JP2015190833A - 回路装置、温度検出装置、電子機器及び温度検出方法 - Google Patents

Abstract

【課題】サーモパイルの特性に応じた高い精度の温度検出を可能にする回路装置、温度検出装置、電子機器及び温度検出方法等の提供。
【解決手段】回路装置は、サーモパイル２を用いて検出された第１検出電圧ＶＤ１についてのＡ／Ｄ変換を行って、デジタル値の第１検出値ＤＴ１を出力し、サーミスター４を用いて検出された第２検出電圧ＶＤ２についてのＡ／Ｄ変換を行って、デジタル値の第２検出値ＤＴ２を出力する検出回路１０と、第２検出値ＤＴ２から自己温度を求め、自己温度から自己温度に対応する第２起電圧値を求め、第１検出値ＤＴ１と第２起電圧値とから対象物温度に対応する第１起電圧値を求め、第１起電圧値から対象物温度を求める制御部５０を含む。
【選択図】図１

Description

本発明は、回路装置、温度検出装置、電子機器及び温度検出方法等に関する。

従来より、非接触で温度検出を行う装置として、サーモパイルを用いた温度検出装置が知られている。この温度検出装置は、対象物体の赤外線放射を検出するサーモパイル（赤外線センサー）と、サーモパイルの近傍に設けられ自己温度（周囲温度）を検出するサーミスターを有する。サーモパイルは、対象物温度と自己温度の温度差による起電力（起電圧）を発生する性質を持つ。従って、サーモパイルを用いて検出された検出電圧とサーミスターを用いて検出された検出電圧とに基づいて、対象物温度を検出することが可能になる。このようなサーモパイルを用いた温度検出装置の従来技術としては例えば特許文献１に開示される技術がある。

特開２００２−２２８５２３号公報

しかしながら、これまでのサーモパイルを用いた温度検出装置では、温度検出はアナログ回路だけを用いて行われており、ゲイン調整のみで温度補正を行っていた。このため広い温度範囲での温度検出やサーモパイルの特性に合わせた調整を行うことが困難であった。

本発明の幾つかの態様によれば、サーモパイルの特性に応じた高い精度の温度検出を可能にする回路装置、温度検出装置、電子機器及び温度検出方法等を提供できる。

本発明の一態様は、サーモパイルを用いて検出された第１検出電圧についてのＡ／Ｄ変換を行って、デジタル値の第１検出値を出力し、サーミスターを用いて検出された第２検出電圧についてのＡ／Ｄ変換を行って、デジタル値の第２検出値を出力する検出回路と、前記第２検出値から自己温度を求め、前記自己温度から前記自己温度に対応する第２起電圧値を求め、前記第１検出値と前記第２起電圧値とから対象物温度に対応する第１起電圧値を求め、前記第１起電圧値から前記対象物温度を求める制御部と、を含む回路装置に関係する。

本発明の一態様によれば、サーモパイルによる第１検出電圧に対応するデジタル値の第１検出値と、サーミスターによる第２検出電圧に対応するデジタル値の第２検出値が求められる。そして第２検出値から自己温度を求められ、自己温度から第２起電圧値を求められ、第１検出値と第２起電圧値とから第１起電圧値が求められ、第１起電圧値から対象物温度が求められる。このようにすれば、デジタル値の第１検出値、第２検出値を用いたデジタル処理により、サーモパイルの特性に対応した第１起電圧値や、第２起電圧値を求めて、対象物温度を求めることが可能になる。従って、サーモパイルの特性に応じた高い精度の温度検出を可能にする回路装置を実現できる。

また本発明の一態様では、前記対象物温度の値と前記第１起電圧値とを対応づけて記憶する第１記憶部と、前記自己温度の値と前記第２起電圧値とを対応づけて記憶する第２記憶部と、を含み、前記制御部は、前記第２検出値から求められた前記自己温度の値と、前記第２記憶部とを用いて、前記第２起電圧値を求め、前記第１検出値と前記第２起電圧値とから求められた前記第１起電圧値と、前記第１記憶部とを用いて、前記対象物温度を求めてもよい。

このようにすれば、第１記憶部と第２記憶部を用いた簡素な演算処理で、対象物温度を求めることが可能になり、制御部の処理負荷等の軽減を図れる。

また本発明の一態様では、前記制御部は、前記サーモパイルの特性係数パラメーターに基づく変換処理を前記第１検出値に対して行い、前記変換処理が施された前記第１検出値と前記第２起電圧値とから求められた前記第１起電圧値と、前記第１記憶部とを用いて、前記対象物温度を求めてもよい。

このようにすれば、使用されるサーモパイルに応じた特性係数パラメーターを設定して、第１記憶部、第２記憶部を用いて対象物温度を求めることが可能になり、様々なサーモパイルの特性に対応して、高い精度の温度検出を実現できるようになる。

また本発明の一態様では、前記制御部は、前記サーモパイルの特性係数パラメーターに基づく変換処理を前記第１検出値に対して行い、前記変換処理が施された前記第１検出値と前記第２起電圧値とから前記第１起電圧値を求めてもよい。

このようにすれば、使用されるサーモパイルに応じた特性係数パラメーターを設定することで、様々なサーモパイルの特性に対応して、高い精度の温度検出を実現できるようになる。

また本発明の一態様では、前記サーモパイルの前記特性係数パラメーターを記憶するパラメーター記憶部を含んでもよい。

このようにすれば、使用されるサーモパイルに応じた特性係数パラメーターをパラメーター記憶部に書き込んで記憶させることで、そのサーモパイルの特性に適切な温度検出処理を実現することができ、様々な特性のサーモパイルに対応できるようになる。

また本発明の一態様では、前記サーモパイルの前記特性係数パラメーターは、前記サーモパイルの特性と、前記検出回路での信号増幅のゲインに応じて設定されるパラメーターであってもよい。

このようにすれば、サーモパイルの特性係数パラメーターを、使用されるサーモパイルの特性や検出回路のゲインに応じて、例えば回路装置の製品ごとに設定することなどが可能になる。

また本発明の一態様では、前記制御部は、前記サーモパイル、前記検出回路についてのオフセット補正処理を行ってもよい。

このようにすれば、サーモパイルのオフセット電圧や検出回路のオフセット電圧にバラツキが生じた場合にも、オフセット補正処理を行うことにより、このバラツキが温度測定結果に与える悪影響を低減できる。

