JP2001217059A - 加熱装置 - Google Patents
加熱装置Info
- Publication number
- JP2001217059A JP2001217059A JP2000026582A JP2000026582A JP2001217059A JP 2001217059 A JP2001217059 A JP 2001217059A JP 2000026582 A JP2000026582 A JP 2000026582A JP 2000026582 A JP2000026582 A JP 2000026582A JP 2001217059 A JP2001217059 A JP 2001217059A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistance heating
- heating element
- heating device
- base
- terminals
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims abstract description 132
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 claims description 7
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 6
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 abstract 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 4
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B1/00—Details of electric heating devices
- H05B1/02—Automatic switching arrangements specially adapted to apparatus ; Control of heating devices
- H05B1/0227—Applications
- H05B1/023—Industrial applications
- H05B1/0233—Industrial applications for semiconductors manufacturing
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/10—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor
- H05B3/12—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material
- H05B3/14—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material the material being non-metallic
- H05B3/141—Conductive ceramics, e.g. metal oxides, metal carbides, barium titanate, ferrites, zirconia, vitrous compounds
- H05B3/143—Conductive ceramics, e.g. metal oxides, metal carbides, barium titanate, ferrites, zirconia, vitrous compounds applied to semiconductors, e.g. wafers heating
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/20—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater
- H05B3/22—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible
- H05B3/28—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible heating conductor embedded in insulating material
- H05B3/283—Heating elements having extended surface area substantially in a two-dimensional plane, e.g. plate-heater non-flexible heating conductor embedded in insulating material the insulating material being an inorganic material, e.g. ceramic
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Resistance Heating (AREA)
- Surface Heating Bodies (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】加熱装置において、高温領域を含む広い温度範
囲で加熱面における温度差の増加やヒートスポットの発
生を防止できるようにする。 【解決手段】加熱装置１は、加熱面２Ａを有するセラミ
ックス製の基体２と、基体２内に埋設されている複数体
の抵抗発熱体３、４と、各抵抗発熱体に対してそれぞれ
交流電力を供給するために各抵抗発熱体ごとに設けられ
ている一対の端子６、５と、各抵抗発熱体に対応する各
対の端子６、５に対してそれぞれ交流電力を供給するた
めに接続されている交流電源１１Ａ、１１Ｂとを備えて
いる。各交流電源と各対の端子との間に、それぞれ絶縁
トランス１０Ａ、１０Ｂが介在している。
囲で加熱面における温度差の増加やヒートスポットの発
生を防止できるようにする。 【解決手段】加熱装置１は、加熱面２Ａを有するセラミ
ックス製の基体２と、基体２内に埋設されている複数体
の抵抗発熱体３、４と、各抵抗発熱体に対してそれぞれ
交流電力を供給するために各抵抗発熱体ごとに設けられ
ている一対の端子６、５と、各抵抗発熱体に対応する各
対の端子６、５に対してそれぞれ交流電力を供給するた
めに接続されている交流電源１１Ａ、１１Ｂとを備えて
いる。各交流電源と各対の端子との間に、それぞれ絶縁
トランス１０Ａ、１０Ｂが介在している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、セラミックスヒー
ターを用いた加熱装置に関するものである。
ターを用いた加熱装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造装置においては、熱ＣＶＤな
どによってシランガスなどの原料ガスから半導体薄膜を
製造する当たって、基板であるウエハーを加熱するため
のセラミックスヒーターが具えられている。
どによってシランガスなどの原料ガスから半導体薄膜を
製造する当たって、基板であるウエハーを加熱するため
のセラミックスヒーターが具えられている。
【０００３】セラミックスヒーターにおいては、いわゆ
る２ゾーンヒーターと呼ばれる構成のものが知られてい
る。２ゾーンヒーターにおいては、セラミックス基体中
に、モリブデンなどの高融点金属からなる内側抵抗発熱
体と外側抵抗発熱体とを埋設し、これら抵抗発熱体にそ
れぞれ別個の電流導入端子を接続し、各抵抗発熱体に所
定の電圧を印加することにより、内側抵抗発熱体および
外側抵抗発熱体を独立に制御する。
る２ゾーンヒーターと呼ばれる構成のものが知られてい
る。２ゾーンヒーターにおいては、セラミックス基体中
に、モリブデンなどの高融点金属からなる内側抵抗発熱
体と外側抵抗発熱体とを埋設し、これら抵抗発熱体にそ
れぞれ別個の電流導入端子を接続し、各抵抗発熱体に所
定の電圧を印加することにより、内側抵抗発熱体および
外側抵抗発熱体を独立に制御する。
【０００４】また、特開平５−３２６１１２号公報にお
いては、セラミックスヒーターの抵抗発熱体を、複数の
高融点金属などからなる回路パターンによって構成し、
それぞれの回路パターンを互いの欠損部分が補われるよ
うにして配置している。具体的には、一つの回路パター
ンの折れ目又は折り返し部などにおいて、他の回路パタ
ーンを重ね合わせている。
いては、セラミックスヒーターの抵抗発熱体を、複数の
高融点金属などからなる回路パターンによって構成し、
それぞれの回路パターンを互いの欠損部分が補われるよ
うにして配置している。具体的には、一つの回路パター
ンの折れ目又は折り返し部などにおいて、他の回路パタ
ーンを重ね合わせている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】特に半導体ウエハーを
加熱する用途においては、加熱面の温度を全体に均一に
制御することが必要であり、使用条件下で例えば加熱面
の全体にわたって±５℃以下といった厳格な仕様を満足
することが要求されている。２ゾーン制御方式のセラミ
ックスヒーターにおいても、通常はこうした仕様を満足
することは可能であった。しかし、本発明者が更に検討
を進めた結果、室温−５００℃といった温度範囲におい
て加熱面の温度の均一性が保持されていたセラミックス
ヒーターであっても、例えば６００℃以上の温度範囲に
なると急激に加熱面における温度差が大きくなることが
あった。こうした場合には、通常ヒーターの基体の外周
部分の特定部位にヒートスポットが発生すると共に、例
えば図２に示すように、抵抗発熱体の全長の抵抗値が上
昇せず、かえって低下する傾向が見られた。
加熱する用途においては、加熱面の温度を全体に均一に
制御することが必要であり、使用条件下で例えば加熱面
の全体にわたって±５℃以下といった厳格な仕様を満足
することが要求されている。２ゾーン制御方式のセラミ
ックスヒーターにおいても、通常はこうした仕様を満足
することは可能であった。しかし、本発明者が更に検討
を進めた結果、室温−５００℃といった温度範囲におい
て加熱面の温度の均一性が保持されていたセラミックス
ヒーターであっても、例えば６００℃以上の温度範囲に
なると急激に加熱面における温度差が大きくなることが
あった。こうした場合には、通常ヒーターの基体の外周
部分の特定部位にヒートスポットが発生すると共に、例
えば図２に示すように、抵抗発熱体の全長の抵抗値が上
昇せず、かえって低下する傾向が見られた。
【０００６】本発明の課題は、加熱面を有するセラミッ
クス製の基体と、この基体内に埋設されている複数体の
抵抗発熱体と、各抵抗発熱体に対してそれぞれ交流電力
を供給するために各抵抗発熱体ごとに設けられている一
対の端子と、各抵抗発熱体に対応する各対の端子に対し
てそれぞれ交流電力を供給するために接続されている交
流電源とを備えている加熱装置において、高温領域を含
む広い温度範囲で、加熱面における温度差の増加やヒー
トスポットの発生を防止できるようにすることである。
クス製の基体と、この基体内に埋設されている複数体の
抵抗発熱体と、各抵抗発熱体に対してそれぞれ交流電力
を供給するために各抵抗発熱体ごとに設けられている一
対の端子と、各抵抗発熱体に対応する各対の端子に対し
てそれぞれ交流電力を供給するために接続されている交
流電源とを備えている加熱装置において、高温領域を含
む広い温度範囲で、加熱面における温度差の増加やヒー
トスポットの発生を防止できるようにすることである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、加熱面を有す
るセラミックス製の基体と、この基体内に埋設されてい
る複数体の抵抗発熱体と、各抵抗発熱体に対してそれぞ
れ交流電力を供給するために各抵抗発熱体ごとに設けら
れている一対の端子と、各抵抗発熱体に対応する各対の
端子に対してそれぞれ交流電力を供給するために接続さ
れている交流電源と、各交流電源と各対の端子との間に
それぞれ介在する絶縁トランスとを備えている加熱装置
に係るものである。
るセラミックス製の基体と、この基体内に埋設されてい
る複数体の抵抗発熱体と、各抵抗発熱体に対してそれぞ
れ交流電力を供給するために各抵抗発熱体ごとに設けら
れている一対の端子と、各抵抗発熱体に対応する各対の
端子に対してそれぞれ交流電力を供給するために接続さ
れている交流電源と、各交流電源と各対の端子との間に
それぞれ介在する絶縁トランスとを備えている加熱装置
に係るものである。
【０００８】本発明者は、こうした加熱装置において、
高温領域で加熱面の温度差の増大やヒートスポットが生
ずる原因について検討した。まず、本発明者は、ヒート
スポット（例えば図３に示す）を観測した結果、ヒート
スポットの平面的形態が抵抗発熱体の埋設の方向（周方
向）に沿って発生している可能性があると考えた。更
に、図２に示すように高温領域で抵抗発熱体の抵抗値
（全長の抵抗値）が低下する傾向が見られたことに注目
した。通常、温度が上昇すると金属の体積抵抗値も上昇
するので、図２に見られるような抵抗値の低下は、抵抗
発熱体の材質等の変化によるものではなく、セラミック
ス側にあるものと考えられる。
高温領域で加熱面の温度差の増大やヒートスポットが生
ずる原因について検討した。まず、本発明者は、ヒート
スポット（例えば図３に示す）を観測した結果、ヒート
スポットの平面的形態が抵抗発熱体の埋設の方向（周方
向）に沿って発生している可能性があると考えた。更
に、図２に示すように高温領域で抵抗発熱体の抵抗値
（全長の抵抗値）が低下する傾向が見られたことに注目
した。通常、温度が上昇すると金属の体積抵抗値も上昇
するので、図２に見られるような抵抗値の低下は、抵抗
発熱体の材質等の変化によるものではなく、セラミック
ス側にあるものと考えられる。
【０００９】本発明者はこの観点から更に検討し、ある
温度以上になると、各抵抗発熱体の近接領域間でセラミ
ックスを通して漏れ電流が発生するものと考えた。特に
セラミックスが負の温度係数を有している場合には、漏
れ電流が発生し易い。漏れ電流が発生すると、抵抗発熱
体内の電流値が局所的に上昇し、発熱量が増加し、これ
によって漏れ電流が一層増大する傾向がある。こうした
プロセスによって漏れ電流が拡大し、ヒートスポットが
発生するものと考えられる。
温度以上になると、各抵抗発熱体の近接領域間でセラミ
ックスを通して漏れ電流が発生するものと考えた。特に
セラミックスが負の温度係数を有している場合には、漏
れ電流が発生し易い。漏れ電流が発生すると、抵抗発熱
体内の電流値が局所的に上昇し、発熱量が増加し、これ
によって漏れ電流が一層増大する傾向がある。こうした
プロセスによって漏れ電流が拡大し、ヒートスポットが
発生するものと考えられる。
【００１０】この仮定に立ち、各抵抗発熱体に対して絶
縁トランスを介在させることで各抵抗発熱体間の電流を
遮断したところ、例えば図４に示すようにヒートスポッ
トはほぼ解消され、加熱面の温度差が著しく縮小するこ
とが分かった。
縁トランスを介在させることで各抵抗発熱体間の電流を
遮断したところ、例えば図４に示すようにヒートスポッ
トはほぼ解消され、加熱面の温度差が著しく縮小するこ
とが分かった。
【００１１】セラミックスの種類は限定されないが、体
積抵抗率の温度係数が負であり、かつその温度係数が大
きいという観点からは、窒化アルミニウム、窒化珪素、
窒化ホウ素が好ましく、耐蝕性の観点から窒化アルミニ
ウムが特に好ましい。
積抵抗率の温度係数が負であり、かつその温度係数が大
きいという観点からは、窒化アルミニウム、窒化珪素、
窒化ホウ素が好ましく、耐蝕性の観点から窒化アルミニ
ウムが特に好ましい。
【００１２】本発明は、抵抗発熱体の材質の体積抵抗率
の温度係数が正である場合に特に有用である。抵抗発熱
体の具体的な材質としては、タンタル、タングステン、
モリブデン、白金、レニウム、ハフニウム及びこれらの
合金である高融点金属を使用することが好ましく、特
に、セラミックス基体を窒化アルミニウムから構成した
場合においては、モリブデン及びモリブデン合金である
ことが好ましい。また、高融点金属以外に、カーボン、
ＴｉＮ、ＴｉＣなどの導電性材料を使用することもでき
る。
の温度係数が正である場合に特に有用である。抵抗発熱
体の具体的な材質としては、タンタル、タングステン、
モリブデン、白金、レニウム、ハフニウム及びこれらの
合金である高融点金属を使用することが好ましく、特
に、セラミックス基体を窒化アルミニウムから構成した
場合においては、モリブデン及びモリブデン合金である
ことが好ましい。また、高融点金属以外に、カーボン、
ＴｉＮ、ＴｉＣなどの導電性材料を使用することもでき
る。
【００１３】好ましくは、抵抗発熱体が、基体の厚さ方
向に層状をなして設けられている複数の平面状抵抗発熱
体からなり、これらの複数の平面状抵抗発熱体がそれぞ
れ平面的に見て互いに異なる部分において発熱密度増加
部分を備えている。更に好ましくは、平面状抵抗発熱体
が、基体の加熱面と略平行に配設されている。こうした
実施形態について、図１を参照しつつ、更に説明する。
向に層状をなして設けられている複数の平面状抵抗発熱
体からなり、これらの複数の平面状抵抗発熱体がそれぞ
れ平面的に見て互いに異なる部分において発熱密度増加
部分を備えている。更に好ましくは、平面状抵抗発熱体
が、基体の加熱面と略平行に配設されている。こうした
実施形態について、図１を参照しつつ、更に説明する。
【００１４】図１は、本発明の実施形態に係る加熱装置
を示す模式図である。図１においては、説明の便宜のた
めに装置の詳細については記載を省略するとともに、装
置の各部分の大きさも実際の加熱装置とは異なった尺度
で描いている。
を示す模式図である。図１においては、説明の便宜のた
めに装置の詳細については記載を省略するとともに、装
置の各部分の大きさも実際の加熱装置とは異なった尺度
で描いている。
【００１５】セラミックスヒーター１は、基体２と、基
体２中に埋設されている上部平面状抵抗発熱体３及び下
部平面状抵抗発熱体４を具えている。基体２の例えば中
央部には電流導入端子５及び６が設けられている。
体２中に埋設されている上部平面状抵抗発熱体３及び下
部平面状抵抗発熱体４を具えている。基体２の例えば中
央部には電流導入端子５及び６が設けられている。
【００１６】抵抗発熱体３、４は、それぞれ基体２の加
熱面２Ａと略平行となるように埋設されている。上部平
面状抵抗発熱体３は、基体２の外周部において発熱密度
増加部分３Ａを有しており、下部平面状抵抗発熱体４
は、基体２の内周部において発熱密度増加部分４Ａを有
している。
熱面２Ａと略平行となるように埋設されている。上部平
面状抵抗発熱体３は、基体２の外周部において発熱密度
増加部分３Ａを有しており、下部平面状抵抗発熱体４
は、基体２の内周部において発熱密度増加部分４Ａを有
している。
【００１７】端子５の一端は上部平面状抵抗発熱体３に
接続されており、端子６の一端は下部平面状抵抗発熱体
４の発熱密度増加部分４Ａに接続されている。そして、
端子５及び６の他端には、リード線８及び９が接続され
ている。リード線９は絶縁トランス１０Ａを解して交流
電源１１Ａに対して接続されている。リード線８は絶縁
トランス１０Ｂを解して交流電源１１Ｂに接続されてい
る。各交流電源１１Ａ、１１Ｂからの供給電力は互いに
独立して制御可能である。
接続されており、端子６の一端は下部平面状抵抗発熱体
４の発熱密度増加部分４Ａに接続されている。そして、
端子５及び６の他端には、リード線８及び９が接続され
ている。リード線９は絶縁トランス１０Ａを解して交流
電源１１Ａに対して接続されている。リード線８は絶縁
トランス１０Ｂを解して交流電源１１Ｂに接続されてい
る。各交流電源１１Ａ、１１Ｂからの供給電力は互いに
独立して制御可能である。
【００１８】基体２の背面側には円筒状部材７が接合さ
れており、電流導入端子部５及び６の他端、すなわち、
これらの端子部の基体２から外部に突出した部分を保護
している。
れており、電流導入端子部５及び６の他端、すなわち、
これらの端子部の基体２から外部に突出した部分を保護
している。
【００１９】高温領域においてセラミックスの抵抗値が
低下すると、例えば発熱密度増加部分３Ａと発熱体４と
の間で漏れ電流が発生し、ヒートスポットの原因とな
る。本発明によって、こうした各層の抵抗発熱体間の漏
れ電流を防止できる。
低下すると、例えば発熱密度増加部分３Ａと発熱体４と
の間で漏れ電流が発生し、ヒートスポットの原因とな
る。本発明によって、こうした各層の抵抗発熱体間の漏
れ電流を防止できる。
【００２０】また、図１のような加熱装置によれば、更
に次のような作用効果が得られる。例えば図１のような
２ゾーンセラミックスヒーターを長時間稼動させると、
基体及び各抵抗発熱体は頻繁に加熱冷却される。そし
て、この加熱冷却の熱サイクルにより、基体を構成する
セラミックスと抵抗発熱体を構成する高融点金属との熱
膨張率が異なることに起因して、抵抗発熱体に接続され
た電流導入端子には、熱膨張差に起因する剪断応力が発
生する。このような剪断応力が端子に頻繁に作用する
と、端子が疲労破壊によって切断される可能性がある。
に次のような作用効果が得られる。例えば図１のような
２ゾーンセラミックスヒーターを長時間稼動させると、
基体及び各抵抗発熱体は頻繁に加熱冷却される。そし
て、この加熱冷却の熱サイクルにより、基体を構成する
セラミックスと抵抗発熱体を構成する高融点金属との熱
膨張率が異なることに起因して、抵抗発熱体に接続され
た電流導入端子には、熱膨張差に起因する剪断応力が発
生する。このような剪断応力が端子に頻繁に作用する
と、端子が疲労破壊によって切断される可能性がある。
【００２１】また、一般に、抵抗発熱体と電流導入端子
とはロウ材によって接合されているが、抵抗発熱体とロ
ウ材との熱膨張差による剪断応力によって、これらの接
合部分が切断されてしまう可能性がある。
とはロウ材によって接合されているが、抵抗発熱体とロ
ウ材との熱膨張差による剪断応力によって、これらの接
合部分が切断されてしまう可能性がある。
【００２２】かりに電流導入端子が一つの抵抗発熱体と
切断されてしまうと、その抵抗発熱体には電流が流れ
ず、発熱しない状態になる。このため、セラミックス基
体の内部に大きな温度差が生じ、セラミックスの内部に
クラックが発生する可能性がある。
切断されてしまうと、その抵抗発熱体には電流が流れ
ず、発熱しない状態になる。このため、セラミックス基
体の内部に大きな温度差が生じ、セラミックスの内部に
クラックが発生する可能性がある。
【００２３】一方、例えば図１に示す加熱装置によれ
ば、複数の平面状抵抗発熱体のそれぞれが、平面的に見
て互いに異なる部分（重複しない領域）に発熱密度増加
部分を具えている。これによって、２ゾーンヒーターと
しての機能を問題なく果たすことができる。なぜなら、
内周側の温度を上昇させたいときには抵抗発熱体４への
供給電力を増加させて発熱密度増加部分４Ａの寄与を大
きくする。外周側の温度を上昇させたいときには抵抗発
熱体３への供給電力を増加させて発熱密度増加部分３Ａ
の寄与を大きくできるからである。
ば、複数の平面状抵抗発熱体のそれぞれが、平面的に見
て互いに異なる部分（重複しない領域）に発熱密度増加
部分を具えている。これによって、２ゾーンヒーターと
しての機能を問題なく果たすことができる。なぜなら、
内周側の温度を上昇させたいときには抵抗発熱体４への
供給電力を増加させて発熱密度増加部分４Ａの寄与を大
きくする。外周側の温度を上昇させたいときには抵抗発
熱体３への供給電力を増加させて発熱密度増加部分３Ａ
の寄与を大きくできるからである。
【００２４】これと共に、例えば上部平面状抵抗発熱体
３が発熱しなくなった場合には、下部平面状抵抗発熱体
４のみが発熱することになる。しかし、この場合にも、
発熱密度増加部分４Ａにおける発熱量とそれ以外の部分
における発熱量との差は、従来の２ゾーンヒーターに比
べると小さい。従って、基体の外周側と内周側との温度
差は比較的に小さく、クラック発生までは至りにくい。
３が発熱しなくなった場合には、下部平面状抵抗発熱体
４のみが発熱することになる。しかし、この場合にも、
発熱密度増加部分４Ａにおける発熱量とそれ以外の部分
における発熱量との差は、従来の２ゾーンヒーターに比
べると小さい。従って、基体の外周側と内周側との温度
差は比較的に小さく、クラック発生までは至りにくい。
【００２５】図１に示すセラミックスヒーターにおいて
は、上部平面状抵抗発熱体３および下部平面状抵抗発熱
体４が、基体２の加熱面２Ａと略平行となるように配設
されている。これにより、セラミックス基体２中におけ
る上下方向の熱の伝導が極めて均一に行われる。従っ
て、加熱面２Ａ上に被加熱物、例えば半導体ウエハーを
載置した場合に、ウエハーを均一に効率よく加熱するこ
とができる。なお、ここでいう略平行とは、幾何学的に
見て完全に平行な場合に加えて、−０．５〜０．５度の
範囲内にあるものをいう。
は、上部平面状抵抗発熱体３および下部平面状抵抗発熱
体４が、基体２の加熱面２Ａと略平行となるように配設
されている。これにより、セラミックス基体２中におけ
る上下方向の熱の伝導が極めて均一に行われる。従っ
て、加熱面２Ａ上に被加熱物、例えば半導体ウエハーを
載置した場合に、ウエハーを均一に効率よく加熱するこ
とができる。なお、ここでいう略平行とは、幾何学的に
見て完全に平行な場合に加えて、−０．５〜０．５度の
範囲内にあるものをいう。
【００２６】また、本発明のセラミックスヒーターにお
いては、各平面状抵抗発熱体によって加熱した際におい
て、基体の加熱面内の温度分布が５０℃以内であること
が好ましく、さらには２０℃以内であることが好まし
い。これによって、例えば、図１における上部平面状抵
抗発熱体３に電流が流入しなくなり、発熱体として作用
しなくなった場合においても、下部平面状抵抗発熱体４
のみでかなり均一な加熱が可能となるために、基体内の
温度分布が不均一となってクラックの発生などをより効
果的に抑制することができる。さらには、加熱面２Ａに
おける被加熱物をより均一に加熱することができるよう
になる。
いては、各平面状抵抗発熱体によって加熱した際におい
て、基体の加熱面内の温度分布が５０℃以内であること
が好ましく、さらには２０℃以内であることが好まし
い。これによって、例えば、図１における上部平面状抵
抗発熱体３に電流が流入しなくなり、発熱体として作用
しなくなった場合においても、下部平面状抵抗発熱体４
のみでかなり均一な加熱が可能となるために、基体内の
温度分布が不均一となってクラックの発生などをより効
果的に抑制することができる。さらには、加熱面２Ａに
おける被加熱物をより均一に加熱することができるよう
になる。
【００２７】本発明の加熱装置における抵抗発熱体の形
態は、本発明の目的を達成することができれば、限定さ
れるものではない。例えば網状物、コイルスプリング状
物、及びリボン状物などから構成することができる。セ
ラミックスヒーターを稼働した場合の加熱冷却の熱サイ
クルに対して著しい耐性を付与するためには、網状物あ
るいはコイルスプリング状物から抵抗発熱体を構成する
ことが好ましい。また、抵抗発熱体の平面形状は特に限
定されない。
態は、本発明の目的を達成することができれば、限定さ
れるものではない。例えば網状物、コイルスプリング状
物、及びリボン状物などから構成することができる。セ
ラミックスヒーターを稼働した場合の加熱冷却の熱サイ
クルに対して著しい耐性を付与するためには、網状物あ
るいはコイルスプリング状物から抵抗発熱体を構成する
ことが好ましい。また、抵抗発熱体の平面形状は特に限
定されない。
【００２８】平面状抵抗発熱体をを網状物から構成する
場合は、所定部分を高密度に編み込むか、あるいは網状
物を構成する素材の所定部分の断面積を小さくすること
によって、発熱密度増加部分を形成する。平面状抵抗発
熱体をコイルスプリング状物から構成する場合は、所定
部分の巻数やピッチを増加させたり、所定部分のコイル
を構成する同心円の直径を大きくすることによって、発
熱密度増加部分を形成する。平面状抵抗発熱体をリボン
状物から構成する場合は、所定部分のリボン幅を小さく
することによって、発熱密度増加部分を形成する。
場合は、所定部分を高密度に編み込むか、あるいは網状
物を構成する素材の所定部分の断面積を小さくすること
によって、発熱密度増加部分を形成する。平面状抵抗発
熱体をコイルスプリング状物から構成する場合は、所定
部分の巻数やピッチを増加させたり、所定部分のコイル
を構成する同心円の直径を大きくすることによって、発
熱密度増加部分を形成する。平面状抵抗発熱体をリボン
状物から構成する場合は、所定部分のリボン幅を小さく
することによって、発熱密度増加部分を形成する。
【００２９】
【実施例】図１に概略的に示す加熱装置を製造した。具
体的には、還元窒化法によって得られた窒化アルミニウ
ム粉末を使用し、この粉末にアクリル系樹脂バインダー
を添加し、噴霧造粒装置によって造粒し、造粒顆粒を得
た。３層のシート状成形体を順次一軸加圧成形し、３層
の成形体を積層し、一体化した。この一軸加圧成形体の
中には、モリブデン製のコイル状の抵抗発熱体３および
４を埋設した。
体的には、還元窒化法によって得られた窒化アルミニウ
ム粉末を使用し、この粉末にアクリル系樹脂バインダー
を添加し、噴霧造粒装置によって造粒し、造粒顆粒を得
た。３層のシート状成形体を順次一軸加圧成形し、３層
の成形体を積層し、一体化した。この一軸加圧成形体の
中には、モリブデン製のコイル状の抵抗発熱体３および
４を埋設した。
【００３０】この成形体をホットプレス型中に収容し、
密封した。昇温速度３００℃／時間で温度を上昇させ、
この際、室温〜１０００℃の温度範囲で減圧を行った。
この温度の上昇と同時に圧力を上昇させた。最高温度を
１８００℃とし、最高温度で４時間保持し、圧力を２０
０ｋｇｆ／ｃｍ2 とし、窒素雰囲気下で焼成し、焼結体
を得た。この焼結体を機械加工し、更に仕上げ加工して
ヒーターを得た。基体２の直径を２４０ｍｍとし、厚さ
を１８ｍｍとし、絶縁性誘電層の厚さを１ｍｍにした。
抵抗発熱体３と４との間隔を５．５ｍｍとした。
密封した。昇温速度３００℃／時間で温度を上昇させ、
この際、室温〜１０００℃の温度範囲で減圧を行った。
この温度の上昇と同時に圧力を上昇させた。最高温度を
１８００℃とし、最高温度で４時間保持し、圧力を２０
０ｋｇｆ／ｃｍ2 とし、窒素雰囲気下で焼成し、焼結体
を得た。この焼結体を機械加工し、更に仕上げ加工して
ヒーターを得た。基体２の直径を２４０ｍｍとし、厚さ
を１８ｍｍとし、絶縁性誘電層の厚さを１ｍｍにした。
抵抗発熱体３と４との間隔を５．５ｍｍとした。
【００３１】本発明例においては、図１に概略的に示す
回路を作製した。比較例においては、絶縁トランス１０
Ａ、１０Ｂを設けず、各リード線９、８をそれぞれ交流
電源１１Ａ、１１Ｂに対して直接に接続した。
回路を作製した。比較例においては、絶縁トランス１０
Ａ、１０Ｂを設けず、各リード線９、８をそれぞれ交流
電源１１Ａ、１１Ｂに対して直接に接続した。
【００３２】各交流電源からの供給電力を制御すること
によって、加熱装置の加熱面の平均温度を約４００℃か
ら７５０℃の間で変化させ、抵抗発熱体４の一対の端子
６間の抵抗値の温度変化を測定した。この結果を図２に
示す。
によって、加熱装置の加熱面の平均温度を約４００℃か
ら７５０℃の間で変化させ、抵抗発熱体４の一対の端子
６間の抵抗値の温度変化を測定した。この結果を図２に
示す。
【００３３】また、加熱面の平均温度が７００℃のとき
の加熱面の表面温度分布をサーモビューアで測定した。
比較例による測定結果を図３に示し、本発明例の測定結
果を図４に示す。図３、図４においては、暖色の領域は
温度が高く、寒色の領域は温度が低いことを示してい
る。例えば、赤色から黄色、緑色、青色へと向かって温
度が低下していく。そして、色階調の一段階の変化が、
２．５℃の温度差の存在に対応している。言い換える
と、異なる色に彩色された隣接する領域の間では、２．
５℃の温度差がある。従って、このサーモビューアによ
る観測結果から、加熱面の最高温度と最低温度との差を
算出できる。この結果は、比較例においては２６℃であ
り、本発明例においては７．５℃であった。
の加熱面の表面温度分布をサーモビューアで測定した。
比較例による測定結果を図３に示し、本発明例の測定結
果を図４に示す。図３、図４においては、暖色の領域は
温度が高く、寒色の領域は温度が低いことを示してい
る。例えば、赤色から黄色、緑色、青色へと向かって温
度が低下していく。そして、色階調の一段階の変化が、
２．５℃の温度差の存在に対応している。言い換える
と、異なる色に彩色された隣接する領域の間では、２．
５℃の温度差がある。従って、このサーモビューアによ
る観測結果から、加熱面の最高温度と最低温度との差を
算出できる。この結果は、比較例においては２６℃であ
り、本発明例においては７．５℃であった。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
前記加熱装置において、高温領域を含む広い温度範囲内
で、加熱面における温度差の増加やヒートスポットの発
生を防止できる。
前記加熱装置において、高温領域を含む広い温度範囲内
で、加熱面における温度差の増加やヒートスポットの発
生を防止できる。
【図１】本発明の実施形態に係る加熱装置を示す概略図
である。
である。
【図２】加熱面の平均温度を約４００℃−７５０℃の温
度範囲内で変化させたときの、抵抗発熱体４の抵抗値の
変化を示すグラフである。
度範囲内で変化させたときの、抵抗発熱体４の抵抗値の
変化を示すグラフである。
【図３】比較例の加熱装置の加熱面の温度分布をサーモ
ビューアで測定した結果を示す図である。
ビューアで測定した結果を示す図である。
【図４】本発明例の加熱装置の加熱面の温度分布をサー
モビューアで測定した結果を示す図である。
モビューアで測定した結果を示す図である。
１ 加熱装置 ２ 基体 ２Ａ 加熱面
３、４ 抵抗発熱体 ３Ａ、４Ａ 発熱密
度増加部分 ５、６ 各対の端子 ８、９
リード線 １０Ａ、１０Ｂ 絶縁トランス１１
Ａ、１１Ｂ 交流電源
３、４ 抵抗発熱体 ３Ａ、４Ａ 発熱密
度増加部分 ５、６ 各対の端子 ８、９
リード線 １０Ａ、１０Ｂ 絶縁トランス１１
Ａ、１１Ｂ 交流電源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 3K034 AA02 AA04 AA05 AA07 AA13 AA15 AA16 BA06 BB06 BB14 BC09 BC17 BC23 JA01 JA10 3K092 PP20 QA05 QB14 QB21 QB27 QB29 QB33 QB62 RF03 RF11 RF27
Claims (7)
- 【請求項１】加熱面を有するセラミックス製の基体と、
この基体内に埋設されている複数体の抵抗発熱体と、各
抵抗発熱体に対してそれぞれ交流電力を供給するために
各抵抗発熱体ごとに設けられている一対の端子と、各抵
抗発熱体に対応する各対の端子に対してそれぞれ前記交
流電力を供給するために接続されている交流電源と、各
交流電源と各対の端子との間にそれぞれ介在する絶縁ト
ランスとを備えていることを特徴とする、加熱装置。 - 【請求項２】前記セラミックスの体積抵抗率の温度係数
が負であることを特徴とする、請求項１記載の加熱装
置。 - 【請求項３】前記セラミックスが窒化アルミニウムであ
ることを特徴とする、請求項２記載の加熱装置。 - 【請求項４】前記抵抗発熱体を構成する材質の体積抵抗
率の温度係数が正であることを特徴とする、請求項２ま
たは３記載の加熱装置。 - 【請求項５】前記抵抗発熱体が、前記基体の厚さ方向に
層状をなして設けられている複数の平面状抵抗発熱体か
らなり、これらの複数の平面状抵抗発熱体がそれぞれ平
面的に見て互いに異なる部分において発熱密度増加部分
を備えていることを特徴とする、請求項１−４のいずれ
か一つの請求項に記載の加熱装置。 - 【請求項６】前記平面状抵抗発熱体が、前記基体の前記
加熱面と略平行に配設されていることを特徴とする、請
求項５記載の加熱装置。 - 【請求項７】前記複数の平面状抵抗発熱体のうちのいず
れか一つのみに前記交流電力を供給して発熱させた場合
の前記加熱面内の温度分布が、５０℃以内であることを
特徴とする、請求項５または６記載の加熱装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000026582A JP4028149B2 (ja) | 2000-02-03 | 2000-02-03 | 加熱装置 |
| TW089126966A TW472498B (en) | 2000-02-03 | 2000-12-16 | Heating apparatus |
| US09/773,235 US6376811B2 (en) | 2000-02-03 | 2001-01-31 | Heating apparatus |
| KR10-2001-0004793A KR100407052B1 (ko) | 2000-02-03 | 2001-02-01 | 가열 장치 |
| EP01300946A EP1122982B1 (en) | 2000-02-03 | 2001-02-02 | Heating apparatus |
| DE60100216T DE60100216T2 (de) | 2000-02-03 | 2001-02-02 | Heizungsgerät |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000026582A JP4028149B2 (ja) | 2000-02-03 | 2000-02-03 | 加熱装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001217059A true JP2001217059A (ja) | 2001-08-10 |
| JP4028149B2 JP4028149B2 (ja) | 2007-12-26 |
Family
ID=18552299
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000026582A Expired - Lifetime JP4028149B2 (ja) | 2000-02-03 | 2000-02-03 | 加熱装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6376811B2 (ja) |
| EP (1) | EP1122982B1 (ja) |
| JP (1) | JP4028149B2 (ja) |
| KR (1) | KR100407052B1 (ja) |
| DE (1) | DE60100216T2 (ja) |
| TW (1) | TW472498B (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007515778A (ja) * | 2003-05-08 | 2007-06-14 | ワットロー・エレクトリック・マニュファクチャリング・カンパニー | 多数領域セラミック加熱システム及びその製造方法 |
| JP2014075525A (ja) * | 2012-10-05 | 2014-04-24 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 積層発熱体、静電チャック、及びセラミックヒータ |
| KR20170045105A (ko) * | 2015-10-16 | 2017-04-26 | 니혼도꾸슈도교 가부시키가이샤 | 가열부재, 정전 척 및 세라믹 히터 |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3293594B2 (ja) * | 1999-06-29 | 2002-06-17 | 住友電気工業株式会社 | 光ファイバ融着接続部の保護部材加熱装置及び加熱方法 |
| WO2001039551A1 (fr) * | 1999-11-19 | 2001-05-31 | Ibiden Co., Ltd. | Plaque chauffante en ceramique |
| WO2002041370A2 (en) * | 2000-11-16 | 2002-05-23 | Mattson Technology, Inc. | Apparatuses and methods for resistively heating a thermal processing system |
| JP2004253665A (ja) * | 2003-02-21 | 2004-09-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体製造装置用ウェハ保持体およびそれを搭載した半導体製造装置 |
| JP2004296254A (ja) * | 2003-03-27 | 2004-10-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | セラミックスヒータおよびそれを搭載した半導体あるいは液晶製造装置 |
| US7126092B2 (en) * | 2005-01-13 | 2006-10-24 | Watlow Electric Manufacturing Company | Heater for wafer processing and methods of operating and manufacturing the same |
| US8168926B2 (en) * | 2007-03-26 | 2012-05-01 | Ngk Insulators, Ltd. | Heating device |
| NZ782200A (en) | 2007-07-31 | 2023-05-26 | ResMed Pty Ltd | Heating element, humidifier for respiratory apparatus including heating element, and respiratory apparatus |
| US8193473B2 (en) * | 2008-02-08 | 2012-06-05 | Ngk Insulators, Ltd. | Uniform temperature heater |
| KR101433865B1 (ko) * | 2008-02-25 | 2014-08-29 | 주성엔지니어링(주) | 고정식 리프트 핀을 가지는 기판 처리 장치 및 이를 이용한기판의 로딩 및 언로딩 방법 |
| US20100108661A1 (en) * | 2008-10-31 | 2010-05-06 | United Technologies Corporation | Multi-layer heating assembly and method |
| CN102280366B (zh) * | 2011-08-19 | 2014-01-01 | 清华大学 | 一种用于激光加工的旋转窗片装置 |
| KR102226887B1 (ko) | 2012-02-29 | 2021-03-12 | 오아시스 머티리얼 코포레이션 | 천이 액체상, 알루미늄 질화물 부품의 무가압 연결 |
