JP4864006B2 - 試験装置および試験方法 - Google Patents
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Description
特願2006−105394号 出願日 2006年4月6日
また、ページ分類部は、複数のグレードのそれぞれに対応して設けられ、当該グレードに分類すべき被試験メモリについてページ内に含まれるエラーの数の上限値を記憶する複数のレジスタと、複数のレジスタに記憶された複数の上限値のそれぞれと、データエラーカウント部のカウント値とを比較する比較部と、被試験メモリから読み出したデータ列についてのカウント値が、上限値以下であることを条件として、当該データ列を記憶したページが当該上限値に応じたグレードの条件を満たすと判断する判断部とを備えてもよい。
なお、上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではなく、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。
110 試験処理部
120 タイミング発生器
130 パターン発生器
140 波形整形器
150 ドライバ
160 コンパレータ
170 論理比較器
180 分類モジュール
190 リペア処理部
200 訂正可能領域
210 データ
220 誤り訂正符号
230 訂正不可能領域
240 メインエリア
250 エキストラエリア
300 処理部
305 タイミング検出部
310 カウント部
315 アンドゲート
320 アンドゲート
321 カウント値変更部
322 オアゲート
324 アンドゲート
326 オアゲート
328 加算器
330 比較部
332 レジスタ
334 判断部
340 ページ分類部
360 AFM
365 アドレスポインタ部
370 BBM
375 アドレス変換部
380 出力部
図1は、本発明の実施形態に係る試験装置10の構成を示す。試験装置10は、被試験メモリ100のメモリ機能を試験する。ここで、被試験メモリ100は、例えば半導体メモリ又はメモリ機能を付加したSoC(システム・オン・チップ)等であり、誤り訂正符号が付加されたデータ列を記憶する。本実施形態に係る試験装置10は、被試験メモリ100から読み出したデータ列が期待値データ列と一致しない場合においても、誤り訂正符号により訂正可能であることを条件として、当該被試験メモリ100を不良であると判断しない。また、試験装置10は、それぞれのページについて、そのページに含まれるデータ列が誤り訂正符号により訂正可能な場合であっても、そのページに生じた誤りの数に応じて、そのページをグレードに分類する。そして、試験装置10は、それぞれのページに生じたビット毎の誤りを示すビットパスフェイル情報をグレード毎に出力する。この際、試験装置は、各ページに生じた誤りの数が所定のグレードの条件を満たす場合には、本来のビットパスフェイル情報を出力せずに一切のビットフェイルが生じなかった旨を示すビットパスフェイル情報を出力する。これにより、グレードに応じたリペア処理に際し、出力されたビットパスフェイル情報の解析作業を省略することができる。このように、試験装置10は、被試験メモリ100の各ページの品質を適切に判断すると共に、その結果の解析処理を効率化することを目的とする。以下、被試験メモリ100がフラッシュメモリである場合を例として説明を行う。
波形整形器140は、基準クロック、RATE信号、及びTS信号に基づいて、試験パターンデータを被試験メモリ100に供給すべきタイミングの波形に整形する。
ドライバ150は、波形整形器140により整形された試験パターンデータを、試験パターン信号として被試験メモリ100へ供給する。コンパレータ160は、試験パターンに応じて被試験メモリ100が出力する出力信号を予め定められた基準電圧と比較して、出力信号の論理値を得る。
Claims (7)
- ページ毎に誤り訂正符号が付加されたデータ列を記憶する被試験メモリを試験する試験装置であって、
誤り訂正の単位となるページ毎に、当該ページに記憶された前記データ列を前記被試験メモリから読み出す試験処理部と、
前記被試験メモリから読み出された前記データ列に含まれる各ビットの値を、当該ビットの期待値と比較する論理比較器と、
前記論理比較器による比較結果に基づいて、前記被試験メモリの記憶セル毎に当該記憶セルの良否を示すビットパスフェイル情報を格納する第1フェイルメモリと、
前記期待値と一致しないビットの数をページ毎にカウントするデータエラーカウント部と、
前記被試験メモリを品質に応じて分類する複数のグレードのそれぞれについて、前記期待値と一致しないビット数が当該グレードの条件を満たすか否かをページ毎に判断するページ分類部と、
前記ページ分類部による判定結果に基づいて、前記複数のグレードのそれぞれについて、各ページの良否を示すページパスフェイル情報を格納する第2フェイルメモリと、
前記複数のグレードのそれぞれについて記憶セル毎の前記ビットパスフェイル情報を出力する場合において、前記記憶セルに応じたビットを有するページが当該グレードの条件を満たす旨の前記ページパスフェイル情報が前記第2フェイルメモリに記憶されていることを条件として、前記第1フェイルメモリから出力された当該記憶セルの不良を示す前記ビットパスフェイル情報を、当該記憶セルが不良でないことを示す値に変更して出力する出力部と
を備える試験装置。 - 前記第1フェイルメモリに記憶された、記憶セル毎の前記ビットパスフェイル情報を順次読み出すための第1アドレスを順次出力するアドレスポインタ部と、
前記アドレスポインタ部が出力するアドレスから一部のビットを取り出して、前記第2フェイルメモリに記憶された、当該アドレスに対応する記憶セルを有するページの前記ページパスフェイル情報を読み出すための第2アドレスを出力するアドレス変換部と
を更に備え、
前記出力部は、前記第2フェイルメモリ内の前記第2アドレスから読み出された、当該ページが不良である場合に論理値Hとなり当該ページが不良でない場合に論理値Lとなる前記ページパスフェイル情報と、前記第1フェイルメモリ内の前記第1アドレスから読み出された、当該記憶セルが不良である場合に論理値Hとなり当該記憶セルが不良でない場合に論理値Lとなる前記ビットパスフェイル情報との論理積を当該記憶セルの前記ビットパスフェイル情報として出力する
請求項1に記載の試験装置。 - 前記出力部が出力したページ毎のビットパスフェイル情報に基づいて、不良の記憶セルを予備の記憶セルに置き換えるリペア処理を行うリペア処理部を更に備える請求項1に記載の試験装置。
- 前記ページ分類部は、
前記複数のグレードのそれぞれに対応して設けられ、当該グレードに分類すべき前記被試験メモリについてページ内に含まれるエラーの数の上限値を記憶する複数のレジスタと、
前記複数のレジスタに記憶された複数の前記上限値のそれぞれと、前記データエラーカウント部のカウント値とを比較する比較部と、
前記被試験メモリから読み出した前記データ列についての前記カウント値が、前記上限値以下であることを条件として、当該データ列を記憶したページが当該上限値に応じたグレードの条件を満たすと判断する判断部と
を備える請求項1に記載の試験装置。 - ページ毎に誤り訂正符号が付加されたデータ列を記憶する被試験メモリを試験する試験方法であって、
誤り訂正の単位となるページ毎に、当該ページに記憶された前記データ列を前記被試験メモリから読み出す試験処理段階と、
前記被試験メモリから読み出された前記データ列に含まれる各ビットの値を、当該ビットの期待値と比較する論理比較段階と、
前記論理比較段階による比較結果に基づいて、前記被試験メモリの記憶セル毎に当該記憶セルの良否を示すビットパスフェイル情報を第1フェイルメモリに格納する第1格納段階と、
前記期待値と一致しないビットの数をページ毎にカウントするデータエラーカウント段階と、
前記被試験メモリを品質に応じて分類する複数のグレードのそれぞれについて、前記期待値と一致しないビット数が当該グレードの条件を満たすか否かをページ毎に判断するページ分類段階と、
前記ページ分類段階による判定結果に基づいて、前記複数のグレードのそれぞれについて、各ページの良否を示すページパスフェイル情報を第2フェイルメモリに格納する第2格納段階と、
前記複数のグレードのそれぞれについて記憶セル毎の前記ビットパスフェイル情報を出力する場合において、前記記憶セルに応じたビットを有するページが当該グレードの条件を満たす旨の前記ページパスフェイル情報が前記第2フェイルメモリに記憶されていることを条件として、前記第1フェイルメモリから出力された当該記憶セルの不良を示す前記ビットパスフェイル情報を、当該記憶セルが不良でないことを示す値に変更して出力する出力段階と
を備える試験方法。 - 1ビットまたは複数ビットの誤り訂正機能をページ毎に備える被試験メモリを試験する試験装置であって、
前記被試験メモリへ試験用のデータ列を書きこみ、書込まれた前記データ列をページ毎に読み出す試験処理部と、
ページ毎に読み出される前記データ列を受けて、そのデータ列を所定の期待値と順次比較して記憶セル毎の良否を示すビットパスフェイル情報を生成し、前記ビットパスフェイル情報を格納する第1フェイルメモリと、
前記第1フェイルメモリによる格納動作と並行して動作し、前記期待値と一致しないビットの数をページ毎にカウントしたカウント値に基づいて、誤り訂正が不可能か、1ビットの誤り訂正が可能か、または、複数ビットの誤り訂正が可能か、の判別情報を生成するグレード選別部と
を備えることを特徴とする試験装置。 - 前記グレード選別部は、
前記期待値と一致しないビットの数をページ毎にカウントするデータエラーカウント部と、
前記被試験メモリを品質に応じて分類する複数のグレードのそれぞれについて、前記期待値と一致しないビット数が当該グレードの条件を満たすか否かをページ毎に判断するページ分類部と、
前記ページ分類部による判定結果に基づいて、前記複数のグレードのそれぞれについて、各ページの良否を示すページパスフェイル情報を格納する第2フェイルメモリと、
前記複数のグレードのそれぞれについて記憶セル毎の前記ビットパスフェイル情報を出力する場合において、前記記憶セルに応じたビットを有するページが当該グレードの条件を満たす旨の前記ページパスフェイル情報が前記第2フェイルメモリに記憶されていることを条件として、前記第1フェイルメモリから出力された当該記憶セルの不良を示す前記ビットパスフェイル情報を、当該記憶セルが不良でないことを示す値に変更して出力する出力部と
を更に備える請求項6に記載の試験装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007541563A JP4864006B2 (ja) | 2006-04-06 | 2007-03-22 | 試験装置および試験方法 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006105394 | 2006-04-06 | ||
JP2006105394 | 2006-04-06 | ||
JP2007541563A JP4864006B2 (ja) | 2006-04-06 | 2007-03-22 | 試験装置および試験方法 |
PCT/JP2007/055879 WO2007119485A1 (ja) | 2006-04-06 | 2007-03-22 | 試験装置および試験方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2007119485A1 JPWO2007119485A1 (ja) | 2009-08-27 |
JP4864006B2 true JP4864006B2 (ja) | 2012-01-25 |
Family
ID=38609270
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007541563A Expired - Fee Related JP4864006B2 (ja) | 2006-04-06 | 2007-03-22 | 試験装置および試験方法 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7984345B2 (ja) |
EP (1) | EP2003653B1 (ja) |
JP (1) | JP4864006B2 (ja) |
KR (2) | KR20090053960A (ja) |
CN (1) | CN101310342A (ja) |
AT (1) | ATE476741T1 (ja) |
DE (1) | DE602007008216D1 (ja) |
TW (1) | TW200739593A (ja) |
WO (1) | WO2007119485A1 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 2007-03-22 KR KR1020097007788A patent/KR20090053960A/ko active Search and Examination
- 2007-03-22 KR KR1020077020964A patent/KR20080007544A/ko active Application Filing
- 2007-03-22 AT AT07739322T patent/ATE476741T1/de not_active IP Right Cessation
- 2007-03-22 EP EP07739322A patent/EP2003653B1/en not_active Not-in-force
- 2007-03-22 CN CNA200780000113XA patent/CN101310342A/zh active Pending
- 2007-03-22 DE DE602007008216T patent/DE602007008216D1/de active Active
- 2007-03-22 JP JP2007541563A patent/JP4864006B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2007-03-22 WO PCT/JP2007/055879 patent/WO2007119485A1/ja active Application Filing
- 2007-03-29 TW TW096110985A patent/TW200739593A/zh unknown
- 2007-09-19 US US11/857,453 patent/US7984345B2/en not_active Expired - Fee Related
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JP2000173289A (ja) * | 1998-12-10 | 2000-06-23 | Toshiba Corp | エラー訂正可能なフラッシュメモリシステム |
JP2002133892A (ja) * | 2000-10-25 | 2002-05-10 | Fujitsu Ltd | フラッシュメモリの欠陥管理方法 |
JP2002140899A (ja) * | 2000-11-01 | 2002-05-17 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
JP2004220068A (ja) * | 2003-01-09 | 2004-08-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | メモリカード及びメモリへのデータ書き込み方法 |
JP2005056394A (ja) * | 2003-07-18 | 2005-03-03 | Toshiba Corp | 記憶装置及びメモリカード |
JP2006012367A (ja) * | 2004-06-29 | 2006-01-12 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2006134482A (ja) * | 2004-11-05 | 2006-05-25 | Toshiba Corp | 不揮発性メモリシステム |
WO2007063784A1 (en) * | 2005-11-30 | 2007-06-07 | Advantest Corporation | Semiconductor memory test apparatus with error classification means and related test method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2007119485A1 (ja) | 2007-10-25 |
EP2003653A4 (en) | 2009-10-28 |
US7984345B2 (en) | 2011-07-19 |
EP2003653B1 (en) | 2010-08-04 |
JPWO2007119485A1 (ja) | 2009-08-27 |
DE602007008216D1 (de) | 2010-09-16 |
TW200739593A (en) | 2007-10-16 |
ATE476741T1 (de) | 2010-08-15 |
CN101310342A (zh) | 2008-11-19 |
EP2003653A1 (en) | 2008-12-17 |
US20080052015A1 (en) | 2008-02-28 |
KR20080007544A (ko) | 2008-01-22 |
KR20090053960A (ko) | 2009-05-28 |
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Legal Events
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A621 | Written request for application examination |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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