JP5524901B2 - 電子材料用Cu−Ni−Si−Co系銅合金 - Google Patents
電子材料用Cu−Ni−Si−Co系銅合金 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5524901B2 JP5524901B2 JP2011098348A JP2011098348A JP5524901B2 JP 5524901 B2 JP5524901 B2 JP 5524901B2 JP 2011098348 A JP2011098348 A JP 2011098348A JP 2011098348 A JP2011098348 A JP 2011098348A JP 5524901 B2 JP5524901 B2 JP 5524901B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phase particles
- stage
- mass
- temperature
- aging
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 title claims description 38
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 title claims description 6
- 229910018598 Si-Co Inorganic materials 0.000 title description 16
- 229910008453 Si—Co Inorganic materials 0.000 title description 16
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 152
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 22
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 13
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 13
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 68
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 61
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 55
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 35
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 31
- 239000000463 material Substances 0.000 description 19
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 16
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 15
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 13
- 238000005098 hot rolling Methods 0.000 description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 238000005097 cold rolling Methods 0.000 description 11
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 9
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 9
- 239000000047 product Substances 0.000 description 8
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 7
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 7
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 7
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 6
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- 229910017876 Cu—Ni—Si Inorganic materials 0.000 description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 4
- 238000005554 pickling Methods 0.000 description 4
- 238000004881 precipitation hardening Methods 0.000 description 4
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 4
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 4
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 238000003483 aging Methods 0.000 description 3
- UREBDLICKHMUKA-CXSFZGCWSA-N dexamethasone Chemical compound C1CC2=CC(=O)C=C[C@]2(C)[C@]2(F)[C@@H]1[C@@H]1C[C@@H](C)[C@@](C(=O)CO)(O)[C@@]1(C)C[C@@H]2O UREBDLICKHMUKA-CXSFZGCWSA-N 0.000 description 3
- 238000004453 electron probe microanalysis Methods 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 3
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 3
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 3
- 229910020711 Co—Si Inorganic materials 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 238000010583 slow cooling Methods 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 2
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 2
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018098 Ni-Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018529 Ni—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000000445 field-emission scanning electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrate Chemical compound O.OO QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000008707 rearrangement Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000005482 strain hardening Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000009864 tensile test Methods 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
- 230000014616 translation Effects 0.000 description 1
Description
当該文献に記載の銅合金を製造する方法として、
−所望の組成をもつインゴットを溶解鋳造する工程1と、
−950℃以上1050℃以下で1時間以上加熱後に熱間圧延を行い、熱間圧延終了時の温度を850℃以上とし、850℃から400℃までの平均冷却速度を15℃/s以上として冷却する工程2と、
−冷間圧延工程3と、
−850℃以上1050℃以下で溶体化処理を行い、材料温度が650℃に低下するまでの平均冷却速度を1℃/s以上15℃/s未満として冷却し、650℃から400℃まで低下するときの平均冷却速度を15℃/s以上として冷却する工程4と、
−425℃以上475℃未満で1〜24時間行う第一の時効処理工程5と、
−冷間圧延工程6と、
−100℃以上350℃未満で1〜48時間行う第二の時効処理工程5と、
を順に行なうことを含む製造方法が開示されている。
Ni、Co及びSiは、適当な熱処理を施すことにより金属間化合物を形成し、導電率を劣化させずに高強度化が図れる。
Ni、Co及びSiの添加量がそれぞれNi:1.0質量%未満、Co:0.5質量%未満、Si:0.3質量%未満では所望の強度が得られず、逆に、Ni:2.5質量%超、Co:2.5質量%超、Si:1.2質量%超では高強度化は図れるが導電率が著しく低下し、更には熱間加工性が劣化する。よってNi、Co及びSiの添加量はNi:1.0〜2.5質量%、Co:0.5〜2.5質量%、Si:0.3〜1.2質量%とした。Ni、Co及びSiの添加量は好ましくは、Ni:1.5〜2.0質量%、Co:0.5〜2.0質量%、Si:0.5〜1.0質量%である。
そのため、合金組成中の[Ni+Co]/Si比は3.5≦[Ni+Co]/Si≦5.5の範囲に制御することが好ましく、4.0≦[Ni+Co]/Si≦5.0の範囲に制御することがより好ましい。
Crは溶解鋳造時の冷却過程において結晶粒界に優先析出するため粒界を強化でき、熱間加工時の割れが発生しにくくなり、歩留低下を抑制できる。すなわち、溶解鋳造時に粒界析出したCrは溶体化処理などで再固溶するが、続く時効析出時にCrを主成分としたbcc構造の析出粒子またはSiとの化合物を生成する。通常のCu−Ni−Si系合金では添加したSi量のうち、時効析出に寄与しなかったSiは母相に固溶したまま導電率の上昇を抑制するが、珪化物形成元素であるCrを添加して、珪化物をさらに析出させることにより、固溶Si量を低減でき、強度を損なわずに導電率を上昇できる。しかしながら、Cr濃度が0.5質量%、とりわけ2.0質量%を超えると粗大な第二相粒子を形成しやすくなるため、製品特性を損なう。従って、本発明に係るCu−Ni−Si−Co系合金には、Crを最大で2.0質量%添加することができる。但し、0.03質量%未満ではその効果が小さいので、好ましくは0.03〜0.5質量%、より好ましくは0.09〜0.3質量%添加するのがよい。
Mg、Mn、Ag及びPは、微量の添加で、導電率を損なわずに強度、応力緩和特性等の製品特性を改善する。添加の効果は主に母相への固溶により発揮されるが、第二相粒子に含有されることで一層の効果を発揮させることもできる。しかしながら、Mg、Mn、Ag及びPの濃度の総計が0.5質量%、とりわけ2.0質量%を超えると特性改善効果が飽和するうえ、製造性を損なう。従って、本発明に係るCu−Ni−Si−Co系合金には、Mg、Mn、Ag及びPから選択される1種又は2種以上を総計で最大2.0質量%、好ましくは最大1.5質量%添加することができる。但し、0.01質量%未満ではその効果が小さいので、好ましくは総計で0.01〜1.0質量%、より好ましくは総計で0.04〜0.5質量%添加するのがよい。
Sn及びZnにおいても、微量の添加で、導電率を損なわずに強度、応力緩和特性、めっき性等の製品特性を改善する。添加の効果は主に母相への固溶により発揮される。しかしながら、Sn及びZnの総計が2.0質量%を超えると特性改善効果が飽和するうえ、製造性を損なう。従って、本発明に係るCu−Ni−Si−Co系合金には、Sn及びZnから選択される1種又は2種を総計で最大2.0質量%添加することができる。但し、0.05質量%未満ではその効果が小さいので、好ましくは総計で0.05〜2.0質量%、より好ましくは総計で0.5〜1.0質量%添加するのがよい。
As、Sb、Be、B、Ti、Zr、Al及びFeにおいても、要求される製品特性に応じて、添加量を調整することで、導電率、強度、応力緩和特性、めっき性等の製品特性を改善する。添加の効果は主に母相への固溶により発揮されるが、第二相粒子に含有され、若しくは新たな組成の第二相粒子を形成することで一層の効果を発揮させることもできる。しかしながら、これらの元素の総計が2.0質量%を超えると特性改善効果が飽和するうえ、製造性を損なう。従って、本発明に係るCu−Ni−Si−Co系合金には、As、Sb、Be、B、Ti、Zr、Al及びFeから選択される1種又は2種以上を総計で最大2.0質量%添加することができる。但し、0.001質量%未満ではその効果が小さいので、好ましくは総計で0.001〜2.0質量%、より好ましくは総計で0.05〜1.0質量%添加するのがよい。
本発明において、第二相粒子とは主にシリサイドを指すが、これに限られるものではなく、溶解鋳造の凝固過程に生ずる晶出物及びその後の冷却過程で生ずる析出物、熱間圧延後の冷却過程で生ずる析出物、溶体化処理後の冷却過程で生ずる析出物、及び時効処理過程で生ずる析出物のことを言う。
本発明に係るCu−Ni−Si−Co系合金では、1〜5nmの粒径の第二相粒子の個数密度を制御することを特徴としている。このようなナノメートルオーダーの超微細な第二相粒子を制御することで、強度とばね限界値の向上を図ることができる。更に、1〜5nmの粒径の第二相粒子の析出物の個数密度と5nmを越え20nm以下の粒径の第二相粒子の個数密度との比を制御することが好ましい。これにより、いっそう強度とばね限界値のバランスに優れるという効果が得られる。
本発明に係るCu−Ni−Si−Co系合金では更に、0.1μm以上1μm以下の粒径をもつ第二相粒子の分布を制御することが望ましい。
コルソン系銅合金の一般的な製造プロセスでは、まず大気溶解炉を用い、電気銅、Ni、Si、Co等の原料を溶解し、所望の組成の溶湯を得る。そして、この溶湯をインゴットに鋳造する。その後、熱間圧延を行い、冷間圧延と熱処理を繰り返して、所望の厚み及び特性を有する条や箔に仕上げる。熱処理には溶体化処理と時効処理がある。溶体化処理では、約850〜約1000℃の高温で加熱して、第二相粒子をCu母地中に固溶させ、同時にCu母地を再結晶させる。溶体化処理を、熱間圧延で兼ねることもある。時効処理では、約350〜約550℃の温度範囲で1時間以上加熱し、溶体化処理で固溶させた第二相粒子をナノメートルオーダーの微細粒子として析出させる。この時効処理で強度と導電率が上昇する。より高い強度を得るために、時効前及び/又は時効後に冷間圧延を行なうことがある。また、時効後に冷間圧延を行なう場合には、冷間圧延後に歪取焼鈍(低温焼鈍)を行なうことがある。
上記各工程の合間には適宜、表面の酸化スケール除去のための研削、研磨、ショットブラスト酸洗等が適宜行なわれる。
表2中、個数密度Aは1〜5nmの粒径の第二相粒子の個数密度を、個数密度Bは5nmを越え20nm以下の粒径の第二相粒子の個数密度をそれぞれ指す。
比較例No.8、比較例No.19〜23、比較例No.27、比較例37〜45は第一の時効を二段時効で行った例である。
比較例No.7、比較例No.26は第一の時効を一段時効で行った例である。
比較例No.2、9、33は3段目の時効時間が短かった例である。
比較例No.4、30は3段目の時効温度が低かった例である。
比較例No.13は3段目の時効温度が高かった例である。
比較例No.12、36は3段目の時効時間が長かった例である。
比較例No.1、28は1段目の時効温度が低かった例である。
比較例No.3、29は1段目と2段目の温度差が大きかった例である。
比較例No.5、31は1段目の時効時間が短かった例である。
比較例No.6、32は2段目の時効時間が短かった例である。
比較例No.10、34は2段目の時効時間が長かった例である。
比較例No.11、35は1段目の時効時間が長かった例である。
比較例No.14は2段目の温度が高く、1段目との温度差も小さかった例である。
比較例No.15は1段目及び2段目の温度が高かった例である。
比較例No.16は2段目から3段目の冷却が遅かった例である。
比較例No.17は1段目から2段目の冷却が遅かった例である。
比較例No.18はNi、Co濃度が低かった例である。
比較例No.24はNi濃度が高かった例である。
比較例No.25はCo濃度が高かった例である。
比較例No.2〜23、比較例No.26〜27、比較例No.29〜45は何れも1〜5nmの粒径の第二相粒子の個数密度が1.0×1012個/mm3未満であり、且つ、1〜5nmの粒径の第二相粒子の個数密度の、5nmを越え20nm以下の粒径の第二相粒子の個数密度に対する比が0.5未満であり、実施例に比べて強度、導電性及びばね限界値のバランスに劣っていることが分かる。比較例No.1、24、25、28は何れも1〜5nmの粒径の第二相粒子の個数密度が1.0×1015個/mm3を超え、且つ、1〜5nmの粒径の第二相粒子の個数密度の、5nmを越え20nm以下の粒径の第二相粒子の個数密度に対する比が100を越えており、実施例に比べて強度、導電性及びばね限界値のバランスに劣っていることが分かる。
Claims (8)
- Ni:1.0〜2.5質量%、Co:0.5〜2.5質量%、Si:0.3〜1.2質量%を含有し、残部がCu及び不可避的不純物からなる電子材料用銅合金であって、1〜5nmの粒径の第二相粒子の個数密度が1.0×1012〜1.0×1015個/mm3ある銅合金。
- 1〜5nmの粒径の第二相粒子の個数密度の、5nmを越え20nm以下の粒径の第二相粒子の個数密度に対する比が0.5以上100以下である請求項1に記載の銅合金。
- 0.1μm以上1μm以下の粒径の第二相粒子の個数密度が5×105〜1×107個/mm2である請求項1〜2何れか一項記載の銅合金。
- Siの質量濃度に対するNiとCoの合計質量濃度の比[Ni+Co]/Siが3.5≦[Ni+Co]/Si≦5.5を満たす請求項1〜3何れか一項記載の銅合金。
- 更にCr:0.03〜0.5質量%を含有する請求項1〜4何れか一項記載の銅合金。
- 更にMg、P、As、Sb、Be、B、Mn、Sn、Ti、Zr、Al、Fe、Zn及びAgの群から選ばれる少なくとも1種を総計で最大2.0質量%含有する請求項1〜5何れか一項記載の銅合金。
- 請求項1〜6何れか一項記載の銅合金からなる伸銅品。
- 請求項1〜6何れか一項記載の銅合金を備えた電子部品。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011098348A JP5524901B2 (ja) | 2011-04-26 | 2011-04-26 | 電子材料用Cu−Ni−Si−Co系銅合金 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011098348A JP5524901B2 (ja) | 2011-04-26 | 2011-04-26 | 電子材料用Cu−Ni−Si−Co系銅合金 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012229468A JP2012229468A (ja) | 2012-11-22 |
JP5524901B2 true JP5524901B2 (ja) | 2014-06-18 |
Family
ID=47431240
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011098348A Active JP5524901B2 (ja) | 2011-04-26 | 2011-04-26 | 電子材料用Cu−Ni−Si−Co系銅合金 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5524901B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5647703B2 (ja) * | 2013-02-14 | 2015-01-07 | Dowaメタルテック株式会社 | 高強度Cu−Ni−Co−Si系銅合金板材およびその製造法並びに通電部品 |
JP6573503B2 (ja) * | 2015-08-24 | 2019-09-11 | Dowaメタルテック株式会社 | Cu−Ni−Co−Si系高強度銅合金薄板材およびその製造方法並びに導電ばね部材 |
JP6804854B2 (ja) * | 2016-03-28 | 2020-12-23 | Jx金属株式会社 | Cu−Ni−Co−Si系銅合金及びその製造方法 |
-
2011
- 2011-04-26 JP JP2011098348A patent/JP5524901B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012229468A (ja) | 2012-11-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4677505B1 (ja) | 電子材料用Cu−Ni−Si−Co系銅合金及びその製造方法 | |
JP4937815B2 (ja) | 電子材料用Cu−Ni−Si−Co系銅合金及びその製造方法 | |
JP4837697B2 (ja) | 電子材料用Cu−Ni−Si−Co系銅合金及びその製造方法 | |
JP5441876B2 (ja) | 電子材料用Cu−Ni−Si−Co系銅合金及びその製造方法 | |
KR101161597B1 (ko) | 전자 재료용 Cu-Ni-Si-Co계 구리합금 및 그 제조 방법 | |
JP5367999B2 (ja) | 電子材料用Cu−Ni−Si系合金 | |
JP4596490B2 (ja) | 電子材料用Cu−Ni−Si−Co系銅合金及びその製造方法 | |
JP5506806B2 (ja) | 電子材料用Cu−Ni−Si−Co系銅合金及びその製造方法 | |
JP5319700B2 (ja) | 電子材料用Cu−Ni−Si−Co系銅合金及びその製造方法 | |
TWI422692B (zh) | Cu-Co-Si based copper alloy for electronic materials and method for producing the same | |
JP5451674B2 (ja) | 電子材料用Cu−Si−Co系銅合金及びその製造方法 | |
JP4799701B1 (ja) | 電子材料用Cu−Co−Si系銅合金条及びその製造方法 | |
JP6222885B2 (ja) | 電子材料用Cu−Ni−Si−Co系銅合金 | |
JP5524901B2 (ja) | 電子材料用Cu−Ni−Si−Co系銅合金 | |
JP2012229467A (ja) | 電子材料用Cu−Ni−Si系銅合金 | |
JP6246173B2 (ja) | 電子部品用Cu−Co−Ni−Si合金 | |
JP2012229469A (ja) | 電子材料用Cu−Si−Co系銅合金及びその製造方法 | |
JP2016183418A (ja) | 電子材料用Cu−Ni−Si−Co系銅合金 | |
JP7355569B2 (ja) | 銅合金、伸銅品及び電子機器部品 | |
JP5595961B2 (ja) | 電子材料用Cu−Ni−Si系銅合金及びその製造方法 | |
TWI391952B (zh) | Cu-Ni-Si-Co based copper alloy for electronic materials and its manufacturing method | |
JP2012211355A (ja) | 電子材料用Cu−Ni−Si系銅合金及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130328 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140227 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140311 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140410 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5524901 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |