JP4908217B2 - 多数領域セラミック加熱システム及びその製造方法 - Google Patents
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Description
Claims (35)
- セラミックヒータであって、
(a)多数のテープの層からなる多数のセラミック層を備えたセラミック基板と、
(b)前記セラミック基板内部に直接埋め込まれた加熱素子配置であって、前記多数のセラミック層の一つに重ね継がれた複合テープを備えた加熱素子配置と、
(c)前記加熱素子配置と作動的に関連付けられた温度センサ配置であって、前記セラミック基板内部に完全に埋め込まれている温度センサ配置と、
を備え、
前記温度センサ配置を前記セラミック基板内部に完全に埋め込むために、前記セラミック基板及び前記温度センサ配置は、互いに浸透させられているセラミックヒータ。 - 前記セラミック基板に取り付けられた中空軸をさらに備えた請求項1記載のセラミックヒータ。
- 前記多数のセラミック層が、窒化アルミニウムのセラミック複合体から成る請求項1記載のセラミックヒータ。
- 前記加熱素子配置が、モリブデンと窒化アルミニウムの複合体から成る請求項1記載のセラミックヒータ。
- 前記温度センサ配置が、モリブデンと窒化アルミニウムの複合体から成る請求項1記載のセラミックヒータ。
- 前記加熱素子配置と前記温度センサ配置に結合された伝導路をさらに備えた請求項1記載のセラミックヒータ。
- 前記伝導路は、モリブデンと窒化アルミニウムの複合体を含んでいる請求項6記載のセラミックヒータ。
- 前記伝導路に接続された導線をさらに備えた請求項6記載のセラミックヒータ。
- 前記温度センサ配置は前記加熱素子配置とマイクロプロセッサーによって作動的に関連付けられている請求項1記載のセラミックヒータ。
- 前記導線はニッケルから構成されている請求項8記載のセラミックヒータ。
- 前記加熱素子配置は多数の加熱領域を画定し、前記加熱領域の温度を個別的に測定するために、前記温度センサ配置は多数の加熱領域と作動的に関連している多数のセンサを含んでいる請求項1記載のセラミックヒータ。
- セラミックヒータであって、
(a)多数のテープの層からなる多数のセラミック層と、
(b)前記多数のセラミック層内部に直接埋め込まれ、少なくとも2つの個別で別個の加熱領域を形成する加熱素子配置であって、前記多数のセラミック層の一つに重ね継がれた複合テープを備えた加熱素子配置と、
(c)前記多数のセラミック層内部に完全に埋め込まれ、前記加熱素子配置と作動的に関連付けられている温度センサ配置と、
を備え、
前記多数のセラミック層と前記温度センサ配置は、互いに浸透させられているセラミックヒータ。 - 前記加熱素子配置は、低い温度抵抗係数を示す材料から製造されている請求項12記載のセラミックヒータ。
- 前記加熱素子配置は、モリブデンと窒化アルミニウムの複合体から製造されている請求項12記載のセラミックヒータ。
- 前記温度センサ配置は、モリブデンと窒化アルミニウムの複合体を含んでいる請求項12記載のセラミックヒータ。
- 前記多数のセラミック層を貫通して横切る伝導路をさらに備えた請求項12記載のセラミックヒータ。
- 前記伝導路は、モリブデンと窒化アルミニウムの複合体を含んでいる請求項16記載のセラミックヒータ。
- 前記伝導路に結合された導線をさらに備えた請求項16記載のセラミックヒータ。
- 複数の前記加熱領域の温度を個別的に測定するために、前記温度センサ配置は、少なくとも2つの加熱領域と作動的に関連する少なくとも2つのセンサを含んでいる請求項12記載のセラミックヒータ。
- 半導体ウェハーに渡って一様な温度を維持するための加熱システムであって、
(a)セラミックヒータは、
(i)セラミック基板を形成する多数のテープの層からなる多数のセラミック層と、
(ii)前記多数のセラミック層の内部に直接埋め込まれた加熱素子配置であって、前記多数のセラミック層の一つに重ね継がれた複合テープを備えた加熱素子配置と、
(iii)前記多数のセラミック層の内部に直接埋め込まれた温度センサ配置であって、前記加熱素子配置と作動的に関連付けられた温度センサ配置と、
を備え、
(b)マイクロプロセッサーが、前記半導体ウェハーの表面に渡って一様な温度分布を維持するために、前記加熱素子配置と前記温度検出配置とに作動的に関連付けられており、
前記温度センサ配置を前記多数の前記セラミック層内部に完全に埋め込むために、前記多数のセラミック層と前記温度センサ配置は、互いに浸透させられている加熱システム。 - 前記加熱素子配置が、モリブデンと窒化アルミニウムの複合体から製造されている請求項20記載の加熱システム。
- 前記温度検出配置が前記多数のセラミック層の2つの間に適用されている請求項20記載の加熱システム。
- 前記加熱素子配置は多数の加熱領域を画定し、前記加熱領域の温度を個別的に測定するために、前記温度センサ配置は多数の加熱領域と作動的に関連している多数のセンサを含んでいる請求項20記載の加熱システム。
- 物体に一定で一様な熱源を付与する方法であって、
(a)(i)多数のテープの層からなる多数のセラミック層と、
(ii)前記多数のセラミック層の内部に直接埋め込まれた加熱素子配置であって、前記加熱素子配置は少なくとも2つの独立した別個の加熱領域を形成しており、前記加熱素子配置は前記多数のセラミック層の一つに重ね継がれた複合テープを備え、
(iii)前記多数のセラミック層の内部に完全に埋め込まれた温度センサであって、前記温度センサは分離して、前記加熱素子配置と作動的に関連付けられており、前記温度センサを前記セラミック層内部に完全に埋め込むために、複数の前記セラミック層及び温度センサは、互いに浸透させられていることと、
を備えたセラミックヒータ準備する工程と、
(b)前記物体を前記セラミックヒータと伝達するように配置する工程と、
(c)前記物体の表面に渡って異なっている温度を検出する前記温度センサを可能ならしめる工程と、
(d)前記物体に渡っての前記異なっている温度を除去するために前記加熱素子配置を調整する工程と、
を備えた物体に一定で一様な熱源を付与する方法。 - 前記物体が半導体ウェハーである請求項24記載の方法。
- 前記加熱素子配置を調整する工程は前記加熱素子配置の作動的制御を管理するマイクロプロセッサーによって達成される請求項24記載の方法。
- 前記異なっている温度を除去するための前記工程は、前記物体のより冷たい領域により多くの熱を供給し、より熱い領域により少ない熱を供給する前記加熱素子配置により達成される請求項24記載の方法。
- 複数の前記加熱領域の温度を個別的に測定するために、前記温度センサは、少なくとも2つの加熱領域と作動的に関連する少なくとも2つのセンサを含んでいる請求項24記載の方法。
- 半導体ウェハーを化学蒸着法及びエッチング環境で加熱するためのセラミックヒータを製造する方法であって、
(a)多数のテープの層を準備する工程と、
(b)前記多数のテープの層の1つの内部に、複合テープを備えた加熱素子配置を配置し、前記多数のテープの層の一つに前記複合テープを重ね継ぐ工程と、
(c)前記多数のテープの層の1つに前記加熱素子配置から分離している温度センサを適用する工程と、
(d)前記多数のテープの層を共に配置する工程と、
(e)前記多数のテープの層からセラミック複合体を形成する工程であって、前記加熱素子配置と前記温度センサは、一工程で前記セラミックヒータ内に焼結され、前記加熱素子配置と前記温度センサとが完全に前記セラミック複合体内部に埋め込まれる前記多数のテープの層からセラミック複合体を形成する工程と、
を備えたセラミックヒータを製造する方法。 - 前記加熱素子配置と前記温度センサへの伝導路を前記セラミック複合体の内部に提供する工程をさらに備えた請求項29記載のセラミックヒータを製造する方法。
- 前記伝導路に導線を取り付ける工程をさらに備えた請求項29記載のセラミックヒータを製造する方法。
- 前記一工程の焼結工程は、前記温度センサを前記多数のテープの層内部に完全に埋め込むために、前記多数のテープの層と前記温度センサとを互いに浸透させる請求項29記載のセラミックヒータを製造する方法。
- 前記テープは窒化アルミニウムの複合体を備える請求項29記載のセラミックヒータを製造する方法。
- 前記多数のテープの層の1つに温度センサを適用する工程は、前記多数のテープの層の1つにインクを適用する工程を含む請求項29記載のセラミックヒータを製造する方法。
- 前記インクは、モリブデン及び窒化アルミニウムと結合したモリブデンからなる群から選択される請求項29記載のセラミックヒータを製造する方法。
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