JP2011119717A - 接合システムおよび接合方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】この接合システムは、Au(金)、Cu(銅)およびAl(アルミニウム)のいずれかで構成される接合部分PT1とSi(シリコン)、SiO2(二酸化シリコン)およびガラスのいずれかで構成される接合部分PT2とをその接合表面にそれぞれ有する2つの被接合物91,92を接合する。当該接合システムは、2つの被接合物91,92の各接合表面に対してエネルギー波による親水化処理を行い、その後、2つの被接合物91,92における接合部分PT1同士を接触させ且つ2つの被接合物91,92における接合部分PT2同士を接触させた状態で2つの被接合物91,92を加圧し接合する。
【選択図】図3
Description
図1および図2は、本発明の実施形態に係る接合装置(接合システムとも称される)1を示す縦断面図である。当該接合装置1は、2つの両被接合物91,92を接合する装置である。なお、図1および図2においては、便宜上、XYZ直交座標系を用いて方向等を示している。
図3は、この実施形態における接合対象である両被接合物91,92の詳細構成を示す断面図である。なお、図3等においては、図示の都合上、パッド93およびバンプ94(後述)が誇張して示されている。
図11は、この実施形態に係る動作を示すフローチャートである。図11を参照しながら、この実施形態に係る動作について説明する。
以上、この発明の実施の形態について説明したが、この発明は上記説明した内容のものに限定されるものではない。
2 真空チャンバ
12 ステージ
12d,22d 電極
22 ヘッド
23 アライメントテーブル
28 位置認識部
91,92 被接合物
93 Auパッド
94 Auバンプ
PT1,PT2 接合部分
Claims (11)
- Au(金)、Cu(銅)およびAl(アルミニウム)のいずれかで構成される第1の接合部分とSi(シリコン)、SiO2(二酸化シリコン)およびガラスのいずれかで構成される第2の接合部分とをその接合表面にそれぞれ有する2つの被接合物を接合する接合システムであって、
前記2つの被接合物の各接合表面に対してエネルギー波による親水化処理を行う第1の表面活性化処理手段と、
前記2つの被接合物における前記第1の接合部分同士を接触させ且つ前記2つの被接合物における前記第2の接合部分同士を接触させた状態で前記2つの被接合物を加圧することによって、前記2つの被接合物を接合する接合手段と、
を備える接合システム。 - 請求項1に記載の接合システムにおいて、
前記2つの被接合物は、第1の被接合物と第2の被接合物とを有し、
前記第1の被接合物の前記第1の接合部分における第1の基準面からの接合方向の厚さと前記第2の被接合物の前記第1の接合部分における第2の基準面からの接合方向の厚さとの和は、前記第1の被接合物の前記第2の接合部分における前記第1の基準面からの接合方向の厚さと前記第2の被接合物の前記第2の接合部分における前記第2の基準面からの接合方向の厚さとの和よりも大きいことを特徴とする接合システム。 - 請求項1または請求項2に記載の接合システムにおいて、
前記接合手段は、前記2つの被接合物を180℃以下の温度にまで昇温した状態で、当該2つの被接合物を接合することを特徴とする接合システム。 - 請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の接合システムにおいて、
前記親水化処理は、酸素プラズマを用いて実行されることを特徴とする接合システム。 - 請求項4に記載の接合システムにおいて、
前記親水化処理は、窒素ラジカルをも用いて実行されることを特徴とする接合システム。 - 請求項1ないし請求項5のいずれかに記載の接合システムにおいて、
前記親水化処理の前に、エネルギー波を用いた物理的な表面活性化処理を前記各接合表面に対して施す第2の表面活性化処理手段、
をさらに備えることを特徴とする接合システム。 - 請求項6に記載の接合システムにおいて、
前記物理的な表面活性化処理は、Ar(アルゴン)プラズマによる表面活性化処理を含むことを特徴とする接合システム。 - Au(金)、Cu(銅)およびAl(アルミニウム)のいずれかで構成される第1の接合部分とSi(シリコン)、SiO2(二酸化シリコン)およびガラスのいずれかで構成される第2の接合部分とをその接合表面にそれぞれ有する2つの被接合物を接合する接合システムであって、
前記2つの被接合物の各接合表面に対してエネルギー波による親水化処理を行う表面活性化処理装置と、
前記2つの被接合物における前記第1の接合部分同士を接触させ且つ前記2つの被接合物における前記第2の接合部分同士を接触させた状態で前記2つの被接合物を加圧することによって、前記2つの被接合物を接合する接合装置と、
前記表面活性化処理装置で前記親水化処理が施された前記2つの被接合物を前記接合装置に大気搬送する搬送装置と、
を備える接合システム。 - Au(金)、Cu(銅)およびAl(アルミニウム)のいずれかで構成される第1の接合部分とSi(シリコン)、SiO2(二酸化シリコン)およびガラスのいずれかで構成される第2の接合部分とをその接合表面にそれぞれ有する2つの被接合物を接合する接合方法であって、
a)前記2つの被接合物の各接合表面に対してエネルギー波による親水化処理を行うステップと、
b)前記2つの被接合物における前記第1の接合部分同士を接触させ且つ前記2つの被接合物における前記第2の接合部分同士を接触させた状態で、前記2つの被接合物を加圧することによって、前記2つの被接合物を接合するステップと、
を備える接合方法。 - Au(金)、Cu(銅)およびAl(アルミニウム)のいずれかで構成される第1の接合部分とSi(シリコン)、SiO2(二酸化シリコン)およびガラスのいずれかで構成される第2の接合部分とをその接合表面にそれぞれ有する2つの被接合物を接合する接合方法であって、
a)前記2つの被接合物の各接合表面に対してエネルギー波による親水化処理を行うステップと、
b)前記親水化処理が施された前記2つの被接合物を接合装置へと大気搬送するステップと、
c)前記接合装置において、前記2つの被接合物における前記第1の接合部分同士を接触させ且つ前記2つの被接合物における前記第2の接合部分同士を接触させた状態で前記2つの被接合物を加圧することによって、前記2つの被接合物を接合するステップと、
を備える接合方法。 - Au(金)、Cu(銅)およびAl(アルミニウム)のいずれかで構成される第1の接合部分とSi(シリコン)、SiO2(二酸化シリコン)およびガラスのいずれかで構成される第2の接合部分とをその接合表面にそれぞれ有する2つの被接合物を接合する接合方法であって、
a)前記2つの被接合物の各接合表面のうち少なくとも前記第1の接合部分に対して物理的な表面活性化処理を行うステップと、
b)前記2つの被接合物の各接合表面のうち少なくとも前記第2の接合部分に対してエネルギー波による親水化処理を行うステップと、
c)前記2つの被接合物における前記第1の接合部分同士を接触させ且つ前記2つの被接合物における前記第2の接合部分同士を接触させた状態で前記2つの被接合物を加圧することによって、前記2つの被接合物を接合するステップと、
を備え、
前記ステップc)における接合時の両被接合物における面平均接合圧力は、150MPa(メガパスカル)よりも小さいことを特徴とする接合方法。
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Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013243333A (ja) * | 2012-04-24 | 2013-12-05 | Tadatomo Suga | チップオンウエハ接合方法及び接合装置並びにチップとウエハとを含む構造体 |
JP2013251405A (ja) * | 2012-05-31 | 2013-12-12 | Tadatomo Suga | 金属領域を有する基板の接合方法 |
JP2013251404A (ja) * | 2012-05-31 | 2013-12-12 | Tadatomo Suga | チップの表面処理方法、接合方法、及び表面処理装置 |
JP2014113633A (ja) * | 2012-12-12 | 2014-06-26 | Bondtech Inc | 接合方法及び接合装置 |
JP2015008228A (ja) * | 2013-06-25 | 2015-01-15 | ボンドテック株式会社 | 基板接合方法 |
KR20150006845A (ko) * | 2012-04-24 | 2015-01-19 | 본드테크 가부시키가이샤 | 칩 온 웨이퍼 접합 방법 및 접합 장치, 및 칩과 웨이퍼를 포함하는 구조체 |
KR20160030164A (ko) * | 2013-07-05 | 2016-03-16 | 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 | 접촉면의 본딩을 위한 방법 |
JP2017216469A (ja) * | 2017-07-21 | 2017-12-07 | 須賀 唯知 | 金属領域を有する基板の接合方法 |
WO2018016350A1 (ja) * | 2016-07-19 | 2018-01-25 | 三菱電機株式会社 | 半導体基板及びその製造方法 |
JP2018085535A (ja) * | 2018-01-23 | 2018-05-31 | エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー | 接触面の少なくとも一方において、接触面の一方に施与された犠牲層を溶解させながら金属接触面を接合する方法 |
JP2022003713A (ja) * | 2018-08-31 | 2022-01-11 | ボンドテック株式会社 | 接合システムおよび接合方法 |
WO2023032323A1 (ja) * | 2021-09-02 | 2023-03-09 | キオクシア株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001308140A (ja) * | 2000-04-24 | 2001-11-02 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2005142537A (ja) * | 2003-10-15 | 2005-06-02 | Bondotekku:Kk | 縦振接合方法及び装置 |
JP2010135668A (ja) * | 2008-12-08 | 2010-06-17 | Panasonic Corp | 電子素子の実装方法 |
JP2011060941A (ja) * | 2009-09-09 | 2011-03-24 | Tokyo Electron Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2011517104A (ja) * | 2008-04-09 | 2011-05-26 | コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ | 基板によるチップの自己組立 |
JP2011192663A (ja) * | 2010-03-11 | 2011-09-29 | Tokyo Electron Ltd | 実装方法及び実装装置 |
WO2013161891A1 (ja) * | 2012-04-24 | 2013-10-31 | ボンドテック株式会社 | チップオンウエハ接合方法及び接合装置並びにチップとウエハとを含む構造体 |
JP2013243333A (ja) * | 2012-04-24 | 2013-12-05 | Tadatomo Suga | チップオンウエハ接合方法及び接合装置並びにチップとウエハとを含む構造体 |
-
2010
- 2010-11-04 JP JP2010247508A patent/JP5732652B2/ja active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001308140A (ja) * | 2000-04-24 | 2001-11-02 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2005142537A (ja) * | 2003-10-15 | 2005-06-02 | Bondotekku:Kk | 縦振接合方法及び装置 |
JP2011517104A (ja) * | 2008-04-09 | 2011-05-26 | コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ | 基板によるチップの自己組立 |
JP2010135668A (ja) * | 2008-12-08 | 2010-06-17 | Panasonic Corp | 電子素子の実装方法 |
JP2011060941A (ja) * | 2009-09-09 | 2011-03-24 | Tokyo Electron Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2011192663A (ja) * | 2010-03-11 | 2011-09-29 | Tokyo Electron Ltd | 実装方法及び実装装置 |
WO2013161891A1 (ja) * | 2012-04-24 | 2013-10-31 | ボンドテック株式会社 | チップオンウエハ接合方法及び接合装置並びにチップとウエハとを含む構造体 |
JP2013243333A (ja) * | 2012-04-24 | 2013-12-05 | Tadatomo Suga | チップオンウエハ接合方法及び接合装置並びにチップとウエハとを含む構造体 |
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102103811B1 (ko) * | 2012-04-24 | 2020-04-23 | 본드테크 가부시키가이샤 | 칩 온 웨이퍼 접합 방법 및 접합 장치, 및 칩과 웨이퍼를 포함하는 구조체 |
JP2013243333A (ja) * | 2012-04-24 | 2013-12-05 | Tadatomo Suga | チップオンウエハ接合方法及び接合装置並びにチップとウエハとを含む構造体 |
KR20150006845A (ko) * | 2012-04-24 | 2015-01-19 | 본드테크 가부시키가이샤 | 칩 온 웨이퍼 접합 방법 및 접합 장치, 및 칩과 웨이퍼를 포함하는 구조체 |
JPWO2013161891A1 (ja) * | 2012-04-24 | 2015-12-24 | 須賀 唯知 | チップオンウエハ接合方法及び接合装置並びにチップとウエハとを含む構造体 |
JP2013251405A (ja) * | 2012-05-31 | 2013-12-12 | Tadatomo Suga | 金属領域を有する基板の接合方法 |
JP2013251404A (ja) * | 2012-05-31 | 2013-12-12 | Tadatomo Suga | チップの表面処理方法、接合方法、及び表面処理装置 |
JP2014113633A (ja) * | 2012-12-12 | 2014-06-26 | Bondtech Inc | 接合方法及び接合装置 |
JP2015008228A (ja) * | 2013-06-25 | 2015-01-15 | ボンドテック株式会社 | 基板接合方法 |
JP2016524335A (ja) * | 2013-07-05 | 2016-08-12 | エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー | 接触面の少なくとも一方において、接触面の一方に施与された犠牲層を溶解させながら金属接触面を接合する方法 |
KR20160030164A (ko) * | 2013-07-05 | 2016-03-16 | 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 | 접촉면의 본딩을 위한 방법 |
KR20200071150A (ko) * | 2013-07-05 | 2020-06-18 | 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 | 접촉면의 본딩을 위한 방법 |
KR102124233B1 (ko) * | 2013-07-05 | 2020-06-18 | 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 | 접촉면의 본딩을 위한 방법 |
KR102158960B1 (ko) * | 2013-07-05 | 2020-09-23 | 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 | 접촉면의 본딩을 위한 방법 |
TWI775080B (zh) * | 2013-07-05 | 2022-08-21 | 奧地利商Ev集團E塔那有限公司 | 用於接觸表面之接合之方法 |
WO2018016350A1 (ja) * | 2016-07-19 | 2018-01-25 | 三菱電機株式会社 | 半導体基板及びその製造方法 |
JP2017216469A (ja) * | 2017-07-21 | 2017-12-07 | 須賀 唯知 | 金属領域を有する基板の接合方法 |
JP2018085535A (ja) * | 2018-01-23 | 2018-05-31 | エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー | 接触面の少なくとも一方において、接触面の一方に施与された犠牲層を溶解させながら金属接触面を接合する方法 |
JP2022003713A (ja) * | 2018-08-31 | 2022-01-11 | ボンドテック株式会社 | 接合システムおよび接合方法 |
WO2023032323A1 (ja) * | 2021-09-02 | 2023-03-09 | キオクシア株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP5732652B2 (ja) | 2015-06-10 |
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