NL2004846A - Werkwijze voor maskerloze deeltjesbundelbelichting. - Google Patents

Werkwijze voor maskerloze deeltjesbundelbelichting. Download PDF

Info

Publication number
NL2004846A
NL2004846A NL2004846A NL2004846A NL2004846A NL 2004846 A NL2004846 A NL 2004846A NL 2004846 A NL2004846 A NL 2004846A NL 2004846 A NL2004846 A NL 2004846A NL 2004846 A NL2004846 A NL 2004846A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
target
apertures
bundle
pattern definition
openings
Prior art date
Application number
NL2004846A
Other languages
English (en)
Other versions
NL2004846C2 (nl
Inventor
Elmar Platzgummer
Original Assignee
Ims Nanofabrication Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ims Nanofabrication Ag filed Critical Ims Nanofabrication Ag
Priority to NL2004846A priority Critical patent/NL2004846C2/nl
Publication of NL2004846A publication Critical patent/NL2004846A/nl
Application granted granted Critical
Publication of NL2004846C2 publication Critical patent/NL2004846C2/nl

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3174Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00Manufacture or treatment of nanostructures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/302Controlling tubes by external information, e.g. programme control
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/304Controlling tubes
    • H01J2237/30472Controlling the beam
    • H01J2237/30483Scanning

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Description

WERKWIJZE VOOR MASKERLOZE DEELTJESBUNDELBELICHTING
Gebied van de uitvinding en beschrijving van de stand van de techniek
De uitvinding heeft betrekking op een verbeterde werkwijze voor het bestralen van een doel met een bundel van energetische elektrisch geladen deeltjes, waarbij pa-troondefïnitiemiddelen welke een veelheid van openingen hebben die transparant zijn voor de deeltjes worden gebruikt, en, door middel van het verlichten van de patroonde-fïnitiemiddelen met de bundel, welke door de patroondefinitiemiddelen gaat via de openingen, een in patroon gebrachte bundel wordt gevormd die bestaat uit een overeenkomstige veelheid van bundeltjes, en de in patroon gebrachte bundel wordt gevormd tot een beeld, op de locatie van het doel, waarbij het beeld de beelden omvat van tenminste een gedeelte van de veelheid van openingen; de opening-beelden hebben een eerste breedte, waarbij het doel beweegt ten opzichte van de patroondefinitiemiddelen langs een pad binnen een beeldvlak waarin de beelden van openingen zijn gevormd (of in een richting welke in het algemeen loodrecht is ten opzichte van een richting van voortplanting van de in patroon gebrachte bundel).
Een werkwijze van deze soort en de daartoe strekkende deeltjesbundelinrichting is beschreven in het Amerikaanse octrooi US 6.768.125, dat hierbij geacht wordt te zijn inbegrepen als relevante stand van de techniek. Genoemd octrooi beschrijft een op geladen deeltjes gebaseerde lithografie en bewerkingswerkwijze en bewerkingsinrichting genaamd PML2 (afkorting van "maskcrlozc projccticlithografic"), waarmee ccn op rechtstreeks schrijven met meerdere bundels gebaseerd concept wordt gerealiseerd en waarbij een systeem van programmeerbare openingsplaten (APS) wordt gebruikt als patroondefinitie (PD) inrichting voor het geven van structuur aan een deeltjesbundel, welke wordt geëxtraheerd uit een enkele bron van elektrisch geladen deeltjes.
Deeltjeslithografie en -bewerking wordt gebruikt in toepassingen op het gebied van halfgeleiderproductie en microstructuurvorming. In het bijzonder is rechtstreekse patroonvorming door middel van ionenbundelbestraling een veelbelovend concept voor de toekomstige industriële vervaardiging van inrichtingen op nanoschaal met hoge resoluties, in het bijzonder op de vervaardigingsgrootten van 32 nm en 22 nm, en kleiner. De PD inrichting is bij voorkeur een programmeerbare meer-openingen inrichting. De implementatie van een met meerdere bundels werkend optisch projectiesysteem dat gebaseerd is op een programmeerbare meer-openingenplaat maakt significante verbetering mogelijk van de realiseerbare productiviteit in vergelijking met op een gefocus-seerde enkele bundel gebaseerde systemen. (Tn deze beschrijving wordt de term "optisch" altijd gebruikt in de betekenis van "deeltjes-optisch"). De redenen voor de verbeterde productiviteit zijn, ten eerste, het parallelisme van het proces dat een veelheid van bundels gebruikt, en, ten tweede, de verhoogde stroom waarmee het beeld kan worden gevormd op een substraat bij dezelfde resolutie. Beide worden mogelijk gemaakt door een significant gereduceerde Coulomb interactie in de bundel. Bovendien leidt de gematigde stroomdichtheid in samenhang met het optische projectiesysteem tot een verbeterde processnelheid wanneer voorlopergassen worden gebruikt voor bundel-geïnduceerde chemische processen. In vergelijking met een op een gefocusseerde bundel gebaseerd systeem kan ook het gereduceerde verwarmingseffect dat het gevolg is van extreme bundelintensiteit worden gereduceerd of vermeden.
In de PML2 indeling zoals beschreven in US 6.768.125 en de verwante stand van de techniek, wordt de positie van de in patroon gebrachte bundel op het doel vastgehouden op de overeenkomstige pixels gedurende uitsluitend de tijdsduur die één pixel van het doel nodig heeft om zijn weg af te leggen onder het optische systeem. Dan springt de in patroon gebrachte bundel naar de positie van de volgende pixel welke naast de vorige is gelegen. Op deze manier bestrijkt ieder bundeltje naast elkaar gelegen pixels op het doel. Deze strategie vereist een hoge laadsnelheid van de patroonin-formatie, welke kan leiden tot een bovenlimiet wat betreft de verwerkingssnelheid van de werkwijze.
Het diagram van figuur 19 illustreert deze schrijfstrategie volgens de stand van de techniek, voor het voorbeeld van één lijn van pixels welke dienen te worden belicht op een doel zoals een met resist bedekte halfgeleiderwafer. De pixels van deze ene lijn worden bestraald (belicht) door middel van een aantal bundeltjes (respectievelijk aangeduid met A, B, C,...), en ieder bundeltje bestraalt een opeenvolging van naast elkaar gelegen pixels gedurende opeenvolgende tijdstappen. De grootte van de belichtingsdo-sis die aan iedere pixel wordt gegeven is symbolisch voorgesteld door gearceerde en dubbel gearceerde velden. De dubbel gearceerde velden duiden pixels aan welke volledig zijn verlicht (overeenkomstig een geprogrammeerd patroon; opeenvolgende belichtingen zijn symbolisch afgebeeld als zijnde op elkaar gestapeld terwijl zij in werkelijk heid eenvoudigweg bij elkaar worden opgeteld), terwijl enkelvoudig gearceerde velden pixels aanduiden die doende zijn te worden belicht. De dosis voor iedere pixel wordt successievelijk gesommeerd terwijl de resist zich verplaatst beneden de PD inrichting welke de bundeltjes vormt (zie de bespreking van de maskerloze meerbundelschrijf-techniek die hieronder is besproken in relatie tot figuur 1). Ieder bundeltje heeft hetzelfde tijdinterval waarin het een gedeeltelijke belichtingsdosis bijdraagt aan een substraat, en bijgevolg dezelfde doseringshoeveelheid bij draagt. Ieder bundeltje in een lijn wordt gebruikt voor het belichten van iedere pixel in die lijn. Teneinde de bundeltjes aan en uit te schakelen via de openingen in de PD inrichting overeenkomstig deze be-lichtingswerkwijze, verlangen de openingen van de PD inrichting de patrooninformatie met een overeenkomstige datasnelheid, en dient de beeldinformatie te worden gedistribueerd naar iedere individuele opening op de APS.
De eerste twee frames van figuur 19 beelden de situatie af aan het begin en het einde van een tijdinterval voor het belichten van één pixel (per bundeltje), aangeduid met t = 0:0, respectievelijk 0:1. Uit de afbeelding is het duidelijk dat de bundeltjes worden meebewogen met het doel zodat hun posities zijn vergrendeld op de (bewegende) posities van de pixels gedurende het belichten van de pixels. Wanneer het belichten van de pixels is voltooid na t = 0:1, worden alle bundeltjes geherpositioneerd teneinde te vergrendelen op de positie van de volgende pixels, respectievelijk; Het derde frame t=l:0 toont het begin van de volgende pixelbelichting. Het herpositioneren van de bundeltjes vindt plaats in een zeer korte tijd, veel korter dan de volledige tijdvertraging Tw tussen opeenvolgende pixelbelichtingen. (Tw is gelijk aan de tijd tussen frames 0:0 en 1:0). De onderlinge afstand van de bundeltjes is 5w, dat wil zeggen, 5 koer dc breedte van de bundeltjes; maar bij de werkwijze volgens de stand van de techniek zijn andere integer-waarden daarvoor even geschikt zoals besproken in US 6.768.125.
Het diagram van figuur 20 illustreert de tijdsturing van het schrijfproces volgens de stand van de techniek van figuur 19. Aan de bovenzijde is de bundeldeflectie x getoond als een functie van tijd t; de bundeldeflectie beschrijft een zaagtandachtige functie in de loop van de tijd. De transiënt-oscillaties, tot de deflectie stabiel is na iedere herpositionering, zijn ook getoond. Beneden de bundeldeflectie x zijn de als voorbeeld gegeven toestanden ρλ, ..., Pe van de vijf openingen van de APS (als voorbeelden uit een groot aantal openingen, karakteristiek vele duizenden) getoond. Ieder van de bundeltjes A tot en met E zal slechts op het doel worden geprojecteerd wanneer de respec tieve toestand Pa tot en met pp laag is (niet-bekrachtigd, bundeltje ingeschakeld) zoals hieronder verder zal worden verklaard onder verwijzing naar figuur 1. Getoond is dat gedurende iedere eigenlijke pixelbelichting de toestanden van de openingen onveranderd zijn. Hieruit volgt dat gedurende één periode van de zaagtandfunctie slechts een één-bit informatie per opening kan worden verwerkt.
De benadering volgens de stand van de techniek maakt het moeilijk een geschikte op de chip in te richten data-opslagindeling te vinden welke efficiënt is en in staat is de vereiste datasnelheden te verwerken. Heden is het gebruik van schuifregisters naar verwachting gunstigste oplossing voor dit probleem (zie US 2005/0242303 Al).
Samenvatting van de uitvinding
Het is een doel van de uitvinding de bovengenoemde onvolkomenheden te overwinnen en een werkwijze te verschaffen die hoge doorvoersnelheden biedt in combinatie met een PD ontwerp dat gemakkelijk te implementeren is.
Dit doel wordt verkregen door middel van een doelbestralingswerkwijze zoals in de aanvang weergegeven, waarbij gedurende pixelbelichtingsperioden de locatie van het bundelbeeld wordt meebewogen met het doel, waarbij de pixelbelichtingsperioden een duur hebben waarbinnen de relatieve beweging van het doel een afstand aflegt, de afstand van voorwaartse verplaatsing, welke groter is dan de eerste breedte zoals gemeten op het doel, bij voorkeur ten minste een veelvoud van de breedte (dat wil zeggen, ten minste 2,0 keer en bij voorkeur 3 keer de eerste breedte, of groter); en na de pixclbclichtingspcriodc wordt de locatie van het bundelbeeld veranderd (gchcrpositio-neerd op het doel), teneinde in het algemeen de beweging van de locatie van het bundelbeeld gedurende de pixelbelichtingsperioden te compenseren met betrekking tot de locatie van de PD middelen.
De uitvinding biedt een schrijfstrategie welke een optimale schrijfsnelheid over het doel biedt en geschikt is voor een elektronische indeling die kan worden gerealiseerd onder gebruikmaking van standaard CMOS technologieën en een vereenvoudigde realisering mogelijk maakt van de onderdrukkingsschakelingen in de PD middelen.
De uitvinding verschaft een PD inrichting voor schrijven met elektronenbundels welke het mogelijk maakt te schrijven met een snelheid die slechts wordt begrensd door de dichtheid van de E-bundel en de transitiviteit van het APS. Het vermogensverbruik en de datasnelheid van het APS kunnen worden verwerkt in het UMC 0,25 pm proces. Heden gebruikte architecturen zouden wat betreft deze twee aspecten falen met vele ordes van grootte.
Teneinde te waarborgen dat de bundeltjes het volledige oppervlak van het doel belichten, zal het aantal bundeltjes waarmee verschillende pixels worden belicht zodanig worden gekozen dat de eerste breedte, vermenigvuldigd met het aantal bundeltjes, gelijk is aan (of zelfs groter is dan) de afstand van voorwaartse verplaatsing. In het gewoonlijke geval dat er groepen van redundante bundeltjes zijn (dat wil zeggen, de bundeltjes welke in dezelfde lijn gelegen zijn zoals gemeten in de richting van de relatieve beweging van het doel... groepen "redundantiegroepen" waarbinnen de bundeltjes ten opzichte van elkaar een afstand hebben, wanneer gemeten op het doel, een als een geheel getal uit te drukken veelvoud van de afstand van voorwaartse verplaatsing is) waarbij het aantal van deze redundantiegroepen zodanig is gekozen dat de eerste breedte vermenigvuldigd met het aantal van de groepen gelijk is aan, of groter dan, de afstand van voorwaartse verplaatsing.
In een voorkeursuitvoeringsvorm van de uitvinding is de relatieve beweging van het doel een continue lineaire beweging gedurende tijdsduren welke meerdere pixelbe-lichtingsperioden omvatten. Gewoonlijk wordt het doel bewogen terwijl de PD inrichting en het optische systeem in vaste toestand worden gehandhaafd. De beweging van het doel kan bij voorkeur een scanbeweging zijn langs scanbanen in een primaire richting.
Bovendien is het van voordeel indien buiten de pixelbelichtingsperioden de in patroon gebrachte bundel wordt onderdrukt op ccn manier waardoor hij niet het doel bereikt, maar wordt geabsorbeerd door een absorptiemiddel alvorens hij het doel kan bereiken.
Bij een geschikte keuze van de relatieve beweging van het doel, is de afstand welke wordt afgelegd gedurende tijdperioden tussen de aanvangen van opeenvolgende eerste intervallen de waarde van een tweede breedte, zijnde een als een geheel getal uit te drukken veelvoud van de eerste breedte. In dit geval kunnen de scheidingsafstanden van twee bundeltjes welke op dezelfde lijn gelegen zijn zoals gemeten in de richting van de relatieve beweging van het doel als een geheel getal uit te drukken veelvouden van de eerste breedte zijn, en kunnen tenminste sommige van een als geheel getal uit te drukken veelvouden zodanig zijn gekozen dat zij naar verhouding priem zijn ten op zichte van het als een geheel getal uit te drukken veelvoud van de tweede breedte. Een eenvoudige realisering hiervan is, dat de als een geheel getal uit te drukken veelvouden van elkaar verschillen met één eenheid.
In een voorkeursuitvoeringsvorm omvatten de patroondefinitiemiddelen een veelheid van elektrostatische bundeltjes-deflectors welke ieder zijn geassocieerd met een respectieve opening van de patroondefiutiemiddelen en geschikt zijn voor het deflecteren van het bundeltje dat door de respectieve opening gaat in een mate welke afhankelijk is van een individueel besturingssignaal, omvattend een mate die voldoende is om het bundeltje te deflecteren buiten zijn nominale pad (waardoor het desbetreffende bundeltje effectief wordt uitgeschakeld zodat het niet het doel bereikt). In dit geval worden de openingen van de patroondefinitiemiddelen op een tijdafhankelijke manier bestuurd overeenkomstig een op het doel te vormen patroon door middel van een veelheid van de besturingssignalen.
In deze voorkeursuitvoeringsvorm zijn de openingen bij voorkeur logisch gegroepeerd tot niet-verbonden groepen, en worden de besturingssignalen van de openingen van iedere groep toegevoerd via een gemeenschappelijke besturingslijn op een in de tijd versprongen manier. Geschiktheidshalve kunnen de openingen van iedere groep in de patroondefinitiemiddelen zijn ingericht in een richting van oriëntatie welke in het algemeen loodrecht is ten opzichte van de richting van relatieve beweging van het doel. De openingen van iedere groep kunnen zich dan uitstrekken over de helft van de breedte van een gebied dat wordt bedekt door de openingen van de patroondefinitiemiddelen, zoals gemeten in de richting van oriëntatie van in het algemeen (hoewel niet noodzakclijk) de loodrechte richting ten opzichte van de richting van relatieve beweging van het doel, waarbij de besturingssignalen worden toegevoerd aan het gebied van openingen vanuit twee tegenover elkaar gelegen zijden.
Ook kunnen in deze voorkeursuitvoeringsvorm de patroondefinitiemiddelen data-opslagmiddelen omvatten, waarbij data voor het activeren van de besturingssignalen daaraan worden toegevoerd en daarin worden opgeslagen; waarbij mogelijk wordt gemaakt dat data individueel wordt uitgelezen teneinde dienovereenkomstig de besturingssignalen te activeren. De data-opslagmiddelen kunnen dubbel-gepoort zijn, waarbij gedurende iedere pixelbelichtingsperiode data voor het besturen van de openingen worden uitgelezen naar de besturingssignalen via een eerste poort van de opslagmid- delen, en data betreffende de opeenvolgende pixelbelichtingsperioden worden opgeslagen via een tweede poort van de opslagmiddelen.
Een andere tot voordeel strekkende dóórontwikkeling van deze voorkeursuitvoe-ringsvorm is het groeperen van de openingen van de patroondefinitiemiddelen tot groepen van ten opzichte van elkaar redundante openingen, waarbij voor iedere groep de besturingssignalen welke zijn geassocieerd met de openingen van de groep worden opgewekt vanuit een gemeenschappelijk signaal dat op zijn beurt wordt gekopieerd naar de besturingssignalen. In dit geval kan het gemeenschappelijke signaal worden gekopieerd naar de besturingssignalen met respectieve tijdvertragingen in overeenkomstigheid met de ruimtelijke offset van de respectieve openingen in de richting van relatieve beweging van het doel. Teneinde grijsniveaus te realiseren (zie US 2005/0242303 Al) kan het gemeenschappelijke signaal van een groep informatie omvatten van een grijswaarde welke dient te worden gerealiseerd via de openingen welke behoren tot de groep, en wordt dan de grijswaarde geëxpandeerd tot een opeenvolging van niet-actieve en actieve besturingssignalen overeenkomstig de grijswaarde welke het relatieve aantal niet-actieve besturingssignalen boven het totale aantal besturingssignalen in de groep definieert. Het uitbreiden van de grijswaarde kan worden verricht voor of na het uitlezen van de data uit de opslagmiddelen, en de expandeerwerkwijze kan voordeligerwijs ten minste één van de volgende werkwijzen omvatten: expansie naar een gelijk gespatieerde sequentie, expansie naar een pseudo-willekeurige sequentie, expansie onder gebruikmaking van op lineaire terugkoppeling gebaseerde schuiffegisters, expansie onder gebruikmaking van verschillende offsets voor de individuele besturingssignaalbits; of een combinatie daarvan.
Vanzelfsprekend kan de uitvinding ook worden gecombineerd met andere bekende schrijfstrategieën, zoals een toegevoegd globaal onderdrukkingssignaal dat asynchroon de uitgangssignalen van de onderdrukker-flipflop maskeert (zie BO 2007/112465).
Bovendien kan de plaat welke de array van openingen realiseert worden verdubbeld en parallel worden bedreven zodat de openingen zijn ingericht in (tenminste) twee evenwijdige arrays welke ten opzichte van elkaar zijn verplaatst met een afstand langs de bundel.
Een ander aspect van de uitvinding houdt verband met het positioneren van een doel onder gebruikmaking van een bundel van energetische elektrisch geladen deeltjes, in het bijzonder in samenhang met een doelbestralingswerkwijze zoals hier besproken, waarbij gedurende de positioneringswerkwijze het doel wordt bewogen ten opzichte van de patroondefinitiemiddelen langs een pad binnen een beeldvlak waarin de beelden van openingen zijn gevormd, waarbij de relatieve beweging van het doel een afstand van voorwaartse verplaatsing bestrijkt welke groter is dan de eerste breedte zoals gemeten op het doel, terwijl ten minste een gedeelte van de bundel valt op merken die verschaft zijn op het doel welke dan secundaire stralen produceren, en de secundaire stralen worden gedetecteerd door een detectiesysteem met een geschikt hogere bemon-steringssnelheid, teneinde de positie van het doel bij te stellen op een zodanige manier dat de secundaire straling zoals gemeten een extreme (maximum of minimum) waarde verkrijgt.
Bij deze werkwijze beweegt het substraatpodium het doel bij voorkeur met een continue snelheid die gelijk is aan een snelheid waarmee het doel zich beweegt gedurende een daarop volgend belichtingsproces overeenkomstig de hierboven beschreven bestralingswerkwij ze.
Een geschikte realisering van de merken omvat structuren welke onderdeel zijn van een meerlagenstructuur, en deze structuren zijn op het doel gevormd in ten minste één voorgaande processtap. In het bijzonder kunnen de merken componenten omvatten die geschikt zijn voor het produceren van secundaire straling welke karakteristieke Au-ger elektronenstraling omvat, en gebruikt het detectiesysteem een energieselectieve detector die geschikt is voor het detecteren van de Auger-straling. In een andere realisering kunnen de merken componenten omvatten welke een karakteristiek terugver-strooiingsrcndcmcnt hebben.
Een specifiek voordeel is, dat de doelpositioneringswerkwijze en een daarop volgend proces van deeltjesbundelbelichting resp. deeltjesbundelbelichting/bestraling welke worden uitgevoerd op het doel dezelfde patroondefinitiemiddelen kunnen gebruiken, waarbij het doel zich ten opzichte van de patroondefinitie beweegt op een overeenkomstige manier. De afstand van voorwaartse verplaatsing van de doelpositioneringswerkwijze kan echter groter zijn dan die gedurende het deeltjesbundel-belich-ting/bestraling-proces.
Korte beschrijving van de tekeningen
Hieronder is de onderhavige uitvinding in meer detail beschreven onder verwijzing naar de tekeningen, waarin:
Figuur 1 een schematisch overzicht toont van een deeltjesbundelbelichting-inrichting die geschikt is voor de uitvinding in een longitudinale doorsnede;
Figuur 2 de fundamentele schrijfstrategie van de uitvinding illustreert waarbij de bundeltjes "in paardendraf' over het doel gaan;
Figuur 3 een tijddiagram toont van de bundeldeflectie voor de "wandel"-strategie;
Figuur 4 redundant schrijven illustreert als een uitbreiding van de "paardendraf strategie;
Figuur 5 de schrijfprocedure illustreert in een combinatie van de concepten van figuur 3 en 4;
Figuur 6 een blokschema is van de schakelingen van een onderdrukkingsplaat in een PD inrichting voor het implementeren van de "paardendraf-strategie";
Figuur 7 een blokschema is van een RAM geheugen in de schakelingen van figuur 6;
Figuur 8 een blokschema is van de datatoevoerschakelingen van een halve kolom van openingen in de onderdrukkingsplaat in de schakelingen van figuur 6;
Figuur 9 een tijddiagram toont van bedrijf van het besturingsorgaan en het laden van de sequentie van het laden van patroondata;
Figuur 10 een modificatie afbeeldt van de indeling van Figuur 8 voor redundante ko-lominformatie;
Figuur 11 een PD inrichting toont (longitudinaal doorsnede-detail) met een redundante configuratie van twee onderdrukkingsplaatinrichtingen welke parallel werken;
Figuur 12 een bovenaanzicht toont waarbij de geometrische indeling van een inrich-tingswijze van openingen zodanig is ontworpen dat deze de "paardendraf'-strategie belichaamt;
Figuur 13 toont een variant van de indeling van figuur 12 met een redundantie van 2;
Figuur 14 een vergroot detail toont van figuur 13, waarbij één elementaire cel met visuele nadruk is afgebeeld;
Figuren 15,15a en 16 het gebruik illustreren van merken op het doel voor het positioneren van het doel, waarbij figuur 15 een eerste trap toont van initiële positionering en figuur 16 een tweede trap van fijne positionering;
Figuur 15a toont een variant welke gebruik maakt van onder het oppervlak gelegen merken.
Figuur 17 een PD inrichting toont (longitudinaal doorsnededetail) overeenkomstig de stand van de techniek, maar welke ook kan worden gebruikt in de inrichting van figuur 1;
Figuur 18 een bovenaanzicht toont met de geometrische indeling van openingen in een PD inrichting volgens de stand van de techniek;
Figuur 19 en 20 de schrijfstrategie volgens de stand van de techniek illustreren in tegenstelling met de analoge figuren 2 respectievelijk 3.
Gedetailleerde beschrijving van de uitvinding
De voorkeursuitvoeringsvorm van de uitvinding die is besproken in het volgende is een ontwikkeling vanuit de deeltjes-bundelbelichtingsinrichting van het type PML2 met een patroondefinitie (PD) systeem zoals beschreven in US 6.768.125 (=GB 2.389.454 A) van houdster/aanvraagster, en met een projectiesysteem met grote verkleiningsfactor. In het volgende wordt eerst de technische achtergrond van de inrichting weergegeven voor zover van relevant belang voor de uitvinding, en worden dan uitvoeringsvormen van de uitvinding in detail besproken. Men dient als vanzelfsprekend in te zien dat de uitvinding niet is beperkt tot de hieronder gegeven uitvoeringsvormen of tot de specifieke indeling van een PD systeem, welke slechts één van de mogelijke implementaties van de uitvinding illustreren; veeleer is de uitvinding geschikt voor andere typen verwerkingssystemen welke eveneens gebruik maken van een deeltjesbundel met projectiepodia.
Systeem PML2
Een schematisch overzicht van een maskerloze deeltjesbundel bewerkingsinrich-ting PML2 welke gebruik maakt van de uitvinding is getoond in figuur 1. Hieronder zijn slechts de details gegeven die nodig zijn voor het beschrijven van de uitvinding; voor de duidelijkheid zijn de componenten niet volgens afmeting getoond in figuur 1, in het bijzonder de laterale van de deeltjesbundel is overdreven weergegeven. Voor meer details, zie US 6.768.125.
Zoals reeds gesteld wordt een deeltjesbundel die is opgewekt door middel van een deeltjesbron gebruikt in het systeem PML2. Een optisch verlichtingssysteem vormt de bundel tot een brede bundel welke PD middelen verlicht die een reguliere array van openingen hebben teneinde een op een doeloppervlak te projecteren bundelpatroon te definiëren. Door iedere opening wordt een kleine bundel gedefinieerd, en de doorgang van iedere bundel door een opening kan worden bestuurd teneinde effectief de doorgang van de deeltjes van de bundel via de respectieve openingen in de richting van het doel toe te staan ("in te schakelen") of effectief te deactiveren ("uit te schakelen"). De bundel welke door de array van openingen gaat vormt een in patroon gebrachte deeltjesbundel die patrooninformatie draagt zoals weergegeven door de ruimtelijke inrich- tingswijze van de openingen. De in patroon gebrachte bundel wordt dan door middel van een deeltjes-optisch projectiesysteem geprojecteerd op een doel (bijvoorbeeld, een halfgeleidersubstraat) waarbij derhalve een beeld van de openingen wordt gevormd teneinde het doel te modificeren op de bestraalde gedeelten. Het beeld dat door de bundel wordt gevormd wordt bewogen langs een recht pad over ieder chipveld; toegevoegde scanning van de bundel in een richting welke loodrecht is ten opzichte van de scanrichting is niet noodzakelijk (behalve, waar nodig, teneinde te compenseren voor laterale fouten van de verplaatsingsbeweging van het doelpodium).
De hoofdcomponenten van de inrichting 100 zijn - in de volgorde van de richting van de lithografiebundel 1b, pb welke in dit voorbeeld verticaal naar beneden loopt in figuur 1 - een verlichtingssysteem 101, een PD systeem 102, een projectiesysteem 103, en een doelstation 104 met het doel of substraat 14. De deeltjes-optische systemen 101, 103 zijn gerealiseerd onder gebruikmaking van elektrostatische of elektromagnetische lenzen. De elektro-optische gedeelten 101, 102, 103 van de inrichting 100 zijn gelegen in een vacuümhuis (niet getoond) dat onder hoog vacuüm wordt gehouden teneinde een onbelemmerde voortplanting te waarborgen van de bundel lb, pb in de richting van de optische as van de inrichting.
Het verlichtingssysteem 101 omvat, een ionenbron 11, een extractorinrichting 1 la welke de locatie definieert van de virtuele bron, een deeltjesfilter respectievelijk algemeen onderdrukkingsorgaan 12 en een verlichtingsoptiek die gerealiseerd is door middel van een condensorlenssysteem 13. De gebruikte ionen kunnen bijvoorbeeld waterstofionen of zware ionen zijn; in de context van deze beschrijving verwijst de term "zware ionen" naar ionen van elementen die zwaarder zijn dan C, zoals O, N, of de edelgassen Ne, Ar, Kr, Xe. Behalve ionen kunnen de deeltjes elektronen zijn (geëmitteerd vanuit een elektronenkanon), of, in het algemeen, kunnen ook andere elektrisch geladen deeltjes worden gebruikt.
De ionenbron 11 emitteert energetische ionen van primair een bepaalde species zoals Ar+ ionen welke een gedefinieerde (kinetische) energie hebben van karakteristiek meerdere keV (bijvoorbeeld 5 keV op het PD systeem 102) met een naar verhouding kleine energiespreiding van, bijvoorbeeld, AE=leV; het is echter in het algemeen onvermijdelijk dat de bron ook geladen deeltjes van andere species emitteert. Een snel-heid/energie-afhankelijk filter 12 dient voor het wegfilteren van deze ongewenste deel-tjes-species; deze inrichting kan ook worden gebruikt voor het onderdrukken van de bundel als geheel gedurende het herpositioneren van de bundeltjes. Door middel van een elektro-optisch condensorlenssysteem 13 worden de ionen welke zijn geëmitteerd vanuit de bron 11 gevormd tot een in essentie telecentrische ionenbundel met breed gebied welke dient als lithografiebundel lb. De telecentriciteit van de bundel is gelegen binnen een gebied van + 25prad afwijking ten opzichte van de optische as op de positie van de PD inrichting, waardoor een telecentriciteitsgebied van + 5 mrad deviatie wordt verkregen ten opzichte van de optische as op de positie van een substraat, onder de aanname dat een systeem met een reductie van 200x en gelijke deeltjesenergieën op de PD inrichting en substraat wordt gebruikt.
De lithografiebundel lb bestraalt dan PD inrichting, welke tezamen met de inrichtingen die nodig zijn om hun in positie te houden, het PD systeem 102 vormt. De PD inrichting wordt vastgehouden op een specifieke positie in het pad van de lithografiebundel lb, welke derhalve een openingenpatroon belicht dat is gevormd door een veelheid van openingen 21. Zoals reeds gesteld kan ieder van de openingen worden "ingeschakeld" of "geopend" teneinde mogelijk te maken dat het bundeltje door de respectieve opening gaat teneinde het doel te bereiken; dan wordt gezegd dat de opening transparant is voor de daarop vallende bundel. In het andere geval is de opening "uitgeschakeld" of "gesloten", in welk geval het bundelpad van het respectieve bundeltje op een zodanige manier wordt beïnvloed dat het zal worden geabsorbeerd of op andere wijze verwijderd uit het bundelpad alvorens het het doel kan bereiken; derhalve is de opening effectief niet-transparant of niet-doorlatend voor de bundel. Het patroon van de ingeschakelde openingen wordt gekozen overeenkomstig het op het substraat te belichten patroon, aangezien deze openingen de enige gedeelten van de PD inrichting zijn die transparant zijn voor de bundel lb, welke derhalve wordt gevormd tot een in patroon gebrachte bundel pb die uitreedt vanuit de openingen (dat wil zeggen, in figuur 1, beneden het PD systeem 102). De architectuur en het bedrijf van de PD inrichting, in het bijzonder met betrekking tot de onderdrukkingsplaat daarvan is hieronder in detail besproken. In figuur 1 zijn slechts vijf bundeltjes (uit een groot aantal) getoond in de in patroon gebrachte bundel (PD), waarvan het tweede bundeltje van links is uitgeschakeld aangezien het wordt geabsorbeerd op een absorbeerplaat 17; de andere ingeschakelde bundeltjes gaan door een centrale opening van de plaat 17 en worden derhalve geprojecteerd op het doel.
Het doel zoals weergegeven door middel van de in patroon gebrachte bundel PB wordt dan geprojecteerd door middel van een elektro-optisch projectiesysteem 103 op het substraat 14 waar het een beeld van de ingeschakelde maskeropening vormt. Het projectiesysteem 103 implementeert een negatieve vergroting van, bijvoorbeeld, 204. Het substraat 14 is, bijvoorbeeld, een siliciumwafer die bedekt is met een fotoresist. De wafer 14 wordt vastgehouden en gepositioneerd door middel van een waferpodium (niet getoond) van het doelstation 104. Een detector 15 voor secundaire straling kan worden gebruikt voor het detecteren van de geëigende positionering van het substraat ten opzichte van de bundel; dit is hieronder verder besproken ("merk lezen").
Het projectiesysteem 103 is bij voorkeur samengesteld uit twee opeenvolgende elektro-optische projectortrappen met een crossover cl respectievelijk c2. De elektrostatische lenzen 30 welke worden gebruikt voor het realiseren van de projectoren zijn getoond in figuur 1, slechts in symbolische vorm aangezien technische realisaties van elektrostatische beeldvormingssystemen bij de stand van de techniek welbekend zijn. De eerste projectortrap vormt een beeld van het vlak van de openingen van de PD inrichting tot een tussenbeeld waarvan op zijn beurt een beeld wordt gevormd op het sub-straatoppervlak door middel van de tweede projectortrap. De beide trappen gebruiken een met negatieve vergroting werkende beeldvorming via crossovers cl, c2, derhalve zal, hoewel het tussenbeeld geïnverteerd is, het uiteindelijke beeld dat op een substraat wordt geproduceerd rechtopstaand (niet-geïnverteerd) zijn. De negatieve vergrotings-factor is ongeveer 14x voor de beide trappen, waardoor een totale negatieve vergroting van 200x wordt verkregen. Een negatieve vergroting van deze orde is in het bijzonder geschikt bij ccn lithografic-installatic, teneinde problemen die samenhangen met het miniaturiseren in de PD inrichting te verlichten. De elektro-optische lenzen zijn in hoofdzaak samengesteld uit elektrostatische elektroden, hoewel ook magnetische lenzen kunnen worden gebruikt.
Als middelen voor het introduceren van een kleine laterale verschuiving van het beeld, dat wil zeggen, in een richting welke loodrecht is ten opzichte van de optische as cx, zijn deflectiemiddelen verschaft in één of beide van de projectortrappen. Deze de-flectiemiddelen kunnen zijn gerealiseerd als, bijvoorbeeld, een meerpool-elektrodesys-teem, zoals besproken in US 6.768.125. In toevoeging daarop kan een magnetische spoel worden gebruikt voor het opwekken van een rotatie van een patroon in het sub-straatvlak waar nodig. De laterale deflecties zijn tamelijk klein in vergelijking met de laterale breedte van de in patroon gebrachte bundel pb zelf. Hoewel de laterale deflec-ties welke vereist zijn bij de uitvinding een veelvoud zijn van de breedte van een enkel bundellje, zal die afstand nog ten minste één orde van grootte kleiner zijn dan de bun-delbreedte aangezien de laterale dimensie van één bundeltje aanzienlijk kleiner is dan die van de bundel bp gezien als een geheel.
Door middel van het besturen van een patroon dat wordt gevormd in het PD systeem 102 kan een willekeurig bundelpatroon worden opgewekt en overgedragen naar een substraat. Geschiktheidshalve wordt een scanstrook-belichtingsstrategie, waarbij het substraat onder de daarop vallende bundel wordt bewogen, aangewend, zodat een bundelscanningstrategie niet vereist is, waarbij de positie van de bundel voortdurend wordt veranderd en derhalve de bundel effectief wordt gescand over het (min of meer rustende) doeloppervlak zoals in het geval van een op een enkel gefocusseerde bundel gebaseerd systeem.
Figuur 17 toont een in longitudinale doorsnede weergegeven detail van een mogelijke realisatie van het PD systeem 102 in een inrichting met twee platen. De getoonde indeling is bekend uit de stand van de techniek maar is niettemin geschikt voor gebruik bij de uitvinding. Een eerste plaat 201 is een openingenplaat welke een stel openingen 21 heeft; slechts drie uit een groot aantal openingen zijn getoond. De plaat 201 definieert door middel van zijn openingen 21 een overeenkomstig aantal bundeltjes bl, b2, b3. Van de openingen 21 wordt het beeld gevormd op het doel zoals eerder genoemd. De openingen 21 zijn ingericht op een systematische manier waarbij zij versprongen lijnen vormen die zich evenwijdig uitstrekken aan een richting die overeenkomt met de relatieve beweging van de beelden van de openingen over het doel zoals beschreven in US 6.768.125. In iedere lijn is de offset tussen twee opeenvolgende openingen bij voorkeur een veelvoud van de breedte van de opening, terwijl de lijnen zich direct naast elkaar uitstrekken, zodanig dat de beelden van de openingen het doel volledig bestrijken in de loop van de scanbeweging over het doel.
De tweede plaat 202 van het PD systeem 102 wordt een onderdrukkingsplaat genoemd. Hij heeft een stel openingen waarvan de posities overeenkomen met die van de openingen 21 in de openingenplaat 201, maar waarvan de breedten groter zijn zodat de bundeltjes daardoorheen gaan zonder invloed uit te oefenen op het materiaal van de onderdrukkingsplaat. De openingen in de onderdrukkingsplaat 202 zijn voorzien van elektroden 221 teneinde een kleine maar voldoende deflectie te geven aan het overeen komstige bundeltje. Ieder bundeltje kan individueel worden gedeflecteerd zoals hieronder in detail is verklaard. De onderdrukkingsplaat omvat ook de schakelingen voor het elektronisch besturen en elektrisch voeden van de elektroden. Verdere basisdetails van een PD inrichting zijn besproken in US 6.768.125 en in de verwante stand van de techniek, terwijl een voorkeursindeling van de onderdrukkingsplaatschakelingen overeenkomstig de uitvinding hieronder is besproken.
Figuur 18 illustreert de inrichtingswijze van openingen op de PD inrichting, karakteristiek voor de stand van de techniek, in bovenaanzicht. De openingen zijn weergegeven als dubbel gearceerde vierkanten, en de oriëntatie daarvan is zodanig gekozen dat de horizontale richting samenvalt met de richting van (relatieve) beweging van het substraat gedurende het belichten (vergelijk figuur 19). In deze richting zijn de openingen gelijk gespatieerd in rijen, en hebben de openingen tussen naast elkaar gelegen rijen een offset teneinde een versprongen inrichtingswijze te realiseren, waarbij de offset een als geheel getal uit te drukken veelvoud van de breedte w van de opening is. In het getoonde voorbeeld is de offset 3w, en herhaalt het patroon van openingen zichzelf iedere drie rijen. Derhalve herhaalt het patroon zichzelf na 3x3w in de horizontale richting. Bijgevolg heeft iedere opening een toegekende celruimte van 9w2 of 3w x 3w, visueel weergegeven als vierkanten welke de openingen omringen. De schrijfstrategie overeenkomstig de stand van de techniek die wordt gebruikt bij deze inrichtingswijze van de openingen van de PD werd hierboven besproken onder verwijzing naar figuren 19 en 20.
De reguliere inrichtingswijze, getoond in figuur 18, kan worden onderbroken door ruimtes zonder openingen zoals besproken in US 6.768.125, bijvoorbeeld teneinde ruimte te verschaffen voor de schakelingen voor de interne verwerking van de patroon-data.
Schrijfstrategie
In tegenstelling tot bekende schrijfstrategieën (vergelijk figuur 19) is onzerzijds een schrijfstrategie voorgesteld welke data-overdrachten op en naar het APS tot een minimum beperkt. Wij verwijzen naar deze strategie als een "paardendraf'-strategie, omdat de beweging van de individuele bundeltjes naar werd vastgesteld doet denken aan de beweging van de diagonale benen van een paard wanneer het draaft.
Figuur 2 illustreert het hoofdconcept van de "paardendraf'-strategie volgens de uitvinding met een eerste vereenvoudigd voorbeeld. Een doel 40, bijvoorbeeld, een siciliumwafer die is bedekt met een te belichten resist, verplaatst zich met een snelheid v, terwijl een aantal bundeltjes (slechts vijf bundeltjes, aangeduid met A tot en met E zijn getoond, ter wille van de duidelijkheid) het doel treft. Ieder bundeltje geeft de volledig dosis voor één pixel door aan de resist gedurende één pixelbelichtingscyclus Tl welke verstrijkt tussen het hoogste en het laagste frame in figuur 2. Binnen de figuur duiden dubbel gearceerde velden pixels aan welke volledig zijn verlicht (overeenkomstig het geprogrammeerde patroon), terwijl enkelvoudig gearceerde velden pixels aanduiden welke actueel worden belicht en derhalve doende zijn de noodzakelijke dosis te sommeren.
Het doel wordt bewogen ten opzichte van de PD inrichting (waarvan wordt aangenomen dat deze op een vaste positie blijft voorbij de top van figuur 2), maar de schrijfwerkwijze vereist dat de locatie waar ieder bundeltje het doel treft vergrendeld blijft op de positie van een pixel gedurende een respectieve pixelbelichtingscyclus ondanks die relatieve beweging, zelfs voor een beweging van het doel over een afstand welke meerdere pixels bestrijkt. Bijgevolg worden de bundeltjes dienovereenkomstig gedeflecteerd door middel van het deflectiesysteem van de beeldvormingsoptiek (de-flectors 16 in figuur 1).
De breedte van een pixel zoals belicht op het doel is aangeduid met w, de afstand van twee naburige bundeltjes is N'w, waarin N' meer is dan het aantal N bundeltjes dat parallel schrijft op één lijn. De factor N+l is een eenvoudige keuze om te waarborgen dat N cn N' co-pricm (relatief priem) zijn; willekeurig welk ander aantal N' dat co-priem is ten opzichte van N zou in plaats daarvan kunnen worden gebruikt. Een dergelijke keuze van N' en N zal de belichting van naast elkaar gelegen pixels waarborgen over een gang van N' belichtingscycli. In het geval van figuur 2, N=5 en N'-N+l=6. Aanvangend vanaf hun initiële positie aan het begin van het belichtingscyclus, getoond in het initiële (bovenste) frame bij t=0:0, zijn de tijden in opeenvolging aangeduid als t=0:l waarin de continue beweging van het doel is voortgeschreden met één pixel-breedte w, t=0;2 bij twee pixelbreedten 2w (niet getoond), enz. Bij t=0:5 (t=0:N), zal de beweging zijn voortgeschreden tot een afstand van 5 (N) pixelbreedten 5w, waardoor het einde van de feitelijke belichting wordt gemarkeerd. Daarna worden de bundeltjes naar een ander stel pixels gestuurd zoals getoond in het onderste frame van figuur 2 teneinde de volgende pixelbelichtingscyclus aan te vangen op t=l:0 (hetgeen een tijdpunt is dat kort na t=0:N volgt; met andere woorden ί=0:Ν+δ=1:0, waarin δ een klein tijdinterval aanduidt dat wordt gebruikt voor het schakelen van de bundeltjes).
Het aan/uit-schakelen van ieder onderdrukkingsorgaan in de PD inrichting wordt bestuurd overeenkomstig het geprogrammeerde patroon, gedurende iedere pixelbelichtingscyclus. Bijvoorbeeld, indien een pixel welke wordt verlicht door het daarmee overeenkomende bundeltje een dosis dient te ontvangen van 25% van de maximumwaarde, dient het onderdrukkingsorgaan voor dat bundeltjes te worden geopend gedurende 25% van de pixelbelichtingscyclus.
Het dient te worden opgemerkt dat de inclinatie van de bundeltjes in figuur 2 (en evenzo in figuur 19) sterk overdreven is weergegeven; in een ware afbeelding van een realistische geometrie van een waferproces zouden de inclinatiehoeken heel klein zijnen voor het menselijk oog nauwelijks waarneembaar. Bovendien is het ook mogelijk (bijvoorbeeld door gebruik te maken van een opeenvolgend stel elektrostatische meer-polen) het stel bundeltjes lateraal te verschuiven zonder dat dit invloed heeft op een oriëntatie; in dat geval zou de inclinatiehoek in het geheel niet veranderen. Ook kan de richting van de deflectie geschikt worden gekozen teneinde symmetrisch te zijn rondom de z-as.
Een karakteristieke waarde van de afstand N'w tussen opeenvolgende bundeltjes op de wafer is 180 um.
De positionering van de bundeltjes op de respectieve pixels wordt bestuurd door middel van geschikte ionen-optische inrichtingen binnen het beeldvormingssysteem, bijvoorbeeld, een elektrostatische mccrpool. Figuur 3 (bovenste frame) toont de functionele relatie van de ruimtelijke deflectie x van de bundeltjes als een functie van de tijd. Niet de gehele tijd kan worden gebruikt voor het openen van de openingen van het onderdrukkingsorgaan aangezien de bundeltjes en de meerpolen een bepaalde insteltijds-duur nodig hebben, aangeduid met Ts in figuur 3, teneinde zich in te stellen na herpositionering en transiënte oscillaties. De insteltijdsduur Ts is een kleine fractie van de pixelbelichtingscyclus tl. Het overblijvende gedeelte van de pixelbelichtingscyclus Tl, de bruikbare tijd Tu = Tl - Ts wordt gebruikt voor het belichten van pixels. Het tijdinterval Tu is de pixelbelichtingsperiode waarbinnen dient te worden gewaarborgd dat de geëigende dosis wordt gegeven aan de respectieve pixels. In figuur 3 zijn ook de tijdpunten van de frames van figuur 2 aangeduid. Dienovereenkomstig is het tijdinterval tussen opeenvolgende frames (zoals 0;0 en 0:1) dt = Tu/N (hier, =Tu/5), maar de laatste twee frames van figuur 2 zijn gescheiden door de duur Ts.
Het schrijfproces zoals beschreven in figuur 2 impliceert geen redundantie voor de indeling voor een onderdrukkingsorgaan. Dit impliceert het potentiële gevaar dat indien één cel van het onderdrukkingsorgaan niet werkt, de overeenkomstige pixel altijd is verlicht of in het geheel niet is verlicht (al naar gelang in welke richting de cel van het onderdrukkingsorgaan defect is).
Redundantie kan eenvoudigweg worden toegevoegd door verdubbeling, verdrie-dubbeling, etc. van het aantal onderdrukkingsorgaancellen welke één pixel cel verlichten; in het algemeen een K-vermenigvuldiging. Een redundante verdriedubbeling van de opening (dat wil zeggen, K=3) is als voorbeeld geïllustreerd in figuur 4. Men dient op te merken dat de afstand van die redundante openingen een (als een geheel getal uit te drukken) veelvoud van Nw is. Bijvoorbeeld, het is mogelijk K stellen te realiseren van (niet-redundante) Ν'-opeenvolgende openingen, zodat K blokken van redundante openingen doende zijn te schrijven binnen één lijn, en de offset tussen ieder van deze K blokken NTMw is. Een alternatieve inrichtingswijze omvat dat er K opeenvolgende redundante openingen in ieder blok zijn, en dat N' blokken geschikt worden ingericht (bijvoorbeeld met een offset van N'w tussen de laatste opening van één blok en de eerste opening van het eerstvolgende blok). De offset tussen de blokken is dan Knw.
In een realistische implementatie van de uitvinding zal het niet-redundante en het redundante schrijven zoals hierboven verklaard onder verwijzing naar figuren 2 en 4 worden gecombineerd. Een eenvoudig voorbeeld is geïllustreerd in figuur 5, met N=3, N'-4, cn k=2. Dc bundeltjes zijn aangeduid met Al, A2, BI, B2, Cl, C2,...; hetgeen een combinatie is van een A, B,... (waarmee bundeltjes van verschillende redundan-tiegroepen worden aangeduid) met een cijfer 1 en 2 dat de individuele redundante bundeltjes aanduidt. Derhalve zijn de bundeltjes Al en A2 redundant en ten opzichte van elkaar gespatieerd met N2-3w, terwijl de spatiëring tussen de bundeltjes van opeenvolgende redundantiegroepen, bijvoorbeeld tussen één A-bundeltje en één B-bundeltje, een waarde (nN+N')w omvat, welke co-priem is met Nw.
Wederom verwijzend naar figuur 3 is de tijd Tu en de deeltjesstroom in de bundel zodanig gekozen dat de maximumdosis voor één pixel, gedeeld door een redundantie-factor K', door één opening kan gaan binnen de duur Tu. De hier gebruikte redundantie-factor K' is gewoonlijk gelijk aan K, maar kan kleiner worden gekozen indien niet alle redundantiekolommen worden geactiveerd. In tegenstelling tot de werkwijze volgens de stand van de techniek zoals getoond in figuur 20 waar het laden van informatie voor iedere pixel individueel gebeurt en de deflectie x wordt teruggesteld voor iedere pixel bestrijkt overeenkomstig de uitvinding de bruikbare tijd Tu binnen iedere zaagtandcy-clus van deflectie x meerdere pixels. Bovendien kan een herladen van pixel-informatie meerdere keren plaats vinden binnen een cyclus Tu overeenkomstig het respectieve grijsniveau van de pixel (zie hieronder "het coderen van data"), zoals getoond voor de pixel-deflectiesignalen pA tot en met pE in figuur 3.
Architectuur van de plaat van het onderdrukkingsorgaan
Hieronder is een architectuur van de elektronica voor een onderdrukkingsplaat 202 beschreven waarmee een schrijfproces kan worden ingesteld overeenkomstig het principe van de bovengenoemde schrijfwerkwijze. Een algemeen blokschema van een dergelijke onderdrukkingsplaat 60 is afgebeeld in figuur 6. De onderdrukkingsplaat kan fysiek zijn gebouwd uit één enkele waferchip welke logische schakelingen en onder-drukkingsopeningen omvat, of kan een gestapelde of samengestelde architectuur van twee of meer onderdelen zijn. Bijvoorbeeld, een chip welke logische schakelingen omvat kan in contact worden gebracht met een chip welke de onderdrukkingselektrode omvat. De onderdrukbare openingen zijn ingericht binnen een openingenveld 61, overeenkomstig 2 R rijen, waarbij iedere rij C openingen heeft. Derhalve kunnen de onder-drukkingsorgaancellen worden beschouwd als C celkolommen welke zich loodrecht uitstrekken ten opzichte van dc rijen (verticaal in figuur 6; de richting van dc rijen is horizontaal). Het aantal C van onderdrukkingsorgaanelementen (openingen) in iedere rij is bij voorkeur gelijk aan N.N' of aan als een geheel getal uit te drukken veelvoud van dat aantal. De onderdrukkingsorgaancellen worden kolomgewijs geadresseerd onder gebruikmaking van twee APS geheugenarrays 62N, 62S (waarbij N en S hier de betekenis hebben van "noord", respectievelijk "zuid"), welke bijvoorbeeld dubbel ge-poorte statische RAM blokken zijn welke een hoge bitdichtheid mogelijk maken.
De geheugens zijn toegankelijk vanuit de externe interface 63 van de onderdrukkingsplaat 60 in lees- en schrijfmodus. Een besturingslogica 64 implementeert opdrachten en data welke daaraan worden doorgegeven via de externe interface 63 en verricht dienovereenkomstig adressering 65 van de geheugenarray 62N, 62S, en ver schaft de besturingssignalen 66 (klok, vrijgeven, etc.) voor de onderdrukkingsorgaan-cellen binnen het openingenveld 61. De noord-RAM-data verschaffen de data besturingssignalen aan de bovenste R onderdrukkingsorgaanrijen en het zuid-RAM is verbonden met de onderste R onderdrukkingsorgaanrijen.
In de hier getoonde uitvoeringsvorm zijn de geheugenarrays 62N, 62S samengesteld uit een aantal geheugenblokken 67, gerealiseerd door middel van individuele ge-heugeneenheden. Iedere van deze blokken 67 is gerealiseerd als een dubbel-gepoort RAM (DPRAM). Deze DPRAMS zijn standaard bibliotheekelementen van bibliotheken van leveranciers van ASICs. Het zal vanzelfsprekend duidelijk zijn dat in andere uitvoeringsvormen het geheugen van de onderdrukkingsplaat 60 anders kan zijn ingedeeld, bijvoorbeeld in twee geheugenbanken (overeenkomend met arrays 62N, 62S) of slechts één geheugen, of een aantal geheugenblokken 67 kan zijn gerealiseerd door middel van respectieve geheugeneenheden, afhankelijk van de geheugengrootte van de geheugeneenheden.
Verwijzend naar figuur 7 is het RAM van ieder geheugenblok 67 gebouwd uit statische opslagelementen, welke een zeer hoge opslagdichtheid binnen het ASIC mogelijk maken. De gehele inhoud van ieder RAM blok is adresseerbaar via twee poorten, aangeduid met Poort A en Poort B, welke ieder toegankelijk zijn door middel van respectieve toegangsmiddelen welke een adresbus, een databus en toegevoegde besturingssignalen omvatten, zoals hieronder verder is verklaard. De twee poorten maken gelijktijdige toegang tot de informatie vanuit twee verschillende locaties mogelijk. Men dient op te merken dat de databreedte en de adresbreedte niet noodzakelijk hetzelfde behoeven te zijn aan de beide zijden; het geheugen kan, bijvoorbeeld, zijn ingcdccld in 8 bits op poort A en als 32 bits op poort B.
Figuur 8 toont het ontwerp van een enkele half-koloms HC1, overeenkomend met de bovenhelft (noord) van een onderdrukkingsorgaankolom, overeenkomstig de uitvoeringsvorm van de uitvinding. De onderdrukkingsorgaancellen zijn aangeduid met Blan-kerO, ..., Blanker (R-l) en zijn symbolisch afgebeeld als vierkante gebieden met een klein vierkant (de opening). De benedenhelft van de kolom is symmetrisch gerealiseerd (gespiegeld op de horizontale middenas van het openingenveld 61), en verdere kolommen voegen zich eenvoudigweg toe aan de linkerzijde en de rechterzijde van de getoonde kolom. De onderdrukkingsorgaaninformatie is opgeslagen in het DPRAM 82 via poort A, en wordt daarna overgedragen naar de individuele onderdrukkingsorgaan- cellen via poort B als besturingssignaaldata via de besturingslijnen 84. Iedere onder-drukkingsorgaancel is voorzien van een 1-bit geheugen (bijvoorbeeld, een flipflop) teneinde de actuele data welke zijn verschaft vanuit het DPRAM op te slaan.
In de indeling van figuur 8 is de breedte bw van de besturingslijndata twee bits (bw=2), maar deze kan ook willekeurig welke andere waarde hebben. Het is zinvol het getal R op een zodanige manier te kiezen dat het een als een geheel getal uit te drukken veelvoud van bw is. Hogere waarden van bw maken een kortere herladingstijd van een volledige kolom mogelijk. De individuele onderdrukkingsorgaancellen worden vrijgegeven teneinde de informatie op te slaan die wordt verschaft vanuit het DPRAM door middel van rij-vrijgeefsignalen erO, er2,.. .er(R-2) op het correcte tijdpunt, waarbij ieder rij-vrijgeefsignaal een groep van bw cellen activeert. Slechts één rij-vrijgeefsignaal is actief op een gegeven moment, zodat de data op de besturingslijn 84 naar de ene correcte groep van onderdrukkingsorgaancellen worden geladen; daarna wordt de volgende groep onderdrukkingsorgaancellen geladen, enz. Bijvoorbeeld, indien R=128 en bw=8, kan een kolom worden herladen binnen 128/8=16 kloksignaalperioden. Binnen een op 70 MHz gebaseerd ontwerp houdt dit verband met een tijd van 230 ms.
Bij voorkeur is voldoende vermogen verschaft om een "verweven" herladen van de onderdrukkingsorgaancellen mogelijk te maken: het geheugen van het DPRAM is verdeeld in twee adresgebieden A0 en Al zodat het mogelijk is één adresgebied A0 te herladen via poort A en tegelijkertijd de data welke zijn opgeslagen in het andere adresgebied Al te laden in de onderdrukkingsorgaancellen. In de eerstvolgende pixel-belichtingscyclus worden de banken geschakeld, wordt Al opnieuw geladen via poort A terwijl A0 wordt geladen naar de onderdrukkingsorgaancellen.
Om efficiënte schrijfalgoritmen te verkrijgen, en ook voor testdoeleinden, is het nuttig te voorzien in een statische data-instelling op de besturingslijn 84 die het mogelijk maakt alle onderdrukkingsorgaancellen tegelijkertijd te schakelen naar de onder-drukkingsmodus (openingen uitgeschakeld). Dit gebeurt door middel van een "mas-ker"-blok 83, geactiveerd door een masker-uit signaal. Indien het masker-uitsignaal is ingesteld, zullen de data van alle onderdrukkingsorgaancellen in de halve kolom worden ingesteld op 1, terwijl in de normale werkmodus het maskerblok 83 transparant is voor de data welke afkomstig zijn van poort B.
Verder is het mogelijk optioneel een globaal onderdrukkingsorgaan-vrijgeefsig-naal te realiseren dat het mogelijk maakt alle openingen van het openingenveld gelijk tijdig te schakelen, bijvoorbeeld als een signaal dat alle masker-uit-signalen en rij-vrij-geefsignalen van alle (halve) kolommen activeert.
De onderhavige indeling maakt ook het implementeren van "grijsniveaus" mogelijk, dat wil zeggen, belichtingsdoses tussen geen belichting (minimumdosis, 0%) en volledige belichting (maximumdosis op een pixel, 100%), zie ook US 2005/0242303 Al). De grijsniveaus worden gerealiseerd als discrete stappen van 0 tot G-l, waarbij g een geheel getal is dat het 100% niveau vertegenwoordigt. Het aantal g van grijsniveaus dat kan worden gerealiseerd, kan worden gerealiseerd in de onderhavige indeling, als volgt.
Figuur 9 toont een tijdsturingsdiagram voor het bedrijf van het besturingsorgaan met 8 grijsniveaus (g=8, drie bits), waarbij de tijd is getoond als verstrijkend langs de horizontale as. Conceptueel is de tijd Tu verdeeld in g tijdsleuven gedurende sommige waarvan de pixel is geactiveerd overeenkomstig het gewenste grijsniveau. Bijvoorbeeld, bij een grijsniveau 5 uit 8 zijn er 8 tijdsleuven in iedere Tu en zijn 5 daarvan ingesteld op "ingeschakeld". Indien de dosis welke wordt toegevoerd aan één pixel binnen de tijd Tu wordt gedigitaliseerd naar g grijsniveaus, worden de onderdrukkingsorgaancellen g keer herladen binnen Tu. De groepen onderdrukkingsorgaancellen zijn opeenvolgend gelabeld door middel van rij-vrijgeefdesignators, de grijsniveaucompo-nenten zijn gelabeld met gO tot en met g7. De volledige laadcyclus van de onderdrukkingsorgaancellen vindt plaats binnen één "bruikbare" cyclustijd Tu. De data worden naar de onderdrukkingsorgaancellen geladen op g opeenvolgende momenten (overeenkomend met tijdsleuven) en geactiveerd bij de aanvang van de respectieve tijdsleuven zoals getoond in figuur 9; gelijktijdig wordt het volgende stel data voor de daaropvolgende belichtingscyclus geladen. Men dient op te merken dat de laadtijden versprongen zijn tussen verschillende groepen onderdrukkingsorgaancellen zoals aangeduid in figuur 9. In het finale gedeelte van Tu wordt iedere groep onderdrukkingsorgaancellen uitgeschakeld nadat de laatste grijsniveausleuf g7 is verstreken; dit wordt geschikt gerealiseerd door middel van het maskerblok 83, bestuurd door middel van het masker-uitsignaal zoals getoond in figuur 8. De uitgeschakelde toestand blijft bestaan tot de eerste grijsschaalniveaus gO van de volgende belichtingscyclus wordt geladen en geactiveerd. Het getoonde tijdsturingsdiagram verschaft een optimale dosis-voorbereiding door het APS.
In figuur 3 zijn beneden de afbeelding van de tijdafhankelijke deflectie x, voorbeelden van datastromen van vijf verschillende openingen gedurende de tijd Tu geïllustreerd. Deze datastromen kunnen rechtstreeks op het APS worden opgewekt uit de grijsniveaudata. Deze werkwijze is in meer detail verklaard binnen het gedeelte hieronder.
Het coderen van data
In feitelijke toepassingen omvatten de op te wekken patronen grijsniveaus, waarbij g grijsniveaus worden gerealiseerd welke gelegen zijn in een gebied van 0 tot 100% van een volledige belichting van een pixel. Aangezien voor g grijsniveaus g bits zullen dienen te worden opgeslagen binnen het SRAMs, leidt dit tot een overhead binnen de data. Teneinde de datasnelheid te verlagen via de externe interface is het mogelijk uitsluitend het grijsniveau G (G=LD(g) bits) te verzenden naar het APS en een data-uit-breiding te verschaffen vanuit een grijsniveau (een G-bit getal) naar de g openingsbits binnen het APS. Dit kan worden verricht alvorens de data worden opgeslagen binnen het DPRAM of wanneer de data worden gelezen uit het DPRAM en worden doorgegeven aan de onderdrukkingsorgaancellen.
In het geval dat de data eerst worden uitgebreid en dan worden opgeslagen in het DPRAM, dient ieder grijsniveau te worden omgezet naar een vector van bits. Opeenvolgende vectoren (dat wil zeggen, vectoren van naburige openingen) zijn ingericht in een matrix. Na het verzamelen van een bepaald aantal daarvan, geschiktheidshalve hetzelfde aantal als het aantal grijsniveaus dat wordt gebruikt voor het verkrijgen van ccn g x g matrix, dient de matrix te worden onderworpen aan transpositie (waarbij rijen en kolommen wisselen) en te worden geschreven naar het DPRAM.
Uitbreiding na het opslaan in de DPRAMs ("late extractie"), bespaart daarentegen geheugengebied, en het besturingsorgaan behoeft niet het dataformaat te veranderen ten opzichte van de data welke worden verschaft via de externe interface.
Figuur 10 beeldt een fundamentele logische indeling af waarmee late extractie wordt gerealiseerd met redundante kolommen. Twee overeenkomstige halve kolommen zijn getoond in figuur 10 en zijn aangeduid met een HC1.0 resp. HC2.0. (Ter wille van de duidelijkheid zijn slechts twee kolommen die redundant zijn zoals verklaard onder verwijzing naar figuur 4 getoond in figuur 10; de tweede kolom HC2.0 is representatief voor alle verdere redundante kolommen. De overblijvende kolommen, in het bijzonder kolommen die voorzien in het schrijven van verdere niet-redundante pixels, worden onderdrukt). Een toegevoegd tijdsignaal 840 wordt gebruikt, dat gemeenschappelijk is aan alle kolommen, en wordt geactualiseerd na iedere grijsniveau-sleuf. De DPRAM logica 871 voor de eerste kolom HC1.0 leidt uit de ontvangen data de volledige data af van breedte G.bw voor het stel redundante halve kolommen. Een extraheerorgaan 841 breidt de grijsniveau-informatie uit en extraheert de enkele-bitdata (bw bits) voor de eerste halve kolom 1.0 op basis van het tijdsignaal zoals hieronder verder is verklaard. De volledige data van breedte G.bw worden doorgegeven aan het DPRAM van de volgende redundante kolom HC2.0. De DPRAM logica 872 van de halve kolom HC2.0 kan derhalve de gekopieerde data gebruiken in de volgende verlichtingscyclus; uitsluitend de adresdata worden verschaft vanuit de besturingslogica. De procedure wordt herhaald op een analoge manier voor verdere redundante halve kolommen (niet getoond) zoals bij kolom HC2.0.
Men dient op te merken dat aangezien de kolommen HC1.0, HC2.0 zijn ontworpen voor redundant schrijven, zijn noodzakelijkerwijs zullen functioneren met identieke grijsniveaudata; het uitbreiden van grijsniveau-informatie tot individuele aan/uit informatie gebeurt in de respectieve extraheerorganen 841, 842. In de indeling die is getoond in figuur 10, verschaft het DPRAM van kolom 1.0 ook bufferingsfuncties voor de datainvoer vanuit de besturingslogica.
Voor de data-expansie kunnen verschillende algoritmen worden gebruikt, zoals bijvoorbeeld algoritmen voor het opwekken van pseudo-willekeurige sequenties, het distribueren van dc "aan"-tijd van dc redundante openingen in gelijkheid over Tu op een quasi-stochastische manier.
De tijdinformatie 840 wordt gebruikt door de extraheerorganen 841, 842 voor het opwekken van een belichtingsbit overeenkomstig het gewenste grijsniveau en de feitelijke tijd teneinde de bitsequentie te verkrijgen die geëigend is voor het grijsniveau. Bij iedere tijdstap welke overeenkomt met een grijsniveausleuf wekt het extraheerorgaan bw bits op waarbij voor ieder van de bw rijen een extractiefunctie f wordt gebruikt of geëmuleerd welke de tijdinformatie 840 (G bits) en het grijsniveau (G bits) welke zijn geassocieerd met de respectieve rij neemt en een bitsignaal (Boole-functie) terugzendt. In symbolische vorm: f=f(tijd, grijsniveau). Het resultaat van deze functie wordt dan als een besturingssignaal naar de overeenkomstige opening geleid. In een eenvoudige uit voeringsvorm wordt de tijdinformatie 840 opgewekt door middel van een lineaire teller (niet getoond) welke wordt geïncrementeerd op iedere tijdstap, en is de extractiefunctie f een vergelijking f=vergelijk (tijd < grijsniveau).
Tn een voorkeursuitvoeringsvorm is het tijdsignaal 840 de uitvoer van een G-bit willekeurige-getallengenerator (bijvoorbeeld lineair terugkoppeling-schuifregister LFSR) dat de getallen 0 tot en met g opwekt voor het berekenen van iedere bit g van de belichtingsbesturing-signaalstroom in een willekeurige volgorde, maar ieder getal één keer voor een stel van g grijsniveausleuven. Dan kan de functie f wederom een vergelijking zijn f=vergelijk (tijd < grijsniveau), welke rechtstreeks verband houdt met het besturingssignaal dat wordt doorgegeven aan de openingen. Het gebruik van een dergelijke willekeurige generator decorreleert de bitstroom voor een opening op tijd.
Een verdere parameter kan in de vergelijking zijn opgenomen voor het decorrele-ren van de datastromen tussen individuele pixels. Bijvoorbeeld, iedere pixel verkrijgt behalve zijn grijsniveau-informatie ook een individueel getal dat functioneert als een "sequentiesleutel" welke de feitelijke bitsequentie bepaalt welke wordt opgewekt voor het gespecificeerde grijsniveau. De sequentiesleutel wordt onveranderd gehouden gedurende de gehele belichtingscyclus. De sequentiesleutel wordt gebruikt als een offset-waarde welke wordt opgeteld bij of afgetrokken van (modulo g) de waarde welke is verschaft door de willekeurige-getallengenerator alvorens de vergelijking met het grijsniveau wordt verricht; dat wil zeggen, symbolisch, f=vergelijk ([(tijd-sequentiesleutel) (mod g)] < grijsniveau).
Het configureren van een redundante onderdrukkingsplaat
Een mogelijke (en vermoedelijk het meest waarschijnlijke) type falen in een APS systeem zoals hier getoond is een falen van een onderdrukkingscel als gevolg van mechanische of elektrische beschadiging, zodat het overeenkomstige bundeltje niet kan worden onderdrukt ("altijd open"-fout). Door het verschaffen van een stapeling van twee onderdrukkingsopening-platen welke bovenop elkaar zijn gelegen en elektronisch in parallel functioneren, zal de kans op "altijd open"-fouten significant worden gereduceerd. Deze redundante configuratie met twee onderdrukkingsorgaan-plaatinrichtingen 202a, 202b welke parallel functioneren, is geïllustreerd in figuur 11. De twee buitenste openingen, getoond in figuur 11, zijn intact, terwijl de twee binnenste openingen de fecten hebben in de eerste respectievelijk de tweede onderdrukkingsorgaanplaat. Als gevolg van de redundante stapeling van onderdrukkingsorgaanplaten is het geëigend bedrijf van de twee openingen gewaarborgd.
Inrichtingswijze van de openingen
Figuur 12 toont een voorbeeld van de inrichtingswijze van de openingen overeenkomstig de uitvinding. Deze tekening dient te worden beschouwd in vergelijking met de inrichtingswijze volgens de stand van de techniek van figuur 18 die hierboven is besproken. In het bovenaanzicht van figuur 12 is de oriëntatie hetzelfde als in figuur 18, en de richtingen van oriëntatie vallen samen met die van figuren 6 en 8; de openingen zijn weergegeven als dubbel gearceerde vierkanten. Evenals in figuur 18 is aan iedere opening een celruimte toegekend van 3w x 3w. In tegenstelling tot de stand van de techniek is een toegevoegde ruimte ingevoegd tussen ieder blok van drie openingen teneinde een spatiëring te realiseren van N'w (hier: lOw) welke co-priem is met de fundamentele spatiëring binnen een rij (hier: 3x3w).
Figuur 13 toont een variant van de inrichtingswijze welke een redundantie omvat van twee (K=2). Ieder blok van openingen is thans verdubbeld. Het vergrote detail van figuur 14 toont de elementaire cel van deze inrichtingswijze. Zoals getoond is de spatiëring van openingen binnen de redundantiegroep van openingen een als een geheel getal uit te drukken veelvoud van de basis-spatiëring, namelijk, (in dit geval 9w), terwijl de spatiëring ten opzichte van de opening van het volgende blok een toegevoegde offset omvat; hier is de offset lw, derhalve N'w=(l+9)w. Derhalve hebben binnen deze cel de openingen een spatiëring voor het verschaffen van de redundantie en kan het APS worden geconstrueerd door middel van het aaneenschakelen van meerdere voorkomens van deze elementaire cel.
Het lezen van merken
De voorgestelde architectuur kan ook worden gebruikt voor het lezen van merken 41, 42 op het doel 40. Deze merken bestaan uit een materiaal dat een hoog percentage van de bundelstroom reflecteert of secundaire straling produceert wanneer bestraald met de bundel zodat deze reflecties kunnen worden gemeten door middel van een de tector 44 die lateraal ten opzichte van de bundel is gelegen. Voorkeurstypes van secundaire straling kunnen bijvoorbeeld secundaire elektronen of Auger-elektronen zijn. In het bijzonder heeft Auger-straling het voordeel dat het een karakteristieke elektronenstraling verschaft op een specifieke energie bij een zeer geringe lijnbreedte, zodat het mogelijk is de detector 44 dienovereenkomstig af te stemmen.
Bijvoorbeeld, verwijzend naar figuren 15 en 16 kan een lezen van merken in twee stappen worden gerealiseerd teneinde een grove en fijne synchronisatie mogelijk te maken van de positionering tussen tafel en bundelpositie. In de eerste stap (15) kan teneinde de grove positie op de resist te vinden, een merkcodering met een hoge auto-correlatiepiek worden gebruikt, zoals lijnen welke zijn ingericht als balkcodes of met een op priemgetallen gebaseerde merkspatiëring. De PD inrichting wordt dan geconfigureerd teneinde het merkenpatroon 41 op de resist te verlichten, en in het geval dat het aldus geprogrammeerde patroon overeenkomt met het patroon op het doel, is een cor-relatiepiek waarneembaar in de secundaire stroom. Optimale prestatie zal worden verkregen wanneer alle merken de breedte w hebben, dat wil zeggen, gelijk aan de breedte van een bundeltje. De correlatiepiek van het grove merkenpatroon 41 wordt gebruikt voor het bepalen van de positie van een fijn merk 42 dat gelegen is op een afstand ten opzichte van de grove merken 41 teneinde verwerking in ware tijd mogelijk te maken van de detectordata met een nauwkeurigheid + w.
In de tweede stap (figuur 16) kan het fijne merk 42 worden gebruikt voor het verhogen van de resolutie van de procedure voor het vinden van merken. Aangezien het bekend is dat de positie van het fijne merk gelegen is in een veld dat een breedte van 2w heeft, zijn de PD inrichting cn dc dcflcctors geconfigureerd teneinde stapgewijs door dit veld te gaan met een stapbreedte d overeenkomstig de benodigde resolutie terwijl de relatieve beweging van dit doel bij voorkeur zodanig wordt gehandhaafd dat hij voortschrijdt met dezelfde continue beweging en snelheid als gedurende het hierboven besproken pixelbelichtingsproces. Een eerste bundeltje 1 is gelegen aan het begin van het 2w interval (x=0), een tweede bundeltje 2 op x=d, enz. tot het einde van het interval is bereikt. Derhalve overlappen de bundeltjes elkaar en leiden tot een intensiteitsdistri-butie welke in stappen toeneemt tot het maximum en dan wederom afneemt zoals getoond in figuur 16. Altijd wanneer de hoogste reflectiestroom wordt gemeten is de maximum congruentie tussen bundeltjes en merk gevonden. Dit proces kan onafhankelijk van enige beweging van de resist plaatsvinden.
De detector 44 welke wordt gebruikt in de positiesynchronisatie dient een voldoende hoge tijdresolutie te hebben welke overeenkomt met de ruimtelijke resolutie (dat wil zeggen, w of d) welke is vereist, gedeeld door de snelheid van de relatieve beweging van het doel. Derhalve is de bemonsteringssnelheid van de detector 44 ge-schiktheidshalve ten minste kleiner dan 1/Tu. Teneinde de signaalintegratietijd te vergroten kan de tijd gedurende welke de bundel wordt vergrendeld op het substraat groter worden gekozen dan de tijd van het belichten van één pixel (bijvoorbeeld, 10 Tu) wanneer hij het gebied passeert waar de merken zijn gelegen, zonder de scansnelheid van het doel te veranderen of te reduceren. Met andere woorden, de afstand van voorwaartse verplaatsing welke wordt gebruikt in de positiesynchronisatie kan een veelvoud zijn van de afstand welke wordt bestreken door de relatieve beweging van het doel gedurende een karakteristieke pixelbelichtingsperiode Tu gedurende een daarop volgend (of daaraan voorafgaand) belichtingsproces. Deze benadering kan er schijnbaar toe leiden dat sommige pixels in het gebied onmiddellijk volgt op het merkgebied in de scan-richting niet volledig kunnen worden belicht, maar in feite zal dit worden vermeden aangezien de merken ruimtelijk voldoende zullen zijn gescheiden ten opzichte van het omringende lithografiepatroon (of microstructuurpatroon) dat dient te worden gevormd.
Figuur 15a illustreert het gebruik van een variant van de merken, namelijk, onder het oppervlak gelegen merken 411. De merken 411 kunnen zijn geproduceerd in de loop van voorgaande verwerkingsstappen en kunnen zijn bedekt met een coatingsmate-riaal dat is opgewekt in een toegevoegde verwerkingsstap. Het vormen van de merken 411 kan ook ter plaatse zijn gerealiseerd door middel van geëigende werkwijzen zoals diepe ioncnbcstraling waarbij dc ionen ccn coatingslaag passeren cn in essentie uitsluitend invloed uitoefenen op een onder het oppervlak gelegen laag (welke de merken zou omvatten). Een geschikte realisering van de merken omvat metaallagen, bij voorkeur in een meerlagenstructuur, welke gelegen zijn beneden, maar dicht bij, het docloppcrvlak. Figuur 15a toont een eerste stap zoals verklaard hierboven onder verwijzing naar figuur 15, maar het zal duidelijk zijn dat de onder het oppervlak gelegen merken 411 kunnen worden gebruikt voor positionering met fijne resolutie zoals ook getoond in figuur 16.
Samenvattend maakt de uitvinding het mogelijk ontwerpen te realiseren onder gebruikmaking van volledig synchrone ontwerpwerkwijzen met slechts één klok. Hoewel de openingen niet gelijktijdig zullen schakelen (hetgeen een voordeel is voor de vermogensverbruik-eigenschappen binnen de chip), is de tijd gedurende welke een in dividuele opening wordt geopend of gesloten uiterst nauwkeurig aangezien hij slechts afhankelijk is van de nauwkeurigheid van de klok (welke normaliter gelegen is binnen het gebied van enkele PDM). Verdere voordelen van de indeling van de onderhavige onderdrukkingsplaat zijn: • Het aantal flipflops is sterk gereduceerd ten opzichte van vroegere PML2 concepten.
• Het aantal flipflop-schakelhandelingen is lager, met een factor welke in de orde van enkele duizenden is gelegen.
• Het vermogensverbruik is drastisch gereduceerd (in dezelfde bedrijfsmodus).
• Het schakelen van de flipflops is gedistribueerd over een grotere tijdsduur.
• Het schakelen van de openingen is gedistribueerd over een grotere tijdsduur.
• Het ontw erp is volledig synchroon en gebruikt slechts één klok.
• Schrijfstrategie maakt correcties van het optische systeem binnen de datastroom mogelijk.
Figuurbijschriften Figuur 7 address - adres control - besturing
static RAM - statisch RAM
port A/B - poort A/B
Figuur 8 trom the controller - van het besturingsorgaan to the next column - naar de volgende kolom
port A/B - poort A/B
mask-out - masker-uit address - adres blanker 0... 5 - onderdrukkingsorgaan 0-5
Figuur 9 reloading of other bank - herladen van andere bank via cxtcmal interface via externe interface
Figuur 10 poort B: address - poort B: adres poort A: address, data - poort A: adres, data time - tijd
calc. Port A address - bereken adres poort A
to further redundant - naar verdere redundante columns kolommen
Figuur 12 columns - kolommen
Figuur 13 nominal columns - nominale kolommen redundant columns - redundante kolommen
Figuur 16 reflected current - gereflecteerde stroom
Figuur 17 prior art - stand van de techniek
Figuur 18 prior art - stand van de techniek
Figuur 19 prior art - stand van de techniek
Figuur 20 prior art - stand van de techniek

Claims (7)

1. Werkwijze voor het positioneren van een doel onder gebruikmaking van een bundel van energetische elektrisch geladen deeltjes, omvattend de stappen van: het verschaffen van patroondefmitiemiddelen (102) welke een veelheid van ope-ningen hebben die transparant zijn voor de deeltjes, het verlichten van de patroondefmitiemiddelen door middel van de bundel, welke door de patroondefmitiemiddelen gaat via de openingen waardoor een in patroon gebrachte bundel (pb) wordt gevormd die bestaat uit een overeenkomstige veelheid van bundeltjes, het tot een beeld vormen van de in patroon gebrachte bundel op de locatie van het doel (14,40), waarbij het beeld de beelden omvat van ten minste een gedeelte van de veelheid van openingen, waarbij de beelden van de openingen een eerste breedte (w) hebben, en ten minste een gedeelte van de bundel op op het doel verschafte markeringen (41,42) valt, welke dan secundaire straling produceren, het bewegen van het doel ten opzichte van de patroondefmitiemiddelen langs een pad binnen een beeldvlak waarin de beelden van openingen worden gevormd, waarbij de relatieve beweging van het doel een afstand van voorwaartse verplaatsing bestrijkt die groter is dan de eerste breedte zoals gemeten op het doel, het meten van de secundaire straling door middel van een detectiesysteem met een geschikt hoge bemonsteringssnelheid, en het bijstellen van de positie van het doel op een manier waardoor dc secundaire straling zoals gemeten een extreme (maximum of minimum) waarde verkrijgt.
2. Werkwijze volgens conclusie 1, waarbij de substraatpodium het doel beweegt met een continue snelheid die gelijk is aan een snelheid waarmee het doel beweegt gedurende een daaropvolgend belichtingsproces.
3. Werkwijze volgens conclusie 1 of 2, waarbij de markeringen stmeturen omvatten welke onderdeel zijn van een meerlagenstructuur, waarbij de structuren zijn gevormd op het doel in ten minste één daaraan voorafgaand proces.
4. Werkwijze volgens willekeurig welke van conclusies 1 tot en met 3, waarbij de markeringen componenten omvatten die geschikt zijn voor het produceren van secundaire straling, omvattend karakteristieke Auger-elektronenstraling, en het detectiesysteem een energieselectieve detector gebruikt die geschikt is voor het detecteren van de Auger-straling.
5. Werkwijze volgens willekeurig welke van conclusies 1 tot en met 4, waarbij de markeringen componenten omvatten welke een karakteristiek terugverstrooiingsrende-ment hebben.
6. Werkwijze volgens willekeurig welke van conclusies 1 tot en met 5, omvattend een daaropvolgend deeltjesbundelbelichtingsproces dat wordt uitgevoerd op een doel waarbij dezelfde patroondefinitiemiddelen worden gebruikt en het doel beweegt ten opzichte van de patroondefinitiemiddelen op een overeenkomstige manier.
7. Werkwijze volgens willekeurig welke van conclusies 1 tot en met 6, waarbij de afstand van voorwaartse verplaatsing een veelvoud is van een afstand welke wordt bestreken door de relatieve beweging van het doel gedurende een karakteristieke pixelbe-lichtingsperiode gedurende een daaropvolgend belichtingsproces.
NL2004846A 2007-03-29 2010-06-08 Werkwijze voor maskerloze deeltjesbundelbelichting. NL2004846C2 (nl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL2004846A NL2004846C2 (nl) 2007-03-29 2010-06-08 Werkwijze voor maskerloze deeltjesbundelbelichting.

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
AT4962007 2007-03-29
AT4962007 2007-03-29
NL2001369A NL2001369C2 (nl) 2007-03-29 2008-03-13 Werkwijze voor maskerloze deeltjesbundelbelichting.
NL2001369 2008-03-13
NL2004846A NL2004846C2 (nl) 2007-03-29 2010-06-08 Werkwijze voor maskerloze deeltjesbundelbelichting.
NL2004846 2010-06-08

Publications (2)

Publication Number Publication Date
NL2004846A true NL2004846A (nl) 2010-07-19
NL2004846C2 NL2004846C2 (nl) 2010-12-07

Family

ID=39719737

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL2001369A NL2001369C2 (nl) 2007-03-29 2008-03-13 Werkwijze voor maskerloze deeltjesbundelbelichting.
NL2004846A NL2004846C2 (nl) 2007-03-29 2010-06-08 Werkwijze voor maskerloze deeltjesbundelbelichting.

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL2001369A NL2001369C2 (nl) 2007-03-29 2008-03-13 Werkwijze voor maskerloze deeltjesbundelbelichting.

Country Status (4)

Country Link
US (2) US7777201B2 (nl)
JP (2) JP4987771B2 (nl)
DE (1) DE102008015305A1 (nl)
NL (2) NL2001369C2 (nl)

Families Citing this family (63)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL2001369C2 (nl) * 2007-03-29 2010-06-14 Ims Nanofabrication Ag Werkwijze voor maskerloze deeltjesbundelbelichting.
NL2003304C2 (en) * 2008-08-07 2010-09-14 Ims Nanofabrication Ag Compensation of dose inhomogeneity and image distortion.
ATE527678T1 (de) * 2008-11-17 2011-10-15 Ims Nanofabrication Ag Verfahren zur maskenlosen teilchenstrahlbelichtung
EP2190003B1 (en) 2008-11-20 2014-10-01 IMS Nanofabrication AG Constant current multi-beam patterning
JP5634052B2 (ja) * 2009-01-09 2014-12-03 キヤノン株式会社 荷電粒子線描画装置およびデバイス製造方法
EP2228817B1 (en) * 2009-03-09 2012-07-18 IMS Nanofabrication AG Global point spreading function in multi-beam patterning
US8546767B2 (en) * 2010-02-22 2013-10-01 Ims Nanofabrication Ag Pattern definition device with multiple multibeam array
JP2011199279A (ja) 2010-03-18 2011-10-06 Ims Nanofabrication Ag ターゲット上へのマルチビーム露光のための方法
JP5683227B2 (ja) * 2010-11-19 2015-03-11 キヤノン株式会社 電子ビーム描画装置、およびそれを用いた物品の製造方法
JP5386544B2 (ja) * 2011-06-07 2014-01-15 株式会社アドバンテスト 電子ビーム露光装置及び電子ビーム露光方法
JP2013016744A (ja) * 2011-07-06 2013-01-24 Canon Inc 描画装置及びデバイスの製造方法
JP5977941B2 (ja) 2011-12-19 2016-08-24 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
TWI524461B (zh) * 2012-02-14 2016-03-01 愛發科股份有限公司 離子束照射裝置
JP6014342B2 (ja) 2012-03-22 2016-10-25 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
JP6128744B2 (ja) * 2012-04-04 2017-05-17 キヤノン株式会社 描画装置、描画方法、および、物品の製造方法
US8907280B1 (en) 2012-09-19 2014-12-09 Sandia Corporation Fast electron microscopy via compressive sensing
JP6215586B2 (ja) * 2012-11-02 2017-10-18 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置
EP2757571B1 (en) * 2013-01-17 2017-09-20 IMS Nanofabrication AG High-voltage insulation device for charged-particle optical apparatus
JP2015023286A (ja) 2013-07-17 2015-02-02 アイエムエス ナノファブリケーション アーゲー 複数のブランキングアレイを有するパターン画定装置
EP2830083B1 (en) 2013-07-25 2016-05-04 IMS Nanofabrication AG Method for charged-particle multi-beam exposure
EP2913838B1 (en) 2014-02-28 2018-09-19 IMS Nanofabrication GmbH Compensation of defective beamlets in a charged-particle multi-beam exposure tool
US9443699B2 (en) 2014-04-25 2016-09-13 Ims Nanofabrication Ag Multi-beam tool for cutting patterns
JP6653125B2 (ja) 2014-05-23 2020-02-26 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置
EP3358599B1 (en) 2014-05-30 2021-01-27 IMS Nanofabrication GmbH Compensation of dose inhomogeneity using row calibration
JP6353278B2 (ja) 2014-06-03 2018-07-04 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置
JP6892214B2 (ja) 2014-07-10 2021-06-23 アイエムエス ナノファブリケーション ゲーエムベーハー 畳み込みカーネルを使用する粒子ビーム描画機のカスタマイズ化
US9568907B2 (en) 2014-09-05 2017-02-14 Ims Nanofabrication Ag Correction of short-range dislocations in a multi-beam writer
US9799575B2 (en) 2015-12-16 2017-10-24 Pdf Solutions, Inc. Integrated circuit containing DOEs of NCEM-enabled fill cells
US10199283B1 (en) 2015-02-03 2019-02-05 Pdf Solutions, Inc. Method for processing a semiconductor wager using non-contact electrical measurements indicative of a resistance through a stitch, where such measurements are obtained by scanning a pad comprised of at least three parallel conductive stripes using a moving stage with beam deflection to account for motion of the stage
US9653263B2 (en) 2015-03-17 2017-05-16 Ims Nanofabrication Ag Multi-beam writing of pattern areas of relaxed critical dimension
EP3096342B1 (en) 2015-03-18 2017-09-20 IMS Nanofabrication AG Bi-directional double-pass multi-beam writing
US10410831B2 (en) 2015-05-12 2019-09-10 Ims Nanofabrication Gmbh Multi-beam writing using inclined exposure stripes
US10593604B1 (en) 2015-12-16 2020-03-17 Pdf Solutions, Inc. Process for making semiconductor dies, chips, and wafers using in-line measurements obtained from DOEs of NCEM-enabled fill cells
US10978438B1 (en) 2015-12-16 2021-04-13 Pdf Solutions, Inc. IC with test structures and E-beam pads embedded within a contiguous standard cell area
US9627370B1 (en) 2016-04-04 2017-04-18 Pdf Solutions, Inc. Integrated circuit containing standard logic cells and library-compatible, NCEM-enabled fill cells, including at least via-open-configured, GATE-short-configured, GATECNT-short-configured, and TS-short-configured, NCEM-enabled fill cells
US9929063B1 (en) 2016-04-04 2018-03-27 Pdf Solutions, Inc. Process for making an integrated circuit that includes NCEM-Enabled, tip-to-side gap-configured fill cells, with NCEM pads formed from at least three conductive stripes positioned between adjacent gates
US9905553B1 (en) 2016-04-04 2018-02-27 Pdf Solutions, Inc. Integrated circuit containing standard logic cells and library-compatible, NCEM-enabled fill cells, including at least via-open-configured, AACNT-short-configured, GATECNT-short-configured, and metal-short-configured, NCEM-enabled fill cells
US10325756B2 (en) 2016-06-13 2019-06-18 Ims Nanofabrication Gmbh Method for compensating pattern placement errors caused by variation of pattern exposure density in a multi-beam writer
US10325757B2 (en) 2017-01-27 2019-06-18 Ims Nanofabrication Gmbh Advanced dose-level quantization of multibeam-writers
US9748153B1 (en) 2017-03-29 2017-08-29 Pdf Solutions, Inc. Process for making and using a semiconductor wafer containing first and second does of standard cell compatible, NCEM-enabled fill cells, with the first DOE including side-to-side short configured fill cells, and the second DOE including tip-to-side short configure
US9773774B1 (en) 2017-03-30 2017-09-26 Pdf Solutions, Inc. Process for making and using a semiconductor wafer containing first and second DOEs of standard cell compatible, NCEM-enabled fill cells, with the first DOE including chamfer short configured fill cells, and the second DOE including corner short configured fill cells
JP6863814B2 (ja) 2017-04-28 2021-04-21 日本たばこ産業株式会社 パッケージ
US9786649B1 (en) 2017-06-27 2017-10-10 Pdf Solutions, Inc. Process for making and using a semiconductor wafer containing first and second DOEs of standard cell compatible, NCEM-enabled fill cells, with the first DOE including via open configured fill cells, and the second DOE including stitch open configured fill cells
US9768083B1 (en) 2017-06-27 2017-09-19 Pdf Solutions, Inc. Process for making and using a semiconductor wafer containing first and second DOEs of standard cell compatible, NCEM-enabled fill cells, with the first DOE including merged-via open configured fill cells, and the second DOE including snake open configured fill cells
US9865583B1 (en) 2017-06-28 2018-01-09 Pdf Solutions, Inc. Process for making and using a semiconductor wafer containing first and second DOEs of standard cell compatible, NCEM-enabled fill cells, with the first DOE including snake open configured fill cells, and the second DOE including stitch open configured fill cells
US10096530B1 (en) 2017-06-28 2018-10-09 Pdf Solutions, Inc. Process for making and using a semiconductor wafer containing first and second DOEs of standard cell compatible, NCEM-enabled fill cells, with the first DOE including merged-via open configured fill cells, and the second DOE including stitch open configured fill cells
US10522329B2 (en) 2017-08-25 2019-12-31 Ims Nanofabrication Gmbh Dose-related feature reshaping in an exposure pattern to be exposed in a multi beam writing apparatus
US20190066972A1 (en) * 2017-08-29 2019-02-28 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Charged particle beam device, aperture arrangement for a charged particle beam device, and method for operating a charged particle beam device
EP3460825B1 (en) 2017-09-18 2020-02-19 IMS Nanofabrication GmbH Method for irradiating a target using restricted placement grids
US11569064B2 (en) 2017-09-18 2023-01-31 Ims Nanofabrication Gmbh Method for irradiating a target using restricted placement grids
US10534115B1 (en) * 2017-09-22 2020-01-14 Facebook Technologies, Llc Gray-tone electron-beam lithography
TWI737937B (zh) 2017-10-02 2021-09-01 荷蘭商Asml荷蘭公司 使用帶電粒子束之設備
US10651010B2 (en) 2018-01-09 2020-05-12 Ims Nanofabrication Gmbh Non-linear dose- and blur-dependent edge placement correction
US10840054B2 (en) 2018-01-30 2020-11-17 Ims Nanofabrication Gmbh Charged-particle source and method for cleaning a charged-particle source using back-sputtering
US11220028B1 (en) 2018-03-08 2022-01-11 Facebook Technologies, Llc Method of manufacture for thin, multi-bend optics by compression molding
US10976483B2 (en) 2019-02-26 2021-04-13 Facebook Technologies, Llc Variable-etch-depth gratings
US11099482B2 (en) 2019-05-03 2021-08-24 Ims Nanofabrication Gmbh Adapting the duration of exposure slots in multi-beam writers
KR20200128363A (ko) 2019-05-03 2020-11-12 아이엠에스 나노패브릭케이션 게엠베하 멀티 빔 라이터에서의 노출 슬롯의 지속 시간 조정
JP7316127B2 (ja) * 2019-07-10 2023-07-27 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチビーム描画方法及びマルチビーム描画装置
JP7458817B2 (ja) 2020-02-18 2024-04-01 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画装置及びマルチ荷電粒子ビーム描画方法
JP7421364B2 (ja) 2020-02-18 2024-01-24 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチビーム描画方法及びマルチビーム描画装置
KR20210132599A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 아이엠에스 나노패브릭케이션 게엠베하 대전 입자 소스
US11709422B2 (en) 2020-09-17 2023-07-25 Meta Platforms Technologies, Llc Gray-tone lithography for precise control of grating etch depth

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5906902A (en) * 1994-02-25 1999-05-25 Lucent Technologies Inc. Manufacturing system error detection
US5929454A (en) * 1996-06-12 1999-07-27 Canon Kabushiki Kaisha Position detection apparatus, electron beam exposure apparatus, and methods associated with them
US20060102853A1 (en) * 2004-11-16 2006-05-18 Leica Microsystems Lithography Gmbh Device and method for imaging a multiple particle beam on a substrate
WO2006053358A1 (en) * 2004-11-17 2006-05-26 Ims Nanofabrication Ag Pattern lock system for particle-beam exposure apparatus

Family Cites Families (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3875414A (en) * 1973-08-20 1975-04-01 Secr Defence Brit Methods suitable for use in or in connection with the production of microelectronic devices
GB1550867A (en) * 1975-08-04 1979-08-22 Hughes Aircraft Co Positioning method and apparatus for fabricating microcircuit devices
US4199689A (en) * 1977-12-21 1980-04-22 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Electron beam exposing method and electron beam apparatus
JPS5633830A (en) * 1979-08-29 1981-04-04 Fujitsu Ltd Detecting method for mark positioning by electron beam
US4385238A (en) * 1981-03-03 1983-05-24 Veeco Instruments Incorporated Reregistration system for a charged particle beam exposure system
US4528452A (en) * 1982-12-09 1985-07-09 Electron Beam Corporation Alignment and detection system for electron image projectors
JPS60201626A (ja) * 1984-03-27 1985-10-12 Canon Inc 位置合わせ装置
AT393925B (de) * 1987-06-02 1992-01-10 Ims Ionen Mikrofab Syst Anordnung zur durchfuehrung eines verfahrens zum positionieren der abbildung der auf einer maske befindlichen struktur auf ein substrat, und verfahren zum ausrichten von auf einer maske angeordneten markierungen auf markierungen, die auf einem traeger angeordnet sind
US4985634A (en) * 1988-06-02 1991-01-15 Oesterreichische Investitionskredit Aktiengesellschaft And Ionen Mikrofabrications Ion beam lithography
US5012105A (en) * 1989-02-02 1991-04-30 Nippon Seiko Kabushiki Kaisha Multiple-imaging charged particle-beam exposure system
JP2751717B2 (ja) * 1991-03-13 1998-05-18 富士通株式会社 荷電粒子ビーム露光方法及び荷電粒子ビーム露光装置
JP3730263B2 (ja) * 1992-05-27 2005-12-21 ケーエルエー・インストルメンツ・コーポレーション 荷電粒子ビームを用いた自動基板検査の装置及び方法
US5528048A (en) * 1994-03-15 1996-06-18 Fujitsu Limited Charged particle beam exposure system and method
US5841145A (en) * 1995-03-03 1998-11-24 Fujitsu Limited Method of and system for exposing pattern on object by charged particle beam
JPH10163088A (ja) * 1996-11-28 1998-06-19 Sony Corp アライメント方法,露光マスク及び電子ビーム露光装置
JPH10294255A (ja) * 1997-04-17 1998-11-04 Canon Inc 電子ビーム照明装置、および該電子ビーム照明装置を備えた露光装置
DE69811200T2 (de) * 1997-07-22 2003-10-09 Nippon Steel Corp Einsatzstahl mit hervorragender verhinderung der sekundärrekristallisation während der aufkohlung, verfahren zu dessen herstellung, halbzeug für aufzukohlende teile
US6989546B2 (en) * 1998-08-19 2006-01-24 Ims-Innenmikrofabrikations Systeme Gmbh Particle multibeam lithography
AU1926501A (en) * 1999-11-23 2001-06-04 Ion Diagnostics, Inc. Electron optics for multi-beam electron beam lithography tool
JP2001168018A (ja) * 1999-12-13 2001-06-22 Canon Inc 荷電粒子線露光装置、荷電粒子線露光方法及び露光補正データの決定方法、該方法を適用したデバイスの製造方法。
AU2001239801A1 (en) * 2000-02-19 2001-08-27 Ion Diagnostics, Inc. Multi-beam multi-column electron beam inspection system
US6661015B2 (en) * 2000-09-15 2003-12-09 Ims-Ionen Mikrofabrikations Systeme Gmbh Pattern lock system
WO2002037527A1 (fr) * 2000-11-02 2002-05-10 Ebara Corporation Appareil a faisceau electronique et procede de production de dispositif utilisant cet appareil
JP4401557B2 (ja) * 2000-11-15 2010-01-20 株式会社アドバンテスト 電子ビーム露光装置、電子ビーム補正方法、電子ビーム露光方法、及び半導体素子製造方法
US6768125B2 (en) * 2002-01-17 2004-07-27 Ims Nanofabrication, Gmbh Maskless particle-beam system for exposing a pattern on a substrate
GB2408143B (en) * 2003-10-20 2006-11-15 Ims Nanofabrication Gmbh Charged-particle multi-beam exposure apparatus
GB2413694A (en) * 2004-04-30 2005-11-02 Ims Nanofabrication Gmbh Particle-beam exposure apparatus
US6872953B1 (en) * 2004-05-20 2005-03-29 Axcelis Technologies, Inc. Two dimensional stationary beam profile and angular mapping
US7456491B2 (en) * 2004-07-23 2008-11-25 Pilla Subrahmanyam V S Large area electron emission system for application in mask-based lithography, maskless lithography II and microscopy
DE102004052994C5 (de) * 2004-11-03 2010-08-26 Vistec Electron Beam Gmbh Multistrahlmodulator für einen Partikelstrahl und Verwendung des Multistrahlmodulators zur maskenlosen Substratsstrukturierung
US7598594B2 (en) * 2004-12-20 2009-10-06 Electronics And Telecommunications Research Institute Wafer-scale microcolumn array using low temperature co-fired ceramic substrate
JP2006210455A (ja) * 2005-01-26 2006-08-10 Canon Inc 荷電粒子線露光装置及び該装置を用いたデバイス製造方法
US8304749B2 (en) * 2005-02-11 2012-11-06 Ims Nanofabrication Ag Charged-particle exposure apparatus with electrostatic zone plate
JP5154232B2 (ja) * 2005-02-18 2013-02-27 アイエムエス ナノファブリケーション エージー 荷電粒子暴露装置
EP1777728A1 (en) * 2005-10-20 2007-04-25 Carl Zeiss SMS GmbH Lithography system
WO2007112465A1 (en) 2006-04-03 2007-10-11 Ims Nanofabrication Ag Particle-beam exposure apparatus with overall-modulation of a patterned beam
JP5241195B2 (ja) * 2006-10-30 2013-07-17 アイエムエス ナノファブリカツィオン アーゲー 荷電粒子露光装置
US7763851B2 (en) * 2006-12-22 2010-07-27 Ims Nanofabrication Ag Particle-beam apparatus with improved wien-type filter
DE102008010123A1 (de) * 2007-02-28 2008-09-04 Ims Nanofabrication Ag Vielstrahl-Ablenkarray-Einrichtung für maskenlose Teilchenstrahl-Bearbeitung
NL2001369C2 (nl) * 2007-03-29 2010-06-14 Ims Nanofabrication Ag Werkwijze voor maskerloze deeltjesbundelbelichting.
JP5491704B2 (ja) * 2007-05-14 2014-05-14 イーエムエス ナノファブリカツィオン アーゲー 対向電極アレイ板を有するパターン定義装置
EP2019415B1 (en) * 2007-07-24 2016-05-11 IMS Nanofabrication AG Multi-beam source
NL2003304C2 (en) * 2008-08-07 2010-09-14 Ims Nanofabrication Ag Compensation of dose inhomogeneity and image distortion.

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5906902A (en) * 1994-02-25 1999-05-25 Lucent Technologies Inc. Manufacturing system error detection
US5929454A (en) * 1996-06-12 1999-07-27 Canon Kabushiki Kaisha Position detection apparatus, electron beam exposure apparatus, and methods associated with them
US20060102853A1 (en) * 2004-11-16 2006-05-18 Leica Microsystems Lithography Gmbh Device and method for imaging a multiple particle beam on a substrate
WO2006053358A1 (en) * 2004-11-17 2006-05-26 Ims Nanofabrication Ag Pattern lock system for particle-beam exposure apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
US20080237460A1 (en) 2008-10-02
JP2008252095A (ja) 2008-10-16
DE102008015305A1 (de) 2008-10-02
NL2001369A1 (nl) 2008-09-30
JP4987771B2 (ja) 2012-07-25
US8115183B2 (en) 2012-02-14
NL2001369C2 (nl) 2010-06-14
NL2004846C2 (nl) 2010-12-07
JP5284442B2 (ja) 2013-09-11
US20100252733A1 (en) 2010-10-07
JP2012023411A (ja) 2012-02-02
US7777201B2 (en) 2010-08-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL2004846C2 (nl) Werkwijze voor maskerloze deeltjesbundelbelichting.
JP4995261B2 (ja) パターン化ビームの総合変調を持つ粒子ビーム露光装置
US7276714B2 (en) Advanced pattern definition for particle-beam processing
US6768125B2 (en) Maskless particle-beam system for exposing a pattern on a substrate
EP3096342B1 (en) Bi-directional double-pass multi-beam writing
JP6491842B2 (ja) 補正プレートを有する荷電粒子多重ビーム装置
JP4843248B2 (ja) 粒子ビーム露光の改善されたパターン規定装置
US5369282A (en) Electron beam exposure method and system for exposing a pattern on a substrate with an improved accuracy and throughput
US10410831B2 (en) Multi-beam writing using inclined exposure stripes
US20100072403A1 (en) Pattern forming apparatus and pattern forming method
US20050274911A1 (en) Raster frame beam system for electron beam lithography
KR20180117540A (ko) 멀티 하전 입자 빔 묘화 장치 및 멀티 하전 입자 빔 묘화 방법
US11099482B2 (en) Adapting the duration of exposure slots in multi-beam writers
US20120085919A1 (en) Apparatus and methods for pattern generation
US7692167B1 (en) High-fidelity reflection electron beam lithography
JP2022181200A (ja) プログラマブル直接描画装置のためのパターンデータ処理
EP3734639B1 (en) Adapting the duration of exposure slots in multi-beam writers
US9040942B1 (en) Electron beam lithography with linear column array and rotary stage
EP3093869B1 (en) Multi-beam writing using inclined exposure stripes
US11183366B2 (en) Multi-beam writing method and multi-beam writing apparatus
Freed et al. Reflective electron-beam lithography performance for the 10nm logic node
GB2412494A (en) Maskless particle-beam system for exposing a pattern on a substrate

Legal Events

Date Code Title Description
PD Change of ownership

Owner name: IMS NANOFABRICATION GMBH; AT

Free format text: DETAILS ASSIGNMENT: CHANGE OF OWNER(S), CHANGE OF LEGAL ENTITY; FORMER OWNER NAME: IMS NANOFABRICATION AG

Effective date: 20171214