JP4885158B2 - 露光描画装置 - Google Patents
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Description
この構成の露光描画装置は、アパーチャー部材の検出窓の下流に第1光量センサを備えているため、分岐する前の光源の光量を検出することができる。その一方で、第1及び第2光学素子との近傍に第1光量センサを配置することでスペースを有効に活用することができる。また、これにより適切な露光光ILによる描画を行うことができる。
被露光体に照射する光量は所定の強さで照射されなければならない。第2の観点の露光描画装置は、第1光量センサからの検出された光量が強い場合など、制御部は第1又は第2空間光変調部により第1光束又は第2光束が被露光体方向に向く時間(露光時間)を短くするなどの制御を行うことができる。
この構成により、第3の観点の露光描画装置は、第1光量センサからの検出された光量が強い場合など、制御部は被露光体ステージの移動速度を早くすることができる。
この構成により、第4の観点の露光描画装置は、第1光量センサからの検出された光量が強い場合など、制御部は電力供給源の電力供給を小さくすることができる。これにより適切な露光光ILによる描画を行うことができる。
第1及び第2光学素子が透過部を有しているため、第1光量センサを第1及び第2光学素子との下側に配置することができ、スペースを有効に活用することができる。
高圧水銀ランプは電源投入から立ち上がりまでに定常状態になるまで時間がかかる。それまでに入力手段で露光条件などを設定しても、高圧水銀ランプが寿命で所定の光量まで達しない場合には、ランプの交換などをしなければならない。そして再度、入力手段で露光条件を設定しなければならない。従って、高圧水銀ランプが所定の光量に達した状況で、初めて入力手段で露光条件などを設定できるようにする。
この構成により、第7の観点の露光描画装置は2つ光源を有している。そこで、電力制御部が、第1光量センサと第2光量センサからの光量が所定範囲内に入るように、第1及び第2電力供給源を制御する。しかし、第1光量センサと第2光量センサとには光量の差異があるため、制御部が光量の差に基づいて第1ないし第4空間光変調部の空間変調を制御する。これにより、第1ないし第4空間光変調部による適切な描画を行うことができる。
従って、この露光描画装置は、製造しやすくまたメンテナンスしやすい構造となっている。
図1は、露光描画装置100を示す概略斜視図である。露光描画装置100は、大別して、第1照明光学系30と、第2照明光学系37と、空間光変調部41と、投影光学系60と、被露光体テーブル90とを有している。本実施形態では、大きな面積の被露光体CBを露光することができるように、2系統の第1照明光学系30−1及び第2照明光学系30−2を備えている。露光描画装置100の第1照明光学系30−1及び第2照明光学系30−2は、第1高圧水銀ランプ10−1及び第2高圧水銀ランプ10−2(図2参照)を有している。
第1高圧水銀ランプ10−1は、楕円ミラー11−1の第1焦点位置に配置される。楕円ミラー11−1は、高圧水銀ランプ10から照射されるUV光を効果的に第2焦点位置の方向に反射する。高圧水銀ランプの他、キセノンランプ、又はフラッシュランプを用いてもよい。
第1照明光学系30−1に配置された第1高圧水銀ランプ10−1は、その光出力を所定レベルに安定させるために、露光描画装置100の電源制御部19(図8を参照)により電源が投入されてから切断されるまで、常時所定レベルの照明光を出射する。このため、被露光体CBを露光しない期間は露光光ILが遮光されるように、楕円ミラー11−1の第2焦点位置にはシャッタ13−1が配置されている。シャッタ13−1を楕円ミラー11−1の第2焦点位置に配置する理由は、高圧水銀ランプ10から射出された露光光ILが集束されているためシャッタ13−1の少ない移動量で露光光ILを遮光することができるからである。
アパーチャー部材20−1及びアパーチャー部材20−2は、金属又はセラミックスなどの低蓄熱性で且つ熱膨張係数の小さい素材で形成される。露光光ILの一部がアパーチャー部材20−1及びアパーチャー部材20−2に照射されるため、熱が蓄積しやすいからである。また、熱膨張によりアパーチャー部材20−1及びアパーチャー部材20−2の大きさが変形しないようにアバーチャー部材に放熱部材を設けても良い。
図4に示すように、本実施例の露光描画装置100は、第1高圧水銀ランプ10−1と第2高圧水銀ランプ10−2との光量を検出するため第1光量センサSS11及び第2光量センサSS12を有している。
第1光量センサSS11及び第2光量センサSS12は、アパーチャー部材20−1及びアパーチャー部材20−2の検出窓29の下に配置する。高圧水銀ランプ10の光量を検出するとともにできるだけDMD素子41に近い箇所に配置することで、第1照明光学系30−1及び第1照明系30−2を構成する光学素子などの減衰の影響を受けないようにしている。
図5(a)は、1つのDMD素子41の斜視図を示し、(b)は、マイクロミラーMの動作を示した図である。
本実施例の露光描画装置100は、8個のDMD素子41を有しており、その1つのDMD素子41の光反射面は、例えば1024×1280のマトリクス状に配列された1310720個のマイクロミラーMから構成される。DMD素子41は、X方向に沿って1024個、Y方向に沿って1280個のマイクロミラーMが配列され、例えばX方向に約12mmY方向に約14mmの光反射面を有する。個々のマイクロミラーMのサイズは、例えば11.5μm角である。
図6及び図7を参照して、露光描画装置100における描画処理について説明する。
図6(a)は被露光体テーブル90に載置された被露光体CBの描画処理の経時変化を示す図であり、図6(b)及び(c)は、スティチングを説明する図である。また、図7は、描画処理のフローチャートである。
ステップR11において、第1高圧水銀ランプ10−1及び第2高圧水銀ランプ10−2の光量を第1光量センサSS11及び第2光量センサSS12で確認する。電源制御部19は、第1高圧水銀ランプ10−1及び第2高圧水銀ランプ10−2の光量をほぼ均等に制御する。第1高圧水銀ランプ10−1及び第2高圧水銀ランプ10−2の光量をほぼ均等になった後、シャッタ13が露光光ILを遮蔽する。
ステップR12において、被露光体CBのX方向Y方向サイズ及び塗布されているフォトレジストの感度条件などが入力される。
ステップR15において、被露光体テーブル90に被露光体CBが真空吸着される。
ステップR16において、シャッタ13が開放し、露光体CBの露光描画が開始される。
ステップR17において、被露光体テーブル90がY方向に移動する。
ステップR19において、被露光体テーブル90がX方向に移動する。
ステップR20において、シャッタ13が開放し、露光体CBの露光描画が行われる。
ステップR21において、被露光体テーブル90が−Y方向に移動する。
ステップR23において、被露光体CBが真空吸着から開放され、被露光体テーブル90から被露光体CBが取り出される。
次に、スティチングについて説明する。
隣り合う露光領域SPの境目は、光量ムラ及び位置ずれにより、継ぎ目が目立ってしまう。このため、継ぎ目が目立たないように、スティチングが行われる。図6(b)は、図6(a)の露光領域SP6及び露光領域SP7を拡大し、露光領域SP6及びSP7分離した図である。露光領域SP6及び露光領域SP7は、全露光領域EX1と半露光領域EX2とが形成される。
図8は、露光描画装置100の露光量調整を示すブロック図である。説明の簡略化のため、8系統の第2照明光学系37から投影光学系60まで構成のうち、第2照明光学系37−1から投影光学系60−1、第2照明光学系37−2から投影光学系60−2、第2照明光学系37−5から投影光学系60−5、第2照明光学系37−6から投影光学系60−6のブロックを描いてある。
図10のステップS11及びS21において、第1高圧水銀ランプ10−1と第2高圧水銀ランプ10−2とへ供給する電力調整を行われ、第1高圧水銀ランプ10−1と第2高圧水銀ランプ10−2とが点灯する。高圧水銀ランプ10は、一般に光量が安定するまでに約10数分かかり、徐々に光量が上がっていく。
ステップS12及びステップS22において、制御部80は、第1高圧水銀ランプ10−1と第2高圧水銀ランプ10−2との光量がしきい値thに達したかを判断する。
光量がしきい値thを超えていないようであれば、ステップS31に進む。ステップS31では、露光描画装置100の稼動を許可させない。これにより誤操作を防止する。稼動許可とは、例えばキーボードによる露光設定又は描画設定の許可、操作ボタンによる被露光体テーブル90の原点出しの許可などである。つまり、露光描画装置100が電源ONすると高圧水銀ランプ10が点灯するが、高圧水銀ランプ10の光量がしきい値thを超えなければ、入力手段(電源ボタンを除く)のキーボード又は操作ボタンによる露光設定などが行えない。
高圧水銀ランプ10の光量がしきい値thを超えていれば、ステップS13及びステップS23に進む。
高圧水銀ランプ10の光量が所定範囲pr内に入っていないと、ステップS14及びステップS24に進み、所定範囲pr内に入っているとステップS32に進む。
一方、ステップS32では、制御部80は、第1光量センサSS11及び第2光量センサSS12で検出された光量、並びにフォトレジスト感度などに基づいて、必要な露光時間を計算する。
ステップS34では、制御部80の指令に基づいて、被露光体ステージ駆動回路84が被露光体テーブル90を移動する。光量センサSS11からの検出された光量が強い場合など、被露光体ステージ駆動回路84は被露光体テーブル90の移動速度を早くする。
また、実施例では、高圧水銀ランプ10は2つであったが、3以上で構成してもよい。さらに、アパーチャー部材20は、1つの光束を4つの光束に分岐したが、2つ以上に分岐するアパーチャー部材であれば、分岐数に制限はない。
20; アパーチャー部材, 21: 開口窓, 29; 検出窓
22; 反射光学素子, 22H; 透過領域
23; 全反射ミラー
30; 第1照明光学系, 37; 第2照明光学系
41; DMD素子, 60; 投影光学系,
80; 制御部, 83; DMD駆動回路, 84; 被露光体ステージ駆動回路
90; 被露光体テーブル
CB; 被露光体
IL; 露光光
SS11,SS12; 光量センサ
SP; 露光領域
Claims (9)
- 被露光体にパターンを描画する露光描画装置において、
紫外線を含む光を照射する光源と、
前記光源を第1光束と第2光束とに分岐するための第1開口窓及び第2開口窓、並びに光量検出用の検出窓が設けられているアパーチャー部材と、
前記第1開口窓と第2開口窓とを通過した前記第1光束と第2光束とをそれぞれ反射する第1及び第2光学素子と、
前記第1光学素子と第2光学素子との間の近傍に配置され、前記検出窓を通過した光源からの光量を検出する第1光量センサと、
を備えることを特徴とする露光描画装置。 - 前記第1光学素子で反射された第1光束を、供給される第1画像データにより空間変調する第1空間光変調部と、
前記第2光学素子で反射された第2光束を、供給される第2画像データにより空間変調する第2空間光変調部と、
前記第1光量センサで検出された光量に応じて、前記第1又は第2空間光変調部の空間変調を制御する制御部と
を備えることを特徴とする請求項1に記載の露光描画装置。 - 前記被露光体を保持し、移動速度の可変が可能な被露光体ステージを備え、
前記制御部は、前記第1光量センサで検出された光量に応じて、前記被露光体ステージの移動速度を可変することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の露光描画装置。 - 前記光源に電力を供給する電力供給源を備え、
前記制御部は、前記第1光量センサで検出された光量に応じて、前記電力供給源の電力供給を調整することを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか一項に記載の露光描画装置。 - 前記第1及び第2光学素子は、前記検出窓を通過した光束を通過させる透過部を有していることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の露光描画装置。
- 前記光源は高圧水銀ランプであり、前記第1光量センサが検出された光量が、予め設定された所定の値に到達した後、前記露光描画装置の入力手段が操作できることを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれか一項に記載の露光描画装置。
- 被露光体にパターンを描画する露光描画装置において、
紫外線を含む光を照射する第1及び第2光源と、
この第1及び第2光源に電力を供給する第1及び第2電力供給源と、
前記第1光源を第1光束と第2光束とに分岐するための第1開口窓及び第2開口窓、並びに光量検出用の第1検出窓が設けられている第1アパーチャー部材と、
前記第2光源を第3光束と第4光束とに分岐するための第3開口窓及び第4開口窓、並びに光量検出用の第2検出窓が設けられている第2アパーチャー部材と、
前記第1検出窓から前記第1光源の光量を測定する第1光量センサと、
前記第2検出窓から前記第2光源の光量を測定する第2光量センサと、
前記第1光量センサと第2光量センサからの光量が所定範囲内に入るように、前記第1及び第2電力供給源を制御する電力制御部と、
前記第1開口窓及び第2開口窓を透過した第1及び第2光束を、供給される第1及び第2画像データにより空間変調する第1及び第2空間光変調部と、
前記第3開口窓及び第4開口窓を透過した第3及び第4光束を、供給される第3及び第4画像データにより空間変調する第3及び第4空間光変調部と、
前記第1光量センサと第2光量センサからの光量の差に基づいて、前記第1ないし第4空間光変調部の空間変調を制御する制御部と
を有することを特徴とする露光描画装置。 - 前記第1光源及び第2光源の経時的な光量変化を記憶する記憶装置を有し、
前記第1光量センサと前記第2光量センサの経時の出力状況と、前記記憶装置に記憶された経時的な光量変化とを比較することによって、前記第1及び第2光源から前記第1及び第2アパーチャー部材までの光路の状態を把握することを特徴とする請求項7に記載の露光描画装置。 - 前記第1空間光変調部ないし第4空間光変調部からの第1光束ないし第4光束を、前記被露光体に導くため、隣り合って配置された第1投影光学系ないし第4投影光学系を有し、
この第1投影光学系ないし第4投影光学系が一直線に配置していることを特徴とする請求項7又は請求項8に記載の露光描画装置。
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