| US20170140956A1 (en) * | 2015-11-13 | 2017-05-18 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Single Piece Ceramic Platen |
| US11031271B2 (en) * | 2016-04-28 | 2021-06-08 | Kyocera Corporation | Heater system, ceramic heater, plasma treatment system, and adsorption system |
| JP6758143B2 (ja) * | 2016-09-29 | 2020-09-23 | 日本特殊陶業株式会社 | 加熱装置 |
| US10679873B2 (en) * | 2016-09-30 | 2020-06-09 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Ceramic heater |
| US11289355B2 (en) * | 2017-06-02 | 2022-03-29 | Lam Research Corporation | Electrostatic chuck for use in semiconductor processing |
| US11382180B2 (en) * | 2017-11-21 | 2022-07-05 | Watlow Electric Manufacturing Company | Multi-zone pedestal heater having a routing layer |
| JP7374103B2 (ja) | 2018-01-31 | 2023-11-06 | ラム リサーチ コーポレーション | 静電チャック（ｅｓｃ）ペデスタル電圧分離 |
| US11086233B2 (en) | 2018-03-20 | 2021-08-10 | Lam Research Corporation | Protective coating for electrostatic chucks |
| WO2020153079A1 (ja) * | 2019-01-25 | 2020-07-30 | 日本碍子株式会社 | セラミックヒータ |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4449039A (en) * | 1981-09-14 | 1984-05-15 | Nippondenso Co., Ltd. | Ceramic heater |
| JPS61109289A (ja) * | 1984-11-01 | 1986-05-27 | 日本碍子株式会社 | セラミツクヒ−タおよびその製造方法 |
| US4912304A (en) * | 1987-09-09 | 1990-03-27 | Philippbar Jay E | Thick-film incubator |
| US5225663A (en) | 1988-06-15 | 1993-07-06 | Tel Kyushu Limited | Heat process device |
| US5408574A (en) * | 1989-12-01 | 1995-04-18 | Philip Morris Incorporated | Flat ceramic heater having discrete heating zones |
| EP0447155B1 (en) * | 1990-03-12 | 1995-07-26 | Ngk Insulators, Ltd. | Wafer heaters for use in semi-conductor-producing apparatus, heating units using such wafer heaters, and production of heaters |
| JPH05326112A (ja) | 1992-05-21 | 1993-12-10 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 複層セラミックスヒーター |
| DE4240812A1 (de) * | 1992-12-04 | 1994-06-09 | Bosch Gmbh Robert | Heizeranordnung für einen Meßfühler zur Bestimmung von Bestandteilen in Gasen |
| JP3228581B2 (ja) * | 1992-12-24 | 2001-11-12 | 京セラ株式会社 | セラミックヒータ |
| JPH06202512A (ja) * | 1992-12-29 | 1994-07-22 | Canon Inc | 加熱装置及び画像記録装置 |
| JP2642858B2 (ja) * | 1993-12-20 | 1997-08-20 | 日本碍子株式会社 | セラミックスヒーター及び加熱装置 |
| JP2813148B2 (ja) * | 1994-03-02 | 1998-10-22 | 日本碍子株式会社 | セラミックス製品 |
| US6002109A (en) * | 1995-07-10 | 1999-12-14 | Mattson Technology, Inc. | System and method for thermal processing of a semiconductor substrate |
| US5940579A (en) * | 1997-02-26 | 1999-08-17 | White Consolidated Industries, Inc. | Capacitive leakage current cancellation for heating panel |
| JP3318514B2 (ja) * | 1997-08-06 | 2002-08-26 | 日本碍子株式会社 | 半導体支持装置 |
| JP3762061B2 (ja) | 1997-09-11 | 2006-03-29 | キヤノン株式会社 | 画像記録装置 |
| JP3691649B2 (ja) * | 1997-10-28 | 2005-09-07 | 日本特殊陶業株式会社 | セラミックヒータ |
| JPH11204238A (ja) * | 1998-01-08 | 1999-07-30 | Ngk Insulators Ltd | セラミックスヒーター |
| JPH11260534A (ja) * | 1998-01-09 | 1999-09-24 | Ngk Insulators Ltd | 加熱装置およびその製造方法 |
-
2000
- 2000-02-03 JP JP2000026582A patent/JP4028149B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2000-12-16 TW TW089126966A patent/TW472498B/zh not_active IP Right Cessation
-
2001
