JP4808410B2

JP4808410B2 - 磁界検出回路

Info

Publication number: JP4808410B2
Application number: JP2005019656A
Authority: JP
Inventors: 一実豊田
Original assignee: 双日マシナリー株式会社
Priority date: 2005-01-27
Filing date: 2005-01-27
Publication date: 2011-11-02
Anticipated expiration: 2025-01-27
Also published as: JP2006208146A

Description

本発明は磁気インピ−ダンス効果素子を用いた磁界検出回路に関するものである。

アモルファス合金ワイヤとして、自発磁化の方向がワイヤ周方向に対し互いに逆方向の磁区が交互に磁壁で隔てられた構成の外殻部を有する、零磁歪乃至は負磁歪のアモルファス合金ワイヤが開発されている。
かかる零磁歪乃至は負磁歪のアモルファス磁性ワイヤに高周波電流したときに発生するワイヤ両端間出力電圧中のインダクタンス電圧分は、ワイヤの横断面内に生じる円周方向磁束によって上記の円周方向に易磁化性の外殻部が円周方向に磁化されることに起因して発生する。従って、周方向透磁率μθは同外殻部の円周方向の磁化に依存する。
而るに、この通電中のアモルファスワイヤに外部磁界を作用させると、上記通電による円周方向磁束と外部磁束との合成により、上記円周方向に易磁化性を有する外殻部に作用する磁束の方向が円周方向からずれ、それだけ円周方向への磁化が生じ難くなり、上記周方向透磁率μθが変化し、上記インダクタンス電圧分が変動することになる。
而して、この変動現象が磁気インダクタンス効果と称され、この効果を奏するアモルファスワイヤ等が磁気インダクタンス効果素子と称されている。

更に、上記通電電流の周波数がＭＨｚオ−ダになると、高周波表皮効果が大きく現れ、表皮深さδ＝（２ρ／wμθ）^１／２（μθは前記した通り、円周方向透磁率、ρは電気抵抗率、wは角周波数をそれぞれ示す)がμθにより変化し、このμθが前記した通り、外部磁界によって変化するので、ワイヤ両端間出力電圧中の抵抗電圧分も外部磁界で変動するようになる。
而して、この変動現象が磁気インピーダンス効果と称され、この効果を奏するアモルファスワイヤ等が磁気インピーダンス効果素子と称されている。

そこで、この磁気インピーダンス効果素子を利用した外部磁界検出法（例えば、特許文献１参照）及び磁気インダクタンス効果を使用した外部磁界検出方法（例えば、特許文献２参照）が提案されている。

上記において、外部磁界の正負により上記磁界の周方向ずれφにも正負が生じるが、周方向の磁界の減少倍率cos(±φ)は変わらず、従ってμθの減少度は外部磁界の方向の正負によっては変化されない。従って、外部磁界−出力特性は磁界をｘ軸に、出力をｙ軸にとると、ｙ軸に対してほぼ左右対称となる。また、非線形になることも知られている。

この磁気インピーダンス効果素子を使用した磁界検出回路は、基本的には、図４−１に示すように（１）磁気インピーダンス効果素子１’に高周波励磁電流を加えるための高周波電源２’と、（２）磁気インピーダンス効果素子１’と、（３）磁気インピーダンス効果素子に加わる外部磁界で前記高周波励磁電流（搬送波）を変調させた変調波を復調する検波回路３’と、（４）復調波を増幅する増幅器４’と、（５）被検出磁界表示部７’等から構成されている。
図４−２の（イ）は磁気イスピーダンス効果素子に加えられる被検出磁界Ｈ_ｅｘを、（ロ）は磁気イスピーダンス効果素子に流される高周波励磁電流波（搬送波）Ｉｃを、（ハ）は磁気イスピーダンス効果素子出力としての変調波を、（ニ）は変調波の包絡線波形を、（ホ）は復調波をそれぞれ示している。図４−２の（ヘ）は増幅器の出力Ｖを示し、その波高値を増幅器の電源電圧＋Ｖｃｃ、−Ｖｃｃに対し、＋Ｖｃｃ〜０、−Ｖｃｃ〜０の納めるように調整してある。

被検出磁界の振幅Ｈｅｘと出力Ｖの振幅との関係を図示すると前記の左右対称性及び非線形性から図５の（イ）のように表わすことができる。
そこで、図４−１の回路において、５０’で示す負帰還用コイルで負帰還をかけて図５の（ロ）に示すように特性を直線化することが公知である。図５の（ロ）において、Δｗは、負帰還無しのときの利得Ａが非常に大きく帰還率βのみにより利得が定まる範囲である。
更に、図４−１の回路において、６’で示すようにバイアス用コイルでバイアス磁界をかけ、図５の（ハ）に示すように極性判別可能な直線特性にすることも公知である。すなわち、図５の（ロ）の特性を、図５の（ハ）に示すようにバイアス磁界により矢印方向に移動させ、被検出磁界の最大範囲−Ｈmax〜＋Ｈmaxを一斜線領域Δw'の範囲内に納め、図５の（ニ）に示すように０点調整による原点を通る直線特性とすることも公知である。

周知の通り、導体に電流を流すと磁界が発生し、傷等の欠陥があると図６に示すように欠陥箇所を挾むある間隔ｂ内において磁界が変化する。
従って、所定の間隔を隔てて磁界検出素子を配設し、両磁界検出素子の出力の差を出力する磁界センサを導体に沿い移動させると、欠陥箇所以外では出力が０となるが、欠陥箇所で傷情報出力が検出される。
この場合、磁界センサが可動とされ、出力計測器が通常固定とされるために、磁界センサの出力端に長尺ケーブルを介して計測器が接続される。
従来、２箇の磁気イスピーダンス効果素子を使用し、各磁気イスピーダンス効果素子の出力を検波して差動増幅器で差動増幅し、その差動増幅器に＋Ｖｃｃ（＋２Ｖ）、−Ｖｃｃ（−２Ｖ）の二電源型を使用することが知られている（特許文献３）。

特開平７−１８１２３９号公報特開平６−２８３３４４号公報特開２０００−１９３７２９号公報

この場合、差動増幅器の出力〔各磁気イスピーダンス効果素子に加わる被検出磁界をＨ_ｅｘ１、Ｈ_ｅｘ２とすると、Ｋ（Ｈ_ｅｘ１−Ｈ_ｅｘ２）で与えられる〕は、差動増幅器のレベル出力電圧が０であるので、Ｈ_ｅｘ１＞Ｈ_ｅｘ２に対しては＋Ｖｃｃ〜０の範囲に収まるように、Ｈ_ｅｘ１＜Ｈ_ｅｘ２に対しては−Ｖｃｃ〜０に収まるように調整される。

この差動増幅器の出力端に前記したように長尺ケーブルを介して計測器を接続する場合、外部誘導ノイズの侵入が避けられず、計測現場に他の電気機器があるとそのノイズが大きく、このノイズのために計測精度が低減される畏れがある。

本発明の目的は、２箇の磁気インピーダンス効果素子を用いた差動増幅型磁界検出回路において、出力端に長尺のケーブルを介し計測器を接続して計測しても、外部誘導ノイズの影響をよく排除して計測し、駆動できる磁界検出回路を提供することにある。

請求項１に係る磁界検出回路は、第１磁気インピーダンス効果素子及び第２磁気インピーダンス効果素子と、第１磁気イスピーダンス効果素子にバイアス磁界を印加する第１バイアス磁界用コイル及び第２磁気イスピーダンス効果素子にバイアス磁界を印加する第２バイアス磁界用コイルと、各磁気イスピーダンス効果素子に励磁電流を供給する励磁電流源と、各磁気イスピーダンス効果素子に加わる被検出磁界で各磁気イスピーダンス効果素子の励磁電流が変調された波形の各磁気イスピーダンス効果素子出力を検波する第１検波回路及び第２検波回路と、各検波回路の出力ｖ_１、ｖ_２を差動増幅する差動増幅回路と、差動増幅回路の出力を第１磁気イスピーダンス効果素子及び第２磁気イスピーダンス効果素子に第１負帰還磁界用コイル及び第２負帰還磁界用コイルを介して負帰還させる負帰還回路とを備え、ｖ_１＝ｖ_２に対する差動増幅回路の出力電圧を所定電圧Ｖ_０とするオフセット手段を差動増幅回路に付設し、負帰還回路に前記電圧Ｖ_０を打ち消すバイアス電圧印加回路を付設したことを特徴とする。

請求項１に係る磁界検出回路は、第１磁気インピーダンス効果素子及び第２磁気インピーダンス効果素子と、第１磁気インピーダンス効果素子にバイアス磁界を印加する第１バイアス磁界用コイル及び第２磁気インピーダンス効果素子にバイアス磁界を印加する第２バイアス磁界用コイルと、各磁気インピーダンス効果素子に励磁電流を供給する励磁電流源と、各磁気インピーダンス効果素子に加わる被検出磁界で各磁気インピーダンス効果素子の励磁電流が変調された波形の各磁気インピーダンス効果素子出力を検波する第１検波回路及び第２検波回路と、単一電源型または二電源型で各検波回路の出力ｖ _１、ｖ _２を差動増幅する差動増幅回路と、差動増幅回路の出力を第１磁気インピーダンス効果素子及び第２磁気インピーダンス効果素子に第１負帰還磁界用コイル及び第２負帰還磁界用コイルを介して負帰還させる負帰還回路とを備え、ｖ _１＝ｖ _２に対する差動増幅回路の出力端電圧を(0.5+k) Vccまたは kVcc(ただし、Vcc は電源電圧、0<k≦１)とする電圧印加手段を差動増幅回路に付設し、負帰還回路に前記出力端電圧(0.5+k) VccまたはkVccを打ち消すバイアス電圧印加回路を付設し、被検出磁界計測器を前記差動増幅回路の出力端に接続したことを特徴とする。

請求項３に係る磁界検出回路は、請求項１または２の磁界検出回路において、第１磁気インピーダンス効果素子と第２磁気インピーダンス効果素子とを所定の距離だけずらせ、かつ両磁気イスピーダンス効果素子の軸心方向を一致させて配設したことを特徴とする。

請求項４に係る磁界検出回路は、請求項１または２の磁界検出回路において、第１磁気インピーダンス効果素子と第２磁気インピーダンス効果素子とを所定の間隔を隔てて並行に配設したことを特徴とする。

請求項５に係る磁界検出回路は、請求項１〜４の磁界検出回路において、各磁気イスピーダンス効果素子が各基板片の片面に取付けられ、各基板片の他面に前記磁気イスピーダンス効果素子とで磁気回路を形成する鉄芯が取付けられ、各鉄芯に各磁気イスピーダンス効果素子に対するバイアス磁界用コイル及び負帰還磁界用コイルとが巻装されていることを特徴とする。

（１）差動増幅回路への入力ｖ_１、ｖ_２に対し、ｖ_１＝ｖ_２のときの差動増幅回路の出力電圧を充分に高いＶ_０としてあり、差動増幅端に計測器を接続する長尺ケーブルから外部誘導ノイズが侵入しても、前記電圧Ｖ_０によるオフセットに応じ差動増幅回路出力をカットして計測することにより、カット値以下のノイズを排除してそれだけ優れたＳ／Ｎ比で被検出磁界を計測できる。
（２）差動増幅回路の出力を第１磁気イスピーダンス効果素子及び第２磁気イスピーダンス効果素子に負帰還させる負帰還回路にバイアス電圧を印加して前記Ｖ_０を打ち消す状態で負帰還をかけているから、ｖ_１＝ｖ_２のときの差動増幅回路の出力電圧Ｖ_０により負帰還回路に電流が流れるのを防止でき、その電圧Ｖ_０を保持するための電源の浪費を排除できる。

以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明する。
図１−１は本発明に係る磁界検出回路の一実施例を示している。
図１−１において、１ａ及び１ｂは所定の間隔を隔てて配設された第１磁気イスピーダンス効果素子及び第２磁気イスピーダンス効果素子であり、自発磁化の方向がワイヤ周方向に対し互いに逆方向の磁区が交互に磁壁で隔てられた構成の外殻部を有する零磁歪乃至は負磁歪のアモルファス合金ワイヤの他、アモルファス合金リボン、アモルファス合金スパッタ膜が使用される。これらの磁気インピーダンス効果素子としては、遷移金属と非金属の合金で非金属が１０〜３０原子％組成のもの、特に遷移金属と非金属との合金で非金属量が１０〜３０原子％を占め、遷移金属がＦｅとＣｏで非金属がＢとＳｉであるかまたは遷移金属がＦｅで非金属がＢとＳｉである組成のものを使用することができ、例えば、組成Ｃｏ_７０．５Ｂ_１５Ｓｉ_１０Ｆｅ_４．５、長さ２０００μｍ〜６０００μｍ、外径３０μｍ〜５０μｍφのものを使用できる。
２は第１磁気イスピーダンス効果素子１ａ及び第２磁気イスピーダンス効果素子１ｂに高周波励磁電流を印加するための電源であり、これらの磁気イスピーダンス効果素子１ａ，１ｂに電源２によって等しい励磁電流が流されるようにブリッジ回路に組み立てられている。３ａ，３ｂは各磁気イスピーダンス効果素子１ａ，１ｂの出力端に接続された検波回路であり、図１−２に示すようにダイオード３１の出力側にＲＣ平滑回路３２を接続し、更に直流カットコンデンサ３３を接続したものを使用することができる。

図１−１において、各磁気イスピーダンス効果素子１ａ，１ｂに流れる励磁電流をＩｃ、各磁気イスピーダンス効果素子に加えられる被検出磁界をＨ_ｅｘとすると、磁気イスピーダンス効果素子の出力は図４−２の（ハ）で示すように、図４−２の（ロ）の励磁電流Ｉｃが図４−２の（イ）で示す被検出磁界Ｈ_ｅｘで変調された変調波となり、この磁気イスピーダンス効果素子出力が検波回路で復調されて図４−２の（ホ）で示す被検出磁界信号が得られる。

図１−１において、４は演算差動増幅回路であり、この差動増幅回路の両入力端子に前記の復調された被検出磁界信号が入力される。前記第１磁気イスピーダンス効果素子１ａに加えられる被検出磁界Ｈ_ｅｘ１に基づく被検出磁界信号をｖ_１、第２磁気イスピーダンス効果素子１ｂに加えられる被検出磁界Ｈ_ｅｘ２に基づく被検出磁界信号をｖ_２とする。４０はｖ_１＝ｖ_２のときの差動増幅回路４の出力電圧を所定の電圧Ｖ_０とするためのオフセット手段であり、電源電圧Ｖｃｃを使用して電圧リファレンス端子にｋＶｃｃ（ｋ≦１）の電圧を印加する構成とすることができる。
差動増幅回路４が＋Ｖｃｃ電源と−Ｖｃｃ電源を使用する二電源型の場合、前記Ｖ_０はＶ_０＝ｋＶｃｃとなり、差動増幅回路４が＋Ｖｃｃ電源のみを使用する単一電源型の場合、Ｖ０＝（０．５＋ｋ）Ｖｃｃとなる。

５は差動増幅回路４の出力を各磁気イスピーダンス効果素子１ａ，１ｂに負帰還させる負帰還回路であり、前記電圧Ｖ_０を打ち消すためのバイアス電圧印加回路５０を挿入してある。このバイアス電圧印加回路５０には、＋Ｖｃｃの分圧電圧ｋ’Ｖｃｃを非反転入力端子に入力する電圧フォロワを使用することができ、ｋ’＝ｋまたはｋ’＝（０．５＋ｋ）に設定される。従って、差動増幅回路４の両入力端子への入力ｖ１、ｖ２が等しいときに負帰還回路に無駄に直流電流が流れるのを防止でき、オフセット手段における＋Ｖｃｃの浪費を防止できる。

５ａ及び５ｂは各磁気イスピーダンス効果素子１ａ及び１ｂにバイアス磁界を印加するための第１バイアス磁界用コイル及び第２バイアス磁界用コイルであり、図５の（ニ）に示すように被検出磁界Ｈｅｘを極性判別して検出できるようにしている。
７は差動増幅回路４の出力端に長尺の可撓性ケーブル８を介して接続された計測器である。

本発明に係る磁界検出回路は基板に搭載して移動式センサとし、差動増幅回路の出力端に長尺ケーブルを介し固定の計測器を接続して使用することができる。
図６に示すような途中で磁界が変化する経路に沿って前記の移動式センサを移動させると、磁界変化箇所を通過する際、第１磁気イスピーダンス効果素子に作用する磁界Ｈｅｘ１と第２磁気イスピーダンス効果素子に作用する磁界Ｈｅｘ２とに差が生じ、差動増幅回路の出力Ｖは、±Ｋ｜Ｈｅｘ１−Ｈｅｘ２｜が前記の電圧Ｖ_０でオフセットされた値、すなわち、±Ｋ｜Ｈ_ｅｘ１−Ｈ_ｅｘ２｜＋Ｖ_０で与えられる。
すなわち、Ｈ_ｅｘ１＞Ｈ_ｅｘ２のときは、Ｋ（Ｈ_ｅｘ１−Ｈ_ｅｘ２）＋Ｖ_０で与えられ、Ｈ_ｅｘ２＞Ｈ_ｅｘ１のときは、−Ｋ（Ｈ_ｅｘ２−Ｈ_ｅｘ１）＋Ｖ_０で与えられる。
而して、長尺ケーブル８に外部誘導ノイズが侵入しても、−Ｋ（Ｈ_ｅｘ２−Ｈ_ｅｘ１）＋Ｖ_０＝Ｅが正で充分に大きな値とするようにＶ_０やＫを設定し、差動増幅回路４の出力を計測器７で前記電圧Ｅ以下をカットして計測すれば、電圧Ｅ以下の波高値のノイズをカットでき、それだけ検出精度を高くできる。

前記の各磁気イスピーダンス効果素子１ａ，１ｂを含む磁界センサに作用する外部磁界ノイズは差動増幅回路に同一値、同相で入力し、また各検波回路３ａ，３ｂ等に生じる内部ノイズも差動増幅回路４に同一値、同相で入力するから、これらのノイズの影響も排除できる。

図６に示した磁界変化は、電流により発生する磁界の乱れを伴い、電流方向と直角方向の磁界成分の変化及び電流方向の磁界成分の変化を生じる。一方、磁気イスピーダンス効果素子の感磁方向は軸方向である。従って、図２の（イ）に示すように、第１磁気インピーダンス効果素子１ａと第２磁気インピーダンス効果素子１ｂとを所定の距離だけずらせ、かつ両磁気イスピーダンス効果素子１ａ，１ｂの軸心方向を一致させて配設することができる。また、図２の（ロ）に示すように、第１磁気インピーダンス効果素子１ａと第２磁気インピーダンス効果素子１ｂとを所定の間隔を隔てて並行に配設することもできる。

本発明に係る磁界検出回路は前記実施例に限定されない。
前記検波回路におけるピークホールド回路に代え、Ｒ−Ｃローパスフィルターを使用することもできる。これらのピークホールド回路やＲ−Ｃローパスフィルターのコンデンサを温度補償用コンデンサとして使用することにより、温度特性の変更が可能である。

上記磁気インピーダンス効果素子には、零磁歪乃至は負磁歪のアモルファスワイヤ、アモルファスリボン、アモルファススパッタ膜等を使用できる。高周波励磁電流の周波数はＭＨｚオ−ダである。
これよりも低い周波数の搬送波の場合でも、前記した磁気インダクタンス効果により搬送波を外部磁界で振幅変調させることが可能であり、本発明は磁気インダクタンス効果素子を用いて実施することもできる。

上記高周波搬送波としては、連続正弦波、パルス波、三角波等の通常の高周波を使用でき、例えば、ハートレー発振回路、コルピッツ発振回路、コレクタ同調発振回路、ベース同調発振回路のような通常の発振回路の外、水晶発振器の矩形波出力を直流分カットコンデンサを経て積分回路で積分し、この積分出力の三角波を増幅回路で増幅する三角波発生器、ＣＭＯＳ−ＩＣを発振部として使用した三角波発生器を用いることができる。
また、消費電力の軽減のために正弦波、パルス波、三角波のバースト波を使用することも可能である。

上記実施例では、励磁電流を搬送波とし、この搬送波を被検出磁界で振幅変調し、この変調波を検波回路で復調して被検出磁界信号を取出しているが、磁気インピーダンス効果素子に作用する被検出磁界による磁界検出信号から被検出磁界に相当する被検出磁界信号量を取り出し得るものであれば適宜の検波回路を使用できる。

前記の負帰還磁界用コイル５ａ（５ｂ）及びバイアス磁界用コイル６ａ（６ｂ）は磁気インピーダンス効果素子１ａ（１ｂ）に巻き付けることができる。
また、図３に示すように磁気インピーダンス効果素子とループ磁気回路を構成する鉄芯に負帰還磁界用コイル及びバイアス磁界用コイルを巻き付けることもできる。
図３の（イ）は鉄芯付き磁気インピーダンス効果ユニットの一例を示す側面図、図３の（ロ）は同じく底面図、図３の（ハ）は図３の（ロ）におけるハ−ハ断面図である。
図３において、１００は基板片であり、例えばセラミックス板を使用できる。１０１は基板片の片面に設けた電極であり、磁気インピーダンス効果素子接続用突部１０２を備えている。この電極は導電ペースト、例えば銀ペーストの印刷・焼付けにより設けることができる。１ｘは電極１０１，１０１の突部１０２，１０２間にはんだ付けや溶接により接続した磁気インピーダンス効果素子であり、前記した通り零磁歪乃至負磁歪のアモルファスワイヤ、アモルファスリボン、スパッタ膜等を使用できる。１０３はＣ型鉄芯、５ｘはＣ型鉄芯に巻装した負帰還用コイル、６ｘは同じくバイアス磁界用コイルであり、磁気インピーダンス効果素子１ｘとＣ型鉄芯１０３とでループ磁気回路を構成するように、Ｃ型鉄芯１０３の両端を基板片１００の他面に接着剤等で固定してある。鉄芯材料としては、残留磁束密度の小さい磁性体であればよく、例えば、パーマロイ、フェライト、鉄、アモルファス磁性合金の他、磁性体粉末混合プラスチック等を挙げることができる。

本発明に係る磁界検出回路の一実施例を示す図面である。図１−２の回路における検波回路の一例を示す図面である。本発明に係る磁界検出回路における磁気インピーダンス効果素子の異なる配設例を示す図面である。本発明に係る磁界検出回路において使用される磁気インピーダンス効果素子ユニットの一例を示す図面である。従来の磁界検出回路を示す図面である。図４−１の回路における波形を示す図面である。磁気インピーダンス効果素子の出力特性を示す図面である。被検出磁界の分布状態を示す図面である。

符号の説明

１ａ第１磁気インピーダンス効果素子
１ｂ第２磁気インピーダンス効果素子
２励磁電流源
３ａ第１検波回路
３ｂ第２検波回路
４差動増幅回路
４０所定電圧オフセット手段
５負帰還回路
５ａ第１負帰還磁界用コイル
５ｂ第２負帰還磁界用コイル
５０バイアス電圧印加回路
６ａ第１バイアス磁界用コイル
６ｂ第２バイアス磁界用コイル
７計測器
８ケーブル

Claims

第１磁気インピーダンス効果素子及び第２磁気インピーダンス効果素子と、第１磁気インピーダンス効果素子にバイアス磁界を印加する第１バイアス磁界用コイル及び第２磁気インピーダンス効果素子にバイアス磁界を印加する第２バイアス磁界用コイルと、各磁気インピーダンス効果素子に励磁電流を供給する励磁電流源と、各磁気インピーダンス効果素子に加わる被検出磁界で各磁気インピーダンス効果素子の励磁電流が変調された波形の各磁気インピーダンス効果素子出力を検波する第１検波回路及び第２検波回路と、単一電源型または二電源型で各検波回路の出力ｖ _１、ｖ _２を差動増幅する差動増幅回路と、差動増幅回路の出力を第１磁気インピーダンス効果素子及び第２磁気インピーダンス効果素子に第１負帰還磁界用コイル及び第２負帰還磁界用コイルを介して負帰還させる負帰還回路とを備え、ｖ _１＝ｖ _２に対する差動増幅回路の出力端電圧を(0.5+k) VccまたはkVcc(ただし、Vcc は電源電圧、0<k≦１)とする電圧印加手段を差動増幅回路に付設し、負帰還回路に前記出力端電圧(0.5+k) VccまたはkVccを打ち消すバイアス電圧印加回路を付設し、被検出磁界計測器を前記差動増幅回路の出力端に接続したことを特徴とする磁界検出回路。
差動増幅回路の出力端にケーブルを介して被検出磁界計測器を接続したことを特徴とする請求項１記載の磁界検出回路。
第１磁気インピーダンス効果素子と第２磁気インピーダンス効果素子とを所定の距離だけずらせ、かつ両磁気インピーダンス効果素子の軸心方向を一致させて配設したことを特徴とする請求項１または２記載の磁界検出回路。
第１磁気インピーダンス効果素子と第２磁気インピーダンス効果素子とを所定の間隔を隔てて並行に配設したことを特徴とする請求項１または２記載の磁界検出回路。
各磁気インピーダンス効果素子が各基板片の片面に取付けられ、各基板片の他面に前記磁気インピーダンス効果素子とで磁気回路を形成する鉄芯が取付けられ、各鉄芯に各磁気インピーダンス効果素子に対するバイアス磁界用コイル及び負帰還磁界用コイルとが巻装されていることを特徴とする請求項１〜４何れか記載の磁界検出回路。