JP2001524597A - 液体供給ｃｖｄのためのアルカン／ポリアミン溶剤組成物 - Google Patents
液体供給ｃｖｄのためのアルカン／ポリアミン溶剤組成物Info
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 81
- 239000002904 solvent Substances 0.000 title claims abstract description 77
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 title claims abstract description 31
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims abstract description 22
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 title claims abstract description 14
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 71
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N n-butylhexane Natural products CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 22
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 claims abstract description 19
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- ZUHZGEOKBKGPSW-UHFFFAOYSA-N tetraglyme Chemical compound COCCOCCOCCOCCOC ZUHZGEOKBKGPSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 12
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- UKODFQOELJFMII-UHFFFAOYSA-N pentamethyldiethylenetriamine Chemical compound CN(C)CCN(C)CCN(C)C UKODFQOELJFMII-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- KWYHDKDOAIKMQN-UHFFFAOYSA-N N,N,N',N'-tetramethylethylenediamine Chemical compound CN(C)CCN(C)C KWYHDKDOAIKMQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000003446 ligand Substances 0.000 claims description 4
- 239000011877 solvent mixture Substances 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 125000003253 isopropoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(O*)C([H])([H])[H] 0.000 claims description 3
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 claims 1
- DIOQZVSQGTUSAI-NJFSPNSNSA-N decane Chemical compound CCCCCCCCC[14CH3] DIOQZVSQGTUSAI-NJFSPNSNSA-N 0.000 abstract 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 10
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical group C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 4
- VNSWULZVUKFJHK-UHFFFAOYSA-N [Sr].[Bi] Chemical group [Sr].[Bi] VNSWULZVUKFJHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KWKAKUADMBZCLK-UHFFFAOYSA-N methyl heptene Natural products CCCCCCC=C KWKAKUADMBZCLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 2
- 125000002950 monocyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- -1 lanthanide metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- DWFKOMDBEKIATP-UHFFFAOYSA-N n'-[2-[2-(dimethylamino)ethyl-methylamino]ethyl]-n,n,n'-trimethylethane-1,2-diamine Chemical compound CN(C)CCN(C)CCN(C)CCN(C)C DWFKOMDBEKIATP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000004876 x-ray fluorescence Methods 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
- C23C16/18—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metallo-organic compounds
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
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Abstract
(57)【要約】
溶剤種Ａ、Ｂ及びＣの混合物を含む、有機金属前駆物質の液体供給化学蒸着のための溶剤組成物であって、前記混合物の全容量に対して、Ａが約３〜約７容量部であり、Ｂが約２〜約６容量部であり、Ｃが約３容量部まで存在しているＡ：Ｂ：Ｃの比率を有し、ＡがＣ６−Ｃ８アルカンであり、ＢがＣ８−Ｃ１２アルカンであり、Ａ及びＢが互いに異なっており、Ｃがグライムを主成分とする溶剤（グライム、ジグライム、及びテトラグライム）及びポリアミンからなる群から選択される溶剤組成物。およそ５：４：１の重量比のオクタン、デカン及びポリアミンを含有する特定の溶剤組成物が、ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９フィルムの形成に特に有効に使用される。
Description
【０００１】 技術分野 本発明は、金属（ベータ−ジケトナト）前駆物質を含有する有機金属前駆物質
の液体供給化学蒸着に有用な溶剤組成物に関する。
の液体供給化学蒸着に有用な溶剤組成物に関する。
【０００２】 関連技術の説明 化学蒸着（ＣＶＤ）法を実施する液体供給方法において、固体前駆物質が適切
な溶剤媒体中で溶解させられ、液相前駆物質が気化させられ、一般にキャリヤガ
ス（アルゴンまたは窒素など）と混合された得られた前駆物質の蒸気が、化学蒸
着反応装置に移される。反応装置内で、前駆物質の蒸気流は加熱した基材と接触
させられ、基材表面の上で気相から所望の成分を分解または析出させる。
な溶剤媒体中で溶解させられ、液相前駆物質が気化させられ、一般にキャリヤガ
ス（アルゴンまたは窒素など）と混合された得られた前駆物質の蒸気が、化学蒸
着反応装置に移される。反応装置内で、前駆物質の蒸気流は加熱した基材と接触
させられ、基材表面の上で気相から所望の成分を分解または析出させる。
【０００３】 このような液体供給ＣＶＤ法において、多種多様な溶剤が前駆物質種の溶解ま
たは懸濁のために使用されているが、前駆物質を含有する液体をその表面に放出
して溶剤及び前駆物質種を揮発させる加熱要素上でのフラッシュ蒸発など、いろ
いろな技術によって溶液または懸濁液が気化させられる。
たは懸濁のために使用されているが、前駆物質を含有する液体をその表面に放出
して溶剤及び前駆物質種を揮発させる加熱要素上でのフラッシュ蒸発など、いろ
いろな技術によって溶液または懸濁液が気化させられる。
【０００４】 多くの場合、いろいろな前駆物質を使用してＣＶＤ法において多成分蒸着フィ
ルムを形成する場合、操作が容易で工程のシステムが簡単なので、それぞれの前
駆物質種のために単一の溶剤媒体を利用し、それによって、異なった溶剤媒体が
異なった前駆物質種のために利用されるなら生じる恐れのある何れの有害な溶剤
−溶剤の相互作用も回避することが望ましい。更に、このような不安定性が全組
成物を液体供給のために不適当にするため、多数の種のために用いられるとき溶
剤組成物が前駆物質または金属含有分子と相互に作用して不安定な化学溶液を形
成しないことが望ましい。
ルムを形成する場合、操作が容易で工程のシステムが簡単なので、それぞれの前
駆物質種のために単一の溶剤媒体を利用し、それによって、異なった溶剤媒体が
異なった前駆物質種のために利用されるなら生じる恐れのある何れの有害な溶剤
−溶剤の相互作用も回避することが望ましい。更に、このような不安定性が全組
成物を液体供給のために不適当にするため、多数の種のために用いられるとき溶
剤組成物が前駆物質または金属含有分子と相互に作用して不安定な化学溶液を形
成しないことが望ましい。
【０００５】 従って、β−ジケトネート配位子を有する有機金属組成物を含むような、ＣＶ
Ｄ前駆物質に対して広い効用を有する新規な溶剤組成物を提供することが、本発
明の目的である。
Ｄ前駆物質に対して広い効用を有する新規な溶剤組成物を提供することが、本発
明の目的である。
【０００６】 本発明の他の目的及び利点は以下の開示内容及び添付したクレームからより完
全に明らかになろう。
全に明らかになろう。
【０００７】 発明の要旨 本発明は、有機金属前駆物質の液体供給化学蒸着のための溶剤組成物に関する
。
。
【０００８】 本発明の組成物は、溶剤種Ａ、Ｂ及びＣの混合物を含み、前記混合物の全容量
に対して、Ａが約３〜約７容量部であり、Ｂが約２〜約６容量部であり、Ｃが約
３容量部まで存在しているＡ：Ｂ：Ｃの比率を有し、ＡがＣ６−Ｃ８アルカンで
あり、ＢがＣ８−Ｃ１２アルカンであり、Ａ及びＢが互いに異なっており、Ｃが
グライムを主成分とする溶剤（グライム、ジグライム、及びテトラグライムなど
）またはポリアミンからなる群から選択される。
に対して、Ａが約３〜約７容量部であり、Ｂが約２〜約６容量部であり、Ｃが約
３容量部まで存在しているＡ：Ｂ：Ｃの比率を有し、ＡがＣ６−Ｃ８アルカンで
あり、ＢがＣ８−Ｃ１２アルカンであり、Ａ及びＢが互いに異なっており、Ｃが
グライムを主成分とする溶剤（グライム、ジグライム、及びテトラグライムなど
）またはポリアミンからなる群から選択される。
【０００９】 特定の及び好ましい態様において、前記溶剤組成物は、およそ５：４：１の容
量比のオクタン、デカン及びポリアミンを含むことができる。
量比のオクタン、デカン及びポリアミンを含むことができる。
【００１０】 前記溶剤組成物中の組成物の成分Ｃとして有用な好ましいポリアミン種は、例
えば、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ
’’，Ｎ’’−ペンタメチルジエチレントリアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ
’’’，Ｎ’’’−ヘキサメチルトリエチレンテトラミン、または他の好適なポ
リアミン成分など、何れの好適なポリアミンであってもよい。
えば、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ
’’，Ｎ’’−ペンタメチルジエチレントリアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ
’’’，Ｎ’’’−ヘキサメチルトリエチレンテトラミン、または他の好適なポ
リアミン成分など、何れの好適なポリアミンであってもよい。
【００１１】 別の態様において、本発明は、溶剤種Ａ、Ｂ及びＣの混合物を含む溶剤混合物
中に少なくとも１つの有機金属前駆物質成分を含む、液体供給化学蒸着のための
前駆物質組成物に関するものであり、前記混合物の全容量に対して、Ａが約３〜
約７容量部であり、Ｂが約２〜約６容量部であり、Ｃが約３容量部まで存在して
いるＡ：Ｂ：Ｃの比率を有し、ＡがＣ６−Ｃ８アルカンであり、ＢがＣ８−Ｃ１ ２ アルカンであり、Ａ及びＢが互いに異なっており、Ｃがグライムを主成分とす
る溶剤（グライム、ジグライム、及びテトラグライムなど）またはポリアミンで
ある。
中に少なくとも１つの有機金属前駆物質成分を含む、液体供給化学蒸着のための
前駆物質組成物に関するものであり、前記混合物の全容量に対して、Ａが約３〜
約７容量部であり、Ｂが約２〜約６容量部であり、Ｃが約３容量部まで存在して
いるＡ：Ｂ：Ｃの比率を有し、ＡがＣ６−Ｃ８アルカンであり、ＢがＣ８−Ｃ１ ２ アルカンであり、Ａ及びＢが互いに異なっており、Ｃがグライムを主成分とす
る溶剤（グライム、ジグライム、及びテトラグライムなど）またはポリアミンで
ある。
【００１２】 このような組成物中の有機金属前駆物質は、例えば、１つ以上の金属β−ジケ
トネート及び／またはその付加物を含んでもよい。
トネート及び／またはその付加物を含んでもよい。
【００１３】 本発明の他の態様、特徴及び実施態様は、以下の開示内容及び添付したクレー
ムからより完全に明らかになろう。
ムからより完全に明らかになろう。
【００１４】 本発明の詳細な説明、及びその好ましい実施態様 以下の米国特許出願の開示内容を、全て、本願明細書に引用したものとする。
１９９７年１１月２０日に出願された米国特許出願第０８／９７５，３７２号で
現在は米国特許第５，９１６，３５９号、１９９５年６月７日に出願された米国
特許出願第０８／４８４，６５４号、１９９５年３月３１日に出願された米国特
許出願０８／４１４，５０４号で現在は米国特許第５，８２０，６６４号、１９
９７年１０月３０日に出願された米国特許出願第０８／９６０，９１５号で現在
は米国特許第５，８５９，２７４号、及び１９９７年１１月２０日に出願された
米国特許出願第０８／９７６，０８７号。
１９９７年１１月２０日に出願された米国特許出願第０８／９７５，３７２号で
現在は米国特許第５，９１６，３５９号、１９９５年６月７日に出願された米国
特許出願第０８／４８４，６５４号、１９９５年３月３１日に出願された米国特
許出願０８／４１４，５０４号で現在は米国特許第５，８２０，６６４号、１９
９７年１０月３０日に出願された米国特許出願第０８／９６０，９１５号で現在
は米国特許第５，８５９，２７４号、及び１９９７年１１月２０日に出願された
米国特許出願第０８／９７６，０８７号。
【００１５】 本発明は、例えば、ＩＩ族の金属の、金属β−ジケトネート前駆物質などの有
機金属前駆物質の液体供給化学蒸着法のために有利に用いられる溶剤組成物の発
見に基づいている。このような溶剤組成物は、ストロンチウム、ビスマス、タン
タルなどの金属のβ−ジケトネートを主成分とする錯体など、このようなβ−ジ
ケトネート前駆物質から金属を析出させるのに非常に有利であることが見いださ
れた。
機金属前駆物質の液体供給化学蒸着法のために有利に用いられる溶剤組成物の発
見に基づいている。このような溶剤組成物は、ストロンチウム、ビスマス、タン
タルなどの金属のβ−ジケトネートを主成分とする錯体など、このようなβ−ジ
ケトネート前駆物質から金属を析出させるのに非常に有利であることが見いださ
れた。
【００１６】 本発明の組成物は、溶剤種Ａ、Ｂ及びＣの混合物を含み、前記混合物の全容量
に対して、Ａが溶液（Ａ＋Ｂ＋Ｃ）の約３〜約７容量部であり、Ｂが溶液の約２
〜約６容量部であり、Ｃが０より多く約３容量部まで存在しているＡ：Ｂ：Ｃの
比率を有し、ＡがＣ６−Ｃ８アルカンであり、ＢがＣ８−Ｃ１２アルカンであり
、Ａ及びＢが互いに異なっており、Ｃがグライムを主成分とする溶剤（グライム
、ジグライム、及びテトラグライムなど）またはポリアミンである。本発明によ
る非常に好ましい組成物は、溶剤種Ａとしてオクタン、溶剤種Ｂとしてデカン、
並びにポリアミンまたはテトラグライムのＣを、それぞれ溶剤種Ａ、Ｂ及びＣの
５：４：１の比率で含有する。
に対して、Ａが溶液（Ａ＋Ｂ＋Ｃ）の約３〜約７容量部であり、Ｂが溶液の約２
〜約６容量部であり、Ｃが０より多く約３容量部まで存在しているＡ：Ｂ：Ｃの
比率を有し、ＡがＣ６−Ｃ８アルカンであり、ＢがＣ８−Ｃ１２アルカンであり
、Ａ及びＢが互いに異なっており、Ｃがグライムを主成分とする溶剤（グライム
、ジグライム、及びテトラグライムなど）またはポリアミンである。本発明によ
る非常に好ましい組成物は、溶剤種Ａとしてオクタン、溶剤種Ｂとしてデカン、
並びにポリアミンまたはテトラグライムのＣを、それぞれ溶剤種Ａ、Ｂ及びＣの
５：４：１の比率で含有する。
【００１７】 本発明の特に好ましい態様において、オクタン：デカン：ポリアミンの５：４
：１の溶剤組成物が、ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９の液体供給化学蒸着のためにストロ
ンチウム、ビスマス及びタンタルβ−ジケトネート前駆物質のための溶剤種とし
て利用される。
：１の溶剤組成物が、ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９の液体供給化学蒸着のためにストロ
ンチウム、ビスマス及びタンタルβ−ジケトネート前駆物質のための溶剤種とし
て利用される。
【００１８】 本発明の組成物は、β−ジケトネート前駆物質の低圧揮発を可能にし、気化及
び化学蒸着法において良好な移動及び最小の残留物をもたらす。
び化学蒸着法において良好な移動及び最小の残留物をもたらす。
【００１９】 Ａ：Ｂ：Ｃ溶剤組成物中のＣがポリアミンであるとき、溶剤組成物のポリアミ
ン成分は何れの好適なポリアミンであってもよい。例には、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’
−テトラメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’ ’−ペンタメ チルジエチレントリアミン、及びＮ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’’，Ｎ’’’−
ヘキサメチルトリエチレンテトラミンなどがある。
ン成分は何れの好適なポリアミンであってもよい。例には、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’
−テトラメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’ ’−ペンタメ チルジエチレントリアミン、及びＮ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’’，Ｎ’’’−
ヘキサメチルトリエチレンテトラミンなどがある。
【００２０】 本発明の溶剤組成物と共に使用することができる金属β−ジケトネート前駆物
質には、その金属成分が、例えばストロンチウム、ビスマス、タンタル、ニオビ
ウム、鉛、カルシウム、バリウム、鉄、アルミニウム、スカンジウム、イットリ
ウム、チタン、タングステン、モリブデン及び、Ｃｅ、Ｌａ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｅｕ
、Ｙｂ等のランタニド金属など、何れの好適な金属であってもよいβ−ジケトナ
ト組成物などがある。そのβ−ジケトネート配位子は、例えば、 ２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト、 １，１，１−トリフルオロ−２，４−ペンタンジオナト、 １，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロ−２，４−ペンタンジオナト、 ６，６，７，７，８，８，８−ヘプタフルオロ−２，２−ジメチル−３，５−オ
クタンジオナト、 ２，２，７−トリメチル−３，５−オクタンジオナト、 １，１，１，５，５，６，６，７，７，７−デカフルオロ−２，４−ヘプタンジ
オナト、及び １，１，１−トリフルオロ−６−メチル−２，４−ヘプタンジオナトからなる群
から選択されたβ−ジケトネート配位子など、何れの好適な種であってもよい。
質には、その金属成分が、例えばストロンチウム、ビスマス、タンタル、ニオビ
ウム、鉛、カルシウム、バリウム、鉄、アルミニウム、スカンジウム、イットリ
ウム、チタン、タングステン、モリブデン及び、Ｃｅ、Ｌａ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｅｕ
、Ｙｂ等のランタニド金属など、何れの好適な金属であってもよいβ−ジケトナ
ト組成物などがある。そのβ−ジケトネート配位子は、例えば、 ２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト、 １，１，１−トリフルオロ−２，４−ペンタンジオナト、 １，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロ−２，４−ペンタンジオナト、 ６，６，７，７，８，８，８−ヘプタフルオロ−２，２−ジメチル−３，５−オ
クタンジオナト、 ２，２，７−トリメチル−３，５−オクタンジオナト、 １，１，１，５，５，６，６，７，７，７−デカフルオロ−２，４−ヘプタンジ
オナト、及び １，１，１−トリフルオロ−６−メチル−２，４−ヘプタンジオナトからなる群
から選択されたβ−ジケトネート配位子など、何れの好適な種であってもよい。
【００２１】 本発明の溶剤組成物は、無水単環式トリス（２，２，６，６−テトラメチル−
３，５−ヘプタンジオナト）ビスマス及びポリアミン付加Ｓｒ（ｔｈｄ）２など
のビスマス前駆物質を用いる、ビスマスを含有する薄いフィルムの析出のために
特に有用である。このような金属β−ジケトネート化合物は、本発明の溶剤組成
物中で容易に使用され、ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９など、すぐれたビスマスを含有す
る薄いフィルムを作製することができる。
３，５−ヘプタンジオナト）ビスマス及びポリアミン付加Ｓｒ（ｔｈｄ）２など
のビスマス前駆物質を用いる、ビスマスを含有する薄いフィルムの析出のために
特に有用である。このような金属β−ジケトネート化合物は、本発明の溶剤組成
物中で容易に使用され、ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９など、すぐれたビスマスを含有す
る薄いフィルムを作製することができる。
【００２２】 本発明の特徴及び利点は、以下の非制限的な例に対してより完全に示され、特
に指示しない限り、すべての部及びパーセントは重量基準である。
に指示しない限り、すべての部及びパーセントは重量基準である。
【００２３】 実施例 ５：４：１のオクタン：デカン：ペンタメチルジエチレントリアミンの溶剤混
合物中、７原子百分率のＳｒ（ｔｈｄ）２（ペンタメチルジエチレントリアミン
）、５５原子百分率のＢｉ（ｔｈｄ）３及び３８原子百分率のＴａ（ＯｉＰｒ） ４ （ｔｈｄ）（ｔｈｄ＝２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオ
ナトである）を含有する溶液を、液体供給化学蒸着装置に計量しながら供給し、
そこで前記の前駆物質溶液を１９０℃でフラッシュ気化させ、次に４００ｓｃｃ
ｍのアルゴン中でＣＶＤ室に運んだ。前記の前駆物質の蒸気を１１００ｓｃｃｍ
の酸素と混合し、次に、更に１００ｓｃｃｍのアルゴンと混合して配合物を７：
３の酸素：アルゴン比とし、シャワーヘッドディスパーサーを介して１トールに
維持されている化学蒸着室に通す。分解は３８５℃の表面温度に加熱された基材
上で行われる。前記の基材は、白金で覆われたＳｉＯ２（ＴＥＯＳ）構造体の０
．５ミクロンのラインである。基材上に生じたＳＢＴフィルムは高度に適合し、
最大厚さの９０％より大きい最小ＳＢＴ厚さを示し、マイクロ電子二次加工ため
の装置必要条件と合致している。析出の低温度及び非晶質の特徴は蒸着フィルム
の適合したコーティングに寄与する。これらの条件下で、前記の組成物は０．５
％未満で相対的に変化する（使用されたＸ線螢光法の精度である）。
合物中、７原子百分率のＳｒ（ｔｈｄ）２（ペンタメチルジエチレントリアミン
）、５５原子百分率のＢｉ（ｔｈｄ）３及び３８原子百分率のＴａ（ＯｉＰｒ） ４ （ｔｈｄ）（ｔｈｄ＝２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオ
ナトである）を含有する溶液を、液体供給化学蒸着装置に計量しながら供給し、
そこで前記の前駆物質溶液を１９０℃でフラッシュ気化させ、次に４００ｓｃｃ
ｍのアルゴン中でＣＶＤ室に運んだ。前記の前駆物質の蒸気を１１００ｓｃｃｍ
の酸素と混合し、次に、更に１００ｓｃｃｍのアルゴンと混合して配合物を７：
３の酸素：アルゴン比とし、シャワーヘッドディスパーサーを介して１トールに
維持されている化学蒸着室に通す。分解は３８５℃の表面温度に加熱された基材
上で行われる。前記の基材は、白金で覆われたＳｉＯ２（ＴＥＯＳ）構造体の０
．５ミクロンのラインである。基材上に生じたＳＢＴフィルムは高度に適合し、
最大厚さの９０％より大きい最小ＳＢＴ厚さを示し、マイクロ電子二次加工ため
の装置必要条件と合致している。析出の低温度及び非晶質の特徴は蒸着フィルム
の適合したコーティングに寄与する。これらの条件下で、前記の組成物は０．５
％未満で相対的に変化する（使用されたＸ線螢光法の精度である）。
【００２４】 図１は、１８０℃で前駆物質溶液を気化し、テトラヒドロフラン：イソプロパ
ノール：ポリアミンの８：２：１の溶剤組成物中、ストロンチウム、ビスマス及
びタンタルのためのβ−ジケトネート前駆物質を利用する、ストロンチウムビス
マスタンタレートの析出のために使用される液体供給装置について、分単位の時
間の関数としてのトール単位の上流の圧力のプロットである。このような溶剤組
成物は、金属β−ジケトネート及びそれらの付加物などの前駆物質のために従来
技術でこれまで用いられた溶剤組成物の代表例である。
ノール：ポリアミンの８：２：１の溶剤組成物中、ストロンチウム、ビスマス及
びタンタルのためのβ−ジケトネート前駆物質を利用する、ストロンチウムビス
マスタンタレートの析出のために使用される液体供給装置について、分単位の時
間の関数としてのトール単位の上流の圧力のプロットである。このような溶剤組
成物は、金属β−ジケトネート及びそれらの付加物などの前駆物質のために従来
技術でこれまで用いられた溶剤組成物の代表例である。
【００２５】 図２は、本発明の溶剤組成物、５：４：１のオクタン：デカン：ペンタメチル
ジエチレントリアミン中の有機金属前駆物質の気化のために使用された液体供給
装置の上流の圧力を示す。このような前駆物質溶液の前駆物質の成分は、Ｓｒ（
ｔｈｄ）２（ペンタメチルジエチレントリアミン）、Ｂｉ（ｔｈｄ）３及びＴａ
（ＯｉＰｒ）４（ｔｈｄ）であり、式中、ｔｈｄ＝２，２，６，６−テトラメチ
ル−３，５−ヘプタンジオナトであり、前記のビスマス試薬は無水単環式の形で
ある。 図２のプロットは、１８０℃の前駆物質溶液の気化について分単位の
時間の関数としてトール単位の上流の圧力を示す。図示のように、上流の圧力は
、プロセスのタイムフレームの全体にわたり非常に均一であり、このような溶剤
混合物中の前記の前駆物質の十分な気化及び移動特性、並びにそれに相伴なう低
量の残留物（かなりの量の残留物は、上流の圧力を著しく増大させる目詰まりを
示す）を示す。
ジエチレントリアミン中の有機金属前駆物質の気化のために使用された液体供給
装置の上流の圧力を示す。このような前駆物質溶液の前駆物質の成分は、Ｓｒ（
ｔｈｄ）２（ペンタメチルジエチレントリアミン）、Ｂｉ（ｔｈｄ）３及びＴａ
（ＯｉＰｒ）４（ｔｈｄ）であり、式中、ｔｈｄ＝２，２，６，６−テトラメチ
ル−３，５−ヘプタンジオナトであり、前記のビスマス試薬は無水単環式の形で
ある。 図２のプロットは、１８０℃の前駆物質溶液の気化について分単位の
時間の関数としてトール単位の上流の圧力を示す。図示のように、上流の圧力は
、プロセスのタイムフレームの全体にわたり非常に均一であり、このような溶剤
混合物中の前記の前駆物質の十分な気化及び移動特性、並びにそれに相伴なう低
量の残留物（かなりの量の残留物は、上流の圧力を著しく増大させる目詰まりを
示す）を示す。
【００２６】 図１の曲線に示された圧力の急な増大は、液体供給装置の目詰まりを引き起こ
す前駆物質の分解を示す。このような目詰まりの結果として、前記の液体供給装
置は、前記の前駆物質を所望の量及び所望の速度で下流の化学蒸着法室に供給す
ることができず、それによって全体的なプロセスの効率を下げる。
す前駆物質の分解を示す。このような目詰まりの結果として、前記の液体供給装
置は、前記の前駆物質を所望の量及び所望の速度で下流の化学蒸着法室に供給す
ることができず、それによって全体的なプロセスの効率を下げる。
【００２７】 従って、図１及び２のプロットは、本発明の溶剤組成物のすぐれた溶剤効率を
示す。
示す。
【００２８】 産業上の利用可能性 発明の溶剤組成物は、例えばＢｉ、Ｃａ、Ｃｕ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｐｂ、Ｎａ、Ｆ
ｅ、Ａｌ、Ｓｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ及びランタニド系列の金属等
の金属の、ベータ−ジケトネート前駆物質など、有機金属前駆物質の液体供給化
学蒸着のために有効に使用される。およそ５：４：１重量比でオクタン、デカン
及びポリアミンを含有する特定の溶剤組成物が、ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９フィルム
の形成に特に有効に使用される。
ｅ、Ａｌ、Ｓｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ及びランタニド系列の金属等
の金属の、ベータ−ジケトネート前駆物質など、有機金属前駆物質の液体供給化
学蒸着のために有効に使用される。およそ５：４：１重量比でオクタン、デカン
及びポリアミンを含有する特定の溶剤組成物が、ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９フィルム
の形成に特に有効に使用される。
【図１】 テトラヒドロフラン：イソプロパノール：ポリアミンの８：２：
１の溶剤組成物中、ストロンチウム、ビスマス及びタンタルのためのβ−ジケト
ネート前駆物質を利用する、１８０℃の前駆物質溶液の気化及びストロンチウム
ビスマスタンタレートの析出のために使用される液体供給化学蒸着装置について
、分単位の時間の関数としてのトール単位の上流の圧力のプロットである。
１の溶剤組成物中、ストロンチウム、ビスマス及びタンタルのためのβ−ジケト
ネート前駆物質を利用する、１８０℃の前駆物質溶液の気化及びストロンチウム
ビスマスタンタレートの析出のために使用される液体供給化学蒸着装置について
、分単位の時間の関数としてのトール単位の上流の圧力のプロットである。
【図２】 ５：４：１のオクタン：デカン：ポリアミンを含む本発明による
溶剤組成物中、ストロンチウム、ビスマス及びタンタルのためのβ−ジケトネー
ト前駆物質を利用する、１８０℃で前駆物質溶液を気化した後にストロンチウム
ビスマスタンタレートを析出させるために使用される液体供給化学蒸着装置につ
いて、分単位の時間の関数としてのトール単位の上流の圧力のプロットである。
溶剤組成物中、ストロンチウム、ビスマス及びタンタルのためのβ−ジケトネー
ト前駆物質を利用する、１８０℃で前駆物質溶液を気化した後にストロンチウム
ビスマスタンタレートを析出させるために使用される液体供給化学蒸着装置につ
いて、分単位の時間の関数としてのトール単位の上流の圧力のプロットである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＺ，ＵＧ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ) ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ， ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，Ｄ Ｋ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＥ，ＧＨ，ＨＵ，ＩＬ ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ， ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，Ｍ Ｋ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ， ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，Ｚ Ｗ Ｆターム(参考） 4K030 AA11 BA01 BA02 BA04 BA07 BA17 BA18 BA20 BA42 BA54 BA59
Claims (23)
- 【請求項１】 溶剤種Ａ、Ｂ及びＣの混合物を含む、有機金属前駆物質の液
体供給化学蒸着のための溶剤組成物であって、該混合物の全容量に対して、Ａが
約３〜約７容量部であり、Ｂが約２〜約６容量部であり、Ｃが約３容量部まで存
在しているＡ：Ｂ：Ｃの比率を有し、ＡがＣ６−Ｃ８アルカンであり、ＢがＣ８ −Ｃ１２アルカンであり、Ａ及びＢが互いに異なっており、Ｃがグライムを主成
分とする溶剤及びポリアミンからなる群から選択される溶剤組成物。 - 【請求項２】 前記溶剤種Ｃが、グライム、ジグライム、及びテトラグライ
ムからなる群から選択されたグライムを主成分とする溶剤である請求項１に記載
の溶剤組成物。 - 【請求項３】 前記溶剤種Ｃが、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレ
ンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’−ペンタメチルジエチレントリアミ
ン、及びＮ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’’，Ｎ’’’−ヘキサメチルトリエチレ
ンテトラミンからなる群から選択されたポリアミンである請求項１に記載の溶剤
組成物。 - 【請求項４】 溶剤組成物の全容量に対して、オクタンが約３〜約７容量部
であり、デカンが約２〜約６容量部であり、ポリアミンが約３容量部まで存在し
ているオクタン：デカン：ポリアミンの比率のオクタン、デカン、及びポリアミ
ンを含む溶剤組成物。 - 【請求項５】 Ａ：Ｂ：Ｃがおよそ５：４：１の容量比である請求項１に記
載の溶剤組成物。 - 【請求項６】 前記溶剤種Ｃが、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’−ペンタメ
チルジエチレントリアミンを含む請求項１に記載の溶剤組成物。 - 【請求項７】 前記溶剤種Ｃが、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’’，Ｎ’’
’−ヘキサメチルトリエチレンテトラミンを含む請求項１に記載の溶剤組成物。 - 【請求項８】 前記溶剤種Ｃが、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレ
ンジアミンを含む請求項１に記載の溶剤組成物。 - 【請求項９】 それぞれのおよその容量比が５：４：１のオクタン、デカン
及びポリアミンを含む、有機金属前駆物質の液体供給化学蒸着のためのアルカン
／ポリアミン溶剤組成物。 - 【請求項１０】 溶剤種Ａ、Ｂ及びＣの混合物を含む溶剤組成物中に有機金
属前駆物質を含む、液体供給化学蒸着のための前駆物質組成物であって、該混合
物の全容量に対して、Ａが約３〜約７容量部であり、Ｂが約２〜約６容量部であ
り、Ｃが約３容量部まで存在しているＡ：Ｂ：Ｃの比率を有し、ＡがＣ６−Ｃ８ アルカンであり、ＢがＣ８−Ｃ１２アルカンであり、Ａ及びＢが互いに異なって
おり、Ｃがグライムを主成分とする溶剤及びポリアミンからなる群から選択され
る前駆物質。 - 【請求項１１】 前記溶剤種Ｃが、グライム、ジグライム、及びテトラグラ
イムからなる群から選択されたグライムを主成分とする溶剤である請求項１０に
記載の前駆物質組成物。 - 【請求項１２】 前記溶剤種Ｃが、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチ
レンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’−ペンタメチルジエチレントリア
ミン、及びＮ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’’，Ｎ’’’−ヘキサメチルトリエチ
レンテトラミンからなる群から選択されたポリアミンである請求項１０に記載の
前駆物質組成物。 - 【請求項１３】 （ｉ）有機金属前駆物質及び（ｉｉ）オクタン、デカン及
びポリアミンの溶剤混合物であって、該溶剤混合物の全容量に対して、オクタン
が約３〜約７容量部であり、デカンが約２〜約６容量部であり、ポリアミンが約
３容量部まで存在しているオクタン：デカン：ポリアミンの比率を有する溶剤組
成物、を含んでなる前駆物質組成物。 - 【請求項１４】 Ａ：Ｂ：Ｃがおよそ５：４：１の容量比である請求項１０
に記載の前駆物質組成物。 - 【請求項１５】 前記溶剤種Ｃが、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’−ペンタ
メチルジエチレントリアミンを含む請求項１０に記載の前駆物質組成物。 - 【請求項１６】 前記溶剤種Ｃが、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’’，Ｎ’
’’−ヘキサメチルトリエチレンテトラミンを含む請求項１０に記載の前駆物質
組成物。 - 【請求項１７】 前記溶剤種Ｃが、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチ
レンジアミンである請求項１０に記載の前駆物質組成物。 - 【請求項１８】 前記有機金属前駆物質が、金属β−ジケトネート前駆物質
を含む請求項１０に記載の前駆物質組成物。 - 【請求項１９】 前記有機金属前駆物質がＩＩ族の金属を含む請求項１０に
記載の前駆物質組成物。 - 【請求項２０】 前記有機金属前駆物質が、Ｂｉ、Ｃａ、Ｃｕ、Ｓｒ、Ｂａ
、Ｐｂ、Ｎａ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｓｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ及びランタ
ニド系列の金属からなる群から選択された金属を含む請求項１０に記載の前駆物
質組成物。 - 【請求項２１】 前記有機金属前駆物質が、ストロンチウム、ビスマス及び
タンタルのβ−ジケトネート錯体を含む請求項１０に記載の前駆物質組成物。 - 【請求項２２】 前記有機金属前駆物質が、Ｓｒ（ｔｈｄ）２（ペンタメチ
ルジエチレントリアミン）、Ｂｉ（ｔｈｄ）３及びＴａ（ＯｉＰｒ）４（ｔｈｄ
）を含み、ｔｈｄ＝２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト
である請求項１０に記載の前駆物質組成物。 - 【請求項２３】 前記有機金属前駆物質がβ−ジケトナト金属錯体を含み、
そのβ−ジケトナト配位子が、 ２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト、 １，１，１−トリフルオロ−２，４−ペンタンジオナト、 １，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロ−２，４−ペンタンジオナト、 ６，６，７，７，８，８，８−ヘプタフルオロ−２，２−ジメチル−３，５−オ
クタンジオナト、 ２，２，７−トリメチル−３，５−オクタンジオナト、 １，１，１，５，５，６，６，７，７，７−デカフルオロ−２，４−ヘプタンジ
オナト、及び １，１，１−トリフルオロ−６−メチル−２，４−ヘプタンジオナトからなる群
から選択される請求項１０に記載の前駆物質組成物。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/975,372 US5916359A (en) | 1995-03-31 | 1997-11-20 | Alkane and polyamine solvent compositions for liquid delivery chemical vapor deposition |
| US08/975,372 | 1997-11-20 | ||
| PCT/US1998/024880 WO1999027030A1 (en) | 1997-11-20 | 1998-11-20 | Alkane/polyamine solvent compositions for liquid delivery cvd |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011197056A Division JP2012001819A (ja) | 1997-11-20 | 2011-09-09 | 液体供給ｃｖｄのためのアルカン／ポリアミン溶剤組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001524597A true JP2001524597A (ja) | 2001-12-04 |
| JP4861550B2 JP4861550B2 (ja) | 2012-01-25 |
Family
ID=25522960
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000522176A Expired - Fee Related JP4861550B2 (ja) | 1997-11-20 | 1998-11-20 | 液体供給ｃｖｄのためのアルカン／ポリアミン溶剤組成物 |
| JP2011197056A Withdrawn JP2012001819A (ja) | 1997-11-20 | 2011-09-09 | 液体供給ｃｖｄのためのアルカン／ポリアミン溶剤組成物 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011197056A Withdrawn JP2012001819A (ja) | 1997-11-20 | 2011-09-09 | 液体供給ｃｖｄのためのアルカン／ポリアミン溶剤組成物 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5916359A (ja) |
| EP (1) | EP1054934A4 (ja) |
| JP (2) | JP4861550B2 (ja) |
| KR (1) | KR100530480B1 (ja) |
| AU (1) | AU1701299A (ja) |
| TW (1) | TW473539B (ja) |
| WO (1) | WO1999027030A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 1998-11-20 EP EP98961761A patent/EP1054934A4/en not_active Withdrawn
- 1998-11-20 WO PCT/US1998/024880 patent/WO1999027030A1/en active IP Right Grant
- 1998-11-20 KR KR10-2000-7005497A patent/KR100530480B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-11-20 JP JP2000522176A patent/JP4861550B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| EP1054934A1 (en) | 2000-11-29 |
| TW473539B (en) | 2002-01-21 |
| AU1701299A (en) | 1999-06-15 |
| JP4861550B2 (ja) | 2012-01-25 |
| KR100530480B1 (ko) | 2005-11-23 |
| WO1999027030A1 (en) | 1999-06-03 |
| JP2012001819A (ja) | 2012-01-05 |
| KR20010040276A (ko) | 2001-05-15 |
| EP1054934A4 (en) | 2004-04-21 |
| US5916359A (en) | 1999-06-29 |
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| A621 | Written request for application examination |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| A601 | Written request for extension of time |
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|
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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| A02 | Decision of refusal |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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|
| A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
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|
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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