JP2002228802A - フッ化物結晶からなる真空紫外領域用光学部材および光学部材用コーティング材 - Google Patents
フッ化物結晶からなる真空紫外領域用光学部材および光学部材用コーティング材Info
- Publication number
- JP2002228802A JP2002228802A JP2001031172A JP2001031172A JP2002228802A JP 2002228802 A JP2002228802 A JP 2002228802A JP 2001031172 A JP2001031172 A JP 2001031172A JP 2001031172 A JP2001031172 A JP 2001031172A JP 2002228802 A JP2002228802 A JP 2002228802A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical member
- vacuum ultraviolet
- ultraviolet region
- laser oscillator
- crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 潮解性、劈開性が低く、高エネルギー光を照
射した場合でも、高い耐久性を有する真空紫外領域用光
学部材を提供すること。 【解決手段】 式BaLiF3で表記されるフッ化物結晶から
真空紫外領域用光学部材を作る。このフッ化物結晶から
光学部材用コーティング材を作ることもできる。
射した場合でも、高い耐久性を有する真空紫外領域用光
学部材を提供すること。 【解決手段】 式BaLiF3で表記されるフッ化物結晶から
真空紫外領域用光学部材を作る。このフッ化物結晶から
光学部材用コーティング材を作ることもできる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、真空紫外領域で使
用可能な光学部材、これを用いたレーザー発振器および
露光装置、並びに光学部材用コーティング材に関するも
のである。
用可能な光学部材、これを用いたレーザー発振器および
露光装置、並びに光学部材用コーティング材に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造装置用のフォトリソグラフィ
ーなどのレーザー加工の分野では、より精密に加工する
必要から、紫外光を利用することが多くなってきてい
る。しかしながら、レンズ、プリズム、ハーフミラー、
窓材等の光学部材に用いられる硝材として従来から使用
されている石英ガラスでは、紫外光に対する内部透過率
が低くなるなどの問題があるため石英ガラス以外の硝材
が望まれるようになってきている。こうしたなか、波長
が200nmよりも短い、いわゆる真空紫外光に対しては石
英ガラス以外の硝材としてフッ化カルシウム（CaF2）や
フッ化リチウム（LiF）の使用が検討されている。
ーなどのレーザー加工の分野では、より精密に加工する
必要から、紫外光を利用することが多くなってきてい
る。しかしながら、レンズ、プリズム、ハーフミラー、
窓材等の光学部材に用いられる硝材として従来から使用
されている石英ガラスでは、紫外光に対する内部透過率
が低くなるなどの問題があるため石英ガラス以外の硝材
が望まれるようになってきている。こうしたなか、波長
が200nmよりも短い、いわゆる真空紫外光に対しては石
英ガラス以外の硝材としてフッ化カルシウム（CaF2）や
フッ化リチウム（LiF）の使用が検討されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、フッ化
リチウムは潮解性、劈開性が高く、各種光学部材に加工
することが難しい。一方、フッ化カルシウムはフッ化リ
チウムに比べると潮解性はやや低くなるものの、依然と
して高い潮解性を持つことに変わりなく、また、劈開性
も高いために各種光学部品への加工は決して容易ではな
い。
リチウムは潮解性、劈開性が高く、各種光学部材に加工
することが難しい。一方、フッ化カルシウムはフッ化リ
チウムに比べると潮解性はやや低くなるものの、依然と
して高い潮解性を持つことに変わりなく、また、劈開性
も高いために各種光学部品への加工は決して容易ではな
い。
【０００４】また、これらの硝材は、エキシマレーザー
光などの高エネルギー光を繰り返し照射すると、内部透
過率が減少することがあり、高い耐久が求められる光学
部材として使用するには未だ満足のいくものではない。
光などの高エネルギー光を繰り返し照射すると、内部透
過率が減少することがあり、高い耐久が求められる光学
部材として使用するには未だ満足のいくものではない。
【０００５】また、フッ化カルシウムの結晶を成長させ
るには原料を入れたるつぼを1400℃まで加熱・融解させ
る必要があり、そのため莫大なエネルギーが消費され
る。
るには原料を入れたるつぼを1400℃まで加熱・融解させ
る必要があり、そのため莫大なエネルギーが消費され
る。
【０００６】それ故に本発明の課題は、潮解性、劈開性
が低く、高エネルギー光を繰り返し照射した場合でも、
高い耐久性を有する真空紫外領域用光学部材を提供する
ことにある。
が低く、高エネルギー光を繰り返し照射した場合でも、
高い耐久性を有する真空紫外領域用光学部材を提供する
ことにある。
【０００７】本発明の他の課題は、上記真空紫外領域用
光学部材を用いたレーザー発振器および露光装置を提供
することにある。
光学部材を用いたレーザー発振器および露光装置を提供
することにある。
【０００８】本発明のさらに他の課題は、この光学部材
の耐久性を向上させると共に、薄膜特有の波長特性を実
現することができる光学部材用コーティング材を提供す
ることにある。
の耐久性を向上させると共に、薄膜特有の波長特性を実
現することができる光学部材用コーティング材を提供す
ることにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明に係る真空紫外領
域用光学部材は、式BaLiF3で表記される結晶からなるこ
とを特徴とする。
域用光学部材は、式BaLiF3で表記される結晶からなるこ
とを特徴とする。
【００１０】本発明に係る色消し光学系は、上記真空紫
外領域用光学部材を有することを特徴とする。ここでい
う色消し光学系とは、一般には本発明に係る結晶と、こ
の結晶とは分散の異なる結晶またはガラスでそれぞれ凸
レンズと凹レンズ（もしくは凹レンズと凸レンズ）を作
成しそれらを組み合わせて色収差を取り除いた光学系を
いう。
外領域用光学部材を有することを特徴とする。ここでい
う色消し光学系とは、一般には本発明に係る結晶と、こ
の結晶とは分散の異なる結晶またはガラスでそれぞれ凸
レンズと凹レンズ（もしくは凹レンズと凸レンズ）を作
成しそれらを組み合わせて色収差を取り除いた光学系を
いう。
【００１１】本発明のレーザー発振器は、上記真空紫外
領域用光学部材を窓材として含むことを特徴とする。
領域用光学部材を窓材として含むことを特徴とする。
【００１２】本発明の露光装置は、上記レーザー発振器
と光学系とを含むことを特徴とする。
と光学系とを含むことを特徴とする。
【００１３】さらに、本発明の露光装置は上記真空紫外
領域用光学部材を有する光学系、レーザー発振器および
ワークを保持するための保持手段を有することを特徴と
する。
領域用光学部材を有する光学系、レーザー発振器および
ワークを保持するための保持手段を有することを特徴と
する。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を説明するに
先立ち、本発明の完成に至った経緯を、本発明者等が行
った実験等を参照しつつ説明する。
先立ち、本発明の完成に至った経緯を、本発明者等が行
った実験等を参照しつつ説明する。
【００１５】粉末状のフッ化リチウム（LiF）、フッ化
バリウム（BaF2）を僅かに分解溶融であることを考慮し
て、LiF：BaF2＝x：(1-x)において0.55＜x＜0.65のモル
比で混合し、白金製のるつぼに収容した。るつぼを850
℃まで加熱、昇温させて、上記２種のフッ化物を融解さ
せた。
バリウム（BaF2）を僅かに分解溶融であることを考慮し
て、LiF：BaF2＝x：(1-x)において0.55＜x＜0.65のモル
比で混合し、白金製のるつぼに収容した。るつぼを850
℃まで加熱、昇温させて、上記２種のフッ化物を融解さ
せた。
【００１６】次にるつぼ内の融解した原料にBaLiF3の種
結晶を接触させ、この種結晶を徐々に引き上げることに
よりBaLiF3単結晶を成長させた。
結晶を接触させ、この種結晶を徐々に引き上げることに
よりBaLiF3単結晶を成長させた。
【００１７】CaF2ならびに得られたBaLiF3の結晶から内
部透過率測定用サンプルとして直径10mm、厚さ3mmの円
盤状の試料を作製した。次に、この試料の内部透過率を
測定した。その結果を図１に示す。
部透過率測定用サンプルとして直径10mm、厚さ3mmの円
盤状の試料を作製した。次に、この試料の内部透過率を
測定した。その結果を図１に示す。
【００１８】図１において注目すべきは、CaF2およびBa
LiF3がその内部透過率特性で互いにほぼ同じ特性を示し
ていることである。ここにあげたデータでは内部透過率
の値そのものは十分ではないが、測定に使用した試料の
結晶は、不純物のコンタミネーションを積極的に防止す
ることなく作製したものなので、結晶成長環境を最適化
すれば内部透過率はさらに高くなる潜在能力を有するも
のと予想させる。
LiF3がその内部透過率特性で互いにほぼ同じ特性を示し
ていることである。ここにあげたデータでは内部透過率
の値そのものは十分ではないが、測定に使用した試料の
結晶は、不純物のコンタミネーションを積極的に防止す
ることなく作製したものなので、結晶成長環境を最適化
すれば内部透過率はさらに高くなる潜在能力を有するも
のと予想させる。
【００１９】さらに、ここで注目すべきは溶融温度であ
り、CaF2を溶融し結晶を成長させるには1400℃まで加熱
・昇温させる必要があるが、BaLiF3では大幅に温度を低
くできる。
り、CaF2を溶融し結晶を成長させるには1400℃まで加熱
・昇温させる必要があるが、BaLiF3では大幅に温度を低
くできる。
【００２０】次に、本発明の実施の形態について説明す
る。
る。
【００２１】本発明に係るBaLiF3（式BaLiF3で表記され
る結晶）は、粉末状のフッ化リチウム（LiF）とフッ化
バリウム（BaF2）とを所望のモル比で混合し、850℃の
温度条件で融解させることによって新しい固溶体として
作製する。
る結晶）は、粉末状のフッ化リチウム（LiF）とフッ化
バリウム（BaF2）とを所望のモル比で混合し、850℃の
温度条件で融解させることによって新しい固溶体として
作製する。
【００２２】こうして得られた結晶をレンズとして仕上
げ、このレンズを各種組み合わせれば、エキシマレーザ
ー、特にArFエキシマレーザーやF2エキシマレーザーに
適した光学系を構成できる。さらに、エキシマレーザー
光源と前記光学系と、被露光体（ワーク）としての基板
を移動させ得るステージとを組み合わせて、露光装置を
構成できる。
げ、このレンズを各種組み合わせれば、エキシマレーザ
ー、特にArFエキシマレーザーやF2エキシマレーザーに
適した光学系を構成できる。さらに、エキシマレーザー
光源と前記光学系と、被露光体（ワーク）としての基板
を移動させ得るステージとを組み合わせて、露光装置を
構成できる。
【００２３】また、上記のようにして得られた結晶を、
蒸着装置を用いて蒸発させてレンズ等の光学部材に付着
させることにより、光学部材用のコーティング材とする
ことができる。
蒸着装置を用いて蒸発させてレンズ等の光学部材に付着
させることにより、光学部材用のコーティング材とする
ことができる。
【００２４】上述した式BaLiF3で表記される結晶を光学
部材にコーティングする方法を、図２に示した蒸発装置
４０１を使って説明する。なお、この蒸発装置４０１は
従来から使用されているものである。
部材にコーティングする方法を、図２に示した蒸発装置
４０１を使って説明する。なお、この蒸発装置４０１は
従来から使用されているものである。
【００２５】真空槽４０２中の蒸発光源４０６上にフッ
化物結晶４０５を載置し、コーティングさせる光学部材
４０４をその上方に配置する。真空槽４０２の真空度
は、約1×10-5torrに調整する。次に、蒸発源４０６を8
00〜1,000℃に加熱し、フッ化物結晶４０５を蒸発さ
せ、基板加熱ヒーター４０３により100〜200℃に加熱し
た光学部材４０４の表面に薄膜を形成する。これにより
光学部材が、上述した式BaLiF3で表記される結晶により
コーティングされる。
化物結晶４０５を載置し、コーティングさせる光学部材
４０４をその上方に配置する。真空槽４０２の真空度
は、約1×10-5torrに調整する。次に、蒸発源４０６を8
00〜1,000℃に加熱し、フッ化物結晶４０５を蒸発さ
せ、基板加熱ヒーター４０３により100〜200℃に加熱し
た光学部材４０４の表面に薄膜を形成する。これにより
光学部材が、上述した式BaLiF3で表記される結晶により
コーティングされる。
【００２６】次に、上述した式BaLiF3で表記される結晶
からなる光学部材またはこの結晶でコーティングした光
学部材を用いた露光装置について説明する。
からなる光学部材またはこの結晶でコーティングした光
学部材を用いた露光装置について説明する。
【００２７】露光装置としては、レンズ光学系を用いた
縮小投影露光装置、レンズ式等倍投影露光装置が挙げら
れる。特に、ウエハー全面を露光するために、ウエハー
の１小区画（フィールド）を露光してはウエハーを１ス
テップ移動させて隣の１フィールドを露光する、ステッ
プ・アンド・リピート方式を採用したステッパーが望ま
しい。マイクロスキャン方式の露光装置にも好適に用い
られることはいうまでもない。
縮小投影露光装置、レンズ式等倍投影露光装置が挙げら
れる。特に、ウエハー全面を露光するために、ウエハー
の１小区画（フィールド）を露光してはウエハーを１ス
テップ移動させて隣の１フィールドを露光する、ステッ
プ・アンド・リピート方式を採用したステッパーが望ま
しい。マイクロスキャン方式の露光装置にも好適に用い
られることはいうまでもない。
【００２８】図３に本発明の露光装置の構成概略図を示
す。同図において２１は照明光源部であり、２２は露光
機構部であり、それぞれ別個独立に構成されている。す
なわち、両者は物理的に分離状態にある。２３は照明光
源で、たとえば、エキシマレーザーのような高出力の大
型光源である。２４はミラーであり、２５は凹レンズ、
２６は凸レンズであり、２５，２６はビームエキスパン
ダーとしての役割をもっており、レーザーのビーム径を
おおよそオプティカルインテグレーターの大きさに拡げ
るものである。２７はミラーであり、２８はルチクル上
を均一に照明するためのオプティカルインテグレーター
である。照明光源部２１は照明光源２３からオプティカ
ルインテグレーター２８までで構成されている。２９は
ミラーであり、３０はコンデンサレンズでオプティカル
インテグレータ２８を発した光束をコリメートする。３
１は回路パターンが描かれているルチクル、３１ａはル
チクルを吸着保持するルチクルホルダ、３２はルチクル
のパターンを投影する投影光学系、３３は投影レンズ３
２におけるルチクル３１のパターンが焼き付けられるウ
エハである。３４はＸＹステージでありウエハ３３を吸
着保持し、かつ、ステップアンドリピートで焼き付けを
行う際にＸＹ方向に移動する。３５は露光装置の定盤で
ある。
す。同図において２１は照明光源部であり、２２は露光
機構部であり、それぞれ別個独立に構成されている。す
なわち、両者は物理的に分離状態にある。２３は照明光
源で、たとえば、エキシマレーザーのような高出力の大
型光源である。２４はミラーであり、２５は凹レンズ、
２６は凸レンズであり、２５，２６はビームエキスパン
ダーとしての役割をもっており、レーザーのビーム径を
おおよそオプティカルインテグレーターの大きさに拡げ
るものである。２７はミラーであり、２８はルチクル上
を均一に照明するためのオプティカルインテグレーター
である。照明光源部２１は照明光源２３からオプティカ
ルインテグレーター２８までで構成されている。２９は
ミラーであり、３０はコンデンサレンズでオプティカル
インテグレータ２８を発した光束をコリメートする。３
１は回路パターンが描かれているルチクル、３１ａはル
チクルを吸着保持するルチクルホルダ、３２はルチクル
のパターンを投影する投影光学系、３３は投影レンズ３
２におけるルチクル３１のパターンが焼き付けられるウ
エハである。３４はＸＹステージでありウエハ３３を吸
着保持し、かつ、ステップアンドリピートで焼き付けを
行う際にＸＹ方向に移動する。３５は露光装置の定盤で
ある。
【００２９】露光機構部２２は、照明光学系の一部であ
るミラーか２９から定盤３５までで構成されている。３
６は、ＴＴＬアライメントに用いられるアライメント手
段である。通常、露光装置はこの他に、オートフォーカ
ス機構、ウエハー搬送機構等によって構成され、これら
も露光機構部２２に含まれる。
るミラーか２９から定盤３５までで構成されている。３
６は、ＴＴＬアライメントに用いられるアライメント手
段である。通常、露光装置はこの他に、オートフォーカ
ス機構、ウエハー搬送機構等によって構成され、これら
も露光機構部２２に含まれる。
【００３０】図４は、本発明の露光装置に用いられる光
学部材の一例であり、露光装置の投影光学系に用いられ
るレンズである。このレンズアセンブリはＬ１〜Ｌ１１
の１１枚のレンズを互いに接着することなく組み合わせ
