JP4979918B2 - 加圧方法及び加圧装置 - Google Patents
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Description
また、特許文献2に示す方法では、加圧面に対し直角方向の横振動であり、2次元的な軌跡は描けても3次元的な動作はできない。
接合装置を考えた時、大面積で接合するには横振動では摩擦力が大きく振動させることができない。しかし、縦振動であれば、接合面は接触した状態で接合界面に応力を加えることができるため、大面積での接合には有利である。金属突起部を超音波領域の振動により接合した場合の横振動と立て振動による応力分布解析結果を図10に示す。横振動を使用して接合した場合には、金属突起部の横振動に対する弾性変形により、周辺部に応力が加わり、図10に示すように均一な接合とはならず金属突起部周辺しか接合しないことになる。それに比較して縦振動の場合は均一な接合ができることが図10より分かる。図10においては、金属突起部の縦振動と横振動による接合のための界面応力解析を示し、応力の高い部分は界面の伸びにより新生面が出ることにより接合されると考えられる。また、勿論、横に振幅する分、実装位置ずれの原因になるため数μmという高精度での実装は難しい。但し、応力を時間的に一部に集中させて移動させながらまんべんなく加圧振動させてやれば大面積の接合も小さな振動加圧源で可能となる。そのためには3次元的な動作が必要となる。
また、これはナノレベルで成型する成型装置であるナノインプリント装置においてもあてはまる。成型時に転写型を押し付けて基材に食い込ませていくわけであるが、単に加圧だけでは難しい。成型時に振動を印加することで界面の応力が増加し、低い加圧力で食い込みやすくなる。また、横振動より縦振動のほうが削岩機と同じ原理で加工し易い。特にガラスなど硬い基材に成型していく上では単に加圧だけでは莫大な加圧力が必要となり実現性に乏しい。また、もちろん横振動ではナノレベルの位置精度を得ることはできない。また、振動するためには多少の隙間や抜き勾配が必要になるが、これは3次元的な動作で行うことが必要となる。また、樹脂やガラスなどからなる基材を成型する場合などでは、成型後、型を抜く時に振動を印加してやることで抜き易くなり有効であるが、これも横振動では大面積は抜けなく、単に縦振動でも容易ではない。抜き勾配ができるような3次元的な動作が必要となる。
また、ミクロン台の凹凸の成型を行う場合は、転写型と基材の平行調整もサブミクロン台で必要となる。振動を印加する場合は平行調整した上での振動印加が必要であるが、従来の成型装置にはサブミクロン台で平行調整できる機能は無いため、サブミクロン台のナノインプリントは実質できなかった。
また、本発明に係る加圧方法は、対向配置された2つの保持ツールを備え、前記両保持ツールそれぞれに保持されて対向配置された被加圧物同士を加圧する加圧方法であって、前記両保持ツールのうち、少なくとも一方の前記保持ツールにその伸縮方向における一端がそれぞれ接続された複数のピエゾアクチュエータと、前記両保持ツールそれぞれに保持された被加圧物同士を接触加圧する加圧機構とを備え、前記各ピエゾアクチュエータが、前記両被接合物同士を加圧する前記加圧機構の加圧方向に直交する平面視において並列に互いに分散して配置されて、前記各ピエゾアクチュエータの伸縮動作により前記被加圧物の傾きを調整し、前記両被加圧物を前記加圧機構により接触加圧した状態で、前記各ピエゾアクチュエータの伸縮動作にて縦振動を印加する加圧方法からなる(請求項2)。
また、上記課題を解決するために本発明に係る接合装置は、対向配置された2つの保持ツールを備え、前記両保持ツールそれぞれに保持されて対向配置された被加圧物同士を加圧する加圧装置であって、前記両保持ツールのうち、少なくとも一方の前記保持ツールにその伸縮方向における一端がそれぞれ接続された複数の伸縮機構と、前記両保持ツールそれぞれに保持された被加圧物同士を接触加圧する加圧機構とを備え、前記各伸縮機構が、前記両被接合物同士を加圧する前記加圧機構の加圧方向に直交する平面視において並列に互いに分散して配置されて、前記両被加圧物を前記加圧機構により接触加圧した状態で、前記各伸縮機構間の振動位相を制御し、前記平面視における回転方向に順次波が流れるように前記各伸縮機構を伸縮動作させて縦振動を印加する加圧装置からなる(請求項3)。
また、本発明に係る加圧装置は、対向配置された2つの保持ツールを備え、前記両保持ツールそれぞれに保持されて対向配置された被加圧物同士を加圧する加圧装置であって、前記両保持ツールのうち、少なくとも一方の前記保持ツールにその伸縮方向における一端がそれぞれ接続された複数のピエゾアクチュエータと、前記両保持ツールそれぞれに保持された被加圧物同士を接触加圧する加圧機構と備え、前記各ピエゾアクチュエータが、前記両被接合物同士を加圧する前記加圧機構の加圧方向に直交する平面視において並列に互いに分散して配置されて、前記各ピエゾアクチュエータの伸縮動作により前記被加圧物の傾きを調整し、前記両被加圧物を前記加圧機構により接触加圧した状態で、前記各ピエゾアクチュエータの伸縮動作にて縦振動を印加する加圧装置からなる(請求項4)。
振動とは低周波から超音波領域を含むものを示し、本発明に含む。また、接合には良く超音波が利用され好ましい。また、保持ツールと共振させることで大きなエネルギーを出力させることができ好ましい。従来ひとつの振動子を直列につなぐ方法が一般的であるが、複数を並列に接続することでエネルギーを増大させることができ大面積の振動が可能となる。また、大面積で高荷重をかけると単独で振動子を中央でうけると周辺のたわみが発生して、前面で均一な振動エネルギーを伝達できない。そこで、振動子となる伸縮機構を並列に複数配置することでたわみを防止し、高いエネルギーで大面積を高荷重のもと振動させることが可能となる。また、従来2次元的な動きしかできなかったものが、並列に複数個所で受けることで3次元的な動作が可能となる。また、伸縮機構とはピエゾアクチュエータ30及び/または粗動調整部38を示す。また、縦振動とは縦方向の振動成分が50%以上である振動を示す。
また、前記被加圧物の一方が転写型であり、もう一方が基材であり、前記加圧装置が表面に凹凸を持った転写型と基材とを位置合わせした後、加圧して基材を成型する成型装置であって、転写型と基材を対向保持する保持ツールのうち、少なくとも一方の保持ツールに複数の伸縮機構が接触または連結された成型機構において、転写型と基材を接触加圧した状態で、伸縮機構の伸縮動作にて縦振動を印加し、成型及び/又は転写型を抜き取ってもよい。
ナノインプリントと呼ばれる成型分野では、ナノレベルで作られた転写型を基材に押し付けナノレベルでインプリントする方法である。特に将来期待されているのは、半導体のフォトリソグラフィーに変わるインプリント方式によるパターン形成である。これは、数十ナノレベルの配線パターンによるさらなる微細化とコストダウンを目的とする。基材がガラスのような硬い材料の場合には、特に前述のように振動を印加して食い込ますことが有効である。また、樹脂をコーティングした基材などの場合は、加熱やUV照射により樹脂硬化後、型を抜くには樹脂が収縮しているため困難であり、前述のように振動を印加しながら抜くことが好ましい。基材としては、ウエハーのような大面積なものが一般的であり、大面積で高荷重のもと振動を与えられる方式である、少なくとも一方の保持ツールに複数の伸縮機構が接触または連結された成型機構において、転写型と基材を接触加圧した状態で、伸縮機構の伸縮動作にて縦振動を印加し、成型及び/又は転写型を抜き取る前記方法が有効である。
振動子となる伸縮機構の配置位置としては、例えば被接合物であるウエハーの中心から円周上に等間隔で配置されることが荷重を均等に受け、かつ、振動を均等に与え、共振させやすいことから好ましい。最少数としては面で傾かないように受けるには3となる。また、3次元的な動作をさせる上でも3が好ましい。円周上に3箇所配置することが最少数であり、効率的で安定する。
また、複数の伸縮機構間の振動位相を制御する手段を備え、前記成型時または転写型抜き取り時に転写型と基材を接触加圧した状態で、複数の伸縮機構間の振動位相を制御し、回転方向に順次波がながれるように伸縮動作させ成型及び/又は転写型を抜き取ってもよい。
並列に配置された伸縮機構の振動位相を制御してやることで3次元的な動作が可能となる。特に円周上等間隔に3箇所に配置されている場合は、振動印加手段によって例えばサインカーブからなる伸縮電圧を印加し、位相を120°ずつずらしてやれば回転方向に順次波がながれるが如く3次元的な振動動作をさせることができる。前述のように単純に縦振動だけよりもウェーブのようなひねり動作を加えた、抜き勾配ができるような3次元的な動作が型を抜きやすく、また、基材にも食い込ませ易い。特に全面が均等に加圧するのと比べ、ある部分に集中荷重がかかりながら移動していくことで、少ない荷重で加工しやすい。また、型抜きにおいては押しつけながら、角度をつけて斜めに順次抜くことができるので非常に有効な手段となる。ここでいう振動とはこのような3次元的な連続動作も含む。
また、複数の伸縮機構間の振動振幅を制御する手段を備え、前記転写型と基材を接触加圧した状態で、複数の伸縮機構間の振動位相を制御し、回転方向に順次波がながれるように伸縮動作させ、かつ、振幅を変化させ成型してもよい。
前述の位相をずらすことで波が流れるが如く動作させることができるが、これに中央が凸型でなだらかな円周で示されるR状の保持ツールで、前記位相制御しながら1回転おきに振幅も段階的に増大してやることで、中央から周辺に対して渦巻状の軌跡を描くことができる。その状態を図6に示す。振幅を増加させてやることで接点は中央から周辺へ移行されることが分かる。そうすることでボイドが抜け、かつ、1点集中荷重となるのでより低荷重のもとより高荷重が必要な加工や型抜きが可能となる。また、型抜きにおいては押し付けながら順次抜くことができるので非常に有効な手段となる。また、増大した振幅は序々に減少させたり、イニシャルに戻して再び増加させるなど方法を選択してやることができる。
また、複数の圧力検出素子を備え、前記保持ツールの少なくとも一方に圧力検出素子が配置された接合機構において、加圧して保持ツール間の傾きを圧力検出素子で検出し、伸縮機構で傾きを補正した後、伸縮機構の振動を加えて成型する成型装置において、伸縮機構の出力電圧を平行調整した値をバイアスとして、振動電圧を印加する振動印加手段を備えてもよい。
また、ミクロン台の凹凸の成型を行う場合は、転写型と基材の平行調整もサブミクロン台で必要となる。振動を印加する場合は平行調整した上での振動印加が必要であるが、従来の成型装置にはサブミクロン台で平行調整できる機能はないため、サブミクロン台のナノインプリントは実質できなかった。本発明においては、複数の並列配置された圧力検出素子により圧力分布が均一になるように平行調整を自動的に行うことで微小なミクロン台の平行調整が可能となる。また、圧力検出素子は伸縮機構と同配置で対向面またはピエゾ後部に配置することが制御し易く好ましい。振動を印加する場合は、平行調整された状態で振幅を印加してやる必要があり、各伸縮機構において、伸縮機構の出力電圧を平行調整した値をバイアスとして、振動電圧を印加することで達成できる。また、ピエゾの伸縮量は数μmと限られているため、効率的に使用する必要がある。
成型型を抜き取るにあたって基材表面が粘着性があったり、型と引っ付き易い場合、型抜きができなかったり、型に基材が付着して抜き形状に不良がでたりする。プラズマ照射することで表面改質を行い、型と引っ付きにくくすることで型抜きが容易となる。また、反応ガスを選択すれば表面を軟化させて成型しやすくすることもできる。また、成型型においても使用しているうちに樹脂や汚れが付着し、型抜き時に基材同様不具合が生じるため、成型前にプラズマ照射による表面処理すれば、付着物が洗浄されきれいな型抜きが可能となる。プラズマとは減圧プラズマと大気圧プラズマを含む。大気圧プラズマであれば真空チャンバーが不要で扱い易く、表面改質などの化学処理には好適である。反応ガスとしては水素や酸素などが一例としてあげられるが、いかなるガスであっても本発明に含む。
表面処理と成型を同一チャンバー内で行うことにより表面処理後、直ちに成型できるため、再付着や改質が衰える前に成型、型抜きすることができる。また、被成型物のハンドリングが不要となるのでパーティクルの付着などを防ぐことができる。また、前記プラズマを照射しながら接触させる前記に記載の方法及び接合装置からなる。プラズマを照射しながら接触すれば接触直前まで表面は洗浄、改質された状態であるのでより成型や型抜きされやすい。
振動エネルギーは接触面積に比例して増大させてやることが好ましく、余分なエネルギーはダメージを発生させるため避けたい。そのため、成型時には振動エネルギーを上昇するカーブで増大させてやり、型抜き時には下降するカーブで減少させてやることで、ダメージなく、最適なエネルギーを供給してやることができる。そのため、ナノレベルでの微小な型成型や型抜きが達成できる。
また、前記成型荷重が300Mpa以下でもよい。成型時においては、比較的やわらかい金属である金やガラスにおいても300MPa以上の加圧力を必要としていたが、振動を付加することで荷重の減少が可能となる。例えば、150MPaでの成型が可能であった。
また、前記転写型引き抜き時に減圧してもよい。例えば大気圧で転写型を押し付けた場合、気泡が噛み込んで押し付けられている。型抜き時に減圧すれば、噛み込んだ気泡により転写型が押されるかたちで、型抜きがしやすくなる。
また、減圧チャンバーと両保持ツールを支える手段が分離され、摺動できる封止構造であってもよい。加圧力や振動を印加するにあたり、チャンバーとつながっていると真空引き時のチャンバーのひずみにより影響を受けてしまう。また、アライメント精度においても同様な影響が起こるため、両保持ツールを支持する手段と減圧チャンバーはOリングまたはベローズで摺動できる封止構造としながら分離することが望ましい。
お互いに密着し合う面形状をした成型部には小さなゴミとなるパーティクルが存在した場合、パーティクル周辺に隙間ができ、大きくボイドとなって成型されない部分が現れる。これを回避するには振動を印加することで、パーティクル部に応力が集中するため砕けるか、基材内に埋没させることができる。特に真空中であれば隙間に空気が存在しないため、パーティクルさえ粉砕または埋没させることで空隙なく良好な成型が可能となる。通常一般的に市販されているウエハーにおいても0.2μm以上のパーテクルが数十個存在するため、本方式は有効である。
また、前記基材が半導体またはMEMS用途のウエハーまたはチップでもよい。
ナノインプリント成型が求められる分野としては微小な構造体を成型するMEMSや前述した将来のフォトリソグラフィーに変わる半導体のパターン形成にもっとも有効な発明である。
また、前記被加圧物が加圧を伴い接合する被接合物であり、前記加圧装置が被接合物同士を接合する接合装置であって、両被接合物を対向保持する保持ツールのうち、少なくとも一方の保持ツールの被接合物と対向面に複数の伸縮機構が接触または連結された接合機構において、両被接合物を接触加圧した状態で、伸縮機構の伸縮動作にて縦振動を印加してもよい。
被接合物同士を接合する方法において、従来から超音波振動を印加して接合する方法が知られている。ここでいう振動とは低周波から超音波領域を含むものを示し、本発明に含む。また、接合には良く超音波が利用され好ましい。また、保持ツールと共振させることで大きなエネルギーを出力させることができ好ましい。また、加熱接合する場合や表面活性化による接合の場合においても、振動を印加することで接合界面の応力が増すことから接合荷重は約半分の荷重で接合が行われる。これは、接合するには微小な界面の凹凸が押しつぶされて密着する必要があることから、振動による応力増加が寄与するためである。また、被接合物としてウエハーのような大面積なものの場合には、大面積で高荷重のもと振動を与えられる方式である、少なくとも一方の保持ツールの被接合物と対向面に複数の伸縮機構が接触または連結された接合機構において、両被接合物を接触加圧した状態で、伸縮機構の伸縮動作にて縦振動を印加し接合する前記方法が有効である。
また、複数の伸縮機構間の振動位相を制御する手段を備え、前記両被接合物を接触加圧した状態で、複数の伸縮機構間の振動位相を制御し、回転方向に順次波がながれるように伸縮動作させ接合してもよい。
並列に配置された伸縮機構の振動位相を制御してやることで3次元的な動作が可能となる。特に円周上等間隔に3箇所に配置されている場合は、振動印加手段によって例えばサインカーブからなる伸縮電圧を印加し、位相を120°ずつずらしてやれば回転方向に順次波がながれるが如く3次元的な振動動作をさせることができる。前述のように単純に縦振動だけよりもウェーブのような波がながれるが如く動作を加えた方が、接合時に噛み込んだ空気や真空においても発生する界面の隙間から生じるボイドを抜くことが順次押し出すことで可能となる。また、接合においても集中荷重が順次流れていくので前述原理からなる微小凹凸を密着させる接合にも有効である。特に全面が均等に加圧するのと比べ、ある部分に集中荷重がかかりながら移動していくことで、少ない荷重で接合し易い。ここでいう振動とはこのような3次元的な連続動作も含む。
また、複数の伸縮機構間の振動振幅を制御する手段を備え、前記両被接合物を接触加圧した状態で、複数の伸縮機構間の振動位相を制御し、回転方向に順次波がながれるように伸縮動作させ、かつ、振幅を変化させ接合してもよい。
前述の位相をずらすことで波が流れるが如く動作させることができ、これに中央が凸型でなだらかな円周で示されるR状の保持ツールで、前記位相制御しながら1回転おきに振幅も段階的に増大してやることで、中央から周辺に対して渦巻状の軌跡を描くことができる。その状態を図6に示す。振幅を増加させてやることで接点は中央から周辺へ移行されることが分かる。そうすることでボイドが抜け、かつ、1点集中荷重となるのでより低荷重のもと、より高荷重が必要な接合が可能となる。また、増大した振幅は序々に減少させたり、イニシャルに戻して再び増加させるなど方法を選択してやることができる。ここでいう振動とはこのような3次元的な連続動作も含む。
また、複数の圧力検出素子を備え、前記保持ツールの少なくとも一方に圧力検出素子が配置された接合機構において、加圧して保持ツール間の傾きを圧力検出素子で検出し、伸縮機構で傾きを補正した後、伸縮機構の振動を加えて接合する接合装置において、伸縮機構の出力電圧を平行調整した値をバイアスとして、振動電圧を印加する振動印加手段を備えてもよい。
接合においては前述のように面同士を密着させる必要があることから、被接合物間の平行調整もサブミクロン台で必要となる。また、この平行度がずれていると無理やりならわすことで高精度に位置合わせしたものがずれてしまう。また、振動を印加する場合は平行調整した上での振動印加が必要である。本発明においては、複数の並列配置された圧力検出素子により圧力分布が均一になるように平行調整を自動的に行うことで微小なミクロン台の平行調整が可能となる。また、圧力検出素子は伸縮機構と同配置で対向面またはピエゾ後部に配置することが制御し易く好ましい。振動を印加する場合は、平行調整された状態で振幅を印加してやる必要があり、各伸縮機構において、伸縮機構の出力電圧を平行調整した値をバイアスとして、振動電圧を印加することで達成できる。また、ピエゾの伸縮量は数μmと限られているため、効率的に使用する必要がある。
また、減圧チャンバーと両保持ツールを支える手段が分離され、摺動できる封止構造であってもよい。加圧力や振動を印加するにあたり、チャンバーとつながっていると真空引き時のチャンバーのひずみにより影響を受けてしまう。また、アライメント精度においても同様な影響が起こるため、両保持ツールを支持する手段と減圧チャンバーはOリングまたはベローズで摺動できる封止構造としながら分離することが望ましい。
また、前記エネルギー波を照射しながら接触させてもよい。エネルギー波を照射しながら接合すれば接触直前まで表面は洗浄、活性化された状態であるのでより接合されやすい。特に活性化はダングリングボンドが消滅するまでに接合する必要があり、材料によっては短い時間で消滅してしまうものもある。
また、少なくとも前記一方の被接合物が半導体であり、各被接合物の接合面を+−両電界に切り替わるRFプラズマ電源またはパルス波によるプラズマ電源からなるプラズマで洗浄してもよい。また、前記RFプラズマのVdcが調整可能である、または、前記パルス波の幅が調整可能であってもよい。前記に記載の方法からなる。また、前記RFプラズマのVdcが調整可能であるプラズマ電源を備え、または、前記パルス波の幅が調整可能であるプラズマ電源を備えた前記に記載の接合装置からなる。少なくとも一方の被接合物が半導体である場合などでは、+イオンや−電子が半導体の回路面に衝突すると、回路、特にゲート酸化膜などにチャージアップダメージを与えることになる。これを回避するために+イオンと−電子を交互に衝突させることにより電荷がチャージする前に中和させてしまうことができる。そうすることによりチャージアップダメージを回避することが可能となる。また、前記交番電源が1:5より均等に切り替わる方法及び接合装置からなる。交互に切り替わる比率としては1:5より均等であればチャージアップダメージを軽減できる。また、1:2より均等であればより好ましい。また、前記交番電源においてVdcが−値であり、+領域が20%〜40%である方法及び接合装置からなる。また、Arや酸素プラズマなどは+イオンとなるため、加速して洗浄面に衝突させエッチングするためには、被接合物を保持する電極は−電界である必要がある。そのため、Vdc値は−であることが好ましい。
また、前記Vdc値を調整できる交番電源からなるプラズマであってもよい。+−を均等にしすぎると+イオンが衝突する機会が減るため洗浄能力が減少する。また、−電子によるチャージアップダメージが発生する。そのため、アプリケーション毎に最適なVdc値を調整できるようにすることにより、チャージアップダメージを起こさず最適な洗浄能力を発揮することができ、効果がある。
また、前記交番電源がRFプラズマであってもよい。交番電源として交流からなるRFプラズマを使用することで交互に電界を+−切り替えることが容易にできる。また、前記Vdc値の調整で容易に+と−の割合を調整可能である。
また、前記交番電源がパルス波からなるプラズマであってもよい。交番電源としてパルス波を用いることができる。パルス波であれば急峻な立ち上がりと立ち下げが可能であり、洗浄能力もアップする。
また、前記パルス波が+領域時間と−領域時間を調整可能な交番電源からなるプラズマであってもよい。また、Vdc値の調整だけでなく、パルス幅や間隔を調整することで+−の割合や衝突時間を管理できるので交流であるRFよりより細かく設定が可能となり、最適な値を探し出しやすい。また、前記接合時に180℃以内に加熱する項2〜31のいずれかに記載の方法からなる。
また、前記接合時に180℃以内に加熱する加熱手段を備えてもよい。接合時に加熱を併用することで接合マージンがアップする。また、従来常温では接合できなかったものも接合可能となる。特に活性化時間の短いものは再付着も早く、加熱併用することで接合界面での粒界拡散がし易くなり接合し易くなる。従来の低温接合は鉛錫ハンダが183℃であるのでそれ以下の温度で接合できることは有効である。また、150℃以下、100℃以下での接合も可能で好ましい。また、室温であればさらに良い。特に金であれば室温で接合し易く好ましい。
2 Z軸昇降機構
3 θ軸回転機構
4 圧力検出手段
5 ベローズ
6 XYアライメントテーブル
7 ヘッド
8 ステージ(プラズマ電極、ヒータ、保持手段)
9 下ウエハー
10 上ウエハー
11 減圧チャンバー
12 ヘッド側ウエハー認識カメラ
13 ステージ側ウエハー認識カメラ
14 ガラス窓
15 排気管
16 排気弁
17 真空ポンプ
18 吸気管
19 吸気弁
20 吸入ガス切り替え弁
21 Ar
22 O2
23 大気
24 保持ツール保持部
25 保持ツール(プラズマ電極、ヒータ、保持手段)
26 振動子
27 上アライメントマーク
28 下アライメントマーク
29 スライド移動手段
30 ピエゾアクチュエータ
31 圧力検出素子
32 転写型保持ツール
33 基材保持ツール
34 転写型
35 基材
36 Oリング
37 支柱
38 粗動調整部
39 アライメントマーク認識カメラ
40 フレーム
Claims (5)
- 対向配置された2つの保持ツールを備え、前記両保持ツールそれぞれに保持されて対向配置された被加圧物同士を加圧する加圧方法であって、前記両保持ツールのうち、少なくとも一方の前記保持ツールにその伸縮方向における一端がそれぞれ接続された複数の伸縮機構と、前記両保持ツールそれぞれに保持された被加圧物同士を接触加圧する加圧機構とを備え、前記各伸縮機構が、前記両被接合物同士を加圧する前記加圧機構の加圧方向に直交する平面視において並列に互いに分散して配置されて、前記両被加圧物を前記加圧機構により接触加圧した状態で、前記各伸縮機構間の振動位相を制御し、前記平面視における回転方向に順次波が流れるように前記各伸縮機構を伸縮動作させて縦振動を印加する加圧方法。
- 対向配置された2つの保持ツールを備え、前記両保持ツールそれぞれに保持されて対向配置された被加圧物同士を加圧する加圧方法であって、前記両保持ツールのうち、少なくとも一方の前記保持ツールにその伸縮方向における一端がそれぞれ接続された複数のピエゾアクチュエータと、前記両保持ツールそれぞれに保持された被加圧物同士を接触加圧する加圧機構とを備え、前記各ピエゾアクチュエータが、前記両被接合物同士を加圧する前記加圧機構の加圧方向に直交する平面視において並列に互いに分散して配置されて、前記各ピエゾアクチュエータの伸縮動作により前記被加圧物の傾きを調整し、前記両被加圧物を前記加圧機構により接触加圧した状態で、前記各ピエゾアクチュエータの伸縮動作にて縦振動を印加する加圧方法。
- 対向配置された2つの保持ツールを備え、前記両保持ツールそれぞれに保持されて対向配置された被加圧物同士を加圧する加圧装置であって、前記両保持ツールのうち、少なくとも一方の前記保持ツールにその伸縮方向における一端がそれぞれ接続された複数の伸縮機構と、前記両保持ツールそれぞれに保持された被加圧物同士を接触加圧する加圧機構とを備え、前記各伸縮機構が、前記両被接合物同士を加圧する前記加圧機構の加圧方向に直交する平面視において並列に互いに分散して配置されて、前記両被加圧物を前記加圧機構により接触加圧した状態で、前記各伸縮機構間の振動位相を制御し、前記平面視における回転方向に順次波が流れるように前記各伸縮機構を伸縮動作させて縦振動を印加する加圧装置。
- 対向配置された2つの保持ツールを備え、前記両保持ツールそれぞれに保持されて対向配置された被加圧物同士を加圧する加圧装置であって、前記両保持ツールのうち、少なくとも一方の前記保持ツールにその伸縮方向における一端がそれぞれ接続された複数のピエゾアクチュエータと、前記両保持ツールそれぞれに保持された被加圧物同士を接触加圧する加圧機構と備え、前記各ピエゾアクチュエータが、前記両被接合物同士を加圧する前記加圧機構の加圧方向に直交する平面視において並列に互いに分散して配置されて、前記各ピエゾアクチュエータの伸縮動作により前記被加圧物の傾きを調整し、前記両被加圧物を前記加圧機構により接触加圧した状態で、前記各ピエゾアクチュエータの伸縮動作にて縦振動を印加する加圧装置。
- 前記各ピエゾアクチュエータの配置数が3であり、前記平面視において円周上に等間隔で配置されている請求項4に記載の加圧装置。
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