JP4860910B2 - 表示システム、表示システムの駆動方法及び表示システムの駆動装置 - Google Patents
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Description
特に、TV用液晶表示装置は、従来のCRTを代替するものであるため、各特性項目もCRTを基準に比較するのが一般的であり、このような場合、液晶表示装置においては、応答速度が特に改善すべき特性である。
本発明は、このような問題点を勘案したものであって、本発明の目的は、液晶表示装置の周辺又は内部の温度に適応して液晶の応答速度を高速化することができる表示システム
、表示システムの駆動方法
及び表示システムの駆動装置を提供することにある。
液晶表示装置において、各画素は液晶を誘電体として有するキャパシタ、即ち、液晶キャパシタとしてモデリングすることができるが、このような液晶表示装置での各画素の等価回路は図2のようである。
動作時、ゲートライン(Gq)にゲートオン信号が印加されてTFT10がターンオンされると、データライン(Dp)に供給されたデータ電圧(Vd)がTFT10を通じて画素電極(図示せず)に印加される。そうすると、画素電極(図示せず)に印加される画素電圧(Vp)と共通電極(図示せず)に印加される共通電圧(Vcom)との差に該当する電界が液晶(図2では、等価的に液晶キャパシタ(Clc)で示した)に印加されて、電界の強さに対応する透過率で光が透過されるようにする。この際、画素電圧(Vp)は、1フレーム期間維持されなければならないが、図2において、ストレージキャパシタ(Cst)は、画素電極に印加された画素電圧(Vp)を1フレーム期間維持するために、補助的に用いられる。
ノーマリーホワイトモード(Normally white mode)であるTN(Twisted Nematics)液晶表示装置を例として挙げると、画素に供給される画素電圧が0Vである場合には、液晶分子が基板に平行な方向に配列されているので、液晶キャパシタンスは、C(0V)=ε⊥A/dになる。ここで、ε⊥は、液晶分子が基板に平行な方向に配列された場合、即ち、液晶分子が光の方向と垂直方向に配列された場合の誘電率を示し、Aとdとは、それぞれ液晶表示装置基板の面積と基板間の距離を示す。フルブラック(full black)を実現するための電圧が5Vとすると、液晶に5Vが印加される場合、液晶分子が基板に垂直方向に配列されるので、液晶キャパシタンスは、C(5V)=ε‖A/dになる。TNモードに用いられる液晶の場合には、ε‖−ε⊥>0であるので、液晶に印加される画素電圧が高くなるほど、液晶キャパシタンスが大きくなる。
また、次フレームであるn+1番目フレームでフルブラックを実現するためにデータ電圧(Vd)を5V印加した場合に、液晶に充電される電荷量がC(3.5V)×5Vになり、結果的に液晶に供給される電圧(Vp)は、3.5V〜5Vになる。このような過程を繰り返すと、結局幾つかのフレーム期間の後でなければ画素電圧(Vp)が所望する電圧に到達しないことになる。
一方、以前フレームであるn−1番目フレームがフルブラックであり、即ち、画素電圧(Vp)が5Vであり、現在フレームであるn番目フレームでフルブラックを実現するために、5Vのデータ電圧が印加されたとすると、液晶キャパシタンスはC(5V)であるので、画素にはC(5V)×5Vに該当する電荷量が充電され、これにより液晶の画素電圧(Vp)は5Vになる。
図3は、一般的な駆動方式で印加される場合のデータ電圧及び画素電圧を示す図である。
図4は、図3に示す一般的な駆動方法による液晶表示装置の透過率を示す図である。
第一に、現在フレームの画像信号(データ電圧または階調信号)が以前フレームの画像信号と同じであるか、類似していると、補償を行わない。
図5は、本発明による表示システムを説明するための図であって、特に、温度補償のための表示システムを示す。
より詳細には、データ処理部110は、画像を表示するための原始階調データ(R,G,B)を液晶表示装置200に出力する。
一方、液晶表示装置200は、タイミング制御部210、第1メモリ(EEPROM)220、第3メモリ(SDRAM)230、データドライバー240及び液晶パネル250を含み、画像信号ソース100から原始階調データ(R,G,B)が提供されることにより、第1メモリ(EEPROM)220を経由して入力される補償データ222に基づいて液晶の応答速度を高速化するための補償階調データ(R’,G’,B’)を生成して画像を表示する。ここで、補償データ222は、液晶表示装置200の周辺温度に適応するデータであることが好ましく、周辺温度が変動することによって画像信号ソースにより更新されることが好ましい。
第1メモリ(EEPROM)220は、マイクロコントローラ130から補償データ132の提供を受けて記憶し、タイミング制御部210の要請に応答して補償データ222をタイミング制御部210に提供する。この際、補償データは、一定温度区間別に分離された互いに異なる複数のルックアップテーブル(以下、LUTとする)として第1メモリ(EEPROM)220に記憶されることが好ましい。
仮に、原始階調データが8ビット(RGBデータは、24ビット)であると、全体階調である8ビットそれぞれに対応する補償データである可能性もあり、8ビットよりは小さい4または6ビット等それぞれに対応する補償データである可能性もある。4ビットまたは6ビットの提供を受けると、マイクロコントローラ130では、液晶の応答速度を高速化するための補償として、4ビットまたは6ビットに対応したLUTを用いて補償し、残りのビットに対応して補間法(interpolation)を用いて8ビットに補間して補償することが好ましい。
第3メモリ(SDRAM)230は、タイミング制御部210を経由して原始階調データが提供されて、原始階調データを記憶する。第3メモリ(SDRAM)230は、タイミング制御部210の要請に応答して該当原始階調データをタイミング制御部210に出力する。
仮に、表示システムが自動方式に設定されている場合、温度センサー50により感知される温度区間が変更されたとマイクロコントローラ130が判断したときに、マイクロコントローラ130がLUT変更を待機し、チャンネル変更等のイベント発生時点にLUTに対応する補償データ132をメモリ(ROM)120から読み出して第1メモリ(EEPROM)220に提供する。これにより、温度に適応して液晶の応答速度を高速化する。この際、補償データ132、222を伝送する途中、液晶表示装置200による記憶の誤動作を防止するためには、液晶表示装置200の電源も共に制御することが好ましい。
LUTが第1メモリ(EEPROM)220に記憶された後に、マイクロコントローラ130でタイミング制御部210を直接制御して、第1メモリ(EEPROM)220でタイミング制御部210の内部ROMにLUTをダウンロードすることが可能である。
図6を参照すると、画像信号ソース100は、データ処理部110、メモリ(ROM)120、補助メモリ(ROM)125、マイクロコントローラ130、アナログ−デジタル変換部(ADC)135及び電圧発生部140を含む。
補助メモリ(ROM)125は、本体またはリモコンで項目別特性値を変更するに必要なデータであるOSD(On Screen Display)データを記憶する。一般に、TVのような画像信号ソースには、表示装置の多様な機能をユーザが直接制御することができるようにするOSD機能が存在するが、この際に用いられるデータがOSDデータである。特に、本発明に関して、液晶表示装置の応答速度をユーザが直接制御することができるOSD項目が記憶されていることが好ましい。例えば、OSD項目に<温度に反応するモード>と<基本値維持モード>等に分割して設定することにより、動画像画質に敏感なユーザの不満を解消することができる。
即ち、温度信号が、温度センサー50からアナログ−デジタル変換部(ADC)135に入力されて、アナログ−デジタル変換部(ADC)135でアナログ信号からデジタル信号に変換され、アナログ−デジタル変換部(ADC)135からマイクロコントローラ130へ出力される。温度信号が既に設定された温度区間を外れるか否かをマイクロコントローラ130がチェックして、温度区間を外れるとチェックされる場合には、該当温度に対応するLUTがメモリ(ROM)120から読み出され、読み出されたLUTから補償データ132が読み出されて液晶表示装置200に提供される。この際、補償データ132の伝送経路としては、集積回路間の通信リンクを提供する2つの線の両方向直列バスであるI2C(Inter−IC)バス方式を採用することが好ましい。
図7は、図5の液晶表示装置200の一例を説明するための図であって、特に、温度補償のための液晶表示装置200の一例を説明するための図である。
具体的には、タイミング制御部210が、第1メモリ(EEPROM)220を経由してマイクロコントローラ130から補償データ222を受け取る。タイミング制御部210が、補償データ222をLUTとして記憶する。もちろん、前記したLUT形態の補償データ222を記憶するために、タイミング制御部210は、別のメモリ(図示せず)を更に具備してもよい。
第1メモリ(EEPROM)220は、液晶の応答速度を高速化する補償のための補償データ132を一時的に記憶し、タイミング制御部210の要請に応答して記憶された補償データ222を提供する。特に、補償データ222は、温度に適応するようにデータ補償程度を決定して記憶されることが好ましい。仮に温度の変動がある場合、第1メモリ(EEPROM)220は、マイクロコントローラ130から変動された温度に対応される補償データ132を受け取って記憶し、タイミング制御部210の要請に応答して記憶された補償データ222をタイミング制御部210に出力する。
データドライバー240は、タイミング制御部210から補償階調データ(R’,G’,B’)が受信されるにつれて、該当階調電圧(データ電圧またはデータ信号)に変更し、変更されたデータ信号(D1、D2、...、Dm)を液晶パネル250に供給する。
スキャンドライバー260は、スキャン駆動信号(GATE CLK、STV)に基づいて、ゲートラインを活性化させて薄膜トランジスタ110’をターンオンさせるためのゲートオン信号(S1、S2、S3、...、Sn)を順次印加する。
以上では、デジタルインターフェースを具備して、外部からデジタル値である階調データの提供を受ける液晶表示装置を主として説明したが、当業者なら外部から提供されるアナログ値をデジタル値に変換するインターフェースを具備するアナログ液晶表示装置にも同様に適用することができるのは自明である。
この際、液晶表示装置は、温度区間別に補償データを記憶する複数のLUTを具備し、感知される温度によってLUTを選択し、選択されたLUTを用いた補償を通じて温度に適応する液晶の応答速度を維持することもできるのは自明である。
シリアル−パラレル変換部2110は、第1メモリ(EEPROM)220から提供されるシリアルタイプの第1補償データをパラレル変換して、第1スイッチング部2130に出力する。
ここで、伝送クロック(I2C_LI)は、第1メモリ(EEPROM)220からシリアル−パラレル変換部2110に第1補償データを伝送するためのクロック信号である。例えば、伝送クロック(I2C_LI)がアクティブ状態である場合、シリアル−パラレル変換部2110から出力される第1補償データをRAM2160に出力し、伝送クロック(I2C_LI)が非アクティブ状態である場合、第2メモリ(ROM)2120から出力される第2補償データをRAM2160に出力する。これにより、第1補償データが伝送されない場合でも、第2補償データにより液晶の応答速度を向上させるための補償を行うことができる。
第3スイッチング部2150は、伝送完了クロック(I2C_DONE)に応答して、第1スイッチング部2130から出力されるデータがRAM2160に記憶されることを制御するために、第2スイッチング部2140から出力されるクロック及びドットクロックDCLKのいずれか一方をRAM2160に出力する。ここで、伝送完了クロック(I2C_DONE)は、シリアル−パラレル変換部2110への第1補償データの伝送を完了させるためのクロック信号である。例えば、伝送完了クロック(I2C_DONE)がアクティブ状態である場合、ドットクロックDCLKをRAM2160に出力し、伝送完了クロック(I2C_DONE)が非アクティブ状態である場合、第2スイッチング部2140から出力されるクロックをRAM2160に出力する。これにより、第1補償データのシリアル−パラレル変換部2110への伝送が行われていないときは、ドットクロックDCLKに同期して第1補償データ又は第2補償データがRAM2160に記憶されるようにし、第1補償データのシリアル−パラレル変換部2110への伝送が行われている間は、シリアルクロックSCLに同期して第1補償データ又は第2補償データがRAM2160に記憶されるようにすることが可能である。すなわち、第1補償データのシリアル−パラレル変換部2110への伝送が行われているか否かに応じて、第1補償データ又は第2補償データがRAM2160に記憶されるタイミングを変えることができる。
しかし、液晶の応答速度に影響する要素には、前記した周辺温度以外に、周波数すなわち垂直同期信号が更に存在する。即ち、液晶の応答速度を補償するための補償量は、周辺温度が高温であるほど、小さくても所望する目標電圧値に到達することができる(図1,図3参照)。また、液晶の応答速度を補償するための補償量は、垂直同期信号の周波数が上昇するほど、より短くなった1フレーム期間内に目標電圧値に到達する必要が生ずるため、大きくならなければならない(図3参照)。
これにより、動画像のように実時間に入力される階調データに対するオーバーシュートする従来のLUT値を用いると、データ衝突及びローディング時間遅延によりユーザに観察される画面上には、ノイズや色反転、階調変化等の歪曲現象を誘発するおそれがある。
図9は、図7に図示された液晶表示装置の他の実施例を説明するための図である。説明の便宜上、図7で説明したタイミング制御部210と第1メモリ(EEPROM)220のみを図示する。
シリアル−パラレル変換部2210は、第1メモリ(EEPROM)220から提供されるシリアルタイプの第1補償データ222をパラレル変換して、バッファー2260に出力する。
第1スイッチング部2220は、伝送クロック(I2C_LI)に応答して、シリアルクロックSCLまたはドットクロックDCLKのいずれか一方を第2スイッチング部2240に出力する。ここで、伝送クロック(I2C_LI)は、第1メモリ(EEPROM)220からシリアル−パラレル変換部2210に第1補償データ222を伝送するためのクロック信号である。例えば、伝送クロック(I2C_LI)がアクティブ状態である場合、シリアルクロックSCLを第2スイッチング部2240に出力し、伝送クロック(I2C_LI)が非アクティブ状態である場合、ドットクロックDCLKを第2スイッチング部2240に出力する。これにより、第1補償データのシリアル−パラレル変換部2110への伝送が開始されるまでは、ドットクロックDCLKを第2スイッチング部2240に供給するようにし、第1補償データのシリアル−パラレル変換部2110への伝送が開始された後は、シリアルクロックSCLを第2スイッチング部2240に供給するようにすることが可能である。
ここで、伝送完了クロック(I2C_DONE)は、シリアル−パラレル変換部2210への第1補償データ222の伝送を完了させるためのクロック信号である。これにより、第1補償データ222のシリアル−パラレル変換部2110への伝送が完了したことと垂直同期信号の周波数とを考慮したクロック信号を生成することができる。
第2スイッチング部2240は、アンド演算されたクロック(VSYNC&I2C_DONE)に応答して、第1スイッチング部2220から出力されるクロックとドットクロックDCLKとのいずれか一方をバッファー2260に出力する。例えば、アンド演算されたクロック(VSYNC&I2C_DONE)がアクティブ状態である場合、第1スイッチング部2220から出力されるクロックをバッファー2260に出力し、アンド演算されたクロック(VSYNC&I2C_DONE)が非アクティブ状態である場合、ドットクロックDCLKをバッファー2260に出力する。これにより、第1補償データのシリアル−パラレル変換部2110への伝送が行われておらず垂直同期信号がアクティブ状態であるときは、ドットクロックDCLKをバッファー2260に供給するようにし、第1補償データのシリアル−パラレル変換部2110への伝送が行われているか垂直同期信号が非アクティブ状態であるときは、シリアルクロックSCLをバッファー2260に供給するようにすることができる。
バッファー2260は、シリアル−パラレル変換部2210でパラレル変換された第1補償データを一時的に記憶する。バッファー2260は、第2スイッチング部2240から出力されるクロックに応答して、第1補償データを第3スイッチング部2270に出力する。例えば、ドットクロックDCLKが入力された場合、一時的に記憶された第1補償データ222をスイッチング部2270に出力し、シリアルクロックSCLが入力された場合、一時的に記憶された第1補償データ222の出力を遮断する。これにより、第1補償データのシリアル−パラレル変換部2110への伝送が行われておらず垂直同期信号がアクティブ状態であるときは、第1補償データ222をスイッチング部2270に出力するようにし、第1補償データのシリアル−パラレル変換部2110への伝送が行われているか垂直同期信号が非アクティブ状態であるときは、第1補償データ222をスイッチング部2270に出力するようにする。
RAM2280は、ドットクロックDCLKに応答して、シリアル−パラレル変換部2210とバッファー2260と第3スイッチング部2270とを経由する第1補償データ222並びに第2メモリ(ROM)2250と第3スイッチング部2270とを経由する第2補償データのいずれか一方を記憶する。これにより、第1補償データ222及び第2補償データのいずれか一方を、画素の動作と同期してRAM2280に記憶させることができる。
続いて、フレームが変換されるフレームブランキング期間でバッファー2260に記憶されたLUT(第1補償データ)がRAM2280に記憶された後、(n+1)番目フレーム期間に対応するデータイネイブル信号DEが印加されて、RAM2280に記憶されたLUT(第1補償データ又は第2補償データ)を用いて表示動作が行われる。
以上では、複数のLUTをタイミング制御部の外部にあるEEPROMに記憶させてTVセットから提供されるLUT選択信号に基づいて該当LUTを選択した後、ブランキング期間の間にRAMに記憶することを説明したが、当業者なら複数のLUTをタイミング制御部の内部に記憶させてTVセットから提供されるLUT選択信号に基づいて該当LUTを選択した後、RAMに記憶することもできる。
このように、垂直同期信号が印加される期間(フレームブランキング期間)に、バッファーに記憶されたLUTの第1補償データ又はROMに記憶されたLUTの第2補償データがRAM2280に記憶されるため、周辺温度に対応するLUTがRAM2280に記憶されるので、別に電源をオフしなくても、液晶の応答速度を高速化する補償値が変更されて、ユーザ側になめらかな画像を表示することが可能である。
一方、第1メモリ(EEPROM)220に複数のLUTを記憶する際に、図11に示したように、それぞれのLUTごとにアドレス領域を割り当てて記憶しなければならない。なぜならば、周辺温度及び垂直同期信号によるLUT変更を第1メモリ(EEPROM)220からタイミング制御部210が読み込む際に、タイミング制御部210は第1メモリ(EEPROM)220に記憶された複数のLUTそれぞれに記憶された全体データを読み込むことなく、周辺温度変化に最適化させるために、該当LUTのみを読み込むと良いためである。
例えば、一つのLUTサイズを256と仮定する時、アドレス301からアドレス556に対応する領域には第1LUT(LUT A)を記憶し、アドレス556からアドレス557に対応する領域には第1LUTのサブチェックサムの値(LUT A SUB CHKSUM)を記憶する。また、アドレス557からアドレス812に対応する領域には第2LUT(LUT B)を記憶し、アドレス812からアドレス813に対応する領域には第2LUTのサブチェックサムの値(LUT B SUB CHKSUM)を記憶する。このような方式を通じて、複数のLUTと、LUTの伝送上のエラーを防止するためのサブチェックサムの値とを記憶する。
もちろん、サブチェックサムの値は、LUT別に互いに相違するように付与することにより、互いに異なるLUTデータが同一LUTデータであると混同されることを防止することが可能である。例えば、第1LUTのサブチェックサム(LUT A SUB CHKSUM)をAAHEXA、第2LUTのサブチェックサム(LUT B SUB CHKSUM)をBBHEXA、第3LUTのサブチェックサム(LUT C SUB CHKSUM)をCCHEXA等として付与する方式のように、明確に区分する必要がある。
50 温度センサー
100 画像信号ソース
110 データ処理部
110’ 薄膜トランジスタ
120 メモリ(ROM)
125 補助メモリ(SDRAM)
230 第3メモリ(SDRAM)
130 マイクロコントローラ
132 補償データ
135 アナログ−デジタル変換部(ADC)
140,270 電圧発生部
200 液晶表示装置
210 タイミング制御部
220 第1メモリ(EEPROM)
232,234 メモリバンク
240 データドライバー
250 液晶パネル
260 スキャンドライバー
2110,2210 シリアル−パラレル変換部
2120,2250 第2メモリ(ROM)
2130,2220 第1スイッチング部
2140,2240 第2スイッチング部
2150,2270 第3スイッチング部
2160,2280 RAM
2230 アンドゲート
2260 バッファー
Claims (37)
- 画像信号ソースから提供される階調データに基づいて画像を表示する液晶表示装置を備える表示システムであって、
複数のゲートラインと、前記ゲートラインと絶縁されて交差する複数のデータラインと、前記ゲートラインと前記データラインとにより囲まれた領域に形成され前記ゲートライン及び前記データラインに連結されている複数のスイッチング素子と、前記スイッチング素子により制御される複数の画素と、を有する液晶パネルと、
前記ゲートラインにスキャン信号を提供するスキャン駆動部と、
前記データラインにデータ信号を提供するデータ駆動部と、
前記液晶表示装置における液晶の応答速度を向上させるための第1補償データを複数の温度区間別に記憶する第1メモリと、
前記液晶表示装置の特性を考慮して設定された第2補償データを記憶する第2メモリと、
以前フレームの前記階調データ及び現在フレームの前記階調データを考慮して、前記第1補償データを前記第1メモリから選択して読み出し前記第1補償データに基づいて前記階調データを補償する、あるいは前記第2補償データを前記第2メモリから読み出し前記第2補償データに基づいて前記階調データを補償するタイミング制御部と、
を含み、
前記タイミング制御部は、
前記第1補償データをパラレル変換するシリアルパラレル変換部と、
前記第2メモリと、
パラレル変換された前記第1補償データを一時的に記憶して、前記第1メモリから前記シリアル−パラレル変換部に前記第1補償データを伝送するためのクロック信号である伝送クロックと前記シリアル−パラレル変換部への前記第1補償データの伝送を完了させるためのクロック信号である伝送完了クロックと垂直同期信号とに基づいて、一時的に記憶された前記第1補償データを出力するバッファーと、
を含む表示システム。 - 前記タイミング制御部は、前記液晶表示装置の周辺又は内部の温度に関する情報である温度情報に基づいて、前記第1補償データを前記第1メモリから選択して読み出す、請求項1に記載の表示システム。
- 前記タイミング制御部は、前記第1補償データを前記第1メモリから選択して読み出すことが不能な場合に、前記第2補償データを前記第2メモリから読み出す、請求項1に記載の表示システム。
- 前記第1メモリは、不揮発性メモリである、請求項1に記載の表示システム。
- 前記第1メモリは、EEPROMである、請求項1に記載の表示システム。
- 前記第2メモリは、ROMである、請求項1に記載の表示システム。
- 前記タイミング制御部は、前記以前フレームの前記階調データと前記現在フレームの前記階調データとを考慮して前記第1補償データを選択する、請求項1に記載の表示システム。
- 前記液晶表示装置の周辺又は内部の温度に関する情報である温度情報を感知する温度感知部を更に含み、
前記タイミング制御部は、前記温度情報を前記温度感知部から受け取る、
請求項1に記載の表示システム。 - 前記第1メモリは、複数の温度区間に対応するルックアップテーブルを有し、
各ルックアップルテーブルは、階調の値と前記第1補償データとを対応づけたテーブルを備えた、請求項1に記載の表示システム。 - 前記第1メモリは、前記第1補償データの伝送におけるエラーの有無を区別するための情報であるサブチェックサムビットを各前記ルックアップテーブルについてさらに有する、請求項9に記載の表示システム。
- 前記第1メモリは、前記複数の前記ルックアップテーブルに対応する前記サブチェックサムビットの値を合計した情報であるトータルチェックサムビットを更に有する、請求項10に記載の表示システム。
- 前記タイミング制御部は、
前記画素を制御するためのクロック信号であるドットクロック及び前記シリアル−パラレル変換部を制御するためのクロック信号であるシリアルクロックの少なくとも一方に応答して、前記第1補償データ及び前記第2補償データのいずれか一方を記憶するRAMをさらに有する、請求項1に記載の表示システム。 - 前記伝送クロックに応答して、前記シリアルクロック及び前記ドットクロックのいずれか一方を出力する第2スイッチング部と、
前記シリアル−パラレル変換部への前記第1補償データの伝送を完了させるためのクロック信号である伝送完了クロックに応答して、前記第2スイッチング部から出力されるクロック及び前記ドットクロックのいずれか一方を前記RAMに出力する第3スイッチング部と、
を更に含む、請求項9に記載の表示システム。 - 前記タイミング制御部は、
前記第1メモリから読み出された前記第1補償データ及び第2メモリから読み出された前記第2補償データのいずれか一方をフレームブランキング期間に記憶する、
請求項1に記載の表示システム。 - 前記タイミング制御部は、
前記画素を制御するためのクロック信号であるドットクロックに応答して、前記第1スイッチング部から出力される前記第1補償データ及び前記第1スイッチング部から出力される第2補償データのいずれか一方を記憶するRAMをさらに有する、請求項6に記載の表示システム。 - 前記伝送クロックに応答して、前記シリアル−パラレル変換部を制御するためのクロック信号であるシリアルクロック及び前記ドットクロックのいずれか一方を出力する第2スイッチング部と、
前記伝送完了クロックと前記垂直同期信号とをアンド演算するアンドゲートと、
前記アンドゲートがアンド演算したクロックに応答して、前記第2スイッチング部から出力されるクロック及び前記ドットクロックのいずれか一方を前記バッファーに出力する第3スイッチング部と、
を更に含む、請求項15に記載の表示システム。 - 前記ドットクロックは、前記画像信号ソースから前記階調データが提供されることに同期している、請求項15に記載の表示システム。
- 前記シリアルクロックは、前記伝送クロックに同期している、請求項17に記載の表示システム。
- 前記第2メモリは、複数の温度区間に対応するルックアップテーブルを有し、
各前記ルックアップルテーブルは、階調の値と前記第1補償データとを対応づけたテーブルを備えた、請求項1に記載の表示システム。 - 前記第2メモリは、前記第2補償データの伝送におけるエラーの有無を区別するための情報であるサブチェックサムビットを各前記ルックアップテーブルについてさらに有する、請求項19に記載の表示システム。
- 前記第2メモリは、前記複数の前記ルックアップテーブルに対応する前記サブチェックサムビットの値を合計した情報であるトータルチェックサムビットを更に有する、
請求項19に記載の表示システム。 - 複数のゲートラインと、前記ゲートラインと絶縁されて交差する複数のデータラインと、前記ゲートラインと前記データラインとにより囲まれた領域に形成され前記ゲートライン及び前記データラインに連結されている複数のスイッチング素子と、前記スイッチング素子により制御される複数の画素と、を備えた表示システムの駆動方法において、
(a)前記ゲートラインにスキャン信号が順次供給される段階と、
(b)前記表示システムの周辺又は内部の温度に関する情報である温度情報と現在フレームの階調データと以前フレームの階調データとを考慮して、前記液晶表示装置における液晶の応答速度を向上させるための第1補償を複数の温度区間別に記憶する第1メモリから前記第1補償データが読み出されるか、または、前記液晶表示装置の特性を考慮して設定された第2補償データを記憶する第2メモリから前記第2補償データが読み出される段階と、
(c)前記第1補償データをパラレル変換する段階と、
(d)前記第1メモリから前記シリアルパラレル変換部に前記第1補償データを伝送するためのクロック信号の伝送クロックに応答してパラレル変換される前記第1補償データ及び前記第2メモリに記憶される前記第2補償データのうちいずれか一方を出力する段階と、
(e)前記第1及び第2補償データに基づいて前記階調データが補償され、補償された前記階調データに基づいてデータ電圧が前記データラインに供給される段階と、
を含む、表示システムの駆動方法。 - 複数のゲートラインと、前記ゲートラインと絶縁されて交差する複数のデータラインと、前記ゲートラインと前記データラインとにより囲まれた領域に形成され前記ゲートライン及び前記データラインに連結されている複数のスイッチング素子と、前記スイッチング素子により制御される複数の画素と、を備えた表示システムの駆動方法において、
(a)前記ゲートラインにスキャン信号が順次供給される段階と、
(b)前記表示システムの周辺又は内部の温度に関する情報である温度情報と垂直同期信号の周波数と、現在フレームの階調データと以前フレームの階調データとを考慮して、第1補償データを複数の温度区間別に記憶する第1メモリから前記第1補償データが読み出されたか、または、前記液晶表示装置の特性を考慮して設定された第2補償データを記憶する第2メモリから前記第2補償データが読み出される段階と、
(c)前記第1補償データをパラレル変換する段階と、
(d)前記第1メモリから前記シリアルパラレル変換部に前記第1補償データを伝送するためのクロック信号の伝送クロックに応答してパラレル変換される前記第1補償データ及び前記第2メモリに記憶される前記第2補償データのうちいずれか一方を出力する段階と、
(e)前記第1及び第2補償データに基づいて前記階調データが補償され、補償された前記階調データに基づいてデータ電圧が前記データラインに供給される段階と、
を含む、表示システムの駆動方法。 - 前記補償データは、前記温度情報に対応するルックアップテーブルに記憶され、
前記(b)段階では、前記ルックアップテーブルが参照されることにより、前記補償データが生成される、請求項23に記載の表示システムの駆動方法。 - 前記ルックアップテーブルは、複数存在する、請求項24に記載の表示システムの駆動方法。
- 前記(b)段階では、フレームブランキング期間に前記ルックアップテーブルが参照される、請求項24に記載の表示システムの駆動方法。
- 複数のゲートラインと、前記ゲートラインと絶縁されて交差する複数のデータラインと、前記ゲートラインと前記データラインとにより囲まれた領域に形成され前記ゲートライン及び前記データラインに連結されている複数のスイッチング素子と、前記スイッチング素子により制御される複数の画素と、を備えた表示システムの駆動装置であって、
前記ゲートラインにスキャン信号を提供するスキャン駆動部と、
前記データラインにデータ信号を提供するデータ駆動部と、
前記液晶表示装置における液晶の応答速度を向上させるための第1補償データを複数の温度区間別に記憶する第1メモリと、
前記液晶表示装置の特性を考慮して設定された第2補償データを記憶する第2メモリと、
以前フレームの前記階調データ及び現在フレームの前記階調データを考慮して、前記第1補償データを前記第1メモリから読み出し前記第1補償データに基づいて前記階調データを補償する、あるいは前記第2補償データを前記第2メモリから読み出し前記第2補償データに基づいて前記階調データを補償するタイミング制御部と、
を含み、
前記タイミング制御部は、
前記第1補償データをパラレル変換するシリアルパラレル変換部と、
前記第2メモリと、
パラレル変換された前記第1補償データを一時的に記憶して、前記第1メモリから前記シリアル−パラレル変換部に前記第1補償データを伝送するためのクロック信号である伝送クロックと前記シリアル−パラレル変換部への前記第1補償データの伝送を完了させるためのクロック信号である伝送完了クロックと垂直同期信号とに基づいて、一時的に記憶された前記第1補償データを出力するバッファーと、
を含む、表示システムの駆動装置。 - 前記タイミング制御部は、
前記画素を制御するためのクロック信号であるドットクロック及び前記シリアル−パラレル変換部を制御するためのクロック信号であるシリアルクロックの少なくとも一方に応答して、前記第1補償データ及び前記第2補償データのいずれか一方を記憶するRAMをさらに有する、請求項27に記載の表示システムの駆動装置。 - 前記伝送クロックに応答して、前記シリアルクロック及び前記ドットクロックのいずれか一方を出力する第2スイッチング部と、
前記シリアル−パラレル変換部への前記第1補償データの伝送を完了させるためのクロック信号である伝送完了クロックに応答して、前記第2スイッチング部から出力されるクロック及び前記ドットクロックのいずれか一方を前記RAMに出力する第3スイッチング部と、
を更に含む、請求項28に記載の表示システムの駆動装置。 - 前記タイミング制御部は、
前記第1メモリから読み出された前記第1補償データ及び第2メモリから読み出された前記第2補償データのいずれか一方をフレームブランキング期間に記憶する、
請求項27に記載の表示システムの駆動装置。 - 前記タイミング制御部は、
前記画素を制御するためのクロック信号であるドットクロックに応答して、前記第1スイッチング部から出力される前記第1補償データ及び前記第1スイッチング部から出力される第2補償データのいずれか一方を記憶するRAMと、
をさらに有する、請求項27に記載の表示システムの駆動装置。 - 前記伝送クロックに応答して、前記シリアル−パラレル変換部を制御するためのクロック信号であるシリアルクロック及び前記ドットクロックのいずれか一方を出力する第2スイッチング部と、
前記伝送完了クロックと前記垂直同期信号とをアンド演算するアンドゲートと、
前記アンドゲートがアンド演算したクロックに応答して、前記第2スイッチング部から出力されるクロック及び前記ドットクロックのいずれか一方を前記バッファーに出力する第3スイッチング部と、
を更に含む、請求項31に記載の表示システムの駆動装置。 - 前記ドットクロックは、前記画像信号ソースから前記階調データが提供されることに同期している、請求項31に記載の表示システムの駆動装置。
- 前記シリアルクロックは、前記伝送クロックに同期している、請求項33に記載の表示システムの駆動装置。
- 前記第2メモリは、複数の温度区間に対応するルックアップテーブルを有し、
各前記ルックアップルテーブルは、階調の値と前記第1補償データとを対応づけたテーブルを備えた、請求項34に記載の表示システムの駆動装置。 - 前記第2メモリは、前記第2補償データの伝送におけるエラーの有無を区別するための情報であるサブチェックサムビットを各前記ルックアップテーブルについてさらに有する、請求項35に記載の表示システムの駆動装置。
- 前記第2メモリは、前記複数の前記ルックアップテーブルに対応する前記サブチェックサムビットの値を合計した情報であるトータルチェックサムビットを更に有する、請求項35に記載の表示システムの駆動装置。
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