JP6133221B2 - 単一電荷転送素子 - Google Patents
単一電荷転送素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6133221B2 JP6133221B2 JP2014027269A JP2014027269A JP6133221B2 JP 6133221 B2 JP6133221 B2 JP 6133221B2 JP 2014027269 A JP2014027269 A JP 2014027269A JP 2014027269 A JP2014027269 A JP 2014027269A JP 6133221 B2 JP6133221 B2 JP 6133221B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gate
- channel
- region
- single charge
- trap level
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Description
Claims (1)
- p型ないしはn型の不純物が導入された半導体からなるソース領域と、
前記ソース領域と同じ導電型の不純物が導入された半導体からなるドレイン領域と、
前記ソース領域と前記ドレイン領域とに挾まれて配置されて前記ソース領域および前記ドレイン領域の配置方向に延在し、アンドープの半導体から構成されたチャネルと、
前記チャネルにキャリアを生成させるキャリア生成手段と、
前記チャネルの延在方向と交差して互いに離間し、前記ソース領域の側に配置された第1ゲートおよび前記ドレイン領域の側に配置された第2ゲートと、
前記第1ゲートの前記チャネルの延在方向の中央部と、前記第1ゲートおよび前記第2ゲートの中間との間の前記チャネルに設けられた電荷捕捉領域に導入されたトラップ準位または不純物準位と
を備え、
前記電荷捕捉領域以外の前記第1ゲートと前記チャネルとが重なる領域、および前記第2ゲートと前記チャネルとが重なる領域には、トラップ準位または不純物準位が導入されていないことを特徴とする単一電荷転送素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014027269A JP6133221B2 (ja) | 2014-02-17 | 2014-02-17 | 単一電荷転送素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014027269A JP6133221B2 (ja) | 2014-02-17 | 2014-02-17 | 単一電荷転送素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015153926A JP2015153926A (ja) | 2015-08-24 |
JP6133221B2 true JP6133221B2 (ja) | 2017-05-24 |
Family
ID=53895881
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014027269A Active JP6133221B2 (ja) | 2014-02-17 | 2014-02-17 | 単一電荷転送素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6133221B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101960809B1 (ko) * | 2018-01-12 | 2019-03-21 | 한국표준과학연구원 | 단전자 펌프를 포함하는 반도체 소자 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4181350B2 (ja) * | 2002-07-24 | 2008-11-12 | 日本電信電話株式会社 | シリコン単電子ポンプとその駆動方法 |
JP5688751B2 (ja) * | 2010-06-22 | 2015-03-25 | 日本電信電話株式会社 | 半導体装置 |
JP5841013B2 (ja) * | 2012-06-20 | 2016-01-06 | 日本電信電話株式会社 | 半導体装置 |
-
2014
- 2014-02-17 JP JP2014027269A patent/JP6133221B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2015153926A (ja) | 2015-08-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Appenzeller et al. | Toward nanowire electronics | |
JP6671371B2 (ja) | トンネル電界効果トランジスタ及びその製造方法 | |
JP2015144295A (ja) | 金属トランジスターデバイス | |
JP2008311643A (ja) | アンバイポーラ物質を利用した電界効果トランジスタ及び論理回路 | |
US20070114593A1 (en) | Transistor for non volatile memory devices having a carbon nanotube channel and electrically floating quantum dots in its gate dielectric | |
JP5513955B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
US8742400B2 (en) | Graphene switching device including tunable barrier | |
KR20150016769A (ko) | 터널링 전계 효과 트렌지스터 및 그의 제조 방법 | |
TW201622159A (zh) | 穿隧式場效電晶體及製造此種電晶體之方法 | |
US20170200833A1 (en) | Three dimensional vertically structured misfet/mesfet | |
Finge et al. | Investigations on Field‐Effect Transistors Based on Two‐Dimensional Materials | |
Oh et al. | Inhibiting Klein Tunneling in a Graphene p-n Junction without an External Magnetic Field | |
Riederer et al. | Alternatives for Doping in Nanoscale Field‐Effect Transistors | |
JP5841013B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6133221B2 (ja) | 単一電荷転送素子 | |
KR102103603B1 (ko) | 에너지-필터링된 냉전자 디바이스 및 방법 | |
JPH0480964A (ja) | 半導体装置 | |
US9425329B2 (en) | Rectifying device and method for manufacturing the same | |
CN103928342B (zh) | 一种硅纳米线隧穿场效应晶体管及其制作方法 | |
Ullah et al. | Near-thermal limit gating in heavily doped III-V semiconductor nanowires using polymer electrolytes | |
Guo et al. | Junctionless Π‐gate transistor with indium gallium arsenide channel | |
JP4851117B2 (ja) | 半導体装置及びその駆動方法 | |
TWI715170B (zh) | 半導體結構與電路 | |
Clapera et al. | Design and operation of CMOS-compatible electron pumps fabricated with optical lithography | |
CN109119474B (zh) | 常关型场效应晶体管 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160108 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170131 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170227 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170418 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170419 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6133221 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |