JP5601801B2 - 単結晶シリコンインゴットの成長方法および成長用装置 - Google Patents
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Description
単純化のため、インゴットの長さ当たりの直径変化(直径テーパ)と引き上げ速度との間の長さ領域において線形の関係があり、これは、以下の式によって表わされる。
これに基づいて、新しい単純なPIDコントローラは、時間領域における非線形システムでの動作よりも、長さ領域における線形システムで動作することが可能になる。したがって、複雑な非線形制御を開発する必要なく、最大の制御モデルエラーを排除することが可能となる。
ここで、TPtargetは得られるべき目標テーパであり、TPlimitは最大絶対テーパであり(TPtargetはTPlimitを絶対に超えることができない)、Errordiameterは、実際の直径と目標直径との間の差異である。目標テーパTPtargetは、その後フィードフォワード制御108およびフィードバック制御109に供給される。
Gmelt:シリコン融液中の温度勾配
Vgrowth:結晶の成長(引き上げ)速度
m:液相線勾配
C∞:不純物濃度
D:拡散係数
keff:有効偏析係数
k:偏析係数
構造的な超冷却現象が発生するのを防止するために、上記式の条件は満足される必要がある。式によって示されるように、引き上げ速度が変動する場合、構成上の超冷却現象は発生するおそれがある。引き上げ速度にフィードバックすることは、直径制御に広く用いられるため、本発明は、引き上げ速度の変動を減少させ、これによって、直径制御の精度を改善する。したがって、本発明は、高濃度にドープされた結晶を製造するのに有利に用いられる。
Claims (24)
- CZ法を用いたシリコン融液からの単結晶シリコンインゴットの成長方法であって、該方法は、
メニスカスの目標テーパと測定テーパとの間のテーパエラーを規定するステップと、
前記テーパエラーを、前記シリコンインゴットの引き上げ速度へのフィードバック調整に変換するステップと
を具え、
テーパを、インゴットの単位長さ当たりのインゴットの直径の変化として定義し、該目標テーパを、該テーパの目標値として定義し、該測定テーパを、該テーパの測定値として定義することを特徴とする単結晶シリコンインゴットの成長方法。 - 前記シリコンインゴットの目標直径と測定直径との間の直径エラーを規定するステップと、
前記直径エラーを、前記目標テーパに変換するステップと
をさらに具える請求項1に記載の単結晶シリコンインゴットの成長方法。 - 前記直径エラーを前記目標テーパに変換するステップは、前記直径エラーに、所定のテーパ限界の範囲内の定数を乗じることを含む請求項2に記載の単結晶シリコンインゴットの成長方法。
- 前記測定テーパは、前記引き上げ速度および前記測定直径から計算される請求項1に記載の単結晶シリコンインゴットの成長方法。
- 前記テーパエラーを前記フィードバック調整に変換するステップは、前記フィードバック調整のi項を得るために、前記成長したインゴット長さにわたって前記テーパエラーを積分することを含む請求項1に記載の単結晶シリコンインゴットの成長方法。
- 前記テーパエラーを前記フィードバック調整に変換するステップは、前記フィードバック調整のp項を得るために、前記テーパエラーに定数を乗じることを含む請求項5に記載の単結晶シリコンインゴットの成長方法。
- 前記目標テーパを、前記引き上げ速度へのフィードフォワード調整に変換するステップをさらに具える請求項1に記載の単結晶シリコンインゴットの成長方法。
- 前記引き上げ速度への前記i項調整を、前記シリコン融液の温度の偏差に変換するステップをさらに具える請求項5に記載の単結晶シリコンインゴットの成長方法。
- 前記引き上げ速度への前記i項調整を変換するステップは、前記温度偏差を得るために、時間にわたって前記i項調整を積分することを含む請求項8に記載の単結晶シリコンインゴットの成長方法。
- 前記シリコン融液の温度を制御するために、前記温度偏差を用いてPID制御を行う請求項8に記載の単結晶シリコンインゴットの成長方法。
- 前記テーパエラーをフィードバック調整に変換するステップは、以下の式を用いることを含む請求項1に記載の単結晶シリコンインゴットの成長方法。
ここで、rは前記インゴットの直径を表し、zは前記成長したインゴットの長さを表し、Δvは引き上げ速度エラーを表す。 - CZ法を用いたシリコン融液からの単結晶シリコンインゴット成長用装置であって、該装置は、
メニスカスの目標テーパと測定テーパとの間のテーパエラーを規定するよう設定されたテーパエラー検出器と、
前記テーパエラーを、前記シリコンインゴットの引き上げ速度へのフィードバック調整に変換するよう設定されたフィードバック制御と
を具え、
テーパを、インゴットの単位長さ当たりのインゴットの直径の変化として定義し、該目標テーパを、該テーパの目標値として定義し、該測定テーパを、該テーパの測定値として定義することを特徴とする単結晶シリコンインゴット成長用装置。 - 前記シリコンインゴットの目標直径と測定直径との間の直径エラーを規定するよう設定された直径エラー検出器と、
前記直径エラーを、前記目標テーパに変換するよう設定されたテーパプロファイラと
をさらに具える請求項12に記載の単結晶シリコンインゴット成長用装置。 - 前記テーパプロファイラは、前記直径エラーに、所定のテーパ限界の範囲内の定数を乗じることを含む請求項13に記載の単結晶シリコンインゴット成長用装置。
- 前記測定テーパは、前記引き上げ速度および前記測定直径から計算される請求項12に記載の単結晶シリコンインゴット成長用装置。
- 前記フィードバック制御は、該フィードバック調整のi項を得るために、前記成長したインゴット長さにわたって前記テーパエラーを積分するよう設定される請求項12に記載の単結晶シリコンインゴット成長用装置。
- 前記フィードバック制御は、該フィードバック調整のp項を得るために、前記テーパエラーに定数を乗じるよう設定される請求項16に記載の単結晶シリコンインゴット成長用装置。
- 前記目標テーパを、前記引き上げ速度へのフィードフォワード調整に変換するよう設定されるフィードフォワード制御をさらに具える請求項12に記載の単結晶シリコンインゴット成長用装置。
- 温度偏差を得るために、時間にわたって前記i項調整を積分するよう設定される積分器をさらに具える請求項16に記載の単結晶シリコンインゴット成長用装置。
- 前記シリコン融液の温度を制御するために、前記温度偏差を用いてPID制御を行うよう設定されるPID制御をさらに具える請求項19に記載の単結晶シリコンインゴット成長用装置。
- CZ法を用いたシリコン融液からの単結晶シリコンインゴットの成長方法であって、該方法は、
メニスカスのテーパ目標値とメニスカスのテーパ測定値との間のエラーを規定するステップと、
前記シリコンインゴットの直径をその長さに沿って均一にするための、前記シリコンインゴットの引き上げ速度へのフィードバック調整を得るために、長さ領域において前記エラーを積分するステップと
を具え、
テーパを、インゴットの単位長さ当たりのインゴットの直径の変化として定義することを特徴とする単結晶シリコンインゴットの成長方法。 - 長さ領域において前記エラーを積分するステップは、前記成長したシリコンインゴットの長さにわたって前記エラーを積分することを含む請求項21に記載の単結晶シリコンインゴットの成長方法。
- CZ法を用いたシリコン融液からの単結晶シリコンインゴット成長用装置であって、該装置は、
メニスカスのテーパ目標値とメニスカスのテーパ測定値との間のエラーを規定するよう設定されたエラー検出器と、
前記シリコンインゴットの直径をその長さに沿って均一にするための、前記シリコンインゴットの引き上げ速度へのフィードバック調整を得るために、長さ領域において、前記エラーを積分するよう設定される積分器と
を具え、
テーパを、インゴットの単位長さ当たりのインゴットの直径の変化として定義することを特徴とする単結晶シリコンインゴット成長用装置。 - 前記積分器が、前記成長したシリコンインゴットの長さにわたって前記エラーを積分する請求項23に記載の単結晶シリコンインゴット成長用装置。
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