JP4837697B2 - 電子材料用Cu−Ni−Si−Co系銅合金及びその製造方法 - Google Patents
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また、溶体化処理において加熱後の冷却速度を意識的に高くすると、Cu−Ni−Si系銅合金の強度向上効果は更に発揮されることから、冷却速度を毎秒約10℃以上として冷却するのが効果的であることが記載されている。
そこで、本発明は強度及び導電性に加えて、ばね限界値及び応力緩和特性にも優れた電子材料用のCu−Ni−Si−Co系合金を提供することを課題の一つとする。また、本発明はそのようなCu−Ni−Si−Co系合金の製造方法を提供することを別の課題の一つとする。
−所望の組成をもつインゴットを溶解鋳造する工程1と、
−950℃以上1050℃以下で1時間以上加熱後に熱間圧延を行い、熱間圧延終了時の温度を850℃以上とし、850℃から400℃までの平均冷却速度を15℃/s以上として冷却する工程2と、
−冷間圧延工程3と、
−850℃以上1050℃以下で溶体化処理を行い、材料温度が650℃に低下するまでの平均冷却速度を1℃/s以上15℃/s未満として冷却し、650℃から400℃まで低下するときの平均冷却速度を15℃/s以上として冷却する工程4と、
−425℃以上475℃未満で1〜24時間行う第一の時効処理工程5と、
−冷間圧延工程6と、
−100℃以上350℃未満で1〜48時間行う第二の時効処理工程7と、
を順に行なうことを含む上記の銅合金の製造方法である。
Ni、Co及びSiは、適当な熱処理を施すことにより金属間化合物を形成し、導電率を劣化させずに高強度化が図れる。
Ni、Co及びSiの添加量がそれぞれNi:1.0質量%未満、Co:0.5質量%未満、Si:0.3質量%未満では所望の強度が得られず、逆に、Ni:2.5質量%超、Co:2.5質量%超、Si:1.2質量%超では高強度化は図れるが導電率が著しく低下し、更には熱間加工性が劣化する。よってNi、Co及びSiの添加量はNi:1.0〜2.5質量%、Co:0.5〜2.5質量%、Si:0.3〜1.2質量%とした。Ni、Co及びSiの添加量は好ましくは、Ni:1.5〜2.0質量%、Co:0.5〜2.0質量%、Si:0.5〜1.0質量%である。
Crは溶解鋳造時の冷却過程において結晶粒界に優先析出するため粒界を強化でき、熱間加工時の割れが発生しにくくなり、歩留低下を抑制できる。すなわち、溶解鋳造時に粒界析出したCrは溶体化処理などで再固溶するが、続く時効析出時にCrを主成分としたbcc構造の析出粒子またはSiとの化合物を生成する。通常のCu−Ni−Si系合金では添加したSi量のうち、時効析出に寄与しなかったSiは母相に固溶したまま導電率の上昇を抑制するが、珪化物形成元素であるCrを添加して、珪化物をさらに析出させることにより、固溶Si量を低減でき、強度を損なわずに導電率を上昇できる。しかしながら、Cr濃度が0.5質量%を超えると粗大な第二相粒子を形成しやすくなるため、製品特性を損なう。従って、本発明に係るCu−Ni−Si−Co系合金には、Crを最大で0.5質量%添加することができる。但し、0.03質量%未満ではその効果が小さいので、好ましくは0.03〜0.5質量%、より好ましくは0.09〜0.3質量%添加するのがよい。
Mg、Mn、Ag及びPは、微量の添加で、導電率を損なわずに強度、応力緩和特性等の製品特性を改善する。添加の効果は主に母相への固溶により発揮されるが、第二相粒子に含有されることで一層の効果を発揮させることもできる。しかしながら、Mg、Mn、Ag及びPの濃度の総計が0.5%を超えると特性改善効果が飽和するうえ、製造性を損なう。従って、本発明に係るCu−Ni−Si−Co系合金には、Mg、Mn、Ag及びPから選択される1種又は2種以上を総計で最大0.5質量%添加することができる。但し、0.01質量%未満ではその効果が小さいので、好ましくは総計で0.01〜0.5質量%、より好ましくは総計で0.04〜0.2質量%添加するのがよい。
Sn及びZnにおいても、微量の添加で、導電率を損なわずに強度、応力緩和特性、めっき性等の製品特性を改善する。添加の効果は主に母相への固溶により発揮される。しかしながら、Sn及びZnの総計が2.0質量%を超えると特性改善効果が飽和するうえ、製造性を損なう。従って、本発明に係るCu−Ni−Si−Co系合金には、Sn及びZnから選択される1種又は2種を総計で最大2.0質量%添加することができる。但し、0.05質量%未満ではその効果が小さいので、好ましくは総計で0.05〜2.0質量%、より好ましくは総計で0.5〜1.0質量%添加するのがよい。
As、Sb、Be、B、Ti、Zr、Al及びFeにおいても、要求される製品特性に応じて、添加量を調整することで、導電率、強度、応力緩和特性、めっき性等の製品特性を改善する。添加の効果は主に母相への固溶により発揮されるが、第二相粒子に含有され、若しくは新たな組成の第二相粒子を形成することで一層の効果を発揮させることもできる。しかしながら、これらの元素の総計が2.0質量%を超えると特性改善効果が飽和するうえ、製造性を損なう。従って、本発明に係るCu−Ni−Si−Co系合金には、As、Sb、Be、B、Ti、Zr、Al及びFeから選択される1種又は2種以上を総計で最大2.0質量%添加することができる。但し、0.001質量%未満ではその効果が小さいので、好ましくは総計で0.001〜2.0質量%、より好ましくは総計で0.05〜1.0質量%添加するのがよい。
本発明において、第二相粒子とは主にシリサイドを指すが、これに限られるものではなく、溶解鋳造の凝固過程に生ずる晶出物及びその後の冷却過程で生ずる析出物、熱間圧延後の冷却過程で生ずる析出物、溶体化処理後の冷却過程で生ずる析出物、及び時効処理過程で生ずる析出物のことを言う。
粒径が0.1μm以上1μm以下の第二相粒子の個数密度はFE−EPMAやFE−SEMなどの高倍率(例えば3000倍)で粒子を観察できる電子顕微鏡と画像解析ソフトの併用により観察可能であり、個数や粒径の測定が可能である。供試材の調整は、本発明組成で析出する粒子が溶解しないような一般的な電解研磨条件に従って母相をエッチングし、第二相粒子を現出させればよい。観察面は供試材の圧延面、断面の指定はない。
粒径が1μmを超える第二相粒子の個数密度については電子顕微鏡の倍率を1000倍程度に変更して上と同様に測定すればよい。
コルソン系銅合金の一般的な製造プロセスでは、まず大気溶解炉を用い、電気銅、Ni、Si、Co等の原料を溶解し、所望の組成の溶湯を得る。そして、この溶湯をインゴットに鋳造する。その後、熱間圧延を行い、冷間圧延と熱処理を繰り返して、所望の厚み及び特性を有する条や箔に仕上げる。熱処理には溶体化処理と時効処理がある。溶体化処理では、約700〜約1000℃の高温で加熱して、第二相粒子をCu母地中に固溶させ、同時にCu母地を再結晶させる。溶体化処理を、熱間圧延で兼ねることもある。時効処理では、約350〜約550℃の温度範囲で1時間以上加熱し、溶体化処理で固溶させた第二相粒子をナノメートルオーダーの微細粒子として析出させる。この時効処理で強度と導電率が上昇する。より高い強度を得るために、時効前及び/又は時効後に冷間圧延を行なうことがある。また、時効後に冷間圧延を行なう場合には、冷間圧延後に歪取焼鈍(低温焼鈍)を行なうことがある。
上記各工程の合間には適宜、表面の酸化スケール除去のための研削、研磨、ショットブラスト酸洗等が適宜行なわれる。
まず、第1の時効処理では析出物の微細化に有用であるとして慣用的に行われている条件よりも若干低い温度を選択し、微細な第二相粒子の析出を促しながら、溶体化で析出した析出物の粗大化を防止する。第1の時効処理の条件の一例を挙げると、425℃以上475℃未満の温度範囲で1〜24時間であり、より好ましくは440以上460℃以下の温度範囲で1〜24時間である。
よって、第2の時効処理でばね限界値と導電率を高めることが重要である。第2の時効温度を高く設定すると、ばね限界値と導電率は上昇するが、温度条件が高すぎた場合には、すでに析出している0.1μm以上、1μm以下の粒子が粗大化して、過時効状態となり、強度が低下する。よって第2の時効処理では、導電率とばね限界値の回復を図るために通常行われている条件よりも低い温度で長時間保持することに留意する。これはCoを含有した合金系の析出速度の抑制と転位の再配列の効果を共に高めるためである。第2の時効処理の条件の一例を挙げると、100℃以上350℃未満の温度範囲で1〜48時間であり、より好ましくは200℃以上300℃以下の温度範囲で1〜12時間である。
表1に記載の成分組成(組成番号1)の銅合金を、高周波溶解炉で1300℃で溶製し、厚さ30mmのインゴットに鋳造した。次いで、このインゴットを1000℃で3時間加熱後、上り温度(熱間圧延終了温度)を900℃として板厚10mmまで熱間圧延し、熱間圧延終了後は速やかに各冷却速度で400℃まで冷却し、その際850℃から400℃までの平均冷却速度を適宜変えた。その後は空気中に放置して冷却した。次いで、表面のスケール除去のため厚さ9mmまで面削を施した後、冷間圧延により厚さ0.15mmの板とした。次に各温度で溶体化処理を120秒行い、これを直ちに400℃まで冷却し、その際850℃から650℃まで及び650℃から400℃までの平均冷却速度を適宜変えた。その後は空気中に放置して冷却した。次いで、不活性雰囲気中、各温度で3時間かけて第一の時効処理を施し、0.08mmまで冷間圧延し、最後に、不活性雰囲気中、各温度で3時間かけて第二の時効処理をして、各試験片を製造した。
粒径0.1μm以上1μm以下の第二相粒子を観察するときは、FE−EPMA(電解放射型EPMA:日本電子(株)製JXA−8500F)により、加速電圧を5〜10kV、試料電流を2×10-8〜10-10A、分光結晶はLDE、TAP、PET、LIFを使用して、観察倍率3000倍(観察視野30μm×30μm)で任意の10箇所に分散する粒径0.1〜1μmの第二相粒子全てを観察および分析し、析出物の個数を数え、1mm2当たりの個数を算出した。
粒径1μm超の第二相粒子を観察するときも同様の手法で観察倍率を1000倍として観察、分析、計数を実施した。
第2相粒子の個数密度が適切であったため、強度、導電率、ばね特性及び応力緩和特性が共に優れていた。
<比較例1>
溶体化処理における850℃から650℃までの冷却速度が高すぎ、また、第1時効及び第2時効における温度も低かったため、ばね特性及び応力緩和特性に有用な粒径0.1〜1μmの第2相粒子が十分に発達しなかった。また、添加元素が固溶している割合が高くなり、導電率も低かった。
<比較例2〜6>
溶体化処理後の2段階冷却における何れかの速度が低かったため、第2相粒子が粗大化し、粒径0.1〜1μmの第2相粒子の数が減った。その結果、十分なばね限界値及び応力緩和特性を得ることができなかった。
<比較例7、8、19、20>
第2時効における温度が高かったため、第2相粒子が粗大化し、粒径0.1〜1μmの第2相粒子の数が減った。その結果、十分なばね限界値及び応力緩和特性を得ることができなかった。
<比較例9、10、21、22>
第2時効における温度が高かった。ばね特性及び応力緩和特性に有用な粒径0.1〜1μmの第2相粒子は発達したものの、それが過剰であったため、強度に寄与すべき粒径0.1μm未満の第2相粒子が減少し、強度が低下した。
<比較例11、12、23、24>
熱間圧延後の冷却速度が低かったため、粒径1μmを超える粗大な第2相粒子の数が増大した。その結果、強度に寄与する粒径0.1μm未満の第2相粒子も、ばね特性及び応力緩和特性に寄与する粒径0.1〜1μmの第2相粒子も数が減少した。
表3に記載の各種成分組成の銅合金を、高周波溶解炉で1300℃で溶製し、厚さ30mmのインゴットに鋳造した。次いで、このインゴットを1000℃で3時間加熱後、上り温度(熱間圧延終了温度)900℃として板厚10mmまで熱間圧延し、熱間圧延終了後は速やかに850℃から400℃までの平均冷却速度を18℃/sとして400℃まで冷却し、その後は空気中に放置して冷却した。次いで、表面のスケール除去のため厚さ9mmまで面削を施した後、冷間圧延により厚さ0.15mmの板とした。次に950℃で溶体化処理を120秒行い、直ちに850から650℃までの平均冷却速度を12℃/sとし、650℃から400℃までの平均冷却速度を18℃/sとして冷却した。18℃/sの冷却速度で400℃まで冷却し、その後は空気中に放置して冷却した。次いで不活性雰囲気中、450℃で3時間かけて第一の時効処理を施し、0.08mmまで冷間圧延し、最後に、不活性雰囲気中、300℃で3時間の第二の時効処理をして、各試験片を製造した。
Claims (9)
- Ni:1.0〜2.5質量%、Co:0.5〜2.5質量%、Si:0.3〜1.2質量%を含有し、残部がCu及び不可避不純物からなる電子材料用銅合金であって、母相中に析出した第二相粒子のうち、粒径が0.1μm以上1μm以下のものの個数密度が1×106〜1×107個/mm2である電子材料用銅合金。
- 第二相粒子のうち、粒径が1μmを超えるものの個数密度が500個/mm2以下である請求項1に記載の電子材料用銅合金。
- 更にCrを最大0.5質量%含有する請求項1〜2の何れか一項に記載の電子材料用銅合金。
- 更にMg、Mn、Ag、及びPから選択される1種又は2種以上を総計で最大0.5質量%含有する請求項1〜3の何れか一項に記載の電子材料用銅合金。
- 更にSn及びZnから選択される1種又は2種を総計で最大2.0質量%含有する請求
項1〜4の何れか一項に記載の電子材料用銅合金。 - 更にAs、Sb、Be、B、Ti、Zr、Al及びFeから選択される1種又は2種以上を総計で最大2.0質量%含有する請求項1〜5の何れか一項に記載の電子材料用銅合金。
- −所望の組成をもつインゴットを溶解鋳造する工程1と、
−950℃以上1050℃以下で1時間以上加熱後に熱間圧延を行い、熱間圧延終了時の温度を850℃以上とし、材料温度が850℃から400℃まで低下するときの平均冷却速度を15℃/s以上として冷却する工程2と、
−冷間圧延工程3と、
−850℃以上1050℃以下で溶体化処理を行い、材料温度が650℃に低下するまでの平均冷却速度を1℃/s以上15℃/s未満として冷却し、650℃から400℃まで低下するときの平均冷却速度を15℃/s以上として冷却する工程4と、
−425℃以上475℃未満で1〜24時間行う第一の時効処理工程5と、
−冷間圧延工程6と、
−100℃以上350℃未満で1〜48時間行う第二の時効処理工程7と、
を順に行なうことを含む請求項1〜6の何れか一項に記載の電子材料用銅合金の製造方法。 - 請求項1〜6の何れか一項に記載の電子材料用銅合金からなる伸銅品。
- 請求項1〜6の何れか一項に記載の電子材料用銅合金を備えた電子部品。
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