て構成されている。そして、この光学部材は、図３や図
４に示すレンズやミラーとして、あるいは、不図示では
あるが、ミラー式露光装置のミラーやレンズとして用い
られる。レンズまたはミラーの表面に、反射防止膜また
は増反射膜を設けることがより好ましい。また、上述し
たフッ化物結晶からなる光学部材は、プリズムやエタロ
ンとして使用することができる。
学部材の一例であり、露光装置の投影光学系に用いられ
るレンズである。このレンズアセンブリはＬ１〜Ｌ１１
の１１枚のレンズを互いに接着することなく組み合わせ
て構成されている。そして、この光学部材は、図３や図
４に示すレンズやミラーとして、あるいは、不図示では
あるが、ミラー式露光装置のミラーやレンズとして用い
られる。レンズまたはミラーの表面に、反射防止膜また
は増反射膜を設けることがより好ましい。また、上述し
たフッ化物結晶からなる光学部材は、プリズムやエタロ
ンとして使用することができる。
【００３１】図５（ａ）と（ｂ）は本発明の光学部材を
用いたエキシマレーザー発振器の構成を模式的に表した
図である。図５（ａ）に示すエキシマレーザー発振器
は、エキシマレーザーを発光させ共振させる装置で、２
つの窓材７０１を有するプラズマチューブ８３と、この
プラズマチューブ８３から出たエキシマレーザーを絞る
絞り穴８２と、エキシマレーザーの波長を単波長化させ
るためのプリズム８４と、エキシマレーザーを反射させ
るための反射鏡８１とから構成される。
用いたエキシマレーザー発振器の構成を模式的に表した
図である。図５（ａ）に示すエキシマレーザー発振器
は、エキシマレーザーを発光させ共振させる装置で、２
つの窓材７０１を有するプラズマチューブ８３と、この
プラズマチューブ８３から出たエキシマレーザーを絞る
絞り穴８２と、エキシマレーザーの波長を単波長化させ
るためのプリズム８４と、エキシマレーザーを反射させ
るための反射鏡８１とから構成される。
【００３２】また図５（ｂ）に示すエキシマレーザー発
振器は、別のエキシマレーザーを発光させ共振させる装
置で、２つの窓材７０１を有するプラズマチューブ８３
と、このプラズマチューブ８３から出たエキシマレーザ
ーを絞る絞り穴８２と、エキシマレーザーの波長を単波
長化させるためのエタロン８５と、エキシマレーザーを
反射させるための反射鏡８１とから構成される。
振器は、別のエキシマレーザーを発光させ共振させる装
置で、２つの窓材７０１を有するプラズマチューブ８３
と、このプラズマチューブ８３から出たエキシマレーザ
ーを絞る絞り穴８２と、エキシマレーザーの波長を単波
長化させるためのエタロン８５と、エキシマレーザーを
反射させるための反射鏡８１とから構成される。
【００３３】本発明のフッ化物結晶からなる光学部材を
プリズムやエタロンとして装置内に設けたエキシマレー
ザー光発振器は前記プリズムやエタロンを介してエキシ
マレーザーの波長をより狭くすることができ、言い換え
ればエキシマレーザーを単波長化することができる。こ
の露光装置を用いて、エキシマレーザーをレクチルのパ
ターンを介して基板上の光増感型レジストに照射すれ
ば、形成すべきパターンに対応した潜像が形成できる。
プリズムやエタロンとして装置内に設けたエキシマレー
ザー光発振器は前記プリズムやエタロンを介してエキシ
マレーザーの波長をより狭くすることができ、言い換え
ればエキシマレーザーを単波長化することができる。こ
の露光装置を用いて、エキシマレーザーをレクチルのパ
ターンを介して基板上の光増感型レジストに照射すれ
ば、形成すべきパターンに対応した潜像が形成できる。
【００３４】
【発明の効果】本発明に係る結晶からなる真空紫外領域
用光学部材は潮解性、劈開性が低く、高エネルギー光を
繰り返し照射した場合でも、高い耐久性を有する。
用光学部材は潮解性、劈開性が低く、高エネルギー光を
繰り返し照射した場合でも、高い耐久性を有する。
【００３５】また、本発明に係る真空紫外領域用光学部
材を用いたレーザー発振器および露光装置も高い耐久性
を有する。
材を用いたレーザー発振器および露光装置も高い耐久性
を有する。
【００３６】さらに、本発明に係る結晶からなるコーテ
ィング材で光学部材をコーティングすれば、形成した膜
により表面の耐久性が向上し、真空紫外領域においても
膜における吸収が少なく、薄膜特有の波長特性を実現す
ることができる。
ィング材で光学部材をコーティングすれば、形成した膜
により表面の耐久性が向上し、真空紫外領域においても
膜における吸収が少なく、薄膜特有の波長特性を実現す
ることができる。
【００３７】さらにCaF2に比べて大幅な節電が可能で、
エネルギー資源の削減につながるといった絶大な効果が
期待できる。
エネルギー資源の削減につながるといった絶大な効果が
期待できる。
【図１】BaLiF3、CaF2の分光特性を示す図である。
【図２】本発明に係るコーティング材を形成するための
従来の蒸着装置の概略図である。
従来の蒸着装置の概略図である。
【図３】本発明の光学部材を用いた露光装置を示す模式
図である。
図である。
【図４】本発明の光学部材を用いた光学系を示す模式図
である。
である。
【図５】本発明の光学部材を用いたレーザー発振器を示
す模式図である。
す模式図である。
４０１ 蒸着装置 ４０２ 真空槽 ４０３ 基板加熱ヒーター ４０４ 光学部材 ４０５ フッ化物結晶 ４０６ 蒸発源 ２１ 照明光源部 ２２ 露光機構部 ２３ 照明光源 ２４ ミラー ２５ 凹レンズ ２６ 凸レンズ ２７ ミラー ２８ オプティカルインテグレーター ２９ ミラー ３０ コンデンサレンズ ３１ ルクチル ３１ａ ルクチルホルダ ３２ 投影レンズ ３３ ウエハ ３４ ＸＹステージ ３５ 露光装置の定盤 ３６ アライメント手段 Ｌ１〜Ｌ１１ レンズ ７０１ 窓材 ８１ 反射鏡 ８２ 絞り穴 ８３ プラズマチューブ ８４ プリズム ８５ エタロン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 島村 清史 宮城県仙台市太白区三神峯１−３−２− 302 (72)発明者 福田 承生 宮城県仙台市泉区虹ノ丘２−６−７ (72)発明者 猿倉 信彦 愛知県岡崎市竜美南２−３−１ 明大寺住 宅６−403 Ｆターム(参考） 4G077 AA02 BE02 CF10 HA01
Claims (9)
- 【請求項１】 式BaLiF3で表記される結晶からなる真空
紫外領域用光学部材。 - 【請求項２】 アンドープのBaLiF3からなる請求項１に
記載の真空紫外領域用光学部材。 - 【請求項３】 請求項１記載の真空紫外領域用光学部材
を含む色消し光学系。 - 【請求項４】 真空紫外領域用光学部材が、レンズ、プ
リズム、ハーフミラーまたは窓材である請求項１記載の
真空紫外領域用光学部材。 - 【請求項５】 請求項１記載の真空紫外領域用光学部材
を窓材として含むレーザー発振器。 - 【請求項６】 レーザー発振器がArFエキシマレーザー
発振器またはF2エキシマレーザー発振器である請求項５
記載のレーザー発振器。 - 【請求項７】 請求項５又は６記載のレーザー発振器と
光学系とを有する露光装置。 - 【請求項８】 請求項１記載の真空紫外領域用光学部材
を有する光学系、レーザー発振器及びワークを保持する
ための保持手段を有する露光装置。 - 【請求項９】 式BaLiF3で表記される結晶からなるコー
ティング材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001031172A JP2002228802A (ja) | 2001-02-07 | 2001-02-07 | フッ化物結晶からなる真空紫外領域用光学部材および光学部材用コーティング材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001031172A JP2002228802A (ja) | 2001-02-07 | 2001-02-07 | フッ化物結晶からなる真空紫外領域用光学部材および光学部材用コーティング材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002228802A true JP2002228802A (ja) | 2002-08-14 |
Family
ID=18895297
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001031172A Pending JP2002228802A (ja) | 2001-02-07 | 2001-02-07 | フッ化物結晶からなる真空紫外領域用光学部材および光学部材用コーティング材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002228802A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007005777A (ja) * | 2005-05-25 | 2007-01-11 | Tokuyama Corp | 液浸式露光装置のラストレンズ |
| EP1961843A2 (en) | 2007-02-22 | 2008-08-27 | Tokuyama Corporation | Method for producing BaLiF3 single crystal |
| JP2009073682A (ja) * | 2007-09-19 | 2009-04-09 | Tokuyama Corp | ＢａＬｉＦ３単結晶体の製造方法 |
| JP2009091185A (ja) * | 2007-10-05 | 2009-04-30 | Tokuyama Corp | ＢａＬｉＦ３単結晶体 |
| JP2009132576A (ja) * | 2007-11-30 | 2009-06-18 | Tokuyama Corp | ＢａＬｉＦ３単結晶体 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000057499A1 (de) * | 1999-03-24 | 2000-09-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh & Co. Ohg | Organisches elektrolumineszierendes bauteil |
| JP2000281493A (ja) * | 1999-03-30 | 2000-10-10 | Canon Inc | 結晶処理方法および結晶並びに光学部品及び露光装置 |
| JP2000351697A (ja) * | 1999-06-14 | 2000-12-19 | Univ Tohoku | フツ化バリウムリチウム単結晶およびその製造方法 |
-
2001
- 2001-02-07 JP JP2001031172A patent/JP2002228802A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000057499A1 (de) * | 1999-03-24 | 2000-09-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh & Co. Ohg | Organisches elektrolumineszierendes bauteil |
| JP2000281493A (ja) * | 1999-03-30 | 2000-10-10 | Canon Inc | 結晶処理方法および結晶並びに光学部品及び露光装置 |
| JP2000351697A (ja) * | 1999-06-14 | 2000-12-19 | Univ Tohoku | フツ化バリウムリチウム単結晶およびその製造方法 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007005777A (ja) * | 2005-05-25 | 2007-01-11 | Tokuyama Corp | 液浸式露光装置のラストレンズ |
| EP1961843A2 (en) | 2007-02-22 | 2008-08-27 | Tokuyama Corporation | Method for producing BaLiF3 single crystal |
| JP2008230958A (ja) * | 2007-02-22 | 2008-10-02 | Tokuyama Corp | ＢａＬｉＦ３単結晶体の製造方法 |
| JP2009073682A (ja) * | 2007-09-19 | 2009-04-09 | Tokuyama Corp | ＢａＬｉＦ３単結晶体の製造方法 |
| JP2009091185A (ja) * | 2007-10-05 | 2009-04-30 | Tokuyama Corp | ＢａＬｉＦ３単結晶体 |
| JP2009132576A (ja) * | 2007-11-30 | 2009-06-18 | Tokuyama Corp | ＢａＬｉＦ３単結晶体 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6813070B2 (en) | Optical member for vacuum ultraviolet, and aligner and device manufacture method using same | |
| JP3337638B2 (ja) | フッ化物結晶の製造方法及び光学部品の製造方法 | |
| JPH10260349A (ja) | 紫外線レーザ用結像光学系 | |
| JP2001244188A5 (ja) | ||
| KR20040015179A (ko) | 광학소자 및 그 제조방법 | |
| EP0987538A1 (en) | Light-transmitting optical element for optical lithography apparatus | |
| US7455880B2 (en) | Optical element fabrication method, optical element, exposure apparatus, device fabrication method | |
| US6377332B1 (en) | Optical member for photolithography and photolithography apparatus | |
| US6989060B2 (en) | Calcium fluoride crystal and method and apparatus for using the same | |
| JP2002228802A (ja) | フッ化物結晶からなる真空紫外領域用光学部材および光学部材用コーティング材 | |
| JP2001108801A (ja) | 真空紫外領域用光学部材および光学部材用コーティング材 | |
| US6875275B1 (en) | Production apparatus for producing a crystal | |
| US6727025B1 (en) | Photomask and exposure method | |
| US20120152730A1 (en) | Glass composition for ultraviolet light and optical device using the same | |
| US6683714B1 (en) | Birefringence minimizing fluoride crystal optical VUV microlithography lens elements and optical blanks | |
| JP2002296401A (ja) | フッ化物結晶からなる真空紫外領域用光学部材および光学部材用コーティング材 | |
| JP2000356701A (ja) | コルキライト型フッ化物混晶からなる真空紫外領域用光学部材および光学部材用コーティング材 | |
| JP2002293685A (ja) | 結晶製造方法及び装置 | |
| JP3337605B2 (ja) | マグネシウム含有蛍石とそれを用いた光学系及び露光装置 | |
| US7935947B2 (en) | Glass composition for ultraviolet light and optical device using the same | |
| JPH1116802A (ja) | 露光方法及び露光装置 | |
| JP2000216459A (ja) | 真空紫外光用の光学部品 | |
| JP2004157349A (ja) | 光学系の製造方法、投影光学系、露光装置、および露光方法 | |
| JP2005350280A (ja) | 単結晶の製造方法及び光学部品、露光装置 | |
| JP2000121801A (ja) | 光学部品及びそれを用いた光学装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20071127 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20071128 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071227 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101124 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110322 |