JP4890891B2 - 磁気センサ、その製造方法および電子機器 - Google Patents
磁気センサ、その製造方法および電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4890891B2 JP4890891B2 JP2006065336A JP2006065336A JP4890891B2 JP 4890891 B2 JP4890891 B2 JP 4890891B2 JP 2006065336 A JP2006065336 A JP 2006065336A JP 2006065336 A JP2006065336 A JP 2006065336A JP 4890891 B2 JP4890891 B2 JP 4890891B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic field
- change
- magnetic
- resistor
- bridge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
- G01R33/09—Magnetoresistive devices
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
第1の固定抵抗、第2の固定抵抗、第1の可変抵抗および第2の可変抵抗をブリッジ状に接続したブリッジ抵抗と、
前記した第1の固定抵抗および第1の可変抵抗の接続点をマイナス側の入力端子に直結し、前記した第2の固定抵抗および第2の可変抵抗の接続点をプラス側の入力端子に直結した2つのコンパレータであって、そのうちの一方のコンパレータを高磁界変化に対応する電圧変化に反応するようにそれ自体の回路上で調整し、他方のコンパレータを低磁界変化に対応する電圧変化に反応するようにそれ自体の回路上で調整した第1および第2のコンパレータと、
前記した第1のコンパレータの出力側に直接配置され、前記したブリッジ抵抗に第1の磁界変化に対応する抵抗値の変化が生じたとき第1のコンパレータの出力を変化させて第1の磁界変化を検出したことを表わす電圧変化を発生させる第1の駆動回路と、
前記した第2のコンパレータの比較結果の出力側に前記した第1の駆動回路とは別の回路として直接配置され、前記したブリッジ回路に前記した第1の磁界変化と異なる第2の磁界変化に対応する抵抗値の変化が生じたとき第2のコンパレータの出力を変化させて第2の磁界変化を検出したことを表わす電圧変化を発生させる第2の駆動回路
とを備えて構成され、
前記したブリッジ抵抗は、Ni、Fe、Coを主成分とする磁気抵抗効果を示す合金金属薄膜を抵抗体のブリッジ構造状に加工したものであって、
この合金金属薄膜の組成比が、Niの組成比をx重量%、Coの組成比をy重量%とすると、
21x+19y≦1869、
5x+28y≧546、
y≦11、
x+y≧85
を同時に満たす組成範囲内にあって、
検知磁界が前記した第1の磁界変化と第2の磁界変化のそれぞれを検出する2点の磁界であり、
そのうち少なくとも1点での検知磁界が2.5mT以上であり、
検知磁界となる2点の磁界のうち、最小検知磁界と最大検知磁界が0.5mT以上離れており、
前記第1および第2のコンパレータの比較結果としての電圧変化を、前記第1および第2の駆動回路それぞれの出力端子から、グランドGNDに対する電圧変化として読み出す
ことを特徴としている。
第1の固定抵抗、第2の固定抵抗、第1の可変抵抗および第2の可変抵抗をブリッジ状に接続したブリッジ抵抗と、
前記した第1の固定抵抗および第1の可変抵抗の接続点をマイナス側の入力端子に直結し、前記した第2の固定抵抗および第2の可変抵抗の接続点をプラス側の入力端子に直結した2つのコンパレータであって、そのうちの一方のコンパレータを高磁界変化に対応する電圧変化に反応するようにそれ自体の回路上で調整し、他方のコンパレータを低磁界変化に対応する電圧変化に反応するようにそれ自体の回路上で調整した第1および第2のコンパレータと、
前記した第1のコンパレータの出力側に直接配置され、前記したブリッジ抵抗に第1の磁界変化に対応する抵抗値の変化が生じたとき第1のコンパレータの出力を変化させて第1の磁界変化を検出したことを表わす電圧変化を発生させる第1の駆動回路と、
前記した第2のコンパレータの比較結果の出力側に前記した第1の駆動回路とは別の回路として直接配置され、前記したブリッジ回路に前記した第1の磁界変化と異なる第2の磁界変化に対応する抵抗値の変化が生じたとき第2のコンパレータの出力を変化させて第2の磁界変化を検出したことを表わす電圧変化を発生させる第2の駆動回路
とを備えて構成される磁気センサの前記したブリッジ抵抗は、Ni、Fe、Coを主成分とする磁気抵抗効果を示す合金金属薄膜を抵抗体のブリッジ構造状に加工したものであって、
この合金金属薄膜の組成比が、Niの組成比をx重量%、Coの組成比をy重量%とすると、
21x+19y≦1869、
5x+28y≧546、
y≦11、
x+y≧85
を同時に満たす組成範囲内にあるNi、Fe、Coを主成分とする磁気抵抗効果を示す合金金属薄膜を成膜する成膜ステップ
を具備し、
検知磁界が前記した第1の磁界変化と第2の磁界変化のそれぞれを検出する2点の磁界であり、
そのうち少なくとも1点での検知磁界が2.5mT以上であり、
検知磁界となる2点の磁界のうち、最小検知磁界と最大検知磁界が0.5mT以上離れており、
前記第1および第2のコンパレータの比較結果としての電圧変化を、前記第1および第2の駆動回路それぞれの出力端子から、グランドGNDに対する電圧変化として読み出す
ことを特徴としている。
第1の部材と、
この第1の部材に固設された磁石と、
前記した磁石と所定の固定位置との間の距離を連続して変化させるように前記した第1の部材に対して相対的に移動自在な第2の部材と、
この第2の部材の前記した所定の固定位置に配置され、前記した磁石の磁力を検知する磁気センサ
とを備え、
前記した磁気センサは、
第1の固定抵抗、第2の固定抵抗、第1の可変抵抗および第2の可変抵抗をブリッジ状に接続したブリッジ抵抗と、
前記した第1の固定抵抗および第1の可変抵抗の接続点をマイナス側の入力端子に直結し、前記した第2の固定抵抗および第2の可変抵抗の接続点をプラス側の入力端子に直結した2つのコンパレータであって、そのうちの一方のコンパレータを高磁界変化に対応する電圧変化に反応するようにそれ自体の回路上で調整し、他方のコンパレータを低磁界変化に対応する電圧変化に反応するようにそれ自体の回路上で調整した第1および第2のコンパレータと、
前記した第1のコンパレータの出力側に直接配置され、前記したブリッジ抵抗に第1の磁界変化に対応する抵抗値の変化が生じたとき第1のコンパレータの出力を変化させて第1の磁界変化を検出したことを表わす電圧変化を発生させる第1の駆動回路と、
前記した第2のコンパレータの比較結果の出力側に前記した第1の駆動回路とは別の回路として直接配置され、前記したブリッジ回路に前記した第1の磁界変化と異なる第2の磁界変化に対応する抵抗値の変化が生じたとき第2のコンパレータの出力を変化させて第2の磁界変化を検出したことを表わす電圧変化を発生させる第2の駆動回路
とを備えて構成され、
前記したブリッジ抵抗は、Ni、Fe、Coを主成分とする磁気抵抗効果を示す合金金属薄膜を抵抗体のブリッジ構造状に加工したものであって、
この合金金属薄膜の組成比が、Niの組成比をx重量%、Coの組成比をy重量%とすると、
21x+19y≦1869、
5x+28y≧546、
y≦11、
x+y≧85
を同時に満たす組成範囲内にあって、
検知磁界が前記した第1の磁界変化と第2の磁界変化のそれぞれを検出する2点の磁界であり、
そのうち少なくとも1点での検知磁界が2.5mT以上であり、
検知磁界となる2点の磁界のうち、最小検知磁界と最大検知磁界が0.5mT以上離れており、
前記第1および第2のコンパレータの比較結果としての電圧変化を、前記第1および第2の駆動回路それぞれの出力端子から、グランドGNDに対する電圧変化として読み出す
ことを特徴としている。
5x+28y≧546 ……(2)
y≦11 ……(3)
x+y≧85 ……(4)
上記に説明した工程はあくまで一例であり、例えば金の取り除き方にリフトオフ法を用いるなど、他の加工方法を使用してもかまわない。
105 磁石
214 磁気抵抗効果膜
269 複数磁界検知回路
300、310 電子機器
311 第1の筐体
312 第2の筐体
Claims (13)
- 第1の固定抵抗、第2の固定抵抗、第1の可変抵抗および第2の可変抵抗をブリッジ状に接続したブリッジ抵抗と、
前記第1の固定抵抗および第1の可変抵抗の接続点をマイナス側の入力端子に直結し、前記第2の固定抵抗および第2の可変抵抗の接続点をプラス側の入力端子に直結した2つのコンパレータであって、そのうちの一方のコンパレータを高磁界変化に対応する電圧変化に反応するようにそれ自体の回路上で調整し、他方のコンパレータを低磁界変化に対応する電圧変化に反応するようにそれ自体の回路上で調整した第1および第2のコンパレータと、
前記第1のコンパレータの出力側に直接配置され、前記ブリッジ抵抗に第1の磁界変化に対応する抵抗値の変化が生じたとき第1のコンパレータの出力を変化させて第1の磁界変化を検出したことを表わす電圧変化を発生させる第1の駆動回路と、
前記第2のコンパレータの比較結果の出力側に前記第1の駆動回路とは別の回路として直接配置され、前記ブリッジ回路に前記第1の磁界変化と異なる第2の磁界変化に対応する抵抗値の変化が生じたとき第2のコンパレータの出力を変化させて第2の磁界変化を検出したことを表わす電圧変化を発生させる第2の駆動回路
とを備えて構成され、
前記ブリッジ抵抗は、Ni、Fe、Coを主成分とする磁気抵抗効果を示す合金金属薄膜を抵抗体のブリッジ構造状に加工したものであって、
この合金金属薄膜の組成比が、Niの組成比をx重量%、Coの組成比をy重量%とすると、
21x+19y≦1869、
5x+28y≧546、
y≦11、
x+y≧85
を同時に満たす組成範囲内にあって、
検知磁界が前記第1の磁界変化と第2の磁界変化のそれぞれを検出する2点の磁界であり、
そのうち少なくとも1点での検知磁界が2.5mT以上であり、
検知磁界となる2点の磁界のうち、最小検知磁界と最大検知磁界が0.5mT以上離れており、
前記第1および第2のコンパレータの比較結果としての電圧変化を、前記第1および第2の駆動回路それぞれの出力端子から、グランドGNDに対する電圧変化として読み出す
ことを特徴とする磁気センサ。 - 前記合金金属薄膜の磁歪定数の絶対値が1.5×10-5以下であり、かつ異方性磁界(Hk)が8Oe以上16Oe以下であり、かつ磁気抵抗変化率が2.5%以上である
ことを特徴とする請求項1記載の磁気センサ。 - 前記合金金属薄膜の膜厚が20nm以上60nm以下であることを特徴とする請求項1記載の磁気センサ。
- 前記合金金属薄膜を真空蒸着法により成膜したことを特徴とする請求項1記載の磁気センサ。
- 前記合金金属薄膜がシリコンウェハ上に形成された集積回路の上部に絶縁層膜を介して成膜されていることを特徴とする請求項1記載の磁気センサ。
- 保護膜、前記合金金属薄膜、保護膜、制御用の集積回路、シリコン基板という構造をもつウェハをチップ化し、金属端子と樹脂でパッケージングした
ことを特徴とする請求項1記載の磁気センサ。 - 第1の固定抵抗、第2の固定抵抗、第1の可変抵抗および第2の可変抵抗をブリッジ状に接続したブリッジ抵抗と、
前記第1の固定抵抗および第1の可変抵抗の接続点をマイナス側の入力端子に直結し、前記第2の固定抵抗および第2の可変抵抗の接続点をプラス側の入力端子に直結した2つのコンパレータであって、そのうちの一方のコンパレータを高磁界変化に対応する電圧変化に反応するようにそれ自体の回路上で調整し、他方のコンパレータを低磁界変化に対応する電圧変化に反応するようにそれ自体の回路上で調整した第1および第2のコンパレータと、
前記第1のコンパレータの出力側に直接配置され、前記ブリッジ抵抗に第1の磁界変化に対応する抵抗値の変化が生じたとき第1のコンパレータの出力を変化させて第1の磁界変化を検出したことを表わす電圧変化を発生させる第1の駆動回路と、
前記第2のコンパレータの比較結果の出力側に前記第1の駆動回路とは別の回路として直接配置され、前記ブリッジ回路に前記第1の磁界変化と異なる第2の磁界変化に対応する抵抗値の変化が生じたとき第2のコンパレータの出力を変化させて第2の磁界変化を検出したことを表わす電圧変化を発生させる第2の駆動回路
とを備えて構成される磁気センサの前記ブリッジ抵抗は、Ni、Fe、Coを主成分とする磁気抵抗効果を示す合金金属薄膜を抵抗体のブリッジ構造状に加工したものであって、
この合金金属薄膜の組成比が、Niの組成比をx重量%、Coの組成比をy重量%とすると、
21x+19y≦1869、
5x+28y≧546、
y≦11、
x+y≧85
を同時に満たす組成範囲内にあるNi、Fe、Coを主成分とする磁気抵抗効果を示す合金金属薄膜を成膜する成膜ステップ
を具備し、
検知磁界が前記第1の磁界変化と第2の磁界変化のそれぞれを検出する2点の磁界であり、
そのうち少なくとも1点での検知磁界が2.5mT以上であり、
検知磁界となる2点の磁界のうち、最小検知磁界と最大検知磁界が0.5mT以上離れており、
前記第1および第2のコンパレータの比較結果としての電圧変化を、前記第1および第2の駆動回路それぞれの出力端子から、グランドGNDに対する電圧変化として読み出す
ことを特徴とする磁気センサの製造方法。 - 前記成膜ステップでは、磁歪定数の絶対値が1.5×10-5以下であり、かつ異方性磁界(Hk)が8Oe以上16Oe以下であり、かつ磁気抵抗変化率が2.5%以上となる
Ni、Fe、Coを主成分とする磁気抵抗効果を示す合金金属薄膜を成膜する
ことを特徴とする請求項7記載の磁気センサの製造方法。 - 前記合金金属薄膜の膜厚が20nm以上60nm以下となるように成膜することを特徴とする請求項7もしくは請求項8記載の磁気センサの製造方法。
- 前記成膜ステップは真空蒸着法で行うことを特徴とする請求項7もしくは請求項8記載の磁気センサの製造方法。
- 強さの異なる複数の磁界を検知する制御用の集積回路を基板上に形成する集積回路形成ステップと、
この集積回路形成ステップで形成した集積回路の上に前記合金金属薄膜を成膜する合金金属薄膜成膜ステップ
とを具備することを特徴とする請求項7もしくは請求項8記載の磁気センサの製造方法。 - 第1の部材と、
この第1の部材に固設された磁石と、
前記磁石と所定の固定位置との間の距離を連続して変化させるように前記第1の部材に対して相対的に移動自在な第2の部材と、
この第2の部材の前記所定の固定位置に配置され、前記磁石の磁力を検知する磁気センサ
とを備え、
前記磁気センサは、
第1の固定抵抗、第2の固定抵抗、第1の可変抵抗および第2の可変抵抗をブリッジ状に接続したブリッジ抵抗と、
前記第1の固定抵抗および第1の可変抵抗の接続点をマイナス側の入力端子に直結し、前記第2の固定抵抗および第2の可変抵抗の接続点をプラス側の入力端子に直結した2つのコンパレータであって、そのうちの一方のコンパレータを高磁界変化に対応する電圧変化に反応するようにそれ自体の回路上で調整し、他方のコンパレータを低磁界変化に対応する電圧変化に反応するようにそれ自体の回路上で調整した第1および第2のコンパレータと、
前記第1のコンパレータの出力側に直接配置され、前記ブリッジ抵抗に第1の磁界変化に対応する抵抗値の変化が生じたとき第1のコンパレータの出力を変化させて第1の磁界変化を検出したことを表わす電圧変化を発生させる第1の駆動回路と、
前記第2のコンパレータの比較結果の出力側に前記第1の駆動回路とは別の回路として直接配置され、前記ブリッジ回路に前記第1の磁界変化と異なる第2の磁界変化に対応する抵抗値の変化が生じたとき第2のコンパレータの出力を変化させて第2の磁界変化を検出したことを表わす電圧変化を発生させる第2の駆動回路
とを備えて構成され、
前記ブリッジ抵抗は、Ni、Fe、Coを主成分とする磁気抵抗効果を示す合金金属薄膜を抵抗体のブリッジ構造状に加工したものであって、
この合金金属薄膜の組成比が、Niの組成比をx重量%、Coの組成比をy重量%とすると、
21x+19y≦1869、
5x+28y≧546、
y≦11、
x+y≧85
を同時に満たす組成範囲内にあって、
検知磁界が前記第1の磁界変化と第2の磁界変化のそれぞれを検出する2点の磁界であり、
そのうち少なくとも1点での検知磁界が2.5mT以上であり、
検知磁界となる2点の磁界のうち、最小検知磁界と最大検知磁界が0.5mT以上離れており、
前記第1および第2のコンパレータの比較結果としての電圧変化を、前記第1および第2の駆動回路それぞれの出力端子から、グランドGNDに対する電圧変化として読み出す
ことを特徴とする電子機器。 - 前記第1の部材と第2の部材は、ヒンジ機構によって開閉自在とされた折り畳み型携帯電話機の第1の筐体と第2の筐体のいずれか一方と他方を構成することを特徴とする請求項12記載の電子機器。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006065336A JP4890891B2 (ja) | 2006-03-10 | 2006-03-10 | 磁気センサ、その製造方法および電子機器 |
EP07004800A EP1832890A1 (en) | 2006-03-10 | 2007-03-08 | Magnetic sensor, method of manufacturing the same, and electronic device |
US11/715,935 US7830143B2 (en) | 2006-03-10 | 2007-03-09 | Magnetic sensor, method of manufacturing the same, and electronic device |
CN2007100862501A CN101034146B (zh) | 2006-03-10 | 2007-03-09 | 磁传感器及其电子设备 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006065336A JP4890891B2 (ja) | 2006-03-10 | 2006-03-10 | 磁気センサ、その製造方法および電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007242989A JP2007242989A (ja) | 2007-09-20 |
JP4890891B2 true JP4890891B2 (ja) | 2012-03-07 |
Family
ID=38113391
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006065336A Active JP4890891B2 (ja) | 2006-03-10 | 2006-03-10 | 磁気センサ、その製造方法および電子機器 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7830143B2 (ja) |
EP (1) | EP1832890A1 (ja) |
JP (1) | JP4890891B2 (ja) |
CN (1) | CN101034146B (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009093523A1 (ja) | 2008-01-24 | 2009-07-30 | Alps Electric Co., Ltd. | 磁気センサ及びその製造方法 |
JP2011027683A (ja) * | 2009-07-29 | 2011-02-10 | Tdk Corp | 磁気センサ |
CN101752051B (zh) * | 2010-03-05 | 2011-07-20 | 北京科技大学 | 一种垂直磁各向异性多层膜 |
CN202433514U (zh) * | 2011-01-17 | 2012-09-12 | 江苏多维科技有限公司 | 独立封装的桥式磁场传感器 |
JP2012173206A (ja) * | 2011-02-23 | 2012-09-10 | Yamanashi Nippon Denki Kk | 磁気センサ及びその製造方法 |
JP2013016630A (ja) * | 2011-07-04 | 2013-01-24 | Yamanashi Nippon Denki Kk | 磁気抵抗効果素子及びこれを用いた磁気センサ |
CN104169734B (zh) * | 2012-04-04 | 2017-03-22 | 株式会社村田制作所 | 磁检测装置以及纸币识别装置 |
JP2014049043A (ja) * | 2012-09-03 | 2014-03-17 | Panasonic Corp | 建具用施解錠検出装置 |
KR102161059B1 (ko) | 2014-03-04 | 2020-10-20 | 삼성전자주식회사 | 모바일 전자장치, 그를 위한 액세서리 디바이스 및 그 액세서리 디바이스를 구비한 전자장치 |
TWI620290B (zh) * | 2014-05-27 | 2018-04-01 | 聯華電子股份有限公司 | 導電墊結構及其製作方法 |
DE102015115539B4 (de) * | 2015-09-15 | 2023-07-06 | Bundesrepublik Deutschland, Vertreten Durch Den Bundesminister Für Wirtschaft Und Energie, Dieser Vertreten Durch Den Präsidenten Der Bundesanstalt Für Materialforschung Und -Prüfung (Bam) | Prüfelement, Prüfkopf mit einem Prüfelement und Herstellungsverfahren dafür |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54148578A (en) * | 1978-04-18 | 1979-11-20 | Nec Corp | Rotating direction detector |
JPS6064484A (ja) | 1983-09-19 | 1985-04-13 | Hitachi Ltd | 強磁性磁気抵抗効果合金膜 |
JPS61144893A (ja) * | 1984-12-18 | 1986-07-02 | Aichi Tokei Denki Co Ltd | 磁気抵抗素子 |
JPS61216369A (ja) * | 1985-03-20 | 1986-09-26 | Nec Corp | 磁気センサ− |
JPH0216780A (ja) * | 1988-07-05 | 1990-01-19 | Nippon Autom Kk | 磁気抵抗素子 |
JP2545935B2 (ja) | 1988-07-12 | 1996-10-23 | 日本電気株式会社 | 磁気抵抗効果薄膜およびその製造方法 |
JP3058899B2 (ja) * | 1990-02-21 | 2000-07-04 | 浜松光電株式会社 | 磁気検出素子 |
JP2841657B2 (ja) | 1990-03-19 | 1998-12-24 | 大同特殊鋼株式会社 | 磁気抵抗効果合金 |
JP2841658B2 (ja) | 1990-03-19 | 1998-12-24 | 大同特殊鋼株式会社 | 磁気抵抗効果合金 |
JPH04133221A (ja) | 1990-09-26 | 1992-05-07 | Nec Corp | 磁気センサ |
JPH05327061A (ja) * | 1992-05-19 | 1993-12-10 | Aichi Tokei Denki Co Ltd | 磁気抵抗素子 |
JP2551321B2 (ja) * | 1993-04-21 | 1996-11-06 | 日本電気株式会社 | 集積化磁気抵抗効果センサ |
JPH076915A (ja) | 1993-06-18 | 1995-01-10 | Tdk Corp | 磁性多層膜および磁気抵抗変化素子ならびにそれらの製造方法 |
JPH0729735A (ja) | 1993-07-09 | 1995-01-31 | Tohoku Tokushuko Kk | 強磁性磁気抵抗効果合金膜 |
JPH0816718A (ja) * | 1994-06-29 | 1996-01-19 | Tec Corp | 図形情報入力装置 |
JP2776314B2 (ja) | 1995-08-23 | 1998-07-16 | 日本電気株式会社 | 集積化磁気センサの積層膜構造 |
JPH09119968A (ja) * | 1995-10-25 | 1997-05-06 | Nec Corp | 磁気抵抗センサとその製造方法 |
JPH09283735A (ja) * | 1996-04-10 | 1997-10-31 | Nec Corp | 集積化磁気センサ及びその製造方法 |
-
2006
- 2006-03-10 JP JP2006065336A patent/JP4890891B2/ja active Active
-
2007
- 2007-03-08 EP EP07004800A patent/EP1832890A1/en not_active Ceased
- 2007-03-09 US US11/715,935 patent/US7830143B2/en active Active
- 2007-03-09 CN CN2007100862501A patent/CN101034146B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007242989A (ja) | 2007-09-20 |
EP1832890A1 (en) | 2007-09-12 |
CN101034146B (zh) | 2011-08-03 |
CN101034146A (zh) | 2007-09-12 |
US7830143B2 (en) | 2010-11-09 |
US20070210788A1 (en) | 2007-09-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4890891B2 (ja) | 磁気センサ、その製造方法および電子機器 | |
JP4780117B2 (ja) | 角度センサ、その製造方法及びそれを用いた角度検知装置 | |
JP4800452B1 (ja) | 磁性膜センサ | |
WO2002037131A1 (fr) | Capteur de champ magnetique a couche mince | |
EP0678213A4 (ja) | ||
US10901049B2 (en) | Magnetic sensor and method for manufacturing said magnetic sensor | |
JPH0763505A (ja) | 可動体変位検出装置 | |
US9523746B2 (en) | Giant magnetoresistance element and current sensor using the same | |
KR101541992B1 (ko) | 자발 홀 효과 마그네틱 센서 및 이를 포함하는 마그네틱 센싱 장치 | |
EP1536490A1 (en) | Magnetoresistance effect element and production method and application method therefor | |
JP2007271319A (ja) | 磁気センサ及びその製造方法 | |
JP2006351563A (ja) | 薄膜磁気センサ | |
JP4485499B2 (ja) | 磁気検出装置およびその製造方法 | |
JP6722304B2 (ja) | 応力センサ | |
JP5630247B2 (ja) | 回転角センサ | |
JP4474835B2 (ja) | 磁気インピーダンス素子 | |
WO2011033981A1 (ja) | 磁気センサの製造方法 | |
JP3590291B2 (ja) | 磁気抵抗素子 | |
EP2096689A1 (en) | Magnetoresistance effect element, magnetic sensor and method for manufacturing magnetoresistance effect element | |
JP2014016320A (ja) | 磁気センサ | |
JPH10233540A (ja) | 磁気抵抗効果膜 | |
JPWO2008102786A1 (ja) | 磁気検出装置 | |
JP2006019484A (ja) | 磁気センサ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090213 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110408 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110419 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110608 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110628 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110811 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110913 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111102 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111129 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111215 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4890891 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141222 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |