JP4892859B2 - 偏光光照射装置 - Google Patents

Description

本発明は、液晶表示素子の配向膜の光配向に好適な偏光光照射装置に関し、特に、消光比の低下や偏光軸のばらつきを防止することができる偏光光照射装置に関するものである。

近年、液晶パネルを始めとする液晶素子の配向膜や、視野角補償フィルムの配向層などの配向処理に関し、配向膜に所定の波長の偏光光を照射することにより配向を行なう、光配向と呼ばれる技術が採用されるようになってきている。以下、上記光により配向を行う配向膜や配向層を設けたフィルムなど、光により配向特性が生じる膜や層のことを総称して光配向膜と呼ぶ。
ところで、液晶素子の配向膜の配向において、図６に示すように、１つの画素を２つもしくはそれ以上に分割し、分割した画素毎に液晶の配向方向を変えることにより、液晶パネルの視野角を改善することが行われている。なお、図６ではブラックマトリックスで囲まれた領域が各画素Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，…であり、同図では一例として、画素Ｐ２を４つに分割し、配向方向（同図の矢印）を変えた例が示されている。この方法は画素分割法、あるいはマルチドメイン法と呼ばれている。

光配向を上記画素分割法に適用する場合には、マスクを用いて画素の分割した一つの部分に、所望の偏光方向（偏光軸の方向）を有する偏光光を照射し、次にマスクを交換して、または、マスクをワークに対して水平に回転させて、分割した他の部分を、ワークから見て最初の偏光方向とは異なった方向から照射する。これを分割数だけ繰り返すことにより、分割画素毎の液晶の配向方向を変えることができる。
また、光配向膜にプレチルト角を与える場合は、配向膜に対してプレチルト角に応じた角度から、斜めに光を照射する。
光配向を上記画素分割法に適用し光配向膜に対して斜めから光を照射する露光方法や光照射装置として、例えば特許文献１や特許文献２に記載のものが知られている。

図７に、光配向を画素分割時に適用するための偏光光照射装置の一例を示す。
偏光光照射装置は、偏光光を出射する光照射部１０、パターンが形成されたマスクＭを保持するマスクステージ２０、配向膜が形成された基板Ｗが載置されるワークステージ３０とから構成される。
マスクＭはマスクステージ２０の下面に真空吸着等で保持され、光配向膜が形成された基板ＷとマスクＭとは、数十μｍから数百μｍに接近させて露光が行なわれる。
図８は使用されるマスクＭの一例を示す図である。同図に示すように、マスクＭには分割した画素（図の点線で囲まれた領域が１画素に相当する）の一つの領域に対応する位置に開口部ＯＰが設けられ、位置合わせのためのマスクアライメントマークＭＡＭが記されている。
図７において、ワークステージ３０に載置された基板Ｗは、不図示のアライメント顕微鏡により、上記マスクアライメントマークＭＡＭと、基板に形成されたワークアライメントマーク（図示せず）が検出され、両者が所定の位置関係になるようにワークステージ３０が移動し、マスクＭと基板Ｗの位置合せが行われる。位置合せ方法については、例えば上記の特許文献１に記載される方法を用いることができる。

光照射部１０には、前記したように配向膜を配向させる波長の光（例えば紫外光）を放射する光源１１（例えば超高圧水銀ランプと反射鏡）が設けられ、光源１１からの光が、平面反射鏡１２で反射して、偏光素子１３に入射し偏光される。同図では、偏光素子１３として、複数のガラス板を光軸に対してブリュースタ角になるよう配置されたものが示されている。偏光素子１３により偏光された光は、照度分布を均一にするためのインテグレータ１４に入射し、インテグレータ１４から出射した光は、コリメータミラー１５で反射され、平行光となり光照射口１０ａから出射する。

光照射部１０は、光照射部１０から光が漏れたり、光照射部１０に光が進入したりしないように、光出射口を除いて外装カバー１６により覆われている。
また、光配向膜にプレチルト角を与えるために、光照射部１０から出射した偏光光は、マスクＭを介し、基板Ｗの配向膜に対して入射角度がθになるよう斜めに入射する。
配向膜に入射する偏光光の消光比、偏光方向（以下、偏光軸ともいう）と入射角度θは、あらかじめ実験により最適な値が求められる。
偏光光の偏光方向や配向膜への入射角度は、偏光素子１３を光軸を回転軸として回転させたり、コリメータミラー１５の反射角度を調整したりして、実験により求められた所望の値になるように調整する。
特許第３５４０１７４号公報 特許第３４５８７３３号公報 特開平４−１１０８５５号公報 特開平１０−１９８０３９号公報 特開２００２−２８７１４７号公報

上記の偏光光照射装置において、光照射部１０からの偏光光は、マスクＭを介してワークＷに照射される。上記構成の偏光光照射装置により、マスクＭに対して斜めから光を照射したところ、偏光方向にばらつきが生じた。
本発明者は偏光光が光学素子に対し斜めに入射して透過すると、その偏光軸が回転する、即ち偏光方向が変化することを見出しており、上記偏光方向のばらつきの原因は、マスクＭへの偏光光の入射角度が部分的に異なるためであると考えられる。
図９は、マスクに使用される同質の石英ガラス（厚さ１．１ｍｍ）に、偏光光を様々な角度で入射した場合の、透過光の偏光軸の回転角度を測定したものであり、同図の横軸の下に書かれた角度が回転角度を示している。図９（ａ）は、偏光方向が図面手前奥の場合であり、図９（ｂ）は、偏光方向が、図面手左右の場合である。同図に示されるように石英ガラスを透過した偏光光はその偏光方向が変化する。

図７の偏光光照射装置において、マスクＭに入射する偏光光は、コリメータミラー１５により平行光とされており、マスク面が平面であれば、マスク全面に渡って入射する偏光光の角度は等しい。したがって、マスクＭから出射した偏光光の偏光軸が回転しても、あらかじめ入射角度に対する偏光軸の回転角度を求めておき、その角度分を補正すれば問題はない。
しかし、マスクＭが自重により撓むと、マスクＭに平行光を照射しても、図１０に示すように、入射位置によってマスク面には異なった角度（θ１≠θ２，…≠θ４）で光が入射する。図９に示したように入射角度により偏光軸の回転角度が異なるので、上記のようにマスクＭに入射する光の角度が異なっていると、前記したように偏光軸の方向がばらつくことになる。

例えば特許文献３，４に記載されているように、マスクステージに保持されたマスクは、自重によるたわみが発生することが知られており、マスクが大型になるほど、そのたわみ量は大きくなる。
例えば、上記従来技術の偏光光照射装置に用いられるマスクは、基板の大型化とともに大型化し、１３００ｍｍ×１１００ｍｍ〜１４００ｍｍ×１２００ｍｍ、厚さ１３ｍｍ〜１５ｍｍのものもあり、そのたわみ量はマスクの保持方法にもよるが３００μｍ〜５００μｍ程になる。
上記特許文献３，４にも記載されているように、マスクがたわむと、露光時にマスクと基板との間隔が一定にならず、露光精度が悪くなる。しかし、光配向に用いられる偏光光照射装置においては、上記以外に次のような問題も生じる。

(i) マスクがたわむと、平行光が入射しても、前記図１０に示したように、場所により入射角度が変化する。このため、前記したように出射する偏光光の偏光軸の方向が変化する。
このため、配向膜に照射される偏光光の偏光軸が場所により異なることとなり、照射面内で偏光軸の方向がばらつく。
偏光軸がばらついた偏光光により光配向処理を行うと、製品である液晶素子のコントラストが場所により異なり、むらとして目に映るといった製品不良の原因となる
(ii)例えば特許文献５の段落［００１０］〜［００１２］に記載されるように、偏光光が歪のある光学素子を透過すると消光比が低下する。マスクがたわむと、マスクには歪が発生するので消光比が低下することとなる。
消光比が低下すると配向膜の配向を規制する力が弱まるため、液晶を充分に配向させることができなくなり、製品不良の原因となる。
このためマスクのたわみを矯正し、たわみ量を例えば１００μｍ以下程度にまで小さくすることが望まれている。

前記特許文献３，４には、マスクたわみを防ぐための方法として、マスクの光入射側に密閉空間を設け、この空間を減圧することにより、マスクを圧力差により持ち上げ、平面に矯正することが書かれている。
しかし、このような方法では、マスクの光入射側に、減圧のための密閉空間を形成するための光を透過する部材（光透過窓）が、新たに設けられることになる。ところが、この光透過窓も、自重によるたわみが生じるし、これに加えて圧力隔壁として作用するため、圧力差によりさらにたわみや歪が加わることになる。
したがって、マスクのたわみをなくすことができたとしても、追加された光透過窓偏光軸のばらつきや消光比低下の新たな原因となるため、消光比の低下や偏光軸のばらつきといった問題を解決することはできない。
本発明は上記事情に鑑みなされたものであって、その目的は、偏光光の光路中に光学素子を設けずにマスクのたわみをなくし、マスクのたわみによる消光比の低下や偏光軸のばらつきを防ぐことである。

上記課題を本発明おいては、次のように解決する。
偏光光照射装置の光照射部において、偏光素子の入射側からマスクの光入射側の空間の圧力を、マスクの光出射側の空間の圧力に対して低くする。
具体的には、上記偏光素子の光入射側に設けられた隔壁から、マスク面までを密封空間とし、該空間の圧力を、マスクの出射側の空間の圧力よりも低くする。
上記構成とすることにより、マスクの光出射側（外側）と光入射側（内側）とでは圧力差が生じ、マスクステージに保持されたマスクは、圧力の高い光出射側から圧力の低い光入射側に向かって押されて持ち上がり、たわみが矯正される。
ここで、マスクたわみを矯正する圧力は、圧力をＰ、マスクの面積をＡ、マスクの質量をｍ、重力加速度をｇとすると、理論的にはＰ＝ｍｇ／Ａから求められる。
例えば、面積１４００ｍｍ×１２００ｍｍ、比重２．２、厚さ１５ｍｍとすると、マスクの光出射側を大気圧である０．１ＭＰａとした場合、マスクの光入射側において約３２０Ｐａの差圧を生じさせればよい。
このように、マスクのたわみを矯正するための圧力差（差圧）は小さいものであり、多少のリークがあっても、比較的容易に達成することができる。ここで言う密封空間とは、この程度の圧力差をつけられれば十分なものである。
例えば、厳密に密閉されたものではなくてもマスクステージにマスク移動機構を設ける場合、その移動部の隙間などによりリークが生じるが、エアーが流れ込む流路を狭めコンダクタンスが大きくなる構造とすればよい。

本発明においては、以下の効果を得ることができる。
（１）偏光素子からワークまでの間、即ち偏光光が通過する領域に、新たに光学素子を設けることなく、マスクのたわみを防止することができるので、消光比の低下や偏光軸のばらつきを防止することができる。
このため、例えば液晶素子の光配向処理を行う場合、コントラストが場所により異なり、むらとして目に映るといった問題や、消光比の低下により液晶を充分に配向させることができなくなるといった問題を解消することができる。
なお、偏光素子の入射側に光を透過する光学部材を設けても、この位置においては、光が偏光されていないので、偏光方向の変化や偏光軸の回転といった問題は生じない。
（２）マスクと基板との間隔を一定にすることができるので、マスクのたわみによる露光精度の悪化を防ぐことができる。

図１は本発明の第１の実施例の偏光光照射装置の構成を示す図である。
前記図７に示したものと同様、偏光光を出射する光照射部１０、パターンが形成されたマスクＭを保持するマスクステージ２０、配向膜が形成された基板Ｗが載置されるワークステージ３０を有する。光照射部１０には、前記したように配向膜を配向させる波長の光を放射する光源１１が設けられ、光源１１からの光が、平面反射鏡１２で反射して、偏光素子１３に入射し偏光される。なお、同図では、偏光素子１３として、複数のガラス板を光軸に対してブリュースタ角になるよう配置されたものが示されているが、その他の偏光素子を用いてもよい。
偏光素子１３により偏光された光は、照度分布を均一にするためのインテグレータ１４に入射し、インテグレータ１４から出射した光は、コリメータミラー１５に反射され、平行光となり光照射口１０ａから出射する。
マスクＭは前記したようにマスクステージ２０の下面に真空吸着等で保持され、光配向膜が形成された基板ＷとマスクＭとは、数十μｍから数百μｍに接近させて露光が行なわれる。
また、前記したように不図示のアライメント顕微鏡により、上記マスクアライメントマークと、基板に形成されたワークアライメントマークが検出され、両者が所定の位置関係になるようにワークステージ３０が移動し、マスクＭと基板Ｗの位置合せが行われる。

本実施例では、上記構成に加え、光照射部１０の偏光素子１３の光入射側に、第１の隔壁１７が設けられ、第１の隔壁１７には光源からの光を透過する光透過窓１７ａが設けられる。光透過窓１７ａの部材は、マスクＭと同質の紫外線を透過する石英ガラスを用いる。光源１１から出射した光は隔壁の光透過窓１７ａを介して偏光素子１３に入射する。
また、光照射部１０の光出射側に、マスクＭ及びマスクＭの周囲を覆う第２の隔壁１８を設ける。
マスクＭは、従来例同様、マスクステージ２０の下面側に真空吸着等で保持される。
さらに、光照射部１０の光出射口１０ａから第２の隔壁１８までの空間を囲む側壁１６ａが設けられる。これにより、第１の隔壁１７から第２の隔壁１８までの空間Ｓは、光照射部の外装カバー１６と新たに設けた側壁１６ａにより取り囲まれ、また、偏光素子１３の光入射側は第１の隔壁１７により閉ざされ、光照射部１０の光出射側はマスクＭ及び該マスクＭの周囲を覆う第２の隔壁１８により蓋をされて閉ざされる。

また、光照射部１０の空間Ｓ部分の外装カバー１６に排気孔１６ｂを設ける。該排気孔１６ｂには、ファン４０（ブロア）が取り付けられ空間Ｓを排気する。空間Ｓは上記したように閉ざされているので減圧される。
これにより、マスクステージ２０に保持されたマスクＭの、光出射側（外側）と光入射側（内側）とでは圧力差が生じ、マスクステージ２０に保持されたマスクＭは、圧力の高い光出射側から圧力の低い光入射側に向かって押されて持ち上がり、たわみが矯正される。
さらに、マスクの近傍には差圧計４１が設けられ、マスクＭの光入射側とマスクＭの光出射側の圧力差（差圧）が測定される。この差圧が所定の値になるように、空間Ｓの圧力が調整される。マスクＭのたわみを矯正する圧力差は、あらかじめ実験や計算により求めておく。

図１に示すように、第１の隔壁１７を偏光素子１３の入射側に設けることにより、偏光素子１３から偏光光がマスクに達するまでの間にある光学部材は、全て減圧空間におかれ、圧力差による力が加わらない。このため、たわみや歪が発生することはない。
なお、第１の隔壁１７の光透過窓１７ａには圧力差による力が加わるが、この位置においては、光は偏光されていないので、たわみや歪が発生したとしても、偏光方向の変化や偏光軸が回転するといった問題は生じない。
しかし、第１の隔壁１７を、偏光素子１３やインテグレータ１４といった光学素子を使って形成するのは好ましくない。このようにすると、空間Ｓを減圧した際、偏光素子１３やインテグレータ１４に圧力差による力が加わり、たわみや歪が発生し、偏光光の偏光軸のばらつきや消光比低下の原因となる。
即ち、偏光素子１３を含めて、偏光光がマスクＭに達するまでの間にある光学部材には、たわみや歪が生じるような力を加えてはならない。

図２は、上記第１の実施例の変形例であり、図２では排気孔１６ｂを第１の隔壁１７に設け、ファン（ブロア）４０を取り付けずに、上記排気孔１６ｂをダクト４２を介して例えば工場の排気ダクトに接続し、空間Ｓの排気を行うようにしたものである。
なお、排気孔１６ｂを図１と同様、光照射部１０の外装カバー１６に設け、工場の排気ダクトに接続してもよい。
また、図１に示した実施例では、偏光素子１３をコリメータミラー１５の光入射側に設けたが、例えば偏光素子１３を、図３に示すように、コリメータミラー１５の光出射側に設けてもよい。
このように、偏光素子１３をコリメータミラー１５の光出射側に設ける場合には、コリメータミラー１５と、偏光素子１３との間に第１の隔壁１７’を設け、第１の隔壁１７’に光透過窓１７ａを設けることができる。この場合は、排気孔１６ｂを例えば側壁１６ａに設け、上記第１の隔壁１７’、マスクＭ、及び該マスクＭの周囲を覆う第２の隔壁１８、側壁１６ａにより形成される空間を排気し、圧力を低下させる。
上記光透過窓１７ａは、偏光素子１３の光入射側に設けられているので、偏光光は透過しない。このため、偏光素子１３の光入射側に設けられた光透過窓１７ａが圧力差により変形しても、偏光方向の変化や偏光軸が回転するといった問題は生じない。なお、上記第１の隔壁１７’は、光源１１と偏光素子１３の間であれば、どこに設けても良い。

ところで、近年、液晶表示素子の基板は、例えば、２５００×２２００ｍｍというように大型化している。このような大型の基板の全領域に対して、一括して偏光光を照射する（以下、露光するともいう）ことは困難である。そのため、マスクは、例えば１４００×１２００ｍｍ大きさのまま、１枚の基板を複数の露光領域に分割（この例では４つに分割）して露光する方式が用いられる。
マスクと基板の位置合せは、第１の実施例の場合、前記したようにワークステージ３０を移動させて行っていた。しかし、分割露光の場合、マスクを移動させて位置合せを行う方式がとられることが多い。
即ち、基板の露光領域間の移動という長距離の移動はワークステージが行い、各露光領域とマスクとの位置合せという微小な移動はマスクステージが行う。高い精度は要求されないが長距離の移動と、微小だが高い精度が必要な移動という２種類の移動が、ワークステージとマスクステージに分担されるため、制御が容易になる。
マスクステージを移動させる機構の移動部は、通常ボールベアリング等が使用されており、シールされてはいない。したがって、実施例１のように、光照射部からマスクステージまで側壁を設け、空間Ｓを排気しても、上記移動部の隙間から外部のエアーが侵入し、ファン等の排気手段への負担が大きくなることがある。

図４は、本発明の第２の実施例の偏光光照射装置の構成を示す図であり、上記のようにマスクを移動させて位置合せを行う分割露光に適用した場合の構成を示している。また、図５は、図４においてマスクステージ近傍の構成を示す図である。
図４に示すように、マスクステージ２０は、ＸＹθステージ５０を備え、マスクＭはＸＹθステージ５０によりＸ，Ｙ（マスク面に平行な平面上の直交する２軸）方向に移動するとともに、θ回転（マスク面に垂直な軸の回りの回転）する。また、マスクＭの周囲には、側壁１６ａに取り付けられた突起状の第２の隔壁１９が設けられ、第２の隔壁１９とマスクＭの周囲は、マスクＭがアライメントのために移動、回転できる程度の間隔が形成されている。このように突起状の第２の隔壁１９を設けてマスクＭとの間隔を狭くすることにより、前記したＸＹθステージ５０の移動部の隙間から外部のエアーが侵入し、ファン等の排気手段への負担が大きくなるといった問題を解決している。
その他の構成は、前記図１に示した第１の実施例と同様であり、光照射部１０から出射した偏光光がマスクＭを介して斜め方向からワークステージ３０上の基板Ｗに照射され露光が行なわれる。また、偏光素子１３の光入射側に第１の隔壁１７が設けられ、排気孔１６ｂに取り付けたファン４０により、空間Ｓを排気する。

図５は上記マスク近傍の構成例を示す図である。
マスクステージ２０は、ベースプレート５３に立設した装置のフレーム５２に固定されたＸＹθステージ保持プレート５１と、該ＸＹθステージ保持プレート５１に取り付けられたＸＹθステージ５０（Ｚステージが加わる場合もある）とから構成される。ＸＹθステージ５０のマスク保持プレート５０ａの表面には真空吸着溝５０ｂが形成され、該溝５０ｂに真空が供給されることによりマスクＭが保持される。
光照射部１０の外装カバー１６からマスクステージ２０までの間には側壁１６ａが設けられ、空間Ｓが形成されている。
同図に示すようにＸＹθステージ５０の各移動部間にはベアリング等が設けられ隙間があるので、空間Ｓを減圧しても、側壁１６ａとマスク保持プレート５０ａの間から入ったエアーが、同図矢印に示すようにＸＹθステージ５０の移動部の隙間から空間Ｓに進入して、圧力が下がりにくく、排気手段に負担がかかる。
そこで、マスクステージ２０の周囲に、前記したように突起状の第２の隔壁１９を設け、側壁１６ａとマスク保持プレート５０ａとの間隔を狭くする。

本実施例では、第２の隔壁１９とマスクステージ２０との間には、マスクステージ２０が微小移動するための隙間（クリアランス）が必要であるため、密閉することはできない。
しかし、エアーの流路が狭まりコンダクタンスが大きくなるので、空間Ｓに流れ込むエアー量も少なくなり、空間Ｓの圧力が下がりやすくなる。
マスクＭのたわみを矯正する圧力は、圧力をＰ、マスクの面積をＡ、マスクの質量をｍ、重力加速度をｇとするとＰ＝ｍｇ／Ａから求められるが、例えば、面積１４００ｍｍ×１２００ｍｍ、比重２．２、厚さ１５ｍｍのマスクのたわみを矯正するためには、マスクの光出射側を大気圧である０．１ＭＰａとした場合、マスクの光入射側において約３２０Ｐａ圧力を下げればよい。したがって、偏光素子の入射側に設けられた隔壁から、マスク面までの空間の密封の程度は、ここに例示した程度の圧力差を生じさせられることを意味する。

図４を用いて、第２の実施例の偏光光照射装置の偏光光照射の手順を示す。
ここでは、２５００×２２００ｍｍの基板を１４００×１２００ｍｍのマスクを用いて、４つの露光領域に分割して露光する場合について説明する。また、画素は、図６に示したように第１〜第４の領域（部分）に４分割して光配向処理する場合とする。ここでは呼称の混乱を避けるために、図６の画素Ｐ２において、右上の領域を第１部分、右下の領域を第２の部分、左下の領域を第３の部分、左上の領域を第４の部分と呼ぶ。
（１）図８に示したマスクＭがマスクステージ２０に取り付けられる。空間Ｓ内のエアーが排気ファン４０等の排気手段により排気され、第１の隔壁１７と第２の隔壁１９との間が負圧になる。マスクＭが持ち上がりたわみが矯正される。空間Ｓの圧力は、差圧計４１の表示値に基づき、排気手段の排気量を調整することにより適宜調整される。
（２）配向膜が形成された基板Ｗがワークステージ３０に載置される。ワークステージ３０は、基板Ｗの４つの露光量域のうち、第１の露光領域が露光されるよう、概略位置に移動する。
（３）アライメント顕微鏡（不図示）により、基板Ｗの第１の露光領域に形成されたワークアライメントマークと、マスクＭに形成されたマスクアライメントマークとが検出され、両者が所定の位置関係になるように、マスクステージ２０のＸＹθステージ５０によりマスクＭを移動し精度の良い位置合せを行う。
（４）マスクＭを介して、基板Ｗの第１の露光領域の画素の第１部分に、あらかじめ求められている所定の偏光方向と消光比を有する偏光光を、あらかじめ求められている所定の方向から所定の入射角度で照射する。
（５）第１の露光領域の画素の第１部分の露光が終了すると、偏光光の照射を停止する。 次に第２の露光領域が露光されるよう、ワークステージ３０を移動する。上記と同様に、第２の露光領域と、マスクＭの位置合せを行い、第２の露光領域における第１部分に偏光光を照射する。続いて第３の露光領域の第１部分、第４の露光領域の第１部分の露光（偏光光照射）が行われる。
（６）基板Ｗの全領域にわたって画素の第１部分が露光できれば、ワークステージ３０を回転させることにより、基板を１８０°回転させる。これにより、露光される位置が、第１部分と画素中心を中心として点対称の位置にある第３部分になる。
（７）ワークステージ３０は、第１の露光領域が露光されるよう移動する。第１の露光領域とマスクＭの位置合せを行い、画素の第３部分に偏光光が照射される。
（８）続いて、第２の露光領域の画素の第３部分、第３の露光領域、第４の露光領域の第３部分の露光（偏光光照射）が行われる。
（９）画素の第３部分の露光が終了すると、空間Ｓの減圧を停止する。マスクステージ２０のマスクＭを取り外し、画素の第２部分に対応する開口部を持つものに交換し、空間Ｓを排気して負圧にする。
（１０）上記と同様にして、第１、第２、第３、第４の露光領域の画素の第２部分を露光する。基板を１８０°回転し、第１、第２、第３、第４の露光領域の画素の第４部分を露光する。
以上で、基板の全領域（第１から第４の露光領域）の画素の第１〜第４部分に、所定の消光比、偏光方向、入射方向、入射角度で偏光光が照射される。

本発明の第１の実施例の偏光光照射装置の構成を示す図である。 第１の実施例の変形例（１）を示す図である。 第１の実施例の変形例（２）を示す図である。 本発明の第２の実施例の偏光光照射装置の構成を示す図である。 図４においてマスク近傍の構成例を示す図である。 マルチドメイン法を説明する図である。 光配向を画素分割時に適用するための偏光光照射装置の構成例を示す図である。 偏光光照射装置において使用されるマスクの一例を示す図である。 斜めに入射した偏光光が石英板を透過した場合の偏光軸のばらつきを説明する図である。 マスクが撓んだときのマスクへの入射角を説明する図である。

符号の説明

１０ 光照射部
１１ 光源
１２ 平面反射鏡
１３ 偏光素子
１４ インテグレータ
１５ コリメータミラー
１６ 外装カバー
１７ 第１の隔壁
１８ 第２の隔壁
１９ 突起状の第２の隔壁
２０ マスクステージ
３０ ワークステージ
４０ ファン
４１ 差圧計
４２ ダクト
５０ ＸＹθステージ

Claims (1)

1. 光源からの光を偏光素子により偏光し、偏光された光を、パターンが形成されたマスクを介して配向膜に照射する偏光光照射装置において、
   偏光素子の光入射側に設けられた隔壁から、マスク面までを密封空間とし、該空間の圧力を、マスクの光出射側の空間の圧力に対して低くする
   ことを特徴とする偏光光照射装置。

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