- 2001-01-31 US US09/773,235 patent/US6376811B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-02-01 KR KR10-2001-0004793A patent/KR100407052B1/ko active IP Right Grant
- 2001-02-02 EP EP01300946A patent/EP1122982B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-02-02 DE DE60100216T patent/DE60100216T2/de not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007515778A (ja) * | 2003-05-08 | 2007-06-14 | ワットロー・エレクトリック・マニュファクチャリング・カンパニー | 多数領域セラミック加熱システム及びその製造方法 |
| JP4908217B2 (ja) * | 2003-05-08 | 2012-04-04 | ワットロー・エレクトリック・マニュファクチャリング・カンパニー | 多数領域セラミック加熱システム及びその製造方法 |
| JP2014075525A (ja) * | 2012-10-05 | 2014-04-24 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 積層発熱体、静電チャック、及びセラミックヒータ |
| KR20170045105A (ko) * | 2015-10-16 | 2017-04-26 | 니혼도꾸슈도교 가부시키가이샤 | 가열부재, 정전 척 및 세라믹 히터 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE60100216T2 (de) | 2004-03-18 |
| EP1122982A1 (en) | 2001-08-08 |
| DE60100216D1 (de) | 2003-06-05 |
| JP4028149B2 (ja) | 2007-12-26 |
| KR20010078235A (ko) | 2001-08-20 |
| KR100407052B1 (ko) | 2003-11-28 |
| EP1122982B1 (en) | 2003-05-02 |
| TW472498B (en) | 2002-01-11 |
| US20010027972A1 (en) | 2001-10-11 |
| US6376811B2 (en) | 2002-04-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4028149B2 (ja) | 加熱装置 | |
| JP3897563B2 (ja) | 加熱装置 | |
| US7173219B2 (en) | Ceramic heaters | |
| US7189946B2 (en) | Substrate heating device | |
| US7126092B2 (en) | Heater for wafer processing and methods of operating and manufacturing the same | |
| TW483285B (en) | Ceramic heater | |
| KR20210116638A (ko) | 담배 가열 어셈블리 및 전기 가열 흡연 장치 | |
| JP5117146B2 (ja) | 加熱装置 | |
| JPH11354260A (ja) | 複層セラミックスヒータ | |
| WO2017154435A1 (ja) | 基板支持装置 | |
| JPH11260534A (ja) | 加熱装置およびその製造方法 | |
| KR20140089419A (ko) | 히터 및 그것을 구비하는 정착 장치 및 건조 장치 | |
| JP4026759B2 (ja) | 加熱装置 | |
| US20040206747A1 (en) | Ceramic heater for semiconductor manufacturing/inspecting apparatus | |
| JP2007088484A (ja) | 加熱装置 | |
| KR20080037879A (ko) | 히터 및 이의 제조방법 | |
| KR20200120720A (ko) | 멀티 존 히터 | |
| JP2004006242A (ja) | セラミックヒーター | |
| US7332694B2 (en) | Heating resistances and heaters | |
| JPH11176559A (ja) | 複層セラミックスヒータ | |
| JP4122723B2 (ja) | 被処理物保持体 | |
| JP2003223971A (ja) | セラミックヒーターとこれを用いたウエハ加熱装置および定着装置 | |
| TWI831143B (zh) | 晶圓支持台以及射頻桿 | |
| KR20040035281A (ko) | 반도체 기판 가열용 몰딩 히터 | |
| JP2005063691A (ja) | 加熱装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050720 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070612 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070810 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20070810 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20071009 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20071011 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101019 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4028149 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101019 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111019 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121019 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121019 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131019 Year of fee payment: 6 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |