JP4834567B2 - パターン測定装置及びパターン測定方法 - Google Patents
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Description
図2は、本実施形態に係る走査型電子顕微鏡の構成図である。
次に、図2に示した走査型電子顕微鏡100を用いて、図3(a)に示す試料のパターンの線幅を測定する一般的な方法について説明する。
図4及び図5は、ラインアンドスペースパターンのSEM画像から得られる輝度信号を表すラインプロファイル、ラインプロファイルを1次微分及び2次微分した1次微分プロファイル及び2次微分プロファイルを示している。
次に、図7、図8及び図9を用いて、電子ビームによるパターン測定方法について説明する。
Claims (9)
- 荷電粒子ビームを走査して、試料上に形成されたパターンのラインプロファイルを作成するラインプロファイル作成部と、
前記ラインプロファイルを2次微分して2次微分プロファイルを作成する微分プロファイル作成部と、
前記2次微分プロファイルから得られる前記パターンのエッジ位置の近傍に出現する2つのピーク位置とピーク値から前記パターンのエッジが立ち上がりか立下りかを判定するエッジ検出部と
を備えることを特徴とするパターン測定装置。 - 前記エッジ検出部は、前記2次微分プロファイルから得られる前記パターンのエッジ位置の近傍に出現する2つのピーク位置をX1,X2(>X1)としたとき、前記ピーク位置X1の信号量が前記ピーク位置X2の信号量よりも大きいとき、前記パターンのエッジは立ち上がると判定することを特徴とする請求項1に記載のパターン測定装置。
- 前記エッジ検出部は、前記2次微分プロファイルから得られる前記パターンのエッジ位置の近傍に出現する2つのピーク位置をX1,X2(>X1)としたとき、前記ピーク位置X1の信号量が前記ピーク位置X2の信号量よりも小さいとき、前記パターンのエッジは立ち下がると判定することを特徴とする請求項1に記載のパターン測定装置。
- 前記試料上に形成されたパターンは、ラインパターンが等間隔に形成されたラインアンドスペースパターンであることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載のパターン測定装置。
- 荷電粒子ビームを走査して、試料上に形成されたパターンのラインプロファイルを作成するステップと、
前記ラインプロファイルを2次微分して2次微分プロファイルを作成するステップと、
前記2次微分プロファイルから前記パターンのエッジ位置の近傍に出現する2つのピーク位置とピーク値から前記パターンのエッジが立ち上がりか立ち下がりかを判定するステップと、
を有することを特徴とするパターン測定方法。 - 前記エッジが立ち上がりか立ち下がりかは、前記2次微分プロファイルから得られる前記パターンのエッジ位置の近傍に出現する2つのピーク位置をX1,X2(>X1)としたとき、前記ピーク位置X1の信号量が前記ピーク位置X2の信号量よりも大きいとき、前記パターンのエッジは立ち上がると判定することを特徴とする請求項5に記載のパターン測定方法。
- 前記エッジが立ち上がりか立ち下がりかは、前記2次微分プロファイルから得られる前記パターンのエッジ位置の近傍に出現する2つのピーク位置をX1,X2(>X1)としたとき、前記ピーク位置X1の信号量が前記ピーク位置X2の信号量よりも小さいとき、前記パターンのエッジは立ち下がると判定することを特徴とする請求項5に記載のパターン測定方法。
- 前記試料上に形成されたパターンは、ラインパターンが等間隔に形成されたラインアンドスペースパターンであることを特徴とする請求項5から7のいずれか一項に記載のパターン測定方法。
- 荷電粒子ビームを走査して、試料上に形成されたパターンのラインプロファイルを取得し、前記ラインプロファイルを2次微分した2次微分プロファイルにおいて、近傍の2つのピーク値の大小関係から、当該2つのピーク値を示すパターン位置が立ち上がり形状か、立ち下がり形状かを特定することを特徴とするパターン測定装置。
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