하 | 멀티 빔 라이터에서의 노출 슬롯의 지속 시간 조정 |
JP7316127B2 (ja) | 2019-07-10 | 2023-07-27 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチビーム描画方法及びマルチビーム描画装置 |
JP7458817B2 (ja) | 2020-02-18 | 2024-04-01 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法 |
JP7421364B2 (ja) | 2020-02-18 | 2024-01-24 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチビーム描画方法及びマルチビーム描画装置 |
KR20210132599A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 아이엠에스 나노패브릭케이션 게엠베하 | 대전 입자 소스 |
US11709422B2 (en) | 2020-09-17 | 2023-07-25 | Meta Platforms Technologies, Llc | Gray-tone lithography for precise control of grating etch depth |
EP4095882A1 (en) | 2021-05-25 | 2022-11-30 | IMS Nanofabrication GmbH | Pattern data processing for programmable direct-write apparatus |
Family Cites Families (47)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3875414A (en) * | 1973-08-20 | 1975-04-01 | Secr Defence Brit | Methods suitable for use in or in connection with the production of microelectronic devices |
GB1550867A (en) * | 1975-08-04 | 1979-08-22 | Hughes Aircraft Co | Positioning method and apparatus for fabricating microcircuit devices |
US4199689A (en) * | 1977-12-21 | 1980-04-22 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Electron beam exposing method and electron beam apparatus |
JPS5633830A (en) * | 1979-08-29 | 1981-04-04 | Fujitsu Ltd | Detecting method for mark positioning by electron beam |
US4385238A (en) * | 1981-03-03 | 1983-05-24 | Veeco Instruments Incorporated | Reregistration system for a charged particle beam exposure system |
US4528452A (en) * | 1982-12-09 | 1985-07-09 | Electron Beam Corporation | Alignment and detection system for electron image projectors |
JPS60201626A (ja) * | 1984-03-27 | 1985-10-12 | Canon Inc | 位置合わせ装置 |
AT393925B (de) * | 1987-06-02 | 1992-01-10 | Ims Ionen Mikrofab Syst | Anordnung zur durchfuehrung eines verfahrens zum positionieren der abbildung der auf einer maske befindlichen struktur auf ein substrat, und verfahren zum ausrichten von auf einer maske angeordneten markierungen auf markierungen, die auf einem traeger angeordnet sind |
US4985634A (en) * | 1988-06-02 | 1991-01-15 | Oesterreichische Investitionskredit Aktiengesellschaft And Ionen Mikrofabrications | Ion beam lithography |
US5012105A (en) * | 1989-02-02 | 1991-04-30 | Nippon Seiko Kabushiki Kaisha | Multiple-imaging charged particle-beam exposure system |
JP2751717B2 (ja) * | 1991-03-13 | 1998-05-18 | 富士通株式会社 | 荷電粒子ビーム露光方法及び荷電粒子ビーム露光装置 |
JP3730263B2 (ja) * | 1992-05-27 | 2005-12-21 | ケーエルエー・インストルメンツ・コーポレーション | 荷電粒子ビームを用いた自動基板検査の装置及び方法 |
EP0669636A1 (en) * | 1994-02-25 | 1995-08-30 | AT&T Corp. | Manufacturing system error detection |
US5528048A (en) * | 1994-03-15 | 1996-06-18 | Fujitsu Limited | Charged particle beam exposure system and method |
US5841145A (en) * | 1995-03-03 | 1998-11-24 | Fujitsu Limited | Method of and system for exposing pattern on object by charged particle beam |
US5929454A (en) * | 1996-06-12 | 1999-07-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Position detection apparatus, electron beam exposure apparatus, and methods associated with them |
JPH10163088A (ja) * | 1996-11-28 | 1998-06-19 | Sony Corp | アライメント方法,露光マスク及び電子ビーム露光装置 |
JPH10294255A (ja) * | 1997-04-17 | 1998-11-04 | Canon Inc | 電子ビーム照明装置、および該電子ビーム照明装置を備えた露光装置 |
US6660105B1 (en) * | 1997-07-22 | 2003-12-09 | Nippon Steel Corporation | Case hardened steel excellent in the prevention of coarsening of particles during carburizing thereof, method of manufacturing the same, and raw shaped material for carburized parts |
US6989546B2 (en) * | 1998-08-19 | 2006-01-24 | Ims-Innenmikrofabrikations Systeme Gmbh | Particle multibeam lithography |
WO2001039243A1 (en) * | 1999-11-23 | 2001-05-31 | Ion Diagnostics, Inc. | Electron optics for multi-beam electron beam lithography tool |
JP2001168018A (ja) * | 1999-12-13 | 2001-06-22 | Canon Inc | 荷電粒子線露光装置、荷電粒子線露光方法及び露光補正データの決定方法、該方法を適用したデバイスの製造方法。 |
WO2001060456A1 (en) * | 2000-02-19 | 2001-08-23 | Ion Diagnostics, Inc. | Multi-beam multi-column electron beam inspection system |
US6661015B2 (en) * | 2000-09-15 | 2003-12-09 | Ims-Ionen Mikrofabrikations Systeme Gmbh | Pattern lock system |
EP1271606A1 (en) * | 2000-11-02 | 2003-01-02 | Ebara Corporation | Electron beam apparatus and device production method using the apparatus |
JP4401557B2 (ja) * | 2000-11-15 | 2010-01-20 | 株式会社アドバンテスト | 電子ビーム露光装置、電子ビーム補正方法、電子ビーム露光方法、及び半導体素子製造方法 |
US6768125B2 (en) | 2002-01-17 | 2004-07-27 | Ims Nanofabrication, Gmbh | Maskless particle-beam system for exposing a pattern on a substrate |
GB2408143B (en) * | 2003-10-20 | 2006-11-15 | Ims Nanofabrication Gmbh | Charged-particle multi-beam exposure apparatus |
GB2413694A (en) * | 2004-04-30 | 2005-11-02 | Ims Nanofabrication Gmbh | Particle-beam exposure apparatus |
US6872953B1 (en) * | 2004-05-20 | 2005-03-29 | Axcelis Technologies, Inc. | Two dimensional stationary beam profile and angular mapping |
US7456491B2 (en) * | 2004-07-23 | 2008-11-25 | Pilla Subrahmanyam V S | Large area electron emission system for application in mask-based lithography, maskless lithography II and microscopy |
DE102004052994C5 (de) * | 2004-11-03 | 2010-08-26 | Vistec Electron Beam Gmbh | Multistrahlmodulator für einen Partikelstrahl und Verwendung des Multistrahlmodulators zur maskenlosen Substratsstrukturierung |
DE102004055149B4 (de) * | 2004-11-16 | 2007-07-19 | Leica Microsystems Lithography Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zum Abbilden eines Mehrfach-Partikelstrahls auf ein Substrat |
GB2435348B (en) * | 2004-11-17 | 2009-06-24 | Ims Nanofabrication Ag | Pattern lock system for particle-beam exposure apparatus |
US7598594B2 (en) * | 2004-12-20 | 2009-10-06 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Wafer-scale microcolumn array using low temperature co-fired ceramic substrate |
JP2006210455A (ja) * | 2005-01-26 | 2006-08-10 | Canon Inc | 荷電粒子線露光装置及び該装置を用いたデバイス製造方法 |
WO2006084298A1 (en) * | 2005-02-11 | 2006-08-17 | Ims Nanofabrication Ag | Charged-particle exposure apparatus with electrostatic zone plate |
EP1849175B1 (en) * | 2005-02-18 | 2011-08-10 | IMS Nanofabrication AG | Charged-particle exposure apparatus |
EP1777728A1 (en) * | 2005-10-20 | 2007-04-25 | Carl Zeiss SMS GmbH | Lithography system |
EP2002458B1 (en) | 2006-04-03 | 2009-11-04 | IMS Nanofabrication AG | Particle-beam exposure apparatus with overall-modulation of a patterned beam |
JP5241195B2 (ja) * | 2006-10-30 | 2013-07-17 | アイエムエス ナノファブリカツィオン アーゲー | 荷電粒子露光装置 |
US7763851B2 (en) * | 2006-12-22 | 2010-07-27 | Ims Nanofabrication Ag | Particle-beam apparatus with improved wien-type filter |
DE102008010123A1 (de) * | 2007-02-28 | 2008-09-04 | Ims Nanofabrication Ag | Vielstrahl-Ablenkarray-Einrichtung für maskenlose Teilchenstrahl-Bearbeitung |
NL2001369C2 (nl) * | 2007-03-29 | 2010-06-14 | Ims Nanofabrication Ag | Werkwijze voor maskerloze deeltjesbundelbelichting. |
JP5491704B2 (ja) * | 2007-05-14 | 2014-05-14 | イーエムエス ナノファブリカツィオン アーゲー | 対向電極アレイ板を有するパターン定義装置 |
EP2019415B1 (en) * | 2007-07-24 | 2016-05-11 | IMS Nanofabrication AG | Multi-beam source |
NL2003304C2 (en) * | 2008-08-07 | 2010-09-14 | Ims Nanofabrication Ag | Compensation of dose inhomogeneity and image distortion. |
-
2008
- 2008-03-13 NL NL2001369A patent/NL2001369C2/nl active Search and Examination
- 2008-03-19 US US12/051,087 patent/US7777201B2/en active Active
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- 2008-03-25 JP JP2008078357A patent/JP4987771B2/ja active Active
-
2010
- 2010-04-30 US US12/770,904 patent/US8115183B2/en active Active
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-
2011
- 2011-11-04 JP JP2011241847A patent/JP5284442B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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DE102008015305A1 (de) | 2008-10-02 |
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