JP4837192B2 - 加熱ヒータおよびその加熱ヒータを備えた定着装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本願発明は、記録媒体に転写されたトナー像を記録媒体に定着させるための定着装置などに使用される加熱ヒータに関連する技術に関する。
【0002】
【従来の技術】
定着装置などに使用される加熱ヒータとしては、たとえば図11および図12に示したものがある。これらの図に示した加熱ヒータ9は、細長板状の基板90の表面に、帯状に延びる2つの発熱体91,92が設けられたものである。発熱体91,92は、Ag−Pdを印刷するなどして抵抗体として形成されており、両端部91a,92aを除いて結晶質ガラス層93および非晶質ガラス94に覆われている。各発熱体91,92の両端部91a,92aは、たとえば交流電源95に接続されており、この交流電源により電圧を印加することにより発熱体91,92の略全域にわたって発熱するように構成されている。
【0003】
このような加熱ヒータ9を備えた定着装置では、たとえばトナー像が転写された記録媒体96をプラテンローラ97により非晶質ガラス層94上に摺動させて記録媒体96を加熱することにより、トナー像が記録媒体96に定着される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
定着装置に組み込まれる加熱ヒータ9では、高速印字の要求に応えるためにも、応答性良く記録媒体96との接触部分の温度をトナーの溶融温度以上、たとえば230〜250℃にまで上げる必要がある。この場合、熱伝導率の高い基板90を用いれば、基板90から外部に放出される熱エネルギの量が大きくなってしまうため、発熱体91,92に対する電圧供給を停止すれば、記録媒体96との接触部分の温度が短時間で低下してしまう。このため、再び電圧供給をしてから所望の温度にまで上昇するまでの時間が長くなってしまう結果、印字速度の高速化に限界が生じる。
【0005】
一方、熱伝導性の低い基板90を用いれば、基板90に温度分布が生じやすくなってしまう。たとえば、発熱体の長さよりも相当小さい記録媒体96(たとえば葉書)などを印字した場合には、記録媒体96により熱エネルギが局所的に奪われてしまうが、基板90の熱伝導性が低ければ基板90の全体の温度が均一化されるまでに長時間を要してしまため、基板90に温度分布が生じる。基板90に温度分布が生じたならば、基板90に作用する熱ストレスが局所的に異なるものとなって基板90が割れてしまう虞がある。
【0006】
本願発明は、このような事情のもとに考えだされたものであって、加熱ヒータの基板の損傷を回避し、また、この加熱ヒータを短時間で所望の温度にまで昇温できるようにすることを課題としている。
【0007】
【発明の開示】
上記した課題を解決するため、本願発明では次の技術的手段を講じている。
【0008】
すなわち、本願発明の第1の側面により提供される加熱ヒータは、第1面およびこの第1面とは反対側の第2面を有する基板と、この基板の第1面上に直接設けられた発熱体と、を備えた加熱ヒータであって、上記基板はAlNを含む絶縁材料により構成されており、上記基板の第2面に、上記基板よりも熱伝導率の高い高熱伝導層が積層させられている一方、上記基板の第1面側にはさらに、上記発熱体を覆う結晶質ガラス層、この結晶質ガラス層に積層され、上記結晶質ガラス層をこれが露出することなく覆う非晶質ガラス層、および、この非晶質ガラス層に積層され、上記基板よりも熱伝導率の高い高熱伝導層が形成されていることを特徴としている。
【0009】
この構成によれば、高熱伝導層を設けることにより加熱ヒータでの熱拡散特性を改善し、基板を損傷を回避したり、電圧印加時から所望の温度に達するまでの時間を短くすることが可能となる。
【0010】
高熱伝導層は、基板の第2面に積層形成されているので、基板材料として熱伝導率の低い材料を使用しても、発熱体からの熱エネルギは、基板を介して比較的に短時間で高熱伝導層に伝えられる。その結果、基板内に大きな温度分布が生じることがなくなるため、基板に作用する熱ストレスを低減して基板の損傷を抑制することができるようになる。また、高熱伝導層よりも基板のほうが熱伝導率が小さければ、基板自体が蓄熱機能を発揮するため、電圧の再供給時に短時間で所望の温度にまで高熱伝導層の温度を上昇させることができるようになる。
【0016】
ここで、高熱伝導層は、SiCを含む絶縁材料により形成するのが好ましい。
【0025】
本願発明の第2の側面においては、加熱手段を備えるとともに、印字媒体に形成された像を上記加熱手段により加熱して上記印字媒体に定着させるための定着装置であって、上記加熱手段として、本願発明の第1の側面に係る加熱ヒータを用いたことを特徴とする、定着装置が提供される。
【0026】
この定着装置では、先に説明した加熱ヒータが使用されているため、その加熱ヒータが奏する効果、たとえば加熱ヒータの基板の損傷が抑制され、あるいは熱応答性が高められるといった効果を享受できる。また、熱応答性の高い加熱ヒータを用いれば、高速印字の要求に応えることができるようになる。
【0027】
【発明の実施の形態】
以下、本願発明の好ましい実施の形態、および参考例について、図面を参照して具体的に説明する。
【0028】
図1および図2は、本願発明の参考例に係る加熱ヒータおよび定着装置の概略構成ないしは要部を示している。
【0029】
加熱ヒータX1は、たとえば定着装置Y1に組み込まれて使用されるものであり、この定着装置Y1は、たとえば記録媒体Kに形成されたトナー像を記録媒体Kに定着させるためのものである。加熱ヒータX1は、細長板状の基板1を有している。この基板1は第1面10およびこの第1面10とは反対側の第2面11を有している。基板1の第1面10には、帯状に延びる2つの発熱体2,3が設けられている。
【0030】
発熱体2,3は、Ag−Pdなどの抵抗体ペースを印刷した後にこれを焼成するなどして抵抗体として形成されている。これらの発熱体2,3は、同じ抵抗体材料により形成されているが、記録媒体Kの搬送方向の上流側(図2の左側)に配置された発熱体2は、下流側(図2の右側)に配置された発熱体3よりも幅寸法(断面積)が小さくされている。発熱体2,3は、両端部2a,3aを除いて結晶質ガラス層4、非晶質ガラス5および高熱伝導層6Aにより覆われている。
【0031】
各発熱体2,3の両端部2a,3aは、たとえば電気配線23を介して交流電源7に接続されており、発熱体2,3は互いに電気的に並列な関係となっている。電気配線23には、アナログスイッチSが設けられており、このアナログスイッチSをオン・オフすることにより、発熱体2,3に電圧が供給される状態と、供給されない状態とが選択される。上述したように、発熱体2,3は電気的に並列関係にあるため、アナログスイッチSをオンにすれば、それぞれの発熱体2,3に対しては同じ電位が与えられる。発熱体2は、発熱体3よりも断面積が小さくされているとともに、それぞれが同じ材料により抵抗体として構成されているために、それぞれの発熱体2,3に対して同じ電位を与えれば、発熱体2のほうが発熱体3よりも発熱量が多くなる。なお、アナログスイッチSのオン・オフは、図外の制御手段により制御されている。
【0032】
高熱伝導層6Aは、基板1よりも熱伝導率が高くなるように形成されており、たとえば基板1がAl2O3により形成されている場合には、高熱伝導層6Aは、SiC、AlN、Ag、Al、BNあるいはWCなどにより形成される。また、基板1がAlNにより形成される場合には、たとえば高熱伝導層6AはSiCにより形成される。
【0033】
このような高熱伝導層6Aは、たとえばスパッタ、溶射、メッキあるいはスクリーン印刷により成膜形成される。スパッタによれば、摺動性の高い高熱伝導層6Aを形成することができ、溶射やスクリーン印刷によれば、膜厚を大きくすることが可能となり、成膜後に機械加工などを施せば容易に高熱伝導層6Aを摺動性の高いものとすることができる。
【0034】
定着装置Y1は、高熱伝導層6Aに接触するようにして配置されたプラテンローラPを有している。プラテンローラPは、図外の駆動源からの動力により図中の矢印A方向に回転させられるものであり、その回転により、記録媒体Kを高熱伝導層6A上を図中の矢印B方向に摺動させる。
【0035】
上述したように、定着装置Y1は記録媒体Kに形成されたトナー像を記録媒体Kに定着させるものである。より具体的には、加熱ヒータX1により記録媒体Kおよびトナーを加熱し、トナーを溶解させてトナー像を記録媒体Kに定着させる。したがって、定着装置Y1では、記録媒体Kが高熱伝導層6A上を摺動している間は、高熱伝導層6Aをトナーの溶融温度以上に維持しておく必要がある。高熱伝導層6Aの昇温は、発熱体2,3に対する電圧供給、つまりアナログスイッチSのオン状態を維持することにより行われる。
【0036】
アナログスイッチSをオンにすれば、交流電源7により発熱体2,3に電圧が供給され、抵抗体として構成された発熱体2,3が発熱する。このときの発熱量は、発熱体2のほうが発熱体3よりも大きいのは上述した通りである。発熱体2は、記録媒体Kの搬送方向の上流側に配置されるものであるから、発熱体2は発熱体3よりも先に記録媒体Kに熱エネルギを与えることとなる。したがって、たとえば記録媒体Kやトナーが常温である場合には、記録媒体Kやトナーの温度を大きく上昇させる必要があるため、記録媒体Kと最初に接触する領域については熱エネルギの消費が大きくなるため、上流側に配置される発熱体2については、発熱量が大きくなるように設計しておくのが好ましい。
【0037】
加熱ヒータX1では、発熱体2,3との間にガラス層4,5を介在させた状態で、基板1よりも熱伝導率の高い高熱伝導層6Aが設けられているため、発熱体2,3からの熱エネルギが選択的に高熱伝導層6Aに向けて伝えられる。その結果、高熱伝導層6Aを比較的に短時間で所望の温度にまで上昇させることができるようになる。その上、記録媒体Kの摺動面となる高熱伝導層6Aが熱伝導性に優れていれば、摺動面の全体を所望温度に維持することができるため、ニップ幅を大きく確保することができるようになる。また、ガラス層4,5は、熱伝導性に低いため、発熱体2,3から高熱伝導層6Aに熱エネルギが移動した場合には、ガラス層4,5において熱エネルギが蓄えられることとなる。つまり、ガラス層4,5が蓄熱層として機能する結果、アナログスイッチSのオンにより電圧を再印加する場合には、高熱伝導層6Aの温度を、より短時間で所望の温度にまで上昇させることができるようになる。さらには、高熱伝導層6Aに選択的に熱エネルギが伝えられる結果、基板1に伝えられる熱エネルギ量が低減し、基板1における局所的な温度上昇や降下を抑制して、基板1の損傷を抑制することができるようになる。
【0038】
図3は、本願発明の他の参考例に係る加熱ヒータX2(定着装置Y2)を示している。
【0039】
同図に示した加熱ヒータX2では、基板1の第2面11に接触するようにして高熱伝導層6Bが設けられている。この加熱ヒータX2においても、基板1や高熱伝導層6Bを構成する材料は、加熱ヒータX1(図1および図2参照)と同様とされており、また高熱伝導層6Bは加熱ヒータX1の高熱伝導層6Aと同様にして形成することができる。
【0040】
加熱ヒータX2では、基板1の第2面11に高熱伝導層6Bが設けられているために、基板材料として熱伝導率の低い材料を使用しても、発熱体2,3からの熱エネルギは、基板1を介して比較的に短時間で高熱伝導層6Bに伝えられる。その結果、基板1内に大きな温度分布が生じることがなくなるため、基板1に作用する熱ストレスを低減して基板1の損傷を抑制することができるようになる。また、高熱伝導層6Bよりも基板1のほうが熱伝導率が小さければ、基板1自体が蓄熱機能を発揮するため、発熱体2,3に対する電圧の再供給時に短時間で所望の温度にまで高熱伝導層6Bを上昇させることができるようになる。その結果、加熱ヒータX2を備えた定着装置Y2では、図3に一点鎖線で示したように高熱伝導層6Bに接触するようにしてプラテンローラPを配置すれば、高熱伝導層6Bを利用して、記録媒体Kに対して応答良く熱エネルギを与えることができるようになる。
【0041】
図3に示した加熱ヒータX2では、高熱伝導層6Bを低熱伝導層6B′として加熱ヒータX2′を構成してもよい。低熱伝導層6B′は、熱伝導率が基板1よりも小さくされたものである。この加熱ヒータX2′を備えた定着装置Y2′では、図3に2点鎖線で示したようにガラス層5に接触してプラテンローラP′が配置され、基板1の第1面10側において記録媒体K′に対するトナー像の定着が行われる。
【0042】
低熱伝導層6B′が設けられた加熱ヒータX2′では、低熱伝導層6B′により、基板1の第2面11側への熱エネルギの伝達が抑制され、基板1の第1面10側に対して選択的に熱エネルギが伝えられることとなる。つまり、高熱伝導層6Aを基板1の第1面10側に設けた加熱ヒータX1(図1および図2参照)と同様に、基板1の第1面10側に対して選択的に熱エネルギが伝えることが可能となる。そのため、発熱体2,3に対する電圧供給のオン信号に対して応答性良く、比較的に短時間で所望の温度にまでガラス層4,5の昇温することができるようになり、高速印字を実現可能な定着装置Y2′を提供できるようになる。また、基板1の第1面10側に対して選択的に熱エネルギが伝えられれば、基板1の損傷を抑制することができるようになる。
【0043】
図4には、本願発明の実施の形態に係る加熱ヒータX3(定着装置Y3)を示した。同図に示した加熱ヒータX3では、ガラス層5を覆うようにして高熱伝導層6Caが形成され、基板1の第2面11に接触するようにして高熱伝導層6Cbが形成されている。
【0044】
この加熱ヒータX3では、発熱体2,3からの熱エネルギが2つの高熱伝導層6Ca,6Cbの双方に移動し、発熱体2,3に対する電圧供給時には、双方の高熱伝導層6Ca,6Cbが昇温される。そのため、加熱ヒータX3を備えた定着装置Y3では、図4に2点鎖線で示したように高熱伝導層6Caに接触するようにしてプラテンローラPを配置して基板1の第1面10側において定着を行うように構成してもよいし、同図に一点鎖線で示したように高熱伝導層6Cbに接触するようにしてプラテンローラP′を配置して基板1の第2面11側において定着を行うように構成してもよい。
【0045】
加熱ヒータX3では、発熱体2,3に対する電圧供給時には、双方の高熱伝導層6Ca,6Cbが昇温されるのは上述した通りであるが、熱伝導率の低いガラス層4,5および基板1は蓄熱層として機能する。その結果、加熱ヒータX3の全体が応答性良く所望温度にまで昇温し、また基板1における大きな温度分布の発生が抑制される。そのため、基板1の損傷が抑制されるばかりか、加熱ヒータX3を備えた定着装置Y3では高速印字の達成が可能となる。
【0046】
図4に示した加熱ヒータX3では、2つの高熱伝導層6Ca(6Cb)の一方を、熱伝導率が基板1よりも小さい低熱伝導層6Ca′(6Cb′)として加熱ヒータX3′を構成してもよい。この加熱ヒータX3′では、低熱伝導層6Ca′(6Cb′)への熱エネルギの移動が抑制されるため、高熱伝導層6Cb(6Ca)への熱エネルギの移動が助長され、さらに応答性良く所望温度にまで高熱伝導層6Cb(6Ca)を昇温することが可能となる。これにより、加熱ヒータX3′を備えた定着装置Y3′では高速印字の達成が可能となる。
【0047】
図5ないし図8は、本願発明のさらに他の参考例に係る加熱ヒータ(定着装置)を示している。これらの加熱ヒータX4〜X7は、発熱体2,3と基板1の第1面10との間に高熱伝導層6D,6Ea,6Fa,6Gaを設けたものである。
【0048】
図5に示した加熱ヒータX4は、高熱伝導層6Dが発熱体2,3と基板1の第1面10との間にのみ設けられたものである。加熱ヒータX4を備えた定着装置Y4では、ガラス層5の表面に接触するようにしてプラテンローラPが配置され、ガラス層5の表面に沿って記録媒体Kが搬送される。
【0049】
加熱ヒータX4では、発熱体2,3からの熱エネルギが短時間で高熱伝導層6Dの全体に拡散された後、その熱エネルギが基板1に伝えられることになる。その結果、発熱体2,3からの熱エネルギを直接的に基板1に伝える場合に比べて、基板1の全体に対して均一的に熱エネルギが伝えられることなる。そのため、基板1における温度分布が小さくなって、基板1に与えられる熱的なストレスを緩和できるようになり、基板1の損傷を抑制することができるようになる。
【0050】
図6に示した加熱ヒータX5は、発熱体2,3と基板1の第1面10との間に高熱伝導率層6Eaが設けられているとともに、ガラス層4,5上にも高熱伝導層6Ebが設けられている。加熱ヒータX5を備えた定着装置Y5では、ガラス層5の表面に接触するようにしてプラテンローラPが配置され、ガラス層5の表面に沿って記録媒体Kが搬送される。
【0051】
加熱ヒータX5では、図5の加熱ヒータX4と同様に高熱伝導層6Eaにより基板1の損傷を抑制することができる。また、高熱伝導層6Ebを設けることにより、基板1の第1面10側への熱エネルギの移動を促進し、応答性良く所望温度にまで高熱伝導層6Eを昇温することができるようになる。また、ガラス層4,5が高熱伝導層6D,6Eにより囲まれるため、ガラス層4,5の蓄熱機能が高められるため、再印加時の昇温を応答性良く行うことができるようになる。したがって、加熱ヒータX5を備えた定着装置Y5においても高速印字の達成が可能となる。
【0052】
図6に示した加熱ヒータX5では、高熱伝導層6Ebを低熱伝導層6Eb′として加熱ヒータX5′を構成してもよい。この加熱ヒータX5′では、低熱伝導層6Eb′への熱エネルギの移動が抑制されて基板1の第2面11側への熱エネルギの移動が促進されるため、加熱ヒータX5′を備えた定着装置Y5′では、図示しないが基板1の第2面11に接触するようにしてプラテンローラが配置される。
【0053】
図7に示した加熱ヒータX6は、発熱体2,3と基板の第1面10との間に高熱伝導層6Faが設けられているとともに、基板1の第2面11上にも高熱伝導層6Fbが設けられている。加熱ヒータX6を備えた定着装置Y6では、高熱伝導層6Fbの表面に接触するようにしてプラテンローラPが配置され、高熱伝導動6Fbの表面に沿って記録媒体Kが搬送される。
【0054】
加熱ヒータX6では、図5の加熱ヒータX4と同様に高熱伝導層6Faにより基板1の損傷を抑制することができる。また、高熱伝導層6Fbを設けることにより、基板1の第2面11側への熱エネルギの移動を促進し、応答性良く所望温度にまで高熱伝導層6Fbを昇温することができるようになる。したがって、加熱ヒータX6を備えた定着装置Y6においても高速印字の達成が可能となる。
【0055】
図7に示した加熱ヒータX6では、高熱伝導層6Fbを低熱伝導層6Fb′として加熱ヒータX6′を構成してもよい。この加熱ヒータX6′では、低熱伝導層6Fb′への熱エネルギの移動が抑制されて基板1の第1面10(ガラス層5)側への熱エネルギの移動が促進されるため、図示しないがガラス層5の表面に接触するようにしてプラテンローラが配置される。
【0056】
図8に示した加熱ヒータX7は、3つの高熱伝導層6Ga,6Gb,6Gcが設けられている。そのため、図5の加熱ヒータX4と同様に高熱伝導層6Gaにより基板1の損傷を抑制することができる。また、高熱伝導層6Gb,6Gcの双方に対して短時間で熱エネルギが移動するとともに、熱伝導率の低い基板1およびガラス層4,5の蓄熱作用により、加熱ヒータX7全体の昇温を応答性良く行うことができる。したがって、加熱ヒータX7を備えた定着装置Y7では、2つの高熱伝導層6Gb,6Gcのいずれかの表面に接触するようにしてプラテンローラP,P′が配置され、記録紙K,K′が高熱伝導層6Gb,6Gcの表面に沿って搬送される。
【0057】
図8に示した加熱ヒータX7では、2つの高熱伝導層6Gc(6Gb)の一方を、低熱伝導層6Gc′(6Gb′)として加熱ヒータX7′を構成してもよい。この加熱ヒータX7′を備えた定着装置Y7′では、高熱伝導層6Gb(6Gc)の表面に接触するようにしてプラテンローラPが配置される。
【0058】
加熱ヒータX7′では、低熱伝導層6Gc′(6Gb′)への熱移動が抑制されて高熱伝導層6Gb(6Gc)への熱エネルギの移動が助長され、さらに応答性良く所望温度にまで高熱伝導層6Gb(6Gc)を昇温することが可能となる。
【0060】
実施形態では、基板は、単一層として構成されていたが、図9に示したように、絶縁を有する低熱伝導層12A上に高熱伝導層13を形成した後にさらに絶縁を有する低熱伝導層12Bを形成した形態のものあってもよいし、図10に示したように高熱伝導層14の両面に絶縁性を有する低熱伝導層15A,15Bを設けたものであってもよい。
【0061】
これらの基板では、低熱伝導層12A,12B,15A,15Bは、たとえばエポキシ樹脂やポリイミド樹脂などの耐熱性の高い有機材料やガラスなどの無機材料により形成され、高熱伝導層13,14は、たとえば熱伝導性率の高いAg、Al、SUSなどの金属材料により板状に形成され、あるいは膜形成されている。なお、図9および図10に示した基板では、高熱伝導層12,14として導体を使用し、図10に示したようにその端面14aが露出する場合には、端面14aを絶縁材料16により封止するのが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本願発明の参考例に係る加熱ヒータ(定着装置)を示す全体(要部)斜視図である。
【図2】 図1のII−II線に沿う加熱ヒータ(定着装置)の断面図である。
【図3】 本願発明の他の参考例に係る加熱ヒータ(定着装置)を示す図2に相当する断面図である。
【図4】 本願発明の実施の形態に係る加熱ヒータ(定着装置)を示す図2に相当する断面図である。
【図5】 本願発明のさらに他の参考例に係る加熱ヒータ(定着装置)を示す図2に相当する断面図である。
【図6】 本願発明のさらに他の参考例に係る加熱ヒータ(定着装置)を示す図2に相当する断面図である。
【図7】 本願発明のさらに他の参考例に係る加熱ヒータ(定着装置)を示す図2に相当する断面図である。
【図8】 本願発明のさらに他の参考例に係る加熱ヒータ(定着装置)を示す図2に相当する断面図である。
【図9】 加熱ヒータの基板の他の例を示す断面図である。
【図10】 加熱ヒータの基板のさらに他の例を示す断面図である。
【図11】 従来の加熱ヒータ(定着ヒータ)の一例を示す全体(要部)斜視図である。
【図12】 図11のXII−XII線に沿う加熱ヒータ(定着装置)の断面図である。
【符号の説明】
X1〜X7,X2′,X3′,X5′〜X7′ 加熱ヒータ
Y1〜Y7,Y2′,Y3′,Y5′〜Y7′ 定着装置
1 基板
10 第1面(基板の)
11 第2面(基板の)
13,14 高熱伝導層(基板の)
12A,12B,15A,15B 低熱伝導層(基板の)
2 ,3 発熱体
4 結晶質ガラス層
5 非晶質ガラス層
6A,6B,6Ca,6Cb,6D,6Ea,6Eb,6Fa,6Fb,6Ga,6Gb,6Gc 高熱伝導層
6B′,6Ca′,6Cb′,6Eb′,6Fb′,6Gb′,6Gc′ 低熱伝導層
Claims (3)
- 第1面およびこの第1面とは反対側の第2面を有する基板と、この基板の第1面上に直接設けられた発熱体と、を備えた加熱ヒータであって、
上記基板はAlNを含む絶縁材料により構成されており、
上記基板の第2面に、上記基板よりも熱伝導率の高い高熱伝導層が積層させられている一方、
上記基板の第1面側にはさらに、上記発熱体を覆う結晶質ガラス層、この結晶質ガラス層に積層され、上記結晶質ガラス層をこれが露出することなく覆う非晶質ガラス層、および、この非晶質ガラス層に積層され、上記基板よりも熱伝導率の高い高熱伝導層が形成されていることを特徴とする、加熱ヒータ。 - 上記高熱伝導層はSiCを含む絶縁材料により構成されている、請求項1に記載の加熱ヒータ。
- 加熱手段を備えるとともに、記録媒体に形成された像を上記加熱手段により加熱して上記記録媒体に定着させるための定着装置であって、
上記加熱手段として、請求項1または2に記載した加熱ヒータを用いたことを特徴とする、定着装置。
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