JP4858499B2 - レーザ光源装置及びこれを用いたレーザ照射装置 - Google Patents
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Description
またレーザアニール技術を利用する場合は、安価な大型のガラス、プラスチック等の基板の上に、基板を高温加熱することなく微結晶または多結晶粒を作製できるので、低コスト化と高性能化を図ることができる。
〔1〕第1の実施の形態
図1及び図2は、本発明の第1の実施の形態に係るレーザ光源装置の概略構成を示す図である。本発明のレーザ光源装置においては、線状の横マルチモードの光を取り扱うものであり、その長手方向をY方向、短軸方向をZ方向、光の進行方向をX方向として示す。図1A及び図2AにおいてはX−Y平面の構成図、図1B及び図2BにおいてはX−Z平面の構成図を示す。
レーザ媒質6としては、希土類添加の固体レーザ材料が用いられ、例えば、Ndイオンをイットリウム・アルミニウム・ガーネット(Y3Al5O12)にドープしたNd:YAG、Nd:YVO4、Nd:GdVO4、Yb:YAG、Yb:YVO4等が挙げられる。
また、それらに分極反転処理を施したPP−C−LiNbO3、PP−C−LiTaO3、PP−S−LiNbO3(PPSLN)、PP−S−LiTaO3(PPSLT)、PP−MgO:C−LiNbO3、PP−MgO:C−LiTaO3等の結晶素子が利用可能である。また、PP−ZnO:C−LiNbO3、PP−ZnO:C−LiTaO3、PP−MgO:S−LiNbO3、PP−MgO:S−LiTaO3、PP−ZnO:S−LiNbO3、PP−ZnO:S−LiTaO3、PP−KTiOPO4等の結晶素子も利用可能である。なおここで、「C」は「congruent(一様融液)組成」、「S」は「Stoichiometric(化学量論的)組成」、「PP」は「Periodical Poling(周期分極反転)」を意味する。
これに対し、上述したように基本波の長手方向を反射部8による折り返し光路の平面内と略垂直な方向とすることによって、基本波の長手方向に関しては、空間的な対称性を保つことができる。したがって、波長変換素子10において変換される変換波においても長手方向に関して空間的な対称性を保つことができるので、非対称化、不均一化を抑制し、結果的に出力光の均一化及び安定化を図ることが可能となる。
このようにコヒーレンスの高い光を合波する場合、基本波と第2高調波のように波長が倍(半分)の関係にあると、干渉ではないが位相関係によって周期的な強弱のパターンが生じてしまう。波長毎に効果が異なるプロセスに用いる場合は問題ないが、相乗効果などがある場合には、このような強弱のパターンが生じると、プロセスに影響が出て、例えば薄膜トランジスタのSi結晶化工程のアニール等に適用する場合は、結晶粒のばらつきを生じ得る。
一般的に高調波の干渉が十分低減し、安定した出力を得るために必要な空間的ずらし量は、レーザ光の縦横モード数をはじめレーザのもつ特性、また変換波の用途、すなわち適用する光学装置の種類によって異なってくる。一般的には、2つの変換波ビームの光軸を合わせて干渉させた状態に対し、光軸を互いにずらして重ね合わせて発生する干渉縞のビジビリティ(干渉縞コントラスト)が1/e2程度に低減したときのビームずらし量以上であればよい。すなわち、空間干渉距離(空間コヒーレンス長)以上であればよいといえる。
次に、本発明の第2の実施の形態に係るレーザ光源装置について説明する。図8A及びBは第2の実施の形態に係るレーザ光源装置の概略構成図を示す。
本実施の形態においては、第1の実施の形態におけるレーザ光源装置にQスイッチ素子、過飽和吸収体などのパルス生成機構を設けるか、あるいは、レーザダイオード等の励起光源の投入電流値を直接変調する構成とする。このような構成とすることによって、共振器からの基本波と変換波をパルス発振光として取り出すものである。図8A及びBにおいて、図1A及びBと対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。図8A及びBにおいては、共振器30内のこの場合レーザ媒質6と反射部8との間に、Qスイッチ素子又はCr:YAGなどの透過型過飽和吸収体より成るパルス生成機構20を配置した例である。このパルス生成機構としては、半導体による過飽和吸収体を反射部8や共振器ミラー12等のいずれかの反射面にとりつけても構わない。
なお、本実施の形態における二段階の波長変換を行う例においてはパルス発振とする例を説明したが、必要な変換効率がとれれば連続発振であっても構わないことはいうまでもない。
次に、本発明の第3の実施の形態に係るレーザ照射装置の各例を、図12〜図15を参照して説明する。各例共に、上述の第1及び第2の実施の形態において説明した各構成のレーザ光源装置を用いることが可能であり、例えば薄膜トランジスタ(TFT)におけるアモルファスSiなどのレーザアニール工程において適用することができる。本発明によるレーザ光源装置からの変換光、または変換光と基本光からなる線状のレーザビームを、その短軸方向に走査することによって、上述したように、アニールプロセスにおいて徐冷等の好ましい温度変化過程が可能となる。すなわちこのようにレーザプロセス装置として用いることによって、TFTの均質性を保つと共に、性能の向上を図ることが可能となる。
なお、このように相対的な移動手段を設ける場合に、レーザ光照射工程においてのみレーザ光源装置100を載置台60上に配置し、その他の工程においてはレーザ光源装置100が載置台60の上方から待避する構成としてもよい。非照射時の配置構成は、基板等の物質50の載置台60上への出し入れ等の作業やメンテナンス作業等において、作業性を損なわない構成とすることが望ましい。
1.横マルチモードによる低コヒーレンスをもった変換波が得られるため、安定で、容易にトップハット化が可能なレーザ光源装置を実現する。
2.横マルチモード発振により部品点数が少数でも安定性を実現できるので、小型なレーザ光源装置を作ることができる。また、部品点数が少ないため共振器中の損失が小さく高効率なレーザ光源装置を実現することができる。
3.横マルチモードによる低コヒーレンスをもった基本波と変換波の2波長を同時に得られるため、安定で、2波長の干渉がなく、容易にトップハット化可能であるレーザ光源装置を実現する。
4.出力光を、伝搬光路を同一にするための余分な光学系なしに基本波と変換波を同軸で用いることができるようなレーザ光源装置を実現する。
5.ビームの長軸方向にはほぼ同一のビーム径で、短軸には集光位置にて変換波より大きい基本波ビームサイズを持つようなレーザ光源装置を実現する。
6.波長変換素子で発生する高効率な変換波を、基本波、および波長変換素子で逆方向に発生する変換波同士の干渉または位相関係を抑えて取り出し、波長変換素子から両方に発生する変換波同士、あるいは基本波と変換波の2波長が干渉しないまたは位相関係のない状態で用いることができる。
7.長い結晶長を持った波長変換素子により高効率なレーザ光源装置を実現する。また、伝搬方向が全くずれない基本波と変換波が出力されるので、伝搬方向ずれを補正する光学系なしに同軸で基本波と変換波を用いることができる。さらに、形状対称性の高いビームによって均一性の高い基本波及び変換波を出力するレーザ光源装置を実現する。
8.変換波の波長を250nm以上550nm以下となるような波長変換によってレーザ光源装置を構成することができる。
9.出力のばらつきのないレーザ光源装置を実現することができる。
10.高ピークパワーをもつエキシマレーザと比べ安定、メンテナンス不要で複数波長出力のレーザ光源装置を実現することができる。
11.第3高調波などさらに波長の短い波長変換波を出力するレーザ光源装置を実現することができる。さらに、この短波長光と、基本波や変換波との複数波を出力するレーザ光源装置をも実現できる。
1.横マルチモードによる低コヒーレンスで安定な光を用いることから、干渉によるノイズのないプロファイルの均一な安定で高効率なレーザ光源装置が得られる。これにより、例えばSi薄膜トランジスタ、あるいはそのほか太陽電池、LSIなど半導体薄膜素子製造におけるレーザアニールにおいて、照射ビーム強度がばらつかず一定となる。その結果多結晶Siのサイズ均一性を向上させ、粒界を減少させることによって移動度ばらつきを低減することができ、リーク電流減少などの特性の向上を図ることができる。また、横マルチモードにおける波長変換により、このばらつき低減効果を、短波長光を利用したレーザ照射装置にて実現できるので、対象とする物質が短波長光に対して大きな吸収をもつため、移動度を向上しつつばらつきも低減した特性を得ることができる。これは特性向上と歩留向上の両方を実現することを意味する。
特に、基本波と変換波の2波長または3波長のレーザ光を同時に照射することができ、短波長光に対する大きな吸収を利用し、またそれらの光にも干渉や位相関係によるノイズがない、安定で高効率なレーザアニールなどのレーザ照射装置として利用することができる。他にも、Si太陽電池の製造装置の光源、LSI半導体薄膜の製造装置の光源等、その他様々な表面改質プロセス光源、露光光源、加工光源など、種々の材料の表面処理において用いることで、特性の向上を図る効果が得られる。
3.レーザアニール装置などにおける小型光源として、アニール対象であるSiトランジスタ基板などの上方に設置することが可能になったり、大面積のSiトランジスタ基板に複数のレーザ光源装置を並列に用いたりすることができる。また、レーザ光源装置側を移動することによってレーザアニールすることが可能であり、これにより大面積のSiトランジスタのアニールを容易にする。更に、複数光源により大面積のSiトランジスタのアニールのタクトタイム減少やスループット向上や特性向上を図ることができる。
Claims (17)
- 横マルチモードの光を出射する励起光源と、
共振器を構成する共振器ミラーと、
前記共振器内に配置され、前記励起光源から出射される横マルチモードパターンの光で励起されるレーザ媒質と、
前記共振器内に配置され、前記レーザ媒質での発振により得られる横マルチモードの線状の基本波が照射されて、線状の変換波を出力する波長変換素子と、
前記共振器の共振光路を折り返すと共に、折り返される前の前記共振光路と、折り返された後の前記共振光路と、に沿う平面が、前記線状の基本波の長手方向に対し略垂直に配置される凹面の折り返し反射部と、を有し、
前記共振器ミラーのいずれか、又は前記折り返し反射部が、前記基本波の一部を透過する構成とされ、
前記基本波と前記変換波が同時に、且つ同一方向に出力される
レーザ光源装置。 - 前記波長変換素子から前記共振光路に沿って両側に変換波が出射され、
前記出射された2本の変換波のうち一方が前記共振器の外部に取り出され、共振器外反射部により前記波長変換素子に戻される構成とされ、
前記共振器外反射部により戻される変換波は、前記波長変換素子で発生する他方の変換波及び基本波とともに、外部に出力される請求項1記載のレーザ光源装置。 - 前記共振器外反射部により戻される変換波は、時間干渉距離以上の距離を伝搬させてから前記共振器内に戻されて、前記波長変換素子から出射される他方の変換波に合波される請求項2に記載のレーザ光源装置。
- 前記基本波の一部を透過する前記共振器ミラーのいずれか又は前記折り返し反射部の、前記基本波の透過率は、0.5%以上1.0%以下である請求項1〜3のいずれかに記載のレーザ光源装置。
- 前記折り返し反射部が凹面ミラーを含む光学素子である請求項1〜4のいずれかに記載のレーザ光源装置。
- 前記波長変換素子が、擬似位相整合を利用した波長変換素子である請求項1〜5に記載のレーザ光源装置。
- 前記レーザ光源装置が連続発振である請求項1〜6のいずれかに記載のレーザ光源装置。
- 前記レーザ光源装置に、パルス生成機構を設け、出力光をパルス発振する請求項1〜7のいずれかに記載のレーザ光源装置。
- 前記パルス生成機構として、前記共振器内にQスイッチ作用を発現するQスイッチ素子又は過飽和吸収体を設ける請求項8記載のレーザ光源装置。
- 前記共振器ミラーの共振光路に構成される共振器内に、前記線状の基本波と前記線状の変換波を照射することによって前記基本波と前記変換波による波長変換波を出力する波長変換素子を更に備える請求項1〜9のいずれかに記載のレーザ光源装置。
- 前記線状の基本波と前記線状の変換波を照射する波長変換素子において、和周波による波長変換波を出力する請求項10記載のレーザ光源装置。
- 横マルチモードの光を出射する励起光源と、共振器を構成する共振器ミラーと、前記共振器内に配置され、前記励起光源から出射される横マルチモードパターンの光で励起されるレーザ媒質と、前記共振器内に配置され、前記レーザ媒質での発振により得られる横マルチモードの線状の基本波が照射されて、線状の変換波を出力する波長変換素子と、前記共振器の共振光路を折り返すと共に、折り返される前の前記共振光路と、折り返された後の前記共振光路と、に沿う平面が、前記線状の基本波の長手方向に対し略垂直に配置される凹面の折り返し反射部と、を有し、前記共振器ミラーのいずれか、又は前記折り返し反射部が、前記基本波の一部を透過する構成とされ、前記基本波と前記変換波が同時に、且つ同一方向に出力されるレーザ光源装置と、
前記レーザ光源装置からのレーザ光を照射する物質が載置される載置台と、を備える
レーザ照射装置。 - 前記レーザ光源装置と前記物質が載置される載置台が、前記レーザ光源装置から出力される線状の出力光の短軸方向に相対的に移動して、前記物質に対する照射がなされる請求項12記載のレーザ照射装置。
- 前記レーザ光源装置の前記共振器内に、Qスイッチ作用を発現するQスイッチ素子を備え、前記Qスイッチ素子のQスイッチ作用によって出力光をパルス発振する請求項12又は13に記載のレーザ照射装置。
- 前記レーザ光源装置の前記共振器内に、前記線状の基本波と前記線状の変換波を照射することによって前記基本波と前記変換波による波長変換波を出力する波長変換素子を更に備える請求項12〜14のいずれかに記載のレーザ照射装置。
- 前記レーザ光源装置を複数個備え、
前記複数個の前記レーザ光源装置からの出力光が、前記物質の同一の領域に重ね合わせて同時に照射される請求項12〜15のいずれかに記載のレーザ照射装置。 - 複数個の前記レーザ光源装置が並置され、
前記複数個の各レーザ光源装置からの出力光が、前記物質の対応する複数の領域にそれぞれ照射される請求項12〜15のいずれかに記載のレーザ照射装置。
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