JP2017179392A - Cu−Ni−Co−Si系銅合金及びその製造方法 - Google Patents
Cu−Ni−Co−Si系銅合金及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017179392A JP2017179392A JP2016063236A JP2016063236A JP2017179392A JP 2017179392 A JP2017179392 A JP 2017179392A JP 2016063236 A JP2016063236 A JP 2016063236A JP 2016063236 A JP2016063236 A JP 2016063236A JP 2017179392 A JP2017179392 A JP 2017179392A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mass
- copper alloy
- rolling
- ray diffraction
- based copper
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 34
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 7
- 229910020711 Co—Si Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 claims abstract description 24
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 claims abstract description 24
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 3
- 238000005097 cold rolling Methods 0.000 claims description 27
- 230000032683 aging Effects 0.000 claims description 21
- 230000035882 stress Effects 0.000 claims description 14
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 238000005098 hot rolling Methods 0.000 claims description 9
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 8
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 24
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 14
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 14
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 12
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 12
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 7
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 7
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000005482 strain hardening Methods 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 4
- 238000004881 precipitation hardening Methods 0.000 description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 238000000265 homogenisation Methods 0.000 description 3
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 229910017876 Cu—Ni—Si Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 239000011362 coarse particle Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000011856 silicon-based particle Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018098 Ni-Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018529 Ni—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 238000003483 aging Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008520 organization Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
Images
Abstract
Description
又、結晶粒内に存在する第2相粒子やせん断帯の数を規制したCu−Co−Si系銅合金が提案されている(特許文献2)。
又、(200)方位を発達させて曲げ加工性を向上させたCu−Co−Si系銅合金が提案されている(特許文献3)。
一方、各種端子、コネクタは繰り返し挿抜される場合があり、繰り返し荷重を受けてもバネ性を保って塑性変形しないことが要求される。この指標としては、ばね限界値があるが、特許文献2,3記載の技術は、ばね限界値については検討されていない。
なお、ばね限界値は、繰り返し荷重を受けたときの応力の限界値であり、一回の荷重下での強度である引張強さや耐力とは異なる指標である。
すなわち、本発明のCu−Ni−Co−Si系銅合金は、0.1〜1.0質量%のNi、0.5〜3.0質量%のCo、0.1〜1.5質量%のSiを含有し、質量割合で(Ni+Co)/Siが3〜5であり、残部が銅および不可避的不純物からなり、圧延面における(220)面のX線回折強度ピークの半価幅βが、微粉末銅(325mesh,水素気流中で300℃で1時間加熱してから使用)の(220)面のX線回折強度ピークの半価幅β0に対し、0.5≦β/β0<1.5を満たし、かつ、βのうち、前記X線回折強度ピークの回折角よりも高い回折角の側の幅をβRとし、前記X線回折強度ピークの回折角よりも低い回折角の側の幅をβLとしたとき、βR/βL≦1.5を満たし、JIS−Z2241に従い、圧延平行方向の0.2%耐力が680MPa以上、導電率が50%IACS以上である。
さらに、Fe、Mg、Sn、Zn、B、Cr、Zr、Ti、Al,Mn及びAgの群から選ばれる一種以上を合計で1.0質量%以下含有することが好ましい。
本発明の電子部品は、前記Cu−Ni−Co−Si系銅合金を備えてなる。
<Ni、Co及びSi>
本発明の実施形態に係るCu−Ni−Co−Si系銅合金は、0.1〜1.0質量%のNi、0.5〜3.0質量%のCo、0.1〜1.5質量%のSiを含有し、質量割合で(Ni+Co)/Siが3〜5であり、残部が銅および不可避的不純物からなる。
Ni、CoとSiは、時効処理を行うことによりNi、CoとSiが微細なNi2SiやCo2Siを主とした金属間化合物の析出粒子(第二相粒子)を形成し、合金の強度を著しく増加させる。また、時効処理でのNi2SiやCo2Siの析出に伴い、導電性が向上する。
好ましくは、0.2〜0.8質量%のNi、1.0〜2.5質量%のCo、0.3〜1.0質量%のSiとする。
好ましくは、上記割合が、3.5〜4.7である。
さらに、Fe、Mg、Sn、Zn、B、Cr、Zr、Ti、Al,Mn及びAgの群から選ばれる一種以上の添加元素を合計で1.0質量%以下含有することが好ましい。
これら添加元素は、合金強度及び耐熱性を改善する。上記添加元素の合計含有量が1.0%を越えると導電性が著しく低下することがある。上記添加元素の合計含有量の下限は特に規制されないが、0.01%程度とすると好ましい。
次に、銅合金の集合組織の規定について説明する。上述のように、(220)方位の集積度であるβ/β0は、材料を圧延した際の転位密度の指標であり、β/β0が高いほど転位密度が高くなって強度が向上するが、導電率や曲げ加工性に悪影響を与えることが判明した。
従って、圧延面における(220)面のX線回折強度ピークの半価幅βが、微粉末銅(325mesh,水素気流中で300℃で1時間加熱してから使用)の(220)面のX線回折強度ピークの半価幅β0に対し、0.5≦β/β0<1.5を満たすように集合組織を制御する。
β/β0が1.5以上であると、転位密度が高くなって導電率が50%IACS未満となったり、曲げ加工性が低下する。β/β0が0.5未満であると、転位密度が低くなり過ぎて強度が低下する。
好ましくは、β/β0が0.7〜1.3である。
ここで、βR/βLは、X線回折強度のピークの対称性を表す指標であり、βR/βLが1に近づくほど、ピークの対称性が高く、転位密度が高くなり過ぎずに強度、導電率、曲げ加工性を両立できる。よって、βR/βL≦1.5を満たすように集合組織を制御する。
βR/βLが1.5を超えると、ピークの対称性が低く、転位密度が高くなって導電率や曲げ加工性が低下する。
好ましくは、βR/βLが1.3以下である。
なお、一般にβR>βLとなる傾向にあり、βR/βLは通常、1を超える。
時効処理後の冷間圧延の加工度が高過ぎると、加工硬化によって転位密度が高くなり過ぎ、β/β0、及びβR/βLが上記した上限値を超える。
時効処理後の冷間圧延の加工度が低過ぎると、転位密度が低過ぎ、β/β0が上記した下限値未満となる。
又、冷間圧延時に後方張力を加えるにつれ、圧延荷重が減少し、減面率が増大して加工硬化が大きくなる傾向にある。従って、時効処理後の冷間圧延時に後方張力を加え過ぎると、加工硬化によって転位密度が大きくなり過ぎ、β/β0が上記した上限値を超える。
一方、後方張力が低過ぎると、転位密度が低過ぎて、β/β0が上記した下限値未満となる。
Ni濃度が1.0%を超えると、転位が組織に蓄積され易くなり、β/β0が1.5以上となり、βR/βLが1.5を超える。
上述のように、各種端子、コネクタは繰り返し挿抜される場合があり、繰り返し荷重を受けてもバネ性を保つよう、ばね限界値が高いことが好ましい。ばね限界値が350MPa未満であると、このバネ性を保つことが困難な場合がある。
時効処理後の冷間圧延時の後方張力が低過ぎると、材料が十分に加工硬化せず、ばね限界値が350MPa未満となる。
又、Co、Niの濃度がSiに対して相対的に多すぎても、転位が組織に蓄積され易くなり、ばね限界値が350MPa未満となる。
なお、300℃×30分程度の歪取焼鈍を行うことにより、ばね限界値が向上することが一般に知られているが(例えば、特許文献1の段落0052)、本発明の合金系では、上述の圧延加工度や後方張力の条件が不十分であると、歪取焼鈍を行ってもばね限界値が350MPa以上にならない。又、歪取焼鈍を過度(高温、又は長時間)行うと、ばね限界値が350MPa以上になるものの、圧延平行方向の0.2%耐力が650MPa未満となる。
インゴット鋳造時に生じた粗大な凝固偏析や晶出物を、均質化焼鈍でできるだけ母相に固溶させて小さくする(又は無くす)と、曲げ割れを防止できるので望ましい。均質化焼鈍は、例えば900〜1050℃で3〜24時間とすることができる。
熱間圧延は、元の厚さからの圧下率が90%までのパスを700℃以上で行うのが好ましい。熱間圧延の後、水冷にて室温まで急速に冷却させる。
熱間圧延後に冷間圧延を行う。圧延加工度を好ましくは70%以上、より好ましくは85%以上とする。
溶体化処理により、溶解鋳造時の晶出粒子や熱間圧延後の析出粒子を固溶させ、溶体化処理以降の時効硬化能を高めることができる。溶体化処理は、時効により析出する第二相粒子の組成の固溶限付近の温度になるよう、例えば900〜1050℃で30秒〜10分行う。溶体化処理温度が低すぎると熱間圧延後の析出粒子を十分に固溶させることができず、溶体化処理温度が高すぎると熱間圧延後の析出粒子が全て固溶してしまい、析出粒子による粒界のピン止め効果がなくなり、結晶粒が粗大化して強度が低下する。
また、第二相粒子の析出や再結晶粒の粗大化を防止する観点から、溶体化処理後の冷却速度はできるだけ高い方が好ましい。具体的には、材料温度が溶体化処理温度から400℃ まで低下するときの平均冷却速度を15℃/s以上とするのが好ましく、50℃/s以上とするのがより好ましい。冷却速度の上限は、200℃/s程度である。
時効処理を適切な条件で行うことで、適切な大きさの第二相粒子が均一に分布して析出し、所望の強度および導電率が得られる。具体的には、時効処理を425〜575℃で5〜25時間とすることが好ましく、450〜550℃で10〜20時間とすることがより好ましい。酸化被膜の発生を抑制するためにAr、N2、H2等の不活性雰囲気で時効処理を行うことが好ましい。
時効処理後に最終冷間圧延を行うことで、転位を導入し強度を向上させる。最終冷間圧延の加工度を好ましくは15〜40%、より好ましくは20〜35%とする。
加工度が15%未満であると、転位密度が低くなり過ぎ、β/β0が上記した下限値未満となって強度が低下する。
加工度が40%を超えると、上述のように加工硬化によって転位密度が高くなり過ぎ、β/β0、及びβR/βLが上記した上限値を超え、導電率および曲げ加工性が低下する。
最終冷間圧延時に後方張力を加えることで、圧延荷重が減少し、減面率が増大して加工硬化が大きくなる。冷間圧延時の後方張力を、好ましくは30〜120N/mm2、より好ましくは50〜100N/mm2とする。
後方張力が30N/mm2未満であると、転位密度が低くなり過ぎ、β/β0が上記した下限値未満となって、強度が低下すると共にばね限界値が350MPa未満となる。
後方張力が120N/mm2を超えると、上述のように加工硬化によって転位密度が高くなり過ぎ、β/β0、及びβR/βLが上記した上限値を超える。
なお、後方張力は、シングルスタンド冷間圧延機の入側の前方のペイオフリール(アンコイラ)により、コイルから板を巻き出すと共に、板を後方(板の進行方向と反対方向)に引張って板に張力を与えて生成する。これにより、圧延時の圧延荷重を低減させる。
加工歪を除去し、ばね限界値を確保するために歪取焼鈍を行うことが好ましい。歪取焼鈍は、250〜350℃で30〜80分行うことが好ましく、275〜325℃で40〜60分行うことがより好ましい。
歪取焼鈍の温度や時間が上記範囲を超えると、粗大粒子が析出して強度及び曲げ加工性が低下する場合がある。
電気銅を原料とし、大気溶解炉を用いて表1、表2に示す組成の銅合金を溶製し、溶湯温度を1300℃に調整した後、厚さ30mm×幅60mmのインゴットに鋳造した。このインゴットを、元の厚さからの圧下率が90%までのパスを980℃で熱間圧延を行った。熱間圧延後、すぐに室温まで散水による水冷を行った。
熱間圧延後の試料に冷間圧延を行った後、溶体化処理を950℃で行い、溶体化処理温度から400℃ まで低下するときの平均冷却速度を50℃/sとして冷却した。その後、時効処理(500℃で20時間)を行った。
その後、表1、表2に示す加工度及び後方張力で最終冷間圧延を行い、最後に表1、表2に示す条件で歪取焼鈍を行って試料を得た。
得られた試料の表面(圧延面)の(220)面のX線回折強度をそれぞれ測定し、そのチャートからβ、βR及びβLを求めた。同様にして、微粉末銅(325mesh(JIS Z8801、純度99.5%),水素気流中で300℃で1時間加熱してから使用)の(220)面のX線回折強度を測定し、そのチャートからβ0を求めた。
X線回折測定は、リガク製RINT2500を使用し、以下の条件とした。
ターゲット:Cu管球(グラファイトモノクロメータにてKα1線に単色化)
管電圧:40kV
管電流:40mA
走査速度:5°/min
サンプリング幅:0.02°
測定範囲(2θ):80〜100°
引張試験機により、JIS−Z2241に従い、JIS−13B号試験片につき、引張速度5mm/minで、圧延方向と平行な方向における0.2%耐力(YS)をそれぞれ測定した。
<導電率(EC:%IACS)>
JIS H 0505に基づいて4端子法により、25℃の導電率(%IACS)を測定した。
<ばね限界値>
JIS−H3130に規定されているモーメント式試験により、圧延方向と平行な方向が長い短冊状の試験片を片持ち式に保持し、永久たわみ量0.1mmを生じさせる曲げモーメントから表面最大応力を測定し、圧延方向と平行な方向のばね限界値とした。
幅10mm×長さ30mmの短冊状の試験片を作製し、W曲げ試験(JIS-H3130)によって行った。試験片採取方向は、BW(Badway、曲げ軸が圧延方向と同一方向)とし、曲げ半径/板厚t=0.5として曲げ部分の外面の亀裂の有無を目視判定し、以下の基準で評価した。評価が○であれば、曲げ加工性が良好である。
○:曲げ部分の外面の亀裂が見られない
×:曲げ部分の外面の亀裂が見られる
冷間圧延時に後方張力を加えなかった比較例2の場合、β/β0が上記した下限値未満となって、0.2%耐力が680MPa未満に低下すると共にばね限界値が350MPa未満となった。
歪取焼鈍の温度が350℃を超えた比較例3、及び歪取焼鈍の時間が80分を超えた比較例4の場合、0.2%耐力が680MPa未満に低下し、曲げ加工性が低下した。
(Ni+Co)/Siの比が3未満である比較例6の場合、時効処理でのNi2SiやCo2Siの析出が不十分になり、導電率が50%IACS未満に低下した。
添加元素の合計含有量が1.0質量%を超えた比較例7の場合、導電率が50%IACS未満に低下した。
Co濃度が0.5%未満である比較例9の場合、析出硬化が不十分となって0.2%耐力が680MPa未満に低下すると共にばね限界値が350MPa未満となった。
最終冷間圧延の加工度が40%を超えた比較例14の場合、β/β0、及びβR/βLが上限値を超え、導電率が50%IACS未満に低下し、曲げ加工性が低下した。
Niを含有しない比較例15の場合も0.2%耐力が680MPa未満に低下した。
Claims (6)
- 0.1〜1.0質量%のNi、0.5〜3.0質量%のCo、0.1〜1.5質量%のSiを含有し、質量割合で(Ni+Co)/Siが3〜5であり、残部が銅および不可避的不純物からなり、
圧延面における(220)面のX線回折強度ピークの半価幅βが、微粉末銅(325mesh,水素気流中で300℃で1時間加熱してから使用)の(220)面のX線回折強度ピークの半価幅β0に対し、0.5≦β/β0<1.5を満たし、
かつ、βのうち、前記X線回折強度ピークの回折角よりも高い回折角の側の幅をβRとし、前記X線回折強度ピークの回折角よりも低い回折角の側の幅をβLとしたとき、βR/βL≦1.5を満たし、
JIS−Z2241に従い、圧延平行方向の0.2%耐力が680MPa以上、導電率が50%IACS以上であるCu−Ni−Co−Si系銅合金。 - JIS−H3130に従い、繰り返し式たわみ試験による圧延平行方向のばね限界値が350〜600MPaである請求項1又は2記載のCu−Ni−Co−Si系銅合金。
- さらに、Fe、Mg、Sn、Zn、B、Cr、Zr、Ti、Al,Mn及びAgの群から選ばれる一種以上を合計で1.0質量%以下含有する請求項1〜2のいずれか記載のCu−Ni−Co−Si系銅合金。
- 0.1〜1.0質量%のNi、0.5〜3.0質量%のCo、0.1〜1.5質量%のSiを含有し、質量割合で(Ni+Co)/Siが3〜5であり、残部が銅および不可避的不純物からなるCu−Ni−Co−Si系銅合金のインゴットを熱間圧延後に、冷間圧延、溶体化処理、時効処理をこの順で行った後、
加工度15〜40%で、かつ30〜120N/mm2の後方張力を加えながらシングルスタンド圧延で最終冷間圧延を行うCu−Ni−Co−Si系銅合金の製造方法。 - 請求項1〜3のいずれか一項記載のCu−Ni−Co−Si系銅合金を加工して得られた伸銅品。
- 請求項1〜3のいずれか一項記載のCu−Ni−Co−Si系銅合金を備えた電子部品。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016063236A JP6804854B2 (ja) | 2016-03-28 | 2016-03-28 | Cu−Ni−Co−Si系銅合金及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016063236A JP6804854B2 (ja) | 2016-03-28 | 2016-03-28 | Cu−Ni−Co−Si系銅合金及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017179392A true JP2017179392A (ja) | 2017-10-05 |
JP6804854B2 JP6804854B2 (ja) | 2020-12-23 |
Family
ID=60005450
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016063236A Active JP6804854B2 (ja) | 2016-03-28 | 2016-03-28 | Cu−Ni−Co−Si系銅合金及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6804854B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115404377A (zh) * | 2021-05-27 | 2022-11-29 | 日本碍子株式会社 | 铜合金 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011017072A (ja) * | 2009-07-10 | 2011-01-27 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 銅合金材料 |
JP2011214088A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | 電子材料用Cu−Ni−Si−Co系銅合金及びその製造方法 |
JP2012229468A (ja) * | 2011-04-26 | 2012-11-22 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | 電子材料用Cu−Ni−Si−Co系銅合金 |
-
2016
- 2016-03-28 JP JP2016063236A patent/JP6804854B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011017072A (ja) * | 2009-07-10 | 2011-01-27 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 銅合金材料 |
JP2011214088A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | 電子材料用Cu−Ni−Si−Co系銅合金及びその製造方法 |
JP2012229468A (ja) * | 2011-04-26 | 2012-11-22 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | 電子材料用Cu−Ni−Si−Co系銅合金 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115404377A (zh) * | 2021-05-27 | 2022-11-29 | 日本碍子株式会社 | 铜合金 |
CN115404377B (zh) * | 2021-05-27 | 2023-12-01 | 日本碍子株式会社 | 铜合金 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6804854B2 (ja) | 2020-12-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4677505B1 (ja) | 電子材料用Cu−Ni−Si−Co系銅合金及びその製造方法 | |
JP4837697B2 (ja) | 電子材料用Cu−Ni−Si−Co系銅合金及びその製造方法 | |
JP5743165B2 (ja) | 銅合金及び銅合金の製造方法 | |
JP5451674B2 (ja) | 電子材料用Cu−Si−Co系銅合金及びその製造方法 | |
JP5140045B2 (ja) | 電子材料用Cu−Ni−Si系合金板又は条 | |
TWI429764B (zh) | Cu-Co-Si alloy for electronic materials | |
KR20110088595A (ko) | 전자 재료용 Cu-Ni-Si-Co 계 구리 합금 및 그 제조 방법 | |
KR20130109161A (ko) | 전자 재료용 Cu-Ni-Si-Co 계 구리 합금 및 그 제조 방법 | |
JPWO2011036804A1 (ja) | 電子材料用Cu−Ni−Si−Co系銅合金及びその製造方法 | |
JP2013104068A (ja) | 電子材料用Cu−Ni−Si−Co系銅合金 | |
JP6730784B2 (ja) | 電子部品用Cu−Ni−Co−Si合金 | |
US10358697B2 (en) | Cu—Co—Ni—Si alloy for electronic components | |
JP6804854B2 (ja) | Cu−Ni−Co−Si系銅合金及びその製造方法 | |
JPH10265873A (ja) | 電気電子部品用銅合金及びその製造方法 | |
JP2012229467A (ja) | 電子材料用Cu−Ni−Si系銅合金 | |
JP7311651B1 (ja) | 電子材料用銅合金及び電子部品 | |
JP2012229469A (ja) | 電子材料用Cu−Si−Co系銅合金及びその製造方法 | |
JP6736631B2 (ja) | チタン銅、チタン銅の製造方法及び電子部品 | |
JP2016183418A (ja) | 電子材料用Cu−Ni−Si−Co系銅合金 | |
JP5595961B2 (ja) | 電子材料用Cu−Ni−Si系銅合金及びその製造方法 | |
JP2013117060A (ja) | 電子材料用Cu−Co−Si系合金 | |
JP2018145495A (ja) | 電子部品用Cu−Ni−Co−Si合金 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180928 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190708 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190823 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191017 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200310 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20200427 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200706 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20201116 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20201203 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6804854 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |