JP2000338530A - レーザ光の波長変換装置とその変換方法 - Google Patents
レーザ光の波長変換装置とその変換方法Info
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- JP2000338530A JP2000338530A JP11145464A JP14546499A JP2000338530A JP 2000338530 A JP2000338530 A JP 2000338530A JP 11145464 A JP11145464 A JP 11145464A JP 14546499 A JP14546499 A JP 14546499A JP 2000338530 A JP2000338530 A JP 2000338530A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基本波光のピーク強度が高い共振器内部に３
つのＬＢＯ結晶を配置して波長変換することで、高いビ
ーム品質で、しかも、高い変換効率を得る新規なレーザ
光の波長変換装置を提供する。 【解決手段】 レーザ媒質１と一対の全反射ミラー５、
６と偏光方向選択素子１３とを備えた共振器内部に非線
形光学結晶２、３、４を配設し、第４高調波８を発生せ
しめることを特徴とする。
つのＬＢＯ結晶を配置して波長変換することで、高いビ
ーム品質で、しかも、高い変換効率を得る新規なレーザ
光の波長変換装置を提供する。 【解決手段】 レーザ媒質１と一対の全反射ミラー５、
６と偏光方向選択素子１３とを備えた共振器内部に非線
形光学結晶２、３、４を配設し、第４高調波８を発生せ
しめることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ光の波長変
換装置とその変換方法に係わり、特に、高いビーム品質
で、且つ、高い変換効率を得ることを可能にしたレーザ
光の波長変換装置とその変換方法に関する。
換装置とその変換方法に係わり、特に、高いビーム品質
で、且つ、高い変換効率を得ることを可能にしたレーザ
光の波長変換装置とその変換方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、Ｎｄ：ＹＡＧ、Ｎｄ：ＹＬ
Ｆ、Ｎｄ：ＹＶ０４の第４次高調波の発生には、ＢＢＯ
結晶が用いられている。
Ｆ、Ｎｄ：ＹＶ０４の第４次高調波の発生には、ＢＢＯ
結晶が用いられている。
【０００３】代表的な構成図を図３に示す。従来のレー
ザ装置は、全反射ミラー５、６と、全反射ミラー５、６
の間に設けられたレーザ媒質１と、ブリュースタ板等の
偏光方向選択素子と、波長変換素子である非線形光学結
晶、例えば、ＢＢＯ、ＬＢＯで共振器を形成し、共振器
内部で発生した第２次高調波光３３を波長選択素子３０
で共振器の外に出射し、ＢＢＯ結晶３１に入射して、第
４次高調波光３２に波長変換する方法が一般的である。
通常、共振器外部の波長変換では、入射するレーザ光の
ピーク強度密度が低い場合、集光光学系２８によりビー
ム断面積を小さくし変換効率を上げる必要がある。ＢＢ
Ｏ結晶はφ、θ方向での位相整合許容角の差がＬＢＯに
比べ大きいため、真円率が悪く、高変換効率を得るに
は、集光光学系が複雑化する問題があった。
ザ装置は、全反射ミラー５、６と、全反射ミラー５、６
の間に設けられたレーザ媒質１と、ブリュースタ板等の
偏光方向選択素子と、波長変換素子である非線形光学結
晶、例えば、ＢＢＯ、ＬＢＯで共振器を形成し、共振器
内部で発生した第２次高調波光３３を波長選択素子３０
で共振器の外に出射し、ＢＢＯ結晶３１に入射して、第
４次高調波光３２に波長変換する方法が一般的である。
通常、共振器外部の波長変換では、入射するレーザ光の
ピーク強度密度が低い場合、集光光学系２８によりビー
ム断面積を小さくし変換効率を上げる必要がある。ＢＢ
Ｏ結晶はφ、θ方向での位相整合許容角の差がＬＢＯに
比べ大きいため、真円率が悪く、高変換効率を得るに
は、集光光学系が複雑化する問題があった。
【０００４】また、ＢＢＯ結晶の紫外透過カットオフ波
長は１９８ｎｍであり、ＬＢＯ結晶の１５５ｎｍより長
波長であるため、より紫外光２６６ｎｍの自己吸収が高
いという問題がある。自己吸収が高い場合、結晶自身の
劣化の問題や、熱影響による位相整合条件の崩れによ
り、変換効率の低下及びビーム品質の悪化につながる問
題がある。これらの問題を解決する波長変換方式とし
て、ＬＢＯ結晶を用い第４次高調波を発生する位相整合
条件は、Ｋ．Ｋａｔｏ：ＩＥＥＥ Ｊ．２６ １１７３
−１１７５（１９９０）に報告されている。
長は１９８ｎｍであり、ＬＢＯ結晶の１５５ｎｍより長
波長であるため、より紫外光２６６ｎｍの自己吸収が高
いという問題がある。自己吸収が高い場合、結晶自身の
劣化の問題や、熱影響による位相整合条件の崩れによ
り、変換効率の低下及びビーム品質の悪化につながる問
題がある。これらの問題を解決する波長変換方式とし
て、ＬＢＯ結晶を用い第４次高調波を発生する位相整合
条件は、Ｋ．Ｋａｔｏ：ＩＥＥＥ Ｊ．２６ １１７３
−１１７５（１９９０）に報告されている。
【０００５】しかしながら、例えば、特開平４−１１１
４８４号公報に示されているように、非線形光学結晶を
３つ使用するため、基本波から第４次高調波への変換効
率が低い問題があった。
４８４号公報に示されているように、非線形光学結晶を
３つ使用するため、基本波から第４次高調波への変換効
率が低い問題があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
した従来技術の欠点を改良し、特に、基本波光のピーク
強度が高い共振器内部に３つのＬＢＯ結晶を配置して波
長変換することで、高いビーム品質で、しかも、高い変
換効率を得る新規なレーザ光の波長変換装置とその変換
方法を提供するものである。
した従来技術の欠点を改良し、特に、基本波光のピーク
強度が高い共振器内部に３つのＬＢＯ結晶を配置して波
長変換することで、高いビーム品質で、しかも、高い変
換効率を得る新規なレーザ光の波長変換装置とその変換
方法を提供するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は上記した目的を
達成するため、基本的には、以下に記載されたような技
術構成を採用するものである。
達成するため、基本的には、以下に記載されたような技
術構成を採用するものである。
【０００８】即ち、本発明に係わるレーザ光の波長変換
装置の第１態様は、レーザ光の波長変換装置であって、
レーザ媒質と一対の全反射ミラーと偏光方向選択素子と
を備えた共振器内部に非線形光学結晶を配設し、第４高
調波を発生せしめることを特徴とするものであり、叉、
第２態様は、前記非線形光学結晶は、第２高調波発生用
の第１の非線形光学結晶と、第３高調波発生用の第２の
非線形光学結晶と、第４高調波発生用の第３の非線形光
学結晶とで構成したことを特徴とするものであり、叉、
第３態様は、第２高調波発生用の前記第１の非線形光学
結晶に隣接して前記全反射ミラーの一方の反射ミラーが
設けられていることを特徴とするものであり、叉、第４
態様は、前記夫々の非線形光学結晶は温度制御装置で結
晶温度を一定に制御し、位相整合許容角を安定させるよ
うに構成したことを特徴とするものであり、叉、第５態
様は、前記非線形光学結晶は、ＬＢＯ結晶（ＬｉＢ３Ｏ
５）であることを特徴とするものである。
装置の第１態様は、レーザ光の波長変換装置であって、
レーザ媒質と一対の全反射ミラーと偏光方向選択素子と
を備えた共振器内部に非線形光学結晶を配設し、第４高
調波を発生せしめることを特徴とするものであり、叉、
第２態様は、前記非線形光学結晶は、第２高調波発生用
の第１の非線形光学結晶と、第３高調波発生用の第２の
非線形光学結晶と、第４高調波発生用の第３の非線形光
学結晶とで構成したことを特徴とするものであり、叉、
第３態様は、第２高調波発生用の前記第１の非線形光学
結晶に隣接して前記全反射ミラーの一方の反射ミラーが
設けられていることを特徴とするものであり、叉、第４
態様は、前記夫々の非線形光学結晶は温度制御装置で結
晶温度を一定に制御し、位相整合許容角を安定させるよ
うに構成したことを特徴とするものであり、叉、第５態
様は、前記非線形光学結晶は、ＬＢＯ結晶（ＬｉＢ３Ｏ
５）であることを特徴とするものである。
【０００９】叉、本発明に係わるレーザ光の波長変換装
置の変換方法の態様は、共振器内に第２高調波発生用の
第１の非線形光学結晶と、第３高調波発生用の第２の非
線形光学結晶と、第４高調波発生用の第３の非線形光学
結晶とを配設し、基本波光を第２高調波発生用の前記第
１の非線形光学結晶に入射させることで第２高調波を発
生させると共に、この第２高調波と前記第１の非線形光
学結晶を通過した基本波光とを全反射ミラーで反射して
再び前記第１の非線形光学結晶に入射せしめ、更に、前
記第１の非線形光学結晶を通過した基本波光と前記第１
の非線形光学結晶で発生した第２高調波とを前記第２の
非線形光学結晶に入射せしめて第３高調波を発生させ、
更に、基本波光と前記第３高調波とを前記第３の非線形
光学結晶に入射せしめて第４高調波を発生させることを
特徴とするものである。
置の変換方法の態様は、共振器内に第２高調波発生用の
第１の非線形光学結晶と、第３高調波発生用の第２の非
線形光学結晶と、第４高調波発生用の第３の非線形光学
結晶とを配設し、基本波光を第２高調波発生用の前記第
１の非線形光学結晶に入射させることで第２高調波を発
生させると共に、この第２高調波と前記第１の非線形光
学結晶を通過した基本波光とを全反射ミラーで反射して
再び前記第１の非線形光学結晶に入射せしめ、更に、前
記第１の非線形光学結晶を通過した基本波光と前記第１
の非線形光学結晶で発生した第２高調波とを前記第２の
非線形光学結晶に入射せしめて第３高調波を発生させ、
更に、基本波光と前記第３高調波とを前記第３の非線形
光学結晶に入射せしめて第４高調波を発生させることを
特徴とするものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明に係わるレーザ光の波長変
換装置は、レーザ媒質と一対の全反射ミラーと偏光方向
選択素子とを備えた共振器内部に非線形光学結晶（ＬＢ
Ｏ結晶：ＬｉＢ３Ｏ５）を配設し、第４高調波を発生せ
しめることを特徴とするものである。
換装置は、レーザ媒質と一対の全反射ミラーと偏光方向
選択素子とを備えた共振器内部に非線形光学結晶（ＬＢ
Ｏ結晶：ＬｉＢ３Ｏ５）を配設し、第４高調波を発生せ
しめることを特徴とするものである。
【００１１】本発明では、基本波光のピーク強度が高い
共振器内部で、且つ、基本波光の伝搬モードがＬＢＯ結
晶内で平行光に近い条件で、第４次高調波に波長変換す
るため、真円率が良い状態で変換効率を上げることがで
きる。
共振器内部で、且つ、基本波光の伝搬モードがＬＢＯ結
晶内で平行光に近い条件で、第４次高調波に波長変換す
るため、真円率が良い状態で変換効率を上げることがで
きる。
【００１２】
【実施例】以下に、本発明に係わるレーザ光の波長変換
装置とその変換方法の具体例を図面を参照しながら詳細
に説明する。
装置とその変換方法の具体例を図面を参照しながら詳細
に説明する。
【００１３】図１は、本発明に係わるレーザ光の波長変
換装置の具体例の構造を示す図、図２は、高調波の発生
過程を説明する図であって、これらの図には、レーザ媒
質１と一対の全反射ミラー５、６と偏光方向選択素子１
３とを備えた共振器内部に非線形光学結晶（ＬＢＯ結
晶：ＬｉＢ３Ｏ５）２、３、４を配設し、第４高調波８
を発生せしめることを特徴とするレーザ光の波長変換装
置が示され、更に、前記非線形光学結晶は、第２高調波
８発生用の第１の非線形光学結晶２と、第３高調波１１
発生用の第２の非線形光学結晶３と、第４高調波１２発
生用の第３の非線形光学結晶４とで構成したことを特徴
とするレーザ光の波長変換装置が示されている。
換装置の具体例の構造を示す図、図２は、高調波の発生
過程を説明する図であって、これらの図には、レーザ媒
質１と一対の全反射ミラー５、６と偏光方向選択素子１
３とを備えた共振器内部に非線形光学結晶（ＬＢＯ結
晶：ＬｉＢ３Ｏ５）２、３、４を配設し、第４高調波８
を発生せしめることを特徴とするレーザ光の波長変換装
置が示され、更に、前記非線形光学結晶は、第２高調波
８発生用の第１の非線形光学結晶２と、第３高調波１１
発生用の第２の非線形光学結晶３と、第４高調波１２発
生用の第３の非線形光学結晶４とで構成したことを特徴
とするレーザ光の波長変換装置が示されている。
【００１４】以下に、この具体例を更に詳細に説明す
る。
る。
【００１５】レーザ媒質１は、Ｎｄ：ＹＡＧ、Ｎｄ：Ｙ
ＬＦ、Ｎｄ：ＹＶ０４のいずれかを使用する。共振器
は、全反射ミラー５、６により構成する。ミラー５は基
本波光７を全反射し、ミラー６は、基本波光７及び第２
次高調波１１を全反射する。基本波光７は、ブリュース
タ板等の偏光方向選択素子１３により、直線偏光にて発
振する。波長変換する非線形光学結晶にはＬＢＯ結晶を
使用し、共振器内部に配設する。ＬＢＯ結晶の位置は全
反射ミラー６側とし、第２次高調波発生用ＬＢＯ２、第
３次高調波発生用ＬＢＯ３、第４次高調波発生用ＬＢＯ
４の順に配置する。夫々のＬＢＯ結晶４、３、２には、
ペルチエ素子等の温度制御装置３５、３６、３７を付
け、結晶温度を一定に制御し、位相整合許容角を安定さ
せ使用する。共振器内部に設けた波長選択素子９によ
り、第４次高調波光８を共振器外部に出射する。また、
波長選択素子１０により、第２次高調波光１１、第３次
高調波光１２を共振器外部に出射する。
ＬＦ、Ｎｄ：ＹＶ０４のいずれかを使用する。共振器
は、全反射ミラー５、６により構成する。ミラー５は基
本波光７を全反射し、ミラー６は、基本波光７及び第２
次高調波１１を全反射する。基本波光７は、ブリュース
タ板等の偏光方向選択素子１３により、直線偏光にて発
振する。波長変換する非線形光学結晶にはＬＢＯ結晶を
使用し、共振器内部に配設する。ＬＢＯ結晶の位置は全
反射ミラー６側とし、第２次高調波発生用ＬＢＯ２、第
３次高調波発生用ＬＢＯ３、第４次高調波発生用ＬＢＯ
４の順に配置する。夫々のＬＢＯ結晶４、３、２には、
ペルチエ素子等の温度制御装置３５、３６、３７を付
け、結晶温度を一定に制御し、位相整合許容角を安定さ
せ使用する。共振器内部に設けた波長選択素子９によ
り、第４次高調波光８を共振器外部に出射する。また、
波長選択素子１０により、第２次高調波光１１、第３次
高調波光１２を共振器外部に出射する。
【００１６】次に、本発明の変換過程について説明す
る。
る。
【００１７】図２は、共振器内部におけるＬＢＯ結晶の
各波長偏光方向及び高調波発生過程を示す図である。た
だし、結晶内でのビームの発生位置は、図でわかりやす
いように仮想的に示している。なお、共振器内部に閉じ
こめた基本波光１５が偏光方向１４の場合について説明
する。偏光方向１４は紙面に垂直を示す。
各波長偏光方向及び高調波発生過程を示す図である。た
だし、結晶内でのビームの発生位置は、図でわかりやす
いように仮想的に示している。なお、共振器内部に閉じ
こめた基本波光１５が偏光方向１４の場合について説明
する。偏光方向１４は紙面に垂直を示す。
【００１８】まず、基本波光１５は他の波長が存在しな
いため、ＬＢＯ４、３では位相整合条件が成り立たず透
過する。ＬＢＯ２はタイプＩ位相整合で切り出し角をφ
＝０゜、θ＝４８゜にカットしてあり、入射した基本波
光１５から第２次高調波光１７に一部波長変換される。
第２次高調波光１７の偏光方向は紙面と平行１９とな
る。又、ミラー６で反射した基本波光１６の偏光方向は
紙面と垂直である。共振器の全反射ミラー６により基本
波光１５、第２次高調波光１７は全反射し、再度ＬＢＯ
２に入射され波長変換される。従って、ＬＢＯ２での波
長変換は２回となり、結晶長が短くても基本波光１５か
ら高効率にて第２次高調波光１８を発生する。
いため、ＬＢＯ４、３では位相整合条件が成り立たず透
過する。ＬＢＯ２はタイプＩ位相整合で切り出し角をφ
＝０゜、θ＝４８゜にカットしてあり、入射した基本波
光１５から第２次高調波光１７に一部波長変換される。
第２次高調波光１７の偏光方向は紙面と平行１９とな
る。又、ミラー６で反射した基本波光１６の偏光方向は
紙面と垂直である。共振器の全反射ミラー６により基本
波光１５、第２次高調波光１７は全反射し、再度ＬＢＯ
２に入射され波長変換される。従って、ＬＢＯ２での波
長変換は２回となり、結晶長が短くても基本波光１５か
ら高効率にて第２次高調波光１８を発生する。
【００１９】次に、ＬＢＯ３はタイプＩＩ位相整合で切
り出し角をφ＝３７．８゜、θ＝９０゜にカットしてあ
り、入射する基本波光２３と第２次高調波光２０から第
３次高調波光２２へ一部波長変換される。第３次高調波
光２２の偏光方向は紙面と垂直２１となる。ＬＢＯ４は
タイプＩ位相整合で切り出し角をφ＝６０．７゜、θ＝
９０゜にカットしてあり、入射する基本波光２４と第３
次高調波光２５から第４次高調波光２６へ波長変換され
る。第４次高調波光２６の偏光方向は紙面に平行２７と
なる。
り出し角をφ＝３７．８゜、θ＝９０゜にカットしてあ
り、入射する基本波光２３と第２次高調波光２０から第
３次高調波光２２へ一部波長変換される。第３次高調波
光２２の偏光方向は紙面と垂直２１となる。ＬＢＯ４は
タイプＩ位相整合で切り出し角をφ＝６０．７゜、θ＝
９０゜にカットしてあり、入射する基本波光２４と第３
次高調波光２５から第４次高調波光２６へ波長変換され
る。第４次高調波光２６の偏光方向は紙面に平行２７と
なる。
【００２０】基本波共振器内部にＬＢＯ結晶を３つ配置
し、第４次高調波８を発生する本発明では、高ビーム品
質で真円率が良い状態で変換効率を上げることができ
る。真円率が良い理由は、ＢＢＯに比べＬＢＯでは、切
りだし角φ、θの位相整合許容角の差が小さい点と共振
器内部に配置するため、基本波光の伝搬モードがＬＢＯ
結晶内で平行光に近い条件で透過し、波長変換するため
である。
し、第４次高調波８を発生する本発明では、高ビーム品
質で真円率が良い状態で変換効率を上げることができ
る。真円率が良い理由は、ＢＢＯに比べＬＢＯでは、切
りだし角φ、θの位相整合許容角の差が小さい点と共振
器内部に配置するため、基本波光の伝搬モードがＬＢＯ
結晶内で平行光に近い条件で透過し、波長変換するため
である。
【００２１】又、変換効率が上げられる理由は、共振器
外部方式のようにビーム断面積を小さくして変換効率を
上げるのではなく、共振器内の基本波ピーク強度が高い
点を利用し、波長変換するためである。
外部方式のようにビーム断面積を小さくして変換効率を
上げるのではなく、共振器内の基本波ピーク強度が高い
点を利用し、波長変換するためである。
【００２２】ＢＢＯよりＬＢＯ結晶では、長寿命化が可
能であり、長期間安定して第４次高調波光が得られる。
その理由は、ＬＢＯ結晶の紫外透過カットオフ波長の方
が、より短波長であり、第４次高調波付近での吸収係数
も１桁程低いため、発熱量が小さいためである。第４次
高調波位相整合条件での温度許容度は、ＢＢＯが４．５
℃、ＬＢＯが３．８℃とＬＢＯの方が狭いため熱影響は
大きいが、発熱量が小さい点とペルチエ素子等の温度制
御装置により、安定に動作する。
能であり、長期間安定して第４次高調波光が得られる。
その理由は、ＬＢＯ結晶の紫外透過カットオフ波長の方
が、より短波長であり、第４次高調波付近での吸収係数
も１桁程低いため、発熱量が小さいためである。第４次
高調波位相整合条件での温度許容度は、ＢＢＯが４．５
℃、ＬＢＯが３．８℃とＬＢＯの方が狭いため熱影響は
大きいが、発熱量が小さい点とペルチエ素子等の温度制
御装置により、安定に動作する。
【００２３】なお、基本波発振器の偏光方向を決める偏
光選択素子１３の種類は問わない。また、偏光方向が結
晶自身で決まっているレーザ媒質では使用する必要はな
い。
光選択素子１３の種類は問わない。また、偏光方向が結
晶自身で決まっているレーザ媒質では使用する必要はな
い。
【００２４】更に、波長選択素子は誘電体多層膜ミラー
及び角度分散を利用するプリズムなど種類は問わない。
及び角度分散を利用するプリズムなど種類は問わない。
【００２５】Ｑスイッチパルス発振させる装置では、Ａ
ＯまたはＥＯ素子を共振器内に配置しても同様の効果が
得られる。
ＯまたはＥＯ素子を共振器内に配置しても同様の効果が
得られる。
【００２６】連続発振の第４次高調波レーザでは、リン
グ共振器等の構成においても同様の効果が得られる。通
常、連続発振では圧電素子等によりフィードバック制御
し共振器長を安定化させ、高調波の位相を合わせる必要
があるが、各ＬＢＯ結晶に入射する波長の位相を合わせ
れば、同様の効果が得られる。
グ共振器等の構成においても同様の効果が得られる。通
常、連続発振では圧電素子等によりフィードバック制御
し共振器長を安定化させ、高調波の位相を合わせる必要
があるが、各ＬＢＯ結晶に入射する波長の位相を合わせ
れば、同様の効果が得られる。
【００２７】
【発明の効果】本発明に係わるレーザ光の波長変換装置
とその変換方法は、上述のように構成したので、高いビ
ーム品質で、しかも、高い変換効率を得ることが出来
る。
とその変換方法は、上述のように構成したので、高いビ
ーム品質で、しかも、高い変換効率を得ることが出来
る。
【図１】本発明に係わるレーザ光の波長変換装置の構成
を示す図である。
を示す図である。
【図２】本発明の高調波の発生過程を説明する図であ
る。
る。
【図３】従来の波長変換装置の構成を示す図である。
１ レーザ媒質 ２、３、４ ＬＢＯ ５、６ 全反射ミラー ７ 基本波光 ８、２６ 第４高調波 ９、１０ 波長選択素子 １１、１７、１８、２０ 第２高調波 １２、２２、２５ 第３高調波 １３ 偏光方向選択素子 １５、１６、２３、２４ 基本波光 ３５〜３７ 温度制御装置
Claims (6)
- 【請求項１】 レーザ光の波長変換装置であって、 レーザ媒質と一対の全反射ミラーと偏光方向選択素子と
を備えた共振器内部に非線形光学結晶を配設し、第４高
調波を発生せしめることを特徴とするレーザ光の波長変
換装置。 - 【請求項２】 前記非線形光学結晶は、第２高調波発生
用の第１の非線形光学結晶と、第３高調波発生用の第２
の非線形光学結晶と、第４高調波発生用の第３の非線形
光学結晶とで構成したことを特徴とする請求項１記載の
レーザ光の波長変換装置。 - 【請求項３】 第２高調波発生用の前記第１の非線形光
学結晶に隣接して前記全反射ミラーの一方の反射ミラー
が設けられていることを特徴とする請求項２記載のレー
ザ光の波長変換装置。 - 【請求項４】 前記夫々の非線形光学結晶は温度制御装
置で結晶温度を一定に制御し、位相整合許容角を安定さ
せるように構成したことを特徴とする請求項２又は３記
載のレーザ光の波長変換装置。 - 【請求項５】 前記非線形光学結晶は、ＬＢＯ結晶（Ｌ
ｉＢ３Ｏ５）であることを特徴とする請求項１乃至４の
何れかに記載のレーザ光の波長変換装置。 - 【請求項６】 レーザ光の波長変換方法であって、共振
器内に第２高調波発生用の第１の非線形光学結晶と、第
３高調波発生用の第２の非線形光学結晶と、第４高調波
発生用の第３の非線形光学結晶とを配設し、基本波光を
第２高調波発生用の前記第１の非線形光学結晶に入射さ
せることで第２高調波を発生させると共に、この第２高
調波と前記第１の非線形光学結晶を通過した基本波光と
を全反射ミラーで反射して再び前記第１の非線形光学結
晶に入射せしめ、更に、前記第１の非線形光学結晶を通
過した基本波光と前記第１の非線形光学結晶で発生した
第２高調波とを前記第２の非線形光学結晶に入射せしめ
て第３高調波を発生させ、更に、基本波光と前記第３高
調波とを前記第３の非線形光学結晶に入射せしめて第４
高調波を発生させることを特徴とするレーザ光の波長変
換方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11145464A JP2000338530A (ja) | 1999-05-25 | 1999-05-25 | レーザ光の波長変換装置とその変換方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11145464A JP2000338530A (ja) | 1999-05-25 | 1999-05-25 | レーザ光の波長変換装置とその変換方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000338530A true JP2000338530A (ja) | 2000-12-08 |
Family
ID=15385854
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11145464A Pending JP2000338530A (ja) | 1999-05-25 | 1999-05-25 | レーザ光の波長変換装置とその変換方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000338530A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102007002472A1 (de) | 2007-01-11 | 2008-07-17 | Lpkf Laser & Electronics Ag | Mehrkanaliger Laser |
| DE102008025588A1 (de) | 2008-05-28 | 2009-12-10 | Lpkf Laser & Electronics Ag | Intracavity frequenzverdreifachter Laser |
| DE102010017513A1 (de) | 2010-06-22 | 2011-12-22 | Lpkf Laser & Electronics Ag | Festkörperlaser mit umschaltbaren Wellenlängen |
| WO2012065149A2 (en) * | 2010-11-14 | 2012-05-18 | Kla-Tencor Corporation | High damage threshold frequency conversion system |
| JP2012522375A (ja) * | 2009-03-27 | 2012-09-20 | エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド | 再利用した中間高調波を用いた共振器内高調波発生 |
| JP2017219870A (ja) * | 2013-06-11 | 2017-12-14 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 安定性が向上されたｃｗ ｄｕｖレーザー |
-
1999
- 1999-05-25 JP JP11145464A patent/JP2000338530A/ja active Pending
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| WO2012065149A3 (en) * | 2010-11-14 | 2012-08-16 | Kla-Tencor Corporation | High damage threshold frequency conversion system |
| US8711470B2 (en) | 2010-11-14 | 2014-04-29 | Kla-Tencor Corporation | High damage threshold frequency conversion system |
| US9152008B1 (en) | 2010-11-14 | 2015-10-06 | Kla-Tencor Corporation | High damage threshold frequency conversion system |
| US9753352B1 (en) | 2010-11-14 | 2017-09-05 | Kla-Tencor Corporation | High damage threshold frequency conversion system |
| JP2017219870A (ja) * | 2013-06-11 | 2017-12-14 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 安定性が向上されたｃｗ ｄｕｖレーザー |
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