JP4861550B2 - 液体供給ｃｖｄのためのアルカン／ポリアミン溶剤組成物 - Google Patents
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Description
【０００１】
技術分野
本発明は、金属（ベータ−ジケトナト）前駆物質を含有する有機金属前駆物質の液体供給化学蒸着に有用な溶剤組成物に関する。
【０００２】
関連技術の説明
化学蒸着（ＣＶＤ）法を実施する液体供給方法において、固体前駆物質が適切な溶剤媒体中で溶解させられ、液相前駆物質が気化させられ、一般にキャリヤガス（アルゴンまたは窒素など）と混合された得られた前駆物質の蒸気が、化学蒸着反応装置に移される。反応装置内で、前駆物質の蒸気流は加熱した基材と接触させられ、基材表面の上で気相から所望の成分を分解または析出させる。
【０００３】
このような液体供給ＣＶＤ法において、多種多様な溶剤が前駆物質種の溶解または懸濁のために使用されているが、前駆物質を含有する液体をその表面に放出して溶剤及び前駆物質種を揮発させる加熱要素上でのフラッシュ蒸発など、いろいろな技術によって溶液または懸濁液が気化させられる。
【０００４】
多くの場合、いろいろな前駆物質を使用してＣＶＤ法において多成分蒸着フィルムを形成する場合、操作が容易で工程のシステムが簡単なので、それぞれの前駆物質種のために単一の溶剤媒体を利用し、それによって、異なった溶剤媒体が異なった前駆物質種のために利用されるなら生じる恐れのある何れの有害な溶剤−溶剤の相互作用も回避することが望ましい。更に、このような不安定性が全組成物を液体供給のために不適当にするため、多数の種のために用いられるとき溶剤組成物が前駆物質または金属含有分子と相互に作用して不安定な化学溶液を形成しないことが望ましい。
【０００５】
従って、β−ジケトネート配位子を有する有機金属組成物を含むような、ＣＶＤ前駆物質に対して広い効用を有する新規な溶剤組成物を提供することが、本発明の目的である。
【０００６】
本発明の他の目的及び利点は以下の開示内容及び添付したクレームからより完全に明らかになろう。
【０００７】
発明の要旨
本発明は、有機金属前駆物質の液体供給化学蒸着のための溶剤組成物に関する。
【０００８】
本発明の組成物は、溶剤種Ａ、Ｂ及びＣの混合物を含み、前記混合物の全容量に対して、Ａが約３〜約７容量部であり、Ｂが約２〜約６容量部であり、Ｃが約３容量部まで存在しているＡ：Ｂ：Ｃの比率を有し、ＡがＣ６−Ｃ８アルカンであり、ＢがＣ８−Ｃ１２アルカンであり、Ａ及びＢが互いに異なっており、Ｃがグライムを主成分とする溶剤（グライム、ジグライム、及びテトラグライムなど）またはポリアミンからなる群から選択される。
【０００９】
特定の及び好ましい態様において、前記溶剤組成物は、およそ５：４：１の容量比のオクタン、デカン及びポリアミンを含むことができる。
【００１０】
前記溶剤組成物中の組成物の成分Ｃとして有用な好ましいポリアミン種は、例えば、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’−ペンタメチルジエチレントリアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’’，Ｎ’’’−ヘキサメチルトリエチレンテトラミン、または他の好適なポリアミン成分など、何れの好適なポリアミンであってもよい。
【００１１】
別の態様において、本発明は、溶剤種Ａ、Ｂ及びＣの混合物を含む溶剤混合物中に少なくとも１つの有機金属前駆物質成分を含む、液体供給化学蒸着のための前駆物質組成物に関するものであり、前記混合物の全容量に対して、Ａが約３〜約７容量部であり、Ｂが約２〜約６容量部であり、Ｃが約３容量部まで存在しているＡ：Ｂ：Ｃの比率を有し、ＡがＣ６−Ｃ８アルカンであり、ＢがＣ８−Ｃ１２アルカンであり、Ａ及びＢが互いに異なっており、Ｃがグライムを主成分とする溶剤（グライム、ジグライム、及びテトラグライムなど）またはポリアミンである。
【００１２】
このような組成物中の有機金属前駆物質は、例えば、１つ以上の金属β−ジケトネート及び／またはその付加物を含んでもよい。
【００１３】
本発明の他の態様、特徴及び実施態様は、以下の開示内容及び添付したクレームからより完全に明らかになろう。
【００１４】
本発明の詳細な説明、及びその好ましい実施態様
以下の米国特許出願の開示内容を、全て、本願明細書に引用したものとする。１９９７年１１月２０日に出願された米国特許出願第０８／９７５，３７２号で現在は米国特許第５，９１６，３５９号、１９９５年６月７日に出願された米国特許出願第０８／４８４，６５４号、１９９５年３月３１日に出願された米国特許出願０８／４１４，５０４号で現在は米国特許第５，８２０，６６４号、１９９７年１０月３０日に出願された米国特許出願第０８／９６０，９１５号で現在は米国特許第５，８５９，２７４号、及び１９９７年１１月２０日に出願された米国特許出願第０８／９７６，０８７号。
【００１５】
本発明は、例えば、ＩＩ族の金属の、金属β−ジケトネート前駆物質などの有機金属前駆物質の液体供給化学蒸着法のために有利に用いられる溶剤組成物の発見に基づいている。このような溶剤組成物は、ストロンチウム、ビスマス、タンタルなどの金属のβ−ジケトネートを主成分とする錯体など、このようなβ−ジケトネート前駆物質から金属を析出させるのに非常に有利であることが見いだされた。
【００１６】
本発明の組成物は、溶剤種Ａ、Ｂ及びＣの混合物を含み、前記混合物の全容量に対して、Ａが溶液（Ａ＋Ｂ＋Ｃ）の約３〜約７容量部であり、Ｂが溶液の約２〜約６容量部であり、Ｃが０より多く約３容量部まで存在しているＡ：Ｂ：Ｃの比率を有し、ＡがＣ６−Ｃ８アルカンであり、ＢがＣ８−Ｃ１２アルカンであり、Ａ及びＢが互いに異なっており、Ｃがグライムを主成分とする溶剤（グライム、ジグライム、及びテトラグライムなど）またはポリアミンである。本発明による非常に好ましい組成物は、溶剤種Ａとしてオクタン、溶剤種Ｂとしてデカン、並びにポリアミンまたはテトラグライムのＣを、それぞれ溶剤種Ａ、Ｂ及びＣの５：４：１の比率で含有する。
【００１７】
本発明の特に好ましい態様において、オクタン：デカン：ポリアミンの５：４：１の溶剤組成物が、ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９の液体供給化学蒸着のためにストロンチウム、ビスマス及びタンタルβ−ジケトネート前駆物質のための溶剤種として利用される。
【００１８】
本発明の組成物は、β−ジケトネート前駆物質の低圧揮発を可能にし、気化及び化学蒸着法において良好な移動及び最小の残留物をもたらす。
【００１９】
Ａ：Ｂ：Ｃ溶剤組成物中のＣがポリアミンであるとき、溶剤組成物のポリアミン成分は何れの好適なポリアミンであってもよい。例には、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’ ’−ペンタメチルジエチレントリアミン、及びＮ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’’，Ｎ’’’−ヘキサメチルトリエチレンテトラミンなどがある。
【００２０】
本発明の溶剤組成物と共に使用することができる金属β−ジケトネート前駆物質には、その金属成分が、例えばストロンチウム、ビスマス、タンタル、ニオビウム、鉛、カルシウム、バリウム、鉄、アルミニウム、スカンジウム、イットリウム、チタン、タングステン、モリブデン及び、Ｃｅ、Ｌａ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｅｕ、Ｙｂ等のランタニド金属など、何れの好適な金属であってもよいβ−ジケトナト組成物などがある。そのβ−ジケトネート配位子は、例えば、
２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト、
１，１，１−トリフルオロ−２，４−ペンタンジオナト、
１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロ−２，４−ペンタンジオナト、
６，６，７，７，８，８，８−ヘプタフルオロ−２，２−ジメチル−３，５−オクタンジオナト、
２，２，７−トリメチル−３，５−オクタンジオナト、
１，１，１，５，５，６，６，７，７，７−デカフルオロ−２，４−ヘプタンジオナト、及び
１，１，１−トリフルオロ−６−メチル−２，４−ヘプタンジオナトからなる群から選択されたβ−ジケトネート配位子など、何れの好適な種であってもよい。
【００２１】
本発明の溶剤組成物は、無水単環式トリス（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ビスマス及びポリアミン付加Ｓｒ（ｔｈｄ）２などのビスマス前駆物質を用いる、ビスマスを含有する薄いフィルムの析出のために特に有用である。このような金属β−ジケトネート化合物は、本発明の溶剤組成物中で容易に使用され、ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９など、すぐれたビスマスを含有する薄いフィルムを作製することができる。
【００２２】
本発明の特徴及び利点は、以下の非制限的な例に対してより完全に示され、特に指示しない限り、すべての部及びパーセントは重量基準である。
【００２３】
実施例
５：４：１のオクタン：デカン：ペンタメチルジエチレントリアミンの溶剤混合物中、７原子百分率のＳｒ（ｔｈｄ）２（ペンタメチルジエチレントリアミン）、５５原子百分率のＢｉ（ｔｈｄ）３及び３８原子百分率のＴａ（ＯｉＰｒ）４（ｔｈｄ）（ｔｈｄ＝２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナトである）を含有する溶液を、液体供給化学蒸着装置に計量しながら供給し、そこで前記の前駆物質溶液を１９０℃でフラッシュ気化させ、次に４００ｓｃｃｍのアルゴン中でＣＶＤ室に運んだ。前記の前駆物質の蒸気を１１００ｓｃｃｍの酸素と混合し、次に、更に１００ｓｃｃｍのアルゴンと混合して配合物を７：３の酸素：アルゴン比とし、シャワーヘッドディスパーサーを介して１トールに維持されている化学蒸着室に通す。分解は３８５℃の表面温度に加熱された基材上で行われる。前記の基材は、白金で覆われたＳｉＯ２（ＴＥＯＳ）構造体の０．５ミクロンのラインである。基材上に生じたＳＢＴフィルムは高度に適合し、最大厚さの９０％より大きい最小ＳＢＴ厚さを示し、マイクロ電子二次加工ための装置必要条件と合致している。析出の低温度及び非晶質の特徴は蒸着フィルムの適合したコーティングに寄与する。これらの条件下で、前記の組成物は０．５％未満で相対的に変化する（使用されたＸ線螢光法の精度である）。
【００２４】
図１は、１８０℃で前駆物質溶液を気化し、テトラヒドロフラン：イソプロパノール：ポリアミンの８：２：１の溶剤組成物中、ストロンチウム、ビスマス及びタンタルのためのβ−ジケトネート前駆物質を利用する、ストロンチウムビスマスタンタレートの析出のために使用される液体供給装置について、分単位の時間の関数としてのトール単位の上流の圧力のプロットである。このような溶剤組成物は、金属β−ジケトネート及びそれらの付加物などの前駆物質のために従来技術でこれまで用いられた溶剤組成物の代表例である。
【００２５】
図２は、本発明の溶剤組成物、５：４：１のオクタン：デカン：ペンタメチルジエチレントリアミン中の有機金属前駆物質の気化のために使用された液体供給装置の上流の圧力を示す。このような前駆物質溶液の前駆物質の成分は、Ｓｒ（ｔｈｄ）２（ペンタメチルジエチレントリアミン）、Ｂｉ（ｔｈｄ）３及びＴａ（ＯｉＰｒ）４（ｔｈｄ）であり、式中、ｔｈｄ＝２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナトであり、前記のビスマス試薬は無水単環式の形である。図２のプロットは、１８０℃の前駆物質溶液の気化について分単位の時間の関数としてトール単位の上流の圧力を示す。図示のように、上流の圧力は、プロセスのタイムフレームの全体にわたり非常に均一であり、このような溶剤混合物中の前記の前駆物質の十分な気化及び移動特性、並びにそれに相伴なう低量の残留物（かなりの量の残留物は、上流の圧力を著しく増大させる目詰まりを示す）を示す。
【００２６】
図１の曲線に示された圧力の急な増大は、液体供給装置の目詰まりを引き起こす前駆物質の分解を示す。このような目詰まりの結果として、前記の液体供給装置は、前記の前駆物質を所望の量及び所望の速度で下流の化学蒸着法室に供給することができず、それによって全体的なプロセスの効率を下げる。
【００２７】
従って、図１及び２のプロットは、本発明の溶剤組成物のすぐれた溶剤効率を示す。
【００２８】
産業上の利用可能性
発明の溶剤組成物は、例えばＢｉ、Ｃａ、Ｃｕ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｐｂ、Ｎａ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｓｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ及びランタニド系列の金属等の金属の、ベータ−ジケトネート前駆物質など、有機金属前駆物質の液体供給化学蒸着のために有効に使用される。およそ５：４：１重量比でオクタン、デカン及びポリアミンを含有する特定の溶剤組成物が、ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９フィルムの形成に特に有効に使用される。
【図面の簡単な説明】
【図１】 テトラヒドロフラン：イソプロパノール：ポリアミンの８：２：１の溶剤組成物中、ストロンチウム、ビスマス及びタンタルのためのβ−ジケトネート前駆物質を利用する、１８０℃の前駆物質溶液の気化及びストロンチウムビスマスタンタレートの析出のために使用される液体供給化学蒸着装置について、分単位の時間の関数としてのトール単位の上流の圧力のプロットである。
【図２】 ５：４：１のオクタン：デカン：ポリアミンを含む本発明による溶剤組成物中、ストロンチウム、ビスマス及びタンタルのためのβ−ジケトネート前駆物質を利用する、１８０℃で前駆物質溶液を気化した後にストロンチウムビスマスタンタレートを析出させるために使用される液体供給化学蒸着装置について、分単位の時間の関数としてのトール単位の上流の圧力のプロットである。
技術分野
本発明は、金属（ベータ−ジケトナト）前駆物質を含有する有機金属前駆物質の液体供給化学蒸着に有用な溶剤組成物に関する。
【０００２】
関連技術の説明
化学蒸着（ＣＶＤ）法を実施する液体供給方法において、固体前駆物質が適切な溶剤媒体中で溶解させられ、液相前駆物質が気化させられ、一般にキャリヤガス（アルゴンまたは窒素など）と混合された得られた前駆物質の蒸気が、化学蒸着反応装置に移される。反応装置内で、前駆物質の蒸気流は加熱した基材と接触させられ、基材表面の上で気相から所望の成分を分解または析出させる。
【０００３】
このような液体供給ＣＶＤ法において、多種多様な溶剤が前駆物質種の溶解または懸濁のために使用されているが、前駆物質を含有する液体をその表面に放出して溶剤及び前駆物質種を揮発させる加熱要素上でのフラッシュ蒸発など、いろいろな技術によって溶液または懸濁液が気化させられる。
【０００４】
多くの場合、いろいろな前駆物質を使用してＣＶＤ法において多成分蒸着フィルムを形成する場合、操作が容易で工程のシステムが簡単なので、それぞれの前駆物質種のために単一の溶剤媒体を利用し、それによって、異なった溶剤媒体が異なった前駆物質種のために利用されるなら生じる恐れのある何れの有害な溶剤−溶剤の相互作用も回避することが望ましい。更に、このような不安定性が全組成物を液体供給のために不適当にするため、多数の種のために用いられるとき溶剤組成物が前駆物質または金属含有分子と相互に作用して不安定な化学溶液を形成しないことが望ましい。
【０００５】
従って、β−ジケトネート配位子を有する有機金属組成物を含むような、ＣＶＤ前駆物質に対して広い効用を有する新規な溶剤組成物を提供することが、本発明の目的である。
【０００６】
本発明の他の目的及び利点は以下の開示内容及び添付したクレームからより完全に明らかになろう。
【０００７】
発明の要旨
本発明は、有機金属前駆物質の液体供給化学蒸着のための溶剤組成物に関する。
【０００８】
本発明の組成物は、溶剤種Ａ、Ｂ及びＣの混合物を含み、前記混合物の全容量に対して、Ａが約３〜約７容量部であり、Ｂが約２〜約６容量部であり、Ｃが約３容量部まで存在しているＡ：Ｂ：Ｃの比率を有し、ＡがＣ６−Ｃ８アルカンであり、ＢがＣ８−Ｃ１２アルカンであり、Ａ及びＢが互いに異なっており、Ｃがグライムを主成分とする溶剤（グライム、ジグライム、及びテトラグライムなど）またはポリアミンからなる群から選択される。
【０００９】
特定の及び好ましい態様において、前記溶剤組成物は、およそ５：４：１の容量比のオクタン、デカン及びポリアミンを含むことができる。
【００１０】
前記溶剤組成物中の組成物の成分Ｃとして有用な好ましいポリアミン種は、例えば、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’−ペンタメチルジエチレントリアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’’，Ｎ’’’−ヘキサメチルトリエチレンテトラミン、または他の好適なポリアミン成分など、何れの好適なポリアミンであってもよい。
【００１１】
別の態様において、本発明は、溶剤種Ａ、Ｂ及びＣの混合物を含む溶剤混合物中に少なくとも１つの有機金属前駆物質成分を含む、液体供給化学蒸着のための前駆物質組成物に関するものであり、前記混合物の全容量に対して、Ａが約３〜約７容量部であり、Ｂが約２〜約６容量部であり、Ｃが約３容量部まで存在しているＡ：Ｂ：Ｃの比率を有し、ＡがＣ６−Ｃ８アルカンであり、ＢがＣ８−Ｃ１２アルカンであり、Ａ及びＢが互いに異なっており、Ｃがグライムを主成分とする溶剤（グライム、ジグライム、及びテトラグライムなど）またはポリアミンである。
【００１２】
このような組成物中の有機金属前駆物質は、例えば、１つ以上の金属β−ジケトネート及び／またはその付加物を含んでもよい。
【００１３】
本発明の他の態様、特徴及び実施態様は、以下の開示内容及び添付したクレームからより完全に明らかになろう。
【００１４】
本発明の詳細な説明、及びその好ましい実施態様
以下の米国特許出願の開示内容を、全て、本願明細書に引用したものとする。１９９７年１１月２０日に出願された米国特許出願第０８／９７５，３７２号で現在は米国特許第５，９１６，３５９号、１９９５年６月７日に出願された米国特許出願第０８／４８４，６５４号、１９９５年３月３１日に出願された米国特許出願０８／４１４，５０４号で現在は米国特許第５，８２０，６６４号、１９９７年１０月３０日に出願された米国特許出願第０８／９６０，９１５号で現在は米国特許第５，８５９，２７４号、及び１９９７年１１月２０日に出願された米国特許出願第０８／９７６，０８７号。
【００１５】
本発明は、例えば、ＩＩ族の金属の、金属β−ジケトネート前駆物質などの有機金属前駆物質の液体供給化学蒸着法のために有利に用いられる溶剤組成物の発見に基づいている。このような溶剤組成物は、ストロンチウム、ビスマス、タンタルなどの金属のβ−ジケトネートを主成分とする錯体など、このようなβ−ジケトネート前駆物質から金属を析出させるのに非常に有利であることが見いだされた。
【００１６】
本発明の組成物は、溶剤種Ａ、Ｂ及びＣの混合物を含み、前記混合物の全容量に対して、Ａが溶液（Ａ＋Ｂ＋Ｃ）の約３〜約７容量部であり、Ｂが溶液の約２〜約６容量部であり、Ｃが０より多く約３容量部まで存在しているＡ：Ｂ：Ｃの比率を有し、ＡがＣ６−Ｃ８アルカンであり、ＢがＣ８−Ｃ１２アルカンであり、Ａ及びＢが互いに異なっており、Ｃがグライムを主成分とする溶剤（グライム、ジグライム、及びテトラグライムなど）またはポリアミンである。本発明による非常に好ましい組成物は、溶剤種Ａとしてオクタン、溶剤種Ｂとしてデカン、並びにポリアミンまたはテトラグライムのＣを、それぞれ溶剤種Ａ、Ｂ及びＣの５：４：１の比率で含有する。
【００１７】
本発明の特に好ましい態様において、オクタン：デカン：ポリアミンの５：４：１の溶剤組成物が、ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９の液体供給化学蒸着のためにストロンチウム、ビスマス及びタンタルβ−ジケトネート前駆物質のための溶剤種として利用される。
【００１８】
本発明の組成物は、β−ジケトネート前駆物質の低圧揮発を可能にし、気化及び化学蒸着法において良好な移動及び最小の残留物をもたらす。
【００１９】
Ａ：Ｂ：Ｃ溶剤組成物中のＣがポリアミンであるとき、溶剤組成物のポリアミン成分は何れの好適なポリアミンであってもよい。例には、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’ ’−ペンタメチルジエチレントリアミン、及びＮ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’’，Ｎ’’’−ヘキサメチルトリエチレンテトラミンなどがある。
【００２０】
本発明の溶剤組成物と共に使用することができる金属β−ジケトネート前駆物質には、その金属成分が、例えばストロンチウム、ビスマス、タンタル、ニオビウム、鉛、カルシウム、バリウム、鉄、アルミニウム、スカンジウム、イットリウム、チタン、タングステン、モリブデン及び、Ｃｅ、Ｌａ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｅｕ、Ｙｂ等のランタニド金属など、何れの好適な金属であってもよいβ−ジケトナト組成物などがある。そのβ−ジケトネート配位子は、例えば、
２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト、
１，１，１−トリフルオロ−２，４−ペンタンジオナト、
１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロ−２，４−ペンタンジオナト、
６，６，７，７，８，８，８−ヘプタフルオロ−２，２−ジメチル−３，５−オクタンジオナト、
２，２，７−トリメチル−３，５−オクタンジオナト、
１，１，１，５，５，６，６，７，７，７−デカフルオロ−２，４−ヘプタンジオナト、及び
１，１，１−トリフルオロ−６−メチル−２，４−ヘプタンジオナトからなる群から選択されたβ−ジケトネート配位子など、何れの好適な種であってもよい。
【００２１】
本発明の溶剤組成物は、無水単環式トリス（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト）ビスマス及びポリアミン付加Ｓｒ（ｔｈｄ）２などのビスマス前駆物質を用いる、ビスマスを含有する薄いフィルムの析出のために特に有用である。このような金属β−ジケトネート化合物は、本発明の溶剤組成物中で容易に使用され、ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９など、すぐれたビスマスを含有する薄いフィルムを作製することができる。
【００２２】
本発明の特徴及び利点は、以下の非制限的な例に対してより完全に示され、特に指示しない限り、すべての部及びパーセントは重量基準である。
【００２３】
実施例
５：４：１のオクタン：デカン：ペンタメチルジエチレントリアミンの溶剤混合物中、７原子百分率のＳｒ（ｔｈｄ）２（ペンタメチルジエチレントリアミン）、５５原子百分率のＢｉ（ｔｈｄ）３及び３８原子百分率のＴａ（ＯｉＰｒ）４（ｔｈｄ）（ｔｈｄ＝２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナトである）を含有する溶液を、液体供給化学蒸着装置に計量しながら供給し、そこで前記の前駆物質溶液を１９０℃でフラッシュ気化させ、次に４００ｓｃｃｍのアルゴン中でＣＶＤ室に運んだ。前記の前駆物質の蒸気を１１００ｓｃｃｍの酸素と混合し、次に、更に１００ｓｃｃｍのアルゴンと混合して配合物を７：３の酸素：アルゴン比とし、シャワーヘッドディスパーサーを介して１トールに維持されている化学蒸着室に通す。分解は３８５℃の表面温度に加熱された基材上で行われる。前記の基材は、白金で覆われたＳｉＯ２（ＴＥＯＳ）構造体の０．５ミクロンのラインである。基材上に生じたＳＢＴフィルムは高度に適合し、最大厚さの９０％より大きい最小ＳＢＴ厚さを示し、マイクロ電子二次加工ための装置必要条件と合致している。析出の低温度及び非晶質の特徴は蒸着フィルムの適合したコーティングに寄与する。これらの条件下で、前記の組成物は０．５％未満で相対的に変化する（使用されたＸ線螢光法の精度である）。
【００２４】
図１は、１８０℃で前駆物質溶液を気化し、テトラヒドロフラン：イソプロパノール：ポリアミンの８：２：１の溶剤組成物中、ストロンチウム、ビスマス及びタンタルのためのβ−ジケトネート前駆物質を利用する、ストロンチウムビスマスタンタレートの析出のために使用される液体供給装置について、分単位の時間の関数としてのトール単位の上流の圧力のプロットである。このような溶剤組成物は、金属β−ジケトネート及びそれらの付加物などの前駆物質のために従来技術でこれまで用いられた溶剤組成物の代表例である。
【００２５】
図２は、本発明の溶剤組成物、５：４：１のオクタン：デカン：ペンタメチルジエチレントリアミン中の有機金属前駆物質の気化のために使用された液体供給装置の上流の圧力を示す。このような前駆物質溶液の前駆物質の成分は、Ｓｒ（ｔｈｄ）２（ペンタメチルジエチレントリアミン）、Ｂｉ（ｔｈｄ）３及びＴａ（ＯｉＰｒ）４（ｔｈｄ）であり、式中、ｔｈｄ＝２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナトであり、前記のビスマス試薬は無水単環式の形である。図２のプロットは、１８０℃の前駆物質溶液の気化について分単位の時間の関数としてトール単位の上流の圧力を示す。図示のように、上流の圧力は、プロセスのタイムフレームの全体にわたり非常に均一であり、このような溶剤混合物中の前記の前駆物質の十分な気化及び移動特性、並びにそれに相伴なう低量の残留物（かなりの量の残留物は、上流の圧力を著しく増大させる目詰まりを示す）を示す。
【００２６】
図１の曲線に示された圧力の急な増大は、液体供給装置の目詰まりを引き起こす前駆物質の分解を示す。このような目詰まりの結果として、前記の液体供給装置は、前記の前駆物質を所望の量及び所望の速度で下流の化学蒸着法室に供給することができず、それによって全体的なプロセスの効率を下げる。
【００２７】
従って、図１及び２のプロットは、本発明の溶剤組成物のすぐれた溶剤効率を示す。
【００２８】
産業上の利用可能性
発明の溶剤組成物は、例えばＢｉ、Ｃａ、Ｃｕ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｐｂ、Ｎａ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｓｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ及びランタニド系列の金属等の金属の、ベータ−ジケトネート前駆物質など、有機金属前駆物質の液体供給化学蒸着のために有効に使用される。およそ５：４：１重量比でオクタン、デカン及びポリアミンを含有する特定の溶剤組成物が、ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９フィルムの形成に特に有効に使用される。
【図面の簡単な説明】
【図１】 テトラヒドロフラン：イソプロパノール：ポリアミンの８：２：１の溶剤組成物中、ストロンチウム、ビスマス及びタンタルのためのβ−ジケトネート前駆物質を利用する、１８０℃の前駆物質溶液の気化及びストロンチウムビスマスタンタレートの析出のために使用される液体供給化学蒸着装置について、分単位の時間の関数としてのトール単位の上流の圧力のプロットである。
【図２】 ５：４：１のオクタン：デカン：ポリアミンを含む本発明による溶剤組成物中、ストロンチウム、ビスマス及びタンタルのためのβ−ジケトネート前駆物質を利用する、１８０℃で前駆物質溶液を気化した後にストロンチウムビスマスタンタレートを析出させるために使用される液体供給化学蒸着装置について、分単位の時間の関数としてのトール単位の上流の圧力のプロットである。
Claims (9)
- 容量比が５：４：１のオクタン：デカン：ペンタメチルジエチレントリアミンの溶剤を含み、少なくとも１つの有機金属β−ジケトネート前駆物質を含む、液体供給化学蒸着のための前駆物質組成物。
- 前記ペンタメチルジエチレントリアミンが、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’−ペンタメチルジエチレントリアミンを含む、請求項１に記載の前駆物質組成物。
- 前記少なくとも１つの有機金属β−ジケトネート前駆物質は、Ｂｉ、Ｃａ、Ｃｕ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｐｂ、Ｎａ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｓｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ及びランタニド系列の金属からなる群より選択される金属のβ−ジケトネート金属錯体を含む、請求項１に記載の前駆物質組成物。
- 前記少なくとも１つの有機金属β−ジケトネート前駆物質は、ストロンチウム、ビスマス、タンタル、バリウム、カルシウム、チタン、タングステン及びランタンからなる群より選択される金属を含む、請求項１に記載の前駆物質組成物。
- 前記ペンタメチルジエチレントリアミンが、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’−ペンタメチルジエチレントリアミンを含む、請求項３に記載の前駆物質組成物。
- 前記有機金属β−ジケトネート前駆物質がＩＩ族の金属を含む、請求項３に記載の前駆物質組成物。
- 前記有機金属β−ジケトネート前駆物質が、ストロンチウム、ビスマス及びタンタルのβ−ジケトネート錯体を含む、請求項３に記載の前駆物質組成物。
- 前記有機金属β−ジケトネート前駆物質が、Ｓｒ（ｔｈｄ） ２ （ペンタメチルジエチレントリアミン）、Ｂｉ（ｔｈｄ） ３ 及びＴａ（ＯｉＰｒ） ４ （ｔｈｄ）を含み、ｔｈｄ＝２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナトである、請求項３に記載の前駆物質組成物。
- 前記β−ジケトネート金属錯体は、そのβ−ジケトナト配位子が、２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト、１，１，１−トリフルオロ−２，４−ペンタンジオナト、１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロ−２，４−ペンタンジオナト、６，６，７，７，８，８，８−ヘプタフルオロ−２，２−ジメチル−３，５−オクタンジオナト、２，２，７−トリメチル−３，５−オクタンジオナト、１，１，１，５，５，６，６，７，７，７−デカフルオロ−２，４−ヘプタンジオナト、及び１，１，１−トリフルオロ−６−メチル−２，４−ヘプタンジオナトからなる群から選択される、請求項３に記載の前駆物質組成物。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/975,372 US5916359A (en) | 1995-03-31 | 1997-11-20 | Alkane and polyamine solvent compositions for liquid delivery chemical vapor deposition |
| US08/975,372 | 1997-11-20 | ||
| PCT/US1998/024880 WO1999027030A1 (en) | 1997-11-20 | 1998-11-20 | Alkane/polyamine solvent compositions for liquid delivery cvd |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011197056A Division JP2012001819A (ja) | 1997-11-20 | 2011-09-09 | 液体供給ｃｖｄのためのアルカン／ポリアミン溶剤組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001524597A JP2001524597A (ja) | 2001-12-04 |
| JP4861550B2 true JP4861550B2 (ja) | 2012-01-25 |
Family
ID=25522960
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000522176A Expired - Fee Related JP4861550B2 (ja) | 1997-11-20 | 1998-11-20 | 液体供給ｃｖｄのためのアルカン／ポリアミン溶剤組成物 |
| JP2011197056A Withdrawn JP2012001819A (ja) | 1997-11-20 | 2011-09-09 | 液体供給ｃｖｄのためのアルカン／ポリアミン溶剤組成物 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011197056A Withdrawn JP2012001819A (ja) | 1997-11-20 | 2011-09-09 | 液体供給ｃｖｄのためのアルカン／ポリアミン溶剤組成物 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5916359A (ja) |
| EP (1) | EP1054934A4 (ja) |
| JP (2) | JP4861550B2 (ja) |
| KR (1) | KR100530480B1 (ja) |
| AU (1) | AU1701299A (ja) |
| TW (1) | TW473539B (ja) |
| WO (1) | WO1999027030A1 (ja) |
Families Citing this family (41)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6111124A (en) | 1997-10-30 | 2000-08-29 | Advanced Technology Materials, Inc. | Lewis base adducts of anhydrous mononuclear tris(β-diketonate) bismuth compositions for deposition of bismuth-containing films, and method of making the same |
| US7323581B1 (en) | 1990-07-06 | 2008-01-29 | Advanced Technology Materials, Inc. | Source reagent compositions and method for forming metal films on a substrate by chemical vapor deposition |
| US6511706B1 (en) | 1990-07-06 | 2003-01-28 | Advanced Technology Materials, Inc. | MOCVD of SBT using tetrahydrofuran-based solvent system for precursor delivery |
| US6214105B1 (en) * | 1995-03-31 | 2001-04-10 | Advanced Technology Materials, Inc. | Alkane and polyamine solvent compositions for liquid delivery chemical vapor deposition |
| US6344079B1 (en) * | 1995-03-31 | 2002-02-05 | Advanced Technology Materials, Inc. | Alkane and polyamine solvent compositions for liquid delivery chemical vapor deposition |
| US6444264B2 (en) | 1995-03-31 | 2002-09-03 | Advanced Technology Materials, Inc. | Method for liquid delivery CVD utilizing alkane and polyamine solvent compositions |
| US6303391B1 (en) * | 1997-06-26 | 2001-10-16 | Advanced Technology Materials, Inc. | Low temperature chemical vapor deposition process for forming bismuth-containing ceramic films useful in ferroelectric memory devices |
| JP3957112B2 (ja) * | 1997-10-31 | 2007-08-15 | 三菱マテリアル株式会社 | 複合酸化物系誘電体薄膜形成用の溶液原料と誘電体薄膜 |
| US6265026B1 (en) * | 1998-01-16 | 2001-07-24 | The Regents Of The University Of California | Vapor phase deposition |
| US6312816B1 (en) * | 1998-02-20 | 2001-11-06 | Advanced Technology Materials, Inc. | A-site- and/or B-site-modified PbZrTiO3 materials and (Pb, Sr, Ca, Ba, Mg) (Zr, Ti, Nb, Ta)O3 films having utility in ferroelectric random access memories and high performance thin film microactuators |
| US6461675B2 (en) | 1998-07-10 | 2002-10-08 | Cvc Products, Inc. | Method for forming a copper film on a substrate |
| US6190732B1 (en) | 1998-09-03 | 2001-02-20 | Cvc Products, Inc. | Method and system for dispensing process gas for fabricating a device on a substrate |
| KR100289947B1 (ko) * | 1998-09-28 | 2001-05-15 | 신현국 | 고유전성박막증착용전구체착화합물및그를이용한박막증착방법 |
| EP1133499B1 (de) * | 1998-11-26 | 2003-02-12 | Siemens Aktiengesellschaft | Komplexverbindung eines elements der iv nebengruppe |
| US6294836B1 (en) * | 1998-12-22 | 2001-09-25 | Cvc Products Inc. | Semiconductor chip interconnect barrier material and fabrication method |
| US6316797B1 (en) * | 1999-02-19 | 2001-11-13 | Advanced Technology Materials, Inc. | Scalable lead zirconium titanate(PZT) thin film material and deposition method, and ferroelectric memory device structures comprising such thin film material |
| US6245655B1 (en) | 1999-04-01 | 2001-06-12 | Cvc Products, Inc. | Method for planarized deposition of a material |
| US6204204B1 (en) * | 1999-04-01 | 2001-03-20 | Cvc Products, Inc. | Method and apparatus for depositing tantalum-based thin films with organmetallic precursor |
| US7094284B2 (en) * | 1999-10-07 | 2006-08-22 | Advanced Technology Materials, Inc. | Source reagent compositions for CVD formation of high dielectric constant and ferroelectric metal oxide thin films and method of using same |
| US6623656B2 (en) | 1999-10-07 | 2003-09-23 | Advanced Technology Materials, Inc. | Source reagent composition for CVD formation of Zr/Hf doped gate dielectric and high dielectric constant metal oxide thin films and method of using same |
| US6348705B1 (en) | 1999-12-22 | 2002-02-19 | Advanced Technology Materials, Inc. | Low temperature process for high density thin film integrated capacitors and amorphously frustrated ferroelectric materials therefor |
| US6627995B2 (en) | 2000-03-03 | 2003-09-30 | Cvc Products, Inc. | Microelectronic interconnect material with adhesion promotion layer and fabrication method |
| KR20010109957A (ko) * | 2000-06-05 | 2001-12-12 | 윤종용 | 엘비티 용액, 엘비티 용액의 제조방법 및 이를 이용한엘비티 박막과 전자 소자의 제조방법 |
| WO2002018394A1 (en) * | 2000-08-28 | 2002-03-07 | Advanced Technology Materials, Inc. | Source reagent compositions and method for forming metal films on a substrate by chemical vapor deposition |
| US6444263B1 (en) | 2000-09-15 | 2002-09-03 | Cvc Products, Inc. | Method of chemical-vapor deposition of a material |
| US6960675B2 (en) * | 2003-10-14 | 2005-11-01 | Advanced Technology Materials, Inc. | Tantalum amide complexes for depositing tantalum-containing films, and method of making same |
| KR100519800B1 (ko) * | 2004-01-13 | 2005-10-10 | 삼성전자주식회사 | 란타늄 산화막의 제조방법 및 이를 이용한 모스 전계효과트랜지스터 및 캐패시터의 제조방법 |
| KR20070026658A (ko) * | 2004-06-10 | 2007-03-08 | 미츠비시 마테리알 가부시키가이샤 | 유기 금속 화학 증착용 용액 원료 및 상기 원료를 사용하여제조된 복합 산화물계 유전체 박막 |
| US7166732B2 (en) * | 2004-06-16 | 2007-01-23 | Advanced Technology Materials, Inc. | Copper (I) compounds useful as deposition precursors of copper thin films |
| JP4738775B2 (ja) * | 2004-08-24 | 2011-08-03 | 株式会社豊島製作所 | ランタニド系金属含有薄膜製造に用いるｃｖｄ用原料溶液及びこれを用いた薄膜の製造方法 |
| WO2007005088A2 (en) * | 2005-07-01 | 2007-01-11 | Honeywell International Inc. | Vaporizable metalorganic compounds for deposition of metals and metal-containing thin films |
| US20110060165A1 (en) * | 2006-12-05 | 2011-03-10 | Advanced Technology Materials, Inc. | Metal aminotroponiminates, bis-oxazolinates and guanidinates |
| WO2008088563A2 (en) * | 2007-01-17 | 2008-07-24 | Advanced Technology Materials, Inc. | Precursor compositions for ald/cvd of group ii ruthenate thin films |
| US7750173B2 (en) * | 2007-01-18 | 2010-07-06 | Advanced Technology Materials, Inc. | Tantalum amido-complexes with chelate ligands useful for CVD and ALD of TaN and Ta205 thin films |
| US20100112211A1 (en) * | 2007-04-12 | 2010-05-06 | Advanced Technology Materials, Inc. | Zirconium, hafnium, titanium, and silicon precursors for ald/cvd |
| US20080254218A1 (en) | 2007-04-16 | 2008-10-16 | Air Products And Chemicals, Inc. | Metal Precursor Solutions For Chemical Vapor Deposition |
| US20090275164A1 (en) * | 2008-05-02 | 2009-11-05 | Advanced Technology Materials, Inc. | Bicyclic guanidinates and bridging diamides as cvd/ald precursors |
| US8168811B2 (en) * | 2008-07-22 | 2012-05-01 | Advanced Technology Materials, Inc. | Precursors for CVD/ALD of metal-containing films |
| US8663735B2 (en) * | 2009-02-13 | 2014-03-04 | Advanced Technology Materials, Inc. | In situ generation of RuO4 for ALD of Ru and Ru related materials |
| US8507704B2 (en) * | 2009-09-08 | 2013-08-13 | Air Products And Chemicals, Inc. | Liquid composition containing aminoether for deposition of metal-containing films |
| KR102621816B1 (ko) * | 2020-06-23 | 2024-01-04 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 증착용 조성물, 박막 증착용 조성물을 이용한 박막의 제조 방법, 박막 증착용 조성물로부터 제조된 박막, 및 박막을 포함하는 반도체 소자 |
Family Cites Families (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2839421A (en) * | 1955-04-06 | 1958-06-17 | Du Pont | An alkoxy aluminum chelate, a dispersion of it in an organic liquid and a water repellant porous object |
| US3076834A (en) * | 1960-03-04 | 1963-02-05 | Dow Chemical Co | Chelate-phenol adducts |
| US3653953A (en) * | 1970-01-26 | 1972-04-04 | North American Rockwell | Nonaqueous electroless plating |
| US3647712A (en) * | 1970-09-04 | 1972-03-07 | Kerr Mc Gee Chem Corp | Mixture of alcohols and fluorinated beta-diketones useful as extractant in recovery of vanadium |
| US4147556A (en) * | 1972-01-12 | 1979-04-03 | Ppg Industries, Inc. | Nonflammable beta diketonate composition |
| SU530875A1 (ru) * | 1974-12-03 | 1976-10-05 | Ордена Ленина Институт Химической Физики Ан Ссср | Способ стабилизации ароматических и парафиновых углеводородов |
| US4529427A (en) * | 1977-05-19 | 1985-07-16 | At&T Bell Laboratories | Method for making low-loss optical waveguides on an industrial scale |
| US4401474A (en) * | 1979-12-03 | 1983-08-30 | Ppg Industries, Inc. | Pyrolytic coating reactant for defect and durability control |
| US4281037A (en) * | 1980-08-08 | 1981-07-28 | Dap, Inc. | Cleaning and priming composition containing titanium acetylacetonate and method |
| JPS58203443A (ja) * | 1982-05-24 | 1983-11-26 | Hitachi Ltd | ホトマスクの白点欠陥修正用組成物 |
| FR2575936B1 (fr) * | 1985-01-15 | 1987-02-13 | Rhone Poulenc Spec Chim | Procede de purification de solutions aqueuses de sels de terres rares par extraction liquide-liquide |
| US4898842A (en) * | 1986-03-03 | 1990-02-06 | International Business Machines Corporation | Organometallic-derived cordierite and other compounds comprising oxides of silicon |
| JP2729373B2 (ja) * | 1987-01-07 | 1998-03-18 | 東京応化工業 株式会社 | 金属酸化膜形成用塗布液 |
| US5034372A (en) * | 1987-12-07 | 1991-07-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Plasma based method for production of superconductive oxide layers |
| JP2615469B2 (ja) * | 1988-04-21 | 1997-05-28 | 松下電器産業株式会社 | 金属硫化物薄膜の製造方法 |
| US5100871A (en) * | 1989-11-28 | 1992-03-31 | General Atomics | Method for preparing rare earth-barium-cuprate pre-ceramic resins and superconductive materials prepared therefrom |
| US5120703A (en) * | 1990-04-17 | 1992-06-09 | Alfred University | Process for preparing oxide superconducting films by radio-frequency generated aerosol-plasma deposition in atmosphere |
| US5225561A (en) * | 1990-07-06 | 1993-07-06 | Advanced Technology Materials, Inc. | Source reagent compounds for MOCVD of refractory films containing group IIA elements |
| US5204314A (en) * | 1990-07-06 | 1993-04-20 | Advanced Technology Materials, Inc. | Method for delivering an involatile reagent in vapor form to a CVD reactor |
| US5859274A (en) * | 1997-10-30 | 1999-01-12 | Advanced Technology Materials, Inc. | Anhydrous mononuclear tris(β-diketonate) bismuth compositions for deposition of bismuth-containing films, and method of making the same |
| US5280012A (en) * | 1990-07-06 | 1994-01-18 | Advanced Technology Materials Inc. | Method of forming a superconducting oxide layer by MOCVD |
| US5820664A (en) * | 1990-07-06 | 1998-10-13 | Advanced Technology Materials, Inc. | Precursor compositions for chemical vapor deposition, and ligand exchange resistant metal-organic precursor solutions comprising same |
| US5840897A (en) * | 1990-07-06 | 1998-11-24 | Advanced Technology Materials, Inc. | Metal complex source reagents for chemical vapor deposition |
| DE4108731A1 (de) * | 1991-03-18 | 1992-09-24 | Solvay Barium Strontium Gmbh | Neuartige erdalkalimetall-heptandionat-verbindungen |
| US5165960A (en) * | 1991-07-29 | 1992-11-24 | Ford Motor Company | Deposition of magnesium fluoride films |
| US5376409B1 (en) * | 1992-12-21 | 1997-06-03 | Univ New York State Res Found | Process and apparatus for the use of solid precursor sources in liquid form for vapor deposition of materials |
| GB2274456A (en) * | 1993-01-22 | 1994-07-27 | Timothy John Leedham | Volatile rare earth beta-diketone complexes |
| US5412129A (en) * | 1994-06-17 | 1995-05-02 | Dicarolis; Stephen A. | Stabilization of precursors for thin film deposition |
| KR100277569B1 (ko) * | 1994-12-27 | 2001-03-02 | 후지무라 마사지카, 아키모토 유미 | 전극패턴 형성용 조성물 및 전극패턴 형성방법 |
| US6303391B1 (en) * | 1997-06-26 | 2001-10-16 | Advanced Technology Materials, Inc. | Low temperature chemical vapor deposition process for forming bismuth-containing ceramic films useful in ferroelectric memory devices |
-
1997
- 1997-11-20 US US08/975,372 patent/US5916359A/en not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-11-20 AU AU17012/99A patent/AU1701299A/en not_active Abandoned
- 1998-11-20 KR KR10-2000-7005497A patent/KR100530480B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-11-20 WO PCT/US1998/024880 patent/WO1999027030A1/en active IP Right Grant
- 1998-11-20 EP EP98961761A patent/EP1054934A4/en not_active Withdrawn
- 1998-11-20 JP JP2000522176A patent/JP4861550B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1998-11-21 TW TW087119256A patent/TW473539B/zh not_active IP Right Cessation
-
2011
- 2011-09-09 JP JP2011197056A patent/JP2012001819A/ja not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1054934A1 (en) | 2000-11-29 |
| KR100530480B1 (ko) | 2005-11-23 |
| AU1701299A (en) | 1999-06-15 |
| KR20010040276A (ko) | 2001-05-15 |
| JP2012001819A (ja) | 2012-01-05 |
| EP1054934A4 (en) | 2004-04-21 |
| WO1999027030A1 (en) | 1999-06-03 |
| JP2001524597A (ja) | 2001-12-04 |
| US5916359A (en) | 1999-06-29 |
| TW473539B (en) | 2002-01-21 |
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|
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| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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| A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
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| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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