JP4862863B2 - 単結晶製造装置の駆動部の制御方法および単結晶製造装置 - Google Patents
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また、巻取ドラムを回転駆動する第1モーターから巻取ドラムに回転を伝達する回転軸の一部として第2モーターを設けて、引上ワイヤの速度の精度を向上させる方法も開示されている(例えば特許文献2参照)。
しかし、上記ルツボの回転精度や引上ワイヤの速度の精度が向上した場合であっても、製造された単結晶の品質が製造装置の号機によって異なり、歩留まり低下を起こすという問題があった。
これは、停電時には、ルツボ位置やヒーター位置を所定の位置に移動させる必要があるという非常回避動作を行うことを考慮すると、ルツボやヒーターの駆動部をアナログ信号で制御する必要があるためであり、このことによって、電源が正常に供給されている状態でシリコン単結晶を成長させる際も、単結晶製造装置の駆動部はアナログ信号で制御されているという事情があった。
このように、駆動部がルツボの上下移動機構、回転機構、ヒーターの上下移動機構のうち少なくとも1つを駆動させるものとすることで、それぞれの上下移動機構や回転機構をデジタル信号により精度良く制御することができる。そのため、単結晶を引き上げて成長させる際に、ルツボやヒーターを適切な位置に高精度で移動させることができる。そして、ルツボやヒーターの位置が適切であることにより、単結晶製造装置の炉内における熱環境の変化を防止して、例えば、高品質で欠陥が少ない無欠陥結晶を製造することができる。
このことにより、それぞれの上下移動機構や回転機構の速度を高精度で制御することができ、単結晶製造装置の号機ごとの上下移動機構等の速度のバラツキを抑制することができる。そのため、単結晶の品質の再現性を向上することができ、単結晶の歩留まりを向上することができる。
このことにより、ルツボ内のシリコン融液が固化して、成長途中の単結晶と固着することを防止することができる。また、ルツボ内のシリコン融液が固化して、ルツボが割れた場合にもヒーターの破損を防ぐことができ、危機管理として重要な対策をとることができる。
このことにより、ルツボの上下移動機構、回転機構、ヒーターの上下移動機構のそれぞれの速度が高精度で制御される単結晶製造装置とすることができる。そのため、単結晶製造装置の号機ごとの上下移動機構等の速度のバラツキを抑制することができ、単結晶の品質の再現性を向上することができる。そして、単結晶の歩留まりを向上することができる。
このことにより、停電時におけるルツボとヒーターの位置が相対的に離隔できる単結晶製造装置とすることができる。そのため、ルツボ内のシリコン融液が固化して、ルツボが割れた場合にもヒーターの破損を防ぐことができる単結晶製造装置とすることができる。 また、ルツボが所定の位置まで下降するように制御されるものであるため、ルツボ内のシリコン融液面も下降することができる。そのため、ルツボ内のシリコン融液が固化して、成長途中の単結晶と固着することを防止することができる単結晶製造装置とすることができる。
前述のように、無欠陥結晶などの単結晶の高品質化の要求に対応するためには、単結晶製造装置の炉内の温度勾配の制御が重要であり、ルツボやヒーターの移動機構を駆動する駆動部の制御の精度の向上が重要である。そこで、ルツボの回転精度や引上ワイヤの速度の精度を向上させる方法が開示されたが、駆動部の設定値に対する誤差は解消することができなかった。そして、その誤差を単結晶製造装置の号機ごとに調整しているため、その調整精度が原因で製造された単結晶の品質への影響が変わり歩留まり低下を起こすことがわかった。
その結果、単結晶製造装置の駆動部の制御にPLCを用いた場合であっても、パソコンから送られてきたデジタル信号をアナログ信号へ変換することなく、そのままデジタル信号を送信して、駆動部を制御することで、駆動部の設定値に対する誤差を小さくすることができ、その誤差を調整する必要がなくなり、単結晶の歩留まりが向上することがわかった。
図1は本発明の単結晶製造装置の駆動部の制御方法を示すブロック図である。また、図2は本発明の単結晶製造装置の断面構成例を模式的に示す図である。
図2に示すように、この製造装置の外観は図示しない炉で構成され、その中心部にルツボが配設されている。このルツボは二重構造であり、有底円筒状をなす石英製の内側保持容器(以下、単に「石英ルツボ1a」という)と、その石英ルツボ1aの外側を保持すべく適合された同じく有底円筒状の黒鉛製の外側保持容器(「黒鉛ルツボ1b」)とから構成されている。
また、停電が復帰した場合は、リレーが動作してアナログ信号がOFFとなると同時にモーターアンプにデジタル信号が送信される。
このことにより、ルツボの上下移動機構、回転機構、ヒーターの上下移動機構のそれぞれの速度が高精度で制御される単結晶製造装置とすることができる。そのため、成長途中での欠陥の少ない高品質な単結晶を製造することができる。
また、このような範囲内でそれぞれの速度が制御されることで、単結晶製造装置の号機の違いによるルツボの上下移動機構等の速度のバラツキを抑制することができる。そのため、単結晶の品質の再現性を向上することができ、単結晶の歩留まりを向上することができる。このような高精度の制御は、従来のアナログ制御では実現できない。
このことにより、停電時におけるルツボとヒーターの位置が相対的に離隔できる単結晶製造装置とすることができる。そのため、ルツボ内のシリコン融液が固化して、ルツボが割れた場合にもヒーターの破損を防ぐことができる単結晶製造装置とすることができる。 また、ルツボが所定の位置まで下降するように制御されるものであるため、ルツボ内のシリコン融液面も下降することができ、ルツボ内のシリコン融液が固化して、成長途中の単結晶と固着することを防止することができるので、停電時の後処理に手間のかからない単結晶製造装置とすることができる。
本発明では、CZ法により、ルツボ内に収容したシリコン融液から単結晶を引き上げてシリコン単結晶を製造する際に、駆動部のモーターを制御するモーターアンプに送信する信号をデジタル信号として、そのデジタル信号を送信して駆動部のモーターが高精度で所定の回転速度になるように制御する。
このような本発明の制御方法は、例えば上記のような装置を用いて実施することができる。
このことにより、駆動部のモーターの回転速度が図7に示すような電圧値を調整することにより簡便に制御することができる。さらに、停電時には、パソコン等の制御部から送信する信号をデジタル信号からアナログ信号に変換する必要がない。従って、パソコン等を使用する必要がない。従って、必要最低限の駆動部のためのバックアップ用電源を用意すれば良く、装置コストを削減することができる。
このように、駆動部がルツボの上下移動機構、回転機構、ヒーターの上下移動機構のうち少なくとも1つを駆動させるものすることで、それぞれの上下移動機構や回転機構を精度良く制御することができる。そのため、単結晶を引き上げて成長させる際のルツボやヒーターを適切な位置に移動させることができる。そして、ルツボやヒーターの位置が適切であることにより、単結晶製造装置の炉内における熱環境の変化を防止して、高品質で欠陥が少ない無欠陥結晶を製造することができる。もちろん、引上軸の回転や上下移動の制御およびその他の駆動部の制御も同様に、本発明により制御することも可能である。
このような範囲内で、ルツボの上下移動機構、回転機構、ヒーターの上下移動機構のそれぞれの速度を制御することで、単結晶製造装置の号機の違いによるルツボの上下移動機構等の速度のバラツキを抑制することができる。そのため、単結晶の品質の再現性を向上することができ、単結晶の歩留まりを向上することができる。
このことにより、停電でヒーターへの電源が供給されなくなり、炉内及びルツボ内のシリコン融液の温度が低下してシリコン融液が固化した場合に、シリコン融液と成長途中の単結晶とが固着することを防止することができる。そのため、炉の開放が困難になる等、後処理で問題が生じることがなく、早く停電時の対応をとることができる。また、ルツボ内のシリコン融液が固化して、ルツボが割れた場合にも、ヒーターの破損を防ぐことができ、危機管理として重要な対策をとることができる。
(実施例)
図1に示す単結晶製造装置の駆動部の制御方法によって駆動部のモーターの回転速度を制御した場合の駆動部のモーターの回転速度を、単結晶製造装置のルツボの上下移動機構の移動速度、回転機構の回転速度、ヒーターの上下移動機構の移動速度のそれぞれに対して測定した。なお、単結晶製造装置の号機ごとに測定をした結果、号機ごとの差がほとんどなかったため、後述する測定結果では、最大値を示した号機1台分について示す。
このとき、図1に示すように、モーターアンプに送信される信号は、デジタル信号であるため、誤差はない。また、駆動部のモーターは、精度が±0.1%のACサーボモーターを用いた。従って、駆動部のモーターの回転速度の精度は、±0.1%である。
図8に示す単結晶製造装置の駆動部の制御方法によって駆動部のモーターの回転速度を制御した場合の駆動部のモーターの回転速度を、単結晶製造装置のルツボの上下移動機構の移動速度、回転機構の回転速度、ヒーターの上下移動機構の移動速度のそれぞれに対して測定した。なお、測定は、5台の単結晶製造装置について行った。
このとき、図8に示すように、モーターアンプに送信される信号は、パソコンのデジタル信号からアナログ信号に変換されたものであり、その時の精度は、±1.1%である。また、駆動部のモーターは、実施例と同様の精度が±0.1%のACサーボモーターを用いた。従って、駆動部のモーターの回転速度の精度は、±1.2%である。
実施例では、すべてのルツボの上下移動機構の移動速度について、誤差は0%であった。比較例1〜5は、実施例よりも誤差が大きく、特にルツボの上下移動機構の移動速度0.2mm/minのとき、比較例3の誤差が約0.5%で最大であり、駆動部のモーターの精度を超えていた。
実施例では、すべてのルツボの回転機構の回転速度について、誤差は0.1%以下であり、駆動部のモーターの精度範囲内であった。比較例1〜5は、実施例よりも誤差が大きく、特にルツボの回転機構の回転速度1rpmのとき、比較例2、4、5の誤差が約0.5%で最大であり、駆動部のモーターの精度を超えていた。
実施例では、すべてのヒーターの上下移動機構の移動速度について、誤差は0%であった。比較例1〜5は、実施例よりも誤差が大きく、特にヒーターの上下移動機構の移動速度0.6mm/minのとき、比較例5の誤差が約0.4%で最大であり、駆動部のモーターの精度を超えていた。
Claims (7)
- チョクラルスキー法により、ルツボ内に収容したシリコン融液から単結晶を引き上げてシリコン単結晶を製造する単結晶製造装置の駆動部の制御方法において、前記駆動部のモーターを制御するモーターアンプに送信する信号をデジタル信号とし、前記モーターアンプに前記デジタル信号を送信して前記駆動部のモーターが所定の回転速度になるように前記駆動部のモーターを制御し、さらに、前記駆動部への供給電源がバックアップ用電源に切り換わる停電時には、前記モーターアンプに送信する信号をアナログ信号に切り換えて、前記モーターアンプに前記アナログ信号を送信して前記駆動部のモーターが所定の回転速度になるように前記駆動部のモーターを制御することを特徴とする単結晶製造装置の駆動部の制御方法。
- 前記駆動部は、前記ルツボの上下移動機構、回転機構、該ルツボの外側周囲に配設されたヒーターの上下移動機構のうち少なくとも1つを駆動させるものとすることを特徴とする請求項1に記載の単結晶製造装置の駆動部の制御方法。
- 前記モーターアンプに前記デジタル信号を送信して前記駆動部のモーターを制御する場合において、前記駆動部のモーターの回転速度を制御して、前記ルツボの上下移動機構の移動速度、回転機構の回転速度、前記ヒーターの上下移動機構の移動速度のうち少なくとも1つを所定の設定値に対して0.1%以内に制御することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の単結晶製造装置の駆動部の制御方法。
- 前記停電時は、前記ルツボを所定の位置まで下降させるように制御し、前記ヒーターを所定の位置または最下部まで下降させるように制御することを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の単結晶製造装置の駆動部の制御方法。
- チョクラルスキー法により、ルツボ内に収容したシリコン融液から単結晶を引き上げてシリコン単結晶を製造する単結晶製造装置において、少なくとも、前記シリコン融液を収容するルツボと、該ルツボを支持する支持軸と、前記シリコン融液に浸漬され、その下に単結晶を成長させつつ引き上げられる種結晶を引き上げる引上軸と、前記ルツボの外側周囲に配設されたヒーターと、前記ルツボの上下移動機構、回転機構、前記ヒーターの上下移動機構のうち少なくとも1つを駆動する駆動部とを有し、該駆動部は動力を発生するモーターと、該駆動部のモーターを制御するモーターアンプとを備え、前記駆動部のモーターの回転速度は前記モーターアンプにデジタル信号が送信されて制御されるものであり、前記駆動部への供給電源がバックアップ用電源に切り換わる停電時には、前記駆動部のモーターの回転速度が前記モーターアンプにアナログ信号が送信されて制御されるものであることを特徴とする単結晶製造装置。
- 前記駆動部のモーターの回転速度が前記モーターアンプにデジタル信号が送信されて制御される場合において、前記ルツボの上下移動機構の移動速度、回転機構の回転速度、前記ヒーターの上下移動機構の移動速度のうち少なくとも1つが所定の設定値に対して0.1%以内に制御されるものであることを特徴とする請求項5に記載の単結晶製造装置。
- 前記ルツボは、前記停電時に所定の位置まで下降するように制御されるものであり、前記ヒーターは、前記停電時に所定の位置または最下部まで下降するように制御されるものであることを特徴とする請求項5または請求項6に記載の単結晶製造装置。
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