JP4851117B2 - 半導体装置及びその駆動方法 - Google Patents
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- p型の不純物が導入された半導体からなるp型領域と、
n型の不純物が導入された半導体からなるn型領域と、
第1方向で前記p型領域と前記n型領域とに挾まれて配置された半導体からなるチャネル領域と、
前記チャネル領域の前記第1方向に垂直な第2方向の側に配置されたゲート電極と、
前記チャネル領域を構成する半導体よりもバンドギャップの広い半導体から構成されて前記ゲート電極と前記チャネル領域との間に配置されたゲート絶縁層と、
前記チャネル領域の前記ゲート電極の側の界面より30nmの範囲に導入された既知の個数の不純物原子と
を少なくとも備え、
前記不純物原子は、イオン化エネルギーが0.1eV以上であり、前記チャネル領域の中に不純物準位を形成し、前記不純物原子が単電子島として機能する
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
1個の前記不純物原子が前記チャネル領域に導入されている
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1または2記載の半導体装置において、
前記チャネル領域はシリコンから構成され、
前記不純物原子は、インジウム及びタリウムの少なくとも1つである
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体装置において、
前記チャネル領域の前記ゲート電極と反対の側に前記ゲート電極と対向して配置された他のゲート電極と
前記チャネル領域を構成する半導体よりもバンドギャップの広い半導体から構成されて前記他のゲート電極と前記チャネル領域との間に配置された他のゲート絶縁層と
を備え、
前記ゲート電極と前記他のゲート電極とに挟まれた領域の前記チャネル領域の層厚は、高々60nmに形成されている
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体装置の駆動方法であって、
前記ゲート電極に、
前記n型領域より供給される電子による電子チャネルが形成されるしきい値以上の第1ゲート電圧と、
前記p型領域より供給される正孔による正孔チャネルが形成されるしきい値以下の第2ゲート電圧と
を交互に印加する
ことを特徴とする半導体装置の駆動方法。 - 請求項4記載の半導体装置の駆動方法であって、
前記チャネル領域の前記ゲート電極側と前記他のゲート電極側との2つの界面における電位差が、前記チャネル領域を構成する半導体のバンドギャップを越えないようにする第1ゲート電圧を前記他のゲート電極に印加し、
前記他のゲート電極に前記第1ゲート電圧が印加されている状態で、
前記ゲート電極に、
前記n型領域より供給される電子による電子チャネルが形成されるしきい値以上の第2ゲート電圧と、
前記p型領域より供給される正孔による正孔チャネルが形成されるしきい値以下の第3ゲート電圧と
を交互に印加する
ことを特徴とする半導体装置の駆動方法。
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