また本発明の一態様では、前記制御部は、温度特性についてのゲイン補正処理を行ってもよい。

このようにすれば、温度特性の傾き等にバラツキが生じた場合にも、ゲイン補正処理を行うことにより、このバラツキが温度測定結果に与える悪影響を低減できる。

また本発明の他の態様は、上記のいずれかに記載の回路装置と、前記サーモパイルと、前記サーミスターと、を含む温度検出装置に関係する。

また本発明の他の態様は、上記のいずれかに記載の回路装置を含む電子機器に関係する。

また本発明の他の態様は、サーモパイルを用いて検出された第１検出電圧についてのＡ／Ｄ変換を行って、デジタル値の第１検出値を求め、サーミスターを用いて検出された第２検出電圧についてのＡ／Ｄ変換を行って、デジタル値の第２検出値を求め、前記第２検出値から自己温度を求め、前記自己温度から前記自己温度に対応する第２起電圧値を求め、前記第１検出値と前記第２起電圧値とから対象物温度に対応する第１起電圧値を求め、前記第１起電圧値から前記対象物温度を求める温度検出方法に関係する。

本実施形態の回路装置及びこれを含む温度検出装置の構成例。 本実施形態の回路装置の全体的動作の説明図。 サーモパイル用検出回路の構成の説明図。 図４（Ａ）、図４（Ｂ）はサーミスター用検出回路の構成の説明図。 図５（Ａ）、図５（Ｂ）は本実施形態の温度検出手法の説明図。 図６（Ａ）、図６（Ｂ）は第１記憶部、第２記憶部に記憶される温度テーブルの例。 本実施形態の温度検出手法の詳細な処理例の説明図。 本実施形態の電子機器の構成例。

以下、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお以下に説明する本実施形態は特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではなく、本実施形態で説明される構成の全てが本発明の解決手段として必須であるとは限らない。

１．回路装置、温度検出装置
図１に本実施形態の回路装置及びこの回路装置を含む温度検出装置の構成例を示す。本実施形態の回路装置（ＩＣ）は、検出回路１０と制御部５０を含む。また記憶部７０、パラメーター記憶部８０、出力部９０、Ｉ／Ｆ部１００を含むことができる。また本実施形態の温度検出装置は、回路装置とサーモパイル２とサーミスター４を含む。サーモパイル２は例えば熱エネルギーを電気エネルギーに変換する素子（電気部品）である。サーモパイル２は例えば複数の熱電対を直列（又は並列）に接続することなどにより実現できる。サーミスター４は例えば温度変化に対して電気抵抗の変化が大きい抵抗体である。なお本実施形態の回路装置、温度検出装置は図１の構成に限定されず、その構成要素の一部を省略したり、他の構成要素を追加するなどの種々の変形実施が可能である。

検出回路１０は、サーモパイル２、サーミスター４の検出処理を行う。例えばサーモパイル２の一端（正極側）及び他端（負極側）は、回路装置の端子（パッド等）を介して検出回路１０に電気的に接続される。またサーミスター４の一端は回路装置の端子（パッド等）を介して検出回路１０に電気的に接続される。サーミスター４の他端は電源ＶＳＳ（ＧＮＤ）のノードに接続される。

検出回路１０は、サーモパイル２を用いて検出された第１検出電圧ＶＤ１についてのＡ／Ｄ変換を行って、デジタル値の第１検出値ＤＴ１を出力する。また検出回路１０は、サーミスター４を用いて検出された第２検出電圧ＶＤ２についてのＡ／Ｄ変換を行って、デジタル値の第２検出値ＤＴ２を出力する。

具体的には、検出回路１０は、サーモパイル用検出回路２０、サーミスター用検出回路３０、Ａ／Ｄ変換回路４０を含む。サーモパイル用検出回路２０はサーモパイル２の一端及び他端に接続され、第１検出電圧ＶＤ１をＡ／Ｄ変換回路４０に出力する。例えばサーモパイル２の両端の電圧の信号増幅等を行って、第１検出電圧ＶＤ１を出力する。そしてＡ／Ｄ変換回路４０は、この第１検出電圧ＶＤ１についてのＡ／Ｄ変換を行って、デジタル値の第１検出値ＤＴ１を出力する。

サーミスター用検出回路３０は基準電流源３２（基準電流生成回路）を含む。そしてサーミスター用検出回路３０は、この基準電流源３２からの基準電流がサーミスター４に流れることで生成される第２検出電圧ＶＤ２を、Ａ／Ｄ変換回路４０に出力する。Ａ／Ｄ変換回路４０は、この第２検出電圧ＶＤ２についてのＡ／Ｄ変換を行って、デジタル値の第２検出値ＤＴ２を出力する。

制御部５０は、回路装置の各種の制御処理や各種の演算処理を行う。この制御部５０はゲートアレイ回路などのロジック回路やプロセッサー等により実現できる。

記憶部７０は第１記憶部７２、第２記憶部７４、第３記憶部７６を含む。記憶部７０は例えばＲＯＭ等のメモリーにより実現できる。パラメーター記憶部８０は各種のパラメーターを記憶する。パラメーター記憶部８０は、例えばＯＴＰ（One Time Programmable ROM）等の不揮発性メモリー（電気的に情報のプログラミングが可能なメモリー）により実現できる。

出力部９０は制御部５０で測定された温度検出結果を外部に出力する。Ｉ／Ｆ（インターフェース）部１００は外部デバイスとのインターフェース処理を行うものである。このＩ／Ｆ部１００を介して、外部デバイス（マイクロコンピューター、コントローラー等）は、回路装置への各種パラメーター等の設定が可能になる。

図２は本実施形態の回路装置の全体的動作を説明する図である。本実施形態では、まず回路装置の機能設定・調整を行った後に、サーモパイル２とサーミスター４を用いた実際の温度計測を行う。

図２の機能設定・調整は、例えば回路装置（温度検出装置）の製造時に行われる。具体的には、まず回路装置の各種の機能設定やセンサー係数のパラメーターを、パラメーター記憶部８０（ＯＴＰ）に書き込む（ステップＳ１）。機能設定は、例えば温度測定範囲、測定時間、或いは温度測定結果の出力形式等の設定である。センサー係数はサーモパイル２の感度係数等である。

次に管理温度での測定を行う（ステップＳ２）。この管理温度での測定は、自己温度（周囲温度）や対象物温度を所定温度に設定して行う測定（温度検出処理）である。例えば管理温度は、自己温度＝２５度、対象物温度＝７０度（或いは自己温度＝２５度、対象物温度＝２５度等）となる温度設定である。そして、この管理温度での測定結果に基づいて、温度測定のための補正パラメーターを算出し、パラメーター記憶部８０に書き込む（ステップＳ３）。補正パラメーターは、実際の温度測定時に、温度測定の検出結果に基づき対象物温度や自己温度を演算する際に使用するパラメーターである。

そして、このように機能設定・調整が行われた回路装置を用いて、実際の温度測定を行う（ステップＳ４）。そして制御部５０は、検出回路１０の検出結果（ＤＴ１、ＤＴ２）と、ステップＳ３で求められた補正パラメーターに基づいて、補正演算を行って、対象物温度や自己温度などの温度測定結果を出力する（ステップＳ５）。

図３にサーモパイル用検出回路２０の構成例を示す。サーモパイル用検出回路２０は、増幅回路２２、ゲイン調整回路２４、基準電圧生成回路２６を含む。なおサーモパイル用検出回路２０は図１の構成に限定されず、その構成要素の一部を省略したり、他の構成要素を追加するなどの種々の変形実施が可能である。

増幅回路２２は、例えばスイッチドキャパシター回路を用いた演算増幅器ＯＰＡ１により構成される。そして増幅回路２２（演算増幅器ＯＰＡ１）は、第１入力端子（反転入力端子）にサーモパイル２の一端（正側端子）が接続され、第２入力端子（非反転入力端子）にサーモパイル２の他端（負側端子）が接続される。また増幅回路２２の第１入力端子のノードはバイアス電圧ＶＢＳに設定される。また増幅回路２２には、その出力電圧ＶＡＱの基準となる電圧として、基準電圧生成回路２６により生成された基準電圧ＶＲＥＦが供給される。

増幅回路２２は、サーモパイル２に発生した起電圧ＶＴＰ＝ＴＨＰＰ−ＴＨＰＭを増幅する。例えば増幅回路２２のゲインをＧＣ（例えばＧＣ＝２０）とした場合に、増幅回路２２の出力電圧ＶＡＱは、例えば下式（１）のように表すことができる。

ＶＡＱ＝−ＧＣ・ＶＴＰ＋ＶＲＥＦ （１）
ゲイン調整回路２４（プログラマブルゲインアンプ）は、演算増幅器ＯＰＡ２と、抵抗ＲＡ１、ＲＡ２により構成される。抵抗ＲＡ１の一端は増幅回路２２（演算増幅器ＯＰＡ１）の出力端子に接続され、抵抗ＲＡ１の他端は演算増幅器ＯＰＡ２の第１入力端子（反転入力端子）に接続される。抵抗ＲＡ２の一端は演算増幅器ＯＰＡ２の第１入力端子に接続され、抵抗ＲＡ２の他端は演算増幅器ＯＰＡ２の出力端子に接続される。演算増幅器ＯＰＡ２の第２入力端子（非反転入力端子）には、基準電圧生成回路２６により生成された基準電圧ＶＲＥＦが供給される。抵抗ＲＡ２はその抵抗値が可変となる可変抵抗である。抵抗ＲＡ２の抵抗値を設定することで、ゲイン調整回路２４のゲインが設定される。

ゲイン調整回路２４は、増幅回路２２の出力電圧ＶＡＱを、基準電圧ＶＲＥＦを基準にして、設定されたゲインで増幅し、第１検出電圧ＶＤ１を出力する。例えば抵抗ＲＡ１、ＲＡ２の抵抗値をＲ１、Ｒ２とすると、ゲイン調整回路２４のゲインはＧＡ＝Ｒ２／Ｒ１となる。従って、ゲイン調整回路２４の出力電圧である第１検出電圧ＶＤ１は下式（２）のように表すことができる。

ＶＤ１＝−（Ｒ２／Ｒ１）・（ＶＡＱ−ＶＲＥＦ）＋ＶＲＥＦ
＝−ＧＡ・（ＶＡＱ−ＶＲＥＦ）＋ＶＲＥＦ （２）
上式（１）、（２）から第１検出電圧ＶＤ１は下式（３）のように表すことができる。

ＶＤ１＝ＧＣ・ＧＡ・ＶＴＰ＋ＶＲＥＦ （３）
Ａ／Ｄ変換回路４０は第１検出電圧ＶＤ１についてのＡ／Ｄ変換を行う。そして第１検出電圧ＶＤ１のＡ／Ｄ変換により得られたデジタル値の第１検出値ＤＴ１（第１電圧データ）を制御部５０に出力する。なおＡ／Ｄ変換回路４０は基準電圧ＶＲＥＦについてのＡ／Ｄ変換も行い、基準電圧ＶＲＥＦに対応するデジタル値についても制御部５０に出力する。

なお以上では、増幅回路２２（演算増幅器ＯＰＡ１）やゲイン調整回路２４のオフセット電圧については詳細に説明していないが、制御部５０はこれらのオフセット電圧の補正処理（オフセットのキャンセル処理）についても行う。またゲイン調整回路２４のゲインＧＡや基準電圧ＶＲＥＦの値については、図１のＩ／Ｆ部１００等を介して可変に設定することができる。これにより、サーモパイル２の感度、温度範囲、精度等を考慮して、ゲインＧＡや基準電圧ＶＲＥＦを設定できるようになる。

図４（Ａ）、図４（Ｂ）はサーミスター用検出回路３０の構成について説明する図である。図４（Ａ）に示すようにサーミスター用検出回路３０は基準電流源３２を含む。そして基準電流源３２からの基準電流ＩＲＥＦがサーミスター４に流れることにより生成される電圧が、第２検出電圧ＶＤ２としてＡ／Ｄ変換回路４０に出力される。そしてＡ／Ｄ変換回路４０は、第２検出電圧ＶＤ２についてのＡ／Ｄ変換を行い、第２検出電圧ＶＤ２のＡ／Ｄ変換により得られたデジタル値の第２検出値ＤＴ２を制御部５０に出力する。制御部５０は、第２検出値ＤＴ２により第３記憶部７６（ＲＯＭ３）を参照することで、自己温度を求める。例えば図４（Ｂ）は、サーミスター４の検出電圧の温度特性の例を示す図である。図４（Ｂ）に示すように、サーミスター４の検出電圧により自己温度を求めることができる。例えば第３記憶部７６は、自己温度の値と第２検出値ＤＴ２（ＶＤ２）とを対応づけて記憶する。例えば自己温度の値と第２検出値ＤＴ２とが対応づけられた温度テーブルを記憶する。従って、制御部５０は、Ａ／Ｄ変換回路４０からの第２検出値ＤＴ２と、第３記憶部７６と用いて、自己温度を求めることができる。例えば、第２検出値ＤＴ２に対応する自己温度の値を、例えば第３記憶部７６に記憶される温度テーブルを用いて検索することで、自己温度を求めることができる。

以上のように本実施形態の回路装置は、検出回路１０と制御部５０を含む。検出回路１０は、サーモパイル２を用いて検出された第１検出電圧ＶＤ１についてのＡ／Ｄ変換を行って、デジタル値の第１検出値ＤＴ１を出力する。また検出回路１０は、サーミスター４を用いて検出された第２検出電圧ＶＤ２についてのＡ／Ｄ変換を行って、デジタル値の第２検出値ＤＴ２を出力する。

そして制御部５０は、第２検出値ＤＴ２から自己温度（後述するＴＴＨ）を求め、自己温度（ＴＴＨ）から自己温度に対応する第２起電圧値（後述するＶＴＨ）を求める。そして第１検出値ＤＴ１と第２起電圧値（ＶＴＨ）とから対象物温度（後述するＴＰ）に対応する第１起電圧値（後述するＶＴＰ０）を求め、第１起電圧値（ＶＴＰ０）から対象物温度（ＴＰ）を求める。

具体的には本実施形態の回路装置は、図１に示すように第１記憶部７２、第２記憶部７４を含む。第１記憶部７２は、対象物温度（ＴＰ）の値と第１起電圧値（ＶＴＰ０）とを対応づけて記憶する。例えば対象物温度の値と第１起電圧値とが対応づけられた第１起電圧値用の温度テーブルを記憶する。第２記憶部７４は、自己温度（ＴＴＨ）の値と第２起電圧値（ＶＴＨ）とを対応づけて記憶する。例えば自己温度の値と第２起電圧値とが対応づけられた第２起電圧値用の温度テーブルを記憶する。

そして制御部５０は、第２検出値ＤＴ２から求められた自己温度（ＴＴＨ）の値と、第２記憶部７４とを用いて、第２起電圧値（ＶＴＨ）を求める。例えば、求められた自己温度の値に対応づけられた第２起電圧値を第２記憶部７４から読み出すことで、第２起電圧値を求める。そして制御部５０は、第１検出値ＤＴ１（ＶＴＰ）と第２起電圧値（ＶＴＨ）とから求められた第１起電圧値（ＶＴＰ０）と、第１記憶部７２とを用いて、対象物温度（ＴＰ）を求める。例えば、第１起電圧値に対応する対象物温度の値を、第１記憶部７２に記憶される温度テーブルを用いて検索することで、対象物温度を求める。

なお、図４（Ａ）、図４（Ｂ）で説明したように、自己温度（ＴＴＨ）については、第２検出値ＤＴ２と第３記憶部７６を用いて求めることができる。

また制御部５０は、サーモパイルの特性係数パラメーター（後述するＧＳ）に基づく変換処理を第１検出値ＤＴ１（ＶＴＰ）に対して行う。そして変換処理が施された第１検出値ＤＴ１と、第２起電圧値（ＶＴＨ）とから、第１起電圧値（ＶＴＰ０）を求める。具体的には、制御部５０は、特性係数パラメーター（ＧＳ）に基づく変換処理が施された第１検出値ＤＴ１と、第１記憶部７２とを用いて、対象物温度（ＴＰ）を求める。

またパラメーター記憶部８０は、サーモパイル２の特性係数パラメーター（ＧＳ）を記憶する。サーモパイル２の特性係数パラメーター（ＧＳ）は、サーモパイル２の特性（Ｓ）と、検出回路１０での信号増幅のゲイン（ＧＣ、ＧＡ）に応じて設定されるパラメーターである。例えば図３で説明したように、検出回路１０（サーモパイル用検出回路２０）は、増幅回路２２とゲイン調整回路２４を有する。例えばサーモパイル２の特性係数パラメーター（ＧＳ）は、サーモパイル２の特性（Ｓ）と、増幅回路２２のゲインＧＣ及びゲイン調整回路２４のゲインＧＡに応じて設定されるパラメーターとなる。このような特性係数パラメーター（ＧＳ）を用意すれば、第１記憶部７２を用いて、様々な特性（感度）のサーモパイル２についての対象物温度を求めることが可能になる。

また制御部５０は、サーモパイル２、検出回路１０についてのオフセット補正処理を行う。サーモパイル２のオフセット補正処理は、例えばサーモパイル２が有するオフセット電圧（後述するＶＴＰＯＦ）をキャンセルするための処理である。検出回路１０のオフセット補正処理は、例えば図３の増幅回路２２（演算増幅器ＯＰＡ１）やゲイン調整回路２４（演算増幅器ＯＰＡ２）のオフセット電圧をキャンセルするための処理である。このオフセット補正処理は、例えば後述する図７のステップＳ１４の処理等により実現される。

また制御部５０は、温度特性についてのゲイン補正処理（倍率補正処理）を行う。このゲイン補正処理は、例えば温度特性の傾きについての補正処理（傾きのゲインの補正）である。例えばゲイン補正処理は、サーモパイル２の特性係数（感度等）や検出回路１０の回路定数（演算増幅器のゲイン等）にバラツキが生じることで、対象物温度等の温度特性の傾き（ゲイン）にバラツキが生じた場合に、このバラツキを補正する処理である。このゲイン補正処理は、例えば後述する図７のステップＳ１５の処理等により実現される。例えば第１記憶部７２、第２記憶部７４には、後述する図６（Ａ）、図６（Ｂ）に示すような温度特性の温度テーブルが、図５（Ｂ）の式に基づいて計算されて、記憶されている。しかしながら、実デバイスでの温度特性の傾きには、図６（Ａ）、図６（Ｂ）の温度特性の傾きに対してバラツキが存在する。温度特性についてのゲイン補正処理では、このバラツキを補正する。

２．本実施形態の温度検出手法
次に本実施形態の温度検出手法（温度検出方法）について詳細に説明する。本実施形態では以下に説明する手法により対象物温度や自己温度を検出している。

図５（Ａ）は、サーモパイル２が生成する起電圧ＶＴＰ（起電力）の算出式（理論式）の例である。ＴＰは対象物温度、ＴＴＨは自己温度（サーミスター温度）、Ｓはサーモパイル２の特性係数である。この特性係数Ｓ（単位はＶ）は、例えば自己温度ＴＴＨ＝２５度、対象物温度ＴＰ＝７０度の場合にサーモパイル２が生成する起電圧に相当する。Ｇは特性バラツキ係数（０．８〜１．２）であり、ＶＴＰＯＦはサーモパイル２のオフセット電圧である。Ｇはゲイン・バラツキに相当する。ＶＴＰＯＦは、例えば自己温度ＴＴＨと対象物温度ＴＰが等しい場合（例えばＴＴＨ＝ＴＰ＝２５度）にサーモパイル２が発生する起電圧に相当する。これらのＧ、ＶＴＰＯＦはサーモパイル２の素子バラツキ要因として、起電圧ＶＴＰに影響を与える。

図５（Ｂ）に示すように、起電圧ＶＴＰは、サーモパイル単体の起電圧である第１起電圧ＶＴＰ０と、自己温度ＴＴＨにより発生する起電圧である第２起電圧ＶＴＨと、オフセット電圧Ｖ０（＝ＶＴＰＯＦ）とに分けることができる。第１起電圧ＶＴＰ０は、対象物温度ＴＰと自己温度ＴＴＨの温度差により発生する起電圧である。第２起電圧ＶＴＨは、自己温度ＴＴＨのみに起因する起電圧である。オフセット電圧Ｖ０は、対象物温度ＴＰと自己温度ＴＴＨの温度差が０である場合にも発生する起電圧である。

図５（Ｂ）のＳは、図５（Ａ）のサーモパイル２の特性係数Ｓとは意味合いが異なっており、図５（Ｂ）のＳは記憶部７０に温度データを記憶する場合のＲＯＭ係数Ｓである。

本実施形態では、例えばＲＯＭ係数Ｓ＝４７２、Ｇ＝１．０とした場合の第１起電圧ＶＴＰ０の計算結果を、温度判定データとして第１記憶部７２に記憶する。具体的には、対象物温度ＴＰの値と第１起電圧ＶＴＰ０の値とを対応づけて第１記憶部７２に記憶する。

またＳ＝４７２、Ｇ＝１．０とした場合の第２起電圧ＶＴＨの計算結果を、温度判定データとして第２記憶部７４に記憶する。具体的には、自己温度ＴＴＨの値と第２起電圧ＶＴＨの値とを対応づけて第２記憶部７４に記憶する。

図６（Ａ）、図６（Ｂ）に第１記憶部７２、第２記憶部７４に記憶される温度テーブル（温度判定データ）の例を示す。図６（Ａ）に示すように、例えば−３１度≦ＴＰ＜２０４度では、ＲＯＭ係数Ｓ＝４７２として、各対象物温度ＴＰにおける第１起電圧ＶＴＰ０の値（ＲＯＭ値）であるＲＯＭ１（ＴＰ）を計算している。一方、例えば２０４度≦ＴＰ≦４０１度では、ＲＯＭ係数Ｓ＝１１８として、ＲＯＭ１（ＴＰ）を計算している。また図６（Ｂ）に示すように、例えば−２１度≦ＴＴＨ≦１０６度において、各自己温度ＴＴＨにおける第２起電圧ＶＴＨの値（ＲＯＭ値）であるＲＯＭ２（ＴＴＨ）を計算している。

第１記憶部７２（第２記憶部７４）の有効桁数は１２ビット＝４０９６となっており、ＲＯＭ１（ＴＰ）が１２ビット＝４０９６内に収まるように、ＲＯＭ係数Ｓ＝４７２に設定している。この場合に対象物温度ＴＰが２０４度になると、ＲＯＭ１（ＴＰ）＝４１０３となり、１２ビット＝４０９６の有効桁数を超えてしまうため、ＴＰ≧２０４度では、ＲＯＭ係数Ｓ＝４７２／４＝１１８に設定している。そして、温度判定時に判定対象となる測定結果を１／４倍にすることで、ＴＰ≧２０４度の場合に対処する。

本実施形態では、サーモパイル２の起電圧ＶＴＰが図５（Ｂ）のように表すことができる点に着目して、以下に説明する温度検出手法を採用している。

まず、本実施形態では、図１で説明したように、サーモパイル２、サーミスター４を用いて検出された第１検出電圧ＶＤ１、第２検出電圧ＶＤ２についてのＡ／Ｄ変換を行って、第１検出値ＤＴ１、第２検出値ＤＴ２を求める。第１検出値ＤＴ１は起電圧ＶＴＰに対応する。

そして第２検出値ＤＴ２から自己温度ＴＴＨを求める。例えば図４（Ａ）、図４（Ｂ）で説明したように、サーミスター４の第２検出電圧ＶＤ２をＡ／Ｄ変換することで得られた第２検出値ＤＴ２に対応する自己温度ＴＴＨの値を、第３記憶部７６の温度テーブルを用いて検索することで、自己温度ＴＴＨを求める。

次に、求められた自己温度ＴＴＨに基づき自己温度ＴＴＨに対応する第２起電圧ＶＴＨの値を求める。具体的には図５（Ｂ）で説明したように、自己温度ＴＴＨの値に基づいて、第２記憶部７４から、自己温度ＴＴＨに対応する第２起電圧ＶＴＨの値を読み出す。即ち、ＲＯＭ係数Ｓ＝４７２として第２起電圧ＶＴＨの値を、予め計算しておき、自己温度ＴＴＨの値に対応づけて第２記憶部７４に記憶しておく。そして、第２検出値ＤＴ２に基づき求められた自己温度ＴＴＨに基づいて、第２記憶部７４から、対応する第２起電圧ＶＴＨの値を読み出す。

そして、第１検出値ＤＴ１（ＶＴＰ）と、求められた第２起電圧ＶＴＨの値とに基づいて、対象物温度ＴＰに対応する第１起電圧ＶＴＰ０の値を求める。例えば図５（Ｂ）に示す式から明らかなように、第１検出値ＤＴ１に対応する起電圧ＶＴＰの値に、第２起電圧ＶＴＨの値を加算し、オフセット電圧Ｖ０（ＶＴＰＯＦ）の値を減算することで、第１起電圧ＶＴＰ０の値を求めることができる。

次に、求められた第１起電圧ＶＴＰ０の値に基づいて、対象物温度ＴＰを求める。具合的には、第１起電圧ＶＴＰ０の値に対応する対象物温度ＴＰの値を、第１記憶部７２の温度テーブルを用いて検索することで、対象物温度ＴＰを求める。即ち、ＲＯＭ係数Ｓ＝４７２（１１８）として、第１起電圧ＶＴＰ０の値を予め計算しておき、対象物温度ＴＰの値に対応づけて第１記憶部７２に記憶しておく。そして、第１検出値ＤＴ１（ＶＴＰ）と第２起電圧ＶＴＨ（及びオフセット電圧Ｖ０）から求められた第１起電圧ＶＴＰ０の値に対応する対象物温度ＴＰの値を、第１記憶部７２の温度テーブルを用いて検索することで、対象物温度ＴＰを求める。

以上のようにして本実施形態では、サーモパイル２の第１検出電圧ＶＤ１やサーミスター４の第２検出電圧ＶＤ２から対象物温度ＴＰや自己温度ＴＴＨを求めている。これにより、様々な特性係数のサーモパイル２を用いた場合にも、対象物温度ＴＰを、少ない処理負荷で求めることが可能になる。

即ち、本実施形態の比較例の手法として、アナログ回路によるアナログ処理だけで対象物温度ＴＰを求める手法が考えられる。しかしながら、この比較例の手法では、ゲイン調整のみで温度補正等を行っているため、広い温度範囲やサーモパイル２の特性係数に合わせた調整処理を行うことが困難であった。

これに対して本実施形態では、サーモパイル２の第１検出電圧ＶＤ１、サーミスター４の第２検出電圧ＶＤ２をデジタル値の第１検出値ＤＴ１、第２検出値ＤＴ２に変換し、デジタル処理により対象物温度ＴＰを求めている。具体的には、図５（Ｂ）に示すように、起電圧ＶＴＰの式が、第１起電圧ＶＴＰ０、第２起電圧ＶＴＨ、オフセット電圧Ｖ０の項に分かれることを有効活用して、対象物温度ＴＰを求めている。従って、アナログ回路によるアナログ処理により対象物温度ＴＰを求める比較例の手法に比べて、様々な特性係数のサーモパイル２が用いられた場合にも、対象物温度ＴＰを高い精度で求めることが可能になる。即ち、比較例の手法では、特定の特性係数のサーモパイル２に合わせてアナログ回路の回路定数を設定した場合に、この設定とは異なる特性係数のサーモパイル２に対応することは困難である。これに対して本実施形態では、第１検出値ＤＴ１、第２検出値ＤＴ２を用いたデジタル処理により対象物温度ＴＰを求めている。従って、様々な特性係数のサーモパイル２に対応した補正処理を行って、高い精度で対象物温度ＴＰを求めることができる。

例えば本実施形態では、図６（Ａ）、図６（Ｂ）等で説明したように、ＲＯＭ係数Ｓを特定の値（例えばＳ＝４７２、Ｓ＝１１８）に設定して、図５（Ｂ）の第１起電圧ＶＴＰ０、第２起電圧ＶＴＨの値（温度テーブル）を計算し、第１記憶部７２、第２記憶部７４に記憶しておく。また、様々な特性係数のサーモパイル２に対応するために、後述するサーモパイル２の特性係数パラメーターＧＳを用意する。この特性係数パラメーターＧＳは、例えば回路装置の製造時等にパラメーター記憶部８０（ＯＴＰ）に書き込まれる。そして、実際の温度測定時には特性係数パラメーターＧＳに基づく変換処理を第１検出値ＤＴ１に対して行い、変換処理が施された第１検出値ＤＴ１と、第２起電圧ＶＴＨの値に基づいて、第１起電圧ＶＴＰ０の値を求める。そして、求められた第１起電圧ＶＴＰ０の値に対応する対象物温度ＴＰの値を、第１記憶部７２の温度テーブルを用いて検索することで、対象物温度ＴＰを求める。

このようにすれば、様々な特性係数のサーモパイル２が用いられた場合にも、そのサーモパイル２に対応する値に特性係数パラメーターＧＳを設定して、補正処理を実行することで、対象物温度ＴＰを高い精度で求めることが可能になる。また、第１記憶部７２、第２記憶部７４には、ＲＯＭ係数Ｓが特定の値である場合の計算結果だけを記憶しておけば済む。従って、これらの第１記憶部７２、第２記憶部７４の使用記憶容量を節約でき、少ない記憶容量の第１記憶部７２、第２記憶部７４を用いて、デジタル処理による対象物温度ＴＰの演算処理を実現できるようになる。

また本実施形態によれば、記憶部を２つの第１記憶部７２、第２記憶部７４に分けて、第１記憶部７２には第１起電圧ＶＴＰ０についての計算結果を記憶し、第２記憶部７４には第２起電圧ＶＴＨについての計算結果を記憶している。そして図５（Ｂ）に示すように、起電圧ＶＴＰの式が第１起電圧ＶＴＰ０、第２起電圧ＶＴＨ等の項に分かれることを利用して、対象物温度ＴＰを求めている。従って、対象物温度ＴＰを求める演算処理を簡素化することができ、制御部５０の処理負荷を軽減しながらも、対象物温度ＴＰを高い精度で求めることが可能になる。

３．詳細な処理例
次に本実施形態の温度検出手法の詳細な処理例について図７を用いて説明する。

まず、サーモパイル２により発生する起電圧ＶＴＰを検出して、検出回路１０の増幅回路２２、ゲイン調整回路２４（ＰＧＡ）により増幅する（ステップＳ１１）。増幅後の第１検出電圧ＶＤ１は下式（４）のように表すことができる。

ＶＤ１＝ＶＲＥＦ＋ＶＴＰ×ＧＣ×ＧＡ （４）
ここで、ＧＣは増幅回路２２のゲインであり、ＧＡはゲイン調整回路２４のゲインである。

次に、増幅後の第１検出電圧ＶＤ１をＡ／Ｄ変換回路４０に入力して、デジタル値の第１検出値ＤＴ１にＡ／Ｄ変換する（ステップＳ１２）。Ａ／Ｄ変換結果である第１検出値ＤＴ１は下式（５）のように表すことができる。

ＤＴ１＝（ＶＤ１／ＶＤ２８）×４０９６
＝（ＶＲＥＦ＋ＶＴＰ×ＧＣ×ＧＡ）／ＶＤ２８×４０９６ （５）
ＶＤ２８はＡ／Ｄ変換回路４０の入力フルスケール電圧（入力電圧範囲）であり、例えばＶＤ２８＝２．８Ｖである。なお図３のバイアス電圧は例えばＶＢＳ＝ＶＤ２８／２に設定される。またＡ／Ｄ変換回路４０は１２ビット（＝４０９６）のＡ／Ｄ変換を行う回路であり、分解能はＶＤ２８／４０９６となる。

次に、下式（６）に示すように、Ａ／Ｄ変換結果である第１検出値ＤＴ１から、基準電圧ＶＲＥＦに関する部分（ＶＲＥＦに対応するＡ／Ｄ変換値ＡＤＶＲＥＦ）を減算する（ステップＳ１３）。

ＤＴ１−ＡＤＶＲＥＦ
＝（ＶＲＥＦ＋ＶＴＰ×ＧＣ×ＧＡ）／ＶＤ２８×４０９６−ＡＤＶＲＥＦ
＝（ＶＴＰ×ＧＣ×ＧＡ）／ＶＤ２８×４０９６ （６）
ここで、図５（Ｂ）で説明したように、ＶＴＰは下式（７）のように表すことができる。

ＶＴＰ＝ＶＴＰ０−ＶＴＨ＋Ｖ０ （７）
従って、上式（６）は、上式（７）を代入することで下式（８）のように表すことができる。

｛（ＶＴＰ０−ＶＴＨ＋Ｖ０）×ＧＣ×ＧＡ｝／ＶＤ２８×４０９６ （８）
次に、サーモパイル２のオフセット電圧Ｖ０に関する部分（ＶＴＰＯＦに対応するＡＤ変換値ＡＤＶＴＰＯＦ）を減算する処理を行う（ステップＳ１４）。これは下式（９）に示すように、上式（８）からＡＤＶＴＰＯＦを減算する処理である。

｛（ＶＴＰ０−ＶＴＨ＋Ｖ０）×ＧＣ×ＧＡ｝／ＶＤ２８×４０９６−ＡＤＶＴＰＯＦ
＝｛（ＶＴＰ０−ＶＴＨ）×ＧＣ×ＧＡ｝／ＶＤ２８×４０９６ （９）
なお、ここで減算するＡＤＶＴＰＯＦには、サーモパイル２のオフセット電圧に加えて、図３のサーモパイル用検出回路２０の演算増幅器ＯＰＡ１、ＯＰＡ２等のオフセット電圧（残存オフセット電圧）を含めることができる。

次に、ゲイン補正パラメーターＧＡＪを用いてゲイン補正を行う（ステップＳ１５）。ゲイン補正パラメーターＧＡＪはゲインのバラツキ（温度特性の傾き）を補正するためのパラメーターである。即ち、設計上のゲインに対して、実デバイスのゲインにはバラツキが生じる。そこで図２のステップＳ２に示すように管理温度において実デバイスの測定を行い、その測定結果に基づいて、実デバイスのゲイン補正パラメーターＧＡＪを算出する。そして、図２のステップＳ４の実際の温度測定時には、ステップＳ５に示すように、このゲイン補正パラメーターＧＡＪ等を用いて温度測定結果の補正演算を行う。

次に、第１記憶部７２、第２記憶部７２の温度判定データ（温度テーブル）で温度値を判定するために、特性係数パラメーターＧＳを乗算する処理を行う（ステップＳ１６）。これは下式（１０）に示すように、上式（９）に特性係数パラメーターＧＳを乗算する処理である。特性係数パラメーターＧＳを乗算した後の値をＲＯＭ（ＶＴＰ０−ＶＴＨ）と記載する。ＧＳを乗算することで、ＲＯＭ値に合う値に変換される。

｛（ＶＴＰ０−ＶＴＨ）×ＧＣ×ＧＡ｝／ＶＤ２８×４０９６×ＧＳ
＝ＲＯＭ（ＶＴＰ０−ＶＴＨ） （１０）
ここで特性係数パラメーターＧＳは下式（１１）のように表すことができる。

ＧＳ＝｛（４７２／４０９６）×ＶＤ２８）｝／（Ｓ×ＧＣ×ＧＡ） （１１）
この特性係数パラメーターＧＳは、Ａ／Ｄ変換結果値を、第１記憶部７２等に記憶される温度テーブルに合わせるための変換係数である。上式（１１）に示すように、特性係数パラメーターＧＳは、サーモパイル２の特性を表すＳと、検出回路１０での信号増幅のゲインＧＣ、ＧＡに応じて設定される。具体的には図２のステップＳ１において、特性係数パラメーターＧＳはセンサー係数として製造時にパラメーター記憶部８０（ＯＴＰ）に書き込まれる。この場合に、書き込まれる特性係数パラメーターＧＳの値は、回路装置の回路定数（ＧＣ、ＧＡ）及び回路装置が使用するサーモパイル２の特性（感度）等に応じて製品ごとに設定されることになる。

次に、サーミスター用検出回路３０の第２検出値ＤＴ２により求められた自己温度ＴＴＨの値により第２記憶部７４を参照して、第２起電圧ＶＴＨの値であるＲＯＭ（ＶＴＨ）を求める（ステップＳ１７）。例えば図６（Ｂ）に示す第２記憶部７４の温度テーブルにおいて、自己温度ＴＴＨに対応するＲＯＭ値をＲＯＭ２（ＴＴＨ）とすると、ＲＯＭ（ＶＴＨ）＝ＲＯＭ２（ＴＴＨ）になる。

次に、下式（１２）に示すように、特性係数パラメーターＧＳを乗算した後の値であるＲＯＭ（ＶＴＰ０−ＶＴＨ）に対して、ＲＯＭ（ＶＴＨ）を加算し、サーモパイル２の単体の第１起電圧ＶＴＰ０の値を求める（ステップＳ１８）。この加算により求められた値をＲＯＭ（ＶＴＰ０）と記載する。

ＲＯＭ（ＶＴＰ０−ＶＴＨ）＋ＲＯＭ（ＶＴＨ）＝ＲＯＭ（ＶＴＰ０） （１２）
最後に、上式（１２）のように求められたＲＯＭ（ＶＴＰ０）と、第１記憶部７２の温度テーブル（温度判定データ）を用いて、対象物温度ＴＰを求める（ステップＳ１９）。例えば図６（Ａ）に示す第１記憶部７２の温度テーブルを用いて、各対象物温度ＴＰに対応するＲＯＭ値であるＲＯＭ１（ＴＰ）を順次読み出す。そして、ＲＯＭ（ＶＴＰ０）と、読み出されたＲＯＭ１（ＴＰ）とを比較し、ＲＯＭ（ＶＴＰ０）＝ＲＯＭ１（ＴＰ）となる温度を、対象物温度ＴＰとして求める。なお、ＲＯＭ（ＶＴＰ０）とＲＯＭ１（ＴＰ）との値の差が最少となるＲＯＭ１（ＴＰ）に対応する温度を、対象物温度ＴＰとして求めてもよい。また、複数のＲＯＭ１（ＴＰ）のデータから補間計算を行い、ＲＯＭ（ＶＴＰ０）に対応する温度を、対象物温度ＴＰとして求めてもよい。

以上の本実施形態の手法では、例えば図５（Ｂ）のＲＯＭ係数Ｓ、Ｇを所定値に設定して（例えばＳ＝４７２、Ｇ＝１．０）、図５（Ｂ）の式のＶＴＰ０、ＶＴＨの値を求め、求められたＶＴＰ０、ＶＴＨの値を、図６（Ａ）、図６（Ｂ）に示すように第１記憶部７２、第２記憶部７４に記憶しておく。

また、回路装置の回路定数であるゲインＧＣ、ＧＡや、使用されるサーモパイル２の特性係数Ｓに基づいて、上式（１１）で説明した特性係数パラメーターＧＳ＝｛（４７２／４０９６）×ＶＤ２８）｝／（Ｓ×ＧＣ×ＧＡ）を求める。そして、求められた特性係数パラメーターＧＳを、図２のステップＳ１に示すように、回路装置の製造時等に、センサー係数パラメーターとしてパラメーター記憶部８０（ＯＴＰ）に書き込む。これにより、各回路装置（各温度検出装置）の製品の仕様に応じた適正な特性係数パラメーターＧＳが、パラメーター記憶部８０に記憶されるようになる。従って、第１記憶部７２、第２記憶部７４の使用記憶容量を節約しながら、様々な特性のサーモパイル２に対応でき、多様な製品仕様に対応できるようになる。

また図２のステップＳ２に示すように管理温度での測定を行って、ステップＳ３に示すように、素子バラツキを補正するための補正パラメーターを演算する。具体的には図７のステップＳ１５のゲイン補正パラメーターＧＡＪやステップＳ１４のオフセット電圧（ＡＤＶＴＰＯＦ）等を、補正パラメーターとして求める。即ち、サーモパイル２の感度等の特性係数Ｓや、検出回路１０のゲインＧＣ、ＧＡ等の回路定数や、オフセット電圧には、素子バラツキを要因とするバラツキが存在する。そこで図２のステップＳ２に示すように管理温度での測定を行い、その測定結果に基づいて、補正パラメーターを求めて、パラメーター記憶部８０（ＯＴＰ）に書き込む。そして、ステップＳ５に示すように、実際の温度測定時には、パラメーター記憶部８０に記憶された補正パラメーターに基づいて温度測定結果の補正演算を行う。こうすることで、サーモパイル２の特性係数Ｓや、検出回路１０の回路定数や、オフセット電圧にバラツキが発生した場合にも、対象物温度ＴＰ等の温度測定結果を、より高い精度で求めることが可能になる。

４．電子機器
図８に、本実施形態の回路装置２１０や温度検出装置２００を含む電子機器の構成例を示す。電子機器は、処理部３００、記憶部３１０、操作部３２０、入出力部３３０、バス３４０、温度検出装置２００を含む。また温度検出装置２００は、本実施形態の回路装置２１０、サーモパイル２、サーミスター４を含む。なお本実施形態の電子機器は図８の構成に限定されず、その構成要素の一部を省略したり、他の構成要素を追加するなどの種々の変形実施が可能である。また本実施形態が適用される電子機器としては、エアーコンディショナー等の空調設備機器、ＩＨ調理器やＩＨ炊飯器等のＩＨ機器、ＦＡＸ装置、印刷装置、温度計、人感知装置、炎検知装置、ガス検知装置又は光量計などの種々の機器を想定できる。

処理部３００は、電子機器の各種の制御処理や演算処理を行うものであり、例えばＭＰＵ等のプロセッサーや表示コントローラーなどのＡＳＩＣなどにより実現される。処理部３００は、温度検出装置２００により検出された対象物温度や自己温度などの温度測定結果に基づいて、各種の処理を行う。

記憶部３１０は処理部３００等の記憶領域となるものであり、例えばＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、或いはＨＤＤ等により実現される。操作部３２０はユーザーが各種の操作情報を入力するためのものである。入出力部３３０は、外部との間でデータ等のやり取りを行うものであり、有線のインターフェース（ＵＳＢ等）や無線の通信部等により実現される。

なお、上記のように本実施形態について詳細に説明したが、本発明の新規事項および効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できるであろう。従って、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。例えば、明細書又は図面において、少なくとも一度、より広義または同義な異なる用語と共に記載された用語は、明細書又は図面のいかなる箇所においても、その異なる用語に置き換えることができる。また、回路装置や温度検出装置や電子機器の構成や動作等も、本実施形態で説明したものに限定されず、種々の変形実施が可能である。

２ サーモパイル、４ サーミスター、１０ 検出回路、
２０ サーモパイル用検出回路、２２ 増幅回路、２４ ゲイン調整回路、
２６ 基準電圧生成回路、３０ サーミスター用検出回路、３２ 基準電流源、
４０ Ａ／Ｄ変換回路、５０ 制御部、７０ 記憶部、７２ 第１記憶部、
７４ 第２記憶部、７６ 第３記憶部、８０ パラメーター記憶部、９０ 出力部、
１００ Ｉ／Ｆ部、２００ 温度検出装置、２１０ 回路装置、３００ 処理部、
３１０ 記憶部、３２０ 操作部、３３０ 入出力部、３４０ バス

Claims (11)

1. サーモパイルを用いて検出された第１検出電圧についてのＡ／Ｄ変換を行って、デジタル値の第１検出値を出力し、サーミスターを用いて検出された第２検出電圧についてのＡ／Ｄ変換を行って、デジタル値の第２検出値を出力する検出回路と、
   前記第２検出値から自己温度を求め、前記自己温度から前記自己温度に対応する第２起電圧値を求め、前記第１検出値と前記第２起電圧値とから対象物温度に対応する第１起電圧値を求め、前記第１起電圧値から前記対象物温度を求める制御部と、
   を含むことを特徴とする回路装置。
2. 請求項１において、
   前記対象物温度の値と前記第１起電圧値とを対応づけて記憶する第１記憶部と、
   前記自己温度の値と前記第２起電圧値とを対応づけて記憶する第２記憶部と、
   を含み、
   前記制御部は、
   前記第２検出値から求められた前記自己温度の値と、前記第２記憶部とを用いて、前記第２起電圧値を求め、
   前記第１検出値と前記第２起電圧値とから求められた前記第１起電圧値と、前記第１記憶部とを用いて、前記対象物温度を求めることを特徴とする回路装置。
3. 請求項２において、
   前記制御部は、
   前記サーモパイルの特性係数パラメーターに基づく変換処理を前記第１検出値に対して行い、前記変換処理が施された前記第１検出値と前記第２起電圧値とから求められた前記第１起電圧値と、前記第１記憶部とを用いて、前記対象物温度を求めることを特徴とする回路装置。
4. 請求項１において、
   前記制御部は、
   前記サーモパイルの特性係数パラメーターに基づく変換処理を前記第１検出値に対して行い、前記変換処理が施された前記第１検出値と前記第２起電圧値とから前記第１起電圧値を求めることを特徴とする回路装置。
5. 請求項３又は４において、
   前記サーモパイルの前記特性係数パラメーターを記憶するパラメーター記憶部を含むことを特徴とする回路装置。
6. 請求項３乃至５のいずれかにおいて、
   前記サーモパイルの前記特性係数パラメーターは、前記サーモパイルの特性と、前記検出回路での信号増幅のゲインに応じて設定されるパラメーターであることを特徴とする回路装置。
7. 請求項１乃至６のいずれかにおいて、
   前記制御部は、
   前記サーモパイル、前記検出回路についてのオフセット補正処理を行うことを特徴とする回路装置。
8. 請求項１乃至７のいずれかにおいて、
   前記制御部は、
   温度特性についてのゲイン補正処理を行うことを特徴とする回路装置。
9. 請求項１乃至８のいずれかに記載の回路装置と、
   前記サーモパイルと、
   前記サーミスターと、
   を含むことを特徴とする温度検出装置。
10. 請求項１乃至８のいずれかに記載の回路装置を含むことを特徴とする電子機器。
11. サーモパイルを用いて検出された第１検出電圧についてのＡ／Ｄ変換を行って、デジタル値の第１検出値を求め、
    サーミスターを用いて検出された第２検出電圧についてのＡ／Ｄ変換を行って、デジタル値の第２検出値を求め、
    前記第２検出値から自己温度を求め、
    前記自己温度から前記自己温度に対応する第２起電圧値を求め、
    前記第１検出値と前記第２起電圧値とから対象物温度に対応する第１起電圧値を求め、
    前記第１起電圧値から前記対象物温度を求めることを特徴とする温度検出方法。

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