JP4861550B2 - 液体供給cvdのためのアルカン/ポリアミン溶剤組成物 - Google Patents

液体供給cvdのためのアルカン/ポリアミン溶剤組成物 Download PDF

Info

Publication number
JP4861550B2
JP4861550B2 JP2000522176A JP2000522176A JP4861550B2 JP 4861550 B2 JP4861550 B2 JP 4861550B2 JP 2000522176 A JP2000522176 A JP 2000522176A JP 2000522176 A JP2000522176 A JP 2000522176A JP 4861550 B2 JP4861550 B2 JP 4861550B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
precursor
diketonate
solvent
organometallic
pentamethyldiethylenetriamine
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2000522176A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2001524597A (ja
Inventor
バウム,トーマス,エイチ.
バンダリ,ガウタム
Original Assignee
アドバンスド テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by アドバンスド テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド filed Critical アドバンスド テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド
Publication of JP2001524597A publication Critical patent/JP2001524597A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4861550B2 publication Critical patent/JP4861550B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C23C16/4481Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/06Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
    • C23C16/18Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metallo-organic compounds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40Oxides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40Oxides
    • C23C16/409Oxides of the type ABO3 with A representing alkali, alkaline earth metal or lead and B representing a refractory metal, nickel, scandium or a lanthanide
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S423/00Chemistry of inorganic compounds
    • Y10S423/09Reaction techniques
    • Y10S423/14Ion exchange; chelation or liquid/liquid ion extraction

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Description

【0001】
技術分野
本発明は、金属(ベータ−ジケトナト)前駆物質を含有する有機金属前駆物質の液体供給化学蒸着に有用な溶剤組成物に関する。
【0002】
関連技術の説明
化学蒸着(CVD)法を実施する液体供給方法において、固体前駆物質が適切な溶剤媒体中で溶解させられ、液相前駆物質が気化させられ、一般にキャリヤガス(アルゴンまたは窒素など)と混合された得られた前駆物質の蒸気が、化学蒸着反応装置に移される。反応装置内で、前駆物質の蒸気流は加熱した基材と接触させられ、基材表面の上で気相から所望の成分を分解または析出させる。
【0003】
このような液体供給CVD法において、多種多様な溶剤が前駆物質種の溶解または懸濁のために使用されているが、前駆物質を含有する液体をその表面に放出して溶剤及び前駆物質種を揮発させる加熱要素上でのフラッシュ蒸発など、いろいろな技術によって溶液または懸濁液が気化させられる。
【0004】
多くの場合、いろいろな前駆物質を使用してCVD法において多成分蒸着フィルムを形成する場合、操作が容易で工程のシステムが簡単なので、それぞれの前駆物質種のために単一の溶剤媒体を利用し、それによって、異なった溶剤媒体が異なった前駆物質種のために利用されるなら生じる恐れのある何れの有害な溶剤−溶剤の相互作用も回避することが望ましい。更に、このような不安定性が全組成物を液体供給のために不適当にするため、多数の種のために用いられるとき溶剤組成物が前駆物質または金属含有分子と相互に作用して不安定な化学溶液を形成しないことが望ましい。
【0005】
従って、β−ジケトネート配位子を有する有機金属組成物を含むような、CVD前駆物質に対して広い効用を有する新規な溶剤組成物を提供することが、本発明の目的である。
【0006】
本発明の他の目的及び利点は以下の開示内容及び添付したクレームからより完全に明らかになろう。
【0007】
発明の要旨
本発明は、有機金属前駆物質の液体供給化学蒸着のための溶剤組成物に関する。
【0008】
本発明の組成物は、溶剤種A、B及びCの混合物を含み、前記混合物の全容量に対して、Aが約3〜約7容量部であり、Bが約2〜約6容量部であり、Cが約3容量部まで存在しているA:B:Cの比率を有し、AがC−Cアルカンであり、BがC−C12アルカンであり、A及びBが互いに異なっており、Cがグライムを主成分とする溶剤(グライム、ジグライム、及びテトラグライムなど)またはポリアミンからなる群から選択される。
【0009】
特定の及び好ましい態様において、前記溶剤組成物は、およそ5:4:1の容量比のオクタン、デカン及びポリアミンを含むことができる。
【0010】
前記溶剤組成物中の組成物の成分Cとして有用な好ましいポリアミン種は、例えば、N,N,N’,N’−テトラメチルエチレンジアミン、N,N,N’,N’’,N’’−ペンタメチルジエチレントリアミン、N,N,N’,N’’,N’’’,N’’’−ヘキサメチルトリエチレンテトラミン、または他の好適なポリアミン成分など、何れの好適なポリアミンであってもよい。
【0011】
別の態様において、本発明は、溶剤種A、B及びCの混合物を含む溶剤混合物中に少なくとも1つの有機金属前駆物質成分を含む、液体供給化学蒸着のための前駆物質組成物に関するものであり、前記混合物の全容量に対して、Aが約3〜約7容量部であり、Bが約2〜約6容量部であり、Cが約3容量部まで存在しているA:B:Cの比率を有し、AがC−Cアルカンであり、BがC−C12アルカンであり、A及びBが互いに異なっており、Cがグライムを主成分とする溶剤(グライム、ジグライム、及びテトラグライムなど)またはポリアミンである。
【0012】
このような組成物中の有機金属前駆物質は、例えば、1つ以上の金属β−ジケトネート及び/またはその付加物を含んでもよい。
【0013】
本発明の他の態様、特徴及び実施態様は、以下の開示内容及び添付したクレームからより完全に明らかになろう。
【0014】
本発明の詳細な説明、及びその好ましい実施態様
以下の米国特許出願の開示内容を、全て、本願明細書に引用したものとする。1997年11月20日に出願された米国特許出願第08/975,372号で現在は米国特許第5,916,359号、1995年6月7日に出願された米国特許出願第08/484,654号、1995年3月31日に出願された米国特許出願08/414,504号で現在は米国特許第5,820,664号、1997年10月30日に出願された米国特許出願第08/960,915号で現在は米国特許第5,859,274号、及び1997年11月20日に出願された米国特許出願第08/976,087号。
【0015】
本発明は、例えば、II族の金属の、金属β−ジケトネート前駆物質などの有機金属前駆物質の液体供給化学蒸着法のために有利に用いられる溶剤組成物の発見に基づいている。このような溶剤組成物は、ストロンチウム、ビスマス、タンタルなどの金属のβ−ジケトネートを主成分とする錯体など、このようなβ−ジケトネート前駆物質から金属を析出させるのに非常に有利であることが見いだされた。
【0016】
本発明の組成物は、溶剤種A、B及びCの混合物を含み、前記混合物の全容量に対して、Aが溶液(A+B+C)の約3〜約7容量部であり、Bが溶液の約2〜約6容量部であり、Cが0より多く約3容量部まで存在しているA:B:Cの比率を有し、AがC−Cアルカンであり、BがC−C12アルカンであり、A及びBが互いに異なっており、Cがグライムを主成分とする溶剤(グライム、ジグライム、及びテトラグライムなど)またはポリアミンである。本発明による非常に好ましい組成物は、溶剤種Aとしてオクタン、溶剤種Bとしてデカン、並びにポリアミンまたはテトラグライムのCを、それぞれ溶剤種A、B及びCの5:4:1の比率で含有する。
【0017】
本発明の特に好ましい態様において、オクタン:デカン:ポリアミンの5:4:1の溶剤組成物が、SrBiTaの液体供給化学蒸着のためにストロンチウム、ビスマス及びタンタルβ−ジケトネート前駆物質のための溶剤種として利用される。
【0018】
本発明の組成物は、β−ジケトネート前駆物質の低圧揮発を可能にし、気化及び化学蒸着法において良好な移動及び最小の残留物をもたらす。
【0019】
A:B:C溶剤組成物中のCがポリアミンであるとき、溶剤組成物のポリアミン成分は何れの好適なポリアミンであってもよい。例には、N,N,N’,N’−テトラメチルエチレンジアミン、N,N,N’,N’’,N’ ’−ペンタメチルジエチレントリアミン、及びN,N,N’,N’’,N’’’,N’’’−ヘキサメチルトリエチレンテトラミンなどがある。
【0020】
本発明の溶剤組成物と共に使用することができる金属β−ジケトネート前駆物質には、その金属成分が、例えばストロンチウム、ビスマス、タンタル、ニオビウム、鉛、カルシウム、バリウム、鉄、アルミニウム、スカンジウム、イットリウム、チタン、タングステン、モリブデン及び、Ce、La、Pr、Ho、Eu、Yb等のランタニド金属など、何れの好適な金属であってもよいβ−ジケトナト組成物などがある。そのβ−ジケトネート配位子は、例えば、
2,2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘプタンジオナト、
1,1,1−トリフルオロ−2,4−ペンタンジオナト、
1,1,1,5,5,5−ヘキサフルオロ−2,4−ペンタンジオナト、
6,6,7,7,8,8,8−ヘプタフルオロ−2,2−ジメチル−3,5−オクタンジオナト、
2,2,7−トリメチル−3,5−オクタンジオナト、
1,1,1,5,5,6,6,7,7,7−デカフルオロ−2,4−ヘプタンジオナト、及び
1,1,1−トリフルオロ−6−メチル−2,4−ヘプタンジオナトからなる群から選択されたβ−ジケトネート配位子など、何れの好適な種であってもよい。
【0021】
本発明の溶剤組成物は、無水単環式トリス(2,2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘプタンジオナト)ビスマス及びポリアミン付加Sr(thd)などのビスマス前駆物質を用いる、ビスマスを含有する薄いフィルムの析出のために特に有用である。このような金属β−ジケトネート化合物は、本発明の溶剤組成物中で容易に使用され、SrBiTaなど、すぐれたビスマスを含有する薄いフィルムを作製することができる。
【0022】
本発明の特徴及び利点は、以下の非制限的な例に対してより完全に示され、特に指示しない限り、すべての部及びパーセントは重量基準である。
【0023】
実施例
5:4:1のオクタン:デカン:ペンタメチルジエチレントリアミンの溶剤混合物中、7原子百分率のSr(thd)(ペンタメチルジエチレントリアミン)、55原子百分率のBi(thd)及び38原子百分率のTa(OiPr)(thd)(thd=2,2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘプタンジオナトである)を含有する溶液を、液体供給化学蒸着装置に計量しながら供給し、そこで前記の前駆物質溶液を190℃でフラッシュ気化させ、次に400sccmのアルゴン中でCVD室に運んだ。前記の前駆物質の蒸気を1100sccmの酸素と混合し、次に、更に100sccmのアルゴンと混合して配合物を7:3の酸素:アルゴン比とし、シャワーヘッドディスパーサーを介して1トールに維持されている化学蒸着室に通す。分解は385℃の表面温度に加熱された基材上で行われる。前記の基材は、白金で覆われたSiO(TEOS)構造体の0.5ミクロンのラインである。基材上に生じたSBTフィルムは高度に適合し、最大厚さの90%より大きい最小SBT厚さを示し、マイクロ電子二次加工ための装置必要条件と合致している。析出の低温度及び非晶質の特徴は蒸着フィルムの適合したコーティングに寄与する。これらの条件下で、前記の組成物は0.5%未満で相対的に変化する(使用されたX線螢光法の精度である)。
【0024】
図1は、180℃で前駆物質溶液を気化し、テトラヒドロフラン:イソプロパノール:ポリアミンの8:2:1の溶剤組成物中、ストロンチウム、ビスマス及びタンタルのためのβ−ジケトネート前駆物質を利用する、ストロンチウムビスマスタンタレートの析出のために使用される液体供給装置について、分単位の時間の関数としてのトール単位の上流の圧力のプロットである。このような溶剤組成物は、金属β−ジケトネート及びそれらの付加物などの前駆物質のために従来技術でこれまで用いられた溶剤組成物の代表例である。
【0025】
図2は、本発明の溶剤組成物、5:4:1のオクタン:デカン:ペンタメチルジエチレントリアミン中の有機金属前駆物質の気化のために使用された液体供給装置の上流の圧力を示す。このような前駆物質溶液の前駆物質の成分は、Sr(thd)(ペンタメチルジエチレントリアミン)、Bi(thd)及びTa(OiPr)(thd)であり、式中、thd=2,2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘプタンジオナトであり、前記のビスマス試薬は無水単環式の形である。図2のプロットは、180℃の前駆物質溶液の気化について分単位の時間の関数としてトール単位の上流の圧力を示す。図示のように、上流の圧力は、プロセスのタイムフレームの全体にわたり非常に均一であり、このような溶剤混合物中の前記の前駆物質の十分な気化及び移動特性、並びにそれに相伴なう低量の残留物(かなりの量の残留物は、上流の圧力を著しく増大させる目詰まりを示す)を示す。
【0026】
図1の曲線に示された圧力の急な増大は、液体供給装置の目詰まりを引き起こす前駆物質の分解を示す。このような目詰まりの結果として、前記の液体供給装置は、前記の前駆物質を所望の量及び所望の速度で下流の化学蒸着法室に供給することができず、それによって全体的なプロセスの効率を下げる。
【0027】
従って、図1及び2のプロットは、本発明の溶剤組成物のすぐれた溶剤効率を示す。
【0028】
産業上の利用可能性
発明の溶剤組成物は、例えばBi、Ca、Cu、Sr、Ba、Pb、Na、Fe、Al、Sc、Y、Ti、Nb、Ta、W、Mo及びランタニド系列の金属等の金属の、ベータ−ジケトネート前駆物質など、有機金属前駆物質の液体供給化学蒸着のために有効に使用される。およそ5:4:1重量比でオクタン、デカン及びポリアミンを含有する特定の溶剤組成物が、SrBiTaフィルムの形成に特に有効に使用される。
【図面の簡単な説明】
【図1】 テトラヒドロフラン:イソプロパノール:ポリアミンの8:2:1の溶剤組成物中、ストロンチウム、ビスマス及びタンタルのためのβ−ジケトネート前駆物質を利用する、180℃の前駆物質溶液の気化及びストロンチウムビスマスタンタレートの析出のために使用される液体供給化学蒸着装置について、分単位の時間の関数としてのトール単位の上流の圧力のプロットである。
【図2】 5:4:1のオクタン:デカン:ポリアミンを含む本発明による溶剤組成物中、ストロンチウム、ビスマス及びタンタルのためのβ−ジケトネート前駆物質を利用する、180℃で前駆物質溶液を気化した後にストロンチウムビスマスタンタレートを析出させるために使用される液体供給化学蒸着装置について、分単位の時間の関数としてのトール単位の上流の圧力のプロットである。

Claims (9)

  1. 容量比が5:4:1のオクタン:デカン:ペンタメチルジエチレントリアミンの溶剤を含み、少なくとも1つの有機金属β−ジケトネート前駆物質を含む、液体供給化学蒸着のための前駆物質組成物。
  2. 前記ペンタメチルジエチレントリアミンが、N,N,N’,N’’,N’’−ペンタメチルジエチレントリアミンを含む、請求項1に記載の前駆物質組成物。
  3. 前記少なくとも1つの有機金属β−ジケトネート前駆物質は、Bi、Ca、Cu、Sr、Ba、Pb、Na、Fe、Al、Sc、Y、Ti、Nb、Ta、W、Mo及びランタニド系列の金属からなる群より選択される金属のβ−ジケトネート金属錯体を含む、請求項1に記載の前駆物質組成物。
  4. 前記少なくとも1つの有機金属β−ジケトネート前駆物質は、ストロンチウム、ビスマス、タンタル、バリウム、カルシウム、チタン、タングステン及びランタンからなる群より選択される金属を含む、請求項1に記載の前駆物質組成物。
  5. 前記ペンタメチルジエチレントリアミンが、N,N,N’,N’’,N’’−ペンタメチルジエチレントリアミンを含む、請求項3に記載の前駆物質組成物。
  6. 前記有機金属β−ジケトネート前駆物質がII族の金属を含む、請求項3に記載の前駆物質組成物。
  7. 前記有機金属β−ジケトネート前駆物質が、ストロンチウム、ビスマス及びタンタルのβ−ジケトネート錯体を含む、請求項3に記載の前駆物質組成物。
  8. 前記有機金属β−ジケトネート前駆物質が、Sr(thd) (ペンタメチルジエチレントリアミン)、Bi(thd) 及びTa(OiPr) (thd)を含み、thd=2,2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘプタンジオナトである、請求項3に記載の前駆物質組成物。
  9. 前記β−ジケトネート金属錯体は、そのβ−ジケトナト配位子が、2,2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘプタンジオナト、1,1,1−トリフルオロ−2,4−ペンタンジオナト、1,1,1,5,5,5−ヘキサフルオロ−2,4−ペンタンジオナト、6,6,7,7,8,8,8−ヘプタフルオロ−2,2−ジメチル−3,5−オクタンジオナト、2,2,7−トリメチル−3,5−オクタンジオナト、1,1,1,5,5,6,6,7,7,7−デカフルオロ−2,4−ヘプタンジオナト、及び1,1,1−トリフルオロ−6−メチル−2,4−ヘプタンジオナトからなる群から選択される、請求項3に記載の前駆物質組成物。
JP2000522176A 1997-11-20 1998-11-20 液体供給cvdのためのアルカン/ポリアミン溶剤組成物 Expired - Fee Related JP4861550B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/975,372 US5916359A (en) 1995-03-31 1997-11-20 Alkane and polyamine solvent compositions for liquid delivery chemical vapor deposition
US08/975,372 1997-11-20
PCT/US1998/024880 WO1999027030A1 (en) 1997-11-20 1998-11-20 Alkane/polyamine solvent compositions for liquid delivery cvd

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011197056A Division JP2012001819A (ja) 1997-11-20 2011-09-09 液体供給cvdのためのアルカン/ポリアミン溶剤組成物

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2001524597A JP2001524597A (ja) 2001-12-04
JP4861550B2 true JP4861550B2 (ja) 2012-01-25

Family

ID=25522960

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000522176A Expired - Fee Related JP4861550B2 (ja) 1997-11-20 1998-11-20 液体供給cvdのためのアルカン/ポリアミン溶剤組成物
JP2011197056A Withdrawn JP2012001819A (ja) 1997-11-20 2011-09-09 液体供給cvdのためのアルカン/ポリアミン溶剤組成物

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011197056A Withdrawn JP2012001819A (ja) 1997-11-20 2011-09-09 液体供給cvdのためのアルカン/ポリアミン溶剤組成物

Country Status (7)

Country Link
US (1) US5916359A (ja)
EP (1) EP1054934A4 (ja)
JP (2) JP4861550B2 (ja)
KR (1) KR100530480B1 (ja)
AU (1) AU1701299A (ja)
TW (1) TW473539B (ja)
WO (1) WO1999027030A1 (ja)

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7323581B1 (en) * 1990-07-06 2008-01-29 Advanced Technology Materials, Inc. Source reagent compositions and method for forming metal films on a substrate by chemical vapor deposition
US6511706B1 (en) 1990-07-06 2003-01-28 Advanced Technology Materials, Inc. MOCVD of SBT using tetrahydrofuran-based solvent system for precursor delivery
US6111124A (en) 1997-10-30 2000-08-29 Advanced Technology Materials, Inc. Lewis base adducts of anhydrous mononuclear tris(β-diketonate) bismuth compositions for deposition of bismuth-containing films, and method of making the same
US6344079B1 (en) * 1995-03-31 2002-02-05 Advanced Technology Materials, Inc. Alkane and polyamine solvent compositions for liquid delivery chemical vapor deposition
US6444264B2 (en) 1995-03-31 2002-09-03 Advanced Technology Materials, Inc. Method for liquid delivery CVD utilizing alkane and polyamine solvent compositions
US6214105B1 (en) * 1995-03-31 2001-04-10 Advanced Technology Materials, Inc. Alkane and polyamine solvent compositions for liquid delivery chemical vapor deposition
US6303391B1 (en) * 1997-06-26 2001-10-16 Advanced Technology Materials, Inc. Low temperature chemical vapor deposition process for forming bismuth-containing ceramic films useful in ferroelectric memory devices
JP3957112B2 (ja) * 1997-10-31 2007-08-15 三菱マテリアル株式会社 複合酸化物系誘電体薄膜形成用の溶液原料と誘電体薄膜
US6265026B1 (en) * 1998-01-16 2001-07-24 The Regents Of The University Of California Vapor phase deposition
US6312816B1 (en) * 1998-02-20 2001-11-06 Advanced Technology Materials, Inc. A-site- and/or B-site-modified PbZrTiO3 materials and (Pb, Sr, Ca, Ba, Mg) (Zr, Ti, Nb, Ta)O3 films having utility in ferroelectric random access memories and high performance thin film microactuators
US6461675B2 (en) 1998-07-10 2002-10-08 Cvc Products, Inc. Method for forming a copper film on a substrate
US6190732B1 (en) 1998-09-03 2001-02-20 Cvc Products, Inc. Method and system for dispensing process gas for fabricating a device on a substrate
KR100289947B1 (ko) * 1998-09-28 2001-05-15 신현국 고유전성박막증착용전구체착화합물및그를이용한박막증착방법
KR100439444B1 (ko) * 1998-11-26 2004-07-09 인피니언 테크놀로지스 아게 제 4 아족 원소의 착화합물
US6294836B1 (en) 1998-12-22 2001-09-25 Cvc Products Inc. Semiconductor chip interconnect barrier material and fabrication method
US6316797B1 (en) * 1999-02-19 2001-11-13 Advanced Technology Materials, Inc. Scalable lead zirconium titanate(PZT) thin film material and deposition method, and ferroelectric memory device structures comprising such thin film material
US6245655B1 (en) 1999-04-01 2001-06-12 Cvc Products, Inc. Method for planarized deposition of a material
US6204204B1 (en) * 1999-04-01 2001-03-20 Cvc Products, Inc. Method and apparatus for depositing tantalum-based thin films with organmetallic precursor
US7094284B2 (en) * 1999-10-07 2006-08-22 Advanced Technology Materials, Inc. Source reagent compositions for CVD formation of high dielectric constant and ferroelectric metal oxide thin films and method of using same
US6623656B2 (en) 1999-10-07 2003-09-23 Advanced Technology Materials, Inc. Source reagent composition for CVD formation of Zr/Hf doped gate dielectric and high dielectric constant metal oxide thin films and method of using same
US6348705B1 (en) 1999-12-22 2002-02-19 Advanced Technology Materials, Inc. Low temperature process for high density thin film integrated capacitors and amorphously frustrated ferroelectric materials therefor
US6627995B2 (en) 2000-03-03 2003-09-30 Cvc Products, Inc. Microelectronic interconnect material with adhesion promotion layer and fabrication method
KR20010109957A (ko) * 2000-06-05 2001-12-12 윤종용 엘비티 용액, 엘비티 용액의 제조방법 및 이를 이용한엘비티 박막과 전자 소자의 제조방법
JP2004507551A (ja) * 2000-08-28 2004-03-11 アドバンスト テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド ソース材料組成物および化学的蒸着法による基板上への金属膜形成方法
US6444263B1 (en) 2000-09-15 2002-09-03 Cvc Products, Inc. Method of chemical-vapor deposition of a material
US6960675B2 (en) * 2003-10-14 2005-11-01 Advanced Technology Materials, Inc. Tantalum amide complexes for depositing tantalum-containing films, and method of making same
KR100519800B1 (ko) * 2004-01-13 2005-10-10 삼성전자주식회사 란타늄 산화막의 제조방법 및 이를 이용한 모스 전계효과트랜지스터 및 캐패시터의 제조방법
KR20070026658A (ko) * 2004-06-10 2007-03-08 미츠비시 마테리알 가부시키가이샤 유기 금속 화학 증착용 용액 원료 및 상기 원료를 사용하여제조된 복합 산화물계 유전체 박막
US7166732B2 (en) * 2004-06-16 2007-01-23 Advanced Technology Materials, Inc. Copper (I) compounds useful as deposition precursors of copper thin films
JP4738775B2 (ja) * 2004-08-24 2011-08-03 株式会社豊島製作所 ランタニド系金属含有薄膜製造に用いるcvd用原料溶液及びこれを用いた薄膜の製造方法
WO2007005088A2 (en) * 2005-07-01 2007-01-11 Honeywell International Inc. Vaporizable metalorganic compounds for deposition of metals and metal-containing thin films
TW200825200A (en) * 2006-12-05 2008-06-16 Advanced Tech Materials Metal aminotroponiminates, bis-oxazolinates and guanidinates
TW200831694A (en) * 2007-01-17 2008-08-01 Advanced Tech Materials Precursor compositions for ALD/CVD of group II ruthenate thin films
US7750173B2 (en) * 2007-01-18 2010-07-06 Advanced Technology Materials, Inc. Tantalum amido-complexes with chelate ligands useful for CVD and ALD of TaN and Ta205 thin films
US20100112211A1 (en) * 2007-04-12 2010-05-06 Advanced Technology Materials, Inc. Zirconium, hafnium, titanium, and silicon precursors for ald/cvd
US20080254218A1 (en) 2007-04-16 2008-10-16 Air Products And Chemicals, Inc. Metal Precursor Solutions For Chemical Vapor Deposition
US20090275164A1 (en) * 2008-05-02 2009-11-05 Advanced Technology Materials, Inc. Bicyclic guanidinates and bridging diamides as cvd/ald precursors
US8168811B2 (en) * 2008-07-22 2012-05-01 Advanced Technology Materials, Inc. Precursors for CVD/ALD of metal-containing films
US8663735B2 (en) * 2009-02-13 2014-03-04 Advanced Technology Materials, Inc. In situ generation of RuO4 for ALD of Ru and Ru related materials
US8507704B2 (en) * 2009-09-08 2013-08-13 Air Products And Chemicals, Inc. Liquid composition containing aminoether for deposition of metal-containing films
KR102621816B1 (ko) * 2020-06-23 2024-01-04 삼성에스디아이 주식회사 박막 증착용 조성물, 박막 증착용 조성물을 이용한 박막의 제조 방법, 박막 증착용 조성물로부터 제조된 박막, 및 박막을 포함하는 반도체 소자

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2839421A (en) * 1955-04-06 1958-06-17 Du Pont An alkoxy aluminum chelate, a dispersion of it in an organic liquid and a water repellant porous object
US3076834A (en) * 1960-03-04 1963-02-05 Dow Chemical Co Chelate-phenol adducts
US3653953A (en) * 1970-01-26 1972-04-04 North American Rockwell Nonaqueous electroless plating
US3647712A (en) * 1970-09-04 1972-03-07 Kerr Mc Gee Chem Corp Mixture of alcohols and fluorinated beta-diketones useful as extractant in recovery of vanadium
US4147556A (en) * 1972-01-12 1979-04-03 Ppg Industries, Inc. Nonflammable beta diketonate composition
SU530875A1 (ru) * 1974-12-03 1976-10-05 Ордена Ленина Институт Химической Физики Ан Ссср Способ стабилизации ароматических и парафиновых углеводородов
US4529427A (en) * 1977-05-19 1985-07-16 At&T Bell Laboratories Method for making low-loss optical waveguides on an industrial scale
US4401474A (en) * 1979-12-03 1983-08-30 Ppg Industries, Inc. Pyrolytic coating reactant for defect and durability control
US4281037A (en) * 1980-08-08 1981-07-28 Dap, Inc. Cleaning and priming composition containing titanium acetylacetonate and method
JPS58203443A (ja) * 1982-05-24 1983-11-26 Hitachi Ltd ホトマスクの白点欠陥修正用組成物
FR2575936B1 (fr) * 1985-01-15 1987-02-13 Rhone Poulenc Spec Chim Procede de purification de solutions aqueuses de sels de terres rares par extraction liquide-liquide
US4898842A (en) * 1986-03-03 1990-02-06 International Business Machines Corporation Organometallic-derived cordierite and other compounds comprising oxides of silicon
JP2729373B2 (ja) * 1987-01-07 1998-03-18 東京応化工業 株式会社 金属酸化膜形成用塗布液
US5034372A (en) * 1987-12-07 1991-07-23 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Plasma based method for production of superconductive oxide layers
JP2615469B2 (ja) * 1988-04-21 1997-05-28 松下電器産業株式会社 金属硫化物薄膜の製造方法
US5100871A (en) * 1989-11-28 1992-03-31 General Atomics Method for preparing rare earth-barium-cuprate pre-ceramic resins and superconductive materials prepared therefrom
US5120703A (en) * 1990-04-17 1992-06-09 Alfred University Process for preparing oxide superconducting films by radio-frequency generated aerosol-plasma deposition in atmosphere
US5225561A (en) * 1990-07-06 1993-07-06 Advanced Technology Materials, Inc. Source reagent compounds for MOCVD of refractory films containing group IIA elements
US5204314A (en) * 1990-07-06 1993-04-20 Advanced Technology Materials, Inc. Method for delivering an involatile reagent in vapor form to a CVD reactor
US5820664A (en) * 1990-07-06 1998-10-13 Advanced Technology Materials, Inc. Precursor compositions for chemical vapor deposition, and ligand exchange resistant metal-organic precursor solutions comprising same
US5280012A (en) * 1990-07-06 1994-01-18 Advanced Technology Materials Inc. Method of forming a superconducting oxide layer by MOCVD
US5859274A (en) * 1997-10-30 1999-01-12 Advanced Technology Materials, Inc. Anhydrous mononuclear tris(β-diketonate) bismuth compositions for deposition of bismuth-containing films, and method of making the same
US5840897A (en) * 1990-07-06 1998-11-24 Advanced Technology Materials, Inc. Metal complex source reagents for chemical vapor deposition
DE4108731A1 (de) * 1991-03-18 1992-09-24 Solvay Barium Strontium Gmbh Neuartige erdalkalimetall-heptandionat-verbindungen
US5165960A (en) * 1991-07-29 1992-11-24 Ford Motor Company Deposition of magnesium fluoride films
US5376409B1 (en) * 1992-12-21 1997-06-03 Univ New York State Res Found Process and apparatus for the use of solid precursor sources in liquid form for vapor deposition of materials
GB2274456A (en) * 1993-01-22 1994-07-27 Timothy John Leedham Volatile rare earth beta-diketone complexes
US5412129A (en) * 1994-06-17 1995-05-02 Dicarolis; Stephen A. Stabilization of precursors for thin film deposition
KR100277569B1 (ko) * 1994-12-27 2001-03-02 후지무라 마사지카, 아키모토 유미 전극패턴 형성용 조성물 및 전극패턴 형성방법
US6303391B1 (en) * 1997-06-26 2001-10-16 Advanced Technology Materials, Inc. Low temperature chemical vapor deposition process for forming bismuth-containing ceramic films useful in ferroelectric memory devices

Also Published As

Publication number Publication date
AU1701299A (en) 1999-06-15
EP1054934A1 (en) 2000-11-29
EP1054934A4 (en) 2004-04-21
KR100530480B1 (ko) 2005-11-23
WO1999027030A1 (en) 1999-06-03
TW473539B (en) 2002-01-21
JP2001524597A (ja) 2001-12-04
JP2012001819A (ja) 2012-01-05
KR20010040276A (ko) 2001-05-15
US5916359A (en) 1999-06-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4861550B2 (ja) 液体供給cvdのためのアルカン/ポリアミン溶剤組成物
US6238734B1 (en) Liquid precursor mixtures for deposition of multicomponent metal containing materials
US6503561B1 (en) Liquid precursor mixtures for deposition of multicomponent metal containing materials
US6444264B2 (en) Method for liquid delivery CVD utilizing alkane and polyamine solvent compositions
US6214105B1 (en) Alkane and polyamine solvent compositions for liquid delivery chemical vapor deposition
JP3588334B2 (ja) 組成勾配を有する金属メタロイド酸化物および窒化物の堆積方法
KR20010014219A (ko) 강유전성 기억 장치에 유용한 비스무스 함유 세라믹박막을 형성시키는 저온 화학 증착법
US6344079B1 (en) Alkane and polyamine solvent compositions for liquid delivery chemical vapor deposition
US6504015B2 (en) Tetrahydrofuran-adducted group II β-diketonate complexes as source reagents for chemical vapor deposition
EP1132494B1 (en) Deposition and annealing of multicomponent ZrSnTi and HfSnTi oxide thin films using solventless liquid mixture of precursors
US5952047A (en) CVD precursors and film preparation method using the same
JP2004256510A (ja) Cvd用ビスマス原料溶液及びこれを用いたビスマス含有薄膜の製造方法
JP3106988B2 (ja) 薄膜形成用溶液及び薄膜形成方法
JP4451050B2 (ja) Cvd用ジルコニウム原料及びこれを用いたチタン酸ジルコン酸鉛系薄膜の製造方法
Otani et al. Influence of post-annealing on the characteristics of Pb (Zr, Ti) O3 thin films deposited by liquid delivery MOCVD using a cocktail solution
JP4100546B2 (ja) Cvd用液体原料及びcvd装置
JP3484947B2 (ja) Bi含有薄膜形成用溶液およびこれを用いた薄膜形成方法
JP4059383B2 (ja) Cvd用液体原料及びcvd装置
JPH11297680A (ja) 薄膜形成用溶液及び薄膜形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20051121

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20081126

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20090225

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20090304

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090326

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20090929

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100129

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20100312

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20100402

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110909

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20111107

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141111

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees