JPH10163088A - アライメント方法，露光マスク及び電子ビーム露光装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 電子ビーム露光の際のアライメント精度及び
スループットを向上させると共に、レジスト膜残りを防
止する。 【解決手段】 ウエハ１１の表面側に所定の配置状態で
設けられた複数のアライメントマーク１１ａ，１１ｂ，
１１ｃ上を同時に横切る状態で、アライメントマーク１
１ａ，１１ｂ，１１ｃと同一の配置状態を保って照射さ
れる電子ビームＢ1 ，Ｂ2 ，Ｂ3 を走査させる。そし
て、電子ビームＢ1 ，Ｂ2 ，Ｂ3 の照射によって得られ
る反射電子の信号強度からアライメントマーク１１ａ，
１１ｂ，１１ｃと電子ビームＢ1 ，Ｂ2 ，Ｂ3 との走査
方向における相対的な位置関係を検出する。その後、こ
の位置関係に基づいて電子ビームＢ1 ，Ｂ2 ，Ｂ3 の照
射位置情報を補正する。これによって、より少ない電子
ビームＢ1 ，Ｂ2 ，Ｂ3 の走査回数でアライメントマー
クを行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
工程において電子ビーム露光を行う際に電子ビームの照
射位置合わせを行うアライメント方法と、この方法を行
うために用いられる露光マスク及び電子ビーム露光装置
に関する。

【０００２】

【従来の技術】図７には、電子ビーム露光装置の一例と
して、可変成形ビーム方式の露光装置の要部構成図を示
す。この電子ビーム露光装置７には、電子銃（図示省
略）から発せられた電子ビームの経路上に第１マスク７
１と第２マスク７２とが備えられている。第１マスク７
１及び第２マスク７２には、ビーム成形用の矩形形状の
孔パターン７１ａ，７２ａが設けられている。また、第
１マスク７１と第２マスク７２との間及び第２マスク７
２と露光面Ａとの間には偏向電極（図示省略）が備えら
れている。上記電子ビーム露光装置７では、第１マスク
７１の孔パターン７１ａを通過させて矩形状に成形した
電子ビームｂ1 を、偏向電極で偏向させて第２マスク７
２の孔パターン７２ａの一部分に照射させる。これによ
って、第２マスク７２を通過した電子ビームｂ2 を所定
の矩形形状に成形する。そして、所定の矩形形状に成形
された電子ビームｂ2 を、さらに偏向電極で偏向させて
露光面Ａの所定位置に所定倍率で照射し、露光面Ａ下の
レジスト膜に対して電子ビーム露光を行う。

【０００３】ところで、半導体装置の製造工程において
ウエハ上のレジスト膜に対して電子ビーム露光を行う際
には、既にウエハ上に形成されているパターンと露光パ
ターンとの整合性を保つために、ウエハの配置位置に対
して電子ビームの照射位置を整合させる必要がある。

【０００４】そこで、図８に示すように、以下のように
してアライメントを行っている。先ず、ウエハ８１表面
の所定位置に形成されたアライメントマーク８１ａ上で
電子ビームｂ2 を走査させる。そして、電子ビームｂ2
の照射によって得られる反射電子の信号強度からアライ
メントマーク８１ａのエッジ部ｅを検出し、アライメン
トマーク８１ａと電子ビームｂ2 の照射位置との相対的
な位置関係を検出する。その後、ウエハ８１表面（すな
わち露光面Ａ）の所定位置に電子ビームｂ2 が照射され
るように、上記位置関係に基づいて電子ビームｂ2 の照
射位置情報を補正する。上記図７を用いて説明した電子
ビーム描画装置（７）を用いる場合には、第１マスク，
第２マスク及び偏向電極を用いてスポット状に成形した
電子ビームｂ2 を露光面Ａに照射して上記アライメント
を行うこととする。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところが、図９に示す
ように、上記アライメント方法で用いるアライメントマ
ーク８１ａ上は、例えば加工対象になるポリシリコン膜
８２やその上面のレジスト膜８３で覆われている。この
ため、照射した電子ビームｂ2 をアライメントマーク８
１ａのエッジ部ｅで反射させて得られる反射電子は、ポ
リシリコン膜８２及びレジスト膜８３を透過する際に減
衰し進行強度が弱まってしまう。したがって、アライメ
ントマーク８１ａのエッジ部ｅが検出され難くなり、ア
ライメントマーク８１ａと電子ビームｂ2 の照射位置と
の相対的な位置関係を検出することが困難になる。これ
は、アライメント精度を低下させる要因になる。

【０００６】そこで、アライメントマーク８１ａのエッ
ジ部ｅを検出できる程度の反射電子の信号強度を得るた
めに、アライメントマーク８１ａ上での電子ビームｂ2
の走査回数を増加させる方法もある。しかし、この方法
では、アライメントに時間がかかり露光工程のスループ
ットが低下してしまう。しかも、電子ビームｂ2 の走査
部において電子ビームｂ2 の照射ドーズ量が過多にな
り、この部分のレジスト膜８３が炭化してしまう。この
ため、露光後に現像処理を行っても、所望のパターンと
は別に、上記炭化した部分のレジスト膜８３が除去され
ずにウエハ８１上に残り、レジスト膜８１からなるレジ
ストパターン（図示省略）を用いたポリシリコン膜８２
の加工において、アライメントマーク８１ａ近傍に所望
のパターンとは別にポリシリコン膜８２が残ってしま
う。そして、このレジストパターンをアッシング処理に
よって除去しようとしても、上記炭化した部分のレジス
ト膜８３は除去されずに残ってしまう。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するためになされた。すなわち、本発明のアライメント
方法は、電子ビーム露光の際に電子ビームの照射位置合
わせを行う方法であり、被露光基体の表面側にはアライ
メントマークが所定の配置状態で複数設けられている。
そして、これらのアライメントマークと同一の配置状態
を保って照射される複数の電子ビームを、各アライメン
トマーク上を同時に横切る状態で走査させる。その後、
これらの電子ビームの照射によって得られる信号から上
記アライメントマークと上記電子ビームの照射位置との
走査方向における相対的な位置関係を検出し、この位置
関係に基づいて電子ビームの照射位置情報を補正する。

【０００８】上記アライメント方法では、所定の配置状
態で配置された複数の各アライメントマークと同一の配
置状態を保って露光面に照射される複数の電子ビーム
が、アライメントマーク上を同時に横切る状態で照射さ
れる。このことから、アライメントマークへの電子ビー
ムの照射によって得られる信号強度は、アライメントマ
ークの数に対応して倍増する。しかも、各アライメント
マークに照射される電子ビームの照射ドーズ量が増加す
ることはない。

【０００９】また、本発明の露光マスクは、電子ビーム
露光の際に電子ビームの成形に用いるものであり、被露
光基体の表面側に所定の配置状態で設けられた複数のア
ライメントマークと同様の配置状態で孔パターンを設け
てなるアライメントパターン群が備られている。そし
て、本発明の電子ビーム露光を行う露光装置は、上記露
光マスクを備えたものである。

【００１０】上記露光マスクでは、アライメントパター
ン群に電子ビームを照射することで、この電子ビームが
複数本に分割される。上記アライメントパターン群を構
成する各孔パターンは、露光面側に形成されたアライメ
ントマークと同一の配置状態を保っていることから、上
記各電子ビームは、アライメントマークと同一の配置状
態を保って露光面に照射される。

【００１１】そして、上記露光マスクを備えた露光装置
では、上記露光マスクを通過した電子ビームを偏向させ
ることによって、露光面のアライメントマークに対して
同時に電子ビームが照射される。このため、アライメン
トマークに対する電子ビームの照射によって一度に得ら
れる信号強度を、アライメントマークの数に対応して倍
増させるような上記アライメント方法が行われる。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、本発明を適用したアライメ
ント方法，露光マスク及び露光装置の実施の形態を説明
する。

【００１３】（第１実施形態）図１は、本発明を適用し
たアライメント方法の一実施形態を説明するための図で
ある。ここで説明するアライメント方法は、被露光基体
となるウエハ１１の表面側の露光面Ａに対して、電子ビ
ームの照射位置合わせを行う方法である。図中のグラフ
は、電子ビームＢ2 の照射位置と反射電子の信号強度を
示している。そして、上記電子ビーム露光は、ウエハ１
１上に成膜されたポリシリコン膜１２のエッチングマス
クになるレジストパターンを形成するために行われる。
また、上記アライメントは、ウエハ１１の表面に形成さ
れたパターン（図示せず）と、上記ポリシリコン膜１２
をエッチング加工して得られるパターンとの整合性を保
つために行われることとする。

【００１４】上記アライメント方法は、以下のように行
う。すなわち、ウエハ１１の表面には、例えばトレンチ
形状のアライメントマークを複数形成しておく。これら
のアライメントマーク１１ａ，１１ｂ，１１ｃは、所定
の配置状態で設ける。ここでは、一例として、ｙ軸方向
（図中矢印で示したｘ軸方向に対して垂直な方向）の電
子ビームのずれを吸収出来る程度にｙ軸方向に長さを有
する同一の矩形形状の３個のアライメントマーク１１
ａ，１１ｂ，１１ｃを、ｘ軸方向に同一ピッチｐで設け
ることとする。各アライメントマーク１１ａ，１１ｂ，
１１ｃのｘ軸方向の長さはＬｘであることとする。

【００１５】上記アライメントマーク１１ａ，１１ｂ，
１１ｃが形成されたウエハ１１の露出表面は、例えば酸
化膜で覆われた状態になっている。そして、このウエハ
１１上にアライメントマーク１１ａ，１１ｂ，１１ｃを
埋め込む状態でポリシリコン膜１２を成膜し、このポリ
シリコン膜１２上にレジスト膜１３を成膜する。

【００１６】その後、アライメントマーク１１ａ，１１
ｂ，１１ｃの上部を横切るように、露光面Ａにおいて複
数の電子ビームＢ1 ，Ｂ2 ，Ｂ3 を走査させる。これら
の電子ビームＢ1 ，Ｂ2 ，Ｂ3 は、アライメントマーク
１１ａ，１１ｂ，１１ｃの配置状態と同一の配置状態、
すなわちｘ軸方向に同一ピッチｐを保ちながらｘ軸の矢
印方向（図における左から右）に走査させる。

【００１７】この際、反射電子の信号強度のグラフに示
すように、先ず、右端の電子ビームＢ1 のみが左端のア
ライメントマーク１１ａに照射されてmin. peak が検出
される。その後、電子ビームＢ1 が中央のアライメント
マーク１１ｂに照射されると同時に、中央の電子ビーム
Ｂ2 がアライメントマーク１１ａに照射されてmiddlepe
ak が検出される。さらにその後、各電子ビームＢ1 ，
Ｂ2 ，Ｂ3 がそれぞれアライメントマーク１１ａ，１１
ｂ，１１ｃに照射されてmax peakが検出される。その後
は、同様にして、middle peak, min. peakが検出され
る。そして、上記max peakから、アライメントマーク１
１ａ，１１ｂ，１１ｃと電子ビームＢ1 ，Ｂ2 ，Ｂ3 の
照射位置とのｘ軸方向の相対的な位置関係を検出する。

【００１８】その後、ここでは図示を省略するが、上記
で説明したと同様にしてウエハ表面のアライメントマー
ク（図示省略）と電子ビームの照射位置とのｙ軸方向の
相対的な位置関係を検出する。この際、上述のｘ軸方向
の照射位置情報の補正において、ｘ軸方向をｙ軸方向に
読み変えることとする。

【００１９】上述のようにして、ｘ軸方向及びｙ軸方向
におけるアライメントマークと電子ビームの照射位置と
の相対的な位置関係を検出した後、これらの位置関係に
基づいてウエハ１１の表面（ウエハ１１上の露光面Ａ）
の所定位置に電子ビームが照射されるように、電子ビー
ムの照射位置情報を補正する。

【００２０】上記アライメント方法では、アライメント
マーク１１ａ，１１ｂ，１１ｃと同一の配置状態を保っ
て露光面Ａに照射される電子ビームＢ1 ，Ｂ2 ，Ｂ3 が
アライメントマーク１１ａ，１１ｂ，１１ｃを横切る状
態で走査されることから、中心のアライメントマーク１
１ｂのエッジ部ｅに中心の電子ビームＢ2 が照射された
場合には、同時に両端のアライメントマーク１１ａ，１
１ｃのエッジ部ｅにも両端の電子ビームＢ1 ，Ｂ3 が照
射される。したがって、この時検出される反射電子の信
号強度は、一つのアライメントマーク上で１本の電子ビ
ームを走査させた場合の３倍になる。

【００２１】このため、より少ない走査回数で、アライ
メントマーク１１ａ，１１ｂ，１１ｃと電子ビームＢ1
，Ｂ2 ，Ｂ3 の照射位置との相対的な位置関係が検出
され易くなる。そして、アライメントにおいて、同一位
置での電子ビームＢ1 ，Ｂ2 ，Ｂ3 の走査回数を減少さ
せることが可能になり、電子ビーム照射によるレジスト
膜１３の炭化が防止される。したがって、アライメント
の際の電子ビームＢ1 ，Ｂ2 ，Ｂ3 の照射位置における
レジスト膜１３残りが防止されると共に、エッチング加
工後のポリシリコン膜１２残りも防止される。

【００２２】（第２実施形態）図２は、本発明を適用し
たアライメント方法の他の実施形態を説明するための図
である。ここで説明するアライメント方法と、上記第１
実施形態で説明したアライメント方法との異なるところ
は、アライメントマーク１１ａ，１１ｂ，１１ｃの配置
状態にある。

【００２３】すなわち、アライメントマーク１１ａ，１
１ｂ，１１ｃは、ｘ軸方向に異なる２つの間隔ｐ1 ，ｐ
2 を保って設けられている。その他の状態は上記第１実
施形態と同様であり、上記アライメントマーク１１ａ，
１１ｂ，１１ｃが形成されたウエハ１１上にはポリシリ
コン膜１２及びレジスト膜１３が成膜される。

【００２４】そして、アライメントマーク１１ａ，１１
ｂ，１１ｃの上部を横切るように、ウエハ１１上の露光
面Ａにおいて複数の電子ビームＢ1 ，Ｂ2 ，Ｂ3 を走査
させる。これらの電子ビームＢ1 ，Ｂ2 ，Ｂ3 は、アラ
イメントマーク１１ａ，１１ｂ，１１ｃの配置状態と同
一の配置状態、すなわちｘ軸方向に異なる２つの間隔ｐ
1 ，ｐ2 を保って露光面Ａに照射される。

【００２５】そして、上記電子ビームＢ1 ，Ｂ2 ，Ｂ3
の照射によって得られる反射電子の信号強度から、アラ
イメントマーク１１ａ，１１ｂ，１１ｃと電子ビームＢ
1 ，Ｂ2 ，Ｂ3 の照射位置との相対的な関係を検出す
る。図に示す反射電子の信号強度のグラフは、中心の電
子ビームＢ2 の照射位置に対応させたものである。上記
第１実施形態と同様に、このグラフにおいて信号強度が
最も強いmax peakが現れた位置を、各アライメントマー
ク１１ａ，１１ｂ，１１ｃのエッジ部ｅに各電子ビーム
Ｂ1 ，Ｂ2 ，Ｂ3 が照射された位置として検出し、電子
ビームＢ1 ，Ｂ2，Ｂ3 とアライメントマーク１１ａ，
１１ｂ，１１ｃとのｘ軸方向の相対的な位置関係を得
る。

【００２６】また、同様にして、ｙ軸方向の相対的な位
置関係を得た後、これらの位置関係に基づいてウエハ１
１の表面（ウエハ１１上の露光面Ａ）に対して電子ビー
ムが所定位置に照射されるように電子ビームの照射位置
情報を補正する。

【００２７】上記アライメント方法では、アライメント
マーク１１ａ，１１ｂ，１１ｃ及び電子ビームＢ1 ，Ｂ
2 ，Ｂ3 の間隔が異なる２つの間隔ｐ1 ，ｐ2 に設定さ
れている。このことから、電子ビームＢ1 ，Ｂ2 ，Ｂ3
のうちの一つが、アライメントマーク１１ａ，１１ｂ，
１１ｃのうちの一つに対してのみ照射されるか、または
各電子ビームＢ1 ，Ｂ2 ，Ｂ3 が各アライメントマーク
１１ａ，１１ｂ，１１ｃに対して照射されることにな
る。このため、上記第１実施形態と同様の効果を奏する
ことができるだけではなく、２つのアライメントマーク
に電子ビームが照射されてmiddle peak が検出されるこ
とはなく、middle peak をmax peakと間違えることが防
止される。したがって、アライメントの精度がさらに向
上する。

【００２８】上記第１及び第２実施形態では、電子ビー
ムＢ1 ，Ｂ2 ，Ｂ3 の走査方向に複数のアライメントマ
ーク１１ａ，１１ｂ，１１ｃを配列した。しかし、本発
明のアライメント方法では、複数のアライメントマーク
上を同時に横切る状態で複数の電子ビームを走査させる
ことが可能であれば良い。このため、例えば電子ビーム
の走査方向と垂直に複数のアライメントマークを配置
し、これらのアライメントマークと同様の配置状態で露
光面に照射される電子ビームを走査させてアライメント
マークと電子ビームの照射位置との走査方向における相
対的な位置関係を得ても良い。このようにした場合に
は、max peakのみが検出されるようになる。

【００２９】（第３実施形態）図３は、本発明を適用し
た露光マスク及び露光装置の実施形態を説明するための
図であり、図４は図３における第２露光マスクの拡大図
である。以下にこれらの図を用いて露光マスク及び露光
装置の一実施形態を説明する。

【００３０】この電子ビーム露光装置３は、可変成形ビ
ーム方式の露光装置であり、電子銃３１から発せられた
電子ビームｂの経路上に第１露光マスク３２，偏向電極
３３，第２露光マスク３４，偏向電極３５が順に配置さ
れている。

【００３１】上記第１露光マスク３２は、その中央部に
矩形形状の露光用孔パターン３２ａが設けられたもので
ある。

【００３２】そして、上記第２露光マスク３４は、その
中央部に矩形形状の露光用孔パターン３４ａが設けられ
ると共に、この露光用孔パターン３４ａとは別にアライ
メントパターン群３４ｘ，３４ｙが設けられたものであ
り、この第２露光マスク３４が請求項２に記載の露光マ
スクになる。すなわち、上記アライメントパターン群３
４ｘ，３４ｙは、ウエハ（被露光基体）１１の表面（す
なわち露光面Ａ）側に所定の配置状態で設けられた複数
のアライメントマーク（図示省略）と同様の配置状態で
形成された孔パターン３４ｂで構成される。

【００３３】例えば、上記第１実施形態で図１を用いて
説明したアライメントマークがウェア１１の表面に設け
られている場合、アライメントパターン群３４ｘは、同
一形状の３個の孔パターン３４ｂを、ｘ軸方向に同一間
隔で配列形成してなる。一方、アライメントパターン群
３４ｙは、同一形状の３個の孔パターン３４ｂを、ｙ軸
方向に同一間隔で配列形成してなる。

【００３４】上記構成の第２露光マスク３４では、複数
の孔パターン３４ｂからなるアライメントパターン群３
４ｘ，３４ｙに対して電子ビームを照射することで、当
該電子ビームが複数本に分割される。そして、上記各孔
パターン３４ｂは、露光面側に形成されたアライメント
マークと同様の配置状態、すなわち同一ピッチで配置さ
れている。このことから、分割された電子ビームは、偏
向電極３５によってその倍率を調節することによって、
アライメントマークと同一の配置状態を保って露光面Ａ
に照射される。

【００３５】そして、上記第２露光マスク３４を備えた
電子ビーム露光装置３を用いて描画露光を行う場合を、
図３及び図５を用いて説明する。先ず、第１露光マスク
３２の露光用孔パターン３２ａを通過させて矩形状に成
形した電子ビームｂ1 を、偏向電極３３で偏向させて第
２露光マスク３４の露光用孔パターン３４ａの一部分に
照射する。これによって、第２露光マスク３４を通過さ
せた電子ビームｂ2 を所定の矩形形状に成形する。そし
て、成形された矩形形状の電子ビームｂ2 を、偏向電極
３５によって、所定倍率に縮小しかつ露光面Ａの所定位
置に照射させる。これによって、露光面Ａに対して所定
の矩形形状の電子ビーム描画が行われる。

【００３６】一方、上記第２露光マスク３４を備えた電
子ビーム露光装置３において、電子ビームの照射位置合
わせ、すなわちアライメントを行う場合を、図３及び図
６を用いて説明する。先ず、第１露光マスク３２の孔パ
ターン３２ａを通過させて矩形状に成形した電子ビーム
ｂ1 を偏向電極３３で偏向させて第２露光マスク３４の
アライメントパターン群３４ｘに照射する。これによっ
て、第２露光マスク３４を通過させた電子ビームｂ2 を
複数に分割する（図示省略）。そして、分割された電子
ビームｂ2 を露光面Ａに照射する。この際、分割された
各電子ビームｂ2 がアライメントマーク（図示省略）と
同一のピッチでウエハ１１上の露光面Ａに照射されるよ
うに、偏向電極３５によってその倍率を調整し、かつ当
該偏向電極３５によって露光面Ａ側のアライメントマー
ク（図示省略）を横切る状態で走査させる。

【００３７】そして、上記電子ビームｂ2 の照射によっ
て得られた反射電子の信号強度から、上記第１実施形態
で説明したようにして、ｘ軸方向の電子ビームの照射位
置情報を補正する。また、ｙ軸方向の電子ビームの照射
位置情報の補正は、アライメントパターン群３４ｙを用
いて同様に行う。

【００３８】以上によって、上記第２露光マスク３４を
備えた露光装置３では、露光面Ａ側に形成した複数のア
ライメントマークに対して同時に電子ビームが照射され
る。このため、電子ビームの照射によって一度に得られ
る信号強度を、アライメントマークの数に対応して倍増
させるような上記第１実施形態で説明したアライメント
方法を行うことが可能になる。

【００３９】尚、上記第３実施形態で説明したアライメ
ントパターン群３４ｘ，３４ｙにおける孔パターン３４
ｂの配置状態はあくまでも一例であり、ウエハ１１の表
面側に形成されるアライメントマークと同様の配置状
態、すなわち倍率を補正することで同一の配置状態にな
るような配置状態であれば上記に限定されることはな
い。

【００４０】

【発明の効果】以上説明したように本発明のアライメン
ト方法によれば、複数のアライメントマーク上を同時に
横切る状態で複数の電子ビームを走査することで、電子
ビームの照射によって得られる信号強度を倍増させるこ
とが可能になる。このため、アライメントマークの位置
検出の精度が向上し、アライメントの精度を確保するこ
とができる。また、アライメントのための電子ビームの
走査回数を減らして電子ビーム露光のスループットを向
上させることができる。これと共に、同一箇所での電子
ビームの走査回数ぽ減らし、レジストの炭化を防止しレ
ジスト残りを防止することがでる。したがって、リソグ
ラフィーの精度を向上させることが可能になる。

【００４１】また、本発明の露光マスクによれば、被露
光基体の表面側に形成されたアライメントマークと同一
の配置状態で設けられた複数の孔パターンによって、複
数本に分割された電子ビームを同時に各アライメントマ
ーク上に照射することが可能になる。

【００４２】そして、本発明の露光装置によれば、上記
露光マスクを備えたことによって、上記アライメント方
法を行うことが可能なり、露光の際の位置精度及びスル
ープットの良好な露光を行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用したアライメント方法の一例を説
明する図である。

【図２】本発明を適用したアライメント方法の他の一例
を説明する図である。

【図３】本発明を適用した電子ビーム露光装置の構成図
である。

【図４】本発明を適用した露光マスクの構成図である。

【図５】本発明を適用した露光装置による露光を説明す
る図である。

【図６】本発明を適用した露光装置によるアライメント
を説明する図である。

【図７】従来の電子ビーム露光装置の要部構成図であ
る。

【図８】従来のアライメント方法を説明する図である。

【図９】従来のアライメント方法の課題を説明する図で
ある。

【符号の説明】

３ 電子ビーム露光装置 １１ ウエハ（被露光基
体） １１ａ，１１ｂ，１１ｃ アライメントマーク ３４ａ 第２露光マスク（露光マスク） ３４ｂ 孔
パターン ３４ｘ，３４ｙ アライメントパターン群 Ｂ1 ，Ｂ
2 ，Ｂ3 電子ビーム

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 電子ビーム露光の際に、電子ビームの照
   射位置合わせを行うアライメント方法であって、 被露光基体の表面側に所定の配置状態で設けられた複数
   の各アライメントマーク上を同時に横切る状態で、当該
   アライメントマークと同一の配置状態を保って照射され
   る複数の電子ビームを走査させ、 前記電子ビームの照射によって得られる信号から前記ア
   ライメントマークと当該電子ビームとの走査方向におけ
   る相対的な位置関係を検出し、 前記位置関係に基づいて前記電子ビームの照射位置情報
   を補正することを特徴とするアライメント方法。
2. 【請求項２】 電子ビーム露光の際に電子ビームの成形
   に用いる露光マスクであって、 被露光基体の表面側に所定の配置状態で設けられた複数
   のアライメントマークと同様の配置状態で孔パターンを
   設けてなるアライメントパターン群を備えたことを特徴
   とする露光マスク。
3. 【請求項３】 前記露光マスクは、可変成形ビーム露光
   用の露光マスクであることを特徴とする請求項２記載の
   露光マスク。
4. 【請求項４】 電子ビーム露光を行う露光装置であっ
   て、 被露光基体の表面側に所定の配置状態で設けられた複数
   のアライメントマークと同様の配置状態で孔パターンを
   設けてなるアライメントパターン群を備えた露光マスク
   を有することを特徴とする電子ビーム露光装置。
5. 【請求項５】 前記電子ビーム露光装置は、可変成形ビ
   ーム露光用の電子ビーム露光装置であることを特徴とす
   る請求項４記載の電子ビーム露光装置。