JP4836913B2 - BaLiF3単結晶体 - Google Patents
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Description
塊状のBaF2原料2497g、塊状のLiF原料495g、およびKF粉末8.36gを混合して特開2006−199577号公報等に開示されている内坩堝と外坩堝からなる二重構造坩堝に収容し、CZ結晶育成炉内に収容した。ここでのBaF2原料、LiF原料、KF原料の混合比率は、モル基準で、Li/(Ba+Li+K)が0.57、K/(Ba+K)が0.010である。上記の二重坩堝を構成する外坩堝の内径は120mm、内坩堝の内径は84mmであった。
塊状のBaF2原料2502g、塊状のLiF原料493g、および、KF粉末原料4.17gを混合して、二重構造坩堝に収容し、CZ結晶育成炉内に収容した以外は、実施例1と同様の方法でBaLiF3単結晶体のインゴットを得た。ここでのBaF2原料、LiF原料、KF原料の混合比率は、モル基準で、Li/(Ba+Li+K)が0.57、K/(Ba+K)が0.005である。
塊状のBaF2原料2508g、塊状のLiF原料492gを混合して二重構造坩堝に収容し、CZ結晶育成炉内に収容した以外は、実施例1と同様の方法でBaLiF3単結晶のインゴットを得た。ここでのBaF2原料、LiF原料の混合比率は、モル基準で、Ba/(Ba+Li)が0.57である。
塊状のBaF2原料2507g、塊状のLiF原料492g、および、KF粉末原料0.83gを混合して、二重構造坩堝に収容し、CZ結晶育成炉内に収容した以外は、実施例1と同様の方法でBaLiF3単結晶体のインゴットを得た。ここでのBaF2原料、LiF原料、KF原料の混合比率は、モル基準で、Li/(Ba+Li+K)が0.57、K/(Ba+K)が0.001である。
Claims (3)
- 融液成長法によって、真空紫外光透過用光学部材を作製するための原材料として用いるBaLiF3単結晶体を製造する方法であって、原料溶融液として、BaF2とLiFとKFとからなり、これらの含有比率がモル基準で、Li/(Ba+Li+K)が0.52〜0.65の範囲にあり、K/(Ba+K)が0.002〜0.040の範囲にある原料溶融液を用いることを特徴とする前記BaLiF3単結晶体の製造方法。
- 請求項1記載の方法でBaLiF3単結晶体を製造し、得られたBaLiF3単結晶体を加工して光学部材とする、真空紫外光透過用光学部材の製造方法。
- Kを含有し、かつKの含有比率がモル基準で、K/(Ba+K)が0.001〜0.010の範囲にあるBaLiF3単結晶体からなる真空紫外光透過用光学部